DE102022208239A1 - Vorrichtung und Verfahren zur Sensorischen Messung Chemischer und/oder Physikalischer Eigenschaften einer Klebeschicht und/oder eines die Klebeschicht Kontaktierenden Mediums, sowie Verfahren zur Herstellung einer entsprechenden Vorrichtung und Verfahren zur Sensorischen Messung - Google Patents

Vorrichtung und Verfahren zur Sensorischen Messung Chemischer und/oder Physikalischer Eigenschaften einer Klebeschicht und/oder eines die Klebeschicht Kontaktierenden Mediums, sowie Verfahren zur Herstellung einer entsprechenden Vorrichtung und Verfahren zur Sensorischen Messung Download PDF

Info

Publication number
DE102022208239A1
DE102022208239A1 DE102022208239.7A DE102022208239A DE102022208239A1 DE 102022208239 A1 DE102022208239 A1 DE 102022208239A1 DE 102022208239 A DE102022208239 A DE 102022208239A DE 102022208239 A1 DE102022208239 A1 DE 102022208239A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
adhesive layer
unit
sensor unit
line
sensor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE102022208239.7A
Other languages
English (en)
Inventor
Henner Baitinger
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Carl Zeiss SMT GmbH
Original Assignee
Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Carl Zeiss SMT GmbH filed Critical Carl Zeiss SMT GmbH
Priority to DE102022208239.7A priority Critical patent/DE102022208239A1/de
Priority to PCT/EP2023/070616 priority patent/WO2024033081A1/en
Publication of DE102022208239A1 publication Critical patent/DE102022208239A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
    • G03F7/70825—Mounting of individual elements, e.g. mounts, holders or supports
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N33/00—Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
    • G01N33/44—Resins; rubber; leather
    • G01N33/442—Resins, plastics
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B7/00—Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements
    • G02B7/18—Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements for prisms; for mirrors
    • G02B7/182—Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements for prisms; for mirrors for mirrors
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B7/00—Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements
    • G02B7/02—Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements for lenses
    • G02B7/025—Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements for lenses using glue

Abstract

Vorrichtung 200 zur sensorischen Messung von chemischen und/oder physikalischen Eigenschaften einer Klebeschicht 203 in einer Anlage der Halbleitertechnologie 100, umfassendein erstes zu verklebendes Element 201,ein zweites zu verklebendes Element 202,eine, das erste zu verklebende Element 201 und das zweite zu verklebende Element 202 jeweils über eine erste Grenzfläche 204 und über eine zweite Grenzfläche 220 stoffschlüssig verbindende Klebeschicht 203, sowieeine erste Sensoreinheit 205,dadurch gekennzeichnet, dassdie eine erste Sensoreinheit 205 mindestens teilweise in oder an der Klebeschicht 203 angeordnet ist, sodass alle zur Messung der chemischen und/oder physikalischen Eigenschaften der Klebeschicht 203 verwendeten Bereiche der einen ersten Sensoreinheit 205 mindestens eine wechselseitig stoffschlüssig-verbindend ausgebildete Grenzfläche 222 zu der Klebeschicht 203 aufweisen.

