DE102022209854A1

DE102022209854A1 - Verbindungsanordnung

Info

Publication number: DE102022209854A1
Application number: DE102022209854.4A
Authority: DE
Inventors: Stefan Seitz; Wolfram Hild; Felix Weinbuch; Frederik Schrod
Original assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Current assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date: 2022-09-20
Filing date: 2022-09-20
Publication date: 2022-11-17
Also published as: DE102023203575A1

Abstract

Die Erfindung betrifft eine Verbindungsanordnung für eine Abbildungseinrichtung für die Mikrolithographie mit einer ersten, zweiten, dritten und vierten Komponente (109.1, 109.2, 109.3, 109.4), wobei die erste und zweite Komponente (109.1, 109.2) über eine einstellbare Verbindung verbunden sind. Die dritte und vierte Komponente (109.3, 109.4) sind kinematisch seriell zwischen einem ersten Abschnitt der ersten Komponente (109.1) und einem zweiten Abschnitt der zweiten Komponente (109.2) angeordnet, wobei die dritte und vierte Komponente (109.3, 109.4) zwischen dem ersten und zweiten Abschnitt geklemmt sind, indem sie mit einer Vorspannung beaufschlagt sind. Dabei sind die dritte und vierte Komponente (109.3, 109.4) in einem ersten thermischen Zustand mit einer einstellbaren ersten Vorspannung beaufschlagt. Die dritte und vierte Komponente (109.3, 109.4) sind in einem zweiten thermischen Zustand mit einer zweiten Vorspannung beaufschlagt, wobei in dem ersten und zweiten thermischen Zustand Temperaturverteilungen innerhalb der Verbindungsanordnung vorliegen, die aufgrund thermischen Energieeintrags voneinander abweichen. Ein thermischer Ausdehnungskoeffizient und/oder eine Temperatur der vierten Komponente (109.4) ist derart auf ein thermisches Ausdehnungsverhalten der Kombination aus der ersten, zweiten und dritten Komponente (109.1, 109.2, 109.3) abgestimmt, dass die erste und die zweite Vorspannung um höchstens 5% bis 95% der ersten Vorspannung voneinander abweichen.

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNG
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Verbindungsanordnung für eine Abbildungseinrichtung für die Mikrolithographie, die für die Verwendung von UV Nutzlicht geeignet ist, insbesondere von Licht im extremen ultravioletten (EUV) Bereich. Weiterhin betrifft die Erfindung ein optisches Modul sowie eine optische Abbildungseinrichtung mit einer solchen Verbindungsanordnung. Die Erfindung lässt sich im Zusammenhang mit beliebigen optischen Abbildungsverfahren einsetzen. Besonders vorteilhaft lässt sie sich bei der Herstellung oder der Inspektion mikroelektronischer Schaltkreise sowie der hierfür verwendeten optischen Komponenten (beispielsweise optischer Masken) einsetzen.
Typischerweise umfassen die optischen Systeme, die im Zusammenhang mit der Herstellung solcher mikroelektronischer Schaltkreise verwendet werden, eine Vielzahl von optischen Elementmodulen, die optische Elemente wie etwa Linsen, Spiegel, Gitter usw. umfassen, die im Pfad des Lichts angeordnet sind. Diese optischen Elemente wirken normalerweise in einem Belichtungsprozess zusammen, um ein auf einer Maske, einem Retikel oder dergleichen gebildetes Muster zu beleuchten und ein Bild dieses Musters auf ein Substrat wie einen Wafer zu übertragen. Die optischen Elemente sind üblicherweise in einer oder mehreren funktionell unterschiedlichen optischen Elementgruppen zusammengefasst, die innerhalb unterschiedlicher optischer Elementeinheiten gehalten werden können.
Aufgrund der fortschreitenden Miniaturisierung von Halbleiterbauelementen besteht nicht nur ein ständiger Bedarf an einer verbesserten Auflösung, sondern auch ein Bedarf an einer verbesserten Genauigkeit der zur Herstellung dieser Halbleiterbauelemente verwendeten optischen Systeme. Diese Genauigkeit muss natürlich nicht nur anfänglich vorhanden sein, sondern muss über den gesamten Betrieb des optischen Systems aufrechterhalten werden.
Eine wichtige Genauigkeitsanforderung ist die Genauigkeit der Position des Bildes auf dem Substrat, die auch als Sichtliniengenauigkeit bezeichnet wird. Die Genauigkeit der Sichtlinie („Line of Sight“, kurz LoS) skaliert typischerweise ungefähr mit dem Kehrwert der numerischen Apertur NA. Damit ist die erforderliche Sichtliniengenauigkeit bei einer optischen Abbildungsanordnung mit einer numerischen Apertur NA = 0,45 um den Faktor 1,4 kleiner als bei einer optischen Abbildungsanordnung mit einer numerischen Apertur NA = 0,33. Typischerweise liegt die Sichtliniengenauigkeit bei einer numerischen Apertur von NA = 0,45 unter 0,5 nm. Soll bei der Belichtung auch eine Doppelstrukturierung berücksichtigt werden, so müsste die Genauigkeit typischerweise um einen weiteren Faktor von 1,4 reduziert werden. Daher würde in diesem Fall die Sichtliniengenauigkeit sogar unter 0,3 nm liegen.
Dies führt unter anderem zu sehr strengen Anforderungen hinsichtlich der relativen Position zwischen den am Belichtungsprozess beteiligten Komponenten sowie der Verformung der einzelnen Komponenten. Dies gilt sowohl für den VUV-Bereich als auch für den EUV-Bereich. Folglich müssen die beim Belichtungsprozess zusammenwirkenden Komponenten der optischen Abbildungseinrichtung, also beispielsweise die Maske, die optischen Elemente und der Wafer, wohldefiniert gelagert werden, um eine vorgegebene räumliche Beziehung zwischen diesen Komponenten zu jedem Zeitpunkt im Betrieb aufrechtzuerhalten.
Problematisch ist hierbei, dass die miteinander verbundenen Komponenten der Abbildungseinrichtung in der Regel zumindest beim Anfahren der Abbildungseinrichtung aber gegebenenfalls auch im Betrieb durch entsprechenden Energieeintrag unterschiedlichen thermischen Bedingungen ausgesetzt sind. Dies führt zu unterschiedlichen thermischen Zuständen der Komponenten mit unterschiedlichen Temperaturverteilungen innerhalb der Komponenten. Aufgrund unterschiedlicher thermischer Ausdehnungskoeffizienten von miteinander gekoppelten Komponenten kann es dabei dazu kommen, dass sich die Vorspannung gegeneinander verspannter Komponenten reduziert oder sogar ganz bzw. so weit abbaut, dass es unter den im Betrieb herrschenden Lasten zu einer (natürlich unerwünschten) Dejustage der Relativlage der gekoppelten Komponenten kommt.
KURZE ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine Verbindungsanordnung einer Abbildungseinrichtung für die Mikrolithographie, ein entsprechendes optisches Modul sowie eine entsprechende optische Abbildungseinrichtung mit einer solchen Verbindungsanordnung, ein Verfahren zum Herstellen einer solchen Verbindungsanordnung sowie ein optisches Abbildungsverfahren zur Verfügung zu stellen, welche bzw. welches die zuvor genannten Nachteile nicht oder zumindest in geringerem Maße aufweist und insbesondere auf einfache Weise eine Dejustage der Relativlage miteinander gekoppelter Komponenten im Betrieb der Abbildungseinrichtung möglichst zuverlässig vermeidet.
Die Erfindung löst diese Aufgabe mit den Merkmalen der unabhängigen Ansprüche.
Der Erfindung liegt die technische Lehre zugrunde, dass man auf einfache Weise eine Dejustage der Relativlage miteinander gekoppelter Komponenten im Betrieb der Abbildungseinrichtung möglichst zuverlässig vermeiden kann, in den Kraftfluss der Vorspannung wenigstens eine Kompensationskomponente eingefügt wird, deren thermischer Ausdehnungskoeffizient und/oder deren Temperatur im Betrieb derart abgestimmt ist, dass sie durch entsprechende thermische Ausdehnung die unterschiedliche thermische Ausdehnung der übrigen Komponenten zumindest so weit kompensiert, dass ein Abbau der Vorspannung unter einen (für die Dejustage bei den im Normalbetrieb zu erwartenden Lasten) kritischen Wert vermieden werden kann.
Hierbei kann es sich grundsätzlich um eine rein passive Lösung handeln, die durch die gewählte Abstimmung des thermischen Verhaltens der Kompensationskomponente im Betrieb den gewünschten Kompensationseffekt erzielt. Es versteht sich aber, dass grundsätzlich auch eine aktive Lösung gewählt sein kann, bei der die Temperatur der Kompensationskomponente so eingestellt wird, dass der gewünschte Kompensationseffekt erzielt wird.
