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Die Erfindung betrifft ein optisches Bauelement. Die Erfindung betrifft weiterhin einen Facettenspiegel, eine Beleuchtungsoptik und ein Beleuchtungssystem für eine Projektionsbelichtungsanlage. Weiter betrifft die Erfindung ein Verfahren zum Betrieb eines Beleuchtungssystems. Außerdem betrifft die Erfindung ein optisches System für eine Projektionsbelichtungsanlage und eine Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie. Schließlich betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines mikro- oder nanostrukturierten Bauelements und verfahrensgemäß hergestelltes Bauelement.
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Die Verwendung von Mikrospiegel-Arrays in einer Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage ist beispielsweise aus der
DE 10 2011 006 100 A1 bekannt.
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Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein optisches Bauelement, insbesondere für eine Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage zu verbessern.
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Diese Aufgabe wird durch ein optisches Bauelement gemäß Anspruch 1 gelöst.
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Der Kern der Erfindung besteht darin, mindestens einen Bereich eines Haltesubstrats des optischen Bauelements als Mittel zur Überführung von Beleuchtungsstrahlung in einen vorbestimmten Zielbereich auszubilden. Das Haltesubstrat selbst wird somit mit einer optischen Funktionalität versehen. Es dient insbesondere zur Auskopplung von Beleuchtungsstrahlung aus einem durch die Spiegel-Elemente des optischen Bauelements definierten Strahlengang der Beleuchtungsstrahlung.
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Erfindungsgemäß wurde erkannt, dass auch Beleuchtungsstrahlung, welches nicht auf eines der Spiegel-Elemente des optischen Bauelements auftrifft, sinnvoll genutzt werden kann. Derartige Beleuchtungsstrahlung kann insbesondere zu Metrologiezwecken genutzt werden. Sie kann insbesondere dazu genutzt werden, die genaue Position des optischen Bauelements zu überwachen. Sie kann insbesondere auch zur Dosismessung verwendet werden.
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Die Beleuchtungsstrahlung, welche nicht auf eines der Spiegel-Elemente des optischen Bauelements auftrifft, kann insbesondere zur Überwachung der relativen Positionierung der Strahlungsquelle und des optischen Bauelements genutzt werden. Mit Hilfe einer Regeleinrichtung kann dies zur Regelung der relativen Positionierung der Strahlungsquelle zum optischen Bauelement genutzt werden.
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Das optische Bauelement umfasst insbesondere eine Vielzahl von Spiegel-Elementen. Es umfasst insbesondere eine Vielspiegel-Anordnung (MMA, Multi Mirror Array). Die Spiegel können insbesondere als Mikrospiegel ausgebildet sein. Das optische Bauelement umfasst insbesondere ein mikroelektromechanisches Systems (MEMS).
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Die Spiegel-Elemente sind vorzugsweise relativ zum Haltesubstrat verlagerbar, insbesondere verschwenkbar. Sie weisen insbesondere mindestens zwei Schwenk-Freiheitsgrade, welche auch als Kipp-Freiheitsgrade bezeichnet werden. Das optische Bauelement ist vorzugsweise modular ausgebildet. Es wird auch als optischer Baustein (MEMS-Brick) bezeichnet.
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Der Auskoppelbereich ist vorzugsweise jeweils strahlungsreflektierend ausgebildet. Er kann insbesondere eine strahlungsreflektierende Beschichtung aufweisen. Er ist insbesondere für Beleuchtungsstrahlung im Wellenlängenbereich der Beleuchtungsstrahlung, insbesondere im EUV-Bereich, reflektierend.
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Gemäß einem Aspekt der Erfindung ist der mindestens eine Auskoppel-Bereich in einem Randbereich des Haltesubstrats angeordnet. Er ist insbesondere in einem Umfangsbereich, welcher die Spiegel-Elemente umlaufend umgibt, angeordnet. Dieser Bereich wird üblicherweise nicht zur gezielten Beleuchtung des Objektfeldes genutzt. Die auf diesen Bereich auftreffende Beleuchtungsstrahlung kann somit für die oben genannten Zwecke genutzt werden, ohne dass dies die auf ein Retikel aufgestrahlte Beleuchtungsstrahlung reduziert.
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Es kann insbesondere vorgesehen sein, den gesamten Randbereich, insbesondere einen einfach zusammenhängenden, umlaufenden Randbereich als Auskoppel-Bereich zu nutzen. Das optische Bauelement kann auch mehrere separate Auskoppel-Bereiche aufweisen. Im Falle eines rechteckigen, insbesondere eines quadratischen Haltesubstrats können beispielsweise auf jeder Seite desselben Auskoppel-Bereiche vorgesehen sein. Hierdurch kann die Präzision der Positionserfassung des Haltesubstrats verbessert werden.
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Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung weist das optische Bauelement mehrere Auskoppel-Bereiche auf, welche einem gemeinsamen oder mehreren disjunkten Zielbereichen zugeordnet sind.
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Es ist insbesondere möglich, sämtliche Auskoppel-Bereiche des optischen Bauelements zur Überführung von Beleuchtungsstrahlung in einen einzigen, gemeinsamen vorbestimmten Zielbereich zu nutzen. Hierdurch wird die Erfassung der von den Auskoppel-Bereichen ausgekoppelten Beleuchtungsstrahlung vereinfacht.
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Es ist auch möglich, jedem der Auskoppel-Bereiche einen eigenen Zielbereich zuzuordnen. Die unterschiedlichen Zielbereiche können insbesondere wechselseitig disjunkt sein. Hierdurch kann die Präzision der Positionserfassung verbessert werden.