Description

  • Hintergrund der Erfindung
  • Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur sensorischen Messung von chemischen und/oder physikalischen Eigenschaften einer Klebeschicht und/oder eines die Klebeschicht kontaktierenden Mediums. Weiterhin betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung einer entsprechenden Vorrichtung. Weiterhin betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Messung derartiger Eigenschaften einer Klebeschicht und/oder eines die Klebeschicht kontaktierenden Mediums, insbesondere zur Anwendung in einer Einheit einer Anlage der Halbleitertechnologie. Weiterhin betrifft die Erfindung eine Einheit einer Anlage der Halbleitertechnologie mit einer erfindungsgemäßen Vorrichtung. Weiterhin betrifft die Erfindung eine Anlage der Halbleitertechnologie, insbesondere eine Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Halbleiterlithografie, eine Projektionsbelichtungsanlage für die DUV-Halbleiterlithografie, eine Maskeninspektionsanlage, oder Waferinspektionsanlage, in welcher eine Vorrichtung und ein Verfahren zur sensorischen Messung von chemischen und/oder physikalischen Eigenschaften einer Klebeschicht und/oder eines die Klebeschicht kontaktierenden Mediums verwendet werden.
  • In der Halbleitertechnologie werden unter anderem mittels verschiedener Verfahren der Mikrolithografie mikro- und nano-strukturierte Elemente als integrierte Schaltkreise erzeugt, wobei die Strukturierungseigenschaften durch Bestrahlung eines Substrates mit Licht definiert werden. Als Anlagen der Halbleitertechnologie werden beispielsweise Projektionsbelichtungsanlagen eingesetzt, welche unter anderem eine Strahlungsquelle, ein Beleuchtungssystem, eine Photomaske (ein sogenanntes Retikel), sowie ein Projektionssystem umfassen. Derartige Teilsysteme einer Anlage der Halbleitertechnologie, insbesondere einer Projektionsbelichtungsanlage, sind jeweils aus separaten optischen Einheiten aufgebaut, welche das zur Lithographie verwendete Licht ausgehend von einer Strahlungsquelle über ein Beleuchtungssystem zunächst auf eine Photomaske leiten, und von dort aus ein entsprechendes Bild der Photomaske mittels des Projektionssystems auf einer photo-sensitiven Schicht eines Substrates erzeugen. Die photosensitive Schicht kann ein Photolack sein und das Substrat kann ein Silizium-Wafer sein.
  • Um möglichst kleine Strukturen auf einem Substrat mittels Mikrolithografie in Projektionsbelichtungsanlagen erzeugen zu können, werden seit Langem Strahlungsquellen mit kurzwelligem Licht aus dem sogenannten Deep-Ultraviolet (DUV)-Wellenlängenbereich mit Wellenlängen von 400nm-100nm eingesetzt, insbesondere 365nm, 248nm, sowie 193nm. In den einzelnen Einheiten von derartigen Projektionsbelichtungsanlagen werden sowohl Linsen als auch Spiegel als optische Komponenten eingesetzt, um das Licht von der Strahlungsquelle auf ein Substrat abzubilden. Um noch kleinere Strukturen zu erzeugen, werden weiterhin seit einigen Jahren Vorrichtungen eingesetzt, welche besonders kurzwelliges Licht aus dem sogenannten Extreme Ultraviolet (EUV)-Wellenlängenbereich mit Wellenlängen zwischen 0.1 nm bis 30nm, insbesondere aber 13.5nm, verwenden. Für derartige Strahlung können aufgrund der inhärenten Absorption von Festkörpern in diesem Wellenlängenbereich keine Transmissionsoptiken in dem aus mehreren Einheiten bestehenden Strahlengang einer Projektionsbelichtungsanlage eingesetzt werden. Daher werden im Falle von EUV-Licht ausschließlich Reflexionsoptiken eingesetzt. Ähnliche Optiken werden auch in anderen Anlagen der Halbleitertechnologie eingesetzt, beispielsweise in einer Maskeninspektionsanlage für die EUV-Lithografie, oder Waferinspektionsanlage für die EUV-Lithografie.
  • Derartige Einheiten einer Anlage der Halbleitertechnologie können mehrere Einzelkomponenten umfassen, insbesondere als Einzelkomponenten umfassend optische Komponenten, wie beispielsweise die eingangs erwähnten Spiegel und Linsen zur Abbildung oder Beleuchtung einer Maske, sowie weiterhin umfassend mechanische oder mechatronische Fassungen der optischen Komponenten. Solche optischen Komponenten, welche beispielsweise in Einheiten einer Anlage der Halbleitertechnologie Verwendung finden, werden über stoffschlüssige Verbindungen mit mechanischen oder mechatronischen Elementen in Form von Fassungen gehalten und/oder es werden an den optischen Elementen andere Arten von Elementen verbunden. Bei stoffschlüssigen Verbindungen werden die Verbindungspartner durch physikalische und/oder chemische Kräfte, beispielsweise das Knüpfen von chemischen Bindungen, zusammengehalten. Stoffschlüssige Verbindungen sind nicht einfach lösbare Verbindungen, die sich im Wesentlichen durch mindestens teilweises Zerstören der Verbindungsmittel und/oder der Verbindungspartner trennen lassen. Eine Möglichkeit der stoffschlüssigen Verbindungsknüpfung ist die Klebung. Neben der Verbindung von optischen Elementen mit den entsprechenden Halterungen in Anlagen der Halbleitertechnologie werden auch andere Komponenten durch eine stoffschlüssige Verbindung in derartigen Anlagen miteinander verbunden.
  • Veränderungen in den chemischen und/oder physikalischen Eigenschaften eines Klebstoffes, induziert durch Änderungen der chemischen und/oder physikalischen Eigenschaften eines den Klebstoff umgebenden Mediums, können zu Alterungserscheinungen einer entsprechenden Klebeschicht führen, beispielsweise über Oxidation, über Reduktion, oder über Hydratation von im Klebstoff enthaltenen chemischen Bestandteilen oder durch mechanische Beschädigungen, beispielsweise Risse, in einer Klebeschicht. Derartige Effekte können zu einer Beeinträchtigung der Adhäsionswirkung des Klebstoffes führen. Im Grenzfall kann dies zum mindestens teilweisen Ablösen einer Klebeschicht zum Beispiel von einem optischen Element oder von einer ein optisches Element haltenden Fassung führen und damit zur Verminderung der Leistungsfähigkeit einer Einheit, oder gar zum Versagen der Funktion der gesamten Einheit.
  • Weiterhin können durch Veränderungen von chemischen und/oder physikalischen Eigenschaften von Klebeschichten an besagten Einheiten in einer Anlage der Halbleitertechnologie Kraftwirkungen auf eine optische Komponente ausgeübt werden, wodurch es zu störenden Verformungen an Substraten und an der reflektierenden Oberfläche der optischen Komponenten, oder zu Veränderungen der absoluten Position und/oder Orientierung der optischen Komponenten im Strahlengang einer Anlage der Halbleitertechnologie führen.
  • Als Klebstoffe zur Fixierung von optischen Komponenten in Fassungen in Anlagen der Halbleitertechnologie werden häufig Epoxid-Harze verwendet, welche beispielsweise durch Aufnahme und Abgabe von Wasser aus der Umgebung und in die Umgebung aufquellen oder kontrahieren, wodurch eine mechanische Spannung in der Klebeschicht entsteht, welche sich auf ein von einer Klebeschicht gehaltenes optisches Element übertragen kann, oder die Haftwirkung der Klebeschicht negativ beeinflusst. Auch Veränderungen der Temperatur in der Umgebung eines Klebers, beispielsweise durch den Betrieb einer Anlage der Halbleitertechnologie, einen Störfall, eine Wartung, eine Reinigung oder einen Refurbishment-Prozess einer Einheit können zu chemisch- oder physikalisch-induzierten Veränderungen in einer Klebeschicht führen und deren chemische und/oder physikalische Eigenschaften negativ beeinflussen. Ebenfalls können durch das Aufbringen und das anschließende Aushärten des Klebstoffes mechanische Spannungen innerhalb einer Klebeschicht entstehen.
  • Um die Zuverlässigkeit und Leistungsfähigkeit einer Anlage der Halbleitertechnologie abzusichern, besteht die Notwendigkeit, über einen möglichst wenig eingeschränkten Zeitraum Informationen über die chemischen und/oder physikalischen Eigenschaften von Klebstoffen und/oder eines die Klebeschicht kontaktierenden Mediums und einhergehende Bedingungen innerhalb einer Anlage der Halbleitertechnologie zu erhalten, insbesondere innerhalb einer Einheit einer Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Halbleiterlithografie, um hieraus Rückschlüsse über die Leistungsfähigkeit einer Einheit und/oder der Anlage zu ziehen.
  • Zur messtechnischen Erfassung der in einer Einheit einer Anlage der Halbleitertechnologie herrschenden Bedingungen, sowie zur Ableitung von daraus resultierenden Rückschlüssen auf die chemischen und/oder physikalischen Eigenschaften von Elementen oder Einzelkomponenten werden gängigerweise Sensoren unterschiedlicher Art verwendet.
  • Im Stand der Technik ist bekannt, lokale Veränderungen von optischen Elementen innerhalb beispielsweise einer Projektionsbelichtungsanlage sensorisch zu überwachen [ DE 10 2018 219 782 A1 , und DE 10 2018 208 653 A1 ]. Hierdurch können gängige Einflussparameter der Umgebungsmedien wie zum Beispiel eine Temperatur und deren zeitliche Veränderung zuverlässig überwacht werden. Derartige Verfahren erlauben häufig keine Bestimmung von Veränderungen an räumlich schwer zugänglichen Stellen einer Projektionsbelichtungsanlage, oder sind beschränkt in Bezug auf die Anwendbarkeit des sensorischen Messverfahrens. Weiterhin ist die Anwendung derartiger Verfahren an Einheiten außerhalb einer Projektionsbelichtungsanlage erschwert, sodass beispielsweise Refurbishment-Prozesse, Wartungen, oder Montage-Prozesse nicht direkt überwacht werden können.
  • Im Stand der Technik ist ferner bekannt, Sensoren an optischen Elementen beispielsweise zur Überwachung von mechanischen Spannungen einzusetzen [ DE102020201724A1 ]. Hierdurch lassen sich beispielsweise durch piezoelektrische Verformungen eingebrachte mechanische Spannungen in optischen Elementen gezielt überwachen. Allerdings erlaubt die alleinige Überwachung von lokalen Parametern und/oder Eigenschaften isolierter Substrate keine direkten Schlüsse beispielsweise auf ein Verhalten, die Stabilität oder die Lebensdauer einer Klebeschicht an Elementen bei Veränderungen von entsprechende Umgebungsbedingungen. Ferner bedarf eine genaue Überwachung des Verhaltens einer Klebeschicht unter Veränderungen chemischer und physikalischer Umgebungsbedingungen eine direkte und gesamtheitliche Überwachung sowohl einer Klebeschicht selbst als auch der Umgebung simultan.
  • Die im Stand der Technik bekannten Lösungen erfüllen daher die immer weiter steigenden Anforderungen insbesondere an die Überwachung der Stabilität von Klebeschichten in Anlagen der Halbleitertechnologie nicht ausreichend.
  • Aufgabe der Erfindung
  • Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine Vorrichtung bereitzustellen, welche die oben beschriebenen Nachteile des Standes der Technik beseitigt. Insbesondere ist es die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Vorrichtung zur sensorischen Messung von chemischen und/oder physikalischen Eigenschaften einer Klebeschicht und/oder eines die Klebeschicht kontaktierenden Mediums in einer Einheit für eine Anlage der Halbleitertechnologie bereitzustellen. Eine weitere Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren der Herstellung einer solchen Vorrichtung anzugeben. Ferner ist eine weitere Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren zum Betrieb der vorgeschlagenen Vorrichtung anzugeben. Es ist weiterhin die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Einheit einer Anlage der Halbleitertechnologie anzugeben, in welcher eine erfindungsgemäße Vorrichtung zur Messung chemischer und/oder physikalischer Eigenschaften einer Klebeschicht und/oder eines mit der Klebeschicht kontaktierten Mediums Anwendung findet. Es ist weiterhin die Aufgabe der vorliegenden Erfindung eine Anlage der Halbleitertechnologie anzugeben, welche mindestens eine Vorrichtung zur sensorischen Messung von chemischen und/oder physikalischen Eigenschaften einer Klebeschicht und/oder eines die Klebeschicht kontaktierenden Mediums beinhaltet. Bei einer Anlage der Halbleitertechnologie kann es sich um eine Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Halbleiterlithographie, um eine Projektionsbelichtungsanlage für die DUV-Halbleiterlithographie, um eine Maskeninspektionsanlage oder um eine Waferinspektionsanlage handeln.
  • Gegenstand der Erfindung
  • Die der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe wird gelöst durch eine Vorrichtung und ein Verfahren zur Bereitstellung dieser Vorrichtung, sowie ein Verfahren zur messtechnischen Anwendung dieser Vorrichtung, sowie weiterhin eine Einheit einer Anlage der Halbleitertechnologie mit einer erfindungsgemäßen Vorrichtung, sowie letztlich eine Anlage der Halbleitertechnologie mit einer erfindungsgemäßen Vorrichtung, jeweils mit den Merkmalen der unabhängigen Ansprüche. Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche sowie der im Folgenden beschriebenen Ausführungsbeispiele der Erfindung.
  • In den folgenden Ausführungen inklusive der Figurenbeschreibungen und der Ansprüche beziehen sich Zählworte wie „ein“ oder „eine“ nicht zwingend als beschränkend auf genau ein Element, eine Komponente, eine Methode und dergleichen. Vielmehr können auch mehrere Elemente, Komponenten, Methoden, Verfahren wie beispielsweise zwei, drei oder mehr, vorgesehen sein. Auch jedes andere hier verwendete Zählwort ist nicht dahingehend zu interpretieren, dass eine Beschränkung auf genau die genannte Anzahl von Elementen gegeben ist. Vielmehr sind zahlenmäßige Abweichungen nach oben und nach unten möglich, soweit nichts Gegenteiliges angegeben ist.
  • Weitere mögliche Implementierungen der Erfindung umfassen auch nicht explizit genannte Kombinationen von zuvor oder im Folgenden bezüglich der Ausführungsbeispiele beschriebenen Merkmalen oder Ausführungsformen. Dabei wird der Fachmann auch Einzelaspekte als Verbesserungen oder Ergänzungen zu der jeweiligen Grundform der Erfindung hinzufügen.
  • Eine erfindungsgemäße Vorrichtung zur sensorischen Messung von chemischen und/oder physikalischen Eigenschaften einer Klebeschicht und/oder eines die Klebeschicht kontaktierenden Mediums in einer Einheit einer Anlage der Halbleitertechnologie zeichnet sich dadurch aus, dass ein erstes zu verklebendes Element, ein zweites zu verklebendes Element, eine das erste zu verklebende Element und das zweite zu verklebende Element jeweils über eine Grenzfläche stoffschlüssig verbindende Klebeschicht, sowie eine erste Sensoreinheit enthalten sind. Eine derartige erfindungsgemäße Vorrichtung ist dadurch gekennzeichnet, dass die eine erste Sensoreinheit mindestens teilweise in oder an der Klebeschicht angeordnet ist, sodass alle zur Messung der chemischen und/oder physikalischen Eigenschaften der Klebeschicht verwendeten Bereiche der einen ersten Sensoreinheit mindestens eine wechselseitig stoffschlüssig-verbindend ausgebildete Grenzfläche zu der Klebeschicht aufweisen. Dies hat zum Vorteil, dass Veränderungen in chemischen und/oder physikalischen Eigenschaften einer Klebeschicht in direkter Weise am Wirkungsort der veränderten Eigenschaften gemessen werden können. Bei dem Wirkungsort kann es sich dabei um beliebig gestaltete Ausführungen handeln, einschließlich räumlich schwer zugänglicher Stellen innerhalb einer Einheit einer Anlage der Halbleitertechnologie, wobei weder die Geometrie der verwendeten Elemente noch deren Material eine Beschränkung für die Anwendung der Vorrichtung darstellt. Durch Kombination von mindestens zwei derartigen ersten Sensoreinheiten und oder zweiten Sensoreinheiten an unterschiedlichen Orten beispielsweise einer Klebeschicht lassen sich räumlich aufgelöste Rückschlüsse auf Veränderungen in den Eigenschaften einer Klebeschicht erhalten.
