JP2012522358A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012522358A5 JP2012522358A5 JP2012501137A JP2012501137A JP2012522358A5 JP 2012522358 A5 JP2012522358 A5 JP 2012522358A5 JP 2012501137 A JP2012501137 A JP 2012501137A JP 2012501137 A JP2012501137 A JP 2012501137A JP 2012522358 A5 JP2012522358 A5 JP 2012522358A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- attenuator
- euv
- optical system
- illumination optical
- illumination
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 48
- 230000003287 optical Effects 0.000 claims description 23
- 230000000295 complement Effects 0.000 claims description 7
- 238000001393 microlithography Methods 0.000 claims description 3
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000003014 reinforcing Effects 0.000 claims 1
- 210000001747 Pupil Anatomy 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000875 corresponding Effects 0.000 description 1
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
Description
本発明は、照明光ビームを放射線源から物体視野に誘導するためのEUVマイクロリソグラフィのために、照明光ビームを誘導するための非平面ミラー表面形状を有する反射面を有する少なくとも1つのEUVミラーを有する照明光学系に関する。更に、本発明は、この種の照明光学系のためのEUV減衰器、この種の照明光学系を有する照明系、及びこの種の照明系を有する投影露光装置に関する。最後に、本発明は、微細構造化構成要素又はナノ構造化構成要素を生成する方法、及び本方法を用いて製造される構成要素に関する。
本発明は、照明光ビームを形成するための非平面ミラー表面形状を有する反射面を有する少なくとも1つのEUVミラーと、EUVミラーの前に配置された少なくとも1つのEUV減衰器であって、EUV減衰器のEUVミラーの反射面に対面する減衰器面が、ミラー表面形状を補完するように設計された減衰器表面形状を有し、それによって減衰器面のうちの少なくともある区画が、反射面に接触することなく反射面から一定の間隔の位置に配置されるようにするEUV減衰器とを有して、照明光ビームを放射線源から物体視野に誘導するためのEUVマイクロリソグラフィのための照明光学系によってこの目的を達成する。
本発明に準ずると、照明パラメータにおける望ましくない変化が、EUV減衰器を用いて補正される。ミラー表面形状に対する減衰器表面形状の補完的成形は、EUV減衰器をEUVミラーの直近に持ってくることができることを保証する。照明光ビームがEUVミラーに0とはかなり異なる入射角で当たった場合であっても、EUV減衰器をEUVミラーの直近に持ってくるこの可能性は、EUV減衰器上への照明光の戻りビームの入射位置と射出ビームの入射位置の間のオフセットに起因する二重通過損失が阻止されるか、又は最小にされることを保証する。EUVミラーとは別のサブアセンブリの形態にあるEUV減衰器の利点は維持される。従って、EUV減衰器をEUVミラーに対して微調節することができる。更に、照明パラメータの影響を変更するために、特定のEUV減衰器を異なる設計のEUV減衰器と交換することができる。非常に短い間隔にも関わらず、EUVミラーとEUV減衰器とが互いに接触することを安全に阻止することができる。EUV減衰器は、物体視野にわたる照明光における照明角度分布と強度分布の両方に影響を与えるために使用することができる。EUV減衰器の作用は、照明光学系内のその位置に依存する。EUV減衰器のこの位置決めされのために設けられたEUVミラーの前の平面では、この平面の状況に従って物体視野照明の視野機能と瞳機能の両方に関するパラメータを変更することができる。EUV減衰器が、照明光学系の視野平面又は瞳平面と一致する平面に位置する限り、視野機能のパラメータのみ、又は瞳機能のパラメータだけに特定的に影響を与えることができる。非平面ミラー表面形状は、ミラー表面形状に対して補完的な設計の減衰器表面形状も同じく非平坦、すなわち、不均等であることを意味する。非平坦ミラー表面形状は、ミラーの反射面内の対応する曲率により、又はそうでなければミラーが個々のミラーセグメント、例えば、個々のミラーファセットに分割されることによって生成することができる。
図5は、図4の左上に示している3つの視野ファセットブロック20から構成される群からの拡大詳細部を示している。図5は、視野ファセットブロック20の個別視野ファセット19が互いに対して傾斜され、それによってEUV放射線10をチャンネル毎に異なって経路変更し、従って、互いから物理的に分離して配置された瞳ファセットミラー14の瞳ファセット22を照明することを示している。更に、個別視野ファセット19の凹球面設計を見ることができる。視野ファセット19のこの設計は、照明光ビームとして入射するEUV放射線10を形成するための非平面ミラー表面形状を有する反射面29を有するEUVミラーである視野ファセットミラー13をもたらす。図面にはこの表面形状を図5に強調表示している3つのファセットブロック20の領域内にのみ写実的に示しており、他の場合は平面として略示している。
電気メッキ形成に基づいて、減衰器半物品30の反射面29に対面する減衰器面31は、反射面29の表面形状を帯びる。従って、電気メッキ形成の後に、減衰器半物品30の減衰器面31は、反射面29のミラー表面形状に対して補完的な設計のものである減衰器表面形状を有する。
Claims (23)
- 照明光ビーム(10)を放射線源(3)から物体視野(5)に誘導するためのEUVマイクロリソグラフィのための照明光学系(4)であって、
照明光ビーム(10)を形成するための非平面ミラー表面形状を備えた反射面(29)を有する少なくとも1つのEUVミラー(13)を有し、