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Zwischenlösungen sind ebenso möglich. Beispielsweise kann für jede Seite des optischen Bauelements oder für jede der Hauptrichtungen, insbesondere für jeden der Schwenkfreiheitsgrade ein gemeinsamer Zielbereich vorgesehen sein. Die Gesamtanzahl der Zielbereiche des optischen Bauelements kann somit 1, 2, 4 oder mehr betragen.
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Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung weist der mindestens eine Auskoppelbereich jeweils eine fokussierende Oberfläche auf. Der Auskoppelbereich kann insbesondere hohlspiegelartig ausgebildet sein. Er kann insbesondere jeweils einen Ausschnitt aus einer Hohlspiegelfläche, insbesondere einer sphärischen Hohlspiegelfläche, aufweisen. Er kann insbesondere jeweils einen Krümmungsradius im Bereich von 5 cm bis 5 m, insbesondere im Bereich von 10 cm bis 2 m, insbesondere im Bereich von 30 cm bis 1 m aufweisen.
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Vorzugsweise weisen sämtliche Auskoppelbereiche des optischen Bauelements identische oder zumindest im Wesentlichen identische Krümmungsradien und damit Brennweiten auf. Prinzipiell ist es jedoch auch denkbar, unterschiedliche Auskoppelbereiche des optischen Bauelements mit unterschiedlichen Krümmungsradien und damit Brennweiten auszubilden. Hierdurch kann die Funktionalität der Auskoppelbereiche erweitert werden.
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Die Auskoppelbereiche dienen insbesondere der Fokussierung von Beleuchtungsstrahlung in den jeweiligen Zielbereich.
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Gemäß einem Aspekt der Erfindung bildet das optische Bauelement einen Bestandteil eines Facettenspiegels für eine Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage. Es kann insbesondere einen Bestandteil eines Feldfacettenspiegels oder eines Pupillenfacettenspiegels bilden. Ein derartiger Feldfacettenspiegel beziehungsweise ein entsprechender Pupillenfacettenspiegel umfasst insbesondere eine Vielzahl entsprechender optischer Bauelemente. Diese können vorzugsweise im Wesentlichen identisch zueinander ausgebildet sein. Dies verbessert die aufgrund der modularen Ausbildung des optischen Bauelements gegebene Flexibilität. Er ermöglicht insbesondere einen im Wesentlichen beliebigen Austausch der optischen Bauelemente.
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Die identische, modulare Ausbildung des optischen Bauelements bezieht sich hierbei insbesondere auf die Anordnung der Auskoppelbereiche auf dem optischen Bauelement. Deren fokussierende Wirkung kann individuell verschieden sein. Hierdurch ist eine gezielte Anpassung an die Anordnung des jeweiligen optischen Bauelements im Strahlengang der Beleuchtungsoptik möglich.
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Eine weitere Aufgabe der Erfindung besteht darin, eine Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage zu verbessern.
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Diese Aufgabe wird durch eine Beleuchtungsoptik zur Überführung von Beleuchtungsstrahlung zu einem Objektfeld gelöst, welche mindestens einen Facettenspiegel mit mindestens einem optischen Bauelement gemäß der vorhergehenden Beschreibung umfasst, wobei das optische Bauelement eine Vielzahl von Spiegel-Elementen umfasst. Das optische Bauelement umfasst insbesondere ein MMA, insbesondere ein MEMS-MMA.
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Die Vorteile ergeben sich aus den vorhergehend beschriebenen. Mit Hilfe der Auskoppel-Bereiche lässt sich insbesondere die Positionierung der optischen Bauelemente im Strahlengang der Beleuchtungsoptik überwachen. Hierdurch kann die Präzision der Anordnung der Spiegel-Elemente im Strahlengang der Beleuchtungsoptik verbessert werden. Es ist insbesondere möglich, eine Drift, insbesondere eine thermisch verursachte Drift der optischen Bauelemente zu detektieren.
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Gemäß einem Aspekt der Erfindung umfasst die Beleuchtungsoptik eine Sensor-Einrichtung zur Erfassung der vom mindestens einen Auskoppel-Bereich in den Zielbereich überführten Beleuchtungsstrahlung.
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Die Sensor-Einrichtung kann insbesondere ortsauflösend sein. Es kann sich insbesondere um eine zweidimensionale Sensor-Einrichtung handeln, beispielsweise eine Kamera, insbesondere eine CCD-Kamera, handeln. Die Sensor-Einrichtung kann vorzugsweise eine Bildverarbeitungs-Einrichtung umfassen oder an eine derartige Bildverarbeitungs-Einrichtung gekoppelt sein. Die Bildverarbeitungs-Einrichtung kann als separates Bauelement ausgebildet sein.
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Die Sensor-Einrichtung kann auch einen dosisempfindlichen Sensor umfassen. Sie kann insbesondere zur Dosismessung, insbesondere zur Messung der Dosis der Beleuchtungsstrahlung im Fernfeld, verwendet werden.
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Gemäß einer vorteilhaften Ausführungsform kann die Dosis aus den Intensitäten des Kamerabildes ermittelt werden.
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Die Dosismessung und die ortsauflösende Position können alternativ oder kumulativ vorgesehen sein.
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Gemäß einem Aspekt der Erfindung ist die Sensor-Einrichtung beabstandet zum Objektfeld angeordnet. Hierunter kann ein Winkelabstand und/oder eine lineare Entfernung verstanden sein. Der Abstand der Sensor-Einrichtung zum Objektfeld kann insbesondere mindestens 10 cm, insbesondere mindestens 30 cm, insbesondere mindestens 50 cm betragen. Hierdurch wird eine Beleuchtung des Objektfeldes mit von den Auskoppelbereichen reflektierter Beleuchtungsstrahlung, das heißt mit Falschlicht, vermieden. Außerdem wird hierdurch vermieden, dass Beleuchtungsstrahlung, welche von den Spiegel-Elementen des optischen Bauelements reflektiert wird, zur Sensor-Einrichtung gelangt.
