DE102022210796A1 - Verfahren zur Initialisierung einer Komponente einer Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithografie - Google Patents

Verfahren zur Initialisierung einer Komponente einer Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithografie Download PDF

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Initialisierung einer Komponente (Mx, 117) einer Projektionsbelichtungsanlage (1,101) für die Halbleiterlithografie mit einer Positionierungsvorrichtung zur Positionierung der Komponente (Mx, 117), welches sich dadurch auszeichnet, dass eine Auslenkung (48) mindestens eines Aktuators (47) der Positionierungsvorrichtung über einen Regelkreis (41) geregelt wird.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Initialisierung einer Komponente einer Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithografie.
  • Für derartige Projektionsbelichtungsanlagen bestehen extrem hohe Anforderungen an die Abbildungsgenauigkeit, um die gewünschten mikroskopisch kleinen Strukturen möglich fehlerfrei herstellen zu können. Gleichzeitig müssen die Projektionsbelichtungsanlagen derart aufgebaut sein, dass bei Störungen von außen, wie beispielsweise durch Erdbeben oder ähnliches, keine Schäden an den hochsensiblen Bauteilen und Komponenten der Projektionsbelichtungsanlage entstehen.
  • Aus dem allgemeinen Stand der Technik ist es bekannt, Komponenten im Falle einer Störung von außen, mit Hilfe von Endanschlägen, welche die Relativbewegung zwischen zwei Bauteilen begrenzen, wie beispielsweise einem Spiegel und einem Spiegelmodulrahmen, zu schützen.
  • Allerdings führt die Anforderung nach einer hohen numerischen Apertur und damit einer noch höheren Auflösung in EUV-Projektionsbelichtungsanlagen zu immer größeren Spiegeln. Je größer der Spiegel wird, desto höher die Masse und dadurch die Anzahl an benötigten Endanschlägen, um den Spiegel in Schocklastfällen durch gedämpftes Abbremsen vor Beschädigungen zu schützen. Eine hohe Anzahl an Spiegelendanschlägen hat den Nachteil, dass sich die Initialisierung der Spiegel, also deren Ausrichtung im Raum zur Herstellung der Betriebsbereitschaft der Anlage, nach einem Ausschalten der Ansteuerung des Spiegels oder der gesamten Projektionsbelichtungsanlage erschwert. Die Spiegel befinden sich beim Wiedereinschalten in einer beliebigen Position und Ausrichtung und müssen aus dieser beliebigen Position in ihre Nullposition, also der Position, in welcher der Spiegel an der für die Abbildung optimalen Position steht, verfahren werden. Dazu wird üblicherweise eine Gerade von der Startposition zur Nullposition als Bewegungsbahn des Spiegels, einer sogenannten Trajektorie, vorgegeben und der Spiegel über eine Positionsregelung entlang dieser Trajektorie zur Nullposition verfahren. Die vielen Endanschläge haben den Nachteil, dass der Spiegel, welcher der Trajektorie folgen will, häufig entweder durch einen Endanschlag fahren oder sich entlang eines Endanschlags bewegen müsste, um der Trajektorie folgen zu können, es also zu mehrmaligem Stoßen gegen die Endanschläge und zu hohen Reibkräften zwischen Spiegel und Endanschlägen kommen kann. Der Spiegel ist weder in der Lage, in Richtung eines Endanschlages zu fahren, noch ist selbst die maximale Kraft der Aktuatoren ausreichend, um die beim Anliegen eines Endanschlags wirkenden Reibkräfte zwischen dem Spiegel und dem Endanschlag zu überwinden, so dass sich der Spiegel festfährt und die Initialisierung abgebrochen wird. Durch die üblicherweise im Stand der Technik verwendeten PI-Regler wird vor dem Abbruch zunächst durch den integralen Anteil die Aktuatorkraft auf ein Maximum erhöht. Diese maximale Aktuatorkraft hat den Nachteil, dass sie zu Beschädigungen an den Aktuatoren, den Endanschlägen oder am Spiegel führen kann.
  • Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Verfahren anzugeben, welches die oben beschriebenen Nachteile des Standes der Technik beseitigt.
  • Diese Aufgabe wird gelöst durch ein Verfahren mit den Merkmalen des unabhängigen Anspruchs 1. Die Unteransprüche betreffen vorteilhafte Weiterbildungen und Varianten der Erfindung.
  • Ein erfindungsgemäßes Verfahren zur Initialisierung einer Komponente einer Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithografie mit einer Positionierungsvorrichtung zur Positionierung der Komponente, zeichnet sich dadurch aus, dass eine Auslenkung mindestens eines Aktuators der Positioniervorrichtung über einen Regelkreis geregelt wird. Unter Initialisierung ist im Sinne der Erfindung zu verstehen, dass eine Komponente, wie beispielsweise ein Spiegel einer Projektionsbelichtungsanlage, bei der Inbetriebnahme oder beim Anschalten der Projektionsbelichtungsanlage aus einer nicht definierten und unbekannten Startposition in eine Nullposition bewegt wird. Diese Nullposition entspricht beispielsweise einer optischen Sollposition, also der Position des Spiegels, welche eine Abbildung einer Struktur auf einen Wafer ermöglicht. Die Positionierung der Komponente in die Nullposition kann beispielsweise durch drei oder sechs Aktuatoren auf Basis von durch Positionssensoren erfassten Positionen bewirkt werden.
  • Die Auslenkung der Aktuatoren, also die Position des Aktuators innerhalb seines Stellweges zwischen einer unteren und einer oberen Position, kann je nach Art des Aktuators über die dem Aktuator zugeführte Leistung oder durch Sensoren erfasst werden.
  • Die Sensoren, wie beispielsweise Positionssensoren oder Kraftsensoren, können im Aktuator integriert oder als externe Sensoren ausgebildet sein. Dies hat den Vorteil, dass eine Regelung der Komponente ohne eine Positionsermittlung der Komponente selbst möglich ist und die Nullposition auch dann erreicht werden kann, wenn der durch eine Positionsregelung vorbestimmte direkte Weg von der Startposition zur Nullposition durch ein Hindernis, wie beispielsweise einen Endanschlag, blockiert wird. Das Verfahren führt dazu, dass der Spiegel sich seinen Weg an allen Endanschlägen vorbei automatisch suchen kann, ohne dass der Weg vorab bekannt oder vorgegeben sein muss.