前記EUVミラー(13)の前に配置された少なくとも1つのEUV減衰器(27)であって、該EUV減衰器(27)の該EUVミラー(13)の前記反射面(29)に対面する減衰器面(31)が、前記ミラー表面形状を補完するように設計された減衰器表面形状を有し、それによって該減衰器面(31)のうちの少なくともある一定の区画が、該反射面(29)に接触することなく該反射面(29)から一定の間隔の位置に配置される少なくとも1つのEUV減衰器(27)を有する、
ことを特徴とする照明光学系。 - 前記EUV減衰器(27)と前記EUVミラー(13)の間の前記間隔は、200μmよりも大きくないことを特徴とする請求項1に記載の照明光学系。
- 前記EUV減衰器は、規定の絞り輪郭(25)を備えた少なくとも1つのEUV絞り(24)を有することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の照明光学系。
- 前記EUV減衰器は、少なくとも1つのEUV灰色フィルタを有することを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の照明光学系。
- 前記EUVミラー(13)の前記反射面(29)は、自由曲面の形態にあることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の照明光学系。
- 前記EUVミラー(13)の前記反射面(29)は、複数の反射個別ファセット(19)を備えたファセット面の形態にあり、少なくとも一部の個別ファセット(19K)は、前記EUV減衰器(27)の関連付けられた減衰器区画(24;35)を有することを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の照明光学系。
- 前記減衰器区画(24;35)は、個々の減衰をもたらすことを特徴とする請求項6に記載の照明光学系。
- 前記減衰器区画(24;35)は、前記個別ファセット(19K)に関連付けられた遮蔽縁部(25;40)を備えた絞りの形態にあることを特徴とする請求項6又は請求項7に記載の照明光学系。
- 前記ファセット面は、複数のファセットブロック(20)に分割され、そこにおいて複数の個別ファセット(19)が、次に、組み合わされ、該ファセットブロック(20)は、該ファセット面上に挿入された距離区画を有し、前記EUV減衰器(27)の前記補完的に成形された減衰器面(31)は、該距離区画に隣接して配置された面区画上に補強支柱(33)を有することを特徴とする請求項6から請求項8のいずれか1項に記載の照明光学系。
- 前記EUV減衰器(27)の前記補完的に成形された減衰器面(31)は、特に電気メッキによって前記反射面(29)から形成された層の形態にあることを特徴とする請求項1から請求項9のいずれか1項に記載の照明光学系。
- EUV減衰器(27)の前記形成された層(30)は、ニッケルから生成されることを特徴とする請求項10に記載の照明光学系。
- 前記形成された層(30)は、複数の絞り(24)を収容することを特徴とする請求項10又は請求項11に記載の照明光学系。
- 減衰器区画(24)の他に、前記形成された層(30)は、非減衰貫通開口部(32)も収容することを特徴とする請求項10から請求項12のいずれか1項に記載の照明光学系。
- 前記減衰器区画(35)は、絞りである複数の減衰器指状体(36から39)を有することを特徴とする請求項6から請求項13のいずれか1項に記載の照明光学系。
- 前記減衰器指状体(36から39)は、個々に成形された遮蔽縁部を有することを特徴とする請求項14に記載の照明光学系。
- 各個別ファセット(19K)は、2つよりも多くの関連付けられた減衰器指状体(36から39)を持たないことを特徴とする請求項14又は請求項15に記載の照明光学系。
- 前記減衰器指状体(36から39)は、共通の装着支持体(41)によって担持されることを特徴とする請求項14から請求項16のいずれか1項に記載の照明光学系。
- 前記装着支持体(41)は、複数の個別ファセット(19K)を有するファセットブロック(20)の両側に配置された支持ブラケット(42,43)を有し、前記減衰器指状体(36から39)は、該ファセットブロック(20)に関連付けられた該2つの支持ブラケット(42,43)の間に配置されることを特徴とする請求項17に記載の照明光学系。
- 前記支持ブラケット(42,43)上の前記減衰器指状体(36から39)のための保持点(44)が、張られる前記個別ファセット(19K)の形状に依存するレベルに配置されることを特徴とする請求項18に記載の照明光学系。
- 請求項1から請求項19のいずれか1項に記載の照明光学系(4)のためのEUV減衰器(27;35)。
- 照明光ビーム(10)を生成するためのEUV放射線源(3)を有し、
請求項1から請求項19のいずれか1項に記載の照明光学系(4)を有する、
ことを特徴とする照明系。 - 請求項21に記載の照明系を有し、
物体視野(5)を像視野(8)上に投影するための投影光学系(7)を有する、
ことを特徴とする投影露光装置。 - 微細構造化構成要素を生成する方法であって、
レチクルが準備される段階と、
照明光(10)に対して感光性を有するコーティングを有するウェーハが準備される段階と、
請求項22に記載の投影露光装置を用いて前記レチクルの少なくとも1つの区画が前記ウェーハ上に投影される段階と、
前記照明光ビーム(10)に露光された前記感光層が前記ウェーハ上で現像される段階と、
を有することを特徴とする方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/EP2009/002247 WO2010108516A1 (en) | 2009-03-27 | 2009-03-27 | Illumination optical system for euv microlithography and euv attenuator for an illumination optical system of this kind, illumination system and projection exposure installation having an illumination optical system of this kind |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012522358A JP2012522358A (ja) | 2012-09-20 |
JP2012522358A5 true JP2012522358A5 (ja) | 2016-09-15 |
JP6041304B2 JP6041304B2 (ja) | 2016-12-07 |