Nach einem Aspekt betrifft die Erfindung daher eine Verbindungsanordnung für eine optische Abbildungseinrichtung für die Mikrolithographie, insbesondere für die Verwendung von Licht im extremen UV-Bereich (EUV), mit einer ersten Komponente, einer zweiten Komponente, wenigstens einer dritten Komponente und wenigstens einer vierten Komponente. Die erste Komponente und die zweite Komponente sind über eine einstellbare Verbindung miteinander verbunden, während die wenigstens eine dritte Komponente und die wenigstens eine vierte Komponente kinematisch seriell zwischen einem ersten Abschnitt der ersten Komponente und einem zweiten Abschnitt der zweiten Komponente angeordnet sind. Dabei sind die wenigstens eine dritte Komponente und die wenigstens eine vierte Komponente zwischen dem ersten Abschnitt der ersten Komponente und dem zweiten Abschnitt der zweiten Komponente geklemmt, indem sie mit einer Komponentenvorspannung beaufschlagt sind, wobei die wenigstens eine dritte Komponente und die wenigstens eine vierte Komponente in einem ersten thermischen Zustand der Verbindungsanordnung mit einer ersten Komponentenvorspannung beaufschlagt sind, die über die Verbindung einstellbar ist. Die wenigstens eine dritte Komponente und die wenigstens eine vierte Komponente sind in einem zweiten thermischen Zustand der Verbindungsanordnung mit einer zweiten Komponentenvorspannung beaufschlagt, wobei in dem ersten thermischen Zustand eine erste Temperaturverteilung innerhalb der Verbindungsanordnung vorliegt und in dem zweiten thermischen Zustand eine zweite Temperaturverteilung innerhalb der Verbindungsanordnung vorliegt, die aufgrund eines Eintrags von thermischer Energie in die Verbindungsanordnung von der ersten Temperaturverteilung abweicht. Ein thermischer Ausdehnungskoeffizient und/oder eine Temperatur der wenigstens einen vierten Komponente ist derart auf ein thermisches Ausdehnungsverhalten der Komponentenkombination aus der ersten Komponente, der zweiten Komponente und der wenigstens einen dritten Komponente abgestimmt, dass die erste Komponentenvorspannung und die zweite Komponentenvorspannung um höchstens 5% bis 95%, vorzugsweise höchstens 10% bis 50%, weiter vorzugsweise höchstens 15% bis 25%, der ersten Komponentenvorspannung voneinander abweichen.
Es versteht sich, dass die vorgenannte Abstimmung der wenigstens einen vierten Komponente, mithin also der Kompensationskomponente(n), grundsätzlich auch dazu genutzt werden kann, eine Erhöhung der Vorspannung über einen unerwünscht hohen Wert zu vermeiden. Besonders vorteilhaft ist es jedoch, wenn die zweite Komponentenvorspannung geringer ist als die erste Komponentenvorspannung. In diesen Fällen kann insbesondere in vorteilhafter Weise (durch die Begrenzung des Abfalls der zweiten Komponentenvorspannung gegenüber der ersten Komponentenvorspannung) ein Abbau der Vorspannung unter einen (für den Normalbetrieb) vorgegebenen kritischen Wert vermieden werden.
Das Verhältnis zwischen der ersten Komponentenvorspannung und der zweiten Komponentenvorspannung kann in Abhängigkeit von den im Betrieb zu erwartenden Dejustagelasten grundsätzlich beliebig gewählt sein. Bevorzugt weichen die erste Komponentenvorspannung und die zweite Komponentenvorspannung um höchstens 25% bis 75%, vorzugsweise höchstens 15% bis 40%, weiter vorzugsweise höchstens 5% bis 10%, der ersten Komponentenvorspannung voneinander ab. Hierdurch lässt sich die Komponentenvorspannung in vergleichsweise engen Grenzen halten.
Bei besonders günstigen Varianten weist die Verbindung einen gegen unbeabsichtigte Verstellung gesicherten Zustand auf, der vorliegt, wenn die Komponentenvorspannung oberhalb eines Selbstsicherungsvorspannungswertes liegt. In diesem Fall beträgt die zweite Komponentenvorspannung dann vorzugsweise wenigstens 110% bis 1000%, vorzugsweise wenigstens 150% bis 400%, weiter vorzugsweise wenigstens 200% bis 300%, des Selbstsicherungsvorspannungswertes. Hiermit kann eine Dejustage bei den im Betrieb zu erwartenden Dejustagelasten zuverlässig vermieden werden.
Bei bestimmten Varianten erfolgt in einem Normalbetrieb der Abbildungseinrichtung ein Zustandsübergang von dem ersten thermischen Zustand zu dem zweiten thermischen Zustand. Hierbei ist es dann von besonderem Vorteil, wenn der thermische Ausdehnungskoeffizient und/oder die Temperatur der wenigstens einen vierten Komponente derart auf das thermische Ausdehnungsverhalten der Komponentenkombination abgestimmt ist, dass die Komponentenvorspannung während des Zustandsübergangs nicht unter den Wert der zweiten Komponentenvorspannung fällt.
Hierbei kann es von Vorteil sein, wenn die Komponentenvorspannung während des Zustandsübergangs wenigstens 100% bis 2000%, vorzugsweise wenigstens 200% bis 1000%, weiter vorzugsweise wenigstens 400% bis 800%, der zweiten Komponentenvorspannung beträgt. Letztlich kann hierdurch eine bestimmte gewünschte Sicherheit gegen eine Dejustage erzielt werden.
Die Abweichung zwischen dem ersten thermischen Zustand und dem zweiten thermischen Zustand ist grundsätzlich so groß, dass es zu einer für eine Dejustage relevanten Änderung der Vorspannung kommen kann. Hierbei können gegebenenfalls auch weitere Einflussfaktoren, wie beispielsweise Setzeffekte oder Alterungseffekte an den beteiligten Komponenten, berücksichtigt werden. Bei bevorzugten Varianten erfolgt in einem Normalbetrieb der Abbildungseinrichtung ein Zustandsübergang von dem ersten thermischen Zustand zu dem zweiten thermischen Zustand, wobei in dem ersten thermischen Zustand eine erste mittlere Temperatur in der Verbindungsanordnung herrscht, während in dem zweiten thermischen Zustand eine zweite mittlere Temperatur in der Verbindungsanordnung herrscht. Die hierin genannten Vorteile kommen besonders gut zum Tragen, wenn die zweite mittlere Temperatur wenigstens 20% bis 500%, vorzugsweise wenigstens 50% bis 200%, weiter vorzugsweise 80% bis 150%, der ersten mittleren Temperatur beträgt. Ebenso kann es von Vorteil sein, wenn die zweite mittlere Temperatur wenigstens -80°C bis 80°C, vorzugsweise wenigstens -50°C bis 50°C, weiter vorzugsweise - 20°C bis 20°C, oberhalb der ersten mittleren Temperatur liegt.
Das jeweilige Temperaturniveau der Verbindungsanordnung kann grundsätzlich beliebig gewählt sein. Besonders vorteilhaft ist es, wenn die erste mittlere Temperatur bei 20°C bis 200°C, vorzugsweise bei 50°C bis 150°C, weiter vorzugsweise bei 80°C bis 120°C, liegt. Vergleichbares gilt, wenn die zweite mittlere Temperatur bei 20°C bis 200°C, vorzugsweise bei 50°C bis 150°C, weiter vorzugsweise bei 80°C bis 120°C, liegt.
Das hierin beschriebene Konzept kann grundsätzlich im Zusammenhang mit beliebig gestalteten Verbindungen eingesetzt werden, über welche eine entsprechende Vorspannung der beteiligten Komponenten erzielt wird. Besonders gute Ergebnisse lassen sich erzielen, wenn die Verbindung eine Verschraubung umfasst und/oder die Verbindung dadurch hergestellt ist, dass die erste Komponente mit der zweiten Komponente über ein Gewinde verschraubt ist. Gute Ergebnisse lassen sich bei Varianten erzielen, bei denen die erste Komponente und die zweite Komponente die wenigstens eine dritte Komponente und die wenigstens eine vierte Komponente umgreifen. Vergleichbares gilt, wenn die erste Komponente und die zweite Komponente die wenigstens eine dritte Komponente und die wenigstens eine vierte Komponente zumindest im Wesentlichen vollständig umschließen.
Besonders gut kommen die hierin beschriebenen Effekte zum Tragen, wenn die erste Komponente einen ersten Teil einer zumindest abschnittsweise zylinderförmigen Aufnahmeeinheit bildet, während die zweite Komponente einen zweiten Teil der Aufnahmeeinheit bildet. Die erste Komponente ist dann vorzugsweise mit der zweiten Komponente über ein Gewinde in einem zylinderförmigen Abschnitt der Aufnahmeeinheit verschraubt, wobei die wenigstens eine dritte Komponente und die wenigstens eine vierte Komponente in der Aufnahmeeinheit aufgenommen sind.
Die vorliegende Erfindung betrifft weiterhin ein optisches Modul, insbesondere einen Facettenspiegel, für eine optische Abbildungseinrichtung für die Mikrolithographie, insbesondere für die Verwendung von Licht im extremen UV-Bereich (EUV), mit einer optischen Fläche und wenigstens einer erfindungsgemäßen Verbindungsanordnung, insbesondere einer Mehrzahl Q von erfindungsgemäßen Verbindungsanordnungen. Hiermit lassen sich die oben beschriebenen Varianten und Vorteile in demselben Maße realisieren, sodass insoweit auf die obigen Ausführungen Bezug genommen wird.
Die wenigstens eine Verbindungsanordnung kann dabei grundsätzlich in beliebiger geeigneter Weise in dem optischen Modul eingesetzt werden. Es versteht sich, dass je nach den Anforderungen an das optische Modul eine einzige Verbindungsanordnung ausreichen kann. Bei bevorzugte Varianten beträgt die Mehrzahl Q insbesondere 2 bis 3000, vorzugsweise 30 bis 2000, weiter vorzugsweise 200 bis 500. Hiermit lässt sich in vielen Fällen eine an die hohen Genauigkeitsanforderungen angepasste, zuverlässige Vermeidung von Dejustageeffekten erzielen.