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Die Sensor-Einrichtung kann insbesondere beabstandet zur Objektebene angeordnet sein.
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Gemäß einem Aspekt der Erfindung ist die Sensor-Einrichtung Bestandteil einer Regelungs-Einrichtung, mittels welcher die Positionierung der Spiegel-Elemente geregelt werden kann. Hierdurch wird die Präzision der Positionierung der Spiegel-Elemente verbessert.
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Die Sensor- und/oder Regler-Bandbreite kann insbesondere an die Geschwindigkeit der zu korrigierenden Positionsänderungen angepasst sein. Sie kann insbesondere für Positionsänderungen aufgrund thermischer Effekte oder höherfrequenter Anregungen der MEMS-Bricks auf die Spiegel-Elemente, insbesondere im Frequenzbereich der Eigenmoden der Spiegel-Elemente, optimiert sein. Prinzipiell ist es auch möglich, zur Positionsregelung der Spiegel-Elemente für unterschiedliche Frequenzbereiche separate Regelschleifen vorzusehen.
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Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung umfasst der mindestens eine Facettenspiegel der Beleuchtungsoptik eine Mehrzahl von optischen Bauelementen, wobei die durch die Auskoppelbereiche definierten Zielbereiche der unterschiedlichen optischen Bauelemente wechselseitig disjunkt sind. Die Auskoppelbereiche der unterschiedlichen optischen Bauelemente sind insbesondere jeweils umkehrbar eindeutig den Zielbereichen zugeordnet. Hierdurch wird sichergestellt, dass die Positionierung sämtlicher optischer Bauelemente des Facettenspiegels zuverlässig überwacht werden kann.
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Eine weitere Aufgabe der Erfindung besteht darin, ein Beleuchtungssystem für eine Projektionsbelichtungsanlage zu verbessern.
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Diese Aufgabe wird durch ein Beleuchtungssystem mit einer Beleuchtungsoptik gemäß der vorhergehenden Beschreibung und einer Strahlungsquelle zur Erzeugung von Beleuchtungsstrahlung gelöst.
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Bei der Strahlungsquelle handelt es sich insbesondere um eine EUV-Strahlungsquelle.
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Eine weitere Aufgabe der Erfindung besteht darin, ein Verfahren zum Betrieb eines Beleuchtungssystems einer Projektionsbelichtungsanlage zu verbessern.
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Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren gelöst, bei welchem die Positionierung einer Mehrzahl der Spiegel-Elemente, insbesondere sämtlicher Spiegel-Elemente, des optischen Bauelements geregelt wird, wobei zur Erfassung der Positionierung des optischen Bauelements Beleuchtungsstrahlung von mindestens einem vorbestimmten Auskoppel-Bereich auf dem Haltesubstrat des optischen Bauelements zu einer Sensor-Einrichtung geführt wird.
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Die Details und Vorteile dieses Verfahrens ergeben sich aus der vorhergehenden Beschreibung.
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Eine weitere Aufgabe der Erfindung besteht darin, ein optisches System für eine Projektionsbelichtungsanlage und eine Projektionsbelichtungsanlage zu verbessern.
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Diese Aufgaben werden durch ein optisches System mit einer Beleuchtungsoptik gemäß der vorhergehenden Beschreibung und einer Projektionsoptik zur Überführung von Beleuchtungsstrahlung aus dem Objektfeld in ein Bildfeld beziehungsweise durch eine Projektionsbelichtungsanlage mit einem Beleuchtungssystem gemäß der vorhergehenden Beschreibung und einer Projektionsoptik zur Überführung von Beleuchtungsstrahlung aus dem Objektfeld in ein Bildfeld gelöst.
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Die Vorteile ergeben sich aus den vorhergehend beschriebenen.
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Weitere Aufgaben der Erfindung bestehen darin, ein Verfahren zur Herstellung eines mikro- oder nanostrukturierten Bauelements und ein derartiges Bauelement zu verbessern. Diese Aufgaben werden durch die Bereitstellung einer erfindungsgemäßen Projektionsbelichtungsanlage gelöst. Die Vorteile ergeben sich aus den vorhergehend beschriebenen.
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Weitere Details und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der Beschreibung von Ausführungsbeispielen anhand der Zeichnungen. Es zeigen:
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1 eine schematische Darstellung einer Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit einem Beleuchtungssystem und einer Projektionsoptik im Meridionalschnitt,
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2 eine schematische Darstellung eines Bauelements mit einem Spiegel-Array,
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3 eine schematische Darstellung der Anordnung für derartige Bauelemente auf einer Grundplatte,
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4 eine schematische Darstellung der Ausbildung von Facetten-Reflexionsflächen, welche jeweils durch eine Parkettierung aus einer Mehrzahl von Einzel-Reflexionsflächen gebildet ist,
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5 eine schematische Ausschnittsvergrößerung eines Teils des Strahlengangs einer Projektionsbelichtungsanlage gemäß 1,
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6 eine schematische Darstellung entsprechend 2 einer alternativen Ausführung eines Bauelements mit einem Spiegel-Array,
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7 eine Schnittdarstellung durch das Bauelement gemäß 6 entlang der Linie VII-VII und
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8 eine Schnittdarstellung entsprechend der 7 einer weiteren Alternative eines Bauelements mit einem Spiegel-Array.
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Im Folgenden wird zunächst der prinzipielle Aufbau einer Projektionsbelichtungsanlage 1 anhand der 1 beschrieben.
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1 zeigt schematisch in einem Meridionalschnitt eine Projektionsbelichtungsanlage 1 für die Mikrolithografie. Ein Beleuchtungssystem 2 der Projektionsbelichtungsanlage 1 hat neben einer Strahlungsquelle 3 eine Beleuchtungsoptik 4 zur Belichtung eines Objektfeldes 5 in einer Objektebene 6. Das Objektfeld 5 kann rechteckig oder bogenförmig mit einem x/y-Aspektverhältnis von beispielsweise 13/1 gestaltet sein. Belichtet wird hierbei ein im Objektfeld 5 angeordnetes und in der 1 nicht dargestelltes reflektierendes Retikel, das eine mit der Projektionsbelichtungsanlage 1 zur Herstellung mikro- beziehungsweise nanostrukturierter Halbleiter-Bauelemente zu projizierende Struktur trägt. Eine Projektionsoptik 7 dient zur Abbildung des Objektfeldes 5 in ein Bildfeld 8 in einer Bildebene 9. Abgebildet wird die Struktur auf dem Retikel auf eine lichtempfindliche Schicht eines im Bereich des Bildfeldes 8 in der Bildebene 9 angeordneten Wafers, der in der Zeichnung nicht dargestellt ist.
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Das Retikel, das von einem nicht dargestellten Retikelhalter gehalten ist, und der Wafer, der von einem nicht dargestellten Waferhalter gehalten ist, werden beim Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage 1 synchron in der y-Richtung gescannt. Abhängig vom Abbildungsmaßstab der Projektionsoptik 7 kann auch ein gegenläufiges Scannen des Retikels relativ zum Wafer stattfinden.
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Beim Einsatz der Projektionsbelichtungsanlage 1 wird ein Retikel mit abzubildenden Strukturen im Bereich des Objektfelds 5 bereitgestellt. Außerdem wird ein Wafer, welcher eine für Beleuchtungsstrahlung lichtempfindliche Beschichtung trägt, im Bereich des Bildfeldes 8 bereitgestellt. Anschließend wird zumindest ein Abschnitt des Retikels mit Hilfe der Projektionsbelichtungsanlage 1 auf den Wafer projiziert. Bei der Projektion des Retikels auf den Wafer kann ein Retikelhalter und/oder ein Waferhalter in Richtung parallel zur Objektebene 6 bzw. parallel zur Bildebene 9 verlagert werden. Die Verlagerung des Retikels und des Wafers kann vorzugsweise synchron zueinander erfolgen. Schließlich wird die mit der Beleuchtungsstrahlung belichtete lichtempfindliche Schicht auf dem Wafer entwickelt. Auf diese Weise wird ein mikro- bzw. nanostrukturiertes Bauelement, insbesondere ein Halbleiterchip, hergestellt.
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Mit Hilfe der Projektionsbelichtungsanlage 1 wird wenigstens ein Teil des Retikels auf einen Bereich einer lichtempfindlichen Schicht auf dem Wafer zur lithographischen Herstellung eines mikro- beziehungsweise nanostrukturierten Bauelements, insbesondere eines Halbleiterbauelements, zum Beispiel eines Mikrochips abgebildet. Je nach Ausführung der Projektionsbelichtungsanlage 1 als Scanner oder als Stepper werden das Retikel und der Wafer zeitlich synchronisiert in der y-Richtung kontinuierlich im Scannerbetrieb oder schrittweise im Stepperbetrieb verfahren.
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Bei der Strahlungsquelle 3 handelt es sich um eine EUV-Strahlungsquelle mit einer emittierten Nutzstrahlung im Bereich zwischen 5 nm und 30 nm. Es kann sich dabei um eine Plasmaquelle, beispielsweise um eine GDPP-Quelle (Plasmaerzeugung durch Gasentladung, Gas Discharge Produced Plasma), oder um eine LPP-Quelle (Plasmaerzeugung durch Laser, Laser Produced Plasma) handeln. Auch andere EUV-Strahlungsquellen, beispielsweise solche, die auf einem Synchrotron oder auf einem Free Electron Laser (Freie Elektronenlaser, FEL) basieren, sind möglich.
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EUV-Strahlung
10, die von der Strahlungsquelle
3 ausgeht, wird von einem Kollektor
11 gebündelt. Ein entsprechender Kollektor ist beispielsweise aus der
EP 1 225 481 A bekannt. Nach dem Kollektor
11 propagiert die EUV-Strahlung
10 durch eine Zwischenfokusebene
12, insbesondere einem Zwischenfokus
32, bevor sie auf einen Feldfacettenspiegel
13 mit einer Vielzahl von Feldfacetten
13a trifft. Der Feldfacettenspiegel
13 ist in einer Ebene der Beleuchtungsoptik
4 angeordnet, die zur Objektebene
6 optisch konjugiert ist.
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Die EUV-Strahlung 10 wird auch als Nutzstrahlung, Beleuchtungsstrahlung oder als Abbildungslicht bezeichnet.