  • Weiterhin kann der Regelkreis derart ausgebildet sein, dass eine zur Initialisierung vorbestimmte Position der Komponente ausschließlich durch Regelung der Aktuatorauslenkung erreicht wird. Aus der vorbestimmten Nullposition kann zunächst eine Position eines jeden Aktuators der Positioniervorrichtung innerhalb seines Stellweges bestimmt werden. Die Nullposition der Komponente ist also dann erreicht, wenn alle Aktuatoren der Positioniervorrichtung die vorbestimmte Position innerhalb ihres Stellweges, also ihre Sollposition, erreicht haben.
  • Daneben kann der Regelkreis einen Regler mit einem P-Anteil umfassen. Dieses hat den Vorteil, dass der Regler den Aktuator proportional zum Servofehler, also der Abweichung von einer Sollposition zu einer Istposition, regelt und die vom Aktuator erzeugte Kraft nicht durch einen integrierenden I-Anteil beliebig ansteigen kann.
  • Insbesondere kann der Regelkreis eine Leistungsbegrenzung zur Ansteuerung des Aktuators umfassen. Diese hat den Vorteil, dass die Kraft, mit welcher der Aktuator eine Komponente in ein Hindernis, wie beispielsweise einen Endanschlag, drückt begrenzt werden kann, wodurch die Gefahr einer Beschädigung der Komponente minimiert und sogar vollständig verhindert werden kann.
  • Das erfindungsgemäße Verfahren hat den Vorteil, dass durch die Regelung der Auslenkung der einzelnen Aktuatoren die Komponente die Nullposition unabhängig von möglichen Hindernissen erreichen kann. Immer wenn sich die Komponente an einem Hindernis festfährt, kann mindestens ein anderer Aktuator eine Bewegung der Komponente bewirken, welche die Komponente von einem die Bewegung blockierenden Hindernis wegbewegen kann. Dadurch kann der vorher blockierte Aktuator weiter in Richtung seines Sollwertes ausgelenkt werden. Der von einer übergeordneten Ansteuerung umfasste Regelkreis, welche alle Aktuatoren ansteuert, kann also immer noch eine Bewegung erfassen, so dass es nicht zu einem Abbruch der Initialisierung kommen kann. Erst wenn alle Aktuatoren ihre vorbestimmte Auslenkung innerhalb ihres Stellweges erreicht haben, also die Nullposition der Komponente mit einer im Rahmen der bei einem reinen P-Regler immer verbleibenden Regelabweichung, schaltet die Ansteuerung ab. Die verbleibende Abweichung kann durch ein Zuschalten eines I-Anteils (integrierender Anteil) im Regler oder durch Umschalten der Regelung in eine Positionsreglung der Komponente minimiert werden.
  • Weiterhin können dem Regelkreis die Positionen aller in einem von dem mindestens einen Aktuator anfahrbaren Bereich liegenden Hindernisse bekannt sein. Unter dem anfahrbaren Bereich ist im Sinne der Erfindung der Bereich zu verstehen, welcher von der Komponente durch die Ausnutzung der Stellwege aller Aktuatoren der Positioniervorrichtung erreicht werden kann. Dieser kann durch Hindernisse, wie beispielsweise Endanschläge zum Schutz der Komponente vor Beschädigungen, beschränkt sein. Die Kenntnis der Position dieser Hindernisse hat den Vorteil, dass zu der Verstärkung VP des P-Anteils des Reglers ein weiterer Verstärkungsfaktor V-A eines Abstandsreglers addiert werden kann. Der Verstärkungsfaktor V-A kann in Abhängigkeit des Abstandes der Komponente zu einem Hindernis bestimmt werden und wird größer, je näher die Komponente dem Hindernis kommt, wobei der Anstieg des Verstärkungsfaktors V-A auch überproportional zum kleiner werdenden Abstand ansteigen kann. Dabei wird der Verstärkungsfaktor V-A des oder der Aktuatoren erhöht, welche die Bewegung der Komponente in Richtung des Hindernisses bewirken. Der Verstärkungsfaktor V-A, welcher in einem Additionsglied der Regeleinrichtung mit der Verstärkung VP addiert wird, kann durch das negative Vorzeichen den auf den Aktuator wirkenden Gesamtverstärkungsfaktor VG verringern. Dies kann bis zu einem negativen Verstärkungsfaktor VG führen, welcher bewirken kann, dass der Regelkreis selbst den Servofehler vergrößert. Dies kann in einer übergeordneten Ansteuerung, welche alle Regelkreise aller an der Positionierung beteiligten Aktuatoren überwacht, berücksichtigt werden. Der Algorithmus der Ansteuerung kann dabei derart ausgebildet sein, dass der Servofehler in einem bestimmen Rahmen auch wieder größer werden kann, ohne dass die Ansteuerung einen Fehler anzeigt und die Initialisierung abgebrochen wird. Einzige Bedingung ist, dass der Algorithmus in Richtung der Nullposition konvergiert. Alternativ kann die übergeordnete Ansteuerung den Verstärkungsfaktor VK auch zu einem Verstärkungsfaktor VP des P-Anteils eines Aktuators addieren. Dieser bewegt die Komponente von dem Hindernis weg, wodurch in der Summe der gleiche Effekt erreicht wird, nämlich, dass die Komponente das Hindernis nicht berührt und an diesem vorbei in Richtung der Nullposition verfahren wird.
  • In einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens können alle Positionen der Hindernisse durch den Regelkreis bestimmt werden.
  • Insbesondere kann der Regelkreis die Position der Endanschläge in einem auf mindestens drei Positionssensoren basierenden Koordinatensystem erlernen. Der Regelkreis kann beispielsweise die Leistung (Strom, Spannung) des Aktuators erfassen. In Abhängigkeit von vorbestimmten Kriterien, wie beispielsweise einen Schwellwert für die Leistung oder eine maximale Geschwindigkeit, mit welcher sich die Leistung ändern darf, kann die Position des Hindernisses über die Auslenkung der Aktuatoren in Verbindung mit einem kinematischen Modell oder über Positionssensoren bestimmt werden.
  • Nachfolgend werden Ausführungsbeispiele und Varianten der Erfindung anhand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigen
    • 1 schematisch im Meridionalschnitt eine Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Projektionslithografie,
    • 2 schematisch im Meridionalschnitt eine Projektionsbelichtungsanlage für die DUV-Projektionslithografie,
    • 3 einen aus dem Stand der Technik bekannter Endanschlag,
    • 4 eine schematische Darstellung einer ersten erfindungsgemäßen Ansteuerung,
    • 5 ein Diagramm einer mit einem erfindungsgemäßen Verfahren durchgeführten Initialisierung einer Komponente,
    • 6 eine schematische Darstellung einer weiteren erfindungsgemäßen Ansteuerung, und
    • 7 eine schematische Darstellung einer weiteren erfindungsgemäßen Ansteuerung.
