DE102010006326A1

DE102010006326A1 - Anordnung zur Verwendung in einer Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit einem reflektiven optischen Element

Info

Publication number: DE102010006326A1
Application number: DE102010006326A
Authority: DE
Inventors: Heinrich Dr. 73466 Ehm; Maarten Van Dr. Kampen; Stefan-Wolfgang Dr. 73430 Schmidt
Original assignee: Carl Zeiss SMT GmbH; ASML Netherlands BV
Current assignee: Carl Zeiss SMT GmbH; ASML Netherlands BV
Priority date: 2010-01-29
Filing date: 2010-01-29
Publication date: 2011-08-04
Also published as: WO2011092020A2; US20130077064A1; JP2013518421A; JP5384750B2; WO2011092020A3; US9354529B2

Abstract

Eine Anordnung zur Verwendung in einer Projektionsbelichtungsanlage (100) für die Mikrolithographie weist ein reflektives optisches Element (10; 110) sowie einen Strahlungsdetektor (30; 32; 130) auf. Das reflektive optische Element (10; 110) umfasst ein die mechanische Festigkeit des optischen Elements (10; 110) gewährleistendes Trägerelement (12), sowie eine am Trägerelement (12) angeordnete reflektive Beschichtung (18) zur Reflexion einer Nutzstrahlung (20a). Das Trägerelement (12) ist aus einem Material gefertigt, welches bei Wechselwirkung mit der Nutzstrahlung (20a) eine Sekundärstrahlung (24) abgibt, deren Wellenlänge sich von der Wellenlänge der Nutzstrahlung (20a) unterscheidet, und der Strahlungsdetektor (30; 32; 130) ist zur Erfassung der Sekundärstrahlung (24) konfiguriert.

Description

Hintergrund der Erfindung
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Anordnung zur Verwendung in einer Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit einem reflektiven optischen Element, ein Optikmodul, eine Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen Anordnung sowie ein Verfahren zur Intensitätsmessung an einem reflektiven optischen Element einer Projektionsbelichtungsanlage.
Projektionsbelichtungsanlagen für die Mikrolithographie dienen der Herstellung von mikrostrukturierten Bauelementen mittels eines photolithographischen Verfahrens. Dabei wird eine strukturtragende Maske, das sogenannte Retikel, mit Hilfe eines Beleuchtungssystems beleuchtet und mit Hilfe einer Projektionsoptik auf eine photosensitive Schicht abgebildet. Das Beleuchtungssystem umfasst eine Lichtquelle, die eine Strahlung mit geeigneter Wellenlänge zur Verfügung stellt, sowie eine verschiedene Komponenten umfassende Beleuchtungsoptik, die dazu dient, am Ort der strukturtragenden Maske eine gleichmäßige Ausleuchtung mit einer vorbestimmten Winkelverteilung zur Verfügung zu stellen. Die so ausgeleuchtete strukturtragende Maske wird mit Hilfe der Projektionsoptik auf eine photosensitive Schicht abgebildet.
Dabei wird die minimale Strukturbreite, die mit Hilfe einer solchen Projektionsoptik abgebildet werden kann, u. a. durch die Wellenlänge der verwendeten Abbildungsstrahlung bestimmt. Je kleiner die Wellenlänge der Abbildungsstrahlung ist, desto kleinere Strukturen können mit Hilfe der Projektionsoptik abgebildet werden. Heutzutage wird hauptsächlich Abbildungsstrahlung mit der Wellenlänge 193 nm oder Abbildungsstrahlung mit einer Wellenlänge im Bereich des extremen Ultraviolett (EUV) verwendet. Bei Verwendung von Abbildungslicht mit einer Wellenlänge von 193 nm kommen sowohl refraktive optische Elemente als auch reflektive optische Elemente innerhalb der Projektionsbelichtungsanlage zum Einsatz. Bei Verwendung von Abbildungslicht im EUV-Wellenlängenbereich werden dagegen ausschließlich reflektive optische Elemente (Spiegel) verwendet. Bei einer Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie ist es erforderlich, dass während des gesamten Betriebs an der photosensitiven Schicht gleichbleibende Einstrahlungsbedingungen vorliegen. Nur so können mikrostrukturierte Bauelemente mit gleichbleibender Qualität hergestellt wenden. Daher müssen auch die Einstrahlungsbedingungen an der strukturtragenden Maske möglichst gleichbleibend sein.
Verschiedene Einflüsse können während des Betriebes jedoch die Einstrahlungsbedingungen an der strukturtragenden Maske bzw. der photosensitiven Schicht verändern. Dies kann z. B. eine Erwärmung der reflektiven optischen Elemente sein, die daraufhin ihre Position oder Form geringfügig ändern. Weiterhin ist es möglich, dass sich die Strahlungsquelle während des Dauerbetriebes verändert, d. h. dass sich z. B. die Position der Lichtquelle geringfügig verschiebt. Weiterhin können z. B. auch Kontaminationen dazu führen, dass sich die Reflektivität einzelner oder aller Spiegel verändert. Alle diese Einflüsse führen zu einer Veränderung der Einstrahlungsbedingungen an der strukturtragenden Maske und an der photosensitiven Schicht. Aus diesem Grund ist es erforderlich, die Einstrahlungsbedingungen während des Betriebes ständig zu überwachen. Dabei sollte die zur Überwachung vorgesehene Messeinrichtung derart gestaltet sein, dass eine Überwachung ermöglicht wird, ohne die Projektionsbelichtungsanlage hierfür außer Betrieb nehmen zu müssen.
In der Patentanmeldung US 2008/0151221 A1 wird hierzu ein reflektives optisches Element vorgeschlagen, bei der die reflektive Beschichtung teilweise unterbrochen ist, um die an diesen Stellen auftreffende Strahlung auf eine Messeinrichtung zu lenken. Dies hat jedoch den Nachteil, dass das reflektive optische Element nun Bereiche aufweist, die nicht mehr reflektierend sind. Ferner wird nur der Anteil von Strahlung überwacht, der nicht reflektiert wird, und somit nicht zu den Einstrahlbedingungen an der strukturtragenden Maske und der photosensitiven Schicht beiträgt.
Zugrunde liegende Aufgabe
Es ist eine Aufgabe der Erfindung, eine Anordnung mit einem reflektiven optischen Element sowie ein Verfahren zur Intensitätsmessung an einem reflektiven optischen Element einer Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie bereitzustellen, womit die vorgenannten Probleme gelöst werden, sowie insbesondere eine Überwachung der auftreffenden Strahlung ermöglicht wird, ohne dass Aussparungen in der reflektiven Beschichtung des optischen Elements benötigt werden.
