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Die Erfindung betrifft eine optische Baugruppe für die Projektionslithografie mit einer Abbildungs- bzw. Beleuchtungslicht führenden optischen Komponente. Ferner betrifft die Erfindung ein Verfahren zur zumindest lokalen Messung der Temperatur eines Substrats einer optischen Komponente für die Projektionslithografie, eine Beleuchtungsoptik mit einer derartigen optischen Baugruppe, eine Projektionsoptik mit einer derartigen optischen Baugruppe, eine Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen Beleuchtungsoptik bzw. einer derartigen Projektionsoptik, ein Herstellungsverfahren für mikro- oder nanostrukturierte Bauelemente unter Einsatz einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage sowie ein nach einem solchen Herstellungsverfahren hergestelltes mikro- oder nanostrukturiertes Bauelement.
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Optische Komponenten zur Führung von Abbildungs- bzw. Beleuchtungslicht innerhalb einer Projektionsbelichtungsanlage sind bekannt beispielweise aus der
WO 2009/100856 A1 .
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Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine optische Baugruppe für die Projektionslithografie anzugeben, bei der eine Temperatur bzw. Temperaturverteilung des Substrats der optischen Komponente mit hoher Genauigkeit erfasst werden kann.
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Diese Aufgabe ist erfindungsgemäß gelöst durch eine optische Baugruppe mit den im Anspruch 1 angegebenen Merkmalen.
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Die erfindungsgemäße fluoreszenzoptische Messung erlaubt eine berührungslose Temperaturmessung des Substrats der optischen Komponente. Schwingungs- oder Kontaktprobleme bei der Temperaturmessung entfallen. Die Anregungsoptik und die Fluoreszenzoptik können zumindest abschnittsweise zusammenfallen, also gemeinsame optische Komponenten nutzen. Die Anregungsoptik und die Fluoreszenzoptik können aber auch vollständig voneinander getrennt ausgeführt sein, was eine optische Auflösung der Temperaturmessung verbessern helfen kann. Mit der erfindungsgemäßen fluoreszenzoptischen Messung kann die Temperatur bzw. die Temperaturverteilung auch tief innerhalb des Substrats vermessen werden, soweit dieses eine ausreichende Transparenz einerseits für das Fluoreszenz-Anregungslicht und andererseits für das Fluoreszenzlicht aufweist. Als Substrat können typische optische Glasmaterialien und insbesondere ULE® oder Zerodur® zum Einsatz kommen. Die Temperaturmessung kann ohne Hintergrundstörungen erfolgen, wie dies beispielsweise bei der Pyrometrie durch strahlende Hintergrundbauteile der Fall ist. Mit der Fluoreszenz-Temperaturmessung kann eine für die Zwecke der Projektionsbelichtung ausreichende Temperaturgenauigkeit von 0,1 K oder eine sogar noch höhere Temperaturgenauigkeit erreicht werden. Bei der optischen Komponente der optischen Baugruppe kann es sich um eine Komponente der Beleuchtungsoptik, um eine Komponente der Projektionsoptik, aber auch um einen EUV-Kollektor oder um ein Retikel der Projektionslithografie handeln. Die Fluoreszenz-Temperaturmessung ist nicht auf die EUV-Lithografie beschränkt, sondern kann auch bei mit anderen Wellenlängen arbeitenden Projektionsbelichtungsanlagen zum Einsatz kommen.
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Erbium als fluoreszierender Bestandteil nach Anspruch 2 ermöglicht eine genaue Temperaturmessung. Eine Temperaturmessung auf Basis einer Fluoreszenz-Intensitätsmessung ist beschrieben im Fachartikel von A. Poliman et al., Appl. Phys. Lett. 57 (26), 1990. Eine fluoreszenzoptische Temperaturmessung auf Basis einer Abklingzeit des Fluoreszenzsignals ist beschrieben in einem Fachartikel von Z. Y. Zhang et al., Rev. Sci. Instrum. 68 (7), 1997.
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Eine optische Faser als Bestandteil der Anregungsoptik bzw. der Fluoreszenzoptik ermöglicht es, die Anregungs-Lichtquelle und den Fluoreszenzlicht-Detektor dort anzuordnen, wo Bauraum vorhanden ist.
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Eine konfokale Linse nach Anspruch 4 ermöglicht eine gute Ortsauflösung des hinsichtlich seiner Temperatur zu vermessenden Volumenanteils im Substrat. Soweit die konfokale Linse mit einer optischen Faser bei der Anregungsoptik bzw. der Fluoreszenzoptik verwendet wird, kann ein Faser-ende mit der konfokalen Linse auf den zu vermessenden Volumenanteil abgebildet werden. Wenn sowohl die Anregungsoptik als auch die Fluoreszenzoptik eine eigene konfokale Linse aufweisen, führt dies zur Möglichkeit einer sehr hohen Ortsauflösung.
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Wellenlängen nach Anspruch 5 lassen sich zum einen mit konventioneller Lasertechnik, beispielsweise mit Laserdioden, erzeugen und ausgezeichnet detektieren, da es sich bei 1550 nm um eine Standard-Telekommunikationswellenlänge handelt.
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Die Vorteile eines Verfahrens zur Temperaturmessung nach Anspruch 6 entsprechen denen, die vorstehend im Zusammenhang mit der optischen Baugruppe bereits erläutert wurden.
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Die Varianten einer Intensitätsmessung, einer Abklingzeitmessung und einer Wellenlängenmessung nach den Ansprüchen 7 bis 9 können alternativ zueinander oder auch in Kombination miteinander zum Einsatz kommen und ermöglichen eine genaue Temperaturmessung. Bei der Wellenlängenmessung kann die Wellenlänge eines Maximums eine Fluoreszenzlicht-Spektrums oder auch die Halbwertsbreite eines Fluoreszenz-Spektrums jeweils in ihrer Temperaturabhängigkeit vermessen werden.
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Die Vorteile einer Beleuchtungsoptik nach Anspruch 10, einer Projektionsoptik nach Anspruch 11, einer Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 12, eines Herstellungsverfahrens nach Anspruch 13 und eines Bauelements nach Anspruch 14 entsprechen denen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die optische Baugruppe und das Temperatur-Messverfahren bereits diskutiert wurden.
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Das Temperatur-Messergebnis hinsichtlich lokaler Substrattemperaturen oder Substrat-Temperaturverteilungen kann als Temperatur-Istwert für eine nachfolgende Temperaturregelung der optischen Komponente genutzt werden.
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Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend anhand der Zeichnung näher erläutert. In dieser zeigen:
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1 schematisch eine Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Mikrolithografie, wobei eine Beleuchtungsoptik und eine Projektionsoptik im Meridionalschnitt dargestellt sind;
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2 schematisch eine optische Baugruppe der Projektionsbelichtungsanlage mit einer Abbildungs- bzw. Beleuchtungslicht führenden optischen Komponente und einer fluoreszenzoptischen Einrichtung zur lokalen Messung der Temperatur eines Substrats der optischen Komponente; und
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3 in einer zur 2 ähnlichen Darstellung eine weitere Ausführung einer Vorrichtung zur fluoreszenzoptischen lokalen Temperaturmessung des Substrats.
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1 zeigt schematisch eine Projektionsbelichtungsanlage 1 für die EUV-Mikrolithographie. Die Projektionsbelichtungsanlage 1 hat eine EUV-Strahlungsquelle 2 zur Erzeugung eines Nutz-Strahlungsbündels 3 von Abbildungs- bzw. Beleuchtungslicht. Die Wellenlänge des Nutz-Strahlungsbündels 3 liegt insbesondere zwischen 5 nm und 30 nm. Bei der EUV-Strahlungsquelle 2 kann es sich um eine LPP-Quelle (laser-produced plasma; lasererzeugtes Plasma) oder um eine GDPP-Quelle (gas discharge-produced plasma; gasentladungserzeugtes Plasma) handeln. Alternativ kann auch beispielsweise eine DUV-Strahlungsquelle zum Einsatz kommen, die beispielsweise ein Nutz-Strahlungsbündel mit einer Wellenlänge von 193 nm erzeugt.
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Das Nutz-Strahlungsbündel
3 wird von einem Kollektor
4 gesammelt. Entsprechende Kollektoren sind beispielsweise aus der
EP 1 225 481 A , der
US 2003/0043455 A und der
WO 2005/015314 A2 bekannt. Nach dem Kollektor
4 und streifender Reflexion an einem Spektralfilter
4a propagiert das Nutz-Strahlungsbündel
3 zunächst durch eine Zwischenfokusebene
5 mit Zwischenfokus Z und trifft dann auf einen Feldfacettenspiegel
6. Nach Reflexion am Feldfacettenspiegel
6 trifft das Nutz-Strahlungsbündel
3 auf einen Pupillenfacettenspiegel
7.
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Nach Reflexion am Pupillenfacettenspiegel 7 wird das Nutz-Strahlungsbündel 3 zunächst an zwei weiteren Spiegeln 8, 9 reflektiert. Nach dem N2-Spiegel trifft das Nutz-Strahlungsbündel 3 auf einen Spiegel 10 für streifenden Einfall (Grazing Incidence Spiegel).
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Gemeinsam mit dem Pupillenfacettenspiegel 7 bilden die weiteren Spiegel 8 bis 10 Feldfacetten des Feldfacettenspiegels 6 in ein Objektfeld 11 in einer Objektebene 12 der Projektionsbelichtungsanlage 1 ab. Im Objektfeld 11 ist ein abzubildender Oberflächenabschnitt eines reflektierenden Retikels 13 angeordnet.
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Die Spiegel 6 bis 10 und in einem weiteren Sinne auch der Kollektor 4 gehören zu einer Beleuchtungsoptik 14 der Projektionsbelichtungsanlage 1.
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Eine Projektionsoptik 15 bildet das Objektfeld 11 in ein Bildfeld 16 in einer Bildebene 17 ab. Dort ist ein Wafer 18 angeordnet. Das Retikel 13 und der Wafer 18 werden von einem Retikelhalter 19 und einem Waferhalter 20 getragen. Der Pupillenfacettenspiegel 7 liegt in einer optischen Ebene, die zu einer Pupillenebene der Projektionsoptik 15 optisch konjugiert ist.
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Das Objektfeld 11 ist bogenförmig, wobei der in der 1 dargestellte Meridionalschnitt der Beleuchtungsoptik 14 durch eine Spiegelsymmetrieachse des Objektfelds 11 verläuft. Eine typische Erstreckung des Objektfeldes 11 in der Zeichenebene der 1 beträgt 8 mm. Senkrecht zur Zeichenebene der 1 beträgt eine typische Erstreckung des Objektfeldes 11 104 mm. Auch ein rechteckiges Objektfeld, beispielsweise mit einem entsprechenden Aspektverhältnis von 8 mm × 104 mm, ist möglich.
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Bei der Projektionsoptik 15 handelt es sich um eine Spiegeloptik mit sechs Spiegeln M1 bis M6, die in der 1 in der Reihenfolge des Abbildungsstrahlengangs der Projektionsoptik 15 zwischen dem Objektfeld 11 und dem Bildfeld 16 in der Bildebene 17 durchnummeriert sind. In der 1 ist eine optische Achse OA der Projektionsoptik 15 angedeutet. Ein Verkleinerungsfaktor der Projektionsoptik 15 beträgt 4x.
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Jeder der Spiegel 6 bis 10 der Beleuchtungsoptik 14 sowie M1 bis M6 der Projektionsoptik 15 stellt eine optische Komponente mit einer von dem Nutz-Strahlungsbündel 3 beaufschlagbaren optischen Fläche dar. Auch das Retikel 13 stellt eine derartige optische Komponente dar.
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Die Lichtquelle 2, der Kollektor 4 und der Spektralfilter 4a, sind in einer Quellen-Kammer 21 untergebracht, die evakuierbar ist. Die Quellen-Kammer 21 hat eine Durchtrittsöffnung 22 für das Nutz-Strahlungsbündel 3 im Bereich des Zwischenfokus Z. Entsprechend sind auch die dem Zwischenfokus Z nachfolgende Beleuchtungsoptik 14 und die Projektionsoptik 15 sowie der Retikelhalter 19 und der Waferhalter 20 in einer Beleuchtungs-/Projektionsoptik-Kammer 23 untergebracht, die ebenfalls evakuierbar ist und von der in der 1 schematisch lediglich ein Wandabschnitt im Bereich einer Kammerecke dargestellt ist. Auch die Beleuchtungs-/Projektionsoptik-Kammer 23 ist evakuierbar.
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2 zeigt schematisch ein Substrat 24 einer das Abbildungs- bzw. Beleuchtungslicht 3 führenden optischen Komponente des optischen Systems der Projektionsbelichtungsanlage 1, also einer Komponente der Beleuchtungsoptik 14 oder der Projektionsoptik 15. Das Material des Substrats 24 kann ULE® oder Zerodur® sein. Das Substrat 24 hat eine Reflexionsfläche 25 zur Reflexion des einfallenden Abbildungs- bzw. Beleuchtungslichts 3, was in der 2 schematisch angedeutet ist. Die Reflexionsfläche 25 kann eine in der Zeichnung nicht dargestellte reflektierende Beschichtung tragen, die für die Wellenlänge des Beleuchtungs- bzw. Abbildungslichts 3 und für dessen Einfallswinkel auf die Reflexionsfläche 25 optimiert ist. Die Reflexionsfläche 25 ist in der 2 schematisch im Schnitt als plan verlaufende Fläche dargestellt. Es kann sich genauso auch um eine gekrümmte Fläche, beispielsweise um eine konvexe, konkave oder torische Fläche handeln. Die Reflexionsfläche 25 kann als sphärische Fläche, als asphärische Fläche oder als Freiformfläche gestaltet sein. Das Substrat 24 nach 2 ist Teil einer optischen Baugruppe 26. Zu dieser gehört neben der optischen Komponente mit dem Substrat 24 noch eine Vorrichtung 27 zur zumindest lokalen Messung der Temperatur des Substrats 24. Vermessen wird ein lokaler Volumenanteil 28 im Inneren des Substrats 24, der in der 2 gestrichelt angedeutet ist.
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Die Temperatur-Messvorrichtung 27 hat eine Anregungs-Lichtquelle 29 zur Erzeugung von Fluoreszenz-Anregungslicht. Die Anregungs-Lichtquelle 29 ist in der 2 schematisch dargestellt. Hierbei kann es sich um einen Laser handeln, der Licht mit einer Infrarot-Wellenlänge von 980 nm erzeugt. Das Fluoreszenz-Anregungslicht durchtritt, ausgehend von der Anregungs-Lichtquelle 29, zunächst eine optische Auskoppelkomponente 30 und wird nachfolgend in eine optische Faser 31 eingekoppelt. Nach Austritt aus der Faser 31 durchtritt das Fluoreszenz-Anregungslicht längs eines in der 2 schematisch angedeuteten Strahlengangs 32 eine konfokal angeordnete und zwischen der optischen Faser 31 und dem Substrat 24 angeordnete Linse 33. Anschließend dringt das Fluoreszenz-Anregungslicht längs des weiteren Verlaufs des Strahlengangs 32 in das Substrat 24 ein, wobei es an einer Eintrittsfläche 34 gebrochen wird, die eine der Reflexionsfläche 25 gegenüberliegende Seite, also die Rückseite, des Substrats 24 darstellt. Die Eintrittsfläche 34 kann eine Antireflex-Beschichtung für die dort ein- und/oder austretenden Lichtwellenlängen tragen. Nach Durchtritt durch die Eintrittsfläche 34 wird das Fluoreszenz-Anregungslicht in den Volumenanteil 28 fokussiert.
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Ein im Spiegelsubstrat 24 enthaltener fluoreszierender Bestandteil wird durch das im Volumenanteil 28 fokussierte Fluoreszenz-Anregungslicht zur Fluoreszenz angeregt. Zur Fluoreszenzanregung können Bestandteile des Substrats 24 genutzt werden, die im Spiegelmaterial des Substrats 24 ohnehin schon vorliegen. Alternativ kann in das Material des Substrats 24 eine fluoreszierende Dotierung eingebracht sein. Hierbei kann es sich um Erbium handeln. Eine Konzentration des fluoreszierenden Bestandteils kann 100 ppm oder mehr betragen.
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Die optische Faser 31 und die Linse 33 stellen eine Anregungsoptik 35 zur Führung des Fluoreszenz-Anregungslichts zum Volumenanteil 28 zum fluoreszierenden Bestandteil des Substrats 24 dar.
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Das Fluoreszenzlicht hat eine Wellenlänge von 1550 nm.
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Das erzeugte Fluoreszenzlicht wird wiederum über den Strahlengang 32, die Linse 33 und die optische Faser 31 geführt. Nach Austritt des Fluoreszenzlichts aus der optischen Faser 31 wird das Fluoreszenzlicht an der optischen Auskoppelkomponente 30 ausgekoppelt, also vom einfallenden Strahlengang des Fluoreszenz-Anregungslichts, getrennt. Nach der Auskopplung an der optischen Auskoppelkomponente 30 trifft das erzeugte Fluoreszenzlicht auf einen Fluoreszenzlicht-Detektor 36.
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Die Linse 33, die optische Faser 31 und das optische Auskoppelelement 30 sind Bestandteile einer Fluoreszenzoptik 37 zur Führung des Fluoreszenzlichts vom Volumenanteil 28 bis zum Fluoreszenzlicht-Detektor 36.
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Die Linse 33 und die optische Faser 31 sind bei der Ausführung nach 2 gleichzeitig Bestandteile der Anlegungsoptik 35 und der Fluoreszenzoptik 37. Komponenten, die gleichzeitig mit dem Fluoreszenz-Anregungslicht und mit dem Fluoreszenzlicht beaufschlagt werden, können an Ein- und Austrittsflächen Antireflexbeschichtungen für die Wellenlängen sowohl des Fluoreszenz-Anregungslichts als auch des Fluoreszenzlichts tragen. Eine Ausnahme hiervon bildet die optische Auskoppelkomponente 30, die eine Antireflexbeschichtung für das Fluoreszenz-Anregungslicht und eine hoch reflektierende Beschichtung für das Fluoreszenzlicht trägt. Die Auskoppelkomponente 30 ist also als dichroitischer Strahlteiler ausgestaltet. Die Auskoppelkomponente 30 kann auch als in anderer Weise wirkender Strahlteiler, beispielsweise als polarisationsoptischer Strahlteiler, ausgestaltet sein.
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Aufgrund der konfokalen Anordnung der Linse 23 ergibt sich eine hohe Ortsauflösung der Fluoreszenzlicht-Detektion. Der Volumenanteil 28, innerhalb dem die Fluoreszenzanregung erfolgt und innerhalb dem eine Fluoreszenzlichtabtastung geschieht, ist dementsprechend klein.