  • Im Folgenden werden zunächst unter Bezugnahme auf die 1 exemplarisch die wesentlichen Bestandteile einer Projektionsbelichtungsanlage 1 für die Mikrolithografie beschrieben. Die Beschreibung des grundsätzlichen Aufbaus der Projektionsbelichtungsanlage 1 sowie deren Bestandteile sind hierbei nicht einschränkend verstanden.
  • Eine Ausführung eines Beleuchtungssystems 2 der Projektionsbelichtungsanlage 1 hat neben einer Strahlungsquelle 3 eine Beleuchtungsoptik 4 zur Beleuchtung eines Objektfeldes 5 in einer Objektebene 6. Bei einer alternativen Ausführung kann die Lichtquelle 3 auch als ein zum sonstigen Beleuchtungssystem separates Modul bereitgestellt sein. In diesem Fall umfasst das Beleuchtungssystem die Lichtquelle 3 nicht.
  • Belichtet wird ein im Objektfeld 5 angeordnetes Retikel 7. Das Retikel 7 ist von einem Retikelhalter 8 gehalten. Der Retikelhalter 8 ist über einen Retikelverlagerungsantrieb 9 insbesondere in einer Scanrichtung verlagerbar.
  • In der 1 ist zur Erläuterung ein kartesisches xyz-Koordinatensystem eingezeichnet. Die x-Richtung verläuft senkrecht zur Zeichenebene hinein. Die y-Richtung verläuft horizontal und die z-Richtung verläuft vertikal. Die Scanrichtung verläuft in der 1 längs der y-Richtung. Die z-Richtung verläuft senkrecht zur Objektebene 6.
  • Die Projektionsbelichtungsanlage 1 umfasst eine Projektionsoptik 10. Die Projektionsoptik 10 dient zur Abbildung des Objektfeldes 5 in ein Bildfeld 11 in einer Bildebene 12. Die Bildebene 12 verläuft parallel zur Objektebene 6. Alternativ ist auch ein von 0° verschiedener Winkel zwischen der Objektebene 6 und der Bildebene 12 möglich.
  • Abgebildet wird eine Struktur auf dem Retikel 7 auf eine lichtempfindliche Schicht eines im Bereich des Bildfeldes 11 in der Bildebene 12 angeordneten Wafers 13. Der Wafer 13 wird von einem Waferhalter 14 gehalten. Der Waferhalter 14 ist über einen Waferverlagerungsantrieb 15 insbesondere längs der y-Richtung verlagerbar. Die Verlagerung einerseits des Retikels 7 über den Retikelverlagerungsantrieb 9 und andererseits des Wafers 13 über den Waferverlagerungsantrieb 15 kann synchronisiert zueinander erfolgen.
  • Bei der Strahlungsquelle 3 handelt es sich um eine EUV-Strahlungsquelle. Die Strahlungsquelle 3 emittiert insbesondere EUV-Strahlung 16, welche im Folgenden auch als Nutzstrahlung, Beleuchtungsstrahlung oder Beleuchtungslicht bezeichnet wird. Die Nutzstrahlung hat insbesondere eine Wellenlänge im Bereich zwischen 5 nm und 30 nm. Bei der Strahlungsquelle 3 kann es sich um eine Plasmaquelle handeln, zum Beispiel um eine LPP-Quelle (Laser Produced Plasma, mithilfe eines Lasers erzeugtes Plasma) oder um eine DPP-Quelle (Gas Discharged Produced Plasma, mittels Gasentladung erzeugtes Plasma). Es kann sich auch um eine synchrotronbasierte Strahlungsquelle handeln. Bei der Strahlungsquelle 3 kann es sich um einen Freie-Elektronen-Laser (Free-Electron-Laser, FEL) handeln.
  • Die Beleuchtungsstrahlung 16, die von der Strahlungsquelle 3 ausgeht, wird von einem Kollektor 17 gebündelt. Bei dem Kollektor 17 kann es sich um einen Kollektor mit einer oder mit mehreren ellipsoidalen und/oder hyperboloiden Reflexionsflächen handeln. Die mindestens eine Reflexionsfläche des Kollektors 17 kann im streifenden Einfall (Grazing Incidence, GI), also mit Einfallswinkeln größer als 45°, oder im normalen Einfall (Normal Incidence, NI), also mit Einfallwinkeln kleiner als 45°, mit der Beleuchtungsstrahlung 16 beaufschlagt werden. Der Kollektor 17 kann einerseits zur Optimierung seiner Reflektivität für die Nutzstrahlung und andererseits zur Unterdrückung von Falschlicht strukturiert und/oder beschichtet sein.
  • Nach dem Kollektor 17 propagiert die Beleuchtungsstrahlung 16 durch einen Zwischenfokus in einer Zwischenfokusebene 18. Die Zwischenfokusebene 18 kann eine Trennung zwischen einem Strahlungsquellenmodul, aufweisend die Strahlungsquelle 3 und den Kollektor 17, und der Beleuchtungsoptik 4 darstellen.
  • Die Beleuchtungsoptik 4 umfasst einen Umlenkspiegel 19 und diesem im Strahlengang nachgeordnet einen ersten Facettenspiegel 20. Bei dem Umlenkspiegel 19 kann es sich um einen planen Umlenkspiegel oder alternativ um einen Spiegel mit einer über die reine Umlenkungswirkung hinaus bündelbeeinflussenden Wirkung handeln. Alternativ oder zusätzlich kann der Umlenkspiegel 19 als Spektralfilter ausgeführt sein, der eine Nutzlichtwellenlänge der Beleuchtungsstrahlung 16 von Falschlicht einer hiervon abweichenden Wellenlänge trennt. Sofern der erste Facettenspiegel 20 in einer Ebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet ist, die zur Objektebene 6 als Feldebene optisch konjugiert ist, wird dieser auch als Feldfacettenspiegel bezeichnet. Der erste Facettenspiegel 20 umfasst eine Vielzahl von einzelnen ersten Facetten 21, welche im Folgenden auch als Feldfacetten bezeichnet werden. Von diesen Facetten 21 sind in der 1 nur beispielhaft einige dargestellt.
  • Die ersten Facetten 21 können als makroskopische Facetten ausgeführt sein, insbesondere als rechteckige Facetten oder als Facetten mit bogenförmiger oder teilkreisförmiger Randkontur. Die ersten Facetten 21 können als plane Facetten oder alternativ als konvex oder konkav gekrümmte Facetten ausgeführt sein.