  • In einer weiteren Ausführungsform der erfindungsgemäßen Vorrichtung sind das erste zu verklebende Element und das zweite zu verklebende Element jeweils unabhängig voneinander ein optisches Element, ein mechanisches Element, ein mechatronisches Element, ein elektrisches Element, oder ein elektronisches Element. Insbesondere ist mindestens eines der zu verklebenden Elemente aus einem metallischen Werkstoff, oder aus einem keramischen Werkstoff ausgeführt. Durch erfindungsgemäße sensorische Messung von chemischen und/oder physikalischen Eigenschaften an unterschiedlichen Orten mit unterschiedlichen Funktionen innerhalb einer Einheit der Anlage der Halbleitertechnologie werden in dieser Weise räumlich aufgelöste Informationen von Veränderungen erhalten, wobei entsprechend Rückschlüsse auf lokale Belastungen und Stabilitäten in Abhängigkeit der lokalen Funktion der verklebten Elemente erhalten werden.
  • In einer weiteren Ausführungsform der erfindungsgemäßen Vorrichtung ist ein erstes zu verklebendes Element und/oder ein zweites zu verklebendes Element als Spiegel, als Linse, oder als mechatronisches Spiegelarray ausgeführt. Weiterhin ist ein erstes zu verklebendes Element und/oder ein zweites zu verklebendes Element als Fassung des Spiegels, der Linse oder des mechatronischen Spiegelarrays ausgeführt. Ein Spiegel weist dabei eine optisch aktive Fläche, insbesondere eine Spiegelfläche, und eine der optisch wirksamen Fläche abgewandte Rückseite sowie mindestens eine Seitenfläche auf, an der eine erste Sensoreinheit und/oder eine zweite Sensoreinheit und/oder eine Klebeschicht angebracht ist. Im Falle einer transmittiven optischen Komponente ist eine Klebeschicht sowie eine erste Sensoreinheit und/oder eine zweite Sensoreinheit vorzugsweise in den Randbereichen des optisch transmittiven Materials in unmittelbarer Nähe einer Fassung der transmittiven optischen Komponente verortet. Hierdurch lässt sich in direkter Weise der Einfluss des Betriebs einer Anlage der Halbleitertechnologie abbilden.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung sind bei Vorliegen von mindestens zwei das eine erste zu verklebenden Element und das eine zweite zu verklebenden Element stoffschlüssig verbindenden Klebeschichten die einzelnen Klebeschichten durch Hohlräume räumlich voneinander beabstandet. Eine in dieser Weise segmentierte Klebeschicht ist somit nicht durchgängig flächig und die einzelnen Klebeschichten sind in gleicher oder in unterschiedlicher Weise voneinander beabstandet. Insbesondere sind sich in vielfältiger Form und Struktur quasi-zweidimensionale, raster- oder musterförmige gestaltete Flächenarrays von unterschiedlich ausgeformten Klebeschichten zwischen dem ersten zu verklebenden Element und dem zweiten zu verklebenden Element ausgebildet. Dabei haben die einzelnen Klebeschichten gleiche oder unterschiedliche Form und Dicke. Durch die Kombination einer strukturierten Klebeschicht mit lokaler sensorischer Messung von chemischen und/oder physikalischen Eigenschaften einer Klebeschicht und/oder eines die Klebeschicht kontaktierenden Mediums ergibt sich der Vorteil einer direkten lokalen Entkopplung der Sensorsignale.
  • Weiterhin kann die eine Klebeschicht als eine Mehrkomponenten-Epoxy-harz Schicht mit zwei Komponenten ausgeführt sein. Eine als Mehrkomponenten-Epoxy-harz Schicht ausgeführte Klebeschicht kann ebenfalls eine zusätzliche Komponente enthalten, welche als keramisch-verstärkende Komponente ausgeführt ist. Dabei können die einzelnen Teile der zusätzlichen keramisch-verstärkenden Komponente in vielfältiger und unterschiedlicher Form und Verteilung von Eigenschaften, beispielsweise eine Größenverteilung von keramischen Partikeln, vorliegen. Es können auch Mischungen unterschiedlicher keramischer Verbindungen als keramisch-verstärkende Komponente verwendet werden.
  • Weiterhin kann eine erste Sensoreinheit und/oder eine zweite Sensoreinheit jeweils mindestens einen Sensor umfassen, der alle zur Messung der gesuchten chemischen und/oder physikalischen Eigenschaften und alle für die Erfüllung des Messprinzips des Sensors notwendigen Bereiche beinhaltet. Insbesondere kann der Sensor einen der folgenden Sensortypen umfassen
    • - Kraftsensor zur Bestimmung von Kraftwirkungen,
    • - Temperatursensor,
    • - pH-Sensor,
    • - elektrischer Leitfähigkeitssensor,
    • - elektrischer Kapazitätssensor,
    • - Feuchtigkeitssensor,
    • - Lichtsensor,
    • - sowie Sensortypen für Kombinationen von mindestens zwei der vorangegangenen Signaltypen.
  • Allgemein kann es sich aber um beliebige Typen von Sensoren für die Bestimmung chemischer und/oder physikalischer Eigenschaften einer Klebeschicht und/oder eines gasförmigen, flüssigen, oder festen Mediums handeln. Alle verwendbaren Sensoren sind derart ausgebildet, dass ihre Anwendbarkeit in Bezug auf gängige herrschende Bedingungen der die Sensoren kontaktierenden Klebeschicht und/oder des die Sensoren kontaktierenden Mediums in einer Anlage der Halbleitertechnologie gegeben ist, insbesondere in Bezug auf Temperaturen, Umgebungsdrücke, Verwendung gängiger Inertgase oder Spülgase.
  • In einer weiteren Ausführungsform enthält die erfindungsgemäße Vorrichtung eine zweite Sensoreinheit, wobei alle zur Messung der chemischen und/oder physikalischen Eigenschaften eines die Klebeschicht kontaktierenden Mediums verwendeten Bereiche der einen zweiten Sensoreinheit eine Grenzfläche zu einem die Klebeschicht kontaktierenden Medium aufweisen. Dass die eine zweite Sensoreinheit umgebende Medium kann hierbei flüssig und/oder gasförmig ausgebildet sein. Es kann sich auch um ein Aerosol handeln. Erfindungsgemäß lassen sich durch eine erste Sensoreinheit und eine zweite Sensoreinheit, welche unmittelbar zueinander benachbart gelagerte sind, durch Messung von chemischen und/oder physikalischen Eigenschaften der die eine erste Sensoreinheit und die eine zweite Sensoreinheit umgebenden Klebeschicht und/oder umgebende andere Medien Rückschlüsse auf einen Zustand der jeweils kontaktierten Medien, sowie die gegenseitige Beeinflussung der Klebeschicht und/oder der Medien und deren zeitlicher Entwicklung erhalten.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist die eine erste Sensoreinheit mit einer ersten Leitungseinheit verbunden und/oder die eine zweite Sensoreinheit mit einer zweiten Leitungseinheit verbunden.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung beinhaltet die eine erste Leitungseinheit und/oder die eine zweite Leitungseinheit jeweils ein Signalleitungselement zur Leitung elektrischer und/oder elektromagnetischer und/oder optischer Signale. Hierbei handelt es sich beispielsweise um ein Kabel und/oder um einen Lichtwellenleiter.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung beinhaltet die eine erste Leitungseinheit und/oder die eine zweite Leitungseinheit jeweils ein Verstärkungselement zur Verstärkung elektrischer und/oder elektromagnetischer und/oder optischer Signale. Hierdurch werden beispielsweise auch sehr schwache Signale zuverlässig gemessen, übertragen und ausgewertet.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung umfasst die eine erste Leitungseinheit und/oder die eine zweite Leitungseinheit jeweils ein Energieleitungselement zur Energieleitung von zum Betrieb der einen ersten Sensoreinheit und/oder der einen zweiten Sensoreinheit und aller Elemente der einen ersten Leitungseinheit und/oder der einen zweiten Leitungseinheit notwendigen Energie. Bei einem Energieleitungselement handelt es sich beispielsweise um ein Kabel, welches zur Energieleitung mittels Gleich- und/oder Wechselstrom geeignet ist.
  • In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist die eine erste Leitungseinheit verbunden mit einer ersten Leitungsschnittstelleneinheit und/oder die eine zweite Leitungseinheit verbunden mit einer zweiten Leitungsschnittstelleneinheit, wobei die eine erste Leitungsschnittstelleneinheit und/oder die eine zweite Leitungseinheit jeweils eine Übergabeschnittstelle zur Signal- und/oder Energieleitung der aus oder zu der einen ersten Sensoreinheit und/oder der einen zweiten Sensoreinheit über die eine erste Leitungseinheit und/oder die eine zweite Leitungseinheit geleiteten Messsignale und/oder Energie enthält. Eine Übergabeschnittstelle zur Signalleitung der einen ersten Leitungsschnittstelleneinheit und der einen zweiten Leitungsschnittstelleneinheit ist vorteilhafterweise ausgeführt als physische Schnittstelle, z.B. mittels eines Steckers, einer Buchse, einer Klemme, einem Lichtkopplungselement, oder jeder anderen gängigen Ausführungsform einer Verbindungsknüpfung für die jeweils verwendeten Signale. Die Übergabeschnittstelle kann auch als virtuelle Schnittstelle mittels einer Sender-/Empfängereinheit zur drahtlosen Signaltransmission ausgeführt sein. Hierbei kann es sich insbesondere um Signaltransmission mittels elektromagnetischer Strahlung, weiterhin insbesondere um Radiofrequenztransmission, handeln.
  • In einer Erweiterung der Erfindung umfasst eine erste Leitungsschnittstelleneinheit und/oder eine zweite Leitungsschnittstelleneinheit jeweils ein Energiebevorratungs- und Energiebereitstellungselement. Hierbei handelt es sich beispielsweise um einen Energiespeicher wie eine Batterie, einen Akkumulator, oder ein ähnliches Element. Die eine erste Leitungsschnittstelleneinheit und/oder die eine zweite Leitungsschnittstelleneinheit kann jeweils als Energiebevorratungs- und Energiebereitstellungselement auch ein Element zur Sammlung von zum Betrieb einer Sensoreinheit und einer Leitungseinheit notwendigen Energie aus einem eine erste Leitungsschnittstelleneinheit und/oder eine zweite Leitungsschnittstelleneinheit benachbarten Umgebungsbereich umfassen. Hierbei kann es sich insbesondere um eine Vorrichtung aus dem Bereich Energy-harvesting handeln, um autarke Funktionalität der Vorrichtung zu gewährleisten. Ein Energiebevorratungs- und Energiebereitstellungselement kann auch als zusätzliches Element als Absicherungseinheit bei Ausfall einer externen Energieversorgung integriert sein.
  • Das Verfahren zur Herstellung einer erfindungsgemäßen Vorrichtung umfasst im Wesentlichen folgende Schritte: 1) Bereitstellen aller erfindungsgemäßen Elemente, 2) Aufbringen einer Klebeschicht auf eines der bereitgestellten Elemente, 3) Einbetten einer ersten Sensoreinheit in eine Klebeschicht, 4) stoffschlüssiges erfindungsgemäßes Verbinden der bereitgestellten Elemente.
  • Weiterhin umfasst das Verfahren zur Herstellung einer erfindungsgemäßen Vorrichtung 5) das Bereitstellen und Montieren einer zweiten Sensoreinheit in einem die Klebeschicht kontaktierenden Medium.
  • Weiterhin umfasst das Verfahren 6) signal- und/oder energieleitendes Verbinden der bereitgestellten Sensoreinheiten mit den bereitgestellten Leitungseinheiten, sowie 7) signal- und/oder energieleitendes Verbinden der bereitgestellten Leitungseinheiten mit der bereitgestellten einen ersten Leitungsschnittstelleneinheit und der einen zweiten Leitungsschnittstelleneinheit.
  • In einer bevorzugten erfindungsgemäßen Variante des Verfahrens werden zur Herstellung einer wie oben beschriebenen Vorrichtung zunächst ein erstes zu verklebendes Element, ein zweites zu verklebendes Element, eine erste Sensoreinheit mit einem zur Messung der chemischen und/oder physikalischen Eigenschaften geeigneten Bereich eines Sensors, sowie ein geeignetes Klebematerial zur Herstellung einer Klebeschicht bereitgestellt. Weiterhin wird eine Klebeschicht auf ein erstes zu verklebendes Element und/oder ein zweites zu verklebendes Element aufgebracht. Weiterhin wird die eine erste Sensoreinheit in die eine Klebeschicht eingebettet. Das Einbetten erfolgt entweder an einer Grenzfläche eines ersten zu verklebenden Elementes mit der Klebeschicht, oder an einer Grenzfläche eines zweiten zu verklebenden Elementes mit der Klebeschicht derart, dass die eine Klebeschicht die eine erste Sensoreinheit fixiert und ein Sensor der einen ersten Sensoreinheit die Klebeschicht derart kontaktiert, dass mindestens alle für die Erfüllung des Messprinzips des Sensors notwendigen Bereiche des Sensors eine wechselseitig stoffschlüssig-verbindend ausgebildete Grenzfläche zu der Klebeschicht ausbilden. Die eine erste Sensoreinheit ragt dabei derart aus der Klebeschicht heraus, dass die eine erste Sensoreinheit signal- und energieleitend mit einer ersten Leitungseinheit verbunden werden kann. Nachfolgend wird die auf einem ersten zu verklebenden Element oder auf einem zweiten zu verklebenden Element aufgetragene und die eine erste Sensoreinheit fixierende Klebeschicht stoffschlüssig verbunden mit einem zweiten zu verklebenden Element über eine Grenzfläche des zweiten zu verklebenden Elementes mit der Klebeschicht, oder mit einem ersten zu verklebenden Element über eine Grenzfläche des ersten zu verklebenden Elementes mit der Klebeschicht. Nachfolgend wird die Klebeschicht zur Aushärtung gebracht.
  • In einer Variante des Verfahrens kann die Klebeschicht zur Verbesserung der Haftung und oder der Einbettung der einen ersten Sensoreinheit in die Klebeschicht entweder zusätzlich zu dem oben beschriebenen Verfahren, oder weiterhin alternativ anstelle des oben beschriebenen Verfahrens alleinig, auf die eine erste Sensoreinheit aufgetragen werden.
  • Als geeignete Verfahren zum Aufbringen der Klebeschicht werden beispielsweise manuelle Verfahren, sowie beliebige automatisierte oder halb-automatisierte Drucktechniken eingesetzt, insbesondere Siebdruck, Inkjet, Mikrodosierung von Flüssigkeiten oder andere gängige Alternativen.
  • Weiterhin können andere Verfahren zur Ausbildung einer stoffschlüssigen Verbindung zwischen einem ersten zu verklebenden Element und einem zweiten zu verklebenden Element angewendet werden, wie beispielsweise Lötungen, keramische Bindungen oder Nicht-Mehrkomponentenkleber zur Verbindung der einzelnen Elemente der Einheit der Anlage der Halbleitertechnologie verwendet werden. Ebenfalls können an unterschiedlichen Orten an zwei miteinander zu verklebenden Elementen unterschiedliche Arten von Klebeschichten und Verfahren zur Herstellung von stoffschlüssigen Verbindungen verwendet werden.