Erfindungsgemäße Lösung
Erfindungsgemäß kann die vorgenannte Aufgabe durch eine Anordnung zur Verwendung in einer Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit einem reflektiven optischen Element sowie einem Strahlungsdetektor gelöst werden. Dabei weist das reflektive optische Element ein die mechanische Festigkeit des optischen Elements gewährleistendes Trägerelement, sowie eine am Trägerelement angeordnete reflektive Beschichtung zur Reflexion einer Nutzstrahlung auf. Das Trägerelement ist aus einem Material gefertigt, welches bei Wechselwirkung mit der Nutzstrahlung eine Sekundärstrahlung abgibt, deren Wellenlänge sich von der Wellenlänge der Nutzstrahlung unterscheidet. Der Strahlungsdetektor ist zur Erfassung der Sekundärstrahlung konfiguriert.
Mit anderen Worten wird erfindungsgemäß das Trägerelement des reflektiven optischen Elements, welches auch als Spiegelsubstrat bezeichnet werden kann, aus einem Material gefertigt, welches bei Bestrahlung mit einer Nutzstrahlung eine Sekundärstrahlung abgibt. Ein derartiges Material kann beispielsweise ein fluoreszierendes Material sein. Auch phosphoreszierende oder Szintillationsstrahlung abgebende Materialien sind denkbar. Weiterhin ist erfindungsgemäß ein Strahlungsdetektor zur Erfassung der Sekundärstrahlung vorgesehen und derart angeordnet, dass er die aus dem Trägerelement austretende Sekundärstrahlung erfasst. Damit ist es z. B. möglich, die Intensität der auf der reflektiven Beschichtung des reflektiven optischen Elements auftreffenden Nutzstrahlung zu überwachen, ohne dabei Bereiche in der reflektiven Beschichtung aussparen zu müssen.
Das Trägerelement ist erfindungsgemäß derart ausgebildet, dass es die mechanische Festigkeit des optischen Elements gewährleistet. Mit anderen Worten ist das Trägerelement in der Lage, die Festigkeit des optischen Elements zu gewährleisten. Unabhängig davon können weitere Schichten angeordnet sein, die ggf. ebenfalls eine derartige mechanische Festigkeit aufweisen, jedoch die mechanische Festigkeit des optischen Elements aufgrund des Vorhandenseins des Trägerelements nicht wesentlich erhöhen.
Wie bereits vorstehend erwähnt, kann das Trägerelement auch als Spiegelsubstrat bezeichnet werden, wobei hier ein Spiegelsubstrat in einem engeren Sinne gemeint ist, dahingehend dass das Spiegelsubstrat lediglich aus dem die mechanische Festigkeit des optischen Elements gewährleistenden Material besteht und keine weiteren ggf. oft unter ein derartiges Substrat subsummierte Schichten umfasst.
Die reflektive Beschichtung ist am Trägerelement angeordnet. Damit ist nicht unbedingt gemeint, dass die reflektive Beschichtung unmittelbar auf das Trägerelement aufgebracht ist. Vielmehr können zwischen dem Trägerelement und der reflektiven Beschichtung auch zusätzliche Schichten angeordnet sein. Allerdings kann die reflektive Beschichtung natürlich auch unmittelbar auf das Trägerelement aufgebracht sein. Die reflektive Beschichtung reflektiert die Nutzstrahlung, beispielsweise die Belichtungsstrahlung einer Projektionsbelichtungsanlage, nicht vollständig. Vielmehr wird ein erster Teil der Nutzstrahlung an der reflektiven Beschichtung reflektiert, und ein zweiter Teil durchläuft die reflektive Beschichtung und dringt in das Trägerelement ein, in dem er Sekundärstrahlung hervorruft. Das Trägerelement ist insbesondere vollständig aus dem die Sekundärstrahlung abgebenden Material gefertigt. Mit anderen Worten besteht in diesem Fall das Trägerelement vollständig aus dem die Sekundärstrahlung abgebenden Material.
Der Strahlungsdetektor kann direkt am Substrat, insbesondere an der Rückseite des Substrats, angebracht sein oder auch von diesem beabstandet angeordnet sein. In jedem Fall ist der Strahlungsdetektor so angeordnet, dass der Detektor die aus dem Trägerelement austretende Sekundärstrahlung erfassen kann. Ausführungsformen des Strahlungsdetektors umfassen Messdioden, MOS-Dioden, Schottky-Dioden, p-i-n-Photodioden, Phototransistoren, Mehrfachkanalplatten und CCD-Kameras.
Gemäß einer Ausführungsform nach der Erfindung ist die reflektive Beschichtung an einer Vorderseite des Trägerelements angeordnet und der Strahlungsdetektor ist einer Rückseite des Trägerelements zugewandt angeordnet.
In einer weiteren Ausführungsform nach der Erfindung ist das die Sekundärstrahlung abgebende Material eine Glaskeramik. Vorzugsweise weist das die Sekundärstrahlung abgebende Material Silikatglas, insbesondere Titansilikatglas auf. Gemäß einer Variante besteht das Material vollständig aus Silikatglas, insbesondere Titansilikatglas. In einer Ausführungsform nach der Erfindung weist das die Sekundärstrahlung abgebende Material einen mittleren thermischen Längenausdehnungskoeffizienten im Temperaturbereich von 5°C bis 35°C von höchstens +/–50 × 10^–6 K^–1, insbesondere von höchstens +/–30 × 10^–6 K^–1 oder von höchstens +/–0,1 × 10^–6 K^–1 auf. Gemäß einer erfindungsgemäßen Ausführungsform besteht das die Sekundärstrahlung abgebende Material aus ULE^®-Glas oder Zerodur^®, wie nachstehend näher erläutert.
In einer weiteren Ausführungsform nach der Erfindung ist das die Sekundärstrahlung abgebende Material ein fluoreszierendes Material, vorzugsweise ein Material bei dem die Fluoreszenzstrahlung im sichtbaren Wellenlängenbereich liegt. Vorzugsweise ist das die Sekundärstrahlung abgebende Material im Wellenlängenbereich der Fluoreszenzstrahlung transparent.