  • Wie beispielsweise aus der DE 10 2008 009 600 A1 bekannt ist, können die ersten Facetten 21 selbst jeweils auch aus einer Vielzahl von Einzelspiegeln, insbesondere einer Vielzahl von Mikrospiegeln, zusammengesetzt sein. Der erste Facettenspiegel 20 kann insbesondere als mikroelektromechanisches System (MEMS-System) ausgebildet sein. Für Details wird auf die DE 10 2008 009 600 A1 verwiesen.
  • Zwischen dem Kollektor 17 und dem Umlenkspiegel 19 verläuft die Beleuchtungsstrahlung 16 horizontal, also längs der y-Richtung.
  • Im Strahlengang der Beleuchtungsoptik 4 ist dem ersten Facettenspiegel 20 nachgeordnet ein zweiter Facettenspiegel 22. Sofern der zweite Facettenspiegel 22 in einer Pupillenebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet ist, wird dieser auch als Pupillenfacettenspiegel bezeichnet. Der zweite Facettenspiegel 22 kann auch beabstandet zu einer Pupillenebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet sein. In diesem Fall wird die Kombination aus dem ersten Facettenspiegel 20 und dem zweiten Facettenspiegel 22 auch als spekularer Reflektor bezeichnet. Spekulare Reflektoren sind bekannt aus der US 2006/0132747 A1 , der EP 1 614 008 B1 und der US 6,573,978 .
  • Der zweite Facettenspiegel 22 umfasst eine Mehrzahl von zweiten Facetten 23. Die zweiten Facetten 23 werden im Falle eines Pupillenfacettenspiegels auch als Pupillenfacetten bezeichnet.
  • Bei den zweiten Facetten 23 kann es sich ebenfalls um makroskopische Facetten, die beispielsweise rund, rechteckig oder auch hexagonal berandet sein können, oder alternativ um aus Mikrospiegeln zusammengesetzte Facetten handeln. Diesbezüglich wird ebenfalls auf die DE 10 2008 009 600 A1 verwiesen.
  • Die zweiten Facetten 23 können plane oder alternativ konvex oder konkav gekrümmte Reflexionsflächen aufweisen.
  • Die Beleuchtungsoptik 4 bildet somit ein doppelt facettiertes System. Dieses grundlegende Prinzip wird auch als Wabenkondensor (Fly's Eye Integrator) bezeichnet. Es kann vorteilhaft sein, den zweiten Facettenspiegel 22 nicht exakt in einer Ebene, welche zu einer Pupillenebene der Projektionsoptik 10 optisch konjugiert ist, anzuordnen. Insbesondere kann der Pupillenfacettenspiegel 22 gegenüber einer Pupillenebene der Projektionsoptik 10 verkippt angeordnet sein, wie es zum Beispiel in der DE 10 2017 220 586 A1 beschrieben ist.
  • Mit Hilfe des zweiten Facettenspiegels 22 werden die einzelnen ersten Facetten 21 in das Objektfeld 5 abgebildet. Der zweite Facettenspiegel 22 ist der letzte bündelformende oder auch tatsächlich der letzte Spiegel für die Beleuchtungsstrahlung 16 im Strahlengang vor dem Objektfeld 5.
  • Bei einer weiteren, nicht dargestellten Ausführung der Beleuchtungsoptik 4 kann im Strahlengang zwischen dem zweiten Facettenspiegel 22 und dem Objektfeld 5 eine Übertragungsoptik angeordnet sein, die insbesondere zur Abbildung der ersten Facetten 21 in das Objektfeld 5 beiträgt. Die Übertragungsoptik kann genau einen Spiegel, alternativ aber auch zwei oder mehr Spiegel aufweisen, welche hintereinander im Strahlengang der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet sind. Die Übertragungsoptik kann insbesondere einen oder zwei Spiegel für senkrechten Einfall (NI-Spiegel, Normal Incidence Spiegel) und/oder einen oder zwei Spiegel für streifenden Einfall (GI-Spiegel, Gracing Incidence Spiegel) umfassen.
  • Die Beleuchtungsoptik 4 hat bei der Ausführung, die in der 1 gezeigt ist, nach dem Kollektor 17 genau drei Spiegel, nämlich den Umlenkspiegel 19, den Feldfacettenspiegel 20 und den Pupillenfacettenspiegel 22.
  • Bei einer weiteren Ausführung der Beleuchtungsoptik 4 kann der Umlenkspiegel 19 auch entfallen, so dass die Beleuchtungsoptik 4 nach dem Kollektor 17 dann genau zwei Spiegel aufweisen kann, nämlich den ersten Facettenspiegel 20 und den zweiten Facettenspiegel 22.
  • Die Abbildung der ersten Facetten 21 mittels der zweiten Facetten 23 beziehungsweise mit den zweiten Facetten 23 und einer Übertragungsoptik in die Objektebene 6 ist regelmäßig nur eine näherungsweise Abbildung.
  • Die Projektionsoptik 10 umfasst eine Mehrzahl von Spiegeln Mi, welche gemäß ihrer Anordnung im Strahlengang der Projektionsbelichtungsanlage 1 durchnummeriert sind.
  • Bei dem in der 1 dargestellten Beispiel umfasst die Projektionsoptik 10 sechs Spiegel M1 bis M6. Alternativen mit vier, acht, zehn, zwölf oder einer anderen Anzahl an Spiegeln Mi sind ebenso möglich. Der vorletzte Spiegel M5 und der letzte Spiegel M6 haben jeweils eine Durchtrittsöffnung für die Beleuchtungsstrahlung 16. Bei der Projektionsoptik 10 handelt es sich um eine doppelt obskurierte Optik. Die Projektionsoptik 10 hat eine bildseitige numerische Apertur, die größer ist als 0,5 und die auch größer sein kann als 0,6 und die beispielsweise 0,7 oder 0,75 betragen kann.
  • Reflexionsflächen der Spiegel Mi können als Freiformflächen ohne Rotationssymmetrieachse ausgeführt sein. Alternativ können die Reflexionsflächen der Spiegel Mi als asphärische Flächen mit genau einer Rotationssymmetrieachse der Reflexionsflächenform gestaltet sein. Die Spiegel Mi können, genauso wie die Spiegel der Beleuchtungsoptik 4, hoch reflektierende Beschichtungen für die Beleuchtungsstrahlung 16 aufweisen. Diese Beschichtungen können als Multilayer-Beschichtungen, insbesondere mit alternierenden Lagen aus Molybdän und Silizium, gestaltet sein.