Family
ID=41403048
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012501137A Active JP6041304B2 (ja) | 2009-03-27 | 2009-03-27 | Euvマイクロリソグラフィ用の照明光学系、この種の照明光学系用のeuv減衰器、及びこの種の照明光学系を有する照明系及び投影露光装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9482959B2 (ja) |
JP (1) | JP6041304B2 (ja) |
CN (1) | CN102365587B (ja) |
WO (1) | WO2010108516A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7071436B2 (ja) | 2013-09-11 | 2022-05-18 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | Euv投影リソグラフィのための照明光学系及び照明系 |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102012207377A1 (de) * | 2012-05-03 | 2013-11-07 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungsoptik sowie optisches System für die EUV-Projektionslithographie |
DE102012210174A1 (de) * | 2012-06-18 | 2013-06-06 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches Bauelement |
KR102219069B1 (ko) | 2013-06-18 | 2021-02-23 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 방법 및 시스템 |
DE102013218749A1 (de) * | 2013-09-18 | 2015-03-19 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungssystem sowie Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithografie |
US9575412B2 (en) * | 2014-03-31 | 2017-02-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method and system for reducing pole imbalance by adjusting exposure intensity |
DE102017211443A1 (de) | 2017-07-05 | 2019-01-10 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Metrologiesystem mit einer EUV-Optik |
DE102019202868A1 (de) * | 2019-03-04 | 2020-09-10 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Aktuatoreinrichtung und Verfahren zur Ausrichtung eines optischen Elements, optische Baugruppe sowie Projektionsbelichtungsanlage |
DE102019206867A1 (de) | 2019-05-13 | 2019-07-11 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches Element für eine Projektionsbelichtungsanlage |
DE102019206868A1 (de) | 2019-05-13 | 2019-07-04 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Feldfacettenspiegel für eine Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10138313A1 (de) | 2001-01-23 | 2002-07-25 | Zeiss Carl | Kollektor für Beleuchtugnssysteme mit einer Wellenlänge < 193 nm |
DE19955984A1 (de) | 1999-11-20 | 2001-05-23 | Zeiss Carl | Optische Abbildungsvorrichtung, insbesondere Objektiv mit wenigstens einer Systemblende |
SG121762A1 (en) * | 2002-03-18 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus, and device manufacturing method |
US7333178B2 (en) * | 2002-03-18 | 2008-02-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP3809817B2 (ja) | 2002-12-19 | 2006-08-16 | 株式会社村田製作所 | 誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサおよび通信装置 |
JPWO2004068564A1 (ja) * | 2002-12-26 | 2006-05-25 | 株式会社ニコン | 照明光学系、照明装置、投影露光装置、及び露光方法 |
US7636149B2 (en) * | 2003-05-09 | 2009-12-22 | Nikon Corporation | Optical systems that correct optical irregularities, and projection-exposure systems and methods comprising same |
