JP4867712B2 - 露光装置、デバイス製造方法、及び露光方法 - Google Patents
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Description
図1は、第1実施形態に係る露光装置の構成を説明するための図である。この露光装置10は、光学系として、極端紫外線(波長11〜14nm)を発生する光源装置50と、極端紫外線の露光光を含む光源光によってマスク(レチクル)MAを照明する照明光学系60と、マスクMAのパターン像をウェハWAに転写する投影光学系70と、照明光学系60及び投影光学系70を経た光源光に含まれる非露光光を反射する反射率調整部材90とを備える。また、機械機構として、マスクMAを支持するマスクステージ81と、ウェハWAと反射率調整部材90とを支持するウェハステージ82と、ウェハステージ82の動作を制御するウェハステージ制御部92とを備える。さらに、露光装置10は、マスクステージ81、ウェハステージ82、ウェハステージ制御部92等を総括して動作の制御を行う制御装置100を備える。ここで、ウェハWAは、感応基板を具体化したものであり、適当な処理が施された半導体基板上にレジスト等の表面感応層を表面コートすることによって得られる。
図4は、第2実施形態に係る露光装置の構成を説明するための図である。本実施形態の露光装置は、図1に示す第1実施形態の露光装置10を変形したものであり、同一の部分には同一の符号を付して重複した説明を省略する。また、特に説明しない部分については、第1実施形態と同様であるものとする。
図6は、第3実施形態に係る露光装置の投影光学系70周辺を模式的に示した図である。本実施形態の露光装置は、図4に示す第2実施形態の露光装置210を変形したものであり、同一の部分には同一の符号を付して重複した説明を省略する。また、特に説明しない部分については、第2実施形態と同様であるものとする。
以上は、露光装置10、210やこれを用いた露光方法の説明であったが、このような露光装置10、210を用いることによって、半導体デバイスやその他のマイクロデバイスを高い集積度で製造するためのデバイス製造方法を提供することができる。具体的に説明すると、マイクロデバイスは、図8に示すように、マイクロデバイスの機能や性能設計等を行う工程(S101)、この設計工程に基づいてマスクMAを作製する工程(S102)、デバイスの基材である基板すなわちウェハWAを準備する工程(S103)、前述した実施形態の露光装置10、210によりマスクMAのパターンをウェハWAに露光する露光処理過程(S104)、一連の露光やエッチング等を繰り返しつつ素子を完成するデバイス組立工程(S105)、組立後のデバイスの検査工程(S106)等を経て製造される。なお、デバイス組立工程(S105)には、通常、ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程等が含まれる。
Claims (21)
- 極端紫外線を含む所定波長域の光源光を発生する光源装置と、
前記光源装置からの極端紫外線を露光光として転写用のマスクを照明する照明光学系と、
前記マスクのパターン像を感応基板上に形成するための投影光学系と、
前記投影光学系を構成する最終光学素子よりも光路上の下流側に退避可能に配置され、前記照明光学系及び前記投影光学系を経た光源光に含まれる非露光光を反射する反射率調整部材と、
を備える露光装置。 - 前記反射率調整部材は、平坦な反射面を有し、前記反射面が前記投影光学系の光路上にあって光軸に対して垂直に配置された動作位置において、非露光光を前記投影光学系へ逆行させる請求項1記載の露光装置。
- 前記感応基板を載置するための感応基板ステージをさらに備え、前記反射率調整部材は、前記感応基板ステージ上に設けられている請求項1及び請求項2のいずれか一項記載の露光装置。
- 前記感応基板を載置するための感応基板ステージをさらに備え、前記反射率調整部材は、前記感応基板ステージとの干渉を避けるように配置される請求項1及び請求項2のいずれか一項記載の露光装置。
- 前記反射率調整部材は、前記投影光学系の前記最終光学素子と露光位置にある前記感応基板ステージとの間に進退可能に設けられている請求項4記載の露光装置。
- 前記光源装置から射出される光源光は、非露光光として、紫外線、可視光、及び赤外光のいずれかを少なくとも含む請求項1から請求項5のいずれか一項記載の露光装置。
- 前記反射率調整部材の非露光光に対する反射率は、露光すべき感応基板の非露光光に対する反射率と略等しい請求項1から請求項6のいずれか一項記載の露光装置。
- 前記反射率調整部材の非露光光に対する反射率は、露光すべき感応基板の非露光光に対する反射率を基準として±10%の範囲内となる請求項7項記載の露光装置。
- 前記反射率調整部材の非露光光に対する反射率は、40〜60%である請求項8記載の露光装置。
- 非露光光のうち前記投影光学系の加熱に寄与する所定波長域に対する前記反射率調整部材の反射率は、前記感応基板の前記所定波長域に対する反射率と略等しい請求項8及び請求項9のいずれか一項記載の露光装置。
- 前記反射率調整部材は、非露光光に対する反射率を調節するための表面コートを施した部材を用いて形成される請求項1から請求項10のいずれか一項記載の露光装置。
- 前記反射率調整部材は、感応基板の非露光光に対する反射率と略等しくなるような所定の厚さでカーボンを表面コートすることにより形成される請求項11記載の露光装置。
- 前記反射率調整部材は、露光すべき前記感応基板用の感応樹脂を表面コートすることにより形成される請求項11記載の露光装置。
- 前記反射率調整部材は、露光すべき前記感応基板の非露光光に対する反射率と略等しくなるような多層膜で形成される請求項11記載の露光装置。
- 前記反射率調整部材は、酸化層の多層膜で形成される請求項14記載の露光装置。
- 前記反射率調整部材は、露光すべき感応基板の非露光光に対する反射率と略等しくなるような樹脂で形成される請求項1から請求項10のいずれか一項記載の露光装置。
- 前記反射率調整部材は、非露光光を拡散させる材料で形成される請求項1から請求項10のいずれか一項記載の露光装置。
- 前記反射率調整部材は、連続的又は段階的に反射率を変化させる部分を含む請求項1から請求項10のいずれか一項記載の露光装置。
- 露光光によって転写用の前記マスクを照明するとともに、前記投影光学系によって前記マスクのパターン像を前記感応基板上に形成する露光方法であって、
前記投影光学系の上流側に逆行する非露光光によって、前記投影光学系をプリヒートする工程と、
前記プリヒートの工程後に、パターン像を前記感応基板上に形成することによって露光を行う工程と、
を備える露光方法。 - プリヒートに際して、前記投影光学系を介して光源光を反射率調整部材に供給することにより、前記反射率調整部材によって非露光光を反射させる請求項19記載の露光方法。
- 請求項1から請求項18のいずれか一項記載の露光装置を用いるデバイス製造方法。
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