  • In einer weiteren erfindungsgemäßen Ausführungsform des Verfahrens wird eine erste Sensoreinheit und eine zweite Sensoreinheit innerhalb einer Einheit einer Anlage der Halbleitertechnologie montiert. In einer ersten Variante eines derartigen Verfahrens wird eine erste Sensoreinheit gemäß dem Verfahren der vorangegangenen Abschnitte in eine Klebeschicht innerhalb einer Einheit integriert. Weiterhin wird mindestens eine zweite Sensoreinheit bereitgestellt und innerhalb derselben Einheit derart montiert, dass die eine zweite Sensoreinheit so gelagert ist, dass alle zur Messung der chemischen und/oder physikalischen Eigenschaften und zur vollständigen Erfüllung des Messprinzips verwendeten Bereiche der einen zweiten Sensoreinheit eine Grenzfläche ausbilden zu einem die Klebeschicht kontaktierenden Medium, wobei die Klebeschicht die eine erste Sensoreinheit fixiert. Die Montage der mindestens einen zweiten Sensoreinheit kann dabei an dafür geeigneten und frei wählbaren Positionen und Elementen der Einheit der Anlage der Halbleitertechnologie derart erfolgen, dass die Funktionsfähigkeit der Einheit nicht eingeschränkt wird. Wie bereits weiter oben erwähnt, kann es sich bei dem durch die eine zweiten Sensoreinheit zu messenden Medium um unterschiedliche Arten von Umgebungsmedien handeln.
  • In einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltungdes erfindungsgemäßen Verfahrens wird die jeweils separat gemäß den oben angegebenen Verfahren realisierte eine erste Sensoreinheit und die eine zweite Sensoreinheit signal- und energieleitend verbunden mit jeweils einer ersten Leitungseinheit und einer zweiten Leitungseinheit. Weiterhin wird die gemäß den oben angegebenen Verfahren hergestellten erste Leitungseinheit und die eine zweite Leitungseinheit signal- und energieleitend verbunden mit jeweils mindestens einer ersten Leitungsschnittstelleneinheit und einer zweiten Leitungsschnittstelleneinheit, um eine Signaltransmission zu einer externen Datenauswerteeinheit sicherzustellen, welche nicht Teil der Erfindung ist.
  • Die Reihenfolge der Bereitstellung und Montage der einen ersten Sensoreinheit und der einen zweiten Sensoreinheit ist für die Realisation des erfindungsgemäßen Verfahrens nicht notwendigerweise relevant und kann beliebig gewählt werden.
  • Wie weiter oben beschrieben, kann zum Zwecke der Erhöhung der Flexibilität der Montage sowie der Anwendbarkeit der Sensorik während der Montage das Verbinden einer ersten Leitungsschnittstelleneinheit mit einer ersten Leitungseinheit, sowie das Verbinden einer ersten Leitungseinheit mit einer ersten Sensoreinheit in jeder beliebigen Reihenfolge vor, während oder nach einer Montage einer ersten Sensoreinheit in der Einheit der Anlage der Halbleitertechnologie erfolgen. Gleiches gilt für die Montage der einen zweiten Leitungsschnittstelleneinheit, der einen zweiten Leitungseinheit, sowie der einen zweiten Sensoreinheit.
  • In einer weiteren Variante des Verfahrens erfolgt eine Herstellung der signal- und/oder energieleitenden Verbindung zwischen einer Sensoreinheit und einer Leitungseinheit vorgängig zum Aufbringen oder Einbetten einer Sensoreinheit auf ein erstes oder zweites Element. Dies erlaubt eine erhöhte Flexibilität bei der Montage der Elemente und der Sensoren, sowie eine Anwendung der Sensoren noch während der Verfahrensschritte der Montage.
  • Ein erstes Verfahren zur Messung von chemischen und/oder physikalischen Eigenschaften einer Klebeschicht und/oder eines die Klebeschicht kontaktierenden Mediums mittels der weiter oben beschriebenen erfindungsgemäßen Vorrichtung zeichnet sich dadurch aus, dass innerhalb einer Einheit für eine Anlage der Halbleitertechnologie mittels der von einer ersten Sensoreinheit erzeugten Messsignale Informationen über die chemischen und/oder physikalischen Eigenschaften einer Klebeschicht an einer Grenzfläche gemessen werden, wobei die eine Grenzfläche zwischen allen für die Erfüllung des Messprinzips eines Sensors einer Sensoreinheit notwendigen Bereichen und der entsprechenden Klebeschicht ausgebildet wird, und dass mittels der von einer zweiten Sensoreinheit erzeugten Messsignale Informationen über die chemischen und/oder physikalischen Eigenschaften eines Mediums an einer Grenzfläche gemessen werden, wobei die eine Grenzfläche zwischen allen für die Erfüllung des Messprinzips eines Sensors der einen zweiten Sensoreinheit notwendigen Bereichen und dem eine Klebeschicht kontaktierenden Medium ausgebildet wird, wobei die Klebeschicht die eine erste Sensoreinheit fixiert.
  • Ein weiteres erfindungsgemäßes Verfahren zur sensorischen Messung von chemischen und/oder physikalischen Eigenschaften einer Klebeschicht und/oder eines die Klebeschicht kontaktierenden Mediums in einer Einheit für eine Anlage der Halbleitertechnologie zeichnet sich dadurch aus, dass mindestens eine erste Sensoreinheit und mindestens eine zweite Sensoreinheit Messsignale erzeugen, welche zur Bildung von beliebigen arithmetischen Kombinationen von Messsignalen der einen ersten Sensoreinheit und/oder der einen zwei Sensoreinheiten verwendet werden können. Dabei können die Signale der mindestens einen ersten Sensoreinheit und der mindestens einen zweiten Sensoreinheit auch einzeln ausgewertet werden. Es ist vorgesehen, dass Messignale von beliebigen in eine Klebeschichte eingebetteten ersten Sensoreinheiten arithmetisch kombiniert werden können. Weiterhin ist vorgesehen, dass Messsignale von außerhalb einer Klebeschicht befindlichen zweiten Sensoreinheiten arithmetisch kombiniert werden können. Ebenfalls können Messsignale von Sensoreinheiten innerhalb von einer Klebeschicht arithmetisch kombiniert werden mit Messsignalen von Sensoreinheiten außerhalb von Klebeschichten.
  • In einer weiteren erfindungsgemäßen Ausführung des Verfahrens zur sensorischen Messung von chemischen und/oder physikalischen Eigenschaften mindestens einer Klebeschicht und/oder eines die Klebeschicht kontaktierenden Mediums in einer Einheit für eine Anlage der Halbleitertechnologie werden von der einen ersten Sensoreinheit sowie von der einen zweiten Sensoreinheit verschiedene Formen von Messsignalen erzeugt, beispielsweise statische Messsignale, dynamische Messsignale und/oder eine beliebige Kombination aus statischen und dynamischen Messsignalen. Weiterhin können die Messsignale in einer von außerhalb und innerhalb der Einheit der Anlage der Halbleitertechnologie ausgelösten, getriggerten Form erfasst werden.
  • In einer weiteren erfindungsgemäßen Ausführung des Verfahrens zur sensorischen Messung von chemischen und/oder physikalischen Eigenschaften einer Klebeschicht und/oder eines die Klebeschicht kontaktierenden Mediums in einer Einheit für eine Anlage der Halbleitertechnologie werden die Messsignale während jeder Zeit in einer sich außerhalb einer Anlage der Halbleitertechnologie befindlichen Einheit gemessen. Hierdurch können Veränderungen in den Eigenschaften einer Klebeschicht und/oder eines die Klebeschicht kontaktierenden Mediums innerhalb der Einheit ermittelt werden, welche beispielsweise durch Reinigungsarbeiten, Wartungsarbeiten, Montagearbeiten an allen optischen und mechanischen Komponenten der Einheiten, oder Montagearbeiten an einer Klebeschicht mindestens einer Komponente der Einheiten während aller weiter oben beschriebenen Verfahrensschritte hervorgerufen werden. Die Benennung der oben angegebenen Arbeitsschritte ist hierbei nur beispielhaft zu verstehen. Grundsätzlich kann eine erfindungsgemäße Vorrichtung während aller bekannten Arbeiten in oder an einer Einheiten einer Anlage der Halbleitertechnologie verwendet werden.
  • Ein weiterer Aspekt der Erfindung betrifft eine Einheit einer Anlage der Halbleitertechnologie, welche dadurch gekennzeichnet ist, dass die Einheit eine erfindungsgemäße Vorrichtung umfasst. Eine erfindungsgemäße Einheit kann aus mehreren Elementen zusammengesetzt sein, wobei ein Element einer Einheit ein optisches Element, beispielsweise ein Spiegel, eine Linse, ein Spiegelarray, oder ein diffraktives optisches Element sein kann. Ein weiteres Element einer Einheit kann ein mechanisches Element sein, beispielsweise eine Fassung oder ein Rahmen. Ein weiteres Element einer Einheit kann ein mechatronisches Element und/oder ein elektronisches Element sein. Weiterhin kann eine Einheit aus einer beliebigen Kombination von optischen Elementen, mechanischen Elementen und mechatronischen und/oder elektronischen Elementen bestehen.
  • Ein weiterer Aspekt der Erfindung betrifft eine Anlage der Halbleitertechnologie, welche dadurch gekennzeichnet ist, dass die Anlage der Halbleitertechnologie eine erfindungsgemäße Vorrichtung umfasst.
  • Gemäß einer ersten Ausführungsform ist eine derartige Anlage der Halbleitertechnologie eine Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie, insbesondere für die EUV-Halbleiterlithographie, weiter insbesondere für die DUV-Halbleiterlithographie.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist die Komponente ein Teil einer Waferinspektionsanlage für die Halbleiterlithographie.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist die Komponente ein Teil einer Maskeninspektionsanlage für die Halbleiterlithographie.
  • Kurzbeschreibung der Figuren
  • Nachfolgend werden Ausführungsbeispiele und Varianten der Erfindung anhand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigen jeweils
    • 1 Schematischer Meridionalschnitt einer Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Mikrolithografie, inklusive einer Quelleinheit, einem Beleuchtungssystem, einer Projektionsoptik und einzelner Spiegelmodule
    • 2 Schematische Darstellung der erfindungsgemäßen Vorrichtung
    • 3 Schematische Darstellung einer weiteren Ausführungsform der erfindungsgemäßen Vorrichtung
    • 4 Schematische Darstellung einer weiteren Ausführungsform der erfindungsgemäßen Vorrichtung
    • 5 Schematische Darstellung einer Detailansicht der Leitungseinheit in einer weiteren Ausführungsform der erfindungsgemäßen Vorrichtung
    • 6 Schematische Darstellung einer Detailansicht der Leitungsschnittstelleneinheit in einer weiteren Ausführungsform der erfindungsgemäßen Vorrichtung
    • 7 Schematisches Blockdiagramm einer Ausführungsform eines Verfahrens zum Herstellen einer erfindungsgemäßen Vorrichtung
  • Ausführliche Bildbeschreibung
  • In 1 ist in einer schematischen Darstellung als eine Anlage der Halbleitertechnologie beispielhaft eine Projektionsbelichtungsanlage 100 für die EUV-Halbleiterlithographie gezeigt. Eine Anlage der Halbleitertechnologie kann ebenfalls eine Projektionsbelichtungsanlage für die DUV-Halbleiterlithographie sein. Eine Anlage der Halbleitertechnologie kann weiterhin eine Waferinspektionsanlage sein. Bei einer Anlage der Halbleitertechnologie kann es sich auch um eine Maskeninspektionsanlage handeln.
  • Im Folgenden werden zunächst unter Bezugnahme auf die 1 exemplarisch die wesentlichen Bestandteile einer Projektionsbelichtungsanlage 100 für die EUV-Halbleiterlithographie beschrieben.
  • Eine Ausführung eines Beleuchtungssystems 101 der Projektionsbelichtungsanlage 100 hat neben einer Strahlungsquelle 102 eine Beleuchtungsoptik 103 zur Beleuchtung eines Objektfeldes 104 in einer Objektebene 105. Bei einer alternativen Ausführung kann die Lichtquelle 102 auch als ein zum sonstigen Beleuchtungssystem separates Modul bereitgestellt sein. In diesem Fall umfasst das Beleuchtungssystem die Lichtquelle 102 nicht.
  • Beleuchtet wird ein im Objektfeld 104 angeordnetes Retikel 106. Das Retikel 106 ist von einem Retikelhalter 107 gehalten. Der Retikelhalter 107 ist über einen Retikelverlagerungsantrieb 108 insbesondere in mindestens einer Scanrichtung verlagerbar.
  • In der 1 ist zur Erläuterung ein kartesisches xyz-Koordinatensystem eingezeichnet. Die x-Richtung verläuft senkrecht zur Zeichenebene hinein. Die y-Richtung verläuft horizontal und die z-Richtung verläuft vertikal. Die Scanrichtung verläuft in der 1 längs der y-Richtung. Die z-Richtung verläuft senkrecht zur Objektebene 105.
  • Die Projektionsbelichtungsanlage 100 umfasst auch eine Projektionsoptik 109. Die Projektionsoptik 109 dient zur Abbildung des Objektfeldes 104 in ein Bildfeld 110 in einer Bildebene 111. Die Bildebene 111 verläuft parallel zur Objektebene 105. Alternativ ist auch ein von 0° verschiedener Winkel zwischen der Objektebene 105 und der Bildebene 111 möglich.
  • Abgebildet wird eine auf dem Retikel 106 befindliche Struktur auf eine lichtempfindliche Schicht eines im Bereich des Bildfeldes 110 in der Bildebene 111 angeordneten Substrates 112. In der Regel ist dieses Substrat 112 ein Wafer. Der Wafer 112 wird von einem Waferhalter 113 gehalten. Der Waferhalter 113 ist über einen Waferverlagerungsantrieb 114 mindestens in einer Raumrichtung, insbesondere längs der y-Richtung, verlagerbar. Die Verlagerung einerseits des Retikels 106 über den Retikelverlagerungsantrieb 108 und andererseits des Wafers 112 über den Waferverlagerungsantrieb 114 kann synchronisiert zueinander erfolgen.
  • Bei der Strahlungsquelle 102 handelt es sich um eine EUV-Strahlungsquelle. Die Strahlungsquelle 102 emittiert insbesondere EUV-Strahlung 115, welche im Folgenden auch als Nutzstrahlung, Beleuchtungsstrahlung oder Beleuchtungslicht bezeichnet wird. Die Nutzstrahlung hat insbesondere eine Wellenlänge im Bereich zwischen 5 nm und 30 nm. Bei der Strahlungsquelle 102 kann es sich um eine Plasmaquelle handeln, zum Beispiel um eine LPP-Quelle (Laser Produced Plasma, mithilfe eines Lasers erzeugtes Plasma) oder um eine GDPP-Quelle (Gas Discharged Produced Plasma, mittels Gasentladung erzeugtes Plasma). Es kann sich auch um eine synchrotronbasierte Strahlungsquelle handeln. Bei der Strahlungsquelle 102 kann es sich um einen Freie-Elektronen-Laser (Free-Electron-Laser, FEL) handeln.
  • Die Beleuchtungsstrahlung 115, die von der Strahlungsquelle 102 ausgeht, wird von einem Kollektor 116 gebündelt. Bei dem Kollektor 116 kann es sich um einen Kollektor mit einer oder mit mehreren ellipsoidalen und/oder hyperboloiden Reflexionsflächen handeln. Die mindestens eine Reflexionsfläche des Kollektors 116 kann im streifenden Einfall (Grazing Incidence, GI), also mit Einfallswinkeln größer als 45° gegenüber der Normalenrichtung der Spiegeloberfläche, oder im normalen Einfall (Normal Incidence, NI), also mit Einfallwinkeln kleiner als 45°, mit der Beleuchtungsstrahlung 115 beaufschlagt werden. Der Kollektor 116 kann einerseits zur Optimierung seiner Reflektivität für die Nutzstrahlung und andererseits zur Unterdrückung von Falschlicht strukturiert und/oder beschichtet sein.
  • Nach dem Kollektor 116 propagiert die Beleuchtungsstrahlung 115 durch einen Zwischenfokus in einer Zwischenfokusebene 117. Die Zwischenfokusebene 117 kann eine Trennung zwischen einem Strahlungsquellenmodul, aufweisend die Strahlungsquelle 102 und den Kollektor 116, und der Beleuchtungsoptik 103 darstellen.
