JP2000221406A - 非結像光学系を備えた極紫外線コンデンサ - Google Patents

非結像光学系を備えた極紫外線コンデンサ

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JP2000221406A JP2000017124A JP2000017124A JP2000221406A JP 2000221406 A JP2000221406 A JP 2000221406A JP 2000017124 A JP2000017124 A JP 2000017124A JP 2000017124 A JP2000017124 A JP 2000017124A JP 2000221406 A JP2000221406 A JP 2000221406A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 所望の照射を所定のフィールドまたはエリア
に提供することである。 【解決手段】 第1の非結像光学要素と、第2の非結像
光学要素と、ファセットされた光学要素とを有する極紫
外線コンデンサであって、前記第1の非結像光学要素は
電磁波を反射し、前記第2の非結像光学要素は、前記第
1の非結像光学要素から反射された電磁波を受光するよ
うに配置されており、前記ファセットされた光学要素は
コンデンサのステップ部近傍に配置されており、これに
より光源からの電磁波は、所定の放射照度および角度分
布を有する所望の照明エリアに凝縮される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は一般的に、コンデン
サ、およびレチクルの像を光感知性基板に投影するため
の照明装置に関し、この照明装置は半導体製造のフォト
リソグラフに使用される。本発明はさらに極紫外線また
は軟X線波長で使用するのに適したコンデンサに関し、
このコンデンサは所望の放射照度および所望の角度分布
を形成するため非結像光学系を有する。
【0002】
【従来の技術】フォトリソグラフィは多くの素子の製
造、とりわけ電子デバイスまたは半導体デバイスの製造
に頻繁に使用される。フォトリソグラフプロセスではレ
チクルまたはマスクの像が光感知性基板に投影される。
光感知性基板に結像すべき所望の素子またはフューチャ
ーサイズがますます小さくなっているので、技術的問題
がしばしば生じる。この問題の1つはレチクルまたはマ
スクを、それらの像が光感知性基板に投影できるように
照明することである。半導体デバイスの素子またはフュ
ーチャーサイズがますます小さくなっているので、0.
13μm以下の解像度を達成できるフォトリソグラフィ
装置が必要である。この比較的小さな素子またはフュー
チャーサイズの像を結像するためには、短波長の電磁波
を、レチクルまたはマスクの像を光感知性基板に投影す
るために使用しなければならない。相応して、157n
m以下の極紫外線波長で、および約1nmの軟X線波長
までで動作するフォトリソグラフィ装置が必要である。
相応して所要の解像度と結像能力を有する投影光学系は
リングフィールドの部分を使用することとなる。フォト
リソグラフィに使用されるこのような投影光学系が米国
特許第5815310号明細書、“High Numerical Ape
rture Ring Field Optical Reduction System”,Septem
ber 29,1998,に開示されている。ここに開示された投影
光学系は0.03μmの解像度で動作することができる
が、レチクルまたはマスクの像を光感知性基板に投影す
るための所要の照明特性を達成することのできる照明源
または照明装置についてはほとんど記載されていない。
照明装置は米国特許第5339346号明細書に“Devi
ce Fabrication Entailing Plasma-Derived X-Ray Deli
neation”,August 16,1994,のタイトルで開示されてい
る。そこにはレーザーポンププラズマ源と共に使用する
ためのコンデンサが開示されており、プラズマ源はペア
でファセットされ、軸に対称に配置されたコレクタレン
ズを有している。別の照明装置が米国特許第56779
39号明細書、“Illuminating Apparatus”,October 1
4,1997,に開示されている。そこには、対象物をアーチ
状のパターンに照明するための照明装置が開示されてお
り、この装置は反射型光学的インテグレータで回転する
放物円環体形状の反射鏡を有し、この光学的インテグレ
ータはメリジオナル方向にクリティカル照明するための
反射面と、サジタル方向にコラー照明するための反射面
とを有する。別の照明装置が米国特許第5512759
号明細書、“Condenser For Illuminating A Ring Fiel
d Camera With Synchrotron Emission Light”,April 3
0,1996,に開示されている。ここには、凹凸状の球面鏡
と平面鏡と球面鏡とを有するコンデンサが開示されてい
る。凹凸状の球面鏡は光ビームを集光し、平面鏡は光ビ
ームをカメラの実入射瞳に収斂して向け、球面鏡は実入
射瞳をレジストマスクを通してカメラの虚入射瞳に結像
する。別の照明装置が米国特許第5361292号明細
書、“Condenser For Illuminating ARing Field”,Nov
ember 1,1994,に開示されている。ここには、照射を集
光し、アーチ状焦点集合を形成するためにセグメント化
された非球面鏡を使用するコンデンサが記載されてい
る。アーチ状焦点集合は次に変換され、別のミラーによ
って回転され、すべてのアーチ状領域がマスクの上に重
ねられる。
【0003】しかしこれら先行の照明装置は所望の照明
を提供することができず、比較的複雑である。さらにこ
れらシステムの多くは比較的に大きく、多数の表面を有
しているので、エネルギーが損失される。いくつかはま
た配向するのが困難であり、調整を必要とする。
【0004】相応して、照明装置とコンデンサを極紫外
線で使用するためには改善が必要であり、所定のフィー
ルドまたはエリア上にフォトリソグラフィで使用するの
に所望の放射照度と所望の角度分布を提供する必要があ
る。
【0005】本発明は、非結像光学要素を備えたコンデ
ンサを有する照明装置を指向するものである。第1の非
結像光学要素は光を光源から集光し、所望のまたは所定
の放射照度分布を形成するために使用される。第2の非
結像光学要素は電磁波を第1の非結像光学要素から受け
取り、電磁波をコリメートされた準球波面または平面波
面に向け直す。照明装置の瞳に配置されたファセットは
電磁波を鮮鋭にし、均質な照明を所望のエリア上に提供
する。ファセットは第2の非結像光学要素に設けること
ができる。付加的な対物レンズ光学系を、電磁波をさら
に処理するため、または電磁波をレチクルまたはマスク
にある所望のエリアへ中継するために使用することがで
きる。これらの像は光感知性基板へ投影される。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、所望
の照射を所定のフィールドまたはエリアに提供すること
である。
【0007】本発明の別の課題は、所定の角度および放
射照度分布を提供することである。
【0008】さらに本発明の課題は、電磁波源のエテン
デュを増大することである。
【0009】
【課題を解決するための手段】この課題は本発明によ
り、第1の非結像光学要素と、第2の非結像光学要素
と、ファセットされた光学要素とを有する極紫外線コン
デンサであって、前記第1の非結像光学要素は電磁波を
反射し、前記第2の非結像光学要素は、前記第1の非結
像光学要素から反射された電磁波を受光するように配置
されており、前記ファセットされた光学要素はコンデン
サのステップ部近傍に配置されており、これにより光源
からの電磁波は、所定の放射照度および角度分布を有す
る所望の照明エリアに凝縮されるように構成して解決さ
れる。
【0010】
【発明の実施の形態】本発明の利点は、所望の波長に対
してコンデンサが効率的なことである。
【0011】本発明の別の利点は、比較的に小型なこと
である。
【0012】本発明では、非結像光学要素が使用され
る。
【0013】さらに本発明では、比較的少数の反射性表
面が使用される。
【0014】さらに本発明では、ファセットされた光学
要素が使用される。
【0015】
【実施例】図1は概略的に本発明の照明装置10を示
し、この照明装置は非結像光学系を使用する。極紫外線
放射EUVの源12はレーザープラズマ源、毛細管放電
管またはサイクロトロンとすることができ、極紫外線の
電磁波を非結像光学要素14に供給する。コレクタまた
は第1の非結像光学要素14は、光源からの電磁波を集
光し、所望のまたは所定の放射照度分布を照明装置10
の瞳に形成する。放射照度分布は均等、環状、4重また
は他の公知の、または所望の放射照度分布とすることが
できる。種々の放射照度分布が公知であり、これらは種
々のパターンを光感知性基板に結像するための所望の特
性を有する。段階的厚さプロフィールを有するコーティ
ングが第1の非結像光学要素14の上に施され、レフレ
クタンスが改善される。第1の非結像光学要素14から
反射された電磁波はシェーパーまたは第2の非結像光学
要素18により集光される。照明装置10の瞳は第2の
非結像光学要素18の近傍またはこれに隣接して配置さ
れている。入射光線16は第2の非結像光学要素18か
ら反射され、新たな光線20として出射する。非結像光
学要素18は、光線20として示された電磁波の向きを
変え、電磁波を準球波面または平面波面にコリメートす
る。このことにより、従来の光学要素を照明装置10の
残りの部分に使用することができる。第2の非結像光学
要素18は複数のファセットを有し、これらに均等な照
明が所望のエリアまたは照明フィールド上で供給され
る。ファセットは照明装置10の瞳に配置され、第2の
非結像光学要素19に隣接する。光線20により示され
た電磁波は第2の非結像光学要素18から反射され、従
来の光学要素22により受光される。電磁波は光学要素
33により反射され、光線24により示されるように第
2の従来の光学要素26により受光される。この第2の
従来の光学要素は今度は光線28をレチクル30を照明
するために反射する。光学要素22と26は従来の対物
レンズ光学要素とすることができる。例えば、光学要素
22はコマ補正を行い、比較的平坦である。光学要素2
6は回転楕円面とすることができる。光学要素26は有
利にはアナモルフィックな非球面であり、第2の非結像
光学要素18によりレチクルに反射され散乱された光を
投影光学系の入射瞳に結像するように構成されている。
アナモルフィックな出射は一定の丸い瞳を、レチクルと
交差するときに維持するため使用される。光学要素22
と26は照明を投影光学系の入射瞳に中継または結像す
ることができる。
【0016】この照明は、瞳を所定の放射照度および角
度分布で充填する。このことを瞳充填とする。本発明に
より瞳充填を所望のように変形し、レチクルにおけるパ
ターンのイメージングを強化する。一般的に、所望の瞳
充填は既知であるか、または比較的簡単に検査レチクル
により検出することができる。瞳充填または角度分布は
より正確に放射分析的放射強度により検出することがで
きる。これはステラジアン当たりのワットで共通に表さ
れる。リソグラフィはしばしば瞳充填を、この量を表す
ために使用する。しかし混乱が生じることがある。なぜ
なら瞳における放射照度分布はしばしば瞳充填と呼ばれ
るからである。各フィールドポイントからのレチクルま
たはマスクからの放射強度は必ずしも瞳における放射照
度と同じである必要のないことを十分に理解することが
重要である。例として放射照度分布が一様であっても、
レチクルまたはマスクの右半分がサークルの右半分であ
る照射強度を有し、マスクの左半分がサークルの左半分
である照射強度を有することがある。
【0017】さらに本発明は、レチクルまたはマスクの
所望のエリア、例えばアーチ状、矩形、または他の形状
のエリアの照明を可能にする。本発明はまた、所望の放
射照度分布を提供し、この放射照度分布は通常所望され
る均等な放射照度を有する。しかし所望であれば異なる
プロフィールまたは放射照度分布を提供することもでき
る。本発明はまた、効率的に自己発光する照明領域を提
供する。さらに、照明領域内の各ポイントは同じ所望の
角度スペクトルで照明される。これは均等、環状、4
重、または他の所望の分布で照明される。本発明はまた
照明領域の各ポイントに対する出射瞳が同じ場所にある
ようにし、テレセントリックなエラーを防止する。
【0018】第1の非結像光学要素14は光源12から
の電磁波を集光する。第1と第2の非結像光学要素14
と18の組み合わせは、所望の放射照度分布を照明装置
10またはコンデンサ瞳で形成し、光源12の像を形成
する。第2の非結像光学要素18はビームシェーパーと
して作用する。ビームシェーパーは照明装置10の瞳
か、またはコンデンサに配置され、入射照射を散乱し、
光源の像がレチクルまたはマスク30の所望の領域を充
填するようにする。レチクルまたはマスク30の各ポイ
ントは光または電磁波を、瞳にある多数の離散的ポイン
トから受光する。離散的ポイントは、第2の非結像光学
要素18のファセット34の大きさに依存して数百万の
数になることがある。瞳は完全には充填されていない。
なぜなら光源エテンデュは投影光学系により受け入れら
れるものより少ないからである。瞳充填は従来のセグメ
ント型光学系を使用して得られるものよりもより均等で
ある。従来の光学要素には、コンデンサを瞳にある数十
のポイントまたはラインによってしか充填できないとい
う制限がある。本発明の改善された瞳充填は、多数の個
別のファセットを有する第2の非結像光学要素18の製
造によって達成される。この第2の非結像光学要素はリ
ソグラフィまたはグレイスケールマスクを使用して製造
される。
【0019】照明装置またはコンデンサは実際上はクリ
ティカルコンデンサであり、非結像光学要素18または
ビームシェーパーをストップ部に有し、フォトンが所望
のようにレチクルまたはマスク30と交差して分布する
ようにする。有利な実施例では、ストップ部は第2の非
結像光学要素18にある。第2の非結像光学要素18は
同時にビームシェーパーとしても使用され、光源を無限
大に再結像する。これら2つの機能を第2の非結像光学
要素18で組み合わせることにより、照明装置における
光学系の数が低減され、システムのスループットが改善
される。
【0020】図2はさらに詳細に、第2の非結像光学要
素18を示す。有利にはファセット34は基板31のベ
ース表面32に成形されている。ファセット34は大き
さおよび傾斜の点でわかりやすくするために極端に拡大
して示されている。ファセット34は、非結像光学要素
18から反射された角度スペクトルが所定または所望の
形状または照明フィールドをレチクルまたはマスクに、
図1に示す光学要素22と26により結像されるときに
形成するよう成形され、傾斜されている。ファセット3
4は、角度スペクトルが結像時にアーチ状の領域を形成
するよう選択されている。ファセットからの回折はエタ
ンデュを上昇させる。ファセット34はレチクル面を均
等に形成するよう十分に小さくなければならず、またエ
ッジの散乱を最小にするため十分に大きくなければなら
ない。例えば120mmの直径またはオーダーの非結像
光学要素は、10μmオーダーのファセットを有するこ
とができる。これは良好に均質な照明と瞳充填を提供す
る。ファセットは大きさの点で少なくとも4μmに縮小
することができる。ファセット34は有利にはフレネル
表面を形成する。
【0021】ビームシェーパーまたは第2の非結像光学
要素18は電磁波または光をコレクタまたは第1の非結
像光学要素14から受光し、これを所望の照明野に向け
る。概念的にはこのことは2つの別個のタスクに分ける
ことができる。ベース表面32により形成された光源1
2を再結像し、この光源像を照明野に甘くフォーカスす
る。この照明野は多数の小さなファセット34からなる
散乱表面により形成される。
【0022】コレクタまたは第1の第1の非結像光学要
素14とビームシェーパーまたは第2非結像光学要素1
8表面との組み合わせは光源を有限または無限大の共役
に再結像する。シェーパーベース表面32は、1)コレ
クタまたは第1の非結像光学要素を定める種々の等式を
解くことにより、2)ビームシェーパー表面におけるビ
ームの入射角θを計算することにより、そして3)入射
照射を有限または無限大の共役に向けるために必要なシ
ェーパー表面の傾斜を計算することにより決められる。
シェーパー表面の傾斜は表面プロフィールを与えるため
に統合することができる。または傾斜は光線トレースソ
フトウェアに直接組み込むことができる。ベースビーム
シェーパー表面は従来のように研磨することができ、散
乱機能をベース表面に適用することができる。しかし有
利な実現では、フレネル表面を同じ小さな、散乱に対し
て必要な有利には4から10μm2のファセットを使用
して作製する。
【0023】フレネル表面に対して、各ベースファセッ
トの傾斜は主光線をファセットに向け(すなわち、光源
の中心から出発して前記ファセットの中心へ)、光源を
結像する。フレネルファセットの傾斜は散乱傾斜に加え
られる。これについては後で述べる。フレネルベース表
面を使用することにより、散乱ピクセルの作製が簡単に
なる。なぜなら、基板がカーブしておらず、標準のリソ
グラフィプロセスを使用することができるからである。
【0024】マスクにおいて所望の領域を照明するため
に、瞳(すなわちビームシェーパー表面)が多数の小さ
なファセットに分割される。各ファセットは光を照明野
の種々の部分に向ける。このようにして形成された散乱
表面により、任意の形状の領域を照明することができ
る。十分に小さなファセットにより、照明野の各ポイン
トは光を、瞳にランダムに分散された数千または数百万
のポイントから受光することができる。瞳でのランダム
な分散により、レチクルの各ポイントにおける照射の角
度分布または照射強度が実質的に同じであることが保証
される。各ファセットのベース表面からのずれは、他の
従来の光学表面の焦点長および視差結像式によって決め
られる。
【0025】図1と図2を参照すると、本発明の照明装
置10は、所定の照明野またはエリアの像を備えたレチ
クルを照明する。この照明野またはエリアは所望の放射
照度と所望の角度分布を有している。この照明は、フォ
トリソグラフィ適用に対して所望される。付加的に、本
発明の照明装置10は電磁波源のエタンデュを増大させ
る。このことは、使用可能なパワーを照明野またはアー
チ状エリアに分散することにより行われる。光学系のエ