DE602004031844D1 (de) | 2003-07-30 | 2011-04-28 | Zeiss Carl Smt Gmbh | Beleuchtungssystem für die mikrolithographie |
US7023524B2 (en) | 2003-12-18 | 2006-04-04 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2006128321A (ja) * | 2004-10-27 | 2006-05-18 | Nikon Corp | 照明光学系、露光装置及びマイクロデバイスの製造方法 |
EP1894063A1 (en) * | 2005-06-21 | 2008-03-05 | Carl Zeiss SMT AG | A double-facetted illumination system with attenuator elements on the pupil facet mirror |
EP1984789B1 (de) * | 2006-02-17 | 2013-11-06 | Carl Zeiss SMT GmbH | Beleuchtungssystem für die mikro-lithographie, projektionsbelichtungsanlage mit einem derartigen beleuchtungssystem |
WO2007138805A1 (ja) | 2006-05-25 | 2007-12-06 | Nikon Corporation | 照明光学装置、露光装置、およびデバイス製造方法 |
DE102007061194A1 (de) * | 2006-12-18 | 2008-06-19 | Carl Zeiss Smt Ag | Beleuchtungssystem für die EUV-Mikro-Lithografie, Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Mikro-Lithografie, Verfahren zur Korrektur der Elliptizität und/oder der Uniformität innerhalb einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage, Verfahren zur Herstellung eines mikrostrukturierten Bauteils sowie mit dem Herstellungsverfahren hergestelltes Bauteil |
US7990520B2 (en) * | 2006-12-18 | 2011-08-02 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Microlithography illumination systems, components and methods |
JP4962203B2 (ja) | 2007-08-08 | 2012-06-27 | 株式会社ニコン | Euv露光装置、露光方法およびデバイス製造方法 |
-
2009
- 2009-03-27 CN CN200980158506.2A patent/CN102365587B/zh active Active
- 2009-03-27 JP JP2012501137A patent/JP6041304B2/ja active Active
- 2009-03-27 WO PCT/EP2009/002247 patent/WO2010108516A1/en active Application Filing
-
2011
- 2011-09-01 US US13/223,458 patent/US9482959B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7071436B2 (ja) | 2013-09-11 | 2022-05-18 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | Euv投影リソグラフィのための照明光学系及び照明系 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2012522358A5 (ja) | ||
TWI639850B (zh) | 光瞳組合反射鏡、照明光學單元、照明系統、投射曝光設備、用於產生一微結構或奈米結構元件之方法以及微結構或奈米結構元件 | |
JP5319789B2 (ja) | 結像光学系及びこの種の結像光学系を有するマイクロリソグラフィ用の投影露光装置 | |
JP6221160B2 (ja) | ミラーの配置 | |
JP2014534643A5 (ja) | ||
JP6041304B2 (ja) | Euvマイクロリソグラフィ用の照明光学系、この種の照明光学系用のeuv減衰器、及びこの種の照明光学系を有する照明系及び投影露光装置 | |
TWI539241B (zh) | 反射鏡 | |
JP6222594B2 (ja) | マイクロリソグラフィ投影露光装置 | |
JP2017509918A5 (ja) | ||
JP2010539716A5 (ja) | ||
JP7573369B2 (ja) | 投影露光装置用の光学系 | |
JP2011507241A5 (ja) | ||
JP2010217877A5 (ja) | ||
JP2011517786A5 (ja) | ||
TWI539231B (zh) | 成像光學系統、具有此類型成像光學系統之用於微影的投射曝光設備以及用於製造結構化組件的方法 | |
CN116249919A (zh) | 用于投射曝光系统的照明光学部件的数字微镜装置 | |
TWI676060B (zh) | 用於投射微影之照明光學單元的琢面反射鏡 | |
JP7071436B2 (ja) | Euv投影リソグラフィのための照明光学系及び照明系 | |
JP6453251B2 (ja) | 投影リソグラフィのための照明光学ユニット | |
JP2015052797A (ja) | 結像光学系及びこの種の結像光学系を備えたマイクロリソグラフィ用の投影露光装置 | |
CN104854510B (zh) | 微光刻投射曝光设备的光学系统 | |
JP2005093693A5 (ja) | ||
TWI747806B (zh) | 用於投影曝光系統的照明光學單元 | |
WO2017046136A1 (en) | Illumination optical unit for projection lithography | |
JP4933110B2 (ja) | 投影光学系及びこれを適用した極紫外線リソグラフィ装置 |