DE102023203897A1

DE102023203897A1 - Verfahren zum herstellen einer komponente einer lithographieanlage, komponente und lithographieanlage

Info

Publication number: DE102023203897A1
Application number: DE102023203897.8A
Authority: DE
Inventors: Fabian Loreth; Lukas Jugl
Original assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Current assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date: 2023-04-27
Filing date: 2023-04-27
Publication date: 2024-04-04

Abstract

Verfahren zum Herstellen einer Lötverbindung (112) zwischen einem ersten und zweiten Bauteil (102, 104) einer Komponente (100) für eine Vakuumumgebung (24, 25) einer Lithographieanlage (1), aufweisend:a) Anordnen (S1) eines Lots (110) im Bereich (B) des ersten und/oder zweiten Bauteils (102, 104), wobei das Lot (110) Gold und/oder Silber mit einem Massenanteil relativ zu einer Gesamtmasse des Lots (110) von 60% oder größer aufweist, undb) Schmelzen (S2) des Lots (110) mittels eines Laserstrahls (126) zur Herstellung einer Lötverbindung (112) zwischen dem ersten und zweiten Bauteil (102, 104).

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer Komponente für eine Vakuumumgebung einer Lithographieanlage, eine derart hergestellte Komponente und eine Lithographieanlage mit einer derartigen Komponente.
Die Mikrolithographie wird zur Herstellung mikrostrukturierter Bauelemente, wie beispielsweise integrierter Schaltkreise, angewendet. Der Mikrolithographieprozess wird mit einer Lithographieanlage durchgeführt, welche ein Beleuchtungssystem und ein Projektionssystem aufweist. Das Bild einer mittels des Beleuchtungssystems beleuchteten Maske (Retikel) wird hierbei mittels des Projektionssystems auf ein mit einer lichtempfindlichen Schicht (Photoresist) beschichtetes und in der Bildebene des Projektionssystems angeordnetes Substrat, beispielsweise einen Siliziumwafer, projiziert, um die Maskenstruktur auf die lichtempfindliche Beschichtung des Substrats zu übertragen.
Getrieben durch das Streben nach immer kleineren Strukturen bei der Herstellung integrierter Schaltungen werden derzeit EUV-Lithographieanlagen entwickelt, welche Licht mit einer Wellenlänge im Bereich von 0,1 nm bis 30 nm, insbesondere 13,5 nm, verwenden. Da die meisten Materialien Licht dieser Wellenlänge absorbieren, müssen anstelle von brechenden Optiken, das heißt Linsen, bei EUV-Lithographieanlagen reflektierende Optiken, das heißt Spiegel, eingesetzt werden.
Da EUV-Licht außerdem auch von Luft absorbiert wird, ist es erforderlich, dass die Belichtung und Projektion in der EUV-Lithographieanlage zumindest teilweise im Vakuum oder einer speziellen Gasatmosphäre stattfindet. Deshalb ist bei der Herstellung von EUV-Lithographieanlage darauf zu achten, dass die verwendeten Komponenten und Bauteile unter Vakuumbedingungen oder in der speziellen Gasatmosphäre betreibbar sind. Dies schließt mit ein, dass die verwendeten Komponenten oder Bauteile der EUV-Lithographieanlage keinen unerwünschten Einfluss auf das Vakuum oder die Gasatmosphäre ausüben, indem beispielsweise durch Ausgasen von bestimmten Bestandteilen das Vakuum oder die Gasatmosphäre beeinträchtigt oder verschmutzt wird.
Vor diesem Hintergrund besteht eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung darin, ein verbessertes Verfahren zum Herstellen einer Komponente für eine Vakuumumgebung einer Lithographieanlage bereitzustellen.
Gemäß einem ersten Aspekt wird ein Verfahren zum Herstellen einer Komponente für eine Vakuumumgebung einer Lithographieanlage vorgeschlagen. Die Komponente umfasst ein erstes und zweites Bauteil. Das Verfahren weist auf:

a) Anordnen eines Lots im Bereich des ersten und/oder zweiten Bauteils, wobei das Lot Gold und/oder Silber mit einem Massenanteil relativ zu einer Gesamtmasse des Lots von 60% oder größer aufweist, und
b) Schmelzen des Lots mittels eines Laserstrahls zur Herstellung einer Lötverbindung zwischen dem ersten und zweiten Bauteil.

Durch den hohen Anteil von Gold und/oder Silber im verwendeten Lotmittel kann ein schädliches Ausgasen des Lots in der Vakuumumgebung verringert und/oder vermieden werden. Dadurch kann eine Beeinträchtigung und Verunreinigung der Vakuumumgebung verhindert werden. Beispielsweise kann auch ein unerwünschter Druckanstieg durch Ausgasen von Werkstoffen in der Vakuumumgebung reduziert und/oder vermieden werden. Beispielsweise kann ein Ablagern von aus einer Lötverbindung ausgegasten Stoffen auf optische Komponenten der Lithographieanlage reduziert und/oder vermieden werden. Beispielsweise kann eine Beeinträchtigung des Reflektionsvermögens optischer Komponenten der Lithographieanlage durch Störung der Vakuumumgebung und/oder Ablagerung von ausgegasten Stoffen reduziert und/oder verhindert werden.
Gold und Silber weisen eine hohe Schmelztemperatur auf. Beispielsweise beträgt die Schmelztemperatur von reinem Gold etwa 1064 °C. Beispielsweise beträgt die Schmelztemperatur von reinem Silber etwa 961 °C Grad. Durch das Schmelzen des Lots mittels Laserschweißens unter Anwendung des Laserstrahls können die hohen erforderlichen Schmelztemperaturen für Gold und/oder Silber einfach erreicht werden. Insbesondere kann das Schmelzen des Lots mit dem hohen Anteil von Gold und/oder Silber durch Laserschweißen punktuell und lediglich kurzzeitig erfolgen. Somit können Lötstellen zwischen dem ersten und zweiten Bauteil sehr gezielt angebracht werden. Außerdem kann eine Beschädigung des ersten und/oder zweiten Bauteils durch das lediglich punktuelle und kurzzeitige Laserschweißen trotz der hohen anzuwendenden Temperaturen verhindert werden.
Das Lot weist Gold und/oder Silber mit einem Massenanteil relativ zur Gesamtmasse des Lots von 60% oder größer auf. Das heißt, dass das Lot zum Beispiel Gold mit einem Massenanteil relativ zur Gesamtmasse des Lots von 60% oder größer aufweist. Alternativ kann das Lot zum Beispiel auch Silber mit einem Massenanteil relativ zur Gesamtmasse des Lots von 60% oder größer aufweisen. Weiterhin ist der Fall umfasst, in dem das Lot Gold und Silber (d. h. sowohl Gold als auch Silber) mit einem Massenanteil von Gold und Silber zusammen relativ zur Gesamtmasse des Lots von 60% oder größer aufweist (z. B. ein Goldanteil an der Gesamtmasse von 30% oder größer und ein Silberanteil an der Gesamtmasse von 30% oder größer).
Das Lot kann eine Legierung sein, die Gold und/oder Silber mit dem Massenanteil relativ zur Gesamtmasse des Lots von 60% oder größer und optional einen oder mehrere weitere Bestandteile enthält. Das Lot kann jedoch auch ein reines Goldlot oder Silberlot sein.
Die Lötverbindung stellt beispielsweise eine mechanische Verbindung des ersten und zweiten Bauteils bereit. Die Lötverbindung kann zusätzlich zum Beispiel auch eine elektrisch leitfähige Verbindung des ersten und zweiten Bauteils bereitstellen.
Das Lot wird in Schritt a) im Bereich des ersten und/oder zweiten Bauteils angeordnet. Beispielsweise wird das Lot dabei in physischem Kontakt mit dem ersten und/oder zweiten Bauteil angeordnet. Beispielsweise wird das Lot in Schritt a) zwischen dem ersten und/oder zweiten Bauteil angeordnet.
Alternativ kann das Lot in Schritt a) jedoch auch beabstandet zu dem ersten und/oder zweiten Bauteil, d. h. ohne physischen Kontakt mit dem ersten und/oder zweiten Bauteil, angeordnet werden. In diesem Fall wird das Lot beispielsweise durch das Schmelzen des Lots in Schritt b) zwischen das erste und/oder zweite Bauteil eingebracht. Beispielsweise läuft, tropft und/oder bewegt sich das Lot durch das Schmelzen zwischen das erste und/oder zweite Bauteil.
Das erste und zweite Bauteil weisen insbesondere jeweils einen Verbindungsbereich bzw. eine Verbindungsstelle auf, an welchem/welcher das erste und zweite Bauteil mittels des Lots und des Laserschweißens miteinander (mechanisch und/oder elektrisch) verbunden werden. Die Verbindungsbereiche/Verbindungsstellen sind insbesondere Fügebereiche bzw. Fügestellen, an denen das erste und zweite Bauteil zusammengefügt werden.
Durch das Verfahren wird beispielsweise eine unlösbare Verbindung des ersten und zweiten Bauteils hergestellt.
Das erste Bauteil weist zum Beispiel eine elektrisch leitfähige Legierung (z. B. Bronze) auf. Das zweite Bauteil weist zum Beispiel eine oder mehrere isolierende Schichten (z. B. FR-4, Keramik) und Kupferschichten auf. Das erste und zweite Bauteil weisen außerdem zum Beispiel jeweils eine metallisierte Oberfläche (z. B. Gold, Silber und/oder Zinn) auf.
Die Komponente für die Vakuumumgebung der Lithographieanlage, welche das erste und zweite Bauteil aufweist, ist beispielsweise eine mechanische, optische und/oder elektronische Komponente der Lithographieanlage. Die Komponente ist zum Beispiel eine Sensoreinrichtung (z. B. eine mechanische, resistive, piezoelektrische, kapazitive, induktive und/oder magnetische Sensoreinrichtung), eine Aktoreinrichtung, ein integrierter Schaltkreis (Engl.: integrated circuit, IC), ein Widerstand, ein Kondensator, ein Relais, ein Stecker, eine Kabellitze der Lithographieanlage.
Die Lithographieanlage ist zum Beispiel eine EUV- oder eine DUV-Lithographieanlage. Dabei steht EUV für „extremes Ultraviolett“ (Engl.: extreme ultraviolet, EUV) und bezeichnet eine Wellenlänge des Arbeitslichts im Bereich von 0,1 nm bis 30 nm, insbesondere 13,5 nm. Weiterhin steht DUV für „tiefes Ultraviolett“ (Engl.: deep ultraviolet, DUV) und bezeichnet eine Wellenlänge des Arbeitslichts zwischen 30 nm und 250 nm.
Die EUV- oder DUV-Lithographieanlage umfasst ein Beleuchtungssystem und ein Projektionssystem. Insbesondere wird mit der EUV- oder DUV-Lithographieanlage das Bild einer mittels des Beleuchtungssystems beleuchteten Maske (Retikel) mittels des Projektionssystems auf ein mit einer lichtempfindlichen Schicht (Photoresist) beschichtetes und in der Bildebene des Projektionssystems angeordnetes Substrat, beispielsweise einen Siliziumwafer, projiziert, um die Maskenstruktur auf die lichtempfindliche Beschichtung des Substrats zu übertragen.
Das Beleuchtungssystem und das Projektionssystem sind jeweils zumindest teilweise in einer Vakuumumgebung angeordnet. Das Beleuchtungssystem und das Projektionssystem sind beispielsweise jeweils zumindest teilweise in einem Vakuumgehäuse angeordnet, welches mithilfe einer Evakuierungsvorrichtung evakuiert wird.
Gemäß einer Ausführungsform weist das Lot Gold und/oder Silber mit einem Massenanteil relativ zur Gesamtmasse des Lots von 70% oder größer, 80% oder größer, 90% oder größer, 95% oder größer, 97% oder größer, 99% oder größer und/oder 100% auf.
Ein größerer Anteil von Gold und/oder Silber an der Gesamtmasse des Lots verringert ein potentielles Ausgasen anderer Bestandteile des Lots.
Bei einem Massenanteil von Gold und/oder Silber relativ zur Gesamtmasse des Lots von 100% kann das Lot zum Beispiel ausschließlich aus Gold bestehen (d. h. ein Massenanteil von Gold an der Gesamtmasse ist 100%) oder ausschließlich aus Silber bestehen (d. h. ein Massenanteil von Silber an der Gesamtmasse ist 100%). Weiterhin kann auch ein Massenanteil von Gold und Silber zusammen relativ zur Gesamtmasse des Lots 100% betragen (z. B. ein Goldanteil an der Gesamtmasse von 50% und ein Silberanteil an der Gesamtmasse von 50%).
Gemäß einer weiteren Ausführungsform

weist das Lot Kupfer auf,
beträgt ein Massenanteil von Kupfer relativ zur Gesamtmasse des Lots 10% oder größer, 20% oder größer, 30% oder größer und/oder 40%, und/oder
besteht das Lot aus Gold und/oder Silber und Kupfer.

Durch Beimengung von Kupfer kann eine Schmelztemperatur des Lots gesenkt werden.
Das Kuper ist z. B. ein sauerstofffreies Kupfer.
Wenn das Lot aus Gold und/oder Silber und Kupfer besteht, d. h. außer Gold und/oder Silber ausschließlich Kupfer aufweist, dann können andere, stärker ausgasende Bestandteile (z. B. Zinn) gänzlich vermieden werden.
Beispielsweise enthält das Lot einen Massenanteil relativ zur Gesamtmasse von Gold und/oder Silber von 60% oder größer und einen Massenanteil relativ zur Gesamtmasse von Kupfer von 40% oder kleiner.
In Ausführungsformen weist das Lot außer Gold und/oder Silber Antinom und/oder Bismut auf.
Durch Beimengung von Antimon kann eine Zugfestigkeit des Lots erhöht werden. Durch Beimengung von Bismut kann eine Schmelztemperatur des Lots abgesenkt werden.
Beispielsweise enthält das Lot einen Massenanteil relativ zur Gesamtmasse von Gold und/oder Silber von 60% oder größer, einen Massenanteil relativ zur Gesamtmasse von Kupfer von 30% oder kleiner und einen Massenanteil relativ zur Gesamtmasse von Antimon und/oder Bismut von 10% oder kleiner.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform

weist das Lot kein Zinn und/oder kein Zink auf, und/oder
beträgt ein Massenanteil von Zinn und/oder Zink relativ zur Gesamtmasse des Lots 10% oder kleiner, 5% oder kleiner, 3% oder kleiner, 1% oder kleiner, 0,1% oder kleiner, 0,01% oder kleiner und/oder 0,001% oder kleiner.

Durch Verringern des Massenanteils von Zinn und/oder Zink an der Gesamtmasse des Lots und/oder gänzliches Vermeiden von Zinn und/oder Zink in dem Lot kann ein Ausgasen des Lots noch stärker reduziert werden. Beispielsweise kann reduziert und/oder verhindert werden, das Zinn und/oder Zink mit Wasserstoffradikalen in der Vakuumumgebung der Lithographieanlage reagiert/reagieren und sich auf optischen Komponenten, z. B. Spiegel, der Lithographieanlage ablagern und somit den Wirkungsgrad reduzieren.
Insbesondere beträgt der Massenanteil von Zinn und/oder Zink an der Gesamtmasse des Lots jeweils oder zusammen 10% oder kleiner, 5% oder kleiner, 3% oder kleiner, 1% oder kleiner, 0,1% oder kleiner, 0,01% oder kleiner und/oder 0,001% oder kleiner.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist das Lot eine Pastenform, Folienform, Drahtform, Stabform, Stangenform und/oder eine Vorform auf.
Die Vorform kann auch als Preform, Vorformling und/oder Hartlötvorformling bezeichnet werden. Die Vorform weist z. B. eine plattenartige Form mit einer quadratischen, rechteckigen oder scheibenförmigen Grundfläche auf.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform wird der Laserstrahl derart auf das Lot eingestrahlt, dass sich das Lot in einem Fokus des Laserstrahls befindet.
Dadurch kann mittels des Laserstrahls eine hohe Strahlungsintensität am Ort des Lots bereitgestellt werden.
Man kann auch sagen, dass der Laserstrahl in dieser Ausführungsform auf das Lot fokussiert ist.
Ein Fokussieren des Laserstrahls auf das Lot ist insbesondere dann von Vorteil, wenn das Lot in Schritt a) in physischem Kontakt mit dem ersten und/oder zweiten Bauteil angeordnet wird und/oder das Lot in Schritt a) (z. B. direkt) an der Verbindungsstelle (z. B Fügestelle) des ersten und/oder zweiten Bauteils angeordnet wird.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform wird der Laserstrahl derart auf das Lot eingestrahlt, dass sich das Lot beabstandet von einem Fokus des Laserstrahls befindet.
Dadurch trifft am Ort des Lots ein unfokussierter Laserstrahl ein, sodass der Laserstrahl mit einer großen Auftrefffläche auf das Lot auftrifft. Somit kann mittels des Laserstrahls eine große Schmelzfläche am Ort des Lots bereitgestellt werden.
Man kann auch sagen, dass der Fokus des Laserstrahls in dieser Ausführungsform von dem Ort des Lots beabstandeten ist bzw. dass der Laserstrahl in dieser Ausführungsform auf einen von dem Ort des Lots beabstandeten Ort fokussiert ist.
Eine durch einen am Ort des Lots unfokussierten Laserstrahl erzeugte große Schmelzfläche ist insbesondere dann von Vorteil, wenn das Lot in Schritt a) beabstandet zu dem ersten und/oder zweiten Bauteil, d. h. ohne physischen Kontakt mit dem ersten und/oder zweiten Bauteil, angeordnet wird.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist das erste Bauteil ein elektronisches Bauteil auf, weist das zweite Bauteil eine Leiterplatte auf, und wird in Schritt b) eine elektrisch leitfähige Lötverbindung zwischen dem elektronischen Bauteil und der Leiterplatte hergestellt.
Das elektronische Bauteil kann ein beliebiges elektronisches Bauteil sein, wie beispielsweise ein Widerstand, ein Kondensator, eine Diode, ein Transistor, ein Stecker, ein integrierter Schaltkreis (z. B. ASIC, ROM, RAM, Microcontroller etc.), ein optoelektronisches Bauteil (z. B. Photohalbleiter, Laserdiode etc.), ein Aktor und ein Sensor.
Das elektronische Bauteil weist zum Beispiel einen oder mehrere Verbindungsbereiche, Verbindungsstellen, Verbindungselemente und/oder Anschlusselemente auf, an welchen das elektronische Bauteil mittels des Lots und des Laserschweißens mit der Leiterplatte verbunden (z. B. befestigt und/oder elektrisch verbunden) wird. Ein/e solche/r Verbindungsbereich, Verbindungsstelle, Verbindungselement und/oder Anschlusselement weist beispielsweise einen Anschlussstift und/oder Anschlussfuß auf.
Das elektronische Bauteil ist zum Beispiel ein Oberflächenmontage-Bauteil bzw. oberflächenmontierbares elektronisches Bauteil (Engl.: Surface Mounted Device, SMD). Das erste Bauteil wird z. B. auf einer Oberfläche der Leiterplatte angeordnet und mittels des Lots mit der Oberfläche verbunden (z. B. befestigt und/oder elektrisch kontaktiert). Beispielsweise kann auf der Oberfläche der Leiterplatte auch ein sogenanntes Lötpad (z. B. ein Kupferplättchen) angeordnet sein. In diesem Fall wird das erste Bauteil (z. B. ein oder mehrere Anschlussfüße des ersten Bauteils) auf einer Oberfläche des Lötpads angeordnet und mittels des Lots mit der Oberfläche des Lötpads verbunden. Das Lötpad weist z. B. Kuper und/oder ein Kupferplättchen und beispielsweise eine metallisierte Oberfläche (z. B. Gold, Silber, Zinn) auf.
Das elektronische Bauteil kann jedoch zum Beispiel auch ein Durchsteckmontage-Bauteil bzw. durchsteckmontierbares elektronisches Bauteil (Engl.: Through Hole Technology, THT) sein. Das Durchsteckmontage-Bauteil weist beispielsweise mindestens einen elektrisch leitfähigen Anschlussstift (z. B. Pin, Fuß) auf. Zudem weist die Leiterplatte beispielsweise mindestens eine Durchbohrung zum Aufnehmen des mindestens einen Anschlussstifts auf. Weiterhin wird der mindestens eine Anschlussstift bei dem Verfahren in der mindestens einen Durchbohrung der Leiterplatte angeordnet und mittels des Lots mit der mindestens einen Durchbohrung der Leiterplatte verbunden (z. B. daran befestigt und/oder elektrisch kontaktiert).
Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist das erste Bauteil ein Oberflächenmontage-Bauteil auf, wird das erste Bauteil auf einer Oberfläche der Leiterplatte angeordnet, und wird der Laserstrahl derart auf das Lot eingestrahlt, dass sich das Lot in einem Fokus des Laserstrahls befindet.
Beispielsweise wird das Lot in Schritt a) zwischen der Oberfläche der Leiterplatte und dem ersten Bauteil angeordnet.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist das erste Bauteil ein Durchsteckmontage-Bauteil mit mindestens einem elektrisch leitfähigen Anschlussstift auf, weist die Leiterplatte mindestens eine Durchbohrung zum Aufnehmen des mindestens einen Anschlussstift auf, und wird der mindestens eine Anschlussstift in der mindestens einen Durchbohrung der Leiterplatte angeordnet.
In Ausführungsformen wird das Lot in Schritt a) derart angeordnet, dass es in Kontakt mit der Leiterplatte und/oder dem Anschlussstift des Durchsteckmontage-Bauteils ist.
In Ausführungsformen wird das Lot in Schritt a) derart angeordnet, dass es die mindestens eine Durchbohrung der Leiterplatte (z. B. vollständig) abdeckt.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform wird das Lot in Schritt a) derart angeordnet, dass es von der Leiterplatte und dem Anschlussstift beabstandet ist.
Zudem wird der Laserstrahl derart auf das Lot eingestrahlt, dass sich das Lot beabstandet von einem Fokus des Laserstrahls befindet. Weiterhin wird das geschmolzene Lot mit einer Kraft in Richtung der mindestens einen Durchbohrung der Leiterplatte beaufschlagt.
Insbesondere wird das geschmolzene Lot durch die angewendete Kraft in Richtung der mindestens einen Durchbohrung der Leiterplatte bewegt, sodass es in die mindestens einen Durchbohrung eindringt (z. B. hineinfließt und/oder hinein tropft).
Die angewendete Kraft ist zum Beispiel eine Gewichtskraft.
Das Lot weist beispielsweise eine Vorform auf. Die Vorform kann in Schritt a) des Verfahrens beabstandet zu dem ersten und/oder zweiten Bauteil angeordnet werden. Die Vorform kann hierzu beispielsweise in Schritt a) mittels einer Halterung in einem (z. B. vorbestimmten) Abstand zu dem ersten und/oder zweiten Bauteil gehalten werden. Weiterhin kann die Vorform mittels der Halterung zum Beispiel auch während Schritt b) in dem (z. B. vorbestimmten) Abstand gehalten werden. Durch das Laserschweißen wird in Schritt b) zum Beispiel ein erster Teil der Vorform geschmolzen und löst sich dieser erste Teil von einem zweiten Teil der Vorform, der weiterhin von der Halterung gehalten wird.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform definiert ein Strahldurchmesser des Laserstrahls am Ort des Lots eine Schmelzfläche, und ist die Schmelzfläche gleich groß wie oder größer als ein Durchmesser der mindestens einen Durchbohrung der Leiterplatte.
Wenn die durch den Laserstrahl auf dem Lot erzeugte Schmelzfläche gleich groß wie oder größer als der Durchmesser der mindestens einen Durchbohrung der Leiterplatte ist, dann kann das geschmolzene Lot besonders gut in die Durchbohrung der Leiterplatte eindringen. Beispielsweise kann das geschmolzene Lot derart in die Durchbohrung der Leiterplatte eindringen, dass es die Durchbohrung (z. B. in einem Querschnitt der Durchbohrung gesehen) vollständig ausfüllt.
Der Laserstrahl weist beispielsweise senkrecht zu seiner Ausbreitungsrichtung eine (z. B. gaußförmige) Intensitätsverteilung auf. Der Strahldurchmesser des Laserstrahls entspricht beispielsweise einer Querausdehnung des Strahls oder einer physischen Größe des Strahls senkrecht zur Ausbreitungsrichtung. Der Strahldurchmesser ist beispielsweise der Durchmesser eines Kreises, der durch die Punkte definiert wird, an denen die Intensitätsverteilung des auf das Lot gerichteten Laserstrahls von einem Maximalwert auf eine vorbestimmte Intensität abgefallen ist. Die vorbestimmte Intensität kann einem Abfall auf die Hälfte des Maximalwerts, einem Abfall auf 1/e² (≈ 13,5%) des Maximalwerts oder auch einem Abfall auf einen anderen Bruchteil des Maximalwerts des Laserstrahls entsprechen.
In Ausführungsformen kann die Schmelzfläche auch kleiner als der Durchmesser der mindestens einen Durchbohrung der Leiterplatte sein.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform weisen/weist das erste und/oder zweite Bauteil mehrere Lötstellen auf. Außerdem wird in Schritt a) jeweils ein Lot im Bereich mehrerer und/oder aller der mehreren Lötstellen angeordnet. Sodann werden in Schritt b) mehrere Laserstrahlen gleichzeitig zum Schmelzen der mehreren Lote bereitgestellt, um mehrere Lötverbindungen zwischen dem ersten und zweiten Bauteil gleichzeitig herzustellen.
Beispielsweise ist das erste Bauteil ein elektronisches Bauteil und weist mehrere Anschlussstifte und/oder Anschlussfüße auf. Weiterhin werden mehrere und/oder alle Anschlussstifte und/oder Anschlussfüße des elektronischen Bauteils in Schritt a) mit einem jeweiligen Lot versehen. Dann wird in Schritt b) jedes angeordnete Lot mit einem einzelnen, separaten Laserstrahl bestrahlt, sodass die mehreren Lote gleichzeitig geschmolzen werden.
In Ausführungsformen werden die mehreren Laserstrahlen - anstatt gleichzeitig - nacheinander bereitgestellt und die mehreren Lötverbindungen zwischen dem ersten und zweiten Bauteil somit nacheinander hergestellt.
Gemäß einem zweiten Aspekt wird eine Komponente für eine Vakuumumgebung einer Lithographieanlage vorgeschlagen. Die Komponente weist ein erstes und zweites Bauteil und ein zwischen dem ersten und zweiten Bauteil angeordnetes Lot auf, welches Gold und/oder Silber mit einem Massenanteil relativ zu einer Gesamtmasse des Lots von 60% oder größer aufweist.
Gemäß einem dritten Aspekt wird eine Lithographieanlage mit einer wie vorstehend beschriebenen Komponente vorgeschlagen. Die Komponente ist in einer Vakuumumgebung der Lithographieanlage angeordnet.
„Ein“ ist vorliegend nicht zwingend als beschränkend auf genau ein Element zu verstehen. Vielmehr können auch mehrere Elemente, wie beispielsweise zwei, drei oder mehr, vorgesehen sein. Auch jedes andere hier verwendete Zählwort ist nicht dahingehend zu verstehen, dass eine Beschränkung auf genau die genannte Anzahl von Elementen gegeben ist. Vielmehr sind zahlenmäßige Abweichungen nach oben und nach unten möglich, soweit nichts Gegenteiliges angegeben ist.
Die für das Verfahren beschriebenen Ausführungsformen und Merkmale gelten für die vorgeschlagene Vorrichtung entsprechend und umgekehrt.
Weitere mögliche Implementierungen der Erfindung umfassen auch nicht explizit genannte Kombinationen von zuvor oder im Folgenden bezüglich der Ausführungsbeispiele beschriebenen Merkmalen oder Ausführungsformen. Dabei wird der Fachmann auch Einzelaspekte als Verbesserungen oder Ergänzungen zu der jeweiligen Grundform der Erfindung hinzufügen.
Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen und Aspekte der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche sowie der im Folgenden beschriebenen Ausführungsbeispiele der Erfindung. Im Weiteren wird die Erfindung anhand von bevorzugten Ausführungsformen unter Bezugnahme auf die beigelegten Figuren näher erläutert.

1 zeigt einen schematischen Meridionalschnitt einer Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Projektionslithographie gemäß einer Ausführungsform;
2 zeigt eine Komponente der Projektionsbelichtungsanlage aus 1 gemäß einer Ausführungsform;
3 zeigt eine Komponente der Projektionsbelichtungsanlage aus 1 gemäß einer weiteren Ausführungsform;
4 veranschaulicht ein Verfahren zum Herstellen der Komponente aus 2 gemäß einer Ausführungsform;
5 veranschaulicht ein Verfahren zum Herstellen der Komponente aus 2 gemäß einer weiteren Ausführungsform;
6 veranschaulicht einen Laserstrahl eines Laserschweißprozesses zum Herstellen der Komponente aus 2 oder 3 gemäß einer Ausführungsform;
7 veranschaulicht einen Laserstrahl eines Laserschweißprozesses zum Herstellen der Komponente aus 2 oder 3 gemäß einer weiteren Ausführungsform;
8 veranschaulicht ein Verfahren zum Herstellen der Komponente aus 3 gemäß einer Ausführungsform;
9 veranschaulicht ein Verfahren zum Herstellen der Komponente aus 3 gemäß einer weiteren Ausführungsform;
10 veranschaulicht ein Verfahren zum Herstellen der Komponente aus 3 gemäß einer weiteren Ausführungsform, wobei ein erster Verfahrensschritt dargestellt ist;
11 zeigt einen zweiten Verfahrensschritt des Verfahrens aus 10;
12 zeigt ein Flussablaufdiagramm eines Verfahrens zum Herstellen einer Komponente der Projektionsbelichtungsanlage aus 1 gemäß einer Ausführungsform; und
13 zeigt ein Flussablaufdiagramm eines Verfahrens zum Herstellen einer Komponente der Projektionsbelichtungsanlage aus 1 gemäß einer weiteren Ausführungsform.