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Nach dem Feldfacettenspiegel 13 wird die EUV-Strahlung 10 von einem Pupillenfacettenspiegel 14 mit einer Vielzahl von Pupillenfacetten 14a reflektiert. Der Pupillenfacettenspiegel 14 liegt entweder in der Eintrittspupillenebene der Beleuchtungsoptik 7 oder in einer hierzu optisch konjugierten Ebene. Der Feldfacettenspiegel 13 und der Pupillenfacettenspiegel 14 sind aus einer Vielzahl von Einzelspiegeln aufgebaut, die nachfolgend noch näher beschrieben werden. Dabei kann die Unterteilung des Feldfacettenspiegels 13 in Einzelspiegel derart sein, dass jede der Feldfacetten 13a, die für sich das gesamte Objektfeld 5 ausleuchten, durch genau einen der Einzelspiegel repräsentiert wird. Alternativ ist es möglich, zumindest einige oder alle der Feldfacetten 13a durch eine Mehrzahl derartiger Einzelspiegel aufzubauen. Entsprechendes gilt für die Ausgestaltung der den Feldfacetten 13a jeweils zugeordneten Pupillenfacetten 14a des Pupillenfacettenspiegels 14, die jeweils durch einen einzigen Einzelspiegel oder durch eine Mehrzahl derartiger Einzelspiegel gebildet sein können.
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Die EUV-Strahlung 10 trifft auf die beiden Facettenspiegel 13, 14 unter einem Einfallswinkel, gemessen normal zur Spiegelfläche, auf, der kleiner oder gleich 25° ist. Die beiden Facettenspiegel 13, 14 werden also im Bereich eines normal incidence-Betriebs mit der EUV-Strahlung 10 beaufschlagt. Auch eine Beaufschlagung unter streifendem Einfall (grazing incidence) ist möglich. Der Pupillenfacettenspiegel 14 ist in einer Ebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet, die eine Pupillenebene der Projektionsoptik 7 darstellt beziehungsweise zu einer Pupillenebene der Projektionsoptik 7 optisch konjugiert ist. Mithilfe des Pupillenfacettenspiegels 14 und einer abbildenden optischen Baugruppe in Form einer Übertragungsoptik 15 mit in der Reihenfolge des Strahlengangs für die EUV-Strahlung 10 bezeichneten Spiegeln 16, 17 und 18 werden die Feldfacetten des Feldfacettenspiegels 13 einander überlagernd in das Objektfeld 5 abgebildet. Der letzte Spiegel 18 der Übertragungsoptik 15 ist ein Spiegel für streifenden Einfall („Grazing incidence Spiegel“). Die Übertragungsoptik 15 wird zusammen mit dem Pupillenfacettenspiegel 14 auch als Folgeoptik zur Überführung der EUV-Strahlung 10 vom Feldfacettenspiegel 13 hin zum Objektfeld 5 bezeichnet. Das Beleuchtungslicht 10 wird von der Strahlungsquelle 3 hin zum Objektfeld 5 über eine Mehrzahl von Ausleuchtungskanälen geführt. Jedem dieser Ausleuchtungskanäle ist eine Feldfacette 13a des Feldfacettenspiegels 13 und eine dieser nachgeordnete Pupillenfacette 14a des Pupillenfacettenspiegels 14 zugeordnet. Die Einzelspiegel des Feldfacettenspiegels 13 und des Pupillenfacettenspiegels 14 können aktuatorisch verkippbar sein, sodass ein Wechsel der Zuordnung der Pupillenfacetten 14a zu den Feldfacetten 13a und entsprechend eine geänderte Konfiguration der Ausleuchtungskanäle erreicht werden kann. Es resultieren unterschiedliche Beleuchtungssettings, die sich in der Verteilung der Beleuchtungswinkel des Beleuchtungslichts 10 über das Objektfeld 5 unterscheiden.
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Der Feldfacettenspiegel 13 kann in einer zur Objektebene 6 konjugierten Ebene angeordnet sein. Der Pupillenfacettenspiegel 14 kann in einer Pupillenebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet sein. Dies ist jedoch nicht zwingend notwendig. Allgemein bilden die beiden Facettenspiegel 13, 14 einen ersten Facettenspiegel 13 und einen zweiten Facettenspiegel 14. Sie werden im Folgenden der Einfachheit halber dennoch als Feldfacettenspiegel 13 und Pupillenfacettenspiegel 14 bezeichnet. Dies ist nicht als einschränkend zu verstehen. Sämtliche Aspekte der Erfindung gelten auch für eine Anordnung der beiden Facettenspiegel beabstandet zu einer zur Objektebene 6 konjugierten Ebene beziehungsweise beabstandet zu einer Pupillenebene.
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Ein Teil der Beleuchtungsstrahlung 10, insbesondere sogenanntes Randlicht 30, kann zu einer Sensor-Einrichtung mit einem Sensor 28 ausgekoppelt werden. Eine derartige Auskopplung ist insbesondere am Feldfacettenspiegel 13 möglich. Sie ist auch am Pupillenfacettenspiegel 14 möglich. Die Nutzung des Randlichts 30 wird nachfolgend noch näher beschrieben.
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Erfindungsgemäß ist vorgesehen, den Feldfacettenspiegel 13 und/oder dem Pupillenfacettenspiegel 14 als Vielspiegelanordnung 19 (englisch: Multi Mirror Array, MMA) auszubilden. Die Facettenspiegel 13, 14 sind insbesondere als mikroelektromechanisches System (MEMS) ausgebildet. Sie bilden allgemein jeweils eine optische Baugruppe zur Führung der Nutzstrahlung 10, insbesondere der EUV-Strahlung 10. Die optische Baugruppe umfasst eine Mehrzahl von Vielspiegelanordnungen 19 (englisch: Multi Mirror Arrays, MMA), welche auf einer gemeinsamen Grundplatte 20 angeordnet sind. Die Grundplatte 20 dient der Stromversorgung und/oder der Signalverbindung der Vielspiegelanordnungen 19 mit einer externen Steuer- und/oder Regeleinrichtung.