  • Die Beleuchtungsoptik 103 umfasst einen Umlenkspiegel 118 und diesem im Strahlengang nachgeordnet einen ersten Facettenspiegel 119. Bei dem Umlenkspiegel 118 kann es sich um einen planen Umlenkspiegel oder alternativ um einen Spiegel mit einer über die reine Umlenkungswirkung hinaus bündelbeeinflussenden Wirkung handeln. Alternativ oder zusätzlich kann der Umlenkspiegel 118 als Spektralfilter ausgeführt sein, der eine Nutzlichtwellenlänge der Beleuchtungsstrahlung 115 von Falschlicht einer hiervon abweichenden Wellenlänge trennt. Sofern der erste Facettenspiegel 119 in einer Ebene der Beleuchtungsoptik 103 angeordnet ist, die zur Objektebene 105 als Feldebene optisch konjugiert ist, wird dieser auch als Feldfacettenspiegel bezeichnet. Der erste Facettenspiegel 119 umfasst eine Vielzahl von einzelnen ersten Facetten 120, welche im Folgenden auch als Feldfacetten bezeichnet werden. Von diesen Facetten 120 sind in der 1 nur beispielhaft einige dargestellt.
  • Die ersten Facetten 120 können als makroskopische Facetten ausgeführt sein, insbesondere als rechteckige Facetten oder als Facetten mit bogenförmiger oder teilkreisförmiger Randkontur. Die ersten Facetten 120 können als plane Facetten oder alternativ als konvex oder konkav gekrümmte Facetten ausgeführt sein.
  • Wie beispielsweise aus der [ DE 10 2008 009 600 A1 ] bekannt ist, können die ersten Facetten 120 selbst jeweils auch aus einer Vielzahl von Einzelspiegeln, insbesondere einer Vielzahl von Mikrospiegeln, zusammengesetzt sein. Der erste Facettenspiegel 119 kann insbesondere als mikroelektromechanisches System (MEMS-System) ausgebildet sein. Für Details wird auf die [ DE 10 2008 009 600 A1 ] verwiesen.
  • Zwischen dem Kollektor 116 und dem Umlenkspiegel 118 verläuft die Beleuchtungsstrahlung 115 horizontal, also längs der y-Richtung.
  • Im Strahlengang der Beleuchtungsoptik 103 ist dem ersten Facettenspiegel 119 nachgeordnet ein zweiter Facettenspiegel 121. Sofern der zweite Facettenspiegel 121 in einer Pupillenebene der Beleuchtungsoptik 103 angeordnet ist, wird dieser auch als Pupillenfacettenspiegel bezeichnet. Der zweite Facettenspiegel 121 kann auch beabstandet zu einer Pupillenebene der Beleuchtungsoptik 103 angeordnet sein. In diesem Fall wird die Kombination aus dem ersten Facettenspiegel 119 und dem zweiten Facettenspiegel 121 auch als spekularer Reflektor bezeichnet. Spekulare Reflektoren sind bekannt aus der US [2006/0132747 A1 ], der [ EP 1 614 008 B1 ] und der [ US 6,573,978 ].
  • Der zweite Facettenspiegel 121 umfasst eine Mehrzahl von zweiten Facetten 122. Die zweiten Facetten 122 werden im Falle eines Pupillenfacettenspiegels auch als Pupillenfacetten bezeichnet.
  • Bei den zweiten Facetten 122 kann es sich ebenfalls um makroskopische Facetten, die beispielsweise rund, rechteckig oder auch hexagonal berandet sein können, oder alternativ um aus Mikrospiegeln zusammengesetzte Facetten handeln. Diesbezüglich wird ebenfalls auf die [ DE 10 2008 009 600 A1 ] verwiesen.
  • Die zweiten Facetten 122 können plane oder alternativ konvex oder konkav gekrümmte Reflexionsflächen aufweisen.
  • Die Beleuchtungsoptik 103 bildet somit ein doppelt facettiertes System. Dieses grundlegende Prinzip wird auch als Wabenkondensor (Fly's Eye Integrator) bezeichnet.
  • Es kann vorteilhaft sein, den zweiten Facettenspiegel 121 nicht exakt in einer Ebene, welche zu einer Pupillenebene der Projektionsoptik 109 optisch konjugiert ist, anzuordnen. Insbesondere kann der Pupillenfacettenspiegel 121 gegenüber einer Pupillenebene der Projektionsoptik 109 verkippt angeordnet sein, wie es zum Beispiel in der [ DE 10 2017 220 586 A1 ] beschrieben ist.
  • Mit Hilfe des zweiten Facettenspiegels 121 werden die einzelnen ersten Facetten 120 in das Objektfeld 104 abgebildet. Der zweite Facettenspiegel 121 ist der letzte bündelformende oder auch tatsächlich der letzte Spiegel für die Beleuchtungsstrahlung 115 im Strahlengang vor dem Objektfeld 104.
  • Bei einer weiteren, nicht dargestellten Ausführung der Beleuchtungsoptik 103 kann im Strahlengang zwischen dem zweiten Facettenspiegel 121 und dem Objektfeld 104 eine Übertragungsoptik angeordnet sein, die insbesondere zur Abbildung der ersten Facetten 120 in das Objektfeld 104 beiträgt. Die Übertragungsoptik kann genau einen Spiegel, alternativ aber auch zwei oder mehr Spiegel aufweisen, welche hintereinander im Strahlengang der Beleuchtungsoptik 103 angeordnet sind. Die Übertragungsoptik kann insbesondere einen oder zwei Spiegel für senkrechten Einfall (NI-Spiegel, Normal Incidence Spiegel) und/oder einen oder zwei Spiegel für streifenden Einfall (Gl-Spiegel, Grazing Incidence Spiegel) umfassen.
  • Die Projektionsbelichtungsanlage 100 umfasst eine Mehrzahl von Spiegeln Mi, welche gemäß ihrer Anordnung im Strahlengang der Projektionsbelichtungsanlage 100 durchnummeriert sind.
  • Die Beleuchtungsoptik 103 hat bei der Ausführung, die in der 1 gezeigt ist, nach dem Kollektor 116 (M1) genau drei Spiegel, nämlich den Umlenkspiegel 118 (M2), den Feldfacettenspiegel 119 (M3) und den Pupillenfacettenspiegel 121 (M4).
  • Bei einer weiteren Ausführung der Beleuchtungsoptik 103 kann der Umlenkspiegel 118 auch entfallen, so dass die Beleuchtungsoptik 103 nach dem Kollektor 116 dann genau zwei Spiegel aufweisen kann, nämlich den ersten Facettenspiegel 119 und den zweiten Facettenspiegel 121.
  • Die Abbildung der ersten Facetten 120 mittels der zweiten Facetten 122 beziehungsweise mit den zweiten Facetten 12 und einer Übertragungsoptik in die Objektebene 105 ist regelmäßig nur eine näherungsweise Abbildung.
  • Bei dem in der 1 dargestellten Beispiel umfasst die Projektionsoptik 109 sechs Spiegel M6 bis M11. Alternativen mit vier, acht, zehn, zwölf oder einer anderen Anzahl an Spiegeln Mi sind ebenso möglich. Der vorletzte Spiegel M10 und der letzte Spiegel M11 haben jeweils eine Durchtrittsöffnung für die Beleuchtungsstrahlung 115. Bei der Projektionsoptik 109 handelt es sich um eine doppelt obskurierte Optik. Die Projektionsoptik 109 hat eine bildseitige numerische Apertur, die größer ist als 0,5 und die auch größer sein kann als 0,6 und die beispielsweise 0,7 oder 0,75 betragen kann.
  • Reflexionsflächen der Spiegel Mi können als Freiformflächen ohne Rotationssymmetrieachse ausgeführt sein. Alternativ können die Reflexionsflächen der Spiegel Mi als asphärische Flächen mit genau einer Rotationssymmetrieachse der Reflexionsflächenform gestaltet sein. Die Spiegel Mi können, genauso wie die Spiegel der Beleuchtungsoptik 103, hoch reflektierende Beschichtungen für die Beleuchtungsstrahlung 115 aufweisen. Diese Beschichtungen können als Multilayer-Beschichtungen, insbesondere mit alternierenden Lagen aus Molybdän und Silizium, gestaltet sein.
  • Die Projektionsoptik 109 hat einen großen Objekt-Bildversatz in der y-Richtung zwischen einer y-Koordinate eines Zentrums des Objektfeldes 104 und einer y-Koordinate des Zentrums des Bildfeldes 110. Dieser Objekt-Bild-Versatz in der y-Richtung kann in etwa so groß sein wie ein z-Abstand zwischen der Objektebene 105 und der Bildebene 111.
  • Die Projektionsoptik 109 kann insbesondere anamorphotisch ausgebildet sein. Sie weist insbesondere unterschiedliche Abbildungsmaßstäbe βx, βy in x- und y-Richtung auf. Die beiden Abbildungsmaßstäbe βx, βy der Projektionsoptik 109 liegen bevorzugt bei (βx, βy) = (+/- 0,25, +/- 0,125). Ein positiver Abbildungsmaßstab β bedeutet eine Abbildung ohne Bildumkehr. Ein negatives Vorzeichen für den Abbildungsmaßstab β bedeutet eine Abbildung mit Bildumkehr.
  • Die Projektionsoptik 109 führt somit in x-Richtung, das heißt in Richtung senkrecht zur Scanrichtung, zu einer Verkleinerung im Verhältnis 4:1.
  • Die Projektionsoptik 109 führt in y-Richtung, das heißt in Scanrichtung, zu einer Verkleinerung von 8:1.
  • Andere Abbildungsmaßstäbe sind ebenso möglich. Auch vorzeichengleiche und absolut gleiche Abbildungsmaßstäbe in x- und y-Richtung, zum Beispiel mit Absolutwerten von 0,125 oder von 0,25, sind möglich.
  • Die Anzahl von Zwischenbildebenen in der x- und in der y-Richtung im Strahlengang zwischen dem Objektfeld 104 und dem Bildfeld 110 kann gleich sein oder kann, je nach Ausführung der Projektionsoptik 109, unterschiedlich sein. Beispiele für Projektionsoptiken mit unterschiedlichen Anzahlen derartiger Zwischenbilder in x- und y-Richtung sind bekannt aus der [ US 2018/0074203 A1 ].
  • Jeweils eine der Pupillenfacetten 122 ist genau einer der Feldfacetten 120 zur Ausbildung jeweils eines Beleuchtungskanals zur Ausleuchtung des Objektfeldes 104 zugeordnet. Es kann sich hierdurch insbesondere eine Beleuchtung nach dem Köhlerschen Prinzip ergeben. Das Fernfeld wird mit Hilfe der Feldfacetten 120 in eine Vielzahl an Objektfeldern 104 zerlegt. Die Feldfacetten 120 erzeugen eine Mehrzahl von Bildern des Zwischenfokus auf den diesen jeweils zugeordneten Pupillenfacetten 122.
  • Die Feldfacetten 120 werden jeweils von einer zugeordneten Pupillenfacette 122 einander überlagernd zur Ausleuchtung des Objektfeldes 104 auf das Retikel 106 abgebildet. Die Ausleuchtung des Objektfeldes 104 ist insbesondere möglichst gleichmäßig. Sie weist vorzugsweise einen Uniformitätsfehler von weniger als 2 % auf. Die Felduniformität kann über die Überlagerung unterschiedlicher Beleuchtungskanäle erreicht werden.
  • Durch eine Anordnung der Pupillenfacetten kann geometrisch die Ausleuchtung der Eintrittspupille der Projektionsoptik 109 definiert werden. Durch Auswahl der Beleuchtungskanäle, insbesondere der Teilmenge der Pupillenfacetten, die Licht führen, kann die Intensitätsverteilung in der Eintrittspupille der Projektionsoptik 109 eingestellt werden. Diese Intensitätsverteilung wird auch als Beleuchtungssetting bezeichnet.
  • Eine ebenfalls bevorzugte Pupillenuniformität im Bereich definiert ausgeleuchteter Abschnitte einer Beleuchtungspupille der Beleuchtungsoptik 103 kann durch eine Umverteilung der Beleuchtungskanäle erreicht werden.
  • Im Folgenden werden weitere Aspekte und Details der Ausleuchtung des Objektfeldes 104 sowie insbesondere der Eintrittspupille der Projektionsoptik 109 beschrieben.
  • Die Projektionsoptik 109 kann insbesondere eine homozentrische Eintrittspupille aufweisen. Diese kann zugänglich sein. Sie kann auch unzugänglich sein.
  • Die Eintrittspupille der Projektionsoptik 109 lässt sich regelmäßig mit dem Pupillenfacettenspiegel 121 nicht exakt ausleuchten. Bei einer Abbildung der Projektionsoptik 109, welche das Zentrum des Pupillenfacettenspiegels 121 telezentrisch auf den Wafer 112 abbildet, schneiden sich die Aperturstrahlen oftmals nicht in einem einzigen Punkt. Es lässt sich jedoch eine Fläche finden, in welcher der paarweise bestimmte Abstand der Aperturstrahlen minimal wird. Diese Fläche stellt die Eintrittspupille oder eine zu ihr konjugierte Fläche im Ortsraum dar. Insbesondere zeigt diese Fläche eine endliche Krümmung.
  • Es kann sein, dass die Projektionsoptik 109 unterschiedliche Lagen der Eintrittspupille für den tangentialen und für den sagittalen Strahlengang aufweist. In diesem Fall sollte ein abbildendes Element, insbesondere ein optisches Bauelement der Übertragungsoptik, zwischen dem zweiten Facettenspiegel 121 und dem Retikel 106 bereitgestellt werden. Mit Hilfe dieses optischen Elements kann die unterschiedliche Lage der tangentialen Eintrittspupille und der sagittalen Eintrittspupille berücksichtigt werden.
  • Bei der in der 1 dargestellten Anordnung der Komponenten der Beleuchtungsoptik 103 ist der Pupillenfacettenspiegel 121 in einer zur Eintrittspupille der Projektionsoptik 109 konjugierten Fläche angeordnet. Der Feldfacettenspiegel 119 ist verkippt zur Objektebene 105 angeordnet. Der erste Facettenspiegel 119 ist verkippt zu einer Anordnungsebene angeordnet, die vom Umlenkspiegel 118 definiert ist.
  • Der erste Facettenspiegel 119 ist verkippt zu einer Anordnungsebene angeordnet, die vom zweiten Facettenspiegel 121 definiert ist.
  • 2 zeigt ein erstes Ausführungsbeispiel einer Vorrichtung 200 zur sensorischen Messung von chemischen und/oder physikalischen Eigenschaften einer Klebeschicht innerhalb einer Anlage der Halbleitertechnologie. In der gezeigten Ausführungsform sind zwei Elemente 201 und 202 über eine Klebeschicht 203 an jeweils einer Grenzfläche 204 und 220 miteinander verbunden. Bei den Elementen 201 und 202 kann es sich jeweils unabhängig voneinander um optische, mechanische, mechatronische oder elektronische Elemente handeln.
  • In einer speziellen Ausführungsform ist eines der zu verklebenden Elemente 201 und 202 ein optisches Element und das jeweils andere Element ein mechanisches Element, beispielsweise eine Fassung. In alternativen Ausführungsformen können die zu verklebenden Elemente 201 und 202 auch derselben Art sein. Grundsätzlich bestehen keine Beschränkungen in Bezug auf die Anwendbarkeit der erfindungsgemäßen Vorrichtung für die Wahl der Art der zu verklebenden Elemente 201 und 202. Dies gilt für alle im Folgenden gezeigten Ausführungsformen, welche die zu verklebenden Elemente 201 und 202 beinhalten.
  • Eine erste Sensoreinheit 205 ist derart in eine Klebeschicht 203 eingebettet, dass alle für die Erfüllung des Messprinzips der einen ersten Sensoreinheit 205 relevanten Bereiche eine Grenzfläche zur Klebeschicht 203 ausbilden. Die eine erste Sensoreinheit 205 ist somit teilweise von der Klebeschicht 203 umgeben und ist zwischen den Grenzflächen 204 und 220 gelagert. In der gezeigten Ausführungsform ist die eine erste Sensoreinheit 205 geeignet, Messsignale über chemische und/oder physikalische Eigenschaften einer Klebeschicht 203 zu messen, welche zwischen den zu verklebenden Elementen 201 und 202 angeordnet ist und die zu verklebenden Elemente 201 und 202 miteinander stoffschlüssig verbindet. Verändern sich die chemischen und/oder physikalischen Eigenschaften der Klebeschicht 203, können Rückschlüsse auf Eigenschaften der Klebeschicht 203 gewonnen werden, um beispielsweise die Stabilität der Klebeschicht 203 zu beurteilen.
  • In weiteren Ausführungsformen können mehrere Sensoreinheiten 205 in einer Klebeschicht 203 derart integriert werden, dass die ermittelten Sensorsignale eine räumliche Auflösung der chemischen und/oder physikalischen Eigenschaften der Klebeschicht 203 ermöglichen.
  • Die Klebeschicht 203 hat innerhalb beispielsweise einer Einheit M1-M11 zumindest teilweise Kontakt zu einem Medium 209. Das Medium 209 kann unterschiedliche chemische und/oder physikalische Eigenschaften, Bedingungen und Zusammensetzungen aufweisen. Beispielsweise kann das Medium 209 sowohl gasförmige als auch flüssige Bestandteile oder Aerosole enthalten und Temperaturen in einem breiten Temperaturbereich im Vergleich zu Standardbedingungen aufweisen. Vorzugsweise werden Temperaturen im Bereich 173 K-500 K gemessen, insbesondere 250 K-400 K. Insbesondere kann das Medium 209 ganz oder teilweise aus gasförmigen Medien wie Stickstoff, Kohlenstoffdioxid, Edelgasen, sowie aus Wasser oder Wasserstoff bestehen. Es ist auch möglich, dass das Medium 209 Bestandteile organischer Verbindungen wie beispielsweise Lösemitteln aus der Klebeschicht 203 oder aus Reinigungsprozessen enthält. Alternativ kann es sich bei dem Medium 209 um ein, im Vergleich zu die Einheiten M1-M11 umgebenden Medien, mit variablem Unter- oder Überdruck im Vergleich zu Standardbedingungen beaufschlagtes Medium handeln. Vorzugsweise werden Drücke zwischen 10-6 mbar und 2 bar verwendet, insbesondere10-4 mbar und 2 bar, weiter insbesondere 10-2 mbar und 2 bar.