  • Die Projektionsoptik 10 hat einen großen Objekt-Bildversatz in der y-Richtung zwischen einer y-Koordinate eines Zentrums des Objektfeldes 5 und einer y-Koordinate des Zentrums des Bildfeldes 11. Dieser Objekt-Bild-Versatz in der y-Richtung kann in etwa so groß sein wie ein z-Abstand zwischen der Objektebene 6 und der Bildebene 12.
  • Die Projektionsoptik 10 kann insbesondere anamorphotisch ausgebildet sein. Sie weist insbesondere unterschiedliche Abbildungsmaßstäbe βx, βy in x- und y-Richtung auf. Die beiden Abbildungsmaßstäbe βx, βy der Projektionsoptik 10 liegen bevorzugt bei (βx, βy) = (+/- 0,25, +/- 0,125). Ein positiver Abbildungsmaßstab β bedeutet eine Abbildung ohne Bildumkehr. Ein negatives Vorzeichen für den Abbildungsmaßstab β bedeutet eine Abbildung mit Bildumkehr.
  • Die Projektionsoptik 10 führt somit in x-Richtung, das heißt in Richtung senkrecht zur Scanrichtung, zu einer Verkleinerung im Verhältnis 4:1.
  • Die Projektionsoptik 10 führt in y-Richtung, das heißt in Scanrichtung, zu einer Verkleinerung von 8:1.
  • Andere Abbildungsmaßstäbe sind ebenso möglich. Auch vorzeichengleiche und absolut gleiche Abbildungsmaßstäbe in x- und y-Richtung, zum Beispiel mit Absolutwerten von 0,125 oder von 0,25, sind möglich.
  • Die Anzahl von Zwischenbildebenen in der x- und in der y-Richtung im Strahlengang zwischen dem Objektfeld 5 und dem Bildfeld 11 kann gleich sein oder kann, je nach Ausführung der Projektionsoptik 10, unterschiedlich sein. Beispiele für Projektionsoptiken mit unterschiedlichen Anzahlen derartiger Zwischenbilder in x- und y-Richtung sind bekannt aus der US 2018/0074303 A1 .
  • Jeweils eine der Pupillenfacetten 23 ist genau einer der Feldfacetten 21 zur Ausbildung jeweils eines Beleuchtungskanals zur Ausleuchtung des Objektfeldes 5 zugeordnet. Es kann sich hierdurch insbesondere eine Beleuchtung nach dem Köhlerschen Prinzip ergeben. Das Fernfeld wird mit Hilfe der Feldfacetten 21 in eine Vielzahl an Objektfeldern 5 zerlegt. Die Feldfacetten 21 erzeugen eine Mehrzahl von Bildern des Zwischenfokus auf den diesen jeweils zugeordneten Pupillenfacetten 23.
  • Die Feldfacetten 21 werden jeweils von einer zugeordneten Pupillenfacette 23 einander überlagernd zur Ausleuchtung des Objektfeldes 5 auf das Retikel 7 abgebildet. Die Ausleuchtung des Objektfeldes 5 ist insbesondere möglichst homogen. Sie weist vorzugsweise einen Uniformitätsfehler von weniger als 2 % auf. Die Felduniformität kann über die Überlagerung unterschiedlicher Beleuchtungskanäle erreicht werden.
  • Durch eine Anordnung der Pupillenfacetten kann geometrisch die Ausleuchtung der Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 definiert werden. Durch Auswahl der Beleuchtungskanäle, insbesondere der Teilmenge der Pupillenfacetten, die Licht führen, kann die Intensitätsverteilung in der Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 eingestellt werden. Diese Intensitätsverteilung wird auch als Beleuchtungssetting bezeichnet.
  • Eine ebenfalls bevorzugte Pupillenuniformität im Bereich definiert ausgeleuchteter Abschnitte einer Beleuchtungspupille der Beleuchtungsoptik 4 kann durch eine Umverteilung der Beleuchtungskanäle erreicht werden.
  • Im Folgenden werden weitere Aspekte und Details der Ausleuchtung des Objektfeldes 5 sowie insbesondere der Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 beschrieben. Die Projektionsoptik 10 kann insbesondere eine homozentrische Eintrittspupille aufweisen. Diese kann zugänglich sein. Sie kann auch unzugänglich sein.
  • Die Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 lässt sich regelmäßig mit dem Pupillenfacettenspiegel 22 nicht exakt ausleuchten. Bei einer Abbildung der Projektionsoptik 10, welche das Zentrum des Pupillenfacettenspiegels 22 telezentrisch auf den Wafer 13 abbildet, schneiden sich die Aperturstrahlen oftmals nicht in einem einzigen Punkt. Es lässt sich jedoch eine Fläche finden, in welcher der paarweise bestimmte Abstand der Aperturstrahlen minimal wird. Diese Fläche stellt die Eintrittspupille oder eine zu ihr konjugierte Fläche im Ortsraum dar. Insbesondere zeigt diese Fläche eine endliche Krümmung.
  • Es kann sein, dass die Projektionsoptik 10 unterschiedliche Lagen der Eintrittspupille für den tangentialen und für den sagittalen Strahlengang aufweist. In diesem Fall sollte ein abbildendes Element, insbesondere ein optisches Bauelement der Übertragungsoptik, zwischen dem zweiten Facettenspiegel 22 und dem Retikel 7 bereitgestellt werden. Mit Hilfe dieses optischen Elements kann die unterschiedliche Lage der tangentialen Eintrittspupille und der sagittalen Eintrittspupille berücksichtigt werden.
  • Bei der in der 1 dargestellten Anordnung der Komponenten der Beleuchtungsoptik 4 ist der Pupillenfacettenspiegel 22 in einer zur Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 konjugierten Fläche angeordnet. Der Feldfacettenspiegel 20 ist verkippt zur Objektebene 6 angeordnet. Der erste Facettenspiegel 20 ist verkippt zu einer Anordnungsebene angeordnet, die vom Umlenkspiegel 19 definiert ist.
  • Der erste Facettenspiegel 20 ist verkippt zu einer Anordnungsebene angeordnet, die vom zweiten Facettenspiegel 22 definiert ist.
  • 2 zeigt schematisch im Meridionalschnitt eine weitere Projektionsbelichtungsanlage 101 für die DUV-Projektionslithografie, in welcher die Erfindung eben-falls zur Anwendung kommen kann.
  • Der Aufbau der Projektionsbelichtungsanlage 101 und das Prinzip der Abbildung ist vergleichbar mit dem in 1 beschriebenen Aufbau und Vorgehen. Gleiche Bauteile sind mit einem um 100 gegenüber 1 erhöhten Bezugszeichen bezeichnet, die Bezugszeichen in 2 beginnen also mit 101.