タンデュは、アパーチャにより集光される光源および角
度の交差部分エリアに関連する幾何学的量である。レー
ザープラズマおよび毛細管放電源は一般的に小型であ
り、近似的に1mmより小さい。シンクロトロンは小さ
な角度広がりを有しており、この角度広がりを設計プロ
セスで考慮しなければならない。結果として、光源のエ
タンデュを上昇させる必要が頻繁に生じる。本発明で
は、所望の照明パターンと所望の角度分布が達成され、
効率が高く、すべてが小型のパッケージに収容されてい
る。本発明は有利には、リングフィールドまたは投影光
学系のアーチ状領域を極紫外線電磁波により照射するの
に適する。このような投影光学系の1つは米国特許第5
815310号明細書、“High Numerical Aperture Ri
ng Field Optical Reduction System”,September 29,1
998 に開示されている。
【0026】図1と図2を参照すると、本発明の照明装
置10が示されている。光源12は比較的小さく、レー
ザープラズマ源または毛細管放電管であり、極紫外線領
域にある所望の波長の電磁波を放射する。コレクタまた
は第1の非結像光学要素はエネルギーまたは電磁波を集
光し、シェーパーまたは第2の非結像光学系18に供給
される所望の放射照度分布を形成する。非結像光学要素
の非結像表面は種々の等式に対する解答である。これら
種々の等式は当業者には周知であり、刊行物“Computer
Aided Optical Design of Illumination and Irradiat
ing Devices”Kusch著、Aslan Publishing Huse,Mosco
w,1993 に記載されている。この刊行物に示された非結
像光学要素の等式を使用すれば、回転対称角度強度およ
び回転対称瞳充填を備えた点光源が容易に設計される。
有限の大きさの光源および非回転対称システムに対して
はさらに一般的な等式が使用される。このような等式は
当業者には周知であり、刊行物“Formulation of a Ref
lector-Design Problem fora Lighting Fixture”J.S.S
chruben,Journal of the Optical Society of America,
Vol.62,No.12,December 1972,および“Tailored Reflec
tors for Iluminatin”,D.Jenkins & R.Winston,Applie
d Optics,Vol.35,No.10,April 1996 に開示されてい
る。コーティングのレフレクタンスおよび光源の角度強
度分布は両方とも非結像光学表面の設計の際に考慮され
る。第2の非結像光学要素18のベース表面は非結像で
あり、第1の非結像光学要素14からの電磁波を、第2
の非結像光学要素18により反射される電磁波が平行索
になるようコリメートする。第2の非結像光学要素18
の表面32にはファセットアレイが形成されている。そ
の形状と傾斜は、第2の非結像光学要素18から反射さ
れた角度スペクトルが所望の形状をレチクルまたはマス
クで、本発明の他の従来の光学系22と26により結像
されるときに形成するようなされている。第2の非結像
光学要素18はリソグラフィ技術を使用して製造するこ
とができる。
【0027】図3は、図1と図2に示したように、極紫
外線照明装置10を極紫外線投影光学系36との組み合
わせで示す。このような極紫外線投影光学系は、米国特
許第5815310号明細書に開示されている。照明装
置10は所望の放射照度と所望の角度分布を所定の照明
野でレチクル30を照明するために提供する。所定の照
明野は例えばリングフィールドの一部またはアークであ
る。結果として、電磁波はレチクル30に、レチクルの
法線を基準にした軸からわずかに離れて衝突する。電磁
照射は第1のミラー38により集光され、反射され、さ
らに第2のミラー40により集光され、反射され、そし
て第3のミラー42により集光され、反射され、これが
第4のミラー44により集光され、反射され、これが第
5のミラー46により集光され、反射され、これが第6
のミラー48により集光され、反射され、これがレチク
ルの像を光感知性基板50に投影する。十分なクリアラ
ンスがEUV照明装置10と投影光学系36との間に設
けられ、レチクル30と光感知性基板50とを平行方向
に走査することができる。この平行方向の走査は、照明
野がレチクルの像を光感知性基板の所定のエリアに投影
するように行われる。レチクル30と光感知性基板50
とは平行走査に対して配置されている。光学要素のすべ
てはレチクル30および光感知性基板50の運動に対し
て必要なステージと干渉しないように配置されている。
付加的にすべてのシステム、照明装置120および投影
光学系50は有利には全体がレチクル30と基板50と
の間に配置される。
【0028】図4Aは、コレクタまたは第1の非結像光
学要素214のプロフィールを概略的に示す。コレクタ
または第1の非結像光学要素214は軸方向に対称であ
る。コレクタまたは非結像光学要素214は湾曲した反
射面215を有する。湾曲した反射面215は、瞳にお
ける所望の放射照度分布に基づいて計算または決定され
る。比較的に小型のEUV源212が非結像光学要素2
14の原点の近傍に配置されている。光源212からの
電磁波は、第1の非結像非結像光学要素214により集
光され反射される。反射された電磁波は所望の放射照度
を形成する。
【0029】図4Bは、このような放射照度分布を示
す。ここには環状の放射照度分布52が示されている。
環状の放射照度分布52は、環状の照明56とダークセ
ンタ58を含むダークフィールド54により特徴付けら
れる。環状の放射照度分布52が図示されているが、所
望の放射照度分布は非結像光学要素214の表面215
の計算されたプロフィールまたは形状に依存して得られ
る。例えば上部は4重、均等または他の公知の所望の放
射照度分布を有する。
【0030】図5Aは、シェーパーまたは第2の非結像
光学要素218を示す。第2の非結像光学要素218
は、図1と図2に示された第2の非結像光学要素18の
別の実施例である。第2の非結像光学要素218は基板
またはベース213上に成形されている。ベース231
は表面232を有する。表面232はフレネル・アクシ
コン(axicon)の形状を有することができる。図5A
は、第2の非結像光学要素218を円錐形部分として示
す。アクシコンの表面の円錐状表面は取り付けのために
従来の円形レンズに配置される。図5Aはアクシコンを
示しており、第2の非結像光学要素218が他の形状
を、光源および所望の放射照度または角度分布に依存し
て有することができると理解すべきである。例えば光源
の角度分布と瞳充填が回転対称であれば、第2の非結像
光学要素は奇数非球面の形状を有する。回転対称が存在
しなければ、第2の非結像光学要素は非通常の形状を有
するようになる。この非通常の形状は光線のコリメート
作用を提供するように決定される。表面232は複数の
反射性角度ファセットまたは傾斜ファセット234をそ
の上に有する。表面232は複数のファセット234と
の組み合わせで電磁波を整形しまたはその向きを変え、
コリメートして球形波面または平面波面を形成する。こ
の波面は、所望の照明エリアまたはフィールドに均等照
明を有する。第2の非結像光学要素218は比較的多数
の反射性ファセット234を有しており、各ファセット
234は近似的に10から4μmの直径を有する。10
から4μmはファセットサイズとしてもっとも有用な範
囲であるが、これより大きなファセットおよび小さなフ
ァセットも可能である。各ファセット234の角度また
は傾斜は、均等照明と所望の放射照度分布を備えたアー
チ状の照明エリアまたはフィールドが得られるように計
算される。ファセット234はエッチングまたは他のリ
ソグラフィ技術により作製される。均等照明は、図1,
3および図4Aに示されたコレクタまたは第1の非結像
光学要素14または214により、形成された所望の放
射照度分布を有している。
【0031】図5Bは、アーチ形状の所望の照明エリア
またはフィールドを示す。付加的に環状の角度分布15
2が示されている。環状の角度分布152はダークフィ
ールド154を有し、これは環状照明156とダークセ
ンタ158を取り囲んでいる。環状の角度分布が示され
ており、これは当業者によって角度分布は照明エリアま
たはフィールドのいずれのポイントからも環状に発生す
ると理解される。従って、照明エリアまたはフィールド
は環状の放射照度および角度分布により均等に照明され
る。
【0032】図5Cは、第2の非結像光学要素の別の実
施例を示す。この実施例では、非結像光学要素318は
ベース331を有し、このベースの上にはベース表面3
32が成形されている。ベース表面332は通常の形状
を有することができる。この通常の形状は光線をコリメ
ートする機能が得られるように決定される。反射性ファ
セット334はベース表面332の上に成形されてい
る。ファセット334の位置と傾斜は、所望の照明が所
望の照明野に得られるように決定される。
【0033】図5Dは、第2の非結像光学要素の別の実
施例の側面図である。この実施例では、第2の非結像光
学要素418はベース431を有し、このベース表面4
32は奇数非球面の形状を有する。奇数非球面とは、サ
グを頂点面上、ポイント(x,y,z(r))の中心で
半径方向間隔の関数として表すことのできる表面であ
る。ここでr=(x2+y21/2である。アクシコンは
奇数非球面の特別な場合である。奇数非球面が非結像で
あるのは、これがポイントごとにいずれの共役でも結像
しないからである。この理由のために、第1の非結像光
学要素またはコレクタもまた奇数非球面であってもよ
い。ベース表面432にはファセット434が配置され
る。ファセットは、所望の照明が所望のエリアまたはフ
ィールドに得られるように配置される。
【0034】図5Eは、矩形照明野360を示す。照明
野または照明エリア360は所望の放射照度分布と所望
の角度分布または照射強度を有している。放射照度分布
は共通に、平方メータ当たりのワットで表される。レチ
クルまたは照明野から見た、各フィールドポイントの瞳
への照射強度は瞳における放射照度分布と同じである必
要がないことを認識すべきである。照明野360は均等
な放射照度分布352を伴って示されている。いくつか
の照明コーン357が示されているが、照明コーン35
7と均等な放射照度分布352と全体の照明野360と
交差することを理解すべきである。相応して所望の放射
照度分布は、照明野の所望の形状における所望の瞳充填
または照射強度により得られる。
【0035】図6は、非結像光学要素の表面を定めるの
に使用されるパラメータを示す。ポイント512は光
源、ライン514は反射器表面、ライン519は照明面
を表す。非結像光学要素は種々の等式により定められ
る。これら種々の等式は、点光源の任意の出力放射照度
分布に対する角度分布に関連する。非結像とは、光学要
素が有限数の焦点を有していないことを意味する。種々
の等式のシステムにより表面が定められる。非結像光学
要素、例えば図1の要素14,18,または214,1
28,318,図4A、5A,5C,5Dの418の表
面を定めるのに適した解答は次の微分式によって得られ
る。
【0036】
【数2】
【0037】ここでE(x)は放射照度、ρはレフレク
タンス、I(φ)は強度、rは、光源と非結像光学要素
反射性表面との間の半径方向間隔、φは、半径方向間隔
rと照明面から光源を通って伸びる垂線との角度、θ
は、照明面からの垂線と非結像光学要素反射性表面から
反射された光線との角度、xは、照明面と、光源を通っ
て伸びる垂線と、非結像光学要素反射性表面から反射さ
れた光線との交点からの照明面に沿った距離であり、 α=(φ−θ)/2 である。
【0038】付加的に図6を参照すると、x=r sin
(φ) + tan(θ)[r cos(φ)+D] 相応にして、多数の所望の回転対称放射照度分布が上記
の微分式により定められた反射性表面の製造によって達
成される。所望の放射照度分布を形成するために定めら
れた反射性表面は第1の非結像光学要素を形成する。
【0039】相応にして、光源の像は形成されない。非
結像とは、光源の像が非結像光学要素により形成されな
いことを意味する。従って、上記微分式を解くことによ
って、反射器またはコレクタを補間関数により表すこと
ができる。ただし、いずれかの放射照度分布に、φと共
に増大するx(φ)と同じ長さで適合できる点光源が前
提である。上記の等式から理解できるように、EUVコ
ーティングのレフレクタンスは、所望の放射照度分布を
形成するのに使用することができる。図1および図3の
第2の非結像光学要素と、図5A,5C、5Dの要素2
18,318,418は、入射照射の向きを変え、結像
が他の従来の光学要素により行われるときに照射が照明
エリアまたはフィールドを満たすようにするため使用す
る。
【0040】図7A、Bは、フォトリソグラフィで使用
するのに所望の種々の放射照度分布を示す。これは形成
しようと意図するパターンの主たる特性に依存する。図
7Aは、4重放射照度分布254を示す。4重放射照度
分布はダークフィールド254と4つの照明野256を
有する。図7Bは均等な放射照度分布352を示す。
【0041】相応して本発明は、第1の非結像光学要素
を、所望の放射照度分布を第2の非結像光学要素と組み
合わせて提供するのに使用することにより、すなわち準
球波面または平面波面またはコリメートされた電磁波を
提供するのに使用することにより、従来の光学表面を照
明装置の残りの部分で使用することができる。このこと
により所望の角度分布を有する放射照度が得られる。さ
らに、有利には第2の非結像光学要素の瞳またはストッ
プ部に配置されたファセットを使用することにより、均
等照明を所望の照明野に得ることができる。ファセット
は透過性とすることができるが、有利には反射性であ
り、第2の非結像光学要素の表面に配置される。反射性
または透過性要素はEUV電磁波を過度に減衰または吸
収することがある。本発明により、瞳のマスキングまた
は第1および第2の非結像光学要素の変化により開口数
を変化することができる。このことにより所望のシグマ
またはコヒーレンス、開口数の比がシステムに対して得
られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の照明装置を示す。
【図2】図1の光学要素18を示す図である。
【図3】図1に示された照明装置を投影光学系と関連し
て示す図である。
【図4】図4Aは所望の放射照度分布を形成するために
使用される非結像光学要素の実施例を示し、図4Bは図
4Aに示された非結像光学要素により形成された所望の
放射照度分布を示す図である。
【図5】図5Aはアクシコンの形状の非結像光学要素を
示し、これは電磁波をコリメートされた準球波面または
平面波面、および所望の形状を有する照明野または照明
エリアに向きを変えるために使用され、図5Bは図5A
に示された非結像光学要素により形成された所望のアー
チ状照明野またはエリアを有する所望の放射照度分布お
よび角度分布を示す平面図であり、図5Cは電磁波をコ
リメートされた準球波面または平面波面、および所望の
形状を有する照明野またはエリアに向きを変えるために
使用される形状を有する非結像光学要素の実施例を示
し、図5Dはベース表面に奇数非球面形状とフレネルフ
ァセットを有する非結像光学要素の縦断面図を示し、図
5Eは非結像光学要素により形成された所望の矩形照明
野またはエリアを有する所望の放射照度および角度分布
を示す斜視図である。
【図6】非結像光学要素の反射性表面の計算に使用され
るパラメータを示す図である。
【図7】図7Aはフォトリソグラフィで使用される所望
の放射照度および角度分布(4重)を示す平面図であ
り、図7Bはフォトリソグラフィで使用される所望の放
射照度および角度分布(均等)を示す平面図である。
【符号の説明】
10 照明装置 12 光源 14、18 非結像光学要素 22 従来の光学要素

Claims (29)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 第1の非結像光学要素と、第2の非結像
    光学要素と、ファセットされた光学要素とを有する極紫
    外線コンデンサであって、 前記第1の非結像光学要素は電磁波を反射し、 前記第2の非結像光学要素は、前記第1の非結像光学要
    素から反射された電磁波を受光するように配置されてお
    り、 前記ファセットされた光学要素はコンデンサのステップ
    部近傍に配置されており、 これにより光源からの電磁波は、所定の放射照度および
    角度分布を有する所望の照明エリアに凝縮される、こと
    を特徴とする極紫外線コンデンサ。
  2. 【請求項2】 前記ファセットされた光学要素は前記第
    2の非結像光学要素に成形されている、請求項1記載の
    極紫外線コンデンサ。
  3. 【請求項3】 前記第1の非結像光学要素は変化された
    レフレクタンスを有する、請求項1記載の極紫外線コン
    デンサ。
  4. 【請求項4】 少なくとも2つの反射性光学要素が、前
    記ファセットされた光学要素からの電磁波を受光するた
    めに配置されている、請求項1記載の極紫外線コンデン
    サ。
  5. 【請求項5】 前記少なくとも2つの反射性光学要素
    は、所望の照明エリアを反射性レチクルに結像する、請
    求項4記載の極紫外線コンデンサ。
  6. 【請求項6】 前記少なくとも2つの反射性光学要素は
    アナモルフィックな非球面を有する、請求項4記載の極
    紫外線コンデンサ。
  7. 【請求項7】 極紫外線波長領域に使用するためのコン
    デンサにおいて、 所定の反射性表面を有するコレクタと、シェーパーと、
    該シェーパーに形成された複数のファセットと、対物レ
    ンズ光学系とを有し、 前記シェーパーは、前記コレクタから反射された電磁波
    を受光し、電磁波を所望の形状のコリメートされた照明
    野に整形し、 前記複数のファセットは所望の放射照度を照明野内に供
    給し、 前記対物レンズ光学系は照明野の像をレチクルに形成す
    る、ことを特徴とする極紫外線波長領域に使用するため
    のコンデンサ。
  8. 【請求項8】 前記シェーパーは非結像光学要素であ
    る、請求項7記載の極紫外線波長領域に使用するための
    コンデンサ。
  9. 【請求項9】 前記シェーパーは奇数非球面形状の表面
    を有する、請求項7記載の極紫外線波長領域に使用する
    ためのコンデンサ。
  10. 【請求項10】 前記シェーパーはフレネルアクシコン