  • Die eine erste Sensoreinheit 205 ist über eine erste Leitungseinheit 207 mit einer ersten Leitungsschnittstelleneinheit 208 signal- und energieleitend verbunden. Weiterhin umfasst die Vorrichtung 200 eine erste Leitungsschnittstelleneinheit 208 zur Übergabe der von der einen ersten Sensoreinheit 205 gemessenen Signale an geeignete Leitungselemente außerhalb der Einheiten M1-M11.
  • 3 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel der Vorrichtung 200, welches im Vergleich zur in 2 dargestellten Variante eine erste Sensoreinheit 205 und eine zweite Sensoreinheit 217 umfasst. Die eine erste Sensoreinheit 205 kontaktiert dabei die Klebeschicht 203, während die eine zweite Sensoreinheit 217 das Medium 209 kontaktiert. Eine erste Sensoreinheit 205 ist dabei analog der Ausführungsform von 2 ausgestaltet und misst somit chemische und/oder physikalische Eigenschaften einer Klebeschicht 203, welche sich teilweise zwischen dem einen ersten zu verklebenden Element 201 und dem einen zweiten zu verklebenden Element 202 befindet. Eine zweite Sensoreinheit 217 ist hingegen derart innerhalb einer Einheit M1-M11 lokalisiert, dass alle zur Erfüllung des Messprinzips der einen ersten Sensoreinheit 205 notwendigen Bereiche der einen zweiten Sensoreinheit 217 ein Medium 209 kontaktieren.
  • Die eine zweite Sensoreinheit 217 ist ebenfalls über eine zweite Leitungseinheit 218 und weiterhin über eine zweite Leitungsschnittstelleneinheit 219 derart verbunden, dass Signale der einen zweiten Sensoreinheit 217 signal- und energieleitend zu außerhalb gelegenen Bereichen der Einheiten M1-M11 übergeben werden können.
  • In einer speziellen Ausführungsform ist die eine zweite Sensoreinheit 217 derart gelagert, dass das die eine zweite Sensoreinheit 217 umgebende Medium 209 in direkter Umgebung zu einer eine erste Sensoreinheit 205 umfassenden Klebeschicht 203 angeordnet ist. Die in dieser Ausführungsform von der einen ersten Sensoreinheit 205 und der einen zweiten Sensoreinheit 217 erhaltenen Messwerte erlauben somit einen direkten Vergleich und eine Korrelation der gemessenen chemischen und/oder physikalischen Eigenschaften innerhalb einer Klebeschicht 203 und außerhalb eines die Klebeschicht kontaktierenden Mediums 209.
  • Die eine erste Sensoreinheit 205 und die eine zweite Sensoreinheit 217 können dabei jede mögliche Kombination von statischen und/oder dynamischen Messsignalen messen, sodass eine zeitliche Entwicklung der chemischen und/oder physikalischen Eigenschaften verfolgt werden kann. In einer weiteren speziellen Variante der gezeigten Ausführungsform werden unterschiedliche Anzahlen und räumliche Anordnungen der einen ersten Sensoreinheit 205 und der einen zweiten Sensoreinheit 217 verwendet, um sowohl eine räumliche Auflösung der chemischen und/oder physikalischen Eigenschaften der Klebeschicht 203, als auch des die Klebeschicht 203 umgebenden Mediums 209 zu erhalten.
  • 4 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel der Vorrichtung 200, wobei der Übersichtlichkeit halber die eine erste Leitungseinheit 207, sowie die eine erste Leitungsschnittstelleneinheiten 208 nicht gezeigt werden. In der gezeigten Ausführung verbinden das erste zu verklebende Element 201 und das eine zweite zu verklebende Element 202 mehrere Klebeschichten 203, jeweils über eine Grenzfläche 204 und eine Grenzfläche 220. Eine erste Klebeschicht 203 beinhaltet dabei eine erste Sensoreinheit 205 mit einem beispielhaft gezeigten Sensor 206, der an allen für die Erfüllung des Messprinzips des Sensors 206 notwendigen Bereichen der einen ersten Sensoreinheit 205 von der Klebeschicht 203 umschlossen ist. Die eine erste Sensoreinheit 205 kann mehrere derartige Sensoren 206 umfassen, welche unterschiedliche räumliche Bereiche der Klebeschicht 203 kontaktieren können sowie frei wählbare Abstände und Orientierungen zueinander haben können. Wie weiter oben beschrieben, können auch mehrere derartige Sensoreinheiten 205 entweder in derselben Klebeschicht 203, oder in frei wählbaren unterschiedlichen Klebeschichten 203 zum Einsatz kommen. Die einzelnen Klebeschichten 203 sind zueinander beabstandet, wobei die Abstände zwischen jeweils zwei einzelnen Klebeschichten 203 nicht notwendigerweise gleich sein müssen. Zwischen den Klebeschichten 203 sind Hohlräume 216 ausgebildet, welche in der Regel mit gasförmigen Medien gefüllt sind. Mindestens zeitweise können in den Hohlräumen 216 aber auch flüssige und/oder gasförmige Medien und/oder Aerosole vorhanden sein. Dies gilt insbesondere für die aus dem Stand der Technik bekannten Anwendungsfälle der Arbeiten an und mit Anlagen der Halbleitertechnologie und oder deren einzelnen Elementen, welche Reinigungsarbeiten, Refurbishment-Arbeiten, Montagearbeiten, Wartungsarbeiten, oder verschiedene Arten von Störfällen umfassen. Refurbishment-Arbeiten für Elemente einer Projektionsbelichtungsanlage sind beispielsweise beschrieben in [ NL2010626A1 , US11340532 ].
  • Abhängig von der genauen Form der zu verklebenden Elemente 201 und 202 müssen die jeweiligen Schichtdicken der Klebeschichten 203 nicht identisch sein. In einer flächigen Ausführung der gezeigten Schnittdarstellung bildet sich ein quasizweidimensionales Array von Klebeschichten 203, welche die zu verklebenden Elemente 201 und 202 verbinden. Hierbei können die einzelnen Klebeschichten 203 isoliert voneinander vorliegen. In einer alternativen Anwendungsform können die Klebeschichten 203 mindestens teilweise miteinander verbunden sein. In einem speziellen Grenzfall können sich die einzelnen Klebeschichten 203 derart kontaktieren, dass sich eine durchgängige Klebeschicht 203 ausbildet. Die Form, der Strukturierungsgrad, und die örtliche Dicke der Klebeschichten 203 können variieren und hängen mindestens teilweise von den eingangs beschriebenen Applikationsformen der Klebeschicht 203 ab und können durch diese eingestellt werden.
  • 5 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel eines Teils der Vorrichtung 200, in der eine erste Sensoreinheit 205 über eine erste Leitungseinheit 207 mit einer Leitungschnittstelleneinheit 208 verbunden ist. Die erste Leitungseinheit 207 besteht dabei aus mehreren Signalleitungselementen 210 und Energieleitungselementen 212. Die Signalleitungselemente 210 können zur Leitung elektrischer und/oder elektromagnetischer und/oder optischer Signale dienen. Bei dem Signalleitungselement 210 kann es sich um ein Kabel und/oder um einen Lichtwellenleiter handeln. Die Signalleitungselemente 210 leiten die von der einen ersten Sensoreinheit 205 erfassten Signale an die eine erste Leitungsschnittstelleneinheit 208. Die Signalleitungselemente 210 können ebenfalls dazu benutzt werden, die Funktion der einen ersten Sensoreinheit 205 zu triggern, indem beispielsweise extern bereitgestellte Triggerimpulse über die eine erste Leitungsschnittstelleneinheit 208 und ein erstes Signalleitungselement 210 zur einen ersten Sensoreinheit 205 geleitet und dort verarbeitet werden.
  • In der gezeigten Ausführungsform umfasst die eine erste Leitungseinheit 207 weiterhin ein Verstärkungselement 211. Das Verstärkungselement 211 nimmt dabei über die Signalleitungselemente 210 die Signale der einen ersten Sensoreinheit 205 auf und gibt diese in verstärkter Form über Signalleitungselemente 210 an die eine erste Leitungsschnittstelleneinheit 208 weiter. Die notwendige Energie zum Betrieb des Verstärkungselementes 211 wird dabei über die Energieleitungselemente 212 bereitgestellt.
  • 6 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel eines Teils der Vorrichtung 200, in der die eine erste Leitungsschnittstelleneinheit 208 zusätzliche Elemente enthält. Die eine erste Leitungsschnittstelleneinheit 208 kann mindestens eine Übergabeschnittstelle zur Signalleitung 213 und/oder mindestens eine Übergabeschnittstelle zur Energieleitung 214 umfassen. Die Übergabeschnittstelle zur Signalleitung 213 und/oder die Übergabeschnittstelle zur Energieleitung 214 können dabei die weiter oben beschriebenen Ausgestaltungsformen physischer oder virtueller Natur aufweisen. Zusätzlich kann die eine erste Leitungsschnittstelleneinheit 208 ein Energiebevorratungs- und Energiebereitstellungselement 221 aufweisen. Es können Energiebevorratungs- und Energiebereitstellungselemente 221 die zum Betrieb einer ersten Sensoreinheit 205 und/oder einer zweiten Sensoreinheit 217, sowie der einen ersten Leitungseinheit 207 notwendige Energie bereitstellen. In einer Variante handelt es sich hierbei um eine physische Übergabeschnittstelle zur Energieleitung 214 zu außerhalb der Einheiten M1-M11 befindlichen Energiequellen. In einer weiteren Variante kann es sich bei den Energiequellen um Energiespeichereinheiten in Form von Batterien oder Akkumulatoren handeln. In einer weiteren speziellen Variante kann es sich bei den Energiequellen um Energy-Harvesting Elemente handeln, welche Energie in verschiedenen Ursprungsformen wie beispielsweise thermische Energie, Schwingungsenergie, Lichtenergie oder Strömungsenergie aus einem Medium 215 aufnimmt und in elektrische Energie umwandeln.
  • 7 zeigt ein schematisches Blockdiagramm einer Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Verfahrens zur Herstellung einer wie oben erläuterten Vorrichtung 200 zur Messung chemischer und/oder physikalischer Eigenschaften einer Klebeschicht 203 und/oder eines die Klebeschicht kontaktierenden Mediums 209 in einer Einheit einer Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie.
  • In einer ersten Ausführungsform wird zunächst eine erste Sensoreinheit 205, sowie ein erstes zu verklebendes Element 201, ein zweites zu verklebendes Element 202 und das Klebermaterial bereitgestellt (S1). Anschließend wird eine Klebeschicht 203 mittels eines geeigneten Verfahrens auf die zu verklebenden Elemente 201 und/oder 202 aufgetragen (S2) und die eine erste Sensoreinheit 205 in die Klebeschicht 203 derart eingebettet (S3), dass die Klebeschicht 203 die eine erste Sensoreinheit 205 fixiert und der Sensor 206 der einen ersten Sensoreinheit 205 die Klebeschicht 203 derart kontaktiert, dass die zur Messung der chemischen und/oder physikalischen Eigenschaften geeigneten Bereiche des Sensors 206 eine wechselseitig stoffschlüssig-verbindend ausgebildete Grenzfläche zu der Klebeschicht 203 aufweisen, wobei die eine erste Sensoreinheit 205 mindestens teilweise aus der Klebeschicht 203 herausragt und eine anschließende Verbindungsknüpfung zur einen ersten Leitungseinheit 207 möglich ist. Anschließend werden die zu verklebenden Elemente 201 und 202 über die Klebeschicht 203 stoffschlüssig verbunden und die Klebeschicht wird ausgehärtet (S4).
  • In einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens werden mindestens eine erste Sensoreinheit 205 und mindestens eine zweite Sensoreinheit 217 innerhalb einer Einheit M1-M11 zur Messung von chemischen und/oder physikalischen Eigenschaften von mindestens einer Klebeschicht 203 und/oder eines Mediums 209 verwendet. Die eine erste Sensoreinheit 205 wird dabei mittels des eingangs beschriebenen Verfahrens (S1-S4) montiert. Die eine zweite Sensoreinheit 217 wird hingegen zunächst bereitgestellt und derart außerhalb einer Klebeschicht 203 montiert (S5), dass alle zur Messung der chemischen und/oder physikalischen Eigenschaften und zur vollständigen Erfüllung des Messprinzips verwendeten Bereiche der einen zweiten Sensoreinheit 217 eine Grenzfläche ausbilden zu einem die Klebeschicht 203 kontaktierenden Medium 209, wobei die Klebeschicht 203 die eine erste Sensoreinheit 205 fixiert. Die Montage der mindestens einen zweiten Sensoreinheit 217 kann dabei an dafür geeigneten und frei wählbaren Positionen und Elementen der Einheit M1-M11 der Anlage der Halbleitertechnologie derart erfolgen, dass die Funktionsfähigkeit der Einheit M1-M11 nicht eingeschränkt wird. Wie bereits weiter oben erwähnt, kann es sich bei dem durch die eine zweiten Sensoreinheit 217 zu messenden Medium 209 um unterschiedliche Arten von Umgebungsmedien handeln.
  • Final erfolgt das signal- und energieleitende Verbinden der einen ersten Leitungseinheit 207 und der einen zweiten Leitungseinheit 218 (S6), sowie der einen ersten Leitungsschnittstelleneinheit 208 und der einen zweiten Leitungsschnittstelleneinheit 219 jeweils mit der verklebten einen ersten Sensoreinheit 205 sowie dem einen zweiten Sensoreinheit 217 (S7).
  • Das Verfahren kann für die Herstellung einer Vorrichtung 200 mit jeweils mehreren ersten Sensoreinheiten 205 innerhalb derselben Klebeschicht 203 verwendet werden, oder für die Herstellung mehrerer Vorrichtungen 200 mit jeweils einer ersten Sensoreinheiten 205 in einer Klebeschichte 203.
  • Bezugszeichenliste
    • 100
    Projektionsbelichtungsanlage
    101
    Beleuchtungssystem
    102
    Strahlungsquelle
    103
    Beleuchtungsoptik
    104
    Objektfeld
    105
    Objektebene
    106
    Retikel
    107
    Retikelhalter
    108
    Retikelverlagerungsantrieb
    109
    Projektionsoptik
    110
    Bildfeld
    111
    Bildebene
    112
    Wafers
    113
    Waferhalter
    114
    Waferverlagerungsantrieb
    115
    EUV-Strahlung
    116
    Kollektor
    117
    Zwischenfokusebene
    118
    Umlenkspiegel
    119
    Facettenspiegel
    120
    Facetten
    121
    Facettenspiegel
    122
    Facetten
    200
    Vorrichtung
    201
    Erstes zu verklebendes Element
    202
    Zweites zu verklebendes Element
    203
    Klebeschicht
    204
    Erste Grenzfläche
    205
    Erste Sensoreinheit
    206
    Sensor
    207
    Erste Leitungseinheit
    208
    Erste Leitungsschnittstelleneinheit
    209
    Medium
    210
    Signalleitungselement
    211
    Verstärkungselement
    212
    Energieleitungselement
    213
    Übergabeschnittstelle zur Signalleitung
    214
    Übergabeschnittstelle zur Energieleitung
    215
    Medium
    216
    Hohlraum
    217
    Zweite Sensoreinheit
    218
    Zweite Leitungseinheit
    219
    Zweite Leitungsschnittstelleneinheit
    220
    Zweite Grenzfläche
    221
    Energiebevorratungs- und Energiebereitstellungselement
    222
    Grenzfläche
    223
    Grenzfläche
    S1-S7
    Verfahrensschritte
    M1-M11
    Einheiten einer Projektionsbelichtungsanlage
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • DE 102018219782 A1 [0010]
    • DE 102018208653 A1 [0010]
    • DE 102020201724 A1 [0011]
    • DE 102008009600 A1 [0065, 0069]
    • US 20060132747 A1 [0067]
    • EP 1614008 B1 [0067]
    • US 6573978 [0067]
    • DE 102017220586 A1 [0072]
    • US 20180074203 A1 [0086]
    • NL 2010626 A1 [0107]
    • US 11340532 [0107]