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Zur zumindest lokalen Messung der Temperatur des Substrats 24 wird folgendermaßen vorgegangen: Zunächst wird sichergestellt, dass das Substrat 24 eines fluoreszierenden Bestandteil enthält. Dieser fluoreszierende Bestandteil kann beispielsweise in Form einer Verunreinigung ohnehin im Material des Substrats 24 vorliegen oder gezielt eingebracht werden. Anschließend wird vorgegeben, wie groß der Volumenanteil 28 sein soll, innerhalb dem eine Fluoreszenzanregung stattfinden soll. Es werden dann die Anregungsoptik 35 und die Fluoreszenzoptik 37 und auch die Anregungs-Lichtquelle 29 in einer Konfiguration bereitgestellt, die sicherstellt, dass eine Fluoreszenzlicht-Detektion im Volumenanteil 28 in einer Größe stattfindet, die der vorgegebenen Volumenanteil-Größe, also der vorgegebenen Ortsauflösung der Detektion, entspricht. Anschließend wird der fluoreszierende Bestandteil im Volumenanteil 28 mit dem Fluoreszenz-Anregungslicht zur Fluoreszenz angeregt und das im Volumenanteil 28 erzeugte Fluoreszenzlicht mit dem Fluoreszenzlicht-Detektor 36 erfasst.
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Dieses Messverfahren kann zunächst bei einer Serie bekannter Temperaturen des Substrats 24 im zu vermessenden Temperaturbereich erfolgen. Auf diese Weise wird die Temperatur-Messvorrichtung 27 kalibriert. Als Messgröße kann eine temperaturabhängige Variation einer Intensität des detektierten Fluoreszenzlichts, eine Abklingzeit des detektierten Fluoreszenzlichts oder eine Wellenlänge des detektierten Fluoreszenzlichts herangezogen werden.
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Bei der Intensitätsmessung wird die Intensität des Fluoreszenzlichts mit dem Fluoreszenzlicht-Detektor 36 erfasst. Für eine Fluoreszenzlicht-Wellenlänge im Nahen Infrarot (NIR), also beispielsweise im Bereich von 1550 nm, existieren sehr empfindliche Intensitätsdetektoren.
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Zur Erfassung einer Abklingzeit des Fluoreszenzlichts erfolgt die Anregung des Volumenanteils 28 mit einem zeitlich begrenzten Fluoreszenz-Anregungslichtimpuls. Abhängig vom zeitlichen Verlauf des Fluoreszenz-Anregung wird dann mit dem Fluoreszenzlicht-Detektor 36 zeitaufgelöst eine Fluoreszenzlicht-Antwort der Fluoreszenz-Anregung vermessen und hieraus eine Abkling-Zeitkonstante des Fluoreszenzlichts bestimmt. Diese Abklingzeit hat ebenfalls eine Temperaturabhängigkeit, die zunächst über eine Kalibrierung bestimmt und dann zur Temperaturmessung herangezogen werden kann.
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Soweit zur Temperaturmessung die Wellenlänge des Fluoreszenzlichts erfasst wird, weist der Fluoreszenzlicht-Detektor 36 eine spektrale Empfindlichkeit auf. Diese kann durch eine spektrale Filterung oder durch eine das Fluoreszenzlicht spektral zerlegende Einheit, beispielsweise ein Gitter oder ein dispersives Element, erzeugt werden. Auch die Wellenlänge des Fluoreszenzlichts ist, bei fixer Wellenlänge des Fluoreszenz-Anregungslichts, temperaturabhängig. Nach einer entsprechenden Kalibrierung der Temperaturabhängigkeit einer Wellenlängenverschiebung des Fluoreszenzlichts kann auf Basis der gemessenen Fluoreszenzlicht-Wellenlänge wiederum eine Temperaturmessung erfolgen. Entsprechend kann auch auf Basis einer Temperaturabhängigkeit einer Halbwertsbreite eines Fluoreszenz-Spektrums eine Temperaturmessung erfolgen.
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3 zeigt eine weitere Ausführung einer optischen Baugruppe 38 mit einer Temperatur-Messvorrichtung 39. Komponenten, die denjenigen entsprechen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die 1 und 2 und insbesondere unter Bezugnahme auf die 2 bereits erläutert wurden, tragen die gleichen Bezugsziffern und werden nicht nochmals im einzelnen diskutiert.