    であり、請求項7記載の極紫外線波長領域に使用するた
    めのコンデンサ。
  11. 【請求項11】 前記複数のファセットの各々は反射性
    である、請求項7記載の極紫外線波長領域に使用するた
    めのコンデンサ。
  12. 【請求項12】 前記複数のファセットの各々は少なく
    とも4μmのオーダーの表面を有する、請求項11記載
    の極紫外線波長領域に使用するためのコンデンサ。
  13. 【請求項13】 前記対物レンズ光学系はアナモルフィ
    ックな非球面を有している、請求項7記載の極紫外線波
    長領域に使用するためのコンデンサ。
  14. 【請求項14】 前記コレクタは、変化されたレフレク
    タンスを有する、請求項7記載の極紫外線波長領域に使
    用するためのコンデンサ。
  15. 【請求項15】 極紫外線照明装置で使用するためのコ
    ンデンサにおいて、 光源からの電磁波を集光し、所望の放射照度分布を形成
    する非結像手段と、 前記非結像手段からの電磁波を受光するように配置され
    ており、該電磁波をコリメートし、所望の形状を有する
    照明野を形成するシェーパー手段と、 前記シェーパー手段と関連して、均等照明を所望の照明
    野に形成するためのファセット手段とを有する、ことを
    特徴とする、極紫外線照明装置で使用するためのコンデ
    ンサ。
  16. 【請求項16】 前記ファセット手段からの電磁波を受
    光するように配置されており、所望の照明野をレチクル
    に結像するための対物レンズ手段をさらに有する、請求
    項15記載の、極紫外線照明装置で使用するためのコン
    デンサ。
  17. 【請求項17】 前記シャーパー手段は奇数非球面形状
    の表面を有する、請求項15記載の、極紫外線照明装置
    で使用するためのコンデンサ。
  18. 【請求項18】 前記シェーパー手段はアクシコンを有
    する、請求項15記載の、極紫外線照明装置で使用する
    ためのコンデンサ。
  19. 【請求項19】 前記アクシコンはフレネルアクシコン
    を有する、請求項18記載の、極紫外線照明装置で使用
    するためのコンデンサ。
  20. 【請求項20】 前記ファセット手段は、前記シェーパ
    ー手段に成形された複数の反射性ファセットを有する、
    請求項15記載の、極紫外線照明装置で使用するための
    コンデンサ。
  21. 【請求項21】 極紫外線波長領域で使用するためのコ
    ンデンサにおいて、 所定の放射照度分布を提供する所定の反射性表面を有す
    るコレクタと、シェーパーと、該シェーパーに成形され
    た複数のファセットと、対物レンズ光学系とを有し、 前記コレクタは次の微分式により定められる所定の反射
    性表面を有し、 【数1】 ここで、E(x)は放射照度、ρはレフレクタンス、I
    (φ)は強度、rは、光源と非結像光学要素反射性表面
    との間の半径方向間隔、φは、半径方向間隔rと照明面
    から光源を通って伸びる垂線との角度、θは、照明面か
    らの垂線と非結像光学要素反射性表面から反射された光
    線との角度、xは、照明面と、光源を通って伸びる垂線
    と、非結像光学要素反射性表面から反射された光線との
    交点からの照明面に沿った距離であり、 α=(φ−θ)/2 であり、 前記シェーパーは、前記コレクタから反射された電磁波
    を受光し、該電磁波を所望の形状を有する照明野に整形
    し、コリメートし、 前記複数のファセットは所望の放射照度を照明野内に提
    供し、 前記対物レンズ光学系は所望の照明野の像をレチクルに
    形成する、ことを特徴とする、極紫外線波長領域で使用
    するためのコンデンサ。
  22. 【請求項22】 前記シェーパーは円錐形表面を有する
    アクシコンであり、 前記複数のファセットは円錐形表面に成形されている、
    請求項21記載の、極紫外線波長領域で使用するための
    コンデンサ。
  23. 【請求項23】 前記複数のファセットの各々は、少な
    くとも4μmオーダーの表面を有する、請求項22記載
    の、極紫外線波長領域で使用するためのコンデンサ。
  24. 【請求項24】 前記対物レンズ光学系は、反射性で実
    質的に平坦な光学要素と、反射性の回転楕円光学要素と
    を有する、請求項21記載の、極紫外線波長領域で使用
    するためのコンデンサ。
  25. 【請求項25】 前記対物レンズ光学系は、アナモルフ
    ィックな非球面を有する、請求項21記載の、極紫外線
    波長領域で使用するためのコンデンサ。
  26. 【請求項26】 極紫外線波長領域の電磁波を使用する
    フォトリソグラフィで使用するための照明装置におい
    て、 電磁波源と、該電磁波源からの電磁波を受光するように
    配置された非結像コレクタと、前記非結像コレクタから
    反射された電磁波を受光するように配置されたシェーパ
    ーと、該シェーパーから電磁波を受光するように配置さ
    れた対物レンズ光学系とを有し、 前記電磁波の波長は200nmより短く、 前記非結像コレクタは、電磁波を反射し、所定の放射照
    度分布を形成するよう成形された反射性表面を有し、 前記シェーパーは、電磁波をコリメートし、所定の形状
    を有する照明野を形成し、 前記対物レンズ光学系は、照明野を結像し、所望の角度
    分布を備えた所望の放射照度を形成し、 これによりレチクルの像が光感知性基板に投影される、
    ことを特徴とする、極紫外線波長領域の電磁波を使用す
    るフォトリソグラフィで使用するための照明装置。
  27. 【請求項27】 前記シェーパーは、円錐形表面を有す
    るアクシコンと、該円錐形表面に成形された複数の反射
    性ファセットとを有する、請求項26記載の、極紫外線
    波長領域の電磁波を使用するフォトリソグラフィで使用
    するための照明装置。
  28. 【請求項28】 電磁波の所望の放射照度分布を反射性
    非結像光学要素により形成し、 該反射性非結像光学要素から反射された電磁波を集光
    し、 前記反射性非結像光学要素から反射され集光された電磁
    波を、コリメータされた電磁波を形成するように向きを
    変え、 結像時に、所望の角度分布を有する均等照明が所望の形
    状を有する照明野に形成されるよう前記電磁波を整形す
    る、ことを特徴とする、レチクルの照明方法。
  29. 【請求項29】 照明野を反射性レチクルに結像する、
    請求項28記載のレチクルの照明方法。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011524011A (ja) * 2008-06-12 2011-08-25 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 多層コーティング、光学素子および光学装置を形成する方法
JP2012504321A (ja) * 2008-09-30 2012-02-16 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー Euvマイクロリソグラフィ用の投影露光装置の照明光学系に使用するための視野ファセットミラー
JP2016517027A (ja) * 2013-03-14 2016-06-09 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー エタンデュを増大させるための光学組立体
US10580546B2 (en) 2015-03-02 2020-03-03 Asml Netherlands B.V. Radiation system

Families Citing this family (262)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4238390B2 (ja) * 1998-02-27 2009-03-18 株式会社ニコン 照明装置、該照明装置を備えた露光装置および該露光装置を用いて半導体デバイスを製造する方法
US6833904B1 (en) 1998-02-27 2004-12-21 Nikon Corporation Exposure apparatus and method of fabricating a micro-device using the exposure apparatus
US7329886B2 (en) * 1998-05-05 2008-02-12 Carl Zeiss Smt Ag EUV illumination system having a plurality of light sources for illuminating an optical element
US7142285B2 (en) * 1998-05-05 2006-11-28 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system particularly for microlithography
US20050002090A1 (en) * 1998-05-05 2005-01-06 Carl Zeiss Smt Ag EUV illumination system having a folding geometry
US20070030948A1 (en) * 1998-05-05 2007-02-08 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system with field mirrors for producing uniform scanning energy
US7006595B2 (en) * 1998-05-05 2006-02-28 Carl Zeiss Semiconductor Manufacturing Technologies Ag Illumination system particularly for microlithography
DE10053587A1 (de) * 2000-10-27 2002-05-02 Zeiss Carl Beleuchtungssystem mit variabler Einstellung der Ausleuchtung
US6737662B2 (en) * 2001-06-01 2004-05-18 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, device manufactured thereby, control system, computer program, and computer program product
US6859263B2 (en) * 2001-08-30 2005-02-22 Euv Llc Apparatus for generating partially coherent radiation
US7170587B2 (en) * 2002-03-18 2007-01-30 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7333178B2 (en) * 2002-03-18 2008-02-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN1273871C (zh) * 2002-03-18 2006-09-06 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件的制作方法
US6801298B2 (en) * 2002-07-25 2004-10-05 Intel Corporation Light condenser
DE10317667A1 (de) * 2003-04-17 2004-11-18 Carl Zeiss Smt Ag Optisches Element für ein Beleuchtungssystem
JP5026788B2 (ja) * 2003-07-30 2012-09-19 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィの照明システム
WO2005076935A2 (en) * 2004-02-05 2005-08-25 Northern Illinois University Wavelength filtering in nanolithography
WO2006021419A2 (en) * 2004-08-23 2006-03-02 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system of a microlithographic exposure apparatus
US7508488B2 (en) * 2004-10-13 2009-03-24 Carl Zeiss Smt Ag Projection exposure system and method of manufacturing a miniaturized device
US7405871B2 (en) 2005-02-08 2008-07-29 Intel Corporation Efficient EUV collector designs
US7369320B2 (en) * 2005-12-30 2008-05-06 3M Innovative Properties Company Projection system with beam homogenizer
CN101496170B (zh) * 2006-07-31 2011-06-29 3M创新有限公司 集成光源模块
WO2008016908A2 (en) * 2006-07-31 2008-02-07 3M Innovative Properties Company Led source with hollow collection lens
EP2047678A2 (en) * 2006-07-31 2009-04-15 3M Innovative Properties Company Combination camera/projector system
US8075140B2 (en) * 2006-07-31 2011-12-13 3M Innovative Properties Company LED illumination system with polarization recycling
US20080036972A1 (en) * 2006-07-31 2008-02-14 3M Innovative Properties Company Led mosaic
KR20090034369A (ko) 2006-07-31 2009-04-07 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 광학 투사 서브시스템
DE102006056035A1 (de) 2006-11-28 2008-05-29 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektions-Mikrolithographie, Beleuchtungssystem mit einer derartigen Beleuchtungsoptik, Projektionsbelichtungsanlage mit einem derartigen Beleuchtungssystem, Verfahren zur Herstellung eines mikrostrukturierten Bauteils sowie durch das Verfahren hergestelltes mikrostrukturiertes Bauteil
US20090040493A1 (en) * 2007-08-09 2009-02-12 Hideki Komatsuda Illumination optical system, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
EP3252801A1 (en) * 2007-08-10 2017-12-06 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
DE102009030501A1 (de) 2009-06-24 2011-01-05 Carl Zeiss Smt Ag Abbildende Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld sowie Beleuchtungsoptik zur Ausleuchtung eines Objektfeldes
US8274734B2 (en) * 2010-10-08 2012-09-25 Raytheon Company Anamorphic relayed imager having multiple rotationally symmetric powered mirrors
DE102010040811A1 (de) 2010-09-15 2012-03-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik
DE102011078928A1 (de) * 2011-07-11 2013-01-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Projektionslithografie
EP2823360B1 (de) 2012-03-09 2022-06-22 Carl Zeiss SMT GmbH Beleuchtungsoptik für die euv-projektionslithografie sowie optisches system mit einer derartigen beleuchtungsoptik
DE102012010093A1 (de) * 2012-05-23 2013-11-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Facettenspiegel
US9599697B2 (en) 2014-04-15 2017-03-21 The Johns Hopkins University Non-contact fiber optic localization and tracking system
DE102016225563A1 (de) 2016-12-20 2018-06-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Hohlwellenleiter zur Führung von EUV-Licht mit einer Nutzwellenlänge
DE102019212017A1 (de) 2019-08-09 2021-02-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Beleuchtungssystem zur Führung von EUV-Strahlung
DE102020208665A1 (de) 2020-07-10 2022-01-13 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Beleuchtungssystem zur Führung von EUV-Strahlung
DE102020210771A1 (de) 2020-08-26 2021-08-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Facettenspiegel für eine projektionsbelichtungsanlage und projektionsbelichtungsanlage mit entsprechendem facettenspiegel sowie verfahren zum betrieb derselben
DE102020210829A1 (de) 2020-08-27 2022-03-03 Carl Zeiss Smt Gmbh Pupillenfacettenspiegel für eine Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage
DE102020211096A1 (de) 2020-09-02 2022-03-03 Carl Zeiss Smt Gmbh Feldfacette für einen Feldfacettenspiegel einer Projektionsbelichtungsanlage
DE102020212229B3 (de) 2020-09-29 2022-01-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Blenden-Vorrichtung zur Begrenzung eines Strahlengangs zwischen einer Lichtquelle und einer Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage für die Projektionslithographie
DE102020212351A1 (de) 2020-09-30 2022-03-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Mikrospiegel-Array für eine beleuchtungsoptische Komponente einer Projektionsbelichtungsanlage
DE102020212367A1 (de) 2020-09-30 2022-03-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Komponente
DE102020212569A1 (de) 2020-10-06 2021-12-09 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie
DE102020212927A1 (de) 2020-10-14 2022-04-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Abstützung eines optischen elements
DE102020213416A1 (de) 2020-10-23 2021-10-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage mit einer Heizvorrichtung und einem Polarisator
DE102020213837A1 (de) 2020-11-04 2021-08-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Facettenspiegel-Vorrichtung
DE102020215906A1 (de) 2020-12-15 2022-06-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Dämpfungseinrichtung, optische Baugruppe und Projektionsbelichtungsanlage
DE102021212993A1 (de) 2021-01-08 2022-07-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Messung einer Absorption einer elektromagnetischen Strahlung durch ein optisches Element, Vorrichtung zur Messung einer Umformungseigenschaft eines optischen Elements und Lithografiesystem
DE102021200114A1 (de) 2021-01-08 2021-12-30 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegelprojektionsoptik, Verfahren zur Überprüfung eines optischen Elements, optisches Element und Lithografiesystem
DE102021200113A1 (de) 2021-01-08 2022-07-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Vorrichtung, Verfahren zur Steuerung einer optischen Vorrichtung, Computerprogrammprodukt und Lithografiesystem
DE102021101523B3 (de) 2021-01-25 2021-10-14 Carl Zeiss IQS Deutschland GmbH Vorrichtung zur Herstellung einer klebenden Verbindung zwischen Bauteilen eines Lithografiesytems, Verfahren zur Herstellung einer klebenden Verbindung zwischen Bauteilen eines Lithografiesystems und Lithografiesystem
DE102021213096A1 (de) 2021-01-28 2022-07-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum herstellen eines mechanischen systems für eine lithographieanlage
DE102021201001A1 (de) 2021-02-03 2022-08-04 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optischen Elements, Vorrichtung zur Herstellung eines optischen Elements, optisches Element und Lithografiesystem
DE102021201203A1 (de) 2021-02-09 2022-08-11 Carl Zeiss Smt Gmbh System und projektionsbelichtungsanlage
DE102021201257A1 (de) 2021-02-10 2021-12-30 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Bestimmung eines Spektrums einer Strahlung, Computerprogrammprodukt und Lithografiesystem
DE102021201396A1 (de) 2021-02-15 2022-08-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Herstellung eines mehrteiligen Spiegels einer Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie
DE102021201689A1 (de) 2021-02-23 2022-08-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Baugruppe, Verfahren zur Deformation eines optischen Elements und Projektionsbelichtungsanlage
DE102021202502B4 (de) 2021-03-15 2023-01-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Verändern einer Form einer Oberfläche eines Objekts
DE102021202770A1 (de) 2021-03-22 2022-03-03 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Erzeugung eines Plasmas und Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie
DE102021202769A1 (de) 2021-03-22 2022-09-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Baugruppe sowie Verfahren zu deren Herstellung, Verfahren zur Deformation eines optischen Elements und Projektionsbelichtungsanlage
DE102021202802B3 (de) 2021-03-23 2022-03-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage mit einer Vorrichtung zur Bestimmung der Konzentration von atomarem Wasserstoff
DE102021202849A1 (de) 2021-03-24 2022-01-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie
DE102021202911A1 (de) 2021-03-25 2022-09-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Messvorrichtung zum interferometrischen Vermessen einer Oberflächenform
DE102021202909A1 (de) 2021-03-25 2022-09-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Messvorrichtung zum interferometrischen Vermessen einer Oberflächenform
DE102021203475A1 (de) 2021-04-08 2022-10-13 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Spiegels einer Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie
DE102021203723A1 (de) 2021-04-15 2022-04-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Verbindungsanordnung, projektionsbelichtungsanlage und verfahren
DE102021203721A1 (de) 2021-04-15 2022-10-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Aktuator-sensor-vorrichtung und lithographieanlage
DE102022108541A1 (de) 2021-04-23 2022-10-27 Carl Zeiss Jena Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Beprobungselementes und Beprobungselement
DE102022200726A1 (de) 2021-04-23 2022-10-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Bestimmung einer Reflexionseigenschaft eines zu untersuchenden optischen Elements, Vorrichtung zur Bestimmung einer Reflexionseigenschaft eines zu untersuchenden optischen Elements, Computerprogrammprodukt und Lithografiesystem
DE102021204265A1 (de) 2021-04-29 2022-11-03 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zu Reinigung einer Oberfläche eines Elementes und Reinigungsvorrichtung
DE102021204582B3 (de) 2021-05-06 2022-07-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system und projektionsbelichtungsanlage
DE102021205104A1 (de) 2021-05-19 2022-03-03 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage mit deformierbarem Element und Verfahren zur Herstellung eines Elements
DE102021205149B3 (de) 2021-05-20 2022-07-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Qualifizierung eines Facettenspiegels
DE102021205278B4 (de) 2021-05-21 2023-05-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Einstellbarer Abstandshalter, Optisches System, Projektionsbelichtungsanlage und Verfahren
DE102021205368A1 (de) 2021-05-27 2022-12-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Komponente für eine Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithografie und Verfahren zur Auslegung der Komponente
DE102021205426A1 (de) 2021-05-27 2022-12-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Optikvorrichtung, Verfahren zur Einstellung einer Soll-Deformation und Lithografiesystem
DE102021205425A1 (de) 2021-05-27 2022-12-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Optikvorrichtung, Verfahren zur Einstellung einer Soll-Deformation und Lithografiesystem
DE102021205809B3 (de) 2021-06-09 2022-08-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Verschraubung eines Aktuator-Sensor-Moduls einer Projektionsbelichtungsanlage
DE102022203929A1 (de) 2021-06-16 2022-12-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung zur Positionierung einer ersten Komponente eines optischen Systems, Komponente eines optischen Systems, optische Einrichtung und Lithografiesystem
DE102021206427A1 (de) 2021-06-22 2022-12-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithografie
DE102022115356A1 (de) 2021-06-24 2022-12-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung zur Temperierung eines Bauteils
DE102022204833A1 (de) 2021-07-02 2023-01-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system, lithographieanlage und verfahren zum herstellen eines optischen systems
DE102021206953A1 (de) 2021-07-02 2022-06-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system, lithographieanlage und verfahren zum betreiben eines optischen systems
DE102021207522A1 (de) 2021-07-15 2023-01-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Beschichtung einer Komponente für eine Projektionsbelichtungsanlage und Komponente einer Projektionsbelichtungsanlage
DE102021208562A1 (de) 2021-08-06 2023-02-09 Carl Zeiss Smt Gmbh Temperaturmessvorrichtung, lithographieanlage und verfahren zum messen einer temperatur
DE102021208563A1 (de) 2021-08-06 2022-09-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung und verfahren zum bestimmen einer temperatur in einer lithographieanlage
DE102021208628A1 (de) 2021-08-09 2023-02-09 Carl Zeiss Smt Gmbh Abstützung eines optischen elements
DE102021120747A1 (de) 2021-08-10 2023-02-16 Carl Zeiss Sms Ltd. Verfahren zur Entfernung eines Partikels von einem Maskensystem
DE102021208664A1 (de) 2021-08-10 2023-02-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegel für eine Projektionsbelichtungsanlage der Mikrolithographie
DE102021208801B3 (de) 2021-08-11 2022-08-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage und Verfahren zur Auslegung einer Klebstoffschicht
DE102021208843A1 (de) 2021-08-12 2023-02-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie mit einem Verbindungselement
DE102021208879A1 (de) 2021-08-13 2023-02-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches element, projektionsoptik und projektionsbelichtungsanlage
DE102021209098A1 (de) 2021-08-19 2022-05-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Schutzschlauch und projektionsbelichtungsanlage
DE102021209099A1 (de) 2021-08-19 2023-02-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system und projektionsbelichtungsanlage
DE102022121000B4 (de) 2021-08-23 2024-03-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegelanordnung für eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage mit einer Schutzvorrichtung zum Schutz der optischen Wirkfläche und EUV-Projektionsbelichtungsanlage
DE102022204387A1 (de) 2021-08-24 2023-03-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Reinigung einer zu reinigenden Oberfläche, Element für die Lithografie und/oder Halbleiterindustrie und Lithografiesystem
DE102021210103B3 (de) 2021-09-14 2023-03-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren, optisches system und projektionsbelichtungsanlage
DE102021210104A1 (de) 2021-09-14 2022-07-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system, projektionsbelichtungsanlage und verfahren
DE102021210470B3 (de) 2021-09-21 2023-01-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithografie
DE102021210577A1 (de) 2021-09-23 2023-03-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system, projektionsbelichtungsanlage und verfahren
DE102021210708A1 (de) 2021-09-24 2022-11-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Dosiervorrichtung und verfahren zum herstellen einer lithographieanlage
DE102022205758A1 (de) 2021-10-07 2023-04-13 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system und verfahren
DE102021211619A1 (de) 2021-10-14 2023-04-20 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV- Mehrfachspiegelanordnung
DE102021211626A1 (de) 2021-10-14 2023-04-20 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Mehrfachspiegelanordnung
DE102021212394A1 (de) 2021-11-03 2023-05-04 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system, lithographieanlage und verfahren
DE102021212553A1 (de) 2021-11-08 2023-05-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system, lithographieanlage und verfahren
DE102022210796A1 (de) 2021-11-11 2023-05-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Initialisierung einer Komponente einer Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithografie
DE102021212971A1 (de) 2021-11-18 2023-05-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system, projektionsbelichtungsanlage und verfahren
DE102021213168A1 (de) 2021-11-23 2023-05-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren
DE102021213441A1 (de) 2021-11-29 2022-09-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum herstellen eines optischen systems
DE102021213458A1 (de) 2021-11-30 2022-08-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithografie
DE102021213610A1 (de) 2021-12-01 2023-06-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren, optisches system, testgerät und anordnung
DE102021213612A1 (de) 2021-12-01 2023-06-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system, testgerät, lithographieanlage, anordnung und verfahren
DE102021213864A1 (de) 2021-12-07 2022-07-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Schutz einer Klebstoffverbindung
DE102021214139A1 (de) 2021-12-10 2023-06-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage mit einem Korrekturermittlungsmodul
DE102021214665A1 (de) 2021-12-20 2022-12-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithografie mit einer Temperierstruktur
DE102021214981A1 (de) 2021-12-23 2023-06-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und trockenvorrichtung
DE102022200205B3 (de) 2022-01-11 2022-11-24 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Projektionsbelichtungsanlage und Verfahren zur Entfernung von Fremdkörpern
DE102022200264A1 (de) 2022-01-12 2022-12-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung zur Verkippung eines Spiegels, optisches Bauelement, optische Baugruppe, Verfahren zur Verkippung eines Spiegels, Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung zur Verkippung eines Spiegels und EUV-Projektionsbelichtungsanlage
DE102022200277A1 (de) 2022-01-13 2023-01-26 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren, Vorrichtung, Präparationsverfahren und Präparationsvorrichtung zur Herstellung eines Grundkörpers, Grundkörper, optisches Element und Lithografiesystem
DE102022213100A1 (de) 2022-01-13 2023-07-13 Carl Zeiss Smt Gmbh Aktuator-/sensor-vorrichtung, optikmodul und lithographieanlage
DE102022200400A1 (de) 2022-01-14 2022-06-30 Carl Zeiss Smt Gmbh Verbindung von komponenten einer optischen einrichtung
DE102022213113A1 (de) 2022-01-18 2023-07-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Überwachung einer Justageeinstellung, interferometrische Messvorrichtung, Hologrammvorrichtung und Lithografiesystem
DE102022212378A1 (de) 2022-01-24 2023-07-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung zur Aufnahme und Kühlung eines Optikkörpers, Verfahren zur Herstellung eines Optikkörpers, Kühlverfahren zur Kühlung eines Optikkörpers, optisches Element und Lithografiesystem
DE102022211909A1 (de) 2022-01-25 2023-07-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system, lithographieanlage und verfahren zum betreiben eines optischen systems
DE102022201007A1 (de) 2022-01-31 2022-11-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung zur Verbindung wenigstens einer ersten und einer zweiten Modulkomponente, Modul eines Lithografiesystems, optisches Element und Lithografiesystem
DE102022200976A1 (de) 2022-01-31 2023-01-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Kalibrierkörper und Verfahren zur Kalibrierung
DE102023200212A1 (de) 2022-02-01 2023-08-03 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage und Verfahren zur Manipulation von Schwingungen
DE102023200336A1 (de) 2022-02-08 2023-08-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithografie mit einem Verbindungselement
DE102022201301A1 (de) 2022-02-08 2023-08-10 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Projektionsbelichtungsanlage mit einer Heizvorrichtung
DE102022201304A1 (de) 2022-02-08 2023-01-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Bestimmung des Endes einer Aufwärmphase eines optischen Elementes
DE102022212721A1 (de) 2022-02-16 2023-08-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren
DE102023201200A1 (de) 2022-03-01 2023-09-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithografie
DE102022202116A1 (de) 2022-03-02 2023-02-23 Carl Zeiss Smt Gmbh System und projektionsbelichtungsanlage
DE102022202241A1 (de) 2022-03-04 2023-03-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system und projektionsbelichtungsanlage
DE102022202355A1 (de) 2022-03-09 2023-02-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Mikrospiegelbaugruppe, Herstellungsverfahren zur Herstellung einer Mikrospiegelbaugruppe und Verfahren zum Verkippen einer Spiegelfläche
DE102023201812A1 (de) 2022-03-09 2023-09-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Lösen einer Klebstoffverbindung
DE102022202424A1 (de) 2022-03-10 2023-03-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Prüfsystem zur Analyse von Dichtungssystemen
DE102023201828A1 (de) 2022-03-14 2023-09-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Steckeraufnahme, Heizvorrichtung und Projektionsbelichtungsanlage
DE102023201560A1 (de) 2022-03-21 2023-09-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Bauteil und projektionsbelichtungsanlage
DE102022202938A1 (de) 2022-03-24 2023-09-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Anordnung und projektionsbelichtungsanlage
DE102022202989A1 (de) 2022-03-25 2023-09-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Optikvorrichtung, Verfahren zur Messung einer Ist-Verkippung einer optischen Oberfläche eines optischen Elements und Lithografiesystem
DE102022203150A1 (de) 2022-03-31 2023-01-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Optikvorrichtung, Verfahren zur Erfassung einer Temperaturverteilung und Lithografiesystem
DE102022203257A1 (de) 2022-04-01 2023-10-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Ansteuervorrichtung, optisches system, lithographieanlage und verfahren
DE102022203255A1 (de) 2022-04-01 2023-10-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Ansteuervorrichtung, optisches system und lithographieanlage
DE102022203298A1 (de) 2022-04-01 2023-10-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur chemischen Bearbeitung einer Oberfläche
DE102022203299A1 (de) 2022-04-01 2023-10-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Überprüfung der Qualität einer Verschraubung
DE102022203254B3 (de) 2022-04-01 2023-03-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Wasserführendes system, projektionsbelichtungsanlage und messvorrichtung
DE102022203369A1 (de) 2022-04-05 2023-10-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Anordnung, Verfahren und Computerprogrammprodukt zur Kalibrierung von Facettenspiegeln
DE102022203438B4 (de) 2022-04-06 2023-12-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Anordnung, optisches Modul, optische Abbildungseinrichtung und -verfahren, Verfahren zum Abstützen eines optischen Elements, mit aktiv verkippbarem optischem Element
WO2023194220A1 (en) 2022-04-06 2023-10-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Device and method for aligning two components
DE102022203393A1 (de) 2022-04-06 2023-10-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Ausrichtung von zwei Komponenten
DE102022203433A1 (de) 2022-04-06 2023-10-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Verbindung von komponenten einer optischen einrichtung
DE102022208738A1 (de) 2022-08-24 2024-02-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Ausrichtung von zwei Komponenten
DE102022203745A1 (de) 2022-04-13 2022-09-15 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Kollektor für eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage
DE102022203758A1 (de) 2022-04-13 2023-10-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Verbindung von komponenten einer optischen einrichtung
DE102022203881A1 (de) 2022-04-20 2023-04-13 Carl Zeiss Smt Gmbh Leiterplatte für ein optisches system, optisches system, lithographieanlage und verfahren zum herstellen einer leiterplatte für ein optisches system
DE102022203999A1 (de) 2022-04-26 2022-07-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Kalibrierung einer diffraktiven Messstruktur, Vorrichtung zur Kalibrierung einer diffraktiven Messstruktur und Lithografiesystem
DE102022204095A1 (de) 2022-04-27 2023-11-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Vermessen einer Beleuchtungswinkelverteilung auf einem Objektfeld sowie Beleuchtungsoptik mit einer hierüber vorgegebenen Beleuchtungskanal-Zuordnung
DE102022204098A1 (de) 2022-04-27 2023-11-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Projektionslithografie
DE102022204044A1 (de) 2022-04-27 2023-11-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Abstützung von komponenten einer optischen einrichtung
DE102022204268A1 (de) 2022-04-29 2023-11-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Bauteil für eine Lithographieanlage
DE102022204580A1 (de) 2022-05-11 2023-04-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum herstellen oder betreiben eines spiegels in einer lithographieanlage
DE102022204643A1 (de) 2022-05-12 2023-11-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system, lithographieanlage mit einem optischen system und verfahren zum herstellen eines optischen systems
DE102022205227A1 (de) 2022-05-25 2023-04-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Optikvorrichtung, Verfahren zur Ermittlung einer Ist-Deformation, Verfahren zur Einstellung einer Solldeformation und Lithografiesystem
DE102023203580A1 (de) 2022-05-31 2023-11-30 Carl Zeiss Smt Gmbh Kühlmittelleitung zur Bereitstellung eines Fluids zur Temperierung von Bauteilen
DE102022214283A1 (de) 2022-06-07 2023-12-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System für eine Lithographieanlage und Lithographieanlage
DE102022205815A1 (de) 2022-06-08 2023-12-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Komponente für eine Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithografie und Projektionsbelichtungsanlage
DE102022206038A1 (de) 2022-06-15 2023-12-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Kompensation von Aktuatoreffekten von Aktuatoren
DE102022206065B3 (de) 2022-06-15 2023-02-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system, projektionsbelichtungsanlage und verfahren
DE102022206124A1 (de) 2022-06-20 2023-12-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung und verfahren zum bearbeiten einer oberfläche eines optischen elements einer lithographieanlage
DE102022206110A1 (de) 2022-06-20 2023-12-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende EUV-Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld
DE102022206112A1 (de) 2022-06-20 2023-12-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende EUV-Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld
DE102022206126A1 (de) 2022-06-20 2023-03-09 Carl Zeiss Smt Gmbh Bauteil zum Einsatz in einer Projektionsbelichtungsanlage
DE102022206198A1 (de) 2022-06-21 2022-09-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Qualifizierung einer Komponente einer Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithografie
DE102023204960A1 (de) 2022-06-30 2024-01-04 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Betrieb eines Lithografiesystems und Lithografiesystem
DE102022116700A1 (de) 2022-07-05 2024-01-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Baugruppe, Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie und Verfahren
DE102022116693A1 (de) 2022-07-05 2024-01-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Element mit schwingungsmindernden Abschnitten von Fluidleitungen und Verfahren zur Herstellung eines Grundkörpers eines optischen Elementes sowie Projektionsbelichtungsanlage
DE102022116696A1 (de) 2022-07-05 2024-01-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Grundkörper für ein optisches Element mit einer Anbindungsgeometrie und Verfahren zur Herstellung eines Grundkörpers eines optischen Elementes sowie Projektionsbelichtungsanlage
WO2024008676A1 (de) 2022-07-05 2024-01-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur herstellung eines grundkörpers eines optischen elementes für die halbleiterlithografie, grundkörper, optisches element und projektionsbelichtungsanlage
DE102022116698B3 (de) 2022-07-05 2023-09-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie
DE102022208286A1 (de) 2022-08-09 2024-02-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Grundkörpers für die Halbleiterlithografie, optisches Element und Projektionsbelichtungsanlage