In einer weiteren Ausführungsform nach der Erfindung weist das Material des Trägerelements eine SiO₂-Matrix auf, in welcher intrinsische Defekte enthalten sind, die bei Wechselwirkung mit der Nutzstrahlung die Abgabe der Sekundärstrahlung, insbesondere in Form von Fluoreszenzstrahlung, bewirken. Unter den intrinsischen Defekten werden Abweichungen von der SiO₂-Struktur verstanden. Einige dieser Defekte, z. B. Sauerstoff-Fehlstellen oder Sauerstoffatome mit freier Valenz können charakteristische Fluoreszenzen zeigen.
In einer weiteren Ausführungsform nach der Erfindung weist die erfindungsgemäße Anordnung weiterhin eine Auswerteeinrichtung auf, die dazu konfiguriert ist, aus der Intensität der vom Strahlungsdetektor erfassten Sekundärstrahlung die Intensität der auf das reflektive optische Element eingestrahlten Nutzstrahlung zu bestimmen. Dazu verwendet die Auswerteeinrichtung vorzugsweise Simulationsdaten, welche angeben, wie groß der durch die reflektive Beschichtung transmittierte Anteil der Nutzstrahlung ist.
In einer weiteren Ausführungsform nach der Erfindung ist der Strahlungsdetektor zur Erfassung von Licht im sichtbaren Wellenlängenbereich konfiguriert. Vorzugsweise ist der Strahlungsdetektor zur Erfassung von blauem Licht, insbesondere im Wellenlängenbereich zwischen etwa 350 nm und 400 nm konfiguriert.
In einer weiteren Ausführungsform nach der Erfindung ist die reflektive Beschichtung zur Reflexion von Strahlung im extrem ultravioletten Wellenlängenbereich (EUV), insbesondere von Strahlung mit einer Wellenlänge kleiner als 100 nm, vorzugsweise im Wellenlängenbereich zwischen 5 nm und 15 nm, konfiguriert. Dabei weist die reflektive Beschichtung vorzugsweise eine Vielzahl von Einzelschichten auf, z. B. fünfzig Doppelschichten aus unterschiedlichen Materialien.
In einer weiteren Ausführungsform nach der Erfindung ist der Strahlungsdetektor ein ortsauflösender Strahlungsdetektor, beispielsweise in Gestalt einer CCD-Kamera. Damit kann die Intensitätsverteilung der auf das optische Element eingestrahlten Nutzstrahlung bestimmt werden.
In einer weiteren Ausführungsform nach der Erfindung ist der Strahlungsdetektor an der Rückseite des Trägerelements befestigt. Dies kann mittelbar oder unmittelbar sein, d. h. der Strahlungsdetektor kann direkt an der Rückseite des Trägerelements anliegend angeordnet sein, oder durch weitere Schichten von dem Trägerelement getrennt sein.
Weiterhin wird gemäß der Erfindung eine Anordnung zur Verwendung in einer Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit einem reflektiven optischen Element sowie einem Strahlungsdetektor bereitgestellt. Dabei umfasst das reflektive optische Element ein Trägerelement, welches die mechanische Festigkeit des optischen Elements gewährleistet sowie Silikatglas aufweist. Der Strahlungsdetektor ist zur Erfassung von aus dem Trägerelement austretender Strahlung angeordnet.
Durch die erfindungsgemäße Verwendung von Silikatglas für das Trägerelement lässt sich bei Einstrahlung von Nutzstrahlung auf das optische Element, Sekundärstrahlung erzeugen, die wiederum vom Strahlungsdetektor erfassbar ist. Durch Auswerten der dabei vom Strahlungsdetektor erzeugten Signale kann z. B. die Intensität der eingestrahlten Nutzstrahlung ermittelt werden.
Gemäß einer Ausführungsform nach der Erfindung weist das reflektive optische Element eine an einer Vorderseite des Trägerelements angeordnete reflektive Beschichtung auf und der Strahlungsdetektor ist einer Rückseite des Trägerelements zugewandt angeordnet.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform nach der Erfindung weist das Silikatglas eine SiO₂-Matrix auf, in welcher intrinsische Defekte enthalten sind, die bei Wechselwirkung mit einer eingestrahlten Nutzstrahlung die Abgabe von Fluoreszenzstrahlung bewirken. Wie bereits vorstehend erwähnt, werden unter intrinsischen Defekten Abweichungen von der SiO₂-Struktur verstanden.
In einer Ausführungsform nach der Erfindung weist das Silikatglas Titansilikatglas auf, insbesondere besteht das Silikatglas vollständig aus Titansilikatglas. Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist das Trägerelement eine Glaskeramik auf, insbesondere enthält die Glaskeramik das Silikatglas.
In einer weiteren Ausführungsform nach der Erfindung weist die Glaskeramik einen mittleren thermischen Längenausdehnungskoeffizienten im Temperaturbereich von 5°C bis 35°C von höchstens +/–50 × 10^–6 K^–1, insbesondere von höchstens +/–30 × 10^–6 K^–1 oder von höchstens +/–0,1 × 10^–6 K^–1 auf.
In einer weiteren Ausführungsform nach der Erfindung besteht das Silikatglas aus ULE^®-Glas. ULE^®-Glas steht für „Ultra Low Expansion”-Glas und ist ein mit dem Coming Code 2972 gekennzeichnetes Produkt von Corning. ULE^®-Glas erzeugt bei Bestrahlung mit EUV-Strahlung blaues Fluoreszenzlicht. Alternativ oder zusätzlich kann das Silikatglas aus Zerodur^®-Glas, einem Produkt der Firma Schott, bestehen.
Die bezüglich der vorstehend aufgeführten Ausführungsformen der erfindungsgemäßen Anordnung beschriebenen Merkmale können entsprechend auf die Anordnung mit dem Silikatglas aufweisenden Trägerelement übertragen werden und umgekehrt.
Erfindungsgemäß wird weiterhin ein Optikmodul zur Verwendung in einer Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie bereitgestellt, welches mindestens eine erfindungsgemäße Anordnung gemäß einer der vorstehend beschriebenen Ausführungsformen aufweist. Das erfindungsgemäße Optikmodul kann beispielsweise als Beleuchtungsoptik zur Ausleuchtung eines Objektfeldes der Projektionsbelichtungsanlage oder als Projektionsoptik zur Abbildung von Strukturen aus dem Objektfeld in ein Bildfeld konfiguriert sein.