Claims (19)

  1. Vorrichtung 200 zur sensorischen Messung von chemischen und/oder physikalischen Eigenschaften einer Klebeschicht 203 in einer Anlage der Halbleitertechnologie 100, umfassend ein erstes zu verklebendes Element 201, ein zweites zu verklebendes Element 202, eine, das erste zu verklebende Element 201 und das zweite zu verklebende Element 202 jeweils über eine erste Grenzfläche 204 und über eine zweite Grenzfläche 220 stoffschlüssig verbindende Klebeschicht 203, sowie eine erste Sensoreinheit 205, dadurch gekennzeichnet, dass die eine erste Sensoreinheit 205 mindestens teilweise in oder an der Klebeschicht 203 angeordnet ist, sodass alle zur Messung der chemischen und/oder physikalischen Eigenschaften der Klebeschicht 203 verwendeten Bereiche der einen ersten Sensoreinheit 205 mindestens eine wechselseitig stoffschlüssig-verbindend ausgebildete Grenzfläche 222 zu der Klebeschicht 203 aufweisen.
  2. Vorrichtung 200 nach Anspruch 1 dadurch gekennzeichnet, dass das eine erste zu verklebende Element 201 und/oder das eine zweite zu verklebende Element 202 jeweils unabhängig voneinander als ein optisches Element, ein mechanisches Element, ein mechatronisches Element, ein elektrisches Element, oder ein elektronisches Element ausgestaltet ist.
  3. Vorrichtung 200 nach einem der vorangegangenen Ansprüche dadurch gekennzeichnet, dass - ein erstes zu verklebendes Element 201 und/oder ein zweites zu verklebendes Element 202 als Spiegel, als Linse, oder als mechatronisches Spiegelarray ausgeführt ist und/oder - ein erstes zu verklebendes Element 201 und/oder ein zweites zu verklebendes Element 202 als Fassung eines Spiegels, einer Linse, oder eines mechatronischen Spiegelarrays ausgeführt ist.
  4. Vorrichtung 200 nach einem der vorangegangenen Ansprüche dadurch gekennzeichnet, dass bei Vorliegen von mindestens zwei das eine erste Element 201 und das eine zweite Element 202 stoffschlüssig verbindenden Klebeschichten 203 die Klebeschichten 203 durch einen Hohlraum 216 getrennt sind.
  5. Vorrichtung 200 nach einem der vorangegangenen Ansprüche dadurch gekennzeichnet, dass die Vorrichtung 200 eine zweite Sensoreinheit 217 enthält, wobei alle zur Messung der chemischen und/oder physikalischen Eigenschaften eines die Klebeschicht 203 kontaktierenden Mediums 209 verwendeten Bereiche der einen zweiten Sensoreinheit 217 eine Grenzfläche 223 zu einem die Klebeschicht 203 kontaktierenden Medium 209 aufweisen.
  6. Vorrichtung 200 nach einem der vorangegangenen Ansprüche dadurch gekennzeichnet, dass - die eine erste Sensoreinheit 205 mit einer ersten Leitungseinheit 207 verbunden ist und/oder - die eine zweite Sensoreinheit 217 mit einer zweiten Leitungseinheit 218 verbunden ist.
  7. Vorrichtung 200 nach Anspruch 6 dadurch gekennzeichnet, dass die eine erste Leitungseinheit 207 und/oder die eine zweite Leitungseinheit 218 jeweils ein Signalleitungselement 210 zur Leitung elektrischer und/oder elektromagnetischer und/oder optischer Signale umfasst.
  8. Vorrichtung 200 nach Anspruch 6 oder 7 dadurch gekennzeichnet, dass die eine erste Leitungseinheit 207 und/oder die eine zweite Leitungseinheit 218 jeweils ein Verstärkungselement 211 zur Verstärkung elektrischer, und/oder elektromagnetischer, und/oder optischer Signale umfasst.
  9. Vorrichtung 200 nach einem der Ansprüche 6-8 dadurch gekennzeichnet, dass die eine erste Leitungseinheit 207 und/oder die eine zweite Leitungseinheit 218 jeweils ein Energieleitungselement 212 zur Energieleitung von zum Betrieb der einen ersten Sensoreinheit 205 und/oder der einen zweiten Sensoreinheit 217 und aller Elemente der einen ersten Leitungseinheit 207 und/oder der einen zweiten Leitungseinheit 218 notwendigen Energie umfasst.
  10. Vorrichtung 200 nach einem der Ansprüche 6-9 dadurch gekennzeichnet, dass - die eine erste Leitungseinheit 207 verbunden ist mit einer ersten Leitungsschnittstelleneinheit 208 und/oder - die eine zweite Leitungseinheit 218 verbunden ist mit einer zweiten Leitungsschnittstelleneinheit 219, wobei die eine erste Leitungsschnittstelleneinheit 208 und/oder die eine zweite Leitungsschnittstelleneinheit 219 jeweils umfasst - eine Übergabeschnittstelle zur Signalleitung 213 und/oder eine Übergabeschnittstelle zur Energieleitung 214 der aus oder zu der einen ersten Sensoreinheit 205 über die eine erste Leitungseinheit 207 und/oder der einen zweiten Sensoreinheit 217 über die eine zweite Leitungseinheit 218 geleiteten Messsignale und/oder Energie, und/oder - ein Energiebevorratungs- und Energiebereitstellungselement 221.
  11. .Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung 200 nach einem der Ansprüche 1 bis 10, umfassend: - (S1) Bereitstellen einer ersten Sensoreinheit 205 mit einem zur Messung der chemischen und/oder physikalischen Eigenschaften geeigneten Bereich eines ersten Sensors 206, sowie Bereitstellen eines ersten zu verklebenden Elementes 201, Bereitstellen eines zweiten zu verklebenden Elementes 202, sowie Bereitstellen eines Klebematerials zur Herstellung einer Klebeschicht 203 - (S2) Aufbringen einer Klebeschicht 203 auf das eine erste zu verklebende Element 201 und/oder das eine zweite zu verklebende Element 202, - (S3) Einbetten der einen ersten Sensoreinheit 205 in eine Klebeschicht 203 derart, dass die Klebeschicht 203 die eine erste Sensoreinheit 205 fixiert und der Sensor 206 der einen ersten Sensoreinheit 205 die Klebeschicht 203 derart kontaktiert, dass die zur Messung der chemischen und/oder physikalischen Eigenschaften geeigneten Bereiche des Sensors 206 eine wechselseitig stoffschlüssig-verbindend ausgebildete Grenzfläche zu der Klebeschicht 203 aufweisen, wobei die eine erste Sensoreinheit 205 mindestens teilweise aus der Klebeschicht 203 herausragt, - (S4) stoffschlüssiges Verbinden der die eine erste Sensoreinheit 205 haltenden Klebeschicht 203 a. auf einem ersten zu verklebenden Element 201 mit einem zweiten zu verklebenden Element 202 über eine zweite Grenzfläche 220 des zweiten zu verklebenden Elementes 202 mit der Klebeschicht 203 und Aushärten der Klebeschicht 203, oder b. auf einem zweiten zu verklebenden Element 202 mit einem ersten zu verklebenden Element 201 über eine erste Grenzfläche 204 des ersten zu verklebenden Elementes 201 mit der einen Klebeschicht 203 und Aushärten der einen Klebeschicht 203.
  12. Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung 200 nach einem Verfahren gemäß Anspruch 11, umfassend: - Bereitstellen und Montieren einer zweiten Sensoreinheit 217 derart (S5), dass die eine zweite Sensoreinheit 217 so ausgeführt ist, dass alle zur Messung der chemischen und/oder physikalischen Eigenschaften verwendeten Bereiche der einen zweiten Sensoreinheit 217 eine Grenzfläche ausbilden zu einem die, die eine erste Sensoreinheit 205 fixierenden, Klebeschicht 203 enthaltenden Umgebungsmedium 209.
  13. Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung 200 nach gemäß Anspruch 11 und 12, umfassend: - (S6) signal- und energieleitendes Verbinden der einen ersten Sensoreinheit 205 mit der einen ersten Leitungseinheit 207 und/oder der einen zweiten Sensoreinheit 217 mit der einen zweiten Leitungseinheit 218, - (S7) signal- und energieleitendes Verbinden der einen ersten Leitungseinheit 207 mit der einen ersten Leitungsschnittstelleneinheit 208 und/oder der einen zweiten Leitungseinheit 218 mit der einen zweiten Leitungsschnittstelleneinheit 219.
  14. Verfahren zur sensorischen Messung von chemischen und/oder physikalischen Eigenschaften einer Klebeschicht 203 und/oder eines die Klebeschicht 203 kontaktierenden Mediums 209 in einer Anlage der Halbleitertechnologie 100 mittels einer Vorrichtung 200 gemäß einem der Ansprüche 1-10
  15. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass zwei erste Sensoreinheiten 205, oder zwei zweite Sensoreinheiten 217, oder jeweils eine erste Sensoreinheit 205 und eine zweite Sensoreinheit 217 Messsignale erzeugen, welche zur Bildung von beliebigen arithmetischen Kombinationen von Messsignalen verwendet werden.
  16. Verfahren nach einem der Ansprüche 14 oder 15, dadurch gekennzeichnet, dass eine erste Sensoreinheit 205 und/oder eine zweite Sensoreinheit 217 folgende Typen von Messsignalen erzeugt - statische Messsignale - dynamische Messsignale - eine beliebige Kombination aus statischen und dynamischen Messsignalen.
  17. Verfahren nach einem der Ansprüche 14-16, dadurch gekennzeichnet, dass die chemischen und/oder physikalischen Eigenschaften einer Klebeschicht 203 und/oder eines die Klebeschicht 203 kontaktierenden Mediums 209 innerhalb einer Einheit M1-M11 einer Anlage der Halbleitertechnologie 100 während jeder Zeit in einer sich außerhalb einer Anlage der Halbleitertechnologie 100 befindlichen Einheit M1-M11 gemessen werden können zum Zwecke der Überwachung und Steuerung der folgenden Arbeiten - Reinigungsarbeiten und/oder Refurbishment-Prozesse, - Wartungsarbeiten, - Montagearbeiten an allen optischen und mechanischen Komponenten der Einheiten M1-M11, - Montagearbeiten an einer Klebeschicht 203 einer Komponente der Einheiten M1-M11 während aller in den Ansprüchen 11-13 beschriebenen Verfahrensschritte.
  18. Einheit M1-M11 einer Anlage der Halbleitertechnologie 100, dadurch gekennzeichnet, dass eine der Einheiten M1-M11 eine Vorrichtung 200 nach einem der Ansprüche 1-10 umfasst.
  19. Anlage der Halbleitertechnologie 100, dadurch gekennzeichnet, dass - eine Anlage der Halbleitertechnologie 100 eine Vorrichtung 200 nach einem der Ansprüche 1-10 umfasst.
DE102022208239.7A 2022-08-08 2022-08-08 Vorrichtung und Verfahren zur Sensorischen Messung Chemischer und/oder Physikalischer Eigenschaften einer Klebeschicht und/oder eines die Klebeschicht Kontaktierenden Mediums, sowie Verfahren zur Herstellung einer entsprechenden Vorrichtung und Verfahren zur Sensorischen Messung Pending DE102022208239A1 (de)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102022208239.7A DE102022208239A1 (de) 2022-08-08 2022-08-08 Vorrichtung und Verfahren zur Sensorischen Messung Chemischer und/oder Physikalischer Eigenschaften einer Klebeschicht und/oder eines die Klebeschicht Kontaktierenden Mediums, sowie Verfahren zur Herstellung einer entsprechenden Vorrichtung und Verfahren zur Sensorischen Messung
PCT/EP2023/070616 WO2024033081A1 (en) 2022-08-08 2023-07-25 Device and method for sensor-based measurement of chemical and/or physical properties of an adhesive layer and/or of a medium in contact with the adhesive layer, and method for producing a corresponding device and method for sensorbased measurement