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Allgemein bilden die Vielspiegelanordnungen 19 Bestandteile optischer Bauelemente, welche im Folgenden auch als Module 22 bezeichnet werden. Die Module 22 sind insbesondere als MEMS-Module, ausgebildet. Sie werden auch als Bricks bezeichnet.
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Die Vielspiegelanordnungen 19 weisen eine Vielzahl von matrixartig zeilen- und spaltenweise angeordneten Einzelspiegeln auf. Die Einzelspiegel werden im Folgenden auch als Spiegel-Elemente 21 bezeichnet. Die Spiegel-Elemente 21 sind aktuatorisch verkippbar ausgelegt. Insgesamt weist jede der Vielspiegelanordnungen 19 bis zu mehreren hunderttausend Spiegel-Elementen 21 auf. Die Spiegel-Elemente 21 weisen jeweils eine Einzel-Reflexionsfläche 24 auf.
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Für Details der Vielspiegelanordnungen
19 und deren Anordnung auf der Grundplatte
20 sei auf die
DE 10 2011 006 100.2 verwiesen.
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Die Module 22 mit den Vielspiegelanordnungen 19 bilden vorzugsweise autarke Einheiten. Hierunter sei verstanden, dass die gesamte Elektronik zur Steuerung der Spiegel-Elemente 21 sich vorzugsweise in den Modulen 22 befindet.
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Die Module 22 sind insbesondere elektrisch und mechanisch identisch. Sie können jedoch individualisierte Bereiche aufweisen. Sie können insbesondere jeweils einen oder mehrere, nachfolgend noch näher beschriebene Auskoppelbereiche 27 aufweisen.
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Wie in der 4 schematisch dargestellt ist, können virtuelle Feldfacetten 23 durch Gruppen von Spiegel-Elementen 21 realisiert werden. Hierzu werden die Spiegel-Elemente 21, welche sich im Bereich einer virtuellen Feldfacette 23 befinden, derart verkippt, dass sie eine makroskopische Feldfacette approximieren.
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Die virtuellen Feldfacetten 23 weisen jeweils eine Facetten-Reflexionsfläche auf, welche durch eine Parkettierung aus einer Mehrzahl von Einzel-Reflexionsflächen 24 von Spiegel-Elementen 21 gebildet ist. Die Facetten-Reflexionsfläche ist insbesondere durch eine Parkettierung aus einer Mehrzahl von Einzel-Reflexionsflächen 24 von Spiegel-Elementen 21 mindestens zweier Bauelemente 19, insbesondere von mindestens vier Bauelementen 19, insbesondere von mindestens acht Bauelementen 19 gebildet. Die virtuellen Feldfacetten 23 umfassen insbesondere Spiegel-Elemente 21 von mindestens vier nebeneinander angeordneten Modulen 22.
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Abgesehen von einem notwendigerweise vorhandenen Abstand zwischen den Spiegel-Elementen 21 innerhalb einer Vielspiegelanordnung 19 und einem Abstand zwischen den Spiegel-Elementen 21 zweier benachbarter Vielspiegelanordnungen 19 bilden die Einzel-Reflexionsflächen 24 vorzugsweise eine dichte Parkettierung, insbesondere der virtuellen Feldfacetten 23. Sie weisen einen Füllgrad von mindestens 70%, vorzugsweise mindestens 90% auf. Der Füllgrad wird auch als Integrationsdichte bezeichnet.
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Die virtuellen Feldfacetten 23 werden durch geeignete Ansteuerung der Spiegel-Elemente 21 definiert. Die Einzel-Reflexionsflächen 24 sind somit zu einer Mehrzahl von virtuellen Feldfacetten 23 gruppierbar.
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Die Spiegel-Elemente
21 sind von einem Substrat
25 gehalten. Das Substrat
25 weist einen Randbereich
26 auf. Der Randbereich
26 ist insbesondere um die Spiegel-Elemente
21 herum umlaufend angeordnet. Er weist eine Breite b, insbesondere eine maximale Breite b, von höchstens 5 mm, insbesondere höchstens 3 mm, insbesondere höchstens 1 mm, insbesondere höchstens 0,5 mm, insbesondere höchstens 0,3 mm, insbesondere höchstens 0,2 mm auf. Für Details sei wiederum auf die
DE 10 2011 006 100.2 verwiesen.
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Die Module 22 sind austauschbar auf der Grundplatte 20 angeordnet. Sie sind insbesondere wechselseitig austauschbar. Allgemein ist zumindest ein Teil der Module 22 wechselseitig austauschbar.
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Im Folgenden werden weitere Aspekte der Module 22 mit den Vielspiegelanordnungen 19 beschrieben.
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Wie in der 5 exemplarisch dargestellt ist, fällt ein Teil der Beleuchtungsstrahlung 10 nicht auf eine Einzel-Reflexionsfläche 24 eines der Spiegel-Elemente 21, sondern auf den Randbereich 26 des Moduls 22. Erfindungsgemäß ist vorgesehen, zumindest einen Teilbereich des Randbereichs 26 als Auskoppelbereich 27 auszubilden. Der Auskoppelbereich 27 dient der Auskopplung von Beleuchtungsstrahlung 10 aus dem zum Objektfeld 5 gerichteten Strahlengang. Er dient insbesondere der Überführung, insbesondere Reflexion, von Beleuchtungsstrahlung 10 zum Sensor 28, welcher im Zielbereich 29 angeordnet ist.
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Der Teil der Beleuchtungsstrahlung 10, welcher auf den Randbereich 26 auftrifft, wird auch als Randlicht 30 bezeichnet. Das Randlicht 30 trägt üblicherweise nicht oder zumindest nicht wesentlich zur Beleuchtung des Objektfeldes 5 bei. Es kann jedoch zu einer Reduzierung der Beleuchtungsqualität, beispielsweise der Homogenität der Beleuchtung des Objektfeldes 5, und damit zu einer Reduzierung der Abbildungsqualität des Beleuchtungssystems 2 führen.
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Um dies zu verhindern, kann der Randbereich 26 in den nicht als Auskoppelbereich 27 genutzten Bereichen mit einer strahlungsabsorbierenden Beschichtung (Anti-Reflective-Coating, ARC) 36 beschichtet werden.
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Erfindungsgemäß ist jedoch vorgesehen, zumindest einen Teil des Randlichtes 30 zu nutzen. Es ist insbesondere vorgesehen, mindestens 50% des Randlichtes 30, insbesondere mindestens 70%, insbesondere mindestens 90%, insbesondere mindestens 100% des Randlichtes 30 zu nutzen.
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Das mittels der Auskoppelbereiche 27 aus dem Beleuchtungsstrahlengang ausgekoppelte Randlicht 30 kann insbesondere zu Metrologiezwecken und/oder zur Dosismessung genutzt werden. Dies wird nachfolgend noch näher beschrieben.
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Wie auf der rechten Seite des Moduls 22 in 5 exemplarisch und schematisch dargestellt ist, kann der Auskoppelbereich 27 umfangsseitig klar abgegrenzt sein. Er kann insbesondere durch einen Trennbereich 31 von den Spiegel-Elementen 21, insbesondere deren Einzel-Reflexionsflächen 24, getrennt sein.
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Durch eine geeignete Ausbildung des Trennbereichs 31 kann sichergestellt werden, dass die Reflexion des Randlichtes 30 am Auskoppelbereich 27 nicht von der Verlagerungsposition der Spiegel-Elemente 21 abhängt. Es kann insbesondere sichergestellt werden, dass die Spiegel-Elemente 21 nicht zu einer verlagerungspositionsabhängigen Abschattung des Auskoppelbereichs 27 führen.
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Alternativ hierzu kann auch der gesamte Randbereich 26 als Auskoppelbereich 27 dienen. Dies ist exemplarisch schematisch in der linken Hälfte des Moduls 22 der 5 dargestellt. Prinzipiell kann die gesamte Vorderseite des Substrats 25 als Auskoppelbereich 27 dienen. Es ist insbesondere grundsätzlich möglich, auch Beleuchtungsstrahlung 10, welche in den Zwischenraum zwischen zwei benachbarten Spiegel-Elementen 21 fällt, zum Zielbereich 29 zu führen.
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Der Auskoppelbereich 27 ist jeweils derart ausgebildet, das die auf ihn vom Zwischenfokus 32 auftreffende Beleuchtungsstrahlung 10, das heißt das Randlicht 30, zu dem vorbestimmten Zielbereich 29 geführt wird. Der Auskoppelbereich 27 kann jeweils eine strahlungsreflektierende Beschichtung aufweisen.
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Der Auskoppelbereich 27 kann hierzu eine fokussierende Oberfläche aufweisen. Er weist insbesondere einen individuellen Krümmungsradius auf.
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Der Krümmungsradius des Auskoppelbereichs 27 beträgt insbesondere mindestens 0,1 m, insbesondere mindestens 0,5 m, insbesondere mindestens 1 m. Er kann insbesondere kleiner als 3 m, insbesondere kleiner als 1,5 m sein. Es ist auch möglich, den Auskoppelbereich 27 plan auszubilden.
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Weiterhin ist es möglich, den Auskoppelbereich 27 mit einer individuellen Verkippung, das heißt einem Kippwinkel bi relativ zu einer Flächennormalen 37 des Moduls 22, auszubilden. Durch eine geeignete Ausbildung des Auskoppelbereichs 27 kann erreicht werden, dass dieser jeweils auf einen vorbestimmten Flächenbereich des Sensors 28 projiziert wird. Es ist insbesondere möglich, den Randbereich 26, insbesondere den gesamten Randbereich 26 des Moduls 22, auf einen oder mehrere vorbestimmte Sensorbereiche des Sensors 28 abzubilden.
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Gemäß einer vorteilhaften Alternative weist das Modul 22 mehrere Auskoppelbereiche 27 auf, deren fokussierende Wirkung, insbesondere deren Verkippung, aneinander angepasst ist. Die Auskoppelbereiche 27 können insbesondere derart aneinander angepasst auf dem Modul 22 angeordnet sein, dass sie zusammen die Beleuchtungsstrahlung auf einen vorbestimmten Flächenbereich des Sensors 28 projizieren.
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Die unterschiedlichen Auskoppelbereiche 27 desselben Moduls 22 können insbesondere jeweils identische Verkippungen relativ zum Modul 22 aufweisen (b1 = b2). Dies ist exemplarisch in der 8 dargestellt. Die Verkippungen der Auskoppelbereiche 27 relativ zur Flächennormalen 37 des Moduls 22 können auch unterschiedlich sein (b1 ≠ b2).
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Die Auskoppelbereiche 27 können insbesondere auch derart relativ zur Flächennormalen 37 des Moduls 22 verkippt sein, dass sie tangential zu einer gemeinsamen sphärischen Oberfläche ausgerichtet sind. Dies ist exemplarisch in den 6 und 7 dargestellt. Auch in diesem Fall können die Verkippungen bi dem Betrag nach gleich sein (|b1| = |b2|) oder unterschiedlich sein (|b1| ≠ b2|).