  • Im Unterschied zu einer wie in 1 beschriebenen EUV-Projektionsbelichtungsanlage 1 können auf Grund der größeren Wellenlänge der als Nutzlicht verwendeten DUV-Strahlung 116 im Bereich von 100 nm bis 300 nm, insbesondere von 193 nm, in der DUV-Projektionsbelichtungsanlage 101 zur Abbildung beziehungsweise zur Beleuchtung refraktive, diffraktive und/oder reflexive optische Elementen 117, wie beispielsweise Linsen, Spiegeln, Prismen, Abschlussplatten und dergleichen verwendet werden. Die Projektionsbelichtungsanlage 101 umfasst dabei im Wesentlichen ein Beleuchtungssystem 102, einen Retikelhalter 108 zur Aufnahme und exakten Positionierung eines mit einer Struktur versehenen Retikels 107, durch welches die späteren Strukturen auf einem Wafer 113 bestimmt werden, einen Waferhalter 114 zur Halterung, Bewegung und exakten Positionierung eben dieses Wafers 113 und einem Projektionsobjektiv 110, mit mehreren optischen Elementen 117, die über Fassungen 118 in einem Objektivgehäuse 119 des Projektionsobjektives 110 gehalten sind.
  • Das Beleuchtungssystem 102 stellt eine für die Abbildung des Retikels 107 auf dem Wafer 113 benötigte DUV-Strahlung 116 bereit. Als Quelle für diese Strahlung 116 kann ein Laser, eine Plasmaquelle oder dergleichen Verwendung finden. Die Strahlung 116 wird in dem Beleuchtungssystem 102 über optische Elemente derart geformt, dass die DUV-Strahlung 116 beim Auftreffen auf das Retikel 107 die gewünschten Eigenschaften hinsichtlich Durchmesser, Polarisation, Form der Wellenfront und dergleichen aufweist.
  • Der Aufbau der nachfolgenden Projektionsoptik 110 mit dem Objektivgehäuse 119 unterscheidet sich außer durch den zusätzlichen Einsatz von refraktiven optischen Elementen 117 wie Linsen, Prismen, Abschlussplatten prinzipiell nicht von dem in 1 beschriebenen Aufbau und wird daher nicht weiter beschrieben.
  • In 3 ist ein aus dem Stand der Technik bekanntes als Endanschlag 30 ausgebildetes Hindernis dargestellt, welcher einen Dämpfer 31 umfasst. Dieser ist im gezeigten Ausführungsbeispiel an einem, beispielsweise wie in der 1 und der 2 dargestellten, Spiegel Mx, 117 fixiert und kann aus einem Kunststoff hergestellt sein. Die in der 3 dargestellte Situation zeigt den Fall, in dem der Dämpfer 31 bereits mit einem an einem Spiegelrahmen 33 angeordneten Anschlag 32 in Kontakt gekommen ist. An der Kontaktfläche 34 treten dadurch Reibkräfte auf, welche in der 3 durch einen Doppelpfeil dargestellt sind. Die Reibkräfte an der Kontaktfläche 34 sind dabei derart groß, dass diese auch von den maximal möglichen Aktuatorkräften nicht überwunden werden können. Dies hat zur Folge, dass in dem Fall, dass ein Anschlag 32 derart positioniert ist, dass der Spiegel Mx, 117 beim Abfahren einer fest vorgegeben Trajektorie, also einem vorbestimmten Verfahrweg, mit dem Anschlag 32 in Berührung kommt, die Bewegung des Spiegel Mx, 117 (als Pfeil dargestellt) blockiert wird. Eine Bewegung des Spiegels Mx, 117 in Richtung des Anschlags 32 oder entlang der Oberfläche 35 des Anschlags 32 ist bei Beibehaltung der Bewegungsrichtung des Spiegels Mx, 117, welche durch die Trajektorie vorgegeben ist, nicht mehr möglich und die Initialisierung des Spiegels Mx, 117 wird abgebrochen.
  • 4 zeigt eine erste Ausführungsform einer zur Ausführung des erfindungsgemäßen Verfahrens verwendeten Ansteuerung 40 mit einem Regelkreis 41 für einen Aktuator 47 einer Positionsvorrichtung. Das Verfahren zur Initialisierung einer Komponente, wie beispielsweise ein in der 1 oder der 2 dargestellter Spiegel Mx, 117, positioniert den Spiegel Mx, 117 mit Hilfe von Aktuatoren 47. Dabei wird der Spiegel Mx, 117 von einer unbekannten Startposition in eine vorbestimmte Nullposition verfahren. Die Nullposition entspricht beispielsweise der Position, in welcher der Spiegel Mx, 117 für die Abbildung einer Struktur auf einen Wafer positioniert sein muss. Die Ansteuerung 40 umfasst für jeden Aktuator 47 einen Auslenkungsregelkreis 41, welcher die Auslenkung 48 des Aktuators 47, also die Position des Aktuators 47 innerhalb seines Stellweges, regelt. Der Sollwert 42 der Aktuatorauslenkung 48 wird über ein kinematisches Modell auf Basis der Sollposition des Spiegels Mx, 117, also der Nullposition, bestimmt und ist der Sollwert 42, die sogenannte Führungsgröße, für den Auslenkungsregelkreis 41. Nach dem Vergleichsglied 43 folgt eine Regeleinrichtung 44 mit einem Auslenkungsregler 45 und einem als Verstärker 46 ausgebildeten Stellglied. Der Auslenkungsregler 45 umfasst einen P-Anteil, welcher in Abhängigkeit von der an dem Vergleichsglied 43 bestimmten Abweichung zwischen dem Sollwert 42 und dem Istwert 48 der Aktuatorauslenkung, dem sogenannten Servofehler, das Eingangssignal oder die Verstärkung VP für das als Verstärker 46 ausgebildete Stellglied bestimmt. Der Verstärker 46 bewirkt eine Auslenkung 48 der als Aktuator 47 ausgebildeten Regelstrecke, wobei die Aktuatorauslenkung 48 über eine Messeinrichtung 49, wie beispielsweise einen Abstandssensor, bestimmt wird. Der Verstärker 46 umfasst zur Beschränkung des an den Aktuator 47 abgegebenen Stroms im Fall der in der 4 dargestellten Ausführungsform einen Strombegrenzer, welcher bei 10%-20% des maximal möglichen Stroms liegt. Dadurch wird die maximale Belastung des Spiegels Mx, 117 und der Aktuatoren 47 im Fall eines Kontaktes mit einem Endanschlag 30 vorteilhaft minimiert. Die Ansteuerung 40 zur Initialisierung des Spiegels Mx, 117 wird erst dann unterbrochen, wenn der Servofehler für alle Aktuatoren 47 null ist, wodurch die Nullposition des Spiegels Mx, 117 erreicht ist.