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102022208239.7A DE102022208239A1 (de) 2022-08-08 2022-08-08 Vorrichtung und Verfahren zur Sensorischen Messung Chemischer und/oder Physikalischer Eigenschaften einer Klebeschicht und/oder eines die Klebeschicht Kontaktierenden Mediums, sowie Verfahren zur Herstellung einer entsprechenden Vorrichtung und Verfahren zur Sensorischen Messung

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102022208239A1 true DE102022208239A1 (de) 2024-02-08

Family

ID=87553899

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102022208239.7A Pending DE102022208239A1 (de) 2022-08-08 2022-08-08 Vorrichtung und Verfahren zur Sensorischen Messung Chemischer und/oder Physikalischer Eigenschaften einer Klebeschicht und/oder eines die Klebeschicht Kontaktierenden Mediums, sowie Verfahren zur Herstellung einer entsprechenden Vorrichtung und Verfahren zur Sensorischen Messung

Country Status (2)

Country Link
DE (1) DE102022208239A1 (de)
WO (1) WO2024033081A1 (de)

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6573978B1 (en) 1999-01-26 2003-06-03 Mcguire, Jr. James P. EUV condenser with non-imaging optics
US20060132747A1 (en) 2003-04-17 2006-06-22 Carl Zeiss Smt Ag Optical element for an illumination system
DE102008009600A1 (de) 2008-02-15 2009-08-20 Carl Zeiss Smt Ag Facettenspiegel zum Einsatz in einer Projektionsbelichtungsanlage für die Mikro-Lithographie
NL2010626A (en) 2013-04-11 2013-06-24 Asml Netherlands Bv Radiation source-collector and method for refurbishment.
US20180074203A1 (en) 2016-09-12 2018-03-15 Delphi Technologies, Inc. Lidar Object Detection System for Automated Vehicles
DE102018219782A1 (de) 2018-11-19 2019-01-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Bestimmung einer Temperatur an einem Punkt einer Komponente einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage
DE102017220586A1 (de) 2017-11-17 2019-05-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Pupillenfacettenspiegel, Beleuchtungsoptik und optisches System für eine Projek-tionsbelichtungsanlage
DE102018208653A1 (de) 2018-05-30 2019-12-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren sowie Vorrichtung zum Bestimmen des Erwärmungszustandes eines Spiegels in einem optischen System
DE102020201724A1 (de) 2020-02-12 2021-08-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system und lithographieanlage
US11340532B2 (en) 2018-03-05 2022-05-24 Asml Netherlands B.V. Prolonging optical element lifetime in an EUV lithography system

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5245293A (en) * 1991-12-23 1993-09-14 Teledyne Ryan Aeronautical, Division Of Teledyne Industries, Inc. Adhesive bond degradation monitor
WO2000046593A2 (en) * 1999-02-08 2000-08-10 Analatom Incorporated A micro-electronic bond degradation sensor and method of manufacture
NL2025093A (en) * 2019-04-10 2020-05-06 Asml Netherlands Bv An object positioning system, diagnostic and calibration methods, positioning control method, lithographic apparatus and device manufacturing method

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6573978B1 (en) 1999-01-26 2003-06-03 Mcguire, Jr. James P. EUV condenser with non-imaging optics
US20060132747A1 (en) 2003-04-17 2006-06-22 Carl Zeiss Smt Ag Optical element for an illumination system
EP1614008B1 (de) 2003-04-17 2009-12-02 Carl Zeiss SMT AG Optisches element für ein beleuchtungssystem
DE102008009600A1 (de) 2008-02-15 2009-08-20 Carl Zeiss Smt Ag Facettenspiegel zum Einsatz in einer Projektionsbelichtungsanlage für die Mikro-Lithographie
NL2010626A (en) 2013-04-11 2013-06-24 Asml Netherlands Bv Radiation source-collector and method for refurbishment.
US20180074203A1 (en) 2016-09-12 2018-03-15 Delphi Technologies, Inc. Lidar Object Detection System for Automated Vehicles
DE102017220586A1 (de) 2017-11-17 2019-05-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Pupillenfacettenspiegel, Beleuchtungsoptik und optisches System für eine Projek-tionsbelichtungsanlage
US11340532B2 (en) 2018-03-05 2022-05-24 Asml Netherlands B.V. Prolonging optical element lifetime in an EUV lithography system
DE102018208653A1 (de) 2018-05-30 2019-12-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren sowie Vorrichtung zum Bestimmen des Erwärmungszustandes eines Spiegels in einem optischen System
DE102018219782A1 (de) 2018-11-19 2019-01-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Bestimmung einer Temperatur an einem Punkt einer Komponente einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage
DE102020201724A1 (de) 2020-02-12 2021-08-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system und lithographieanlage

Also Published As

Publication number Publication date
WO2024033081A1 (en) 2024-02-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102015211286A1 (de) Abbildungssystem und verfahren
DE112010003634T5 (de) Katadioptrisches System, Aberrationsmessvorrichtung, Verfahren zum Einstellen eines optischen Systems, Belichtungsvorrichtung und Vorrichtungsherstellungsverfahren
WO2018134215A1 (de) Abbildende optik zur führung von euv-abbildungslicht sowie justageanordnung für eine derartige abbildende optik
WO2024023010A1 (de) Optisches system, lithographieanlage mit einem optischen system und verfahren zum herstellen eines optischen systems
WO2016184593A1 (de) Verfahren zum herstellen eines objektivs für eine lithographieanlage sowie messvorrichtung
DE102017202863A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Ermitteln einer Position und/oder Orientierung eines optischen Elements
DE102022208239A1 (de) Vorrichtung und Verfahren zur Sensorischen Messung Chemischer und/oder Physikalischer Eigenschaften einer Klebeschicht und/oder eines die Klebeschicht Kontaktierenden Mediums, sowie Verfahren zur Herstellung einer entsprechenden Vorrichtung und Verfahren zur Sensorischen Messung
DE102022207374A1 (de) EUV-Kollektor für eine EUV-Projektionsbelichtungsvorrichtung
DE102022116696A1 (de) Grundkörper für ein optisches Element mit einer Anbindungsgeometrie und Verfahren zur Herstellung eines Grundkörpers eines optischen Elementes sowie Projektionsbelichtungsanlage
DE102021201016A1 (de) Verfahren zur Kalibrierung eines Moduls einer Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie
DE102020211691A1 (de) Optisches system und lithographieanlage
DE102020212853A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Vermessung von Aktuatoren in einer Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie
DE102021210103B3 (de) Verfahren, optisches system und projektionsbelichtungsanlage
DE102021205149B3 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Qualifizierung eines Facettenspiegels
DE102022210356A1 (de) Optisches system, lithographieanlage mit einem optischen system und verfahren zum herstellen eines optischen systems
DE102022214283A1 (de) Optisches System für eine Lithographieanlage und Lithographieanlage
DE102020212569A1 (de) Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie
DE102021201689A1 (de) Optische Baugruppe, Verfahren zur Deformation eines optischen Elements und Projektionsbelichtungsanlage
DE102022205227A1 (de) Optikvorrichtung, Verfahren zur Ermittlung einer Ist-Deformation, Verfahren zur Einstellung einer Solldeformation und Lithografiesystem
DE102022209573A1 (de) EUV-Kollektor zur Verwendung in einer EUV-Projektionsbelichtungsvorrichtung
DE102017206039A1 (de) Spiegel, lithographieanlage und verfahren zum herstellen einer lithographieanlage
DE102021213864A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Schutz einer Klebstoffverbindung
DE102022108541A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Beprobungselementes und Beprobungselement
DE102021202769A1 (de) Optische Baugruppe sowie Verfahren zu deren Herstellung, Verfahren zur Deformation eines optischen Elements und Projektionsbelichtungsanlage
WO2023186960A1 (de) Ansteuervorrichtung, optisches system, lithographieanlage und verfahren

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed