JP5384750B2 - 反射光学素子を有するマイクロリソグラフィ用の投影露光ツールで使用する光学配置構成 - Google Patents
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Description
12 キャリア要素
14 前面
16 裏面
18 反射コーティング
20a 入射使用放射
20b 反射使用放射
20c 透過使用放射
24 二次放射
30 放射検出器
32 空間分解放射検出器
34 評価デバイス
100 マイクロリソグラフィ用の投影露光ツール
110 反射光学素子
120 露光放射
130 放射検出器
135 光源
137 照明光学系
139 投影光学系
141 物体視野
143 像面
145 ガス供給機構
147 ガス抽出システム
149 位置
151 入力スペクトル
155 楕円形ミラー
153 スペクトルフィルタ
157 フィルタスペクトル
158 露光放射のスペクトル分布
160 ハニカム集光器
161 第1の傾斜ミラー
163 第2の傾斜ミラー
169 集光器
M1、M2、M3、M4、M5 投影光学系のミラー
173 集光器のミラー
175 光軸
177 補正ユニット
183 制御ユニット
210 反射光学素子
230 放射検出器
284 活性化源
286 電子のビーム
287 両方向矢印
288 評価ユニット
290 加熱デバイス
Claims (21)
- 反射光学素子と放射検出器とを備える、マイクロリソグラフィ用の投影露光ツールで使用する光学配置構成であって、
前記反射光学素子は、キャリア要素を備え、
前記キャリア要素は、前記光学素子の機械的強度を保証し、5℃〜35℃の温度範囲にわたって−200ppb/℃〜+200ppb/℃の範囲内の熱膨張係数を有する低膨張材料を含み、
前記放射検出器は、低膨張材料によって生成される放射を検出するように構成される光学配置構成。 - 前記低膨張材料は、ケイ酸塩ガラスおよび/またはガラスセラミックを含む、請求項1に記載の配置構成。
- 反射光学素子と放射検出器とを備える、マイクロリソグラフィ用の投影露光ツールで使用する光学配置構成であって、
前記反射光学素子は、前記光学素子の機械的強度を保証するキャリア要素と、前記キャリア要素に配設された、使用放射を反射するための反射コーティングとを備え、
前記キャリア要素の大部分は、前記使用放射と相互作用するときに二次放射を放出する材料からなり、前記二次放射の波長は、前記使用放射の波長とは異なり、
前記放射検出器は、前記二次放射を検出するように構成される光学配置構成。 - 評価デバイスをさらに備え、前記評価デバイスは、前記放射検出器によって検出された放射の強度から、前記反射光学素子に照射された放射の強度を求めるように構成される、請求項1から3のいずれか一項に記載の配置構成。
- 反射光学素子と放射検出器とを備える、マイクロリソグラフィ用の投影露光ツールで使用するための配置構成であって、
前記反射光学素子は、前記光学素子の機械的強度を保証するキャリア要素と、前記キャリア要素に配設された、使用放射を反射するための反射コーティングとを備え、
前記キャリア要素は、活性化放射と相互作用するときに、前記活性化放射を、前記活性化放射とは異なる二次放射に変換する材料を含み、前記材料は、前記放射変換の効率に温度依存性があるように構成され、
前記放射検出器は、前記二次放射を検出するように構成される光学配置構成。 - 前記放射変換効率の温度勾配は、少なくとも2%/℃である、請求項5に記載の配置構成。
- 前記検出された二次放射の強度から前記光学素子での温度を求めるように構成された評価ユニットをさらに備える、請求項5または6に記載の配置構成。
- 前記活性化放射のビームを生成するための活性化源をさらに備え、
前記活性化源は、前記光学素子全体にわたって前記活性化ビームを走査するように構成され、
前記評価ユニットはさらに、前記検出された二次放射を前記活性化ビームのそれぞれの走査位置と相関させるように構成され、それにより前記光学素子での温度が空間分解されて求められる、請求項7に記載の配置構成。 - 前記活性化放射は、前記使用放射を含み、前記二次放射は、前記活性化放射と波長が異なる、請求項5から8のいずれか一項に記載の配置構成。
- 前記二次放射を放出する材料は、ケイ酸塩ガラスおよび/またはガラスセラミックを含む、請求項3から9のいずれか一項に記載の配置構成。
- 前記反射光学素子は、前記キャリア要素の前面に配設された反射コーティングを有し、前記放射検出器は、前記キャリア要素の裏面に面する、請求項1から10のいずれか一項に記載の配置構成。
- 前記放射検出器は、可視波長範囲内の光を検出するように構成される、請求項1から11のいずれか一項に記載の配置構成。
- 前記反射光学素子は反射コーティングを備え、前記反射コーティングは、極紫外波長範囲内の放射を反射するように構成される、請求項1から12のいずれか一項に記載の配置構成。
- 前記放射検出器は、前記キャリア要素の裏面に取り付けられる、請求項1から13のいずれか一項に記載の配置構成。
- 前記低膨張材料は、SiO2マトリックスを含み、前記SiO2マトリックスは、照射された使用放射と相互作用するときに蛍光放射を放出させる固有欠陥を含む、請求項1、2または請求項10から14のいずれか一項に記載の配置構成。
- 前記低膨張材料は、ULE(登録商標)ガラスまたはZerodur(登録商標)ガラスセラミックからなる、請求項1、2、または請求項10から15のいずれか一項に記載の配置構成。
- 前記放射検出器によって測定された強度に基づいて、前記投影露光ツールで使用される露光放射に影響を及ぼすように構成された補正ユニットを備える、請求項1から4、または請求項10から16のいずれか一項に記載の配置構成。
- 請求項1から17のいずれか一項に記載の少なくとも1つの配置構成を備える、マイクロリソグラフィ用の投影露光ツールで使用するための光学系モジュールであって、
前記投影露光ツールの物体視野を照明するための照明光学系として構成されるか、または前記物体視野から結像領域に構造を結像するための投影光学系として構成される、光学系モジュール。 - 請求項1から17のいずれか一項に記載の少なくとも1つの配置構成を備える、マイクログラフィ用の投影露光ツール。
- マイクログラフィ用の投影露光ツールの反射光学素子における強度を測定する方法であって、
前記光学素子は、前記光学素子の機械的強度を保証するキャリア要素と、前記キャリア要素上に配設された、前記投影露光ツールの露光放射を反射するための反射コーティングとを備え、また前記キャリア要素は、5℃〜35℃の温度範囲にわたって−200ppb/℃〜+200ppb/℃の範囲内の熱膨張係数を有する低膨張材料を含むものであり、
前記方法によって、前記投影露光ツールの動作中に、
前記露光放射の第1の部分は、前記反射コーティングで反射され、
前記露光放射の第2の部分は、前記反射コーティングを通過し、低膨張材料内で、前記露光放射の波長とは異なる波長を有する二次放射を生成し、
前記キャリア要素から出た前記二次放射の少なくとも一部の強度が測定されることを特徴とする方法。 - マイクロリソグラフィ用の投影露光ツールの光学素子での温度を測定する方法であって、前記光学素子は、衝突する活性化放射を、前記活性化放射とは異なる二次放射に変換するように構成された材料を含み、上記方法は
活性化放射を前記光学素子に照射するステップと、
前記光学素子から出た二次放射の強度を測定するステップと、
前記測定された強度から前記光学素子での温度を求めるステップと、
から構成され、前記活性化放射は前記投影露光ツールの放射を含むことを特徴とする方法。
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