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Bei der Temperatur-Messvorrichtung 39 sind eine Anregungsoptik 40 und eine Fluoreszenzoptik 41 voneinander separat ausgeführt. Beide Optiken 40, 41 haben jeweils eine optische Faser 42, 43 sowie eine konfokal angeordnete Linse 44, 45 entsprechend dem Aufbau der Anregungsoptik 35 der Ausführung nach 2. Die Anregungsoptik 40 kann nun hinsichtlich der Auslegung der einzelnen Komponenten auf die Wellenlänge des Fluoreszenz-Anregungslichts optimiert sein. Eine entsprechende Optimierung auf die Wellenlänge des Fluoreszenzlichts können die Komponenten der Fluoreszenzoptik 41 haben. Bei der Temperatur-Messvorrichtung 39 entfällt die optische Auskoppelkomponente 30. Die Anregungs-Lichtquelle 29 kann direkt vor der optischen Faser 42 und der Fluoreszenzlicht-Detektor 36 kann direkt hinter der optischen Faser 43 angeordnet sein. Ein Volumenanteil 28 der Fluoreszenzanregung mit dem Fluoreszenz-Anregungslicht kann mit einem Detektions-Volumenanteil 28' der Fluoreszenzoptik 41 exakt übereinstimmen. Alternativ ist es möglich, den Detektions-Volumenanteil 28' lediglich teilweise mit dem Anregungs-Volumenanteil 28 überlappen zu lassen, was eine Ortsauflösung einer Temperaturmessung mit der Temperatur-Messvorrichtung 39 nochmals vergrößert.
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Ein Temperatur-Messverfahren mit der Temperatur-Messvorrichtung 39 entspricht dem, was vorstehend im Zusammenhang mit der Temperatur-Messvorrichtung 27 bereits erläutert wurde.
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Das Substrat 24 kann an verschiedenen Stellen mit einer Mehrzahl der vorstehend beschriebenen Temperatur-Messvorrichtungen 27 und/oder 39 vermessen werden. Durch eine derartige Kombination von Messvorrichtungen ist es möglich, eine Temperaturverteilung innerhalb des Substrats 24 zu vermessen.
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Eine Auflösung der Temperaturmessung im Bereich von 0,1 K oder auch eine noch bessere Temperaturauflösung kann mit den Temperatur-Messvorrichtungen 27, 39 erreicht werden. Die Volumenanteile 28, 28' können, wie in den 2 und 3 dargestellt, sehr weit im Inneren des Substrats 24 liegen. Prinzipiell können die Volumenanteile 28, 28' an jedem Ort innerhalb des Substrats 24 oder sogar innerhalb einer Beschichtung auf dem Substrat 24 angeordnet sein. Auf diese Weise lässt sich der Ort auswählen, dessen Temperatur vermessen werden soll.
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Bei der Projektionsbelichtung werden das Retikel 13 und der Wafer 18, der eine für das EUV-Beleuchtungslicht 3 lichtempfindliche Beschichtung trägt, bereitgestellt. Anschließend wird zumindest ein Abschnitt des Retikels 13 auf den Wafer 18 mit Hilfe der Projektionsbelichtungsanlage 1 projiziert. Schließlich wird die mit dem EUV-Beleuchtungslicht 3 belichtete lichtempfindliche Schicht auf dem Wafer 18 entwickelt. Auf diese Weise wird das mikro- bzw. nanostrukturierte Bauteil, beispielsweise ein Halbleiterchip, hergestellt.
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Die vorstehend beschriebenen Ausführungsbeispiele wurden anhand einer EUV-Beleuchtung beschrieben. Alternativ zu einer EUV-Beleuchtung kann auch eine UV- oder eine VUV-Beleuchtung, beispielsweise mit Beleuchtungslicht mit einer Wellenlänge von 193 nm, zum Einsatz kommen.
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
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- WO 2009/100856 A1 [0002]
- EP 1225481 A [0019]
- US 2003/0043455 A [0019]
- WO 2005/015314 A2 [0019]
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Zitierte Nicht-Patentliteratur
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- A. Poliman et al., Appl. Phys. Lett. 57 (26), 1990 [0006]
- Z. Y. Zhang et al., Rev. Sci. Instrum. 68 (7), 1997 [0006]