  • Im Fall eines Kontaktes zwischen dem Spiegel Mx, 117 und einem Endanschlag 30 bei der Initialisierung, ziehen diejenigen Aktuatoren 47, deren Bewegungsrichtung zumindest teilweise von dem mit dem Spiegel Mx, 117 in Kontakt stehenden Endanschlägen 30 wegführt, den Spiegel Mx, 117 von dem Endanschlag 30 weg. Dadurch bleibt der Spiegel Mx, 117 bis zum Erreichen seiner Nullposition immer in Bewegung oder anders ausgedrückt werden die Aktuatoren 47 immer dann in Richtung ihres Sollwertes 42 ihrer Auslenkung 48 bewegt, wenn kein Endanschlag 30 sie daran hindert. Die vom Spiegel Mx, 117 zurückgelegte Trajektorie ist dabei nicht vorgegeben oder in irgendeiner Weise beschränkt, so dass der Spiegel Mx, 117 einen beliebigen Weg von seiner Startposition zur seiner Nullposition zurücklegt. Ist die Nullposition des Spiegels Mx, 117 im Rahmen der Toleranzen erreicht, wird die Position des Spiegels Mx, 117 von einem übergeordneten Positionsregelkreis 50 des Spiegels Mx, 117, welcher in der in der 4 dargestellten Ansteuerung 40 nur teilweise dargestellt ist, geregelt.
  • 5 zeigt eine beispielhafte Trajektorie eine Spiegels Mx, 117 von einer Startposition S zu einer Nullposition N. Die im Fall einer Positionsregelung des Spiegels Mx, 117 vorbestimmte Trajektorie, welche die Startposition und die Nullposition durch eine gerade Linie verbindet, ist in der 5 durch eine gestrichelte Linie dargestellt. Die tatsächliche Trajektorie ist durch eine durchgezogene Linie dargestellt, wobei jeder Punkt auf der Linie einen Kontakt mit einem Endanschlag 30 darstellt. In der dargestellten beispielshaften Trajektorie handelt es sich beispielsweise um einen in der 1 dargestellten Spiegel Mx einer Projektionsbelichtungsanlage 1, welcher für jeden der sechs Bewegungsfreiheitsgrade einen Endanschlag 30 umfasst. Es ist deutlich zu sehen, dass die Trajektorie eine Bewegung von Endanschlag 30 zu Endanschlag 30 des Spiegels Mx, 117, wie weiter oben erläutert, nachzeichnet.
  • 6 zeigt eine schematische Darstellung einer weiteren Ausführungsform einer Ansteuerung 60 für die Ausführung des erfindungsgemäßen Verfahrens. Die dargestellte Ansteuerung 60 mit dem Auslenkungsregelkreis 41 für den Aktuator 47 ist, wie in der 4 bereits erläutert, nur beispielhaft für einen Aktuator 47 des Spiegels Mx, 117 dargestellt. Für die in 6 dargestellte Ausführungsform der Ansteuerung 60 sind die Positionen der Endanschläge 30 des Spiegels Mx, 117 im Koordinatensystem des Spiegels Mx, 117 bekannt, so dass der Abstand des Spiegels Mx, 117 zu den Endanschlägen 30 über eine Messeinrichtung 62 bestimmt werden kann. Zusätzlich zu dem in der 4 bereits beschriebenen Auslenkungsregler 45 für die Auslenkung des Aktuators 47 weist die Ansteuerung 60 einen zusätzlicher Abstandsregler 61 auf, welcher ein Verstärkungsanteil -A umfasst. Der Abstandsregler 61 ist Teil einer Regeleinrichtung 63 zur Regelung des Abstandes zwischen dem Spiegel Mx, 117 und einem Endanschlag 30. Die Istposition des Spiegels Mx, 117 wird über die Auslenkung der Aktuatoren 47 in Verbindung mit einem kinematischen Modell oder wenn möglich mit den Positionssensoren des Spiegels Mx, 117 erfasst, was in der 6 durch eine gestrichelte Linie dargestellt ist. Der Abstandsregler 61 bewirkt ein Abstoßen des Spiegels Mx, 117 von den Endanschlägen 30, indem die Verstärkung V-A des Reglers durch eine Addition mit der Verstärkung VP in einem Additionsglied 64 die Gesamtverstärkung VG also das Eingangssignal des Verstärkers 46 reduziert. Dadurch wird die Bewegung in Richtung des Endanschlags 30 zumindest verlangsamt oder sogar umgekehrt und die Bewegung der anderen Aktuatoren 47 kann den Spiegel Mx, 117 am Endanschlag 30 vorbei bewegen, ohne dass es zu einem Kontakt kommt. Um die von dem Auslenkungsregler 45 des Aktuators 47 kommende Verstärkung VP zu reduzieren ist die Verstärkung V-A mit einem Minuszeichen versehen. Je nach Bewegung des Spiegels Mx, 117 und dem sich dadurch ergebenden Abstand zum Endanschlag 30 kann es vorkommen, dass das die Gesamtverstärkung VG aus der Verstärkung VA des Auslenkungsreglers 45 und der Verstärkung V-A des Abstandsreglers 61 negativ ist, also der Aktuator 47 sich zumindest zeitweise von dem Sollwert 42 seiner Auslenkung entfernt. Vergrößert sich der Abstand vom Spiegel Mx, 117 zum Endanschlag 30 wieder, wird die Verstärkung V-A kleiner und in der Folge die Gesamtverstärkung VG wieder größer Null, wodurch sich der Aktuator 47 dem Sollwert 42 seiner Auslenkung 48 wieder annähert. Wie in 4 bereits erläutert, ist der auf den Aktuator 47 wirkende Strom über einen Strombegrenzer begrenzt. Die Verstärkung VP in dem in der 6 dargestellten Auslenkungsregelkreis 41 sollte bereits begrenzt sein, um ein aufschaukeln zwischen VP und V-A vorzubeugen. Alternativ könnte der gleiche Effekt auch durch eine Verstärkung VA von dem oder den Aktuatoren 47, welche eine Vergrößerung des Abstandes des Spiegels Mx, 117 von einem Endanschlag 30 bewirken, realisiert werden. Der Algorithmus der Ansteuerung 60 würde in diesem Fall bei einer Annäherung des Spiegels Mx, 117 auf Grund einer Bewegung eines ersten Aktuators 47, die Bewegung eines anderen Aktuators (nicht dargestellt), welcher den Abstand zum Endanschlag 30 durch eine größere Kraft vergrößert, mit VA positiv verstärken.