In einer Ausführungsform nach der Erfindung weist die Optik eine Korrektureinheit auf, welche dazu konfiguriert ist, auf Grundlage der von dem Strahlungsdetektor gemessenen Intensität eine in der Projektionsbelichtungsanlage verwendete Belichtungsstrahlung zu beeinflussen. Vorzugsweise beeinflusst die Korrektureinheit dabei mindestens eine der folgenden Eigenschaften der Belichtungsstrahlung: Energieverteilung, Winkelverteilung, Polarisationsverteilung, Phasenverteilung, Wellenfrontaberration. Gemäß einer Variante nach der Erfindung umfasst die Optik eine Steuereinrichtung, welche aus der vom Strahlungsdetektor erfassten Intensität ein Steuersignal zur Ansteuerung der Korrektureinheit erzeugt.
Für eine Beleuchtungsoptik ist es vorteilhaft, wenn das reflektive optische Element nahe einer Pupillenebene der Beleuchtungsoptik angeordnet und die Anordnung eine Auswerteeinrichtung aufweist, welche dazu konfiguriert ist, eine ortsaufgelöste Intensitätsverteilung der auf das reflektive optische Element eingestrahlten Belichtungsstrahlung zu ermitteln und mittels der Korrektureinheit eine Intensitätsverteilung in der gleichen oder einer anderen Pupillenebene verändert werden kann. Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist das optische Element nahe einer Feldebene der Beleuchtungsoptik angeordnet und mittels der Korrektureinheit kann eine Intensitätsverteilung in dieser oder einer anderen Feldebene verändert werden.
Erfindungsgemäß wird weiterhin eine Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie bereitgestellt, welche mindestens eine erfindungsgemäße Anordnung gemäß einer der vorstehend beschriebenen Ausführungsformen aufweist.
Weiterhin wird erfindungsgemäß ein Verfahren zur Intensitätsmessung an einem reflektiven optischen Element einer Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie bereitgestellt. Dabei weist das optische Element ein die mechanische Festigkeit des optischen Elements gewährleistendes Trägerelement auf. Weiterhin ist am Trägerelement eine reflektive Beschichtung zur Reflexion einer Belichtungsstrahlung der Projektionsbelichtungsanlage angeordnet. Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren wird während des Betriebs der Projektionsbelichtungsanlage ein erster Teil der Belichtungsstrahlung an der reflektiven Beschichtung reflektiert, ein zweiter Teil der Belichtungsstrahlung durchläuft die reflektive Beschichtung und erzeugt in dem Trägerelement Sekundärstrahlung mit einer sich von der Wellenlänge der Belichtungsstrahlung unterscheidenden Wellenlänge. Weiterhin wird die Intensität zumindest eines Teils der aus dem Trägerelement austretenden Sekundärstrahlung gemessen.
Die vorstehend bezüglich der erfindungsgemäßen Anordnung aus dem reflektiven optischen Element und dem Strahlungsdetektor gemachten Angaben können analog auch auf das erfindungsgemäße Verfahren übertragen werden.
Gemäß einer Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens wird aus der gemessenen Intensität der Sekundärstrahlung die Intensität der auf das reflektive optische Element eingestrahlten Belichtungsstahlung ermittelt. Gemäß einer anderen Ausführungsform wird aus der gemessenen Intensität der Sekundärstrahlung die Intensität des die reflektive Beschichtung durchlaufenden zweiten Teils der Belichtungsstrahlung bestimmt.
Gemäß einer Ausführungsform nach der Erfindung ist das Trägerelement vollständig aus einem einzigen Material gefertigt. Insbesondere kann weiterhin die reflektive Beschichtung an einer Vorderseite des Trägerelements angeordnet sein und erfindungsgemäß wird die Intensität der an einer Rückseite des Trägerelements austretenden Sekundärstrahlung gemessen.
In einer Ausführungsform nach der Erfindung wird die Intensität zumindest eines Teils der aus dem Trägerelement austretenden Sekundärstrahlung, insbesondere der an der Rückseite des Trägerelements austretenden Sekundärstrahlung, ortsaufgeöst gemessen und daraus eine ortsaufgelöste Intensitätsverteilung der auf das reflektive optische Element eingestrahlten Belichtungsstrahlung ermittelt.
In einer weiteren Ausführungsform nach der Erfindung wird die Intensität der Sekundärstrahlung mittels eines Strahlungsdetektors gemessen und die Anordnung aus dem reflektiven optischen Element und dem Strahlungsdetektor ist gemäß einer der vorstehend beschriebenen Ausführungsformen konfiguriert.
Die bezüglich der vorstehend aufgeführten Ausführungsformen des erfindungsgemäßen Verfahrens angegebenen Merkmale können entsprechend auf die erfindungsgemäße Anordnung übertragen werden. Umgekehrt können auch die bezüglich der vorstehend ausgeführten Ausführungsformen der erfindungsgemäßen Anordnung angegebenen Merkmale entsprechend auf das erfindungsgemäße Verfahren übertragen werden.
Kurzbeschreibung der Zeichnungen
Die vorstehenden sowie weitere vorteilhafte Merkmale der Erfindung werden in der nachfolgenden detaillierten Beschreibung beispielhafter erfindungsgemäßer Ausführungsformen unter Bezugnahme auf die beigefügten schematischen Zeichnungen veranschaulicht. Es zeigt:
1 ein erstes Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Anordnung mit einem reflektiven optischen Element und einem Strahlungsdetektor;
2 das reflektive optische Element gemäß 1 mit einem Strahlungsdetektor in einer weiteren Ausführungsform sowie einer Auswerteeinrichtung;
3 ein weiteres Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Anordnung mit einem reflektiven optischen Element und einem Strahlungsdetektor;
4 eine Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie bei der die erfindungsgemäße Anordnung aus optischem Element und Strahlungsdetektor zum Einsatz kommt; sowie
5 ein die spektrale Verteilung der in der Projektionsbelichtungsanlage gemäß 4 auf das reflektive optische Element auftreffenden Strahlung zeigendes Diagramm.
Detaillierte Beschreibung erfindungsgemäßer Ausführungsbeispiele
In den nachstehend beschriebenen Ausführungsbeispielen sind funktionell oder strukturell einander ähnliche Elemente soweit wie möglich mit den gleichen oder ähnlichen Bezugszeichen versehen. Daher sollte zum Verständnis der Merkmale der einzelnen Elemente eines bestimmten Ausführungsbeispiels auf die Beschreibung anderer Ausführungsbeispiele oder die allgemeine Beschreibung der Erfindung Bezug genommen werden.