Die vorliegende Erfindung betrifft weiterhin eine optische Abbildungseinrichtung, insbesondere für die Mikrolithographie, mit einer Beleuchtungseinrichtung mit einer ersten optischen Elementgruppe, einer Objekteinrichtung zur Aufnahme eines Objekts, einer Projektionseinrichtung mit einer zweiten optischen Elementgruppe und einer Bildeinrichtung, wobei die Beleuchtungseinrichtung zur Beleuchtung des Objekts ausgebildet ist und die Projektionseinrichtung zur Projektion einer Abbildung des Objekts auf die Bildeinrichtung ausgebildet ist. Die Beleuchtungseinrichtung und/oder die Projektionseinrichtung umfasst wenigstens eine erfindungsgemäße Verbindungsanordnung, insbesondere aber wenigstens ein erfindungsgemäßes optisches Modul. Auch hiermit lassen sich die oben beschriebenen Varianten und Vorteile in demselben Maße realisieren, sodass insoweit auf die obigen Ausführungen Bezug genommen wird.
Die vorliegende Erfindung betrifft weiterhin Verfahren zum Verbinden einer ersten Komponente und einer zweiten Komponente einer optischen Abbildungseinrichtung für die Mikrolithographie, insbesondere für die Verwendung von Licht im extremen UV-Bereich (EUV), bei dem die erste Komponente und die zweite Komponente über eine einstellbare Verbindung miteinander verbunden werden und wenigstens eine dritte Komponente und wenigstens eine vierte Komponente kinematisch seriell zwischen einem ersten Abschnitt der ersten Komponente und einem zweiten Abschnitt der zweiten Komponente angeordnet werden. Die wenigstens eine dritte Komponente und die wenigstens eine vierte Komponente werden zwischen dem ersten Abschnitt der ersten Komponente und dem zweiten Abschnitt der zweiten Komponente geklemmt, indem sie mit einer Komponentenvorspannung beaufschlagt werden. Dabei werden die wenigstens eine dritte Komponente und die wenigstens eine vierte Komponente in einem ersten thermischen Zustand der Verbindungsanordnung mit einer ersten Komponentenvorspannung beaufschlagt, die über die Verbindung einstellbar ist. Die wenigstens eine dritte Komponente und die wenigstens eine vierte Komponente werden in einem zweiten thermischen Zustand der Verbindungsanordnung mit einer zweiten Komponentenvorspannung beaufschlagt. Dabei liegt in dem ersten thermischen Zustand eine erste Temperaturverteilung innerhalb der Verbindungsanordnung vor, während in dem zweiten thermischen Zustand eine zweite Temperaturverteilung innerhalb der Verbindungsanordnung vorliegt, die aufgrund eines Eintrags von thermischer Energie in die Verbindungsanordnung von der ersten Temperaturverteilung abweicht. Ein thermischer Ausdehnungskoeffizient und/oder eine Temperatur der wenigstens einen vierten Komponente ist derart auf ein thermisches Ausdehnungsverhalten der Komponentenkombination aus der ersten Komponente, der zweiten Komponente und der wenigstens einen dritten Komponente abgestimmt, dass die erste Komponentenvorspannung und die zweite Komponentenvorspannung um höchstens 5% bis 95%, vorzugsweise höchstens 10% bis 50%, weiter vorzugsweise höchstens 15% bis 25%, der ersten Komponentenvorspannung voneinander abweichen. Auch hiermit lassen sich die oben beschriebenen Varianten und Vorteile in demselben Maße realisieren, sodass insoweit auf die obigen Ausführungen Bezug genommen wird.
Die vorliegende Erfindung betrifft schließlich ein optisches Abbildungsverfahren, insbesondere für die Mikrolithographie, bei dem eine Beleuchtungseinrichtung, die eine erste optische Elementgruppe aufweist, ein Objekt beleuchtet und eine Projektionseinrichtung, die eine zweite optische Elementgruppe aufweist, eine Abbildung des Objekts auf eine Bildeinrichtung projiziert. Dabei wird in der Beleuchtungseinrichtung und/oder der Projektionseinrichtung wenigstens eine erfindungsgemäße Verbindungsanordnung verwendet. Auch hiermit lassen sich die oben beschriebenen Varianten und Vorteile in demselben Maße realisieren, sodass insoweit auf die obigen Ausführungen Bezug genommen wird.
Weitere Aspekte und Ausführungsbeispiele der Erfindung ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen und der nachfolgenden Beschreibung bevorzugter Ausführungsbeispiele, die sich auf die beigefügten Figuren bezieht. Alle Kombinationen der offenbarten Merkmale, unabhängig davon, ob diese Gegenstand eines Anspruchs sind oder nicht, liegen im Schutzbereich der Erfindung.
Figurenliste

1 ist eine schematische Darstellung einer bevorzugten Ausführung einer erfindungsgemäßen Projektionsbelichtungsanlage, die eine bevorzugte Ausführung eines erfindungsgemäßen optischen Moduls umfasst, bei dem eine bevorzugte Ausführung einer erfindungsgemäßen Verbindungsanordnung Verwendung findet.
2 ist eine schematische Schnittansicht eines Teils des erfindungsgemäßen optischen Moduls aus 1.

DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
Im Folgenden wird unter Bezugnahme auf die 1 und 2 ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Projektionsbelichtungsanlage 101 für die Mikrolithographie beschrieben, die ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen optischen Moduls mit einem bevorzugten Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Verbindungsanordnung umfasst. Zur Vereinfachung der nachfolgenden Ausführungen wird in den Zeichnungen ein x,y,z-Koordinatensystem angegeben, wobei die z-Richtung parallel zur Richtung der Gravitationskraft verläuft. Die x-Richtung und die y-Richtung verlaufen demgemäß horizontal, wobei die x-Richtung in der Darstellung der 1 senkrecht in die Zeichnungsebene hinein verläuft. Selbstverständlich ist es in weiteren Ausgestaltungen möglich, beliebige davon abweichende Orientierungen der eines x,y,z-Koordinatensystems zu wählen.
Im Folgenden werden zunächst unter Bezugnahme auf die 1 exemplarisch die wesentlichen Bestandteile einer Projektionsbelichtungsanlage 101 beschrieben. Die Beschreibung des grundsätzlichen Aufbaus der Projektionsbelichtungsanlage 101 sowie deren Bestandteile sei hierbei nicht einschränkend verstanden.
Eine Beleuchtungseinrichtung bzw. ein Beleuchtungssystem 102 der Projektionsbelichtungsanlage 101 umfasst neben einer Strahlungsquelle 102.1 eine optischen Elementgruppe in Form einer Beleuchtungsoptik 102.2 zur Beleuchtung eines (schematisiert dargestellten) Objektfeldes 103.1. Das Objektfeld 103.1 liegt in einer Objektebene 103.2 einer Objekteinrichtung 103. Beleuchtet wird hierbei ein im Objektfeld 103.1 angeordnetes Retikel 103.3 (auch als Maske bezeichnet). Das Retikel 103.3 ist von einem Retikelhalter 103.4 gehalten. Der Retikelhalter 103.4 ist über einen Retikelverlagerungsantrieb 103.5 insbesondere in einer oder mehreren Scanrichtungen verlagerbar. Eine solche Scanrichtung verläuft im vorliegenden Beispiel parallel zu der y-Achse.
Die Projektionsbelichtungsanlage 101 umfasst weiterhin eine Projektionseinrichtung 104 mit einer weiteren optischen Elementgruppe in Form einer Projektionsoptik 104.1. Die Projektionsoptik 104.1 dient zur Abbildung des Objektfeldes 103.1 in ein (schematisiert dargestelltes) Bildfeld 105.1, das in einer Bildebene 105.2 einer Bildeinrichtung 105 liegt. Die Bildebene 105.2 verläuft parallel zu der Objektebene 103.2. Alternativ ist auch ein von 0° verschiedener Winkel zwischen der Objektebene 103.2 und der Bildebene 105.2 möglich.
Bei der Belichtung wird eine Struktur des Retikels 103.3 auf eine lichtempfindliche Schicht eines Substrats in Form eines Wafers 105.3 abgebildet, wobei die lichtempfindliche Schicht in der Bildebene 105.2 im Bereich des Bildfeldes 105.1 angeordnet ist. Der Wafer 105.3 wird von einem Substrathalter bzw. Waferhalter 105.4 gehalten. Der Waferhalter 105.4 ist über einen Waferverlagerungsantrieb 105.5 insbesondere längs der y-Richtung verlagerbar. Die Verlagerung einerseits des Retikels 103.3 über den Retikelverlagerungsantrieb 103.5 und andererseits des Wafers 105.3 über den Waferverlagerungsantrieb 105.5 kann synchronisiert zueinander erfolgen. Diese Synchronisation kann beispielsweise über eine gemeinsame (in 1 nur stark schematisch und ohne Steuerpfade dargestellte) Steuereinrichtung 106 erfolgen.
Bei der Strahlungsquelle 102.1 handelt es sich um eine EUV-Strahlungsquelle (extrem ultraviolette Strahlung), Die Strahlungsquelle 102.1 emittiert insbesondere EUV-Strahlung 107, welche im Folgenden auch als Nutzstrahlung oder Beleuchtungsstrahlung bezeichnet wird. Die Nutzstrahlung hat insbesondere eine Wellenlänge im Bereich zwischen 5 nm und 30 nm, insbesondere einer Wellenlänge von etwa 13 nm. Bei der Strahlungsquelle 102.1 kann es sich um eine Plasmaquelle handeln, zum Beispiel um eine LPP-Quelle (Laser Produced Plasma, also mithilfe eines Lasers erzeugtes Plasma) oder um eine DPP-Quelle (Gas Discharged Produced Plasma, also mittels Gasentladung erzeugtes Plasma). Es kann sich auch um eine synchrotronbasierte Strahlungsquelle handeln. Bei der Strahlungsquelle 102.1 kann es sich aber auch um einen Freie-Elektronen-Laser (Free-Electron-Laser, FEL) handeln.
Da die Projektionsbelichtungsanlage 101 mit Nutzlicht im EUV-Bereich arbeitet, handelt es sich bei den verwendeten optischen Elementen ausschließlich um reflektive optische Elemente. In weiteren Ausgestaltungen der Erfindung ist es (insbesondere in Abhängigkeit von der Wellenlänge des Beleuchtungslichts) selbstverständlich auch möglich, für die optischen Elemente jede Art von optischen Elementen (refraktiv, reflektiv, diffraktiv) alleine oder in beliebiger Kombination einzusetzen.
Die Beleuchtungsstrahlung 107, die von der Strahlungsquelle 102.1 ausgeht, wird von einem Kollektor 102.3 gebündelt. Bei dem Kollektor 102.3 kann es sich um einen Kollektor mit einer oder mit mehreren ellipsoidalen und/oder hyperboloiden Reflexionsflächen handeln. Die mindestens eine Reflexionsfläche des Kollektors 102.3 kann im streifenden Einfall (Grazing Incidence, Gl), also mit Einfallswinkeln größer als 45°, oder im normalen Einfall (Normal Incidence, NI), also mit Einfallwinkeln kleiner als 45°, mit der Beleuchtungsstrahlung 107 beaufschlagt werden. Der Kollektor 11 kann einerseits zur Optimierung seiner Reflektivität für die Nutzstrahlung und andererseits zur Unterdrückung von Falschlicht strukturiert und/oder beschichtet sein.
Nach dem Kollektor 102.3 propagiert die Beleuchtungsstrahlung 107 durch einen Zwischenfokus in einer Zwischenfokusebene 107.1. Die Zwischenfokusebene 107.1 kann bei bestimmten Varianten eine Trennung zwischen der Beleuchtungsoptik 102.2 und einem Strahlungsquellenmodul 102.4 darstellen, das die Strahlungsquelle 102.1 und den Kollektor 102.3 umfasst.
Die Beleuchtungsoptik 102.2 umfasst entlang des Strahlengangs einen Umlenkspiegel 102.5 einen nachgeordneten ersten Facettenspiegel 102.6. Bei dem Umlenkspiegel 102.5 kann es sich um einen planen Umlenkspiegel oder alternativ um einen Spiegel mit einer über die reine Umlenkungswirkung hinaus bündelbeeinflussenden Wirkung handeln. Alternativ oder zusätzlich kann der Umlenkspiegel 102.5 als Spektralfilter ausgeführt sein, der aus der Beleuchtungsstrahlung 107 zumindest teilweise so genanntes Falschlicht heraustrennt, dessen Wellenlänge von der Nutzlichtwellenlänge abweicht. Sofern die optisch wirksamen Flächen des ersten Facettenspiegels 102.6 im Bereich einer Ebene der Beleuchtungsoptik 102.2 angeordnet sind, die zur Objektebene 103.2 als Feldebene optisch konjugiert ist, wird der erste Facettenspiegel 102.6 auch als Feldfacettenspiegel bezeichnet. Der erste Facettenspiegel 102.6 umfasst eine Vielzahl von einzelnen ersten Facetten 102.7, welche im Folgenden auch als Feldfacetten bezeichnet werden. Diese ersten Facetten und deren optische Flächen sind in der 1 nur stark schematisch durch die gestrichelte Kontur 102.7 angedeutet.
Die ersten Facetten 102.7 können als makroskopische Facetten ausgeführt sein, insbesondere als rechteckige Facetten oder als Facetten mit bogenförmiger oder teilkreisförmiger Randkontur. Die ersten Facetten 102.7 können als Facetten mit planarer oder alternativ mit konvex oder konkav gekrümmter optischer Fläche ausgeführt sein.
Wie beispielsweise aus der DE 10 2008 009 600 A1 (deren gesamte Offenbarung hierin durch Bezugnahme eingeschlossen wird) bekannt ist, können die ersten Facetten 102.7 selbst jeweils auch aus einer Vielzahl von Einzelspiegeln, insbesondere einer Vielzahl von Mikrospiegeln, zusammengesetzt sein. Der erste Facettenspiegel 102.6 kann insbesondere als mikroelektromechanisches System (MEMS-System) ausgebildet sein, wie dies beispielsweise in der DE 10 2008 009 600 A1 im Detail beschrieben ist.
Zwischen dem Kollektor 102.3 und dem Umlenkspiegel 102.5 verläuft die Beleuchtungsstrahlung 107 im vorliegenden Beispiel horizontal, also längs der y-Richtung. Es versteht sich jedoch, dass bei anderen Varianten auch eine andere Ausrichtung gewählt sein kann.
Im Strahlengang der Beleuchtungsoptik 102.2 ist dem ersten Facettenspiegel 102.6 ein zweiter Facettenspiegel 102.8 nachgeordnet. Sofern die optisch wirksamen Flächen des zweiten Facettenspiegels 102.8 im Bereich einer Pupillenebene der Beleuchtungsoptik 102.2 angeordnet sind, wird der zweite Facettenspiegel 102.8 auch als Pupillenfacettenspiegel bezeichnet. Der zweite Facettenspiegel 102.8 kann auch beabstandet zu einer Pupillenebene der Beleuchtungsoptik 102.2 angeordnet sein. In diesem Fall wird die Kombination aus dem ersten Facettenspiegel 102.6 und dem zweiten Facettenspiegel 102.8 auch als spekularer Reflektor bezeichnet. Solche spekulare Reflektoren sind beispielsweise bekannt aus der US 2006/0132747 A1 , der EP 1 614 008 B1 oder der US 6,573,978 (deren jeweilige gesamte Offenbarung hierin durch Bezugnahme eingeschlossen wird).
Der zweite Facettenspiegel 102.8 umfasst wiederum eine Mehrzahl von zweiten Facetten, die in der 1 nur stark schematisch durch die gestrichelte Kontur 102.9 angedeutet sind.
Die zweiten Facetten 102.9 werden im Falle eines Pupillenfacettenspiegels auch als Pupillenfacetten bezeichnet. Die zweiten Facetten 102.9 können grundsätzlich wie die ersten Facetten 102.7 gestaltet sein. Insbesondere kann es sich bei den zweiten Facetten 102.9 ebenfalls um makroskopische Facetten handeln, die beispielsweise rund, rechteckig oder auch hexagonal berandet sein können. Alternativ kann es sich bei den zweiten Facetten 102.9 um aus Mikrospiegeln zusammengesetzte Facetten handeln. Die zweiten Facetten 102.9 können wiederum planare oder alternativ konvex oder konkav gekrümmte Reflexionsflächen aufweisen. Diesbezüglich wird erneut auf die DE 10 2008 009 600 A1 verwiesen.
Die Beleuchtungsoptik 102.2 bildet im vorliegenden Beispiel somit ein doppelt facettiertes System. Dieses grundlegende Prinzip wird auch als Fliegenaugenintegrator (Fly's Eye Integrator) bezeichnet. Es kann bei bestimmten Varianten weiterhin vorteilhaft sein, die optischen Flächen des zweiten Facettenspiegels 102.8 nicht exakt in einer Ebene anzuordnen, welche zu einer Pupillenebene der Projektionsoptik 104.1 optisch konjugiert ist.
Bei einer weiteren, nicht dargestellten Ausführung der Beleuchtungsoptik 102.2 kann im Strahlengang zwischen dem zweiten Facettenspiegel 102.8 und dem Objektfeld 103.1 eine (nur stark schematisiert dargestellte) Übertragungsoptik 102.10 angeordnet sein, die insbesondere zur Abbildung der ersten Facetten 102.7 in das Objektfeld 103.1 beiträgt. Die Übertragungsoptik 102.10 kann genau einen Spiegel, alternativ aber auch zwei oder mehr Spiegel aufweisen, welche hintereinander im Strahlengang der Beleuchtungsoptik 102.2 angeordnet sind. Die Übertragungsoptik 102.10 kann insbesondere einen oder zwei Spiegel für senkrechten Einfall (Nl-Spiegel, Normal Incidence Spiegel) und/oder einen oder zwei Spiegel für streifenden Einfall (Gl-Spiegel, Grazing Incidence Spiegel) umfassen.
Die Beleuchtungsoptik 102.2 hat bei der Ausführung, wie sie in der 1 gezeigt ist, nach dem Kollektor 102.3 genau drei Spiegel, nämlich den Umlenkspiegel 102.5, den ersten Facettenspiegel 102.6 (z. B. einen Feldfacettenspiegel) und den zweiten Facettenspiegel 102.8 (z. B. einen Pupillenfacettenspiegel). Bei einer weiteren Ausführung der Beleuchtungsoptik 102.2 kann der Umlenkspiegel 102.5 auch entfallen, sodass die Beleuchtungsoptik 102.2 nach dem Kollektor 102.3 dann genau zwei Spiegel aufweisen kann, nämlich den ersten Facettenspiegel 102.6 und den zweiten Facettenspiegel 102.8.
Mit Hilfe des zweiten Facettenspiegels 102.8 werden die einzelnen ersten Facetten 102.7 in das Objektfeld 103.1 abgebildet. Der zweite Facettenspiegel 102.8 ist der letzte bündelformende oder auch tatsächlich der letzte Spiegel für die Beleuchtungsstrahlung 107 im Strahlengang vor dem Objektfeld 103.1. Die Abbildung der ersten Facetten 102.7 mittels der zweiten Facetten 102.9 bzw. mit den zweiten Facetten 102.9 und einer Übertragungsoptik 102.10 in die Objektebene 103.2 ist regelmäßig nur eine näherungsweise Abbildung.
Die Projektionsoptik 104.1 umfasst eine Mehrzahl von Spiegeln Mi, welche gemäß ihrer Anordnung entlang des Strahlengangs der Projektionsbelichtungsanlage 101 nummeriert sind. Bei dem in der 1 dargestellten Beispiel umfasst die Projektionsoptik 104.1 sechs Spiegel M1 bis M6. Alternativen mit vier, acht, zehn, zwölf oder einer anderen Anzahl an Spiegeln Mi sind ebenso möglich. Der vorletzte Spiegel M5 und der letzte Spiegel M6 können jeweils eine (nicht näher dargestellte) Durchtrittsöffnung für die Beleuchtungsstrahlung 107 aufweisen. Bei der Projektionsoptik 104.1 handelt es sich im vorliegenden Beispiel um eine doppelt obskurierte Optik. Die Projektionsoptik 104.1 hat eine bildseitige numerische Apertur NA, die größer ist als 0,5. Insbesondere kann die bildseitige numerische Apertur NA auch größer sein kann als 0,6. Beispielsweise kann die bildseitige numerische Apertur NA 0,7 oder 0,75 betragen.
Die Reflexionsflächen der Spiegel Mi können als Freiformflächen ohne Rotationssymmetrieachse ausgeführt sein. Alternativ können die Reflexionsflächen der Spiegel Mi als asphärische Flächen mit genau einer Rotationssymmetrieachse der Reflexionsflächenform gestaltet sein. Die Spiegel Mi können, genauso wie die Spiegel der Beleuchtungsoptik 102.2, hoch reflektierende Beschichtungen für die Beleuchtungsstrahlung 107 aufweisen. Diese Beschichtungen können aus mehreren Schichten aufgebaut sein (Multilayer-Beschichtungen), insbesondere können sie mit alternierenden Lagen aus Molybdän und Silizium gestaltet sein.
Die Projektionsoptik 104.1 hat im vorliegenden Beispiel einen großen Objekt-Bildversatz in der y-Richtung zwischen einer y-Koordinate eines Zentrums des Objektfeldes 103.1 und einer y-Koordinate des Zentrums des Bildfeldes 105.1. Dieser Objekt-Bild-Versatz in der y-Richtung kann in etwa so groß sein wie ein Abstand zwischen der Objektebene 103.2 und der Bildebene 105.2 in der z-Richtung.
Die Projektionsoptik 104.1 kann insbesondere anamorphotisch ausgebildet sein. Sie weist insbesondere unterschiedliche Abbildungsmaßstäbe βx, βy in x- und y-Richtung auf. Die beiden Abbildungsmaßstäbe βx, βy der Projektionsoptik 104.1 liegen bevorzugt bei (βx; βy) = (+/- 0,25; +/- 0,125). Ein positiver Abbildungsmaßstab β bedeutet eine Abbildung ohne Bildumkehr. Ein negatives Vorzeichen für den Abbildungsmaßstab β bedeutet eine Abbildung mit Bildumkehr. Die Projektionsoptik 104.1 führt im vorliegenden Beispiel somit in x-Richtung, das heißt in Richtung senkrecht zur Scanrichtung, zu einer Verkleinerung im Verhältnis von 4:1. Demgegenüber führt die Projektionsoptik 104.1 in y-Richtung, das heißt in Scanrichtung, zu einer Verkleinerung im Verhältnis von 8:1. Andere Abbildungsmaßstäbe sind ebenso möglich. Auch vorzeichengleiche und absolut gleiche Abbildungsmaßstäbe in x- und y-Richtung sind möglich, zum Beispiel mit Absolutwerten von 0,125 oder von 0,25.
Die Anzahl von Zwischenbildebenen in der x- und in der y-Richtung im Strahlengang zwischen dem Objektfeld 103.1 und dem Bildfeld 105.1 kann gleich sein. Ebenso kann die Anzahl von Zwischenbildebenen je nach Ausführung der Projektionsoptik 104.1 unterschiedlich sein. Beispiele für Projektionsoptiken mit unterschiedlicher Anzahl derartiger Zwischenbilder in x- und y-Richtung sind beispielsweise aus der US 2018/0074303 A1 bekannt (deren gesamte Offenbarung hierin durch Bezugnahme eingeschlossen wird).
Im vorliegenden Beispiel ist jeweils eine der Pupillenfacetten 102.9 genau einer der Feldfacetten 102.7 zur Ausbildung jeweils eines Beleuchtungskanals zur Ausleuchtung des Objektfeldes 103.1 zugeordnet. Es kann sich hierdurch insbesondere eine Beleuchtung nach dem Köhlerschen Prinzip ergeben. Das Fernfeld wird mit Hilfe der Feldfacetten 102.7 in eine Vielzahl an Objektfeldern 103.1 zerlegt. Die Feldfacetten 102.7 erzeugen eine Mehrzahl von Bildern des Zwischenfokus auf den diesen jeweils zugeordneten Pupillenfacetten 102.9.
Die Feldfacetten 102.7 werden jeweils von einer zugeordneten Pupillenfacette 102.9 auf das Retikel 103.3 abgebildet, wobei sich die Abbildungen überlagern, sodass es mithin zu einer überlagernden Ausleuchtung des Objektfeldes 103.1 kommt. Die Ausleuchtung des Objektfeldes 103.1 ist bevorzugt möglichst homogen. Sie weist vorzugsweise einen Uniformitätsfehler von weniger als 2% auf. Die Felduniformität kann durch die Überlagerung unterschiedlicher Beleuchtungskanäle erreicht werden.
Durch eine Anordnung der Pupillenfacetten 102.9 kann geometrisch die Ausleuchtung der Eintrittspupille der Projektionsoptik 104.1 definiert werden. Durch Auswahl der Beleuchtungskanäle, insbesondere der Teilmenge der Pupillenfacetten 102.9, die Licht führen, kann die Intensitätsverteilung in der Eintrittspupille der Projektionsoptik 104.1 eingestellt werden. Diese Intensitätsverteilung wird auch als Beleuchtungssetting des Beleuchtungssystems 102 bezeichnet. Eine ebenfalls bevorzugte Pupillenuniformität im Bereich definiert ausgeleuchteter Abschnitte einer Beleuchtungspupille der Beleuchtungsoptik 102.2 kann durch eine Umverteilung der Beleuchtungskanäle erreicht werden. Die vorgenannten Einstellungen können bei aktiv verstellbaren Facetten jeweils durch eine entsprechende Ansteuerung über die Steuereinrichtung 106 vorgenommen werden.
Im Folgenden werden weitere Aspekte und Details der Ausleuchtung des Objektfeldes 103.1 sowie insbesondere der Eintrittspupille der Projektionsoptik 104.1 beschrieben.
Die Projektionsoptik 104.1 kann insbesondere eine homozentrische Eintrittspupille aufweisen. Diese kann zugänglich oder auch unzugänglich sein. Die Eintrittspupille der Projektionsoptik 104.1 lässt sich häufig mit dem Pupillenfacettenspiegel 102.8 nicht exakt ausleuchten. Bei einer Abbildung der Projektionsoptik 104.1, welche das Zentrum des Pupillenfacettenspiegels 102.8 telezentrisch auf den Wafer 105.3 abbildet, schneiden sich die Aperturstrahlen oftmals nicht in einem einzigen Punkt. Es lässt sich jedoch eine Fläche finden, in welcher der paarweise bestimmte Abstand der Aperturstrahlen minimal wird. Diese Fläche stellt die Eintrittspupille oder eine zu ihr konjugierte Fläche im Ortsraum dar. Insbesondere zeigt diese Fläche eine endliche Krümmung.
Es kann bei bestimmten Varianten sein, dass die Projektionsoptik 104.1 unterschiedliche Lagen der Eintrittspupille für den tangentialen und für den sagittalen Strahlengang aufweist. In diesem Fall ist es bevorzugt, wenn ein abbildendes optisches Element, insbesondere ein optisches Bauelement der Übertragungsoptik 102.10, zwischen dem zweiten Facettenspiegel 102.8 und dem Retikel 103.3 bereitgestellt wird. Mit Hilfe dieses abbildenden optischen Elements kann die unterschiedliche Lage der tangentialen Eintrittspupille und der sagittalen Eintrittspupille berücksichtigt werden.
Bei der Anordnung der Komponenten der Beleuchtungsoptik 102.2, wie sie in der 1 dargestellt ist, sind die optischen Flächen des Pupillenfacettenspiegels 102.8 in einer zur Eintrittspupille der Projektionsoptik 104.1 konjugierten Fläche angeordnet. Der erste Facettenspiegel 102.6 (Feldfacettenspiegel) definiert eine erste Haupterstreckungsebene seiner optischen Flächen, die im vorliegenden Beispiel zur Objektebene 5 verkippt angeordnet ist. Diese erste Haupterstreckungsebene des ersten Facettenspiegels 102.6 ist im vorliegenden Beispiel verkippt zu einer zweiten Haupterstreckungsebene angeordnet, die von der optischen Fläche des Umlenkspiegels 102.5 definiert ist. Die erste Haupterstreckungsebene des ersten Facettenspiegels 102.6 ist im vorliegenden Beispiel weiterhin verkippt zu einer dritten Haupterstreckungsebene angeordnet, die von den optischen Flächen des zweiten Facettenspiegels 102.8 definiert wird.
Wie nachfolgend anhand der 2 erläutert wird, ist im vorliegenden Beispiel wenigstens einer der Facettenspiegel 102.6 und 102.8 als erfindungsgemäßes optisches Modul 108 aufgebaut, das eine Vielzahl Q von Verbindungsanordnungen 109 umfasst, von denen in 2 eine Verbindungsanordnung 109 in einem ersten thermischen Zustand TZ1 (2: linke Hälfte der Verbindungsanordnung 109) und in einem zweiten thermischen Zustand TZ2 (2: rechte Hälfte der Verbindungsanordnung 109). In dem ersten thermischen Zustand liegt eine erste Temperaturverteilung TV1 innerhalb der Verbindungsanordnung 109 vor, während in dem zweiten thermischen Zustand eine zweite Temperaturverteilung TV2 innerhalb der Verbindungsanordnung 109 vorliegt, die aufgrund eines Eintrags von thermischer Energie in die Verbindungsanordnung 109 (von der ersten Temperaturverteilung TV1 abweicht (d.h. TV1 ≠ TV2).
Die Verbindungsanordnungen 109 sind vorliegenden Beispiel identisch gestaltet. Bei anderen Varianten können sie aber auch jeweils (einzeln oder in Gruppen) unterschiedlich gestaltet sein. Dabei beträgt die Mehrzahl Q an Verbindungsanordnungen 109 insbesondere 2 bis 3000, vorzugsweise 30 bis 2000, weiter vorzugsweise 200 bis 500.
Die Verbindungsanordnung 109 umfasst eine erste Komponente 109.1, eine zweite Komponente 109.2, eine dritte Komponente 109.3 und eine vierte Komponente 109.4, wobei die erste Komponente 109.1, die zweite Komponente 109.2, und die dritte Komponente 109.3 eine Komponentenkombination 109.5 bilden. Die erste Komponente 109.1 und die zweite Komponente 109.2 sind über eine einstellbare Verbindung 109.6 miteinander verbunden, während die dritte Komponente 109.3 und die vierte Komponente 109.4 kinematisch seriell zwischen einem ersten Abschnitt 109.7 der ersten Komponente 109.1 und einem zweiten Abschnitt 109.8 der zweiten Komponente 109.2 angeordnet sind. Dabei sind die dritte Komponente 109.3 und die vierte Komponente 109.4 zwischen dem ersten Abschnitt 109.7 der ersten Komponente 109.1 und dem zweiten Abschnitt 109.8 der zweiten Komponente 109.2 geklemmt, indem sie jeweils mit einer Komponentenvorspannung KV beaufschlagt sind. Die Komponentenvorspannung KV kann bei der Montage der Verbindungsanordnung 109 und einer gegebenenfalls nachfolgenden Justage über die Verbindung 109.6 auf einen vorgegebenen Wert eingestellt werden.
Die dritte Komponente 109.3 und die vierte Komponente 109.4 werden in dem ersten thermischen Zustand TZ1 mit einer ersten Komponentenvorspannung KV1 beaufschlagt, während sie in dem zweiten thermischen Zustand TZ2 mit einer zweiten Komponentenvorspannung KV2 beaufschlagt werden. Der thermische Ausdehnungskoeffizient (CTE4) und/oder eine Temperatur (T) der vierten Komponente 109.4 ist dabei derart auf das thermische Ausdehnungsverhalten der Komponentenkombination 109.5 aus der ersten Komponente 109.1, der zweiten Komponente 109.2 und der dritten Komponente 109.3 abgestimmt, dass die erste Komponentenvorspannung KV1 und die zweite Komponentenvorspannung KV2 um höchstens 5% bis 95%, vorzugsweise höchstens 10% bis 50%, weiter vorzugsweise höchstens 15% bis 25%, der ersten Komponentenvorspannung KV1 voneinander abweichen.
Im vorliegenden Beispiel dient die vierte Komponente 109.4 als Kompensationskomponente, mit der auf einfache Weise eine Dejustage der Relativlage der miteinander gekoppelten Komponenten 109.1 bis 109.4 im Betrieb der Abbildungseinrichtung 101 vermieden werden kann. Die vierte Komponente 109.4 wird in den Kraftfluss der Komponentenvorspannung KV eingefügt, wobei ihr thermischer Ausdehnungskoeffizient (CTE4) und/oder ihre Temperatur (T4) im Betrieb derart abgestimmt ist (siehe 2, rechte Hälfte), dass sie durch entsprechende thermische Ausdehnung die unterschiedliche thermische Ausdehnung der übrigen Komponenten 109.1 bis 109.3 zumindest so weit kompensiert, dass beispielsweise ein Abbau der Komponentenvorspannung KV unter einen kritischen Wert vermieden werden kann, unterhalb dessen bei den im Normalbetrieb zu erwartenden Lasten eine Dejustage der Verbindungsanordnung 109 stattfinden könnte.
Bei der Abstimmung der vierten Komponente 109.4 handelt es sich im vorliegenden Beispiel um eine rein passive Lösung, die durch die gewählte Abstimmung des thermischen Verhaltens der Kompensationskomponente 109.4 im Betrieb den gewünschten Kompensationseffekt erzielt. Es versteht sich aber, dass grundsätzlich auch eine aktive Lösung gewählt sein kann, bei der die Temperatur (T4) der Kompensationskomponente 109.4 so eingestellt wird, dass der gewünschte Kompensationseffekt erzielt wird.
Es versteht sich, dass die vorgenannte Abstimmung der vierten Komponente 109.4 bei bestimmten Varianten auch dazu genutzt werden kann, eine Erhöhung der Vorspannung KV über einen unerwünscht hohen Wert zu vermeiden. Im vorliegenden Beispiel ist die zweite Komponentenvorspannung KV2 (bedingt durch das thermische Ausdehnungsverhalten der Komponentenkombination 109.5) jedoch geringer ist als die erste Komponentenvorspannung KV1, wobei durch die spezifische Abstimmung der vierten Komponente 109.4 ein Abbau der Vorspannung KV unter einen (für den Normalbetrieb der Abbildungseinrichtung 101) vorgegebenen kritischen Wert KVK vermieden werden.
Wie der 2 (rechte Hälfte) zu entnehmen ist, dehnt sich die vierte Komponente 109.4 bei einem Wärmeeintrag in die Verbindungsanordnung 109 so stark aus, das sie einen Unterschied zwischen der thermischen Ausdehnung der Kombination aus der ersten und zweiten Komponente 109.1, 109.2 und der der thermischen Ausdehnung der dritten Komponente 109.3 zumindest so weit kompensiert, dass die Komponentenvorspannung KV2 nicht unter den kritischen Wert KVK fällt.
Es versteht (unabhängig von dem vorliegenden Beispiel), dass bei solchen Anwendungsszenarien der thermische Ausdehnungskoeffizient (CTE1-2) der Kombination aus der ersten und zweiten Komponente 109.1, 109.2 typischerweise größer ist als der thermische Ausdehnungskoeffizient (CTE3) der dritten Komponente 109.3. Ein solches Verhalten kann sich zusätzlich oder alternativ aber auch ergeben, wenn bei Komponenten mit gleichem thermischen Ausdehnungskoeffizienten (gegebenenfalls stark) unterschiedlichen Temperaturen bzw. Temperaturverteilungen vorliegen, die eine entsprechend unterschiedliche thermische Ausdehnung bedingen. Hierbei kann es bei herkömmlichen Gestaltungen im ungünstigsten Fall dazu kommen, dass die Komponentenvorspannung KV2 (also die Verpressung der Komponenten) im schlimmsten Fall komplett genommen wird und sogar ein Spalt entstehen kann.
Das Verhältnis zwischen der ersten Komponentenvorspannung KV1 und der zweiten Komponentenvorspannung KV2 kann in Abhängigkeit von den im Betrieb zu erwartenden Dejustagelasten grundsätzlich beliebig gewählt sein. Bevorzugt weichen die erste Komponentenvorspannung KV1 und die zweite Komponentenvorspannung KV2 um höchstens 25% bis 75%, vorzugsweise höchstens 15% bis 40%, weiter vorzugsweise höchstens 5% bis 10%, der ersten Komponentenvorspannung KV1 voneinander ab.
Im vorliegenden Beispiel weist die Verbindung 109.6 einen gegen unbeabsichtigte Verstellung gesicherten Zustand auf, der vorliegt, wenn die Komponentenvorspannung KV oberhalb eines Selbstsicherungsvorspannungswertes KVS liegt. In diesem Fall beträgt die zweite Komponentenvorspannung KV2 dann vorzugsweise wenigstens 110% bis 1000%, vorzugsweise wenigstens 150% bis 400%, weiter vorzugsweise wenigstens 200% bis 300%, des Selbstsicherungsvorspannungswertes KVS. Hiermit kann eine Dejustage bei den im Betrieb der Abbildungseinrichtung 101 zu erwartenden Dejustagelasten zuverlässig vermieden werden.
Bei bestimmten Varianten erfolgt im Normalbetrieb der Abbildungseinrichtung 101 ein Zustandsübergang von dem ersten thermischen Zustand TZ1 zu dem zweiten thermischen Zustand TZ2, beispielsweise beim Anfahren der Abbildungseinrichtung 101 oder bei einem Wechsel des Beleuchtungssettings oder einer beliebigen anderen Änderung des Betriebszustands. Hierbei ist es dann von besonderem Vorteil, wenn der thermische Ausdehnungskoeffizient (CTE4) und/oder die Temperatur (T4) der wenigstens einen vierten Komponente derart auf das thermische Ausdehnungsverhalten der Komponentenkombination 109.5 abgestimmt ist, dass die Komponentenvorspannung KV während des Zustandsübergangs nicht unter den Wert der zweiten Komponentenvorspannung fällt.
Hierbei kann es von Vorteil sein, wenn die Komponentenvorspannung KV während des Zustandsübergangs wenigstens 100% bis 2000%, vorzugsweise wenigstens 200% bis 1000%, weiter vorzugsweise wenigstens 400% bis 800%, der zweiten Komponentenvorspannung KV2 beträgt. Letztlich kann hierdurch eine bestimmte gewünschte Sicherheit gegen eine Dejustage der Verbindungsanordnung 109 erzielt werden.
Die Abweichung zwischen dem ersten thermischen Zustand TZ1 und dem zweiten thermischen Zustand TZ2 ist grundsätzlich so groß, dass es zu einer für eine Dejustage relevanten Änderung der Vorspannung KV kommen kann. Hierbei können gegebenenfalls auch weitere Einflussfaktoren, wie beispielsweise Setzeffekte oder Alterungseffekte an den beteiligten Komponenten 109.1 bis 109.5, berücksichtigt werden. Im vorliegenden Beispiel erfolgt im Normalbetrieb der Abbildungseinrichtung 101 ein Zustandsübergang von dem ersten thermischen Zustand TZ1 zu dem zweiten thermischen Zustand TZ2, wobei in dem ersten thermischen Zustand TZ1 eine erste mittlere Temperatur TM1 in der Verbindungsanordnung 109 herrscht, während in dem zweiten thermischen Zustand TZ2 eine zweite mittlere Temperatur TM2 in der Verbindungsanordnung 109 herrscht. Die hierin genannten Vorteile kommen besonders gut zum Tragen, wenn eine dementsprechend (für eine Dejustage) relevante Temperaturänderung vorliegt, mithin also die zweite mittlere Temperatur TM2 wenigstens 20% bis 500%, vorzugsweise wenigstens 50% bis 200%, weiter vorzugsweise 80% bis 150%, der ersten mittleren Temperatur TM1 beträgt. Die konkreten Absoluttemperaturen ergeben sich dann natürlich für den jeweiligen Einzelfall. Besonders günstigen Konfigurationen ergeben sich, wenn die zweite mittlere Temperatur TM2 wenigstens -80°C bis 80°C, vorzugsweise wenigstens -50°C bis 50°C, weiter vorzugsweise - 20°C bis 20°C, oberhalb der ersten mittleren Temperatur TM1 liegt.
Das jeweilige Temperaturniveau der Verbindungsanordnung 109 kann grundsätzlich beliebig gewählt sein. Besonders vorteilhafte Varianten ergeben sich, wenn die erste mittlere Temperatur TM1 bei 20°C bis 200°C, vorzugsweise bei 50°C bis 150°C, weiter vorzugsweise bei 80°C bis 120°C, liegt. Vergleichbares gilt, wenn die zweite mittlere Temperatur TM2 bei 20°C bis 200°C, vorzugsweise bei 50°C bis 150°C, weiter vorzugsweise bei 80°C bis 120°C, liegt.
Das hierin beschriebene Konzept kann grundsätzlich im Zusammenhang mit beliebig gestalteten Verbindungen 109.6 eingesetzt werden, über welche eine entsprechende Vorspannung der beteiligten Komponenten 109.1 bis 109.4 erzielt wird. Besonders gute Ergebnisse lassen sich erzielen, wenn die Verbindung 109 wie im vorliegenden Beispiel eine Verschraubung umfasst, indem die erste Komponente 109.1 mit der zweiten Komponente 109.2 über ein Gewinde 109.9 verschraubt ist.
Dabei bildet die erste Komponente 109.1 einen ersten Teil einer zylinderförmigen Aufnahmeeinheit 109.10, während die zweite Komponente 109.2 einen zweiten Teil der Aufnahmeeinheit 109.10 bildet. Die in einem zylinderförmigen Abschnitt der Aufnahmeeinheit 109.10 miteinander verschraubte erste und zweite Komponente 109.1, 109.2 umschließen die dritte Komponente 109.3 und die vierte Komponente 109.4 vollständig, sodass diese in der Aufnahmeeinheit 109.10 aufgenommen sind.
Im vorliegenden Beispiel sind die Komponenten 109.1 bis 109.4 als einteilige Komponenten dargestellt. Es versteht sich jedoch, dass bei anderen Varianten wenigstens eine der Komponenten 109.1 bis 109.4 auch mehrteilig gestaltet sein kann bzw. dass mehrere dritte Komponenten 109.3 und/oder vierte Komponenten 109.4 vorgesehen sein können, wie dies in 4 durch die gestrichelten Konturen 109.11 und 109.12 angedeutet ist.
Die vorliegende Erfindung wurde vorstehend ausschließlich anhand von Beispielen aus dem Bereich der Mikrolithographie beschrieben. Es versteht sich jedoch, dass die Erfindung auch im Zusammenhang mit beliebigen anderen optischen Anwendungen, insbesondere Abbildungsverfahren bei anderen Wellenlängen, zum Einsatz kommen kann, bei denen sich ähnliche Probleme hinsichtlich der Vermeidung von thermisch bedingter Dejustage stellen.
Weiterhin kann die Erfindung im Zusammenhang mit der Inspektion von Objekten, wie beispielsweise der so genannten Maskeninspektion zu Einsatz kommen, bei welcher die für die Mikrolithographie verwendeten Masken auf ihre Integrität etc. untersucht werden. An Stelle des Wafers 105.1 tritt dann in 1 beispielsweise eine Sensoreinheit, welche die Abbildung des Projektionsmusters des Retikels 104.1 (zur weiteren Verarbeitung) erfasst. Diese Maskeninspektion kann dann sowohl im Wesentlichen bei derselben Wellenlänge erfolgen, die im späteren Mikrolithographieprozess verwendet wird. Ebenso können aber auch beliebige hiervon abweichende Wellenlängen für die Inspektion verwendet werden.
Die vorliegende Erfindung wurde vorstehend schließlich anhand konkreter Ausführungsbeispiele beschrieben, welches konkrete Kombinationen der in den nachfolgenden Patentansprüchen definierten Merkmale zeigt. Es sei an dieser Stelle ausdrücklich darauf hingewiesen, dass der Gegenstand der vorliegenden Erfindung nicht auf diese Merkmalskombinationen beschränkt ist, sondern auch sämtliche übrigen Merkmalskombinationen, wie sie sich aus den nachfolgenden Patentansprüchen ergeben, zum Gegenstand der vorliegenden Erfindung gehören.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

DE 102008009600 A1 [0038, 0042]
US 2006/0132747 A1 [0040]
EP 1614008 B1 [0040]
US 6573978 [0040]
US 2018/0074303 A1 [0051]

Claims

Verbindungsanordnung für eine optische Abbildungseinrichtung für die Mikrolithographie, insbesondere für die Verwendung von Licht im extremen UV-Bereich (EUV), mit - einer ersten Komponente (109.1), - einer zweiten Komponente (109.2), - wenigstens einer dritten Komponente (109.3) und - wenigstens einer vierten Komponente (109.4), wobei - die erste Komponente (109.1) und die zweite Komponente (109.2) über eine einstellbare Verbindung miteinander verbunden sind, - die wenigstens eine dritte Komponente (109.3) und die wenigstens eine vierte Komponente (109.4) kinematisch seriell zwischen einem ersten Abschnitt der ersten Komponente (109.1) und einem zweiten Abschnitt der zweiten Komponente (109.2) angeordnet sind, - die wenigstens eine dritte Komponente (109.3) und wenigstens eine vierte Komponente (109.4) zwischen dem ersten Abschnitt der ersten Komponente (109.1) und dem zweiten Abschnitt der zweiten Komponente (109.2) geklemmt sind, indem sie mit einer Komponentenvorspannung beaufschlagt sind, wobei - die wenigstens eine dritte Komponente (109.3) und die wenigstens eine vierte Komponente (109.4) in einem ersten thermischen Zustand der Verbindungsanordnung mit einer ersten Komponentenvorspannung beaufschlagt sind, die über die Verbindung einstellbar ist, - die wenigstens eine dritte Komponente (109.3) und die wenigstens eine vierte Komponente (109.4) in einem zweiten thermischen Zustand der Verbindungsanordnung mit einer zweiten Komponentenvorspannung beaufschlagt sind, wobei - in dem ersten thermischen Zustand eine erste Temperaturverteilung innerhalb der Verbindungsanordnung vorliegt und - in dem zweiten thermischen Zustand eine zweite Temperaturverteilung innerhalb der Verbindungsanordnung vorliegt, die aufgrund eines Eintrags von thermischer Energie in die Verbindungsanordnung von der ersten Temperaturverteilung abweicht, dadurch gekennzeichnet, dass - ein thermischer Ausdehnungskoeffizient und/oder eine Temperatur der wenigstens einen vierten Komponente (109.4) derart auf ein thermisches Ausdehnungsverhalten der Komponentenkombination aus der ersten Komponente (109.1), der zweiten Komponente (109.2) und der wenigstens einen dritten Komponente (109.3) abgestimmt ist, dass die erste Komponentenvorspannung und die zweite Komponentenvorspannung um höchstens 5% bis 95%, vorzugsweise höchstens 10% bis 50%, weiter vorzugsweise höchstens 15% bis 25%, der ersten Komponentenvorspannung voneinander abweichen.
Verbindungsanordnung nach Anspruch 1, wobei - die zweite Komponentenvorspannung geringer ist als die erste Komponentenvorspannung.
Verbindungsanordnung nach Anspruch 2, wobei - die erste Komponentenvorspannung und die zweite Komponentenvorspannung um höchstens 25% bis 75%, vorzugsweise höchstens 15% bis 40%, weiter vorzugsweise höchstens 5% bis 10%, der ersten Komponentenvorspannung voneinander abweichen.
Verbindungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei - die Verbindung einen gegen unbeabsichtigte Verstellung gesicherten Zustand aufweist, der vorliegt, wenn die Komponentenvorspannung oberhalb eines Selbstsicherungsvorspannungswertes liegt, wobei - die zweite Komponentenvorspannung wenigstens 110% bis 1000%, vorzugsweise wenigstens 150% bis 400%, weiter vorzugsweise wenigstens 200% bis 300%, des Selbstsicherungsvorspannungswertes beträgt.
Verbindungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei - in einem Normalbetrieb der Abbildungseinrichtung ein Zustandsübergang von dem ersten thermischen Zustand zu dem zweiten thermischen Zustand erfolgt und - der thermische Ausdehnungskoeffizient und/oder die Temperatur der wenigstens einen vierten Komponente (109.4) derart auf das thermische Ausdehnungsverhalten der Komponentenkombination abgestimmt ist, dass die Komponentenvorspannung während des Zustandsübergangs nicht unter den Wert der zweiten Komponentenvorspannung fällt.
Verbindungsanordnung nach Anspruch 5, wobei - die Komponentenvorspannung während des Zustandsübergangs wenigstens 100% bis 2000%, vorzugsweise wenigstens 200% bis 1000%, weiter vorzugsweise wenigstens 400% bis 800%, der zweiten Komponentenvorspannung beträgt.
Verbindungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei - in einem Normalbetrieb der Abbildungseinrichtung ein Zustandsübergang von dem ersten thermischen Zustand zu dem zweiten thermischen Zustand erfolgt, - in dem ersten thermischen Zustand eine erste mittlere Temperatur in der Verbindungsanordnung herrscht, - in dem zweiten thermischen Zustand eine zweite mittlere Temperatur in der Verbindungsanordnung herrscht, wobei insbesondere wenigstens eines von Nachfolgendem gilt: - die zweite mittlere Temperatur beträgt wenigstens 20% bis 500%, vorzugsweise wenigstens 50% bis 200%, weiter vorzugsweise 80% bis 150%, der ersten mittleren Temperatur; - die zweite mittlere Temperatur liegt wenigstens -80°C bis 80°C, vorzugsweise wenigstens -50°C bis 50°C, weiter vorzugsweise -20°C bis 20°C, oberhalb der ersten mittleren Temperatur.
Verbindungsanordnung nach Anspruch 7, wobei wenigstens eines von Nachfolgendem gilt: - die erste mittlere Temperatur liegt bei 20°C bis 200°C, vorzugsweise bei 50°C bis 150°C, weiter vorzugsweise bei 80°C bis 120°C; - die zweite mittlere Temperatur liegt bei 20°C bis 200°C, vorzugsweise bei 50°C bis 150°C, weiter vorzugsweise bei 80°C bis 120°C.
Verbindungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei wenigstens eines von Nachfolgendem gilt: - die Verbindung umfasst eine Verschraubung; - die Verbindung ist dadurch hergestellt, dass die erste Komponente (109.1) mit der zweiten Komponente (109.2) über ein Gewinde verschraubt ist; - die erste Komponente (109.1) und die zweite Komponente (109.2) umgreifen die wenigstens eine dritte Komponente (109.3) und die wenigstens eine vierte Komponente (109.4). - die erste Komponente (109.1) und die zweite Komponente (109.2) umschließen die wenigstens eine dritte Komponente (109.3) und die wenigstens eine vierte Komponente (109.4) zumindest im Wesentlichen vollständig.
Verbindungsanordnung nach Anspruch 9, wobei - die erste Komponente (109.1) einen ersten Teil einer zumindest abschnittsweise zylinderförmigen Aufnahmeeinheit bildet, - die zweite Komponente (109.2) einen zweiten Teil der Aufnahmeeinheit bildet, - die erste Komponente (109.1) mit der zweiten Komponente (109.2) über ein Gewinde in einem zylinderförmigen Abschnitt der Aufnahmeeinheit verschraubt ist und - die wenigstens eine dritte Komponente (109.3) und die wenigstens eine vierte Komponente (109.4) in der Aufnahmeeinheit aufgenommen sind.
Optisches Modul, insbesondere ein Facettenspiegel, für eine optische Abbildungseinrichtung für die Mikrolithographie, insbesondere für die Verwendung von Licht im extremen UV-Bereich (EUV), mit - wenigstens einer Verbindungsanordnung (109), insbesondere einer Mehrzahl Q von Verbindungsanordnungen, nach einem der Ansprüche 1 bis 10, wobei - die Mehrzahl Q insbesondere 2 bis 3000, vorzugsweise 30 bis 2000, weiter vorzugsweise 200 bis 500 beträgt.
Optische Abbildungseinrichtung, insbesondere für die Mikrolithographie, mit - einer Beleuchtungseinrichtung (102) mit einer ersten optischen Elementgruppe (102.2), - einer Objekteinrichtung (103) zur Aufnahme eines Objekts (103.3), - einer Projektionseinrichtung (104) mit einer zweiten optischen Elementgruppe (104.1) und - einer Bildeinrichtung (105), wobei - die Beleuchtungseinrichtung (102) zur Beleuchtung des Objekts (103.3) ausgebildet ist und - die Projektionseinrichtung (104) zur Projektion einer Abbildung des Objekts (103.3) auf die Bildeinrichtung (105) ausgebildet ist, dadurch gekennzeichnet, dass - die Beleuchtungseinrichtung (102) und/oder die Projektionseinrichtung (104) wenigstens eine Verbindungsanordnung (109) nach einem der Ansprüche 1 bis 10 umfasst, insbesondere wenigstens ein optisches Modul (108) nach Anspruch 11 umfasst.
Verfahren zum Verbinden einer ersten Komponente (109.1) und einer zweiten Komponente (109.2) einer optischen Abbildungseinrichtung für die Mikrolithographie, insbesondere für die Verwendung von Licht im extremen UV-Bereich (EUV), bei dem - die erste Komponente (109.1) und die zweite Komponente (109.2) über eine einstellbare Verbindung miteinander verbunden werden, - wenigstens eine dritte Komponente (109.3) und wenigstens eine vierte Komponente (109.4) kinematisch seriell zwischen einem ersten Abschnitt der ersten Komponente (109.1) und einem zweiten Abschnitt der zweiten Komponente (109.2) angeordnet werden, - die wenigstens eine dritte Komponente (109.3) und wenigstens eine vierte Komponente (109.4) zwischen dem ersten Abschnitt der ersten Komponente (109.1) und dem zweiten Abschnitt der zweiten Komponente (109.2) geklemmt werden, indem sie mit einer Komponentenvorspannung beaufschlagt werden, wobei - die wenigstens eine dritte Komponente (109.3) und die wenigstens eine vierte Komponente (109.4) in einem ersten thermischen Zustand der Verbindungsanordnung mit einer ersten Komponentenvorspannung beaufschlagt werden, die über die Verbindung einstellbar ist, - die wenigstens eine dritte Komponente (109.3) und die wenigstens eine vierte Komponente (109.4) in einem zweiten thermischen Zustand der Verbindungsanordnung mit einer zweiten Komponentenvorspannung beaufschlagt werden, wobei - in dem ersten thermischen Zustand eine erste Temperaturverteilung innerhalb der Verbindungsanordnung vorliegt und - in dem zweiten thermischen Zustand eine zweite Temperaturverteilung innerhalb der Verbindungsanordnung vorliegt, die aufgrund eines Eintrags von thermischer Energie in die Verbindungsanordnung von der ersten Temperaturverteilung abweicht, dadurch gekennzeichnet, dass - ein thermischer Ausdehnungskoeffizient und/oder eine Temperatur der wenigstens einen vierten Komponente (109.4) derart auf ein thermisches Ausdehnungsverhalten der Komponentenkombination aus der ersten Komponente (109.1), der zweiten Komponente (109.2) und der wenigstens einen dritten Komponente (109.3) abgestimmt ist, dass die erste Komponentenvorspannung und die zweite Komponentenvorspannung um höchstens 5% bis 95%, vorzugsweise höchstens 10% bis 50%, weiter vorzugsweise höchstens 15% bis 25%, der ersten Komponentenvorspannung voneinander abweichen.
Optisches Abbildungsverfahren, insbesondere für die Mikrolithographie, bei dem - eine Beleuchtungseinrichtung (102), die eine erste optische Elementgruppe (102.2) aufweist, ein Objekt (103.3) beleuchtet und - eine Projektionseinrichtung (104), die eine zweite optische Elementgruppe (104.1) aufweist, eine Abbildung des Objekts (103.3) auf eine Bildeinrichtung (105) projiziert, dadurch gekennzeichnet, dass - in der Beleuchtungseinrichtung (102) und/oder der Projektionseinrichtung (104) wenigstens eine Verbindungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 10 verwendet wird.