  • 7 zeigt eine schematische Darstellung einer weiteren Ausführungsform einer Ansteuerung 70 für die Ausführung des erfindungsgemäßen Verfahrens. Diese Ausführungsform findet in dem Fall Anwendung, wenn die Positionen der Endanschläge 30 nicht bekannt sind, aber dennoch die Verstärkung V-A zum Abstoßen des Spiegels Mx, 117 Anwendung finden soll. Die Ansteuerung 70 umfasst eine Vorrichtung 71 zur Bestimmung der Positionen der Endanschläge 30 im Verfahren. Beim in Kontakt kommen des Spiegels Mx, 117 mit einem Endanschlag 30 kommt es durch die Verstärkung VP zu einem Stromanstieg in dem oder den Aktuatoren 47, welche eine Bewegung des Spiegels Mx, 117 in Richtung des kontaktierten Endanschlags 30 bewirken. Die Vorrichtung 71 detektiert diesen Stromanstieg und liest beim Überschreiten einer bestimmten Stromschwelle oder einer Steigung des Stromanstiegs der Aktuatoren 47 über die Messeinrichtung 49 der Aktuatorauslenkung 48 die Position des Endanschlags aus. Diese wird dann dem Abstandsregler 61 der Regeleinrichtung 63 zur Verfügung gestellt, so dass das in der 6 bereits erläuterte kollisionsfreie Verfahren durchgeführt werden kann. Die Vorrichtung 71 kann auch zur Kalibrierung der genauen Position von bereits bekannten Sollpositionen der Endanschläge 30 verwendet werden, welche durch Setzeffekte oder Kollisionen von den ursprünglichen abweichen können.
  • Bezugszeichenliste
  • 1
    Projektionsbelichtungsanlage
    2
    Beleuchtungssystem
    3
    Strahlungsquelle
    4
    Beleuchtungsoptik
    5
    Objektfeld
    6
    Objektebene
    7
    Retikel
    8
    Retikelhalter
    9
    Retikelverlagerungsantrieb
    10
    Projektionsoptik
    11
    Bildfeld
    12
    Bildebene
    13
    Wafers
    14
    Waferhalter
    15
    Waferverlagerungsantrieb
    16
    EUV-Strahlung
    17
    Kollektor
    18
    Zwischenfokusebene
    19
    Umlenkspiegel
    20
    Facettenspiegel
    21
    Facetten
    22
    Facettenspiegel
    23
    Facetten
    30
    Endanschlag
    31
    Dämpfer
    32
    Anschlag
    33
    Spiegelrahmen
    34
    Kontaktfläche
    35
    Oberfläche
    40
    Ansteuerung
    41
    Regelkreis Aktuator
    42
    Aktuatorauslenkung (Sollwert)
    43
    Vergleichsglied
    44
    Regeleinrichtung
    45
    Auslenkungsregler
    46
    Verstärker
    47
    Aktuator
    48
    Aktuatorauslenkung (Istwert)
    49
    Messeinrichtung Aktuatorauslenkung
    50
    Positionsregelkreis Spiegel
    60
    Ansteuerung
    61
    Abstandsregler
    62
    Messeinrichtung Abstand Spiegel/Endanschlag
    63
    Regeleinrichtung
    64
    Additionsglied
    70
    Ansteuerung
    71
    Vorrichtung Positionserfassung Endanschlag
    101
    Projektionsbelichtungsanlage
    102
    Beleuchtungssystem
    107
    Retikel
    108
    Retikelhalter
    110
    Projektionsoptik
    113
    Wafers
    114
    Waferhalter
    116
    DUV-Strahlung
    117
    optisches Element
    118
    Fassungen
    119
    Objektivgehäuse
    M1-M6
    Spiegel
    VA
    Verstärkungsfaktor Abstand
    VG
    Verstärkungsfaktor gesamt
    VP
    Verstärkungsfaktor P-Glied
    S
    Startposition
    N
    Nullposition
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • DE 102008009600 A1 [0029, 0033]
    • US 2006/0132747 A1 [0031]
    • EP 1614008 B1 [0031]
    • US 6573978 [0031]
    • DE 102017220586 A1 [0035]
    • US 2018/0074303 A1 [0049]

Claims (11)

  1. Verfahren zur Initialisierung einer Komponente (Mx, 117) einer Projektionsbelichtungsanlage (1,101) für die Halbleiterlithografie mit einer Positionierungsvorrichtung zur Positionierung der Komponente (Mx, 117), dadurch gekennzeichnet, dass eine Auslenkung (48) mindestens eines Aktuators (47) der Positionierungsvorrichtung über einen Regelkreis (41) geregelt wird.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Regelkreis (41) derart ausgebildet ist, dass eine zur Initialisierung vorbestimmte Position der Komponente (Mx, 117) ausschließlich durch Regelung des Aktuatorauslenkung (48) erreicht wird.
  3. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Regelkreis (41) einen Regler (45) mit einen P-Anteil umfasst.
  4. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Regelkreis (41) eine Leistungsbegrenzung zur Ansteuerung des Aktuators (47) umfasst.
  5. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass dem Regelkreis (41) die Positionen aller in einem von dem mindestens einen Aktuator (47) anfahrbaren Bereich liegenden Hindernisse (30) bekannt sind.
  6. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Positionen aller in einem von dem mindestens einen Aktuator (47) anfahrbaren Bereich liegenden Hindernisse (30) durch den Regelkreis (41) bestimmt werden.
  7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass der Regelkreis (41) die Position der Hindernisse (30) innerhalb eines auf mindestens drei Positionssensoren basierenden Koordinatensystems erlernt.
  8. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Regelkreis (41) einen Abstandsregler (61) umfasst, wobei der Verstärkungsfaktor V-A des Abstandsreglers (61) auf Basis des Abstandes der Komponente (Mx, 117) zu mindestens einem Hindernis (30) bestimmt wird.
  9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass sich der Verstärkungsfaktor V-A überproportional zu dem Abstand der Komponente (Mx, 117) zu dem Hindernis (30) verhält.
  10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass eine übergeordnete Ansteuerung (40,60,70) mindestens einen Regelkreis (41) umfasst.
  11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Ansteuerung (40,60,70) derart ausgebildet ist, dass ein Abstandsregler (61) eines Regelkreises (41) eines ersten Aktuators (47) Auswirkungen auf die Gesamtverstärkung VG des Regelkreises (41) eines anderen Aktuators (47) hat.
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