DE102022116695A1 (de) 2022-07-05 2024-01-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Grundkörper für ein optisches Element und Verfahren zur Herstellung eines Grundkörpers für ein optisches Element sowie Projektionsbelichtungsanlage
DE102022206832A1 (de) 2022-07-05 2024-01-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum regeln einer position einer optischen komponente einer lithographieanlage
DE102022116699A1 (de) 2022-07-05 2024-01-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Element und Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie
DE102022116694A1 (de) 2022-07-05 2024-01-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Grundkörpers eines optischen Elementes, Grundkörper sowie Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie
DE102022207027A1 (de) 2022-07-11 2024-01-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung und verfahren zur bereitstellung von sensordaten eines optischen systems, optisches system und lithographieanlage mit einem optischen system
DE102023206334A1 (de) 2022-07-11 2024-01-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Steuervorrichtung und optisches system
DE102022207123A1 (de) 2022-07-12 2024-01-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Zapfen für ein Spannsystem
DE102022207148A1 (de) 2022-07-13 2024-01-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie
DE102022207312A1 (de) 2022-07-18 2024-01-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system und projektionsbelichtungsanlage
DE102022207348A1 (de) 2022-07-19 2022-09-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und justierelementsatz
DE102023205175A1 (de) 2022-07-22 2024-01-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Bestimmen eines Gesamtschwerpunkts einer Verteilung von Lichtintensitäten
DE102022207555A1 (de) 2022-07-25 2024-01-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system, lithographieanlage mit einem optischen system und verfahren zum herstellen eines optischen systems
DE102022207546B3 (de) 2022-07-25 2023-10-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Facettenspiegel-Baugruppe, Beleuchtungsoptik, optisches System, Projektionsbelichtungsanlage, Verfahren zur Herstellung eines mikrostrukturierten Bauteils sowie Bauteil
DE102022207545A1 (de) 2022-07-25 2023-04-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Komponente
DE102022207687A1 (de) 2022-07-27 2024-02-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Inspektion eines Bauteils, computerimplementiertes Verfahren und Lithografiesystem
DE102022207689A1 (de) 2022-07-27 2022-09-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren, Vorrichtung und Computerprogrammprodukt zur Identifikation von Kontaminationen bei Komponenten einer EUV-Lithografie-Anlage
DE102022207884B4 (de) 2022-07-29 2024-02-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Messvorrichtung, Verfahren zur interferometrischen Vermessung, Bearbeitungsverfahren, optisches Element und Lithografiesystem
DE102022208010A1 (de) 2022-08-03 2024-02-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Aufbringung eines Fluids und Komponente
DE102022208239A1 (de) 2022-08-08 2024-02-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Sensorischen Messung Chemischer und/oder Physikalischer Eigenschaften einer Klebeschicht und/oder eines die Klebeschicht Kontaktierenden Mediums, sowie Verfahren zur Herstellung einer entsprechenden Vorrichtung und Verfahren zur Sensorischen Messung
DE102022208204A1 (de) 2022-08-08 2023-08-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Kompensation von Abbildungsfehlern einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage
DE102022208231B3 (de) 2022-08-08 2023-06-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Ansteuervorrichtung, optisches system und lithographieanlage
DE102022208206A1 (de) 2022-08-08 2024-02-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Stabilisierung einer Klebstoffverbindung einer optischen Baugruppe
WO2024052300A1 (en) 2022-09-09 2024-03-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Illumination system, radiation source apparatus, method for illuminating a reticle, and lithography system
DE102022209453A1 (de) 2022-09-09 2024-03-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Faserstrang für einen Sektorheizer, Sektorheizer und Projektionsvorrichtung
DE102023203506A1 (de) 2022-09-12 2024-03-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Vakuumkammer für Komponenten für die Halbleiterlithografie und Verfahren zur automatisierten Reinigung der Vakuumkammer
WO2024056600A1 (en) 2022-09-13 2024-03-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Method to adjust an illumination beam path within an illumination optics and illumination optics having an adjustment system
DE102023206503A1 (de) 2022-09-14 2024-03-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik
DE102022209852A1 (de) 2022-09-19 2022-11-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Thermische aktuatoranordnung
DE102022209791B3 (de) 2022-09-19 2023-07-06 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Kollektor für eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage
DE102023208854A1 (de) 2022-09-20 2024-03-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Kühlvorrichtung zum kühlen einer positionssensitiven komponente einer lithographieanlage
DE102022209868A1 (de) 2022-09-20 2024-03-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische baugruppe, optisches system und projektionsbelichtungsanlage
DE102022209854A1 (de) 2022-09-20 2022-11-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Verbindungsanordnung
DE102022209922A1 (de) 2022-09-21 2023-09-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Reflektometervorrichtung, messanordnung, verfahren zum herstellen eines optischen referenzelements und verfahren zum vermessen einer probe einer lithographieanlage
DE102022210024A1 (de) 2022-09-22 2023-09-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Qualifizierung eines Computergenerierten Hologramms, Regularisierungsverfahren und Lithografiesystem
DE102022210035A1 (de) 2022-09-23 2024-03-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Führung von komponenten einer optischen einrichtung
DE102022210037A1 (de) 2022-09-23 2024-03-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Anordnung zum Tempern mindestens eines Teilbereichs eines optischen Elementes
DE102022210132A1 (de) 2022-09-26 2022-12-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Komponente für eine Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithografie und Verfahren zur Herstellung der Komponente
DE102022210158A1 (de) 2022-09-26 2024-03-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Anordnung, Verfahren und Computerprogrammprodukt zur Kalibrierung von Facettenspiegeln
DE102022210229A1 (de) 2022-09-27 2022-11-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Magnetsystem und Verfahren zur reibungsreduzierten Lagerung und/oder Lagebeeinflussung eines optischen Elements
DE102022210171A1 (de) 2022-09-27 2024-03-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches element, optisches system und projektionsbelichtungsanlage
DE102022210274A1 (de) 2022-09-28 2024-03-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Messvorrichtung und messverfahren zum messen einer in einem optischen system abfallenden spannung, optisches system und lithographieanlage
DE102022210289A1 (de) 2022-09-28 2022-12-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Positionierung eines optischen Elements, Messvorrichtung zur Vermessung einer optischen Oberfläche und Lithografiesystem
DE102022210356A1 (de) 2022-09-29 2022-11-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system, lithographieanlage mit einem optischen system und verfahren zum herstellen eines optischen systems
DE102022125354A1 (de) 2022-09-30 2024-04-04 Asml Netherlands B.V. Kühlvorrichtung zum Kühlen einer positionssensitiven Komponente einer Lithographieanlage
DE102022211226A1 (de) 2022-10-24 2024-04-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie und Verfahren
DE102022211334A1 (de) 2022-10-26 2023-09-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Ansteuerung eines Aktuators und Aktuator
DE102023207047A1 (de) 2022-10-27 2024-05-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Kühlleitungsvorrichtung für eine lithographieanlage, lithographieanlage und verfahren zum steuern eines drucks einer kühlflüssigkeit in einer kühlleitung einer lithographieanlage
DE102023208302A1 (de) 2022-11-02 2024-05-02 Carl Zeiss Smt Gmbh System für eine lithographieanlage und lithographieanlage
DE102022211696A1 (de) 2022-11-07 2024-05-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system und lithographieanlage mit einem optischen system
DE102023208848A1 (de) 2022-11-07 2024-05-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungssystem für eine lithographieanlage, lithographieanlage und verfahren zum betreiben eines beleuchtungssystems einer lithographieanlage
DE102022211799A1 (de) 2022-11-08 2022-12-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Manipulator, optisches system, projektionsbelichtungsanlage und verfahren
DE102023208851A1 (de) 2022-11-08 2024-05-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system und projektionsbelichtungsanlage
DE102022211875A1 (de) 2022-11-09 2024-05-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Korrektur lokaler Oberflächenerhebungen auf spiegelnden Oberflächen
DE102022212120A1 (de) 2022-11-15 2023-11-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und fasereinblasvorrichtung
DE102022212136A1 (de) 2022-11-15 2023-01-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Ermittlung von Bildfehlern hochauflösender Abbildungssysteme per Wellenfrontmessung
DE102022212167A1 (de) 2022-11-16 2023-09-14 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Quellen-Modul für eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage
DE102022212168A1 (de) 2022-11-16 2024-05-16 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Optik-Modul für eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage
DE102022212257A1 (de) 2022-11-17 2023-11-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Grundkörpers und Grundkörper mit einer Leichtbaustruktur sowie Projektionsbelichtungsanlage
DE102022212377A1 (de) 2022-11-21 2023-10-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Dichtungsvorrichtung, verfahren und verwendung
DE102022212463A1 (de) 2022-11-22 2024-05-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system, lithographieanlage und verfahren zum betreiben eines optischen systems einer lithographieanlage
DE102022213810A1 (de) 2022-12-16 2023-02-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Überwachung einer Linse eines Lithografiesystems, Optikvorrichtung für ein Lithografiesystem und Lithografiesystem
DE102022213752A1 (de) 2022-12-16 2023-02-09 Carl Zeiss Smt Gmbh Interferometervorrichtung zur Vermessung einer Oberfläche, Verfahren zur interferometrischen Vermessung einer Oberfläche und Lithografiesystem
DE102022213987A1 (de) 2022-12-20 2023-12-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Montage einer optischen Baugruppe, optische Baugruppe und Projektionsbelichtungsanlage
DE102023200146A1 (de) 2023-01-11 2023-03-09 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und justagesystem zur justage einer position eines facettenspiegels einer lithographieanlage
DE102023200329B3 (de) 2023-01-17 2024-05-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Baugruppe, Verfahren zur Montage der optischen Baugruppe und Projektionsbelichtungsanlage
DE102023200423A1 (de) 2023-01-20 2023-12-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Kühlvorrichtung für eine lithographieanlage, lithographieanlage und verfahren zum dämpfen einer druckschwankung einer flüssigkeit in einer flüssigkeitsleitung einer kühlvorrichtung einer lithographieanlage
DE102023201137A1 (de) 2023-02-13 2024-01-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Anordnung und Verfahren zum Schutz einer Klebstoffverbindung
DE102023201546B3 (de) 2023-02-22 2024-01-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Entschichten einer optischen Oberfläche, Vorrichtung zum Entschichten einer optischen Oberfläche und Lithografiesystem
DE102023201840A1 (de) 2023-03-01 2024-02-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Baugruppe für die Halbleitertechnik und Projektionsbelichtungsanlage
DE102023201860A1 (de) 2023-03-01 2023-04-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Baugruppe und Verfahren zur Verbindung zweier Bauteile
DE102023203830A1 (de) 2023-04-25 2024-03-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Distanzvorrichtung, optisches system, lithographieanlage und verfahren
DE102023203832A1 (de) 2023-04-25 2024-04-04 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system und projektionsbelichtungsanlage
DE102023203897A1 (de) 2023-04-27 2024-04-04 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum herstellen einer komponente einer lithographieanlage, komponente und lithographieanlage
DE102023204394A1 (de) 2023-05-11 2024-05-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Minimierung von Druckschwankungen und Projektionsbelichtungsanlage
DE102023205587A1 (de) 2023-06-15 2023-07-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Bauelement für die Halbleiterlithografie, Verfahren zum Herstellen eines Gelenkkörpers für einen Sensor eines Lithografiesystems und Lithografiesystem
DE102024200329A1 (de) 2024-01-15 2024-05-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Filtration eines Kühlschmiermittels, Bearbeitungseinrichtung sowie Lithografiesystem

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5237170A (en) * 1991-07-03 1993-08-17 Shatz Narkis E I Method and apparatus for non-imaging concentration and projection of electromagnetic radiation
US5430634A (en) * 1992-08-03 1995-07-04 Cogent Light Technologies, Inc. Concentrating and collecting optical system using concave toroidal reflectors
US5581605A (en) * 1993-02-10 1996-12-03 Nikon Corporation Optical element, production method of optical element, optical system, and optical apparatus
US5361292A (en) 1993-05-11 1994-11-01 The United States Of America As Represented By The Department Of Energy Condenser for illuminating a ring field
US5339346A (en) 1993-05-20 1994-08-16 At&T Bell Laboratories Device fabrication entailing plasma-derived x-ray delineation
US5677939A (en) 1994-02-23 1997-10-14 Nikon Corporation Illuminating apparatus
US5631721A (en) 1995-05-24 1997-05-20 Svg Lithography Systems, Inc. Hybrid illumination system for use in photolithography
US5512759A (en) 1995-06-06 1996-04-30 Sweatt; William C. Condenser for illuminating a ringfield camera with synchrotron emission light
US6007963A (en) * 1995-09-21 1999-12-28 Sandia Corporation Method for extreme ultraviolet lithography
US5815310A (en) 1995-12-12 1998-09-29 Svg Lithography Systems, Inc. High numerical aperture ring field optical reduction system
JP4238390B2 (ja) 1998-02-27 2009-03-18 株式会社ニコン 照明装置、該照明装置を備えた露光装置および該露光装置を用いて半導体デバイスを製造する方法
EP0955641B1 (de) 1998-05-05 2004-04-28 Carl Zeiss Beleuchtungssystem insbesondere für die EUV-Lithographie
US6118577A (en) * 1998-08-06 2000-09-12 Euv, L.L.C Diffractive element in extreme-UV lithography condenser
US6186632B1 (en) * 1998-12-31 2001-02-13 The Regents Of The University Of California Condenser for ring-field deep-ultraviolet and extreme-ultraviolet lithography
US6195201B1 (en) * 1999-01-27 2001-02-27 Svg Lithography Systems, Inc. Reflective fly's eye condenser for EUV lithography

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011524011A (ja) * 2008-06-12 2011-08-25 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 多層コーティング、光学素子および光学装置を形成する方法
JP2012504321A (ja) * 2008-09-30 2012-02-16 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー Euvマイクロリソグラフィ用の投影露光装置の照明光学系に使用するための視野ファセットミラー
US8717541B2 (en) 2008-09-30 2014-05-06 Carl Zeiss Smt Gmbh Field facet mirror for an illumination optics of a projection exposure apparatus for EUV microlithography
US9304406B2 (en) 2008-09-30 2016-04-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Field facet mirror for an illumination optics of a projection exposure apparatus for EUV microlithography
JP2016517027A (ja) * 2013-03-14 2016-06-09 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー エタンデュを増大させるための光学組立体
US10580546B2 (en) 2015-03-02 2020-03-03 Asml Netherlands B.V. Radiation system
US11984236B2 (en) 2015-03-02 2024-05-14 Asml Netherlands B.V. Radiation system

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