In den Figuren sind gleiche oder funktionsgleiche Elemente mit denselben Bezugszeichen versehen worden, soweit nichts Gegenteiliges angegeben ist. Ferner sollte beachtet werden, dass die Darstellungen in den Figuren nicht notwendigerweise maßstabsgerecht sind.
1 zeigt eine Ausführungsform einer Projektionsbelichtungsanlage 1 (Lithographieanlage), insbesondere einer EUV-Lithographieanlage. Eine Ausführung eines Beleuchtungssystems 2 der Projektionsbelichtungsanlage 1 hat neben einer Licht- beziehungsweise Strahlungsquelle 3 eine Beleuchtungsoptik 4 zur Beleuchtung eines Objektfeldes 5 in einer Objektebene 6. Bei einer alternativen Ausführung kann die Lichtquelle 3 auch als ein zum sonstigen Beleuchtungssystem 2 separates Modul bereitgestellt sein. In diesem Fall umfasst das Beleuchtungssystem 2 die Lichtquelle 3 nicht.
Belichtet wird ein im Objektfeld 5 angeordnetes Retikel 7. Das Retikel 7 ist von einem Retikelhalter 8 gehalten. Der Retikelhalter 8 ist über einen Retikelverlagerungsantrieb 9, insbesondere in einer Scanrichtung, verlagerbar.
In der 1 ist zur Erläuterung ein kartesisches Koordinatensystem mit einer x-Richtung x, einer y-Richtung y und einer z-Richtung z eingezeichnet. Die x-Richtung x verläuft senkrecht in die Zeichenebene hinein. Die y-Richtung y verläuft horizontal und die z-Richtung z verläuft vertikal. Die Scanrichtung verläuft in der 1 längs der y-Richtung y. Die z-Richtung z verläuft senkrecht zur Objektebene 6.
Die Projektionsbelichtungsanlage 1 umfasst eine Projektionsoptik 10. Die Projektionsoptik 10 dient zur Abbildung des Objektfeldes 5 in ein Bildfeld 11 in einer Bildebene 12. Die Bildebene 12 verläuft parallel zur Objektebene 6. Alternativ ist auch ein von 0° verschiedener Winkel zwischen der Objektebene 6 und der Bildebene 12 möglich.
Abgebildet wird eine Struktur auf dem Retikel 7 auf eine lichtempfindliche Schicht eines im Bereich des Bildfeldes 11 in der Bildebene 12 angeordneten Wafers 13. Der Wafer 13 wird von einem Waferhalter 14 gehalten. Der Waferhalter 14 ist über einen Waferverlagerungsantrieb 15 insbesondere längs der y-Richtung y verlagerbar. Die Verlagerung einerseits des Retikels 7 über den Retikelverlagerungsantrieb 9 und andererseits des Wafers 13 über den Waferverlagerungsantrieb 15 kann synchronisiert zueinander erfolgen.
Bei der Lichtquelle 3 handelt es sich um eine EUV-Strahlungsquelle. Die Lichtquelle 3 emittiert insbesondere EUV-Strahlung 16, welche im Folgenden auch als Nutzstrahlung, Beleuchtungsstrahlung oder Beleuchtungslicht bezeichnet wird. Die Nutzstrahlung 16 hat insbesondere eine Wellenlänge im Bereich zwischen 5 nm und 30 nm. Bei der Lichtquelle 3 kann es sich um eine Plasmaquelle handeln, zum Beispiel um eine LPP-Γauelle (Engl.: Laser Produced Plasma, mit Hilfe eines Lasers erzeugtes Plasma) oder um eine DPP-Γauelle (Engl.: Gas Discharged Produced Plasma, mittels Gasentladung erzeugtes Plasma). Es kann sich auch um eine synchrotronbasierte Strahlungsquelle handeln. Bei der Lichtquelle 3 kann es sich um einen Freie-Elektronen-Laser (Engl.: Free-Electron-Laser, FEL) handeln.
Die Beleuchtungsstrahlung 16, die von der Lichtquelle 3 ausgeht, wird von einem Kollektor 17 gebündelt. Bei dem Kollektor 17 kann es sich um einen Kollektor mit einer oder mit mehreren ellipsoidalen und/oder hyperboloiden Reflexionsflächen handeln. Die mindestens eine Reflexionsfläche des Kollektors 17 kann im streifenden Einfall (Engl.: Grazing Incidence, GI), also mit Einfallswinkeln größer als 45°, oder im normalen Einfall (Engl.: Normal Incidence, NI), also mit Einfallwinkeln kleiner als 45°, mit der Beleuchtungsstrahlung 16 beaufschlagt werden. Der Kollektor 17 kann einerseits zur Optimierung seiner Reflektivität für die Nutzstrahlung und andererseits zur Unterdrückung von Falschlicht strukturiert und/oder beschichtet sein.
Nach dem Kollektor 17 propagiert die Beleuchtungsstrahlung 16 durch einen Zwischenfokus in einer Zwischenfokusebene 18. Die Zwischenfokusebene 18 kann eine Trennung zwischen einem Strahlungsquellenmodul, aufweisend die Lichtquelle 3 und den Kollektor 17, und der Beleuchtungsoptik 4 darstellen.
Die Beleuchtungsoptik 4 umfasst einen Umlenkspiegel 19 und diesem im Strahlengang nachgeordnet einen ersten Facettenspiegel 20. Bei dem Umlenkspiegel 19 kann es sich um einen planen Umlenkspiegel oder alternativ um einen Spiegel mit einer über die reine Umlenkungswirkung hinaus bündelbeeinflussenden Wirkung handeln. Alternativ oder zusätzlich kann der Umlenkspiegel 19 als Spektralfilter ausgeführt sein, der eine Nutzlichtwellenlänge der Beleuchtungsstrahlung 16 von Falschlicht einer hiervon abweichenden Wellenlänge trennt. Sofern der erste Facettenspiegel 20 in einer Ebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet ist, die zur Objektebene 6 als Feldebene optisch konjugiert ist, wird dieser auch als Feldfacettenspiegel bezeichnet. Der erste Facettenspiegel 20 umfasst eine Vielzahl von einzelnen ersten Facetten 21, welche auch als Feldfacetten bezeichnet werden können. Von diesen ersten Facetten 21 sind in der 1 nur beispielhaft einige dargestellt.
Die ersten Facetten 21 können als makroskopische Facetten ausgeführt sein, insbesondere als rechteckige Facetten oder als Facetten mit bogenförmiger oder teilkreisförmiger Randkontur. Die ersten Facetten 21 können als plane Facetten oder alternativ als konvex oder konkav gekrümmte Facetten ausgeführt sein.
Wie beispielsweise aus der DE 10 2008 009 600 A1 bekannt ist, können die ersten Facetten 21 selbst jeweils auch aus einer Vielzahl von Einzelspiegeln, insbesondere einer Vielzahl von Mikrospiegeln, zusammengesetzt sein. Der erste Facettenspiegel 20 kann insbesondere als mikroelektromechanisches System (MEMS-System) ausgebildet sein. Für Details wird auf die DE 10 2008 009 600 A1 verwiesen.
Zwischen dem Kollektor 17 und dem Umlenkspiegel 19 verläuft die Beleuchtungsstrahlung 16 horizontal, also längs der y-Richtung y.
Im Strahlengang der Beleuchtungsoptik 4 ist dem ersten Facettenspiegel 20 nachgeordnet ein zweiter Facettenspiegel 22. Sofern der zweite Facettenspiegel 22 in einer Pupillenebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet ist, wird dieser auch als Pupillenfacettenspiegel bezeichnet. Der zweite Facettenspiegel 22 kann auch beabstandet zu einer Pupillenebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet sein. In diesem Fall wird die Kombination aus dem ersten Facettenspiegel 20 und dem zweiten Facettenspiegel 22 auch als spekularer Reflektor bezeichnet. Spekulare Reflektoren sind bekannt aus der US 2006/0132747 A1 , der EP 1 614 008 B1 und der US 6,573,978 .
Der zweite Facettenspiegel 22 umfasst eine Mehrzahl von zweiten Facetten 23. Die zweiten Facetten 23 werden im Falle eines Pupillenfacettenspiegels auch als Pupillenfacetten bezeichnet.
Bei den zweiten Facetten 23 kann es sich ebenfalls um makroskopische Facetten, die beispielsweise rund, rechteckig oder auch hexagonal berandet sein können, oder alternativ um aus Mikrospiegeln zusammengesetzte Facetten handeln. Diesbezüglich wird ebenfalls auf die DE 10 2008 009 600 A1 verwiesen.
Die zweiten Facetten 23 können plane oder alternativ konvex oder konkav gekrümmte Reflexionsflächen aufweisen.
Die Beleuchtungsoptik 4 bildet somit ein doppelt facettiertes System. Dieses grundlegende Prinzip wird auch als Wabenkondensor (Engl.: Fly's Eye Integrator) bezeichnet.
Es kann vorteilhaft sein, den zweiten Facettenspiegel 22 nicht exakt in einer Ebene, welche zu einer Pupillenebene der Projektionsoptik 10 optisch konjugiert ist, anzuordnen. Insbesondere kann der zweite Facettenspiegel 22 gegenüber einer Pupillenebene der Projektionsoptik 10 verkippt angeordnet sein, wie es zum Beispiel in der DE 10 2017 220 586 A1 beschrieben ist.
Mit Hilfe des zweiten Facettenspiegels 22 werden die einzelnen ersten Facetten 21 in das Objektfeld 5 abgebildet. Der zweite Facettenspiegel 22 ist der letzte bündelformende oder auch tatsächlich der letzte Spiegel für die Beleuchtungsstrahlung 16 im Strahlengang vor dem Objektfeld 5.
Bei einer weiteren, nicht dargestellten Ausführung der Beleuchtungsoptik 4 kann im Strahlengang zwischen dem zweiten Facettenspiegel 22 und dem Objektfeld 5 eine Übertragungsoptik angeordnet sein, die insbesondere zur Abbildung der ersten Facetten 21 in das Objektfeld 5 beiträgt. Die Übertragungsoptik kann genau einen Spiegel, alternativ aber auch zwei oder mehr Spiegel aufweisen, welche hintereinander im Strahlengang der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet sind. Die Übertragungsoptik kann insbesondere einen oder zwei Spiegel für senkrechten Einfall (NI-Spiegel, Normal Incidence Spiegel) und/oder einen oder zwei Spiegel für streifenden Einfall (GI-Spiegel, Grazing Incidence Spiegel) umfassen.
Die Beleuchtungsoptik 4 hat bei der Ausführung, die in der 1 gezeigt ist, nach dem Kollektor 17 genau drei Spiegel, nämlich den Umlenkspiegel 19, den ersten Facettenspiegel 20 und den zweiten Facettenspiegel 22.
Bei einer weiteren Ausführung der Beleuchtungsoptik 4 kann der Umlenkspiegel 19 auch entfallen, so dass die Beleuchtungsoptik 4 nach dem Kollektor 17 dann genau zwei Spiegel aufweisen kann, nämlich den ersten Facettenspiegel 20 und den zweiten Facettenspiegel 22.
Die Abbildung der ersten Facetten 21 mittels der zweiten Facetten 23 beziehungsweise mit den zweiten Facetten 23 und einer Übertragungsoptik in die Objektebene 6 ist regelmäßig nur eine näherungsweise Abbildung.
Die Projektionsoptik 10 umfasst eine Mehrzahl von Spiegeln Mi, welche gemäß ihrer Anordnung im Strahlengang der Projektionsbelichtungsanlage 1 durchnummeriert sind.
Bei dem in der 1 dargestellten Beispiel umfasst die Projektionsoptik 10 sechs Spiegel M1 bis M6. Alternativen mit vier, acht, zehn, zwölf oder einer anderen Anzahl an Spiegeln Mi sind ebenso möglich. Bei der Projektionsoptik 10 handelt es sich um eine doppelt obskurierte Optik. Der vorletzte Spiegel M5 und der letzte Spiegel M6 haben jeweils eine Durchtrittsöffnung für die Beleuchtungsstrahlung 16. Die Projektionsoptik 10 hat eine bildseitige numerische Apertur, die größer ist als 0,5 und die auch größer sein kann als 0,6 und die beispielsweise 0,7 oder 0,75 betragen kann.
Reflexionsflächen der Spiegel Mi können als Freiformflächen ohne Rotationssymmetrieachse ausgeführt sein. Alternativ können die Reflexionsflächen der Spiegel Mi als asphärische Flächen mit genau einer Rotationssymmetrieachse der Reflexionsflächenform gestaltet sein. Die Spiegel Mi können, genauso wie die Spiegel der Beleuchtungsoptik 4, hochreflektierende Beschichtungen für die Beleuchtungsstrahlung 16 aufweisen. Diese Beschichtungen können als Multilayer-Beschichtungen, insbesondere mit alternierenden Lagen aus Molybdän und Silizium, gestaltet sein.
Die Projektionsoptik 10 hat einen großen Objekt-Bildversatz in der y-Richtung y zwischen einer y-Koordinate eines Zentrums des Objektfeldes 5 und einer y-Koordinate des Zentrums des Bildfeldes 11. Dieser Objekt-Bild-Versatz in der y-Richtung y kann in etwa so groß sein wie ein z-Abstand zwischen der Objektebene 6 und der Bildebene 12.
Die Projektionsoptik 10 kann insbesondere anamorphotisch ausgebildet sein. Sie weist insbesondere unterschiedliche Abbildungsmaßstäbe βx, βy in x- und y-Richtung x, y auf. Die beiden Abbildungsmaßstäbe βx, βy der Projektionsoptik 10 liegen bevorzugt bei (βx, βy) = (+/- 0,25, +/- 0,125). Ein positiver Abbildungsmaßstab β bedeutet eine Abbildung ohne Bildumkehr. Ein negatives Vorzeichen für den Abbildungsmaßstab B bedeutet eine Abbildung mit Bildumkehr.
Die Projektionsoptik 10 führt somit in x-Richtung x, das heißt in Richtung senkrecht zur Scanrichtung, zu einer Verkleinerung im Verhältnis 4:1.
Die Projektionsoptik 10 führt in y-Richtung y, das heißt in Scanrichtung, zu einer Verkleinerung von 8:1.
Andere Abbildungsmaßstäbe sind ebenso möglich. Auch vorzeichengleiche und absolut gleiche Abbildungsmaßstäbe in x- und y-Richtung x, y, zum Beispiel mit Absolutwerten von 0,125 oder von 0,25, sind möglich.
Die Anzahl von Zwischenbildebenen in der x- und in der y-Richtung x, y im Strahlengang zwischen dem Objektfeld 5 und dem Bildfeld 11 kann gleich sein oder kann, je nach Ausführung der Projektionsoptik 10, unterschiedlich sein. Beispiele für Projektionsoptiken mit unterschiedlichen Anzahlen derartiger Zwischenbilder in x- und y-Richtung x, y sind bekannt aus der US 2018/0074303 A1 .
Jeweils eine der zweiten Facetten 23 ist genau einer der ersten Facetten 21 zur Ausbildung jeweils eines Beleuchtungskanals zur Ausleuchtung des Objektfeldes 5 zugeordnet. Es kann sich hierdurch insbesondere eine Beleuchtung nach dem Köhlerschen Prinzip ergeben. Das Fernfeld wird mit Hilfe der ersten Facetten 21 in eine Vielzahl an Objektfeldern 5 zerlegt. Die ersten Facetten 21 erzeugen eine Mehrzahl von Bildern des Zwischenfokus auf den diesen jeweils zugeordneten zweiten Facetten 23.
Die ersten Facetten 21 werden jeweils von einer zugeordneten zweiten Facette 23 einander überlagernd zur Ausleuchtung des Objektfeldes 5 auf das Retikel 7 abgebildet. Die Ausleuchtung des Objektfeldes 5 ist insbesondere möglichst homogen. Sie weist vorzugsweise einen Uniformitätsfehler von weniger als 2% auf. Die Felduniformität kann über die Überlagerung unterschiedlicher Beleuchtungskanäle erreicht werden.
Durch eine Anordnung der zweiten Facetten 23 kann geometrisch die Ausleuchtung der Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 definiert werden. Durch Auswahl der Beleuchtungskanäle, insbesondere der Teilmenge der zweiten Facetten 23, die Licht führen, kann die Intensitätsverteilung in der Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 eingestellt werden. Diese Intensitätsverteilung wird auch als Beleuchtungssetting oder Beleuchtungspupillenfüllung bezeichnet.
Eine ebenfalls bevorzugte Pupillenuniformität im Bereich definiert ausgeleuchteter Abschnitte einer Beleuchtungspupille der Beleuchtungsoptik 4 kann durch eine Umverteilung der Beleuchtungskanäle erreicht werden.
Im Folgenden werden weitere Aspekte und Details der Ausleuchtung des Objektfeldes 5 sowie insbesondere der Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 beschrieben.
Die Projektionsoptik 10 kann insbesondere eine homozentrische Eintrittspupille aufweisen. Diese kann zugänglich sein. Sie kann auch unzugänglich sein.
Die Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 lässt sich regelmäßig mit dem zweiten Facettenspiegel 22 nicht exakt ausleuchten. Bei einer Abbildung der Projektionsoptik 10, welche das Zentrum des zweiten Facettenspiegels 22 telezentrisch auf den Wafer 13 abbildet, schneiden sich die Aperturstrahlen oftmals nicht in einem einzigen Punkt. Es lässt sich jedoch eine Fläche finden, in welcher der paarweise bestimmte Abstand der Aperturstrahlen minimal wird. Diese Fläche stellt die Eintrittspupille oder eine zu ihr konjugierte Fläche im Ortsraum dar. Insbesondere zeigt diese Fläche eine endliche Krümmung.
Es kann sein, dass die Projektionsoptik 10 unterschiedliche Lagen der Eintrittspupille für den tangentialen und für den sagittalen Strahlengang aufweist. In diesem Fall sollte ein abbildendes Element, insbesondere ein optisches Bauelement der Übertragungsoptik, zwischen dem zweiten Facettenspiegel 22 und dem Retikel 7 bereitgestellt werden. Mit Hilfe dieses optischen Elements kann die unterschiedliche Lage der tangentialen Eintrittspupille und der sagittalen Eintrittspupille berücksichtigt werden.
Bei der in der 1 dargestellten Anordnung der Komponenten der Beleuchtungsoptik 4 ist der zweite Facettenspiegel 22 in einer zur Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 konjugierten Fläche angeordnet. Der erste Facettenspiegel 20 ist verkippt zur Objektebene 6 angeordnet. Der erste Facettenspiegel 20 ist verkippt zu einer Anordnungsebene angeordnet, die vom Umlenkspiegel 19 definiert ist. Der erste Facettenspiegel 20 ist verkippt zu einer Anordnungsebene angeordnet, die vom zweiten Facettenspiegel 22 definiert ist.
Das Beleuchtungssystem 2 bzw. die Beleuchtungsoptik 4 und das Projektionssystem bzw. die Projektionsoptik 10 sind jeweils zumindest teilweise in einer Vakuumumgebung 24, 25 angeordnet. Das Beleuchtungssystem 2 bzw. die Beleuchtungsoptik 4 und das Projektionssystem bzw. die Projektionsoptik 10 sind beispielsweise jeweils zumindest teilweise in einem Vakuumgehäuse (nicht gezeigt) angeordnet, welches mithilfe einer Evakuierungsvorrichtung (nicht gezeigt) evakuiert wird.
Ein Ausgasen von Werkstoffen in der Vakuumumgebung 24, 25 kann zu einem unerwünschten Druckanstieg, einer Verunreinigung von optischen Komponenten (z. B. der Spiegel M1 bis M6) der EUV-Lithographieanlage 1 und zu einer Beeinträchtigung der Abbildungseigenschaften der Beleuchtungsoptik 4 und der Projektionsoptik 10 führen.
Im Folgenden wird ein Verfahren zum Herstellen einer Komponente 100, 200 für die Vakuumumgebung 24, 25 der EUV-Lithographieanlage 1 beschrieben.
2 zeigt eine mit dem Verfahren hergestellte Komponente 100 gemäß einer ersten Ausführungsform.
Die Komponente 100 umfasst ein erstes Bauteil 102, wie beispielsweise ein elektronisches Bauteil 102a. Weiterhin umfasst die Komponente 100 ein zweites Bauteil 104, wie beispielsweise eine Leiterplatte 104a. Das erste Bauteil 102 weist mehrere Anschlusselemente 106, z. B. Anschlussfüße 106, zum Befestigen des ersten Bauteils 102 an dem zweiten Bauteil 104 auf. In 2 sind beispielhaft zwei Anschlussfüße 106 gezeigt. Das erste Bauteil 102 kann jedoch auch eine andere Anzahl von Anschlussfüßen 106 aufweisen. Das erste Bauteil 102 kann auch mehrere Reihen von Anschlussfüßen 106 haben, wobei jede Reihe mehrere Anschlussfüße 106 aufweisen kann.
In dem in 2 gezeigten Beispiel ist das erste Bauteil 102 ein Oberflächenmontage-Bauteil 102a, welches auf einer Oberfläche 108 der Leiterplatte 104a befestigt ist.
Das erste Bauteil 102, insbesondere seine Anschlussfüße 106, sind jeweils mittels eines Lots 110 an dem zweiten Bauteil 104, insbesondere seiner Oberfläche 108, befestigt. Das jeweilige Lot 110 ist zwischen einem entsprechenden Anschlussfuß 106 und dem zweiten Bauteil 104 angeordnet. Obwohl in 2 nicht gezeigt, kann das zweite Bauteil 104 in 2 auch ein Lötpad 114 aufweisen, wie in 4 zu sehen. In diesem Fall ist das erste Bauteil 102, insbesondere seine Anschlussfüße 106, mittels des Lots 110 an einer Oberfläche 116 des Lötpads 114 angelötet.
In 2 ist das jeweilige Lot 110 ausgehärtet und stellt eine Lötverbindung 112 zwischen dem ersten Bauteil 102, z. B. dem elektronischen Bauteil 102a, und dem zweiten Bauteil 104, z. B. der Leiterplatte 104a, bereit. Die Lötverbindung 112 ist beispielsweise eine mechanische Verbindung zwischen dem ersten Bauteil 102 und dem zweiten Bauteil 104. Die Lötverbindung 112 kann beispielsweise auch eine elektrische Verbindung zwischen dem ersten und zweiten Bauteil 102, 104 sein.
Das Lot 110 weist Gold und/oder Silber mit einem Massenanteil relativ zu einer Gesamtmasse des Lots 110 von 60% oder größer auf. Dies gilt für alle hierin beschriebenen Lote 110, 110', 210, 210', 210'', 210'''. Durch den hohen Anteil an Gold und/oder Silber können mögliche andere Bestandteile des Lots 110 geringgehalten werden. Insbesondere können andere Bestandteile des Lots 110, welche (z. B. stark) ausgasen und/oder deren Ausgasungen besonders schädlich für die Vakuumumgebung 24, 25 der Lithographieanlage 1 sind, geringgehalten oder vermieden werden. Dadurch können (z. B. schädliche) Ausgasungen des Lots 110 in die Vakuumumgebung 24, 25 (1) reduziert werden. Beispielsweise weist das Lot 110 vorteilhafterweise wenig (z. B. 0,1% der Gesamtmasse oder weniger) oder kein Zinn und Zink auf, welche für schädliche Ausgasungen bekannt sind. Beispielsweise besteht das Lot 110 zu 100% aus Gold und/oder Silber. Alternativ kann das Lot 110 auch einen Kupferanteil aufweisen und/oder eine oder mehrere weitere Bestandteile aufweisen. Beispielsweise besteht das Lot 110 nur aus Gold und/oder Silber und Kupfer.
3 zeigt eine mit dem Verfahren hergestellte Komponente 200 gemäß einer zweiten Ausführungsform.
Die Komponente 200 gemäß der zweiten Ausführungsform umfasst ein erstes Bauteil 202, wie beispielsweise ein elektronisches Bauteil 202a. Weiterhin umfasst die Komponente 202 ein zweites Bauteil 204, wie beispielsweise eine Leiterplatte 204a. Das erste Bauteil 202 weist mehrere Anschlusselemente 206, z. B. Anschlussstifte 206, zum Befestigen des ersten Bauteils 202 auf dem zweiten Bauteil 204 (z. B. der Leiterplatte 204a) auf. In 3 sind beispielhaft zwei Anschlussstifte 206 gezeigt. Das erste Bauteil 202 kann jedoch auch eine andere Anzahl von Anschlussstiften 206 aufweisen. Das erste Bauteil 202 kann auch mehrere Reihen von Anschlussstiften 206 haben, wobei jede Reihe mehrere Anschlussstifte 206 aufweisen kann.
In dem in 3 gezeigten Beispiel ist das erste Bauteil 202 ein Durchsteckmontage-Bauteil 202a. Insbesondere hat die Leiterplatte 204a mindestens eine Durchbohrung 208 zum Aufnehmen des mindestens einen Anschlussstifts 206. In dem Beispiel von 3 sind zwei Durchbohrungen 208 und zwei Anschlussstifte 206 gezeigt. Allerdings kann die Komponente 200 auch mehr als zwei Durchbohrungen 208 und mehr als zwei Anschlussstifte 206 aufweisen. Die Anschlussstifte 206 werden insbesondere in die jeweilige Durchbohrung 208 hineingesteckt.
Das elektronische Bauteil 202a, insbesondere seine Anschlussstifte 206, sind jeweils mittels eines Lots 210 an der Leiterplatte 204a, z. B. in der jeweiligen Durchbohrung 208, befestigt. Das Lot 210 ist beispielsweise innerhalb einer jeweiligen Durchbohrung 208 angeordnet. Das Lot 210 ist beispielsweise zwischen einem jeweiligen Anschlussstift 206 und einer Innenwand (ohne Bezugszeichen) einer jeweiligen Durchbohrung 208 angeordnet.
In 3 ist das jeweilige Lot 210 ausgehärtet und stellt eine Lötverbindung 212 zwischen dem ersten Bauteil 202 und dem zweiten Bauteil 204 bereit. Die Lötverbindung 212 ist beispielsweise eine mechanische Verbindung zwischen dem ersten und zweiten Bauteil 202, 204. Die Lötverbindung 212 kann beispielsweise auch eine elektrische Verbindung zwischen dem ersten und zweiten Bauteil 202, 204 sein.
Auch das Lot 210 zur Verbindung des ersten und zweiten Bauteils 202, 204 der Komponente 200 gemäß der zweiten Ausführungsform (3) weist Gold und/oder Silber mit einem Massenanteil relativ zu einer Gesamtmasse des Lots 210 von 60% oder größer auf. Dadurch können auch bei der zweiten Ausführungsform schädliche Ausgasungen des Lots 210 in die Vakuumumgebung 24, 25 (1) gering gehalten werden. Außerdem weist auch das Lot 210 beispielsweise wenig oder kein Zinn und/oder kein Zink auf.
Im Folgenden wird eine erste Ausführungsform des Verfahrens zum Herstellen der in 2 gezeigten Komponenten 100 mit Bezug zu den 4, 5 und 12 beschrieben. Bei der ersten Ausführungsform des Verfahrens wird beispielhaft ein Oberflächenmontage-Bauteil 102a (als Beispiel eines ersten Bauteils 102) auf eine Leiterplatte 104a (als Beispiel eines zweiten Bauteils 104) gelötet.
In einem ersten Schritt S1 des Verfahrens wird ein Lot 110 im Bereich B (2) des ersten Bauteils 102 und/oder des zweiten Bauteils 104 angeordnet. Das Lot 110 weist Gold und/oder Silber mit einem Massenanteil relativ zu einer Gesamtmasse des Lots 110 von 60% oder größer auf.
Beispielsweise wird, wie in 4 gezeigt, die Leiterplatte 104a bereitgestellt. Auf der Leiterplatte 104a kann optional ein Lötpad 114 (z. B. ein Kupferplättchen) angeordnet werden.
Das Lot 110 wird beispielsweise in einer Pastenform 118 auf der Oberfläche 108 der Leiterplatte 104a bzw. der Oberfläche 116 des Lötpads 114 angeordnet.
Auf das Lot 110 kann dann zum Beispiel das erste Bauteil 102, insbesondere ein Anschlussfuß 106 des ersten Bauteils 102, angeordnet werden.
Das Lot 110 kann jedoch auch in einer anderen Form als einer Pastenform 118 im Bereich B (2) des ersten und zweiten Bauteils 102, 104 angeordnet werden. Beispielhaft ist in 5 ein Lot 110' in Drahtform 120 einer Komponente 100' gezeigt. In dem Beispiel von 5 wird zunächst die Leiterplatte 104a', optional mit dem Lötpad 114', bereitgestellt. Dann wird das elektronische Bauteil 102a', insbesondere sein Anschlussfuß 106', auf der Oberfläche 108' der Leiterplatte 104a' bzw. der Oberfläche 116' des Lötpads 114' angeordnet. Das Lot 110' in Drahtform 120 wird sodann benachbart zu dem Anschlussfuß 106' angeordnet. Insbesondere weist das Lot 110' in Drahtform 120 in Bezug auf seine Längsrichtung ein erstes Ende 122 und ein zweites Ende 124 auf. Weiterhin wird insbesondere das erste Ende 122 des Lots 110' in Drahtform 120 benachbart zu dem Anschlussfuß 106' angeordnet.
In einem zweiten Schritt S2 des Verfahrens wird das Lot 110, 110' mittels eines Laserstrahls 126, 126' geschmolzen, wie in 4 und 5 veranschaulicht. Der Laserstrahl 126, 126' wird insbesondere auf das Lot 110, 110' eingestrahlt. Im Fall eines Lots 110' in Drahtform 120 (5) wird der Laserstrahl 126' beispielsweise auf das benachbart zu dem Anschlussfuß 106' angeordnete erste Ende 122 des Drahts 120 eingestrahlt. Durch Schmelzen des Lots 110, 110' wird die Lötverbindung 112 (2) zwischen dem ersten Bauteil 102 und dem zweiten Bauteil 104 hergestellt.
Durch Anwenden eines Laserschweißverfahrens in Schritt S2 kann das Lot 110, 110' punktuell und kurzzeitig auf die erforderliche Schmelztemperatur (z. B. etwa 1064 °C bei reinem Gold und etwa 961 °C bei reinem Silber) erhitzt werden.
Wie beispielhaft in 6 für das Lot 110 in Pastenform 118 veranschaulicht, kann der Laserstrahl 126, 126' derart auf das Lot 110, 110' eingestrahlt werden, dass ein Fokus F1 des Laserstrahls 126, 126' auf das Lot 110, 110' fokussiert ist. Mit anderen Worten befindet sich das Lot 110, 110' im Fokus F1 des Laserstrahls 126, 126'. Dadurch kann am Ort des Lots 110, 110' eine hohe Strahlungsintensität bereitgestellt werden.
Alternativ kann, wie in 7 veranschaulicht, der Laserstrahl 126, 126' auch derart auf das Lot 110, 110' eingestrahlt werden, dass sich ein Fokus F2 des Lots 110, 110' beabstandet von dem Lot 110, 110' befindet. Dadurch kann eine Auftrefffläche 128, in welcher der Laserstrahl 126, 126' auf das Lot 110, 110' auftrifft, vergrößert werden. In dem Beispiel von 7 ist ein Durchmesser der Auftrefffläche 128 mit dem Bezugszeichen D1 gekennzeichnet.
Im Folgenden wird eine zweite Ausführungsform des Verfahrens zum Herstellen der in 3 gezeigten Komponenten 200 mit Bezug zu den 8 bis 11 und 13 beschrieben. Bei der zweiten Ausführungsform des Verfahrens wird beispielhaft ein Durchsteckmontage-Bauteil 202a (als Beispiel eines ersten Bauteils 202) mit einer Leiterplatte 204a (als Beispiel eines zweiten Bauteils 204) verbunden.
In einem ersten Schritt S1' des Verfahrens gemäß der zweiten Ausführungsform wird ein Lot 210 im Bereich B' (3) des ersten Bauteils 202 und/oder des zweiten Bauteils 204 angeordnet. Das Lot 210 weist Gold und/oder Silber mit einem Massenanteil relativ zu einer Gesamtmasse des Lots 110, 210 von 60% oder größer auf.
Beispielsweise wird, wie in 8 veranschaulicht, die Leiterplatte 204a mit mindestens einer Durchbohrung 208 bereitgestellt. Optional kann an einer Innenwand (ohne Bezugszeichen) der Durchbohrung 208 ein Lötpad 214 (8) angeordnet werden. Sodann wird der mindestens eine Anschlussstift 206 des ersten Bauteils 202 in der Durchbohrung 208 der Leiterplatte 204a angeordnet. Beispielsweise wird der mindestens eine Anschlussstift 206 in die Durchbohrung 208 hineingesteckt.
Das Lot 210 wird beispielsweise in einer Pastenform 218 bereitgestellt, wie in 8 gezeigt. Das Lot 210 in Pastenform 218 deckt die Durchbohrung 208 beispielsweise zumindest teilweise und/oder vollständig ab. Das Lot 210 wird in Schritt S1' beispielsweise in physischem Kontakt mit dem ersten Bauteil 202, insbesondere dem Anschlussstift 206 des ersten Bauteils 202, und/oder dem zweiten Bauteil 204 angeordnet.
Das Lot 210 kann jedoch beispielsweise auch in einer anderen Form als einer Pastenform 218 bereitgestellt werden. Beispielhaft ist in 9 ein Lot 210' in Drahtform 220' (einer Komponente 200') gezeigt, ähnlich dem Lot 110' in Drahtform 120 von 5.
Auch das Lot 210, 210' weist Gold und/oder Silber mit einem Massenanteil relativ zu einer Gesamtmasse des Lots 210, 210' von 60% oder größer auf, um schädliche Ausgasungen des Lots 210, 210' in die Vakuumumgebung 24, 25 (1) gering zu halten. Beispielsweise weist auch das Lot 210, 210' vorteilhafterweise kein Zinn und/oder Zink auf. Beispielsweise besteht das Lot 210, 210' zu 100% aus Gold und/oder Silber.
In einem zweiten Schritt S2' des Verfahrens gemäß der zweiten Ausführungsform wird das Lot 210, 210' mittels eines Laserstrahls 226, 226' durch Laserschweißen geschmolzen, wie in 8 und 9 veranschaulicht. Der Laserstrahl 226, 226' wird insbesondere auf das Lot 210, 210' eingestrahlt. Im Fall eines Lots 210' in Drahtform 220 (9) wird der Laserstrahl 226' beispielsweise auf das benachbart zu dem Anschlussfuß 206' angeordnete erste Ende 222 des Drahts 220 eingestrahlt. Durch Schmelzen des Lots 210, 210' wird die Lötverbindung 212 (3) zwischen dem ersten Bauteil 202 und dem zweiten Bauteil 204 hergestellt.
Wie bei dem Verfahren gemäß der ersten Ausführungsform kann der Laserstrahl 226, 226' auch bei dem Verfahren gemäß der zweiten Ausführungsform derart auf das Lot 210, 210' eingestrahlt werden, dass sich das Lot 210, 210' in einem Fokus F1 (6) des Laserstrahls 226, 226' befindet. Alternativ kann der Laserstrahl 226, 226' auch derart auf das Lot 210, 210' eingestrahlt werden, dass sich das Lot 210, 210' nicht im Fokus F2 des Laserstrahls 226, 226' befindet (7), um eine Auftrefffläche 128 des Laserstrahls zwei 226, 226' zu vergrößern.
In 10 und 11 ist eine Variante des Verfahrens gemäß der zweiten Ausführungsform zur Herstellung einer Komponente 200'' veranschaulicht.
Bei der in 10 und 11 gezeigten Variante des Verfahrens gemäß der zweiten Ausführungsform wird das Lot 210'' in Schritt S 1' derart angeordnet, dass es von der Leiterplatte 204a'' beabstandet ist. Das Bezugszeichen A1 kennzeichnet einen Abstand zwischen dem Lot 210'' und der Leiterplatte 204a''. In dem gezeigten Beispiel wird das Lot 210'' in Schritt S1' außerdem so angeordnet, dass es auch von dem Anschlussstift 206'' des ersten Bauteils 202'' beabstandet ist. Das Bezugszeichen A2 kennzeichnet einen Abstand zwischen dem Lot 210'' und dem Anschlussstift 206''.
Das Lot 210'' bei der Variante des Verfahrens gemäß der zweiten Ausführungsform weist beispielsweise eine Vorform 230 (Preform, Vorformling) auf.
Weiterhin wird bei der Variante von 10 und 11 ein Laserstrahl 226'' derart auf das Lot 210'' eingestrahlt, dass ein Fokus F3 des Laserstrahls 226'' beabstandet zu dem Lot 210'' ist. Dadurch kann, wie im Zusammenhang mit 7 beschrieben, eine Auftrefffläche 228 des Laserstrahls 226'' auf dem Lot 210'' vergrößert werden. Beispielsweise definiert ein Durchmesser D2 des Laserstrahls 226'' am Ort des Lots 210'' eine Schmelzfläche 234. Die Auftrefffläche 228 des Laserstrahls 226'' bzw. die Schmelzfläche 234 des Lots 210'' ist beispielsweise größer als ein Durchmesser D3 der mindestens einen Durchbohrung 208''.
Das durch den Laserstrahl 226'' geschmolzene Lot 210''' wird durch eine Kraft K, zum Beispiel eine Gewichtskraft G, in Richtung R der mindestens einen Durchbohrung 208'' beaufschlagt. Dadurch bewegt sich, z. B. tropft, dass geschmolzene Lot 210''' in einen Spalt 232 zwischen einer Außenwand (ohne Bezugszeichen) des Anschlussstifts 206'' und einer Innenwand (ohne Bezugszeichen) der Durchbohrung 208'' oder eines in der Durchbohrung 208'' angeordneten Lötpads 214''.
Durch Verwenden des Lotmittels 110, 110', 210, 210', 210'' mit dem hohen Anteil von Gold und/oder Silber bei der Lötverbindung 112, 212 der Komponente 100, 200 kann die Komponente 100, 200 in der Vakuumumgebung 24, 25 der Lithographieanlage 1 eingesetzt werden, ohne das Vakuum durch unerwünschtes Ausgasen der Lötverbindung 112, 212 zu beeinträchtigen. Die hohen erforderlichen Schmelztemperaturen des Lots 110, 110', 210, 210', 210'' mit dem hohen Anteil von Gold und/oder Silber können auf einfache Weise durch Laserschweißen erreicht werden. Insbesondere kann der Laserstrahl 126, 126', 226, 226', 226'' lediglich punktuell und kurzzeitig auf das Lot 110, 110', 210, 210', 210'' gestrahlt werden, sodass das erste und/oder zweite Bauteil 102, 104, 202, 204 durch den Laserstrahl 126, 126', 226, 226', 226'' nicht beschädigt werden.
Obwohl die vorliegende Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen beschrieben wurde, ist sie vielfältig modifizierbar.
BEZUGSZEICHENLISTE

1: Projektionsbelichtungsanlage
2: Beleuchtungssystem
3: Lichtquelle
4: Beleuchtungsoptik
5: Objektfeld
6: Objektebene
7: Retikel
8: Retikelhalter
9: Retikelverlagerungsantrieb
10: Projektionsoptik
11: Bildfeld
12: Bildebene
13: Wafer
14: Waferhalter
15: Waferverlagerungsantrieb
16: Beleuchtungsstrahlung
17: Kollektor
18: Zwischenfokusebene
19: Umlenkspiegel
20: erster Facettenspiegel
21: erste Facette
22: zweiter Facettenspiegel
23: zweite Facette
24: Vakuumumgebung
25: Vakuumumgebung
100, 100': Komponente
102: Bauteil
102a, 102a': Bauteil
104: Bauteil
104a, 104a': Leiterplatte
106, 106': Anschlusselement
108, 108': Oberfläche
110, 110': Lot
112, 112a: Lötverbindung
114: Lötpad
116, 116': Oberfläche
118: Pastenform
120: Drahtform
122: Ende
124: Ende
126, 126': Laserstrahl
128: Fläche
200, 200', 200'': Komponente
202, 202', 202'': Bauteil
202a, 202a': Bauteil
202a'': Bauteil
204, 204', 204'': Bauteil
204a, 204a': Leiterplatte
204a'': Leiterplatte
206, 206', 206'': Anschlusselement
208, 208', 208'': Durchbohrung
210, 210', 210'': Lot
210''': Lot
212: Lötverbindung
214, 214', 214'': Lötpad
218: Pastenform
220: Drahtform
222: Ende
226, 226', 226'': Laserstrahl
228: Fläche
230: Vorform
232: Spalt
234: Fläche
A1, A2: Abstand
B, B': Bereich
D1, D2, D3: Durchmesser
F1,F2,F3: Fokus
G: Gewichtskraft
K: Kraft
M1 - M6: Spiegel
R: Richtung
S1 - S2: Verfahrensschritte
S1' - S2': Verfahrensschritte

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
Zitierte Patentliteratur

DE 102008009600 A1 [0084, 0088]
US 20060132747 A1 [0086]
EP 1614008 B1 [0086]
US 6573978 [0086]
DE 102017220586 A1 [0091]
US 20180074303 A1 [0105]

Claims

Verfahren zum Herstellen einer Komponente (100) für eine Vakuumumgebung (24, 25) einer Lithographieanlage (1), wobei die Komponente (100) ein erstes und zweites Bauteil (102, 104) umfasst, aufweisend: a) Anordnen (S1) eines Lots (110) im Bereich (B) des ersten und/oder zweiten Bauteils (102, 104), wobei das Lot (110) Gold und/oder Silber mit einem Massenanteil relativ zu einer Gesamtmasse des Lots (110) von 60% oder größer aufweist, und b) Schmelzen (S2) des Lots (110) mittels eines Laserstrahls (126) zur Herstellung einer Lötverbindung (112) zwischen dem ersten und zweiten Bauteil (102, 104).
Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Lot (110) Gold und/oder Silber mit einem Massenanteil relativ zur Gesamtmasse des Lots (110) von 70% oder größer, 80% oder größer, 90% oder größer, 95% oder größer, 97% oder größer, 99% oder größer und/oder 100% aufweist.
Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei das Lot (110) Kupfer aufweist, ein Massenanteil von Kupfer relativ zur Gesamtmasse des Lots (110) 10% oder größer, 20% oder größer, 30% oder größer und/oder 40% beträgt, und/oder das Lot (110) aus Gold und/oder Silber und Kupfer besteht.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei das Lot (110) kein Zinn und/oder kein Zink aufweist, und/oder ein Massenanteil von Zinn und/oder Zink relativ zur Gesamtmasse des Lots (110) 10% oder kleiner, 5% oder kleiner, 3% oder kleiner, 1% oder kleiner, 0,1% oder kleiner, 0,01% oder kleiner und/oder 0,001% oder kleiner beträgt.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei das Lot (110, 110', 210', 210'') eine Pastenform (118), Folienform, Drahtform (120, 220), Stabform, Stangenform und/oder eine Vorform (230) aufweist.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei der Laserstrahl (126) derart auf das Lot (110) eingestrahlt wird, dass sich das Lot (110) in einem Fokus (F1) des Laserstrahls (126) befindet.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei der Laserstrahl (126) derart auf das Lot (110) eingestrahlt wird, dass sich das Lot (110) beabstandet von einem Fokus (F2) des Laserstrahls (126) befindet.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei das erste Bauteil (102, 202) ein elektronisches Bauteil (102a, 202a) aufweist, das zweite Bauteil (104, 204) eine Leiterplatte (104a, 204a) aufweist, und in Schritt b) eine elektrisch leitfähige Lötverbindung (112a) zwischen dem elektronischen Bauteil (102a, 202a) und der Leiterplatte (104a, 204a) hergestellt wird.
Verfahren nach Anspruch 8, wobei das erste Bauteil (102) ein Oberflächenmontage-Bauteil (102a) aufweist, das erste Bauteil (102) auf einer Oberfläche (108) der Leiterplatte (104a) angeordnet wird, und der Laserstrahl (126) derart auf das Lot (110) eingestrahlt wird, dass sich das Lot (110) in einem Fokus (F1) des Laserstrahls (126) befindet.
Verfahren nach Anspruch 8, wobei das erste Bauteil (202) ein Durchsteckmontage-Bauteil (202a) mit mindestens einem elektrisch leitfähigen Anschlussstift (206) aufweist, die Leiterplatte (204a) mindestens eine Durchbohrung (208) zum Aufnehmen des mindestens einen Anschlussstifts (206) aufweist, und der mindestens eine Anschlussstift (206) in der mindestens einen Durchbohrung (208) der Leiterplatte (204a) angeordnet wird.
Verfahren nach Anspruch 10, wobei das Lot (210'') in Schritt a) derart angeordnet wird, dass es von der Leiterplatte (204a'') und dem Anschlussstift (206'') beabstandet ist, der Laserstrahl (226'') derart auf das Lot (210'') eingestrahlt wird, dass sich das Lot (210'') beabstandet (A1) von einem Fokus (F3) des Laserstrahls (226'') befindet, und das geschmolzene Lot (210''') mit einer Kraft (K) in Richtung (R) der mindestens einen Durchbohrung (208'') der Leiterplatte (204a'') beaufschlagt wird.
Verfahren nach Anspruch 11, wobei ein Strahldurchmesser (D2) des Laserstrahls (226'') am Ort des Lots (210'') eine Schmelzfläche (234) definiert, und die Schmelzfläche (234) gleich groß wie oder größer als ein Durchmesser (D3) der mindestens einen Durchbohrung (208'') der Leiterplatte (204a'') ist.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 12, wobei: das erste und/oder zweite Bauteil (102, 104) mehrere Lötstellen (112) aufweisen/aufweist, in Schritt a) im Bereich (B) mehrerer und/oder aller der mehreren Lötstellen (112) jeweils ein Lot (110) angeordnet wird, und in Schritt b) mehrere Laserstrahlen (126) gleichzeitig zum Schmelzen der mehreren Lote (110) bereitgestellt werden, um mehrere Lötverbindungen (112) zwischen dem ersten und zweiten Bauteil (102, 104) gleichzeitig herzustellen.
Komponente (100) für eine Vakuumumgebung (24, 25) einer Lithographieanlage (1), aufweisend ein erstes und zweites Bauteil (102, 104) und ein zwischen dem ersten und zweiten Bauteil (102, 104) angeordnetes Lot (110), welches Gold und/oder Silber mit einem Massenanteil relativ zu einer Gesamtmasse des Lots (110) von 60% oder größer aufweist.
Lithographieanlage (1) mit einer Komponente (100) nach Anspruch 14, wobei die Komponente (100) in einer Vakuumumgebung (24, 25) der Lithographieanlage (1) angeordnet ist.