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Die Auskoppelbereiche 27 können insbesondere derart ausgerichtet sein, dass sie die Beleuchtungsstrahlung 10 auf einem gemeinsamen Flächenbereich des Sensors 28 projizieren.
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Als Sensor 28 dient insbesondere ein ortsauflösender Sensor, beispielsweise eine Kamera, insbesondere eine CCD-Kamera. Der Sensor 28 ist insbesondere flächig, das heißt zweidimensional, ausgebildet.
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Mittels des Sensors 28 ist insbesondere die Position des oder der Auskoppelbereiche 27 der Module 22 erfassbar. Diese Position kann insbesondere kontinuierlich gemessen werden. Eine Positionsveränderung eines der Module 22 führt zu einer Verlagerung der entsprechenden Auskoppelbereiche 27. Eine derartige Verlagerung ist mittels des Sensors 28 erfassbar. Eine derartige Positionsänderung des oder der Auskoppelbereiche 27 wird insbesondere über eine Bildverarbeitungseinrichtung 33 detektiert. Die Bildverarbeitungseinrichtung 33 kann einen geeigneten Bildverarbeitungsalgorithmus verwenden.
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Die Bildverarbeitungseinrichtung 33 kann eine Recheneinheit, insbesondere eine externe Recheneinheit, umfassen. Die Bildverarbeitungseinrichtung 33 ist in datenübertragender Weise mit dem Sensor 28 verbunden.
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Die Bildverarbeitungseinrichtung 33 ist in datenübertragender Weise mit einer Steuereinrichtung 34 zur Steuerung der Verlagerungspositionen der Spiegel-Elemente 21 des Moduls 22 verbunden. Die Steuereinrichtung 34 ist insbesondere Bestandteil einer Regelungseinrichtung 35 in Form einer Regelungsschleife. Die Regelungseinrichtung 35 umfasst außerdem den Sensor 28. Sie kann auch die Bildverarbeitungseinrichtung 33 umfassen.
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Mittels der Regelungseinrichtung 35 können die Positionierungen, insbesondere die Kippwinkel der Spiegel-Elemente 21 des Moduls 22, geregelt werden. Es ist insbesondere möglich, die Verlagerungspositionen der Spiegel-Elemente 21 des Moduls 22 derart zu regeln, dass die Beleuchtungsstrahlung auch bei einer Positionsveränderung des Moduls 22, beispielsweise aufgrund einer Drift, insbesondere einer thermischen Drift, oder aufgrund von höherfrequenten Störungen optimal ausgerichtet sind oder bleiben. Die Verlagerungspositionen der Spiegel-Elemente 21 können insbesondere derart geregelt werden, dass sie stets optimal auf ihr Ziel im zweiten Facettenspiegel 14 und/oder im Objektfeld 5 zeigen.
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Die Bildverarbeitungseinrichtung 33 kann auch in datenübertragenderweise mit einer Steuereinrichtung zur Steuerung der von der Strahlungsquelle 3 emittierten Beleuchtungsstrahlung 10, insbesondere zur Dosissteuerung, verbunden sein. Der Sensor 28 kann in diesem Fall Bestandteil einer Regelungsschleife zur Dosisregelung der Beleuchtungsstrahlung 10 sein.
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Der Sensor 28 kann auch Bestandteil einer Regelungsschleife zur Positionsregelung der Strahlungsquelle 3 sein. Er kann insbesondere Bestandteil einer Regelungsschleife sein, mittels welcher die relative Positionierung der Strahlungsquelle 3 zum Modul 22 regelbar ist.
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Die Bandbreite des Sensors 28 und/oder die Bandbreite der Steuereinrichtung 34, insbesondere die Bandbreite der Regelungseinrichtung 35, kann insbesondere an die Geschwindigkeit beziehungsweise Frequenz der zu regelnden Störungen angepasst sein.
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Es ist insbesondere möglich, für langsame Störungen mit Frequenzen im Bereich von bis zu wenigen Hz, beispielsweise aufgrund von thermischen Drifts, eine separate Regelungseinrichtung 35 vorzusehen. Es ist auch möglich, für höherfrequente Störungen, insbesondere im Bereich der Eigenfrequenzen der Spiegel-Elemente 21, insbesondere im Bereich oberhalb von 500 Hz, eine eigene Regelungseinrichtung 35 vorzusehen.
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Im Folgenden werden weitere Aspekte des Sensors 28 beschrieben. Als Sensor 28 kann auch ein Dosissensor dienen. Der Sensor 28 kann insbesondere zu einer Dosismessung, insbesondere im Fernfeld, genutzt werden. Eine Messung der Strahlungsdosis im Fernfeld ist direkter und weniger fehleranfällig als eine entsprechende Messung in einem Bereich, welcher benachbart zum Objektfeld 5 angeordnet ist. Der Sensor 28 kann insbesondere Bestandteil einer Regelungseinrichtung zur Dosisregelung sein.
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Gemäß einer vorteilhaften Variante kann die Dosismessung mit dem vorhergehend beschriebenen Sensor 28 erfolgen. Die Dosismessung kann insbesondere aus den Intensitäten des erfassten Kamerabildes generiert werden.
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Es können auch separate Sensoren 28 zur Positionserfassung und zur Dosismessung vorgesehen sein.
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Die Erfindung ist grundsätzlich nicht auf eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage, das heißt nicht auf EUV-Beleuchtungsstrahlung 10, begrenzt. Der Einsatz von erfindungsgemäßen Modulen 22 ist jedoch insbesondere bei EUV-Projektionsbelichtungsanlagen 1 vorteilhaft.
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
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- DE 102011006100 A1 [0002]
- EP 1225481 A [0060]
- DE 102011006100 [0069, 0076]