1 zeigt ein Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Anordnung aus einem reflektiven optischen Element 10 sowie einem Strahlungsdetektor 30. Das reflektive optische Element 10 ist in Gestalt eines konkaven Spiegels zur Verwendung in einer Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie ausgeführt. Dazu umfasst das reflektive optische Element 10 ein die Form der Spiegeloberfläche aufweisendes Trägerelement 12. Das Trägerelement 12 gewährleistet die mechanische Festigkeit des optischen Elements 10 und gewährleistet gleichzeitig dessen Funktion. Das Trägerelement 12 kann auch als Spiegelsubstrat bezeichnet werden. Das Trägerelement 12 weist eine die Spiegeloberfläche definierende Vorderseite 14 sowie einer dieser entgegengesetzte Rückseite 16 auf.
Auf die Vorderseite 14 ist eine reflektive Beschichtung zur Reflexion einer eingehenden Nutzstrahlung 20a aufgebracht. Im vorliegenden Ausführungsbeispiel ist die reflektive Beschichtung 18 zur Reflexion von Nutzstrahlung in Gestalt von Belichtungsstrahlung einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage konfiguriert. Damit ist die reflektive Beschichtung 18 darauf ausgelegt, Strahlung im extrem ultravioletten Wellenlängenbereich (EUV-Wellenlängenbereich) mit einer Wellenlänge von < 100 nm, vorzugsweise einer Wellenlänge im Bereich von 5 nm bis 15 nm, zu reflektieren. Dazu ist die reflektive Beschichtung 18 als Vielfachschichtenanordnung mit beispielsweise fünfzig Doppelschichten aus abwechselnd Silizium und Molybdän oder Lanthan und B₄C ausgebildet.
Die eingehende Nutzstrahlung 20a wird von der reflektierenden Beschichtung 18 zum überwiegenden Teil als reflektierte Nutzstrahlung 20b reflektiert. Ein kleiner Teil der eingehenden Nutzstrahlung 20a durchläuft jedoch die reflektive Beschichtung 18 und tritt als transmittierte Nutzstrahlung 20c in das Trägerelement 12 ein. Die transmittierte Nutzstrahlung 20c ist in 1 beispielhaft lediglich für den im zentralen Bereich des optischen Elements 10 eingezeichneten Strahl der eingehenden Nutzstrahlung 20a dargestellt.
Zwischen dem Trägerelement 12 und der reflektiven Beschichtung 18 können je nach Ausführungsform weitere Schichten angeordnet sein. Das Trägerelement 12 besteht im vorliegenden Ausführungsbeispiel aus ULE^®-Glas, einem Produkt der Firma Corning, welches durch den Corning-Code 2972 gekennzeichnet ist. ULE^®-Glas ist eine Glaskeramik, welche aus Titansilikatglas besteht, und weist einen sehr niedrigem Längenausdehnungskoeffizienten von ±30 × 10^–6 K^–1 im Temperaturbereich von 5°C bis 35°C auf. Alternativ kann das Trägerelement 12 aus Zerodur^®, einem Produkt der Firma Schott, gefertigt sein. Zerodur^® ist ebenfalls eine Glaskeramik und weist im Temperaturbereich von 0°C bis 50°C einen Längenausdehnungskoeffizienten im Bereich von 0,005 bis 0,1 × 10^–6 K^–1 auf. Die transmittierte Nutzstrahlung 20c wird im ULE^®-Glas des Trägerelements 12 absorbiert, wodurch Sekundärstrahlung 24 in Gestalt von Fluoreszenzlicht im blauen Wellenlängenspektrum zwischen etwa 350 und 400 nm erzeugt wird. Diese Sekundärstrahlung 24 tritt an der Rückseite 16 des Trägerelements aus. Erfindungsgemäß wird ein Strahlungsdetektor 30 derart angeordnet, dass er der Rückseite 16 des Trägerelements 12 zugewandt ist. Gemäß einem Ausführungsbeispiel ist der Strahlungsdetektor 30 direkt an der Rückseite 16 des Trägerelements 12 angeordnet. In anderen Ausführungsbeispielen können zwischen der Rückseite 16 und dem Strahlungsdetektor 30 weitere Schichten angeordnet sein. Weiterhin kann der Strahlungsdetektor 30 auch vom Trägerelement 12 beabstandet angeordnet sein und lediglich derart auf die Rückseite 16 ausgerichtet sein, dass der Detektor 30 die Sekundärstrahlung 24 erfassen kann.
Während der Strahlungsdetektor 30 in der Anordnung gemäß 1 die Gesamtintensität der auf dessen Detektorfläche einfallenden Sekundärstrahlung 24 gemessen wird, ist gemäß 2 das reflektierende optische Element 10 mit einem ortsauflösenden Strahlungsdetektor 32 versehen. Damit lässt sich mittels der Anordnung nach 2 die Intensität der auf die reflektive Beschichtung 18 eingehenden Nutzstrahlung 20a zweidimensional ortsaufgelöst bestimmen.
Zur Ermittlung der Intensität der eingehenden Nutzstrahlung 20a aus der erfassten Intensität der Sekundärstrahlung 24 kann der Strahlungsdetektor 32 optional mit einer Auswerteeinrichtung 34 versehen sein. Die Auswerteeinrichtung 34 ist lediglich in 2 dargestellt, kann aber auch in anderen in den Figuren dargestellten Anordnungen zum Einsatz kommen. Die Auswertung mittels der Auswerteeinrichtung 34 beruht auf Simulationsergebnissen, aus denen der Anteil der transmittierten Nutzstrahlung 20c an der eingehenden Nutzstrahlung 20a hervorgeht. Dabei wird die Reflektivität der Beschichtung 18 als auch Absorptionsverluste der Nutzstrahlung 20 in der reflektiven Beschichtung 18 sowie der Oberfläche des Trägerelements 12 berücksichtigt.
3 zeigt ein weiteres erfindungsgemäßes Ausführungsbeispiel einer Anordnung mit einem reflektiven optischen Element 110 sowie einem Strahlungsdetektor 130. Diese Anordnung kommt in der nachfolgend unter Bezugnahme auf
4 beschriebenen Projektionsbelichtungsanlage 100 für die Mikrolithographie zum Einsatz. Das reflektive optische Element 110 unterscheidet sich vom Element 10 gemäß der 1 und 2 lediglich darin, dass die optische Oberfläche des Elements 110 konvex ist. Der Strahlungsdetektor 130 ist analog zum Strahlungsdetektor 30 als ein die Gesamtintensität der einfallenden Sekundärstrahlung 24 messender Detektor ausgelegt.
Wie bereits vorstehend erwähnt, zeigt 4 einen Überblick über den Aufbau einer Projektionsbelichtungsanlage 100 für die Mikrolithographie, in der das reflektive optische Element 110 zusammen mit dem Strahlungsdetektor 130 zum Einsatz kommt. Die dargestellten Komponenten umfassen eine Lichtquelle 135, eine Beleuchtungsoptik 137 sowie eine Projektionsoptik 139. Dabei erzeugt die Lichtquelle 135 Belichtungsstrahlung 120 im extremen Ultraviolett, d. h. mit einer Wellenlänge kleiner als 100 nm, vorzugsweise im Bereich zwischen 5 nm und 15 nm. Diese Strahlung wird dann in die Beleuchtungsoptik 137 geleitet, welche die Strahlung geeignet aufbereitet, um damit eine strukturtragende Maske am Ort eines Objektfeldes 141 auszuleuchten. Das Objektfeld 141 wird dann mit Hilfe der Projektionsoptik 139 auf eine photosensitive Schicht in einer Bildebene 143 der Projektionsbelichtungsanlage 100 abgebildet.
Im Folgenden werden die Komponenten der Lichtquelle 135, der Beleuchtungsoptik 137 und der Projektionsoptik 139 im Einzelnen beschrieben. Bei der Lichtquelle 135 handelt es sich im vorliegenden Fall um eine Xenon-Lichtquelle. Mit Hilfe einer Gaszuführung 145 und einer Gasabsaugung 147 wird ein Gastarget am Ort 149 erzeugt. Das Xenon-Gas am Ort 149 wird mittels einer Elektrodenentladung in einen Plasmazustand versetzt. Das Plasma emittiert nun Strahlung im EUV-Wellenlängenbereich mit dem in 5 dargestellten Eingangsspektrum 151. Die entstehende Strahlung wird mit Hilfe eines Ellipsoid-Spiegels 155 gesammelt und durchläuft daraufhin einen Spektralfilter 153, dessen Transmissionsspektrum 157 ebenfalls in 5 dargestellt ist. Darin ist der Spektralfilter 153 unmittelbar nach der Lichtquelle 135 angeordnet dargestellt. Diese Anordnung ist jedoch lediglich eine Möglichkeit, den Spektralfilter 153 zu platzieren. Prinzipiell kann dieser überall im optischen Strahlengang vor der Bildebene 143 platziert werden. Der Spektralfilter 153 kann, wie in 4 dargestellt, als Transmissionsfilter ausgeführt sein. Alternativ kommt beispielsweise auch eine Ausführung als Reflexionsfilter in Frage. Die den Spektralfilter 153 verlassene Belichtungsstrahlung 120 weist die in 5 mit dem Bezugszeichen 158 bezeichnete Intensitätsverteilung mit einem Intensitätsmaximum bei etwa 13,5 nm auf.
Die Belichtungsstrahlung 120 wird einem ersten Spiegel 159 der Beleuchtungsoptik 137 zugeführt. Als nächste Komponente im Strahlengang enthält die Beleuchtungsoptik 137 einen Wabenkondensor 160, der aus einem ersten facettierten Spiegel 161 und einem zweiten facettierten Spiegel 163 besteht. Im Strahlengang nach dem Wabenkondensor 160 ist ein Kondensor 169 angeordnet. Dieser Kondensor 169 umfasst einen ersten Kondensorspiegel in Gestalt des reflektiven optischen Elements 110 gemäß 3 sowie einen zweiten Kondensorspiegel 173. Das Objektfeld 141 wird mit Hilfe der Projektionsoptik 139 in die Bildebene 143, in der eine photosensitive Schicht angeordnet sein kann, abgebildet. Die Projektionsoptik 139 weist eine optische Achse 175 auf und umfasst die Spiegel M1, M2, M3, M4, M5 und M6. Alle diese Spiegel haben eine Oberflächenform, die einem Ausschnitt aus einer bezüglich der optischen Achse 175 rotationssymmetrischen Fläche folgt. Aus diesem Grund ist auch der Bereich, in dem die beste Abbildungsgüte erreicht wird, das Objektfeld 141, rotationssymmetrisch bezüglich der optischen Achse 175.
Während des Betriebs der Projektionsbelichtungsanlage 100 ist am Ort des Objektfeldes 141 eine strukturtragende Maske angeordnet. Diese Maske wird mit Hilfe der Lichtquelle 135 und der Beleuchtungsoptik 137 ausgeleuchtet und dann durch die Projektionsoptik 139 in die Bildebene 143 verkleinert abgebildet. In der Bildebene 143 ist dann eine photosensitive Schicht auf einem Substrat in Gestalt eines Wafers angeordnet. Durch die Belichtung wird die photosensitive Schicht chemisch verändert, so dass mit Hilfe eines lithographischen chemischen Prozesses hieraus ein mikroelektronisches Bauelement hergestellt werden kann.
Häufig wird die Projektionsbelichtungsanlage 100 als sogenannte Step-und-Scan-Anlage, kurz auch Scanner bezeichnet, betrieben. Dabei ist die strukturtragende Maske, die abgebildet werden soll, größer als das zur Abbildung geeignete Objektfeld. Aus diesem Grund wird die Maske durch das statische Objektfeld 141 in Y-Richtung bewegt. Gleichzeitig wird in der Bildebene das Substrat mit der photosensitiven Schicht mit einer entsprechend kleineren Geschwindigkeit ebenfalls in Y-Richtung bewegt. Jeder Punkt der strukturtragenden Maske bewegt sich also in Y-Richtung durch das ausgeleuchtete Objektfeld 141 und wird dabei mit einer Lichtmenge, der sogenannten Dosis, beaufschlagt, die dem Integral über die Bestrahlungsstärke entlang der Trajektorie des Punktes entspricht. Für den lithographischen Prozess ist es vorteilhaft, wenn jeder Punkt auf der Maske mit möglichst der gleichen Dosis beaufschlagt wird. Zu diesem Zweck ist eine Korrektureinheit 177 in der Nähe des Objektfeldes 141 vorgesehen.
Die Korrektureinheit 177 kann beispielsweise eine Mehrzahl von Blenden umfassen, welche die Ausleuchtung des Objektfeldes 141 begrenzen. Durchläuft ein Punkt der strukturtragenden Maske während des Scanprozesses nun das ausgeleuchtete Objektfeld 141, so tritt er nach einer gewissen Zeit in den Schatten ein, der von einer derartigen Blende verursacht wird. Die integrierte Bestrahlungsstärke, d. h. die Dosis, hängt somit davon ab, an welcher Position sich die entsprechende Blende befindet. Durch die Veränderung der Position der Blenden kann also die Dosis im Objektfeld 141 eingestellt werden. Die Korrektureinheit 177 umfasst eine Mehrzahl von in X-Richtung versetzten Blenden. Damit kann für verschiedene X-Positionen des Objektfeldes 141 die Dosis separat eingestellt werden. Während des Betriebs der Projektionsbelichtungsanlage 100 muß dauerhaft eine konstante gleichmäßige Dosis in X-Richtung über das Objektfeld 141 gewährleistet werden. Da sich jedoch während des Betriebs gewisse Eigenschaften der Projektionsbelichtungsanlage 100 verändern können, ist es erforderlich, die Korrektureinheit 177 nachzustellen. So kann es z. B. passieren, dass die reflektive Beschichtung der optischen Elemente der Beleuchtungsoptik 137 oder der Lichtquelle 135 mit der Zeit verschmutzen oder sich aufgrund der Strahlungseinwirkung anderweitig verändern. Diese Effekte führen dazu, dass sich die Reflektivität der reflektiven Beschichtungen verändert. Damit ändert sich jedoch auch die Intensitätsverteilung der Strahlung im Objektfeld 141, was dazu führt, dass die Korrektureinheit 177 nachgestellt werden muss.
Damit solche Veränderungen bereits während des Betriebs der Projektionsbelichtungsanlage 100 überwacht werden können, ist erfindungsgemäß mindestens einer der Spiegel der Beleuchtungsoptik 137 oder der Projektionsoptik 139 in Gestalt des zuvor beschriebenen optischen Elements 10 bzw. 110 ausgebildet und mit dem Strahlungsdetektor 30, 32 bzw. 130 versehen. Hierdurch kann jederzeit kontrolliert werden, ob sich die Bestrahlungsstärke oder die Position der Ausleuchtung auf einem der optischen Elemente während des Betriebes verändert. Besonders vorteilhaft ist es, wenn zumindest einer der Spiegel, die in der Nähe einer Feldebene der Beleuchtungsoptik 137 angeordnet sind, als ein solches erfindungsgemäßes reflektives optisches Element ausgebildet ist und mit dem erfindungsgemäßen Strahlungsdetektor versehen ist. In 4 ist dies, wie bereits vorstehend erwähnt, der erste Spiegel des Kondensors 169, welcher durch das reflektive optische Element 110 aus 3 gebildet wird.
Die Anordnung des erfindungsgemäßen reflektiven optischen Elements 110 zusammen mit dem Strahlungsdetektor 130 in der Nähe einer Feldebene der Beleuchtungsoptik 137 hat den Vorteil, dass die Intensitätsverteilung der Ausleuchtung auf dem reflektiven optischen Element 110 in einfacher Weise mit der Intensitätsverteilung der Ausleuchtung des Objektfeldes 141 zusammenhängt. Somit kann aufgrund des Ergebnisses der Messung der Ausleuchtung auf dem reflektiven optischen Element 110 die Einstellung der Korrektureinheit 177 angepasst werden. Hierzu ist eine Steuereinheit 183 vorgesehen, die die Signale des Strahlungsdetektors 130 des reflektiven optischen Elements 110 aufnimmt und hieraus ein Steuersignal generiert, mit dem Aktuatoren angesteuert werden, die die Position der Blenden der Korrektureinheit 177 in Y-Richtung verändern. Dadurch wird gewährleistet, dass während des Betriebes eine gleichmäßige Dosis in X-Richtung über das Objektfeld 141 bereitgestellt wird, ohne die Anlage zwischenzeitlich für Kontrollmessungen außer Betrieb nehmen zu müssen.
Weiterhin kann ein weiteres reflektives optisches Element der Projektionsbelichtungsanlage 100 erfindungsgemäß ausgebildet sein und mit einem ortsauflösenden Strahlungsdetektor 32 sowie einer entsprechenden Korrektureinheit versehen sein.
Bezugszeichenliste

10: reflektives optisches Element
12: Trägerelement
14: Vorderseite
16: Rückseite
18: reflektive Beschichtung
20a: eingehende Nutzstrahlung
20b: reflektierte Nutzstrahlung
20c: transmittierte Nutzstrahlung
24: Sekundärstrahlung
30: Strahlungsdetektor
32: ortsauflösender Strahlungsdetektor
34: Auswerteeinrichtung
100: Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie
110: reflektives optisches Element
120: Belichtungsstrahlung
130: Strahlungsdetektor
135: Lichtquelle
137: Beleuchtungsoptik
139: Projektionsoptik
141: Objektfeld
143: Bildebene
145: Gaszuführung
147: Gasabsaugung
149: Ort
151: Eingangsspektrum
155: Ellipsoid-Spiegel
153: Spektralfilter
157: Filterspektrum
158: spektrale Verteilung der Belichtungsstrahlung
159: erster Spiegel der Beleuchtungsoptik
160: Wabenkondensor
161: erster facettierter Spiegel
163: zweiter facettierter Spiegel
169: Kondensor
M1,: M2, M3, M4, M5 Spiegel der Projektionsoptik
173: Spiegel des Kondensors
175: optische Achse
177: Korrektureinheit
183: Steuereinheit

Claims

Anordnung zur Verwendung in einer Projektionsbelichtungsanlage (100) für die Mikrolithographie mit einem reflektiven optischen Element (10; 110) sowie einem Strahlungsdetektor (30; 32; 130), wobei das reflektive optische Element (10; 110) ein die mechanische Festigkeit des optischen Elements (10; 110) gewährleistendes Trägerelement (12) sowie eine am Trägerelement (12) angeordnete reflektive Beschichtung (18) zur Reflexion einer Nutzstrahlung (20a) aufweist, das Trägerelement (12) aus einem Material gefertigt ist, welches bei Wechselwirkung mit der Nutzstrahlung (20a) eine Sekundärstrahlung (24) abgibt, deren Wellenlänge sich von der Wellenlänge der Nutzstrahlung (20a) unterscheidet, und der Strahlungsdetektor (30; 32; 130) zur Erfassung der Sekundärstrahlung (24) konfiguriert ist.
Anordnung nach Anspruch 1, bei der das die Sekundärstrahlung (24) abgebende Material Silikatglas aufweist.
Anordnung nach Anspruch 1 oder 2, bei der das die Sekundärstrahlung (24) abgebende Material eine Glaskeramik ist.
Anordnung nach einem der vorausgehenden Ansprüche, bei der das die Sekundärstrahlung (24) abgebende Material ein fluoreszierendes Material ist.
Anordnung nach einem der vorausgehenden Ansprüche, welche weiterhin eine Auswerteeinrichtung (34) aufweist, die dazu konfiguriert ist, aus der Intensität der vom Strahlungsdetektor (30; 32; 130) erfassten Sekundärstrahlung (24) die Intensität der auf das reflektive optische Element (10; 110) eingestrahlten Nutzstrahlung (20a) zu bestimmen.
Anordnung zur Verwendung in einer Projektionsbelichtungsanlage (100) für die Mikrolithographie mit einem reflektiven optischen Element (10; 110) sowie einem Strahlungsdetektor (30; 32; 130), wobei das reflektive optische Element (10; 110) ein Trägerelement (12) umfasst, welches die mechanische Festigkeit des optischen Elements (10; 110) gewährleistet sowie Silikatglas aufweist und zur Erfassung von aus dem Trägerelement (12) austretender Strahlung (24) angeordnet ist.
Anordnung nach einem der vorausgehenden Ansprüche, bei der das reflektive optische Element (10; 110) eine an einer Vorderseite (14) des Trägerelements (12) angeordnete reflektive Beschichtung (18) aufweist und der Strahlungsdetektor (30; 32; 130) einer Rückseite (16) des Trägerelements (12) zugewandt angeordnet ist.
Anordnung nach einem der Ansprüche 2 bis 7, bei der das Silikatglas eine SiO₂-Matrix aufweist, welche intrinsische Defekte enthält, die bei Wechselwirkung mit einer eingestrahlten Nutzstrahlung die Abgabe von Fluoreszenzstrahlung bewirken.
Anordnung nach einem der Ansprüche 2 bis 8, bei der das Trägerelement eine Glaskeramik aufweist.
Anordnung nach einem der Ansprüche 2 bis 9, bei der das Silikatglas einen mittleren thermischen Längenausdehnungskoeffizienten im Temperaturbereich von 5°C bis 35°C von höchstens +/–50 × 10^–6 K^–1 aufweist.
Anordnung nach einem der Ansprüche 2 bis 10, bei der das Silikatglas aus ULE^®-Glas oder Zerodur^®-Glas besteht.
Anordnung nach einem der vorausgehenden Ansprüche, bei welcher der Strahlungsdetektor (30; 32; 130) zur Erfassung von Licht im sichtbaren Wellenlängenbereich konfiguriert ist.
Anordnung nach einem der vorausgehenden Ansprüche, bei der die reflektive Beschichtung (18) dazu konfiguriert ist, Strahlung im extrem ultravioletten Wellenlängenbereich zu reflektieren.
Anordnung nach einem der vorausgehenden Ansprüche, bei welcher der Strahlungsdetektor ein ortsauflösender Strahlungsdetektor (32) ist.
Anordnung nach einem der vorausgehenden Ansprüche, bei welcher der Strahlungsdetektor (30; 32; 130) an der Rückseite (16) des Trägerelements (12) befestigt ist.
Optikmodul (137; 139) zur Verwendung in einer Projektionsbelichtungsanlage (100) für die Mikrolithographie mit mindestens einer Anordnung nach einem der vorausgehenden Ansprüche.
Optikmodul nach Anspruch 16, welches eine Korrektureinheit (177) aufweist, die dazu konfiguriert ist, auf Grundlage der von dem Strahlungsdetektor (130) gemessenen Intensität eine in der Projektionsbelichtungsanlage verwendete Belichtungsstrahlung (120) zu beeinflussen.
Optikmodul nach Anspruch 16 oder 17, welches als Beleuchtungsoptik (137) zur Ausleuchtung eines Objektfeldes (141) der Projektionsbelichtungsanlage (100) oder als Projektionsoptik (139) zur Abbildung von Strukturen aus dem Objektfeld (141) in ein Bildfeld konfiguriert ist.
Projektionsbelichtungsanlage (100) für die Mikrolithographie mit mindestens einer Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 15.
Verfahren zur Intensitätsmessung an einem reflektiven optischen Element (10; 110) einer Projektionsbelichtungsanlage (100) für die Mikrolithographie, wobei das optische Element (10; 110) ein die mechanische Festigkeit des optischen Elements (10; 110) gewährleistendes Trägerelement (12) sowie eine am Trägerelement angeordnete reflektive Beschichtung (18) zur Reflexion einer Belichtungsstrahlung (120) der Projektionsbelichtungsanlage (100) aufweist, und bei dem Verfahren während des Betriebs der Projektionsbelichtungsanlage: – ein erster Teil (20b) der Belichtungsstrahlung (120) an der reflektiven Beschichtung (18) reflektiert wird, – ein zweiter Teil (20c) der Belichtungsstrahlung (120) die reflektive Beschichtung (18) durchläuft und in dem Trägerelement Sekundärstrahlung (24) mit einer sich von der Wellenlänge der Belichtungsstrahlung (120) unterscheidenden Wellenlänge erzeugt, sowie – die Intensität zumindest eines Teils der aus dem Trägerelement (12) austretenden Sekundärstrahlung (24) gemessen wird.
Verfahren nach Anspruch 20, bei dem aus der gemessenen Intensität der Sekundärstrahlung (24) die Intensität der auf das reflektive optische Element (10; 110) eingestrahlten Belichtungsstrahlung (120) ermittelt wird.
Verfahren nach Anspruch 20 oder 21, bei dem die Intensität der aus dem Trägerelement (12) austretenden Sekundärstrahlung (24) ortsaufgelöst gemessen wird und daraus eine ortsaufgelöste Intensitätsverteilung der auf das reflektive optische Element (10; 110) eingestrahlten Belichtungsstrahlung (120) ermittelt wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 20 bis 22, bei dem die Intensität der Sekundärstrahlung (24) mittels eines Strahlungsdetektors (30; 32; 130) gemessen wird und die Anordnung aus dem reflektiven optischen Element und dem Strahlungsdetektor (30; 32; 130) nach einem der Ansprüche 1 bis 14 konfiguriert ist.