JP2008288299A - 多層膜反射鏡、照明装置、露光装置、及びデバイス製造方法 - Google Patents

多層膜反射鏡、照明装置、露光装置、及びデバイス製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】極端紫外領域の光の減衰を抑制しつつ、望ましくない所定波長の光を良好に減少、あるいは除去できる多層膜反射鏡を提供する。
【解決手段】多層膜反射鏡は、基材と、基材上に交互に積層された第１層及び第２層を含み、極端紫外光を反射可能な多層膜と、多層膜に対して入射する所定波長の光を散乱する散乱面を有する散乱層とを備えている。
【選択図】図１

Description

本発明は、多層膜反射鏡、照明装置、露光装置、及びデバイス製造方法に関する。
フォトリソグラフィ工程で用いられる露光装置において、例えば下記特許文献１に開示されているような、露光光として極端紫外（ＥＵＶ：Extreme Ultra-Violet）光を用いるＥＵＶ露光装置が案出されている。ＥＵＶ露光装置の光学系には多層膜反射鏡が用いられる。
米国特許第７，０３４，９２３号公報
ＥＵＶ露光装置の光源から射出される光が、極端紫外領域（軟Ｘ線領域）のスペクトルを有する光のみならず、紫外領域、可視領域、及び赤外領域のスペクトルを有する光を含む可能性がある。極端紫外領域以外のスペクトルを有する光が、その光の照射が想定されていない部分に照射されると、その部分の温度が光の照射によって上昇する可能性がある。その場合、例えば照明光学系及び投影光学系の光学性能が劣化し、露光装置の性能が劣化する可能性がある。また、極端紫外領域以外のスペクトルを有する光が基板に照射されると、基板が不要に露光されたり、基板が加熱されたりして、露光不良が発生する可能性がある。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、極端紫外領域の光の減衰を抑制しつつ、望ましくない所定波長の光を良好に減少、あるいは除去できる多層膜反射鏡、及び照明装置を提供することを目的とする。また、本発明は、性能の劣化を抑制でき、基板を良好に露光できる露光装置、及びその露光装置を用いるデバイス製造方法を提供することを目的とする。
上記の課題を解決するため、本発明を例示する各態様として実施の形態に示す各図に対応付けした以下の構成を採用している。但し、各要素に付した括弧付き符号はその要素の例示に過ぎず、各要素を限定するものではない。
本発明を例示する第１の態様に従えば、基材（５）と、基材（５）上に交互に積層された第１層（１）及び第２層（２）を含み、極端紫外光を反射可能な多層膜（４）と、多層膜（４）に対して入射する所定波長の光を散乱する散乱面（３Ｓ）を有する散乱層（３）と、を備えた多層膜反射鏡（１０）が提供される。
本発明を例示する第１の態様によれば、多層膜が、所定波長の光を散乱する散乱面を備えているので、所定波長の光を良好に減少、あるいは除去できる。
本発明を例示する第２の態様に従えば、光源（１３）から射出される極端紫外光を含む光で物体（Ｍ）を照明する照明装置（ＩＬ）であって、光源（１３）からの光が供給される光学素子（１９〜２４）を備え、光学素子（１９〜２４）は、上記態様の多層膜反射鏡（１０）を含む照明装置（ＩＬ）が提供される。
本発明を例示する第２の態様によれば、所定波長の光を良好に減少、あるいは除去できる多層膜反射鏡を備えているので、所望の波長の光で物体を良好に照明できる。
本発明を例示する第３の態様に従えば、マスク（Ｍ）を露光光（Ｌ１）で照明し、マスク（Ｍ）からの露光光（Ｌ１）で基板（Ｐ）を露光する露光装置であって、マスク（Ｍ）を照明するために、上記態様の照明装置（ＩＬ）を備えた露光装置（ＥＸ）が提供される。
本発明を例示する第３の態様によれば、所望の波長の光で物体を良好に照明できる照明装置を備えているので、基板を良好に露光できる。
本発明を例示する第４の態様に従えば、露光光（Ｌ１）で基板（Ｐ）を露光する露光装置であって、上記態様の多層膜反射鏡（１０）を備えた露光装置（ＥＸ）が提供される。
本発明を例示する第４の態様によれば、所定波長の光を良好に減少、あるいは除去できる多層膜反射鏡を備えているので、基板を良好に露光できる。
本発明を例示する第５の態様に従えば、上記態様の露光装置（ＥＸ）を用いて基板（Ｐ）を露光することと、露光された基板（Ｐ）を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。
本発明を例示する第５の態様によれば、基板を良好に露光できる露光装置を用いてデバイスを製造することができる。
本発明によれば、多層膜反射鏡及び照明装置は、極端紫外領域の波長の光の減衰を抑制しつつ、望ましくない所定波長の光を良好に減少、あるいは除去することができ、所望の光学性能を得ることができる。その多層膜反射鏡及び照明装置を備えた露光装置は、性能の劣化を抑制することができ、基板を良好に露光できる。また、その露光装置を用いて所望の性能を有するデバイスを製造できる。
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら例示的に説明するが、本発明はこれに限定されない。以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。そして、水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれに直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。
＜第１実施形態＞
第１実施形態について説明する。図１は、第１実施形態に係る多層膜反射鏡１０の一例を示す模式図である。図１において、多層膜反射鏡１０は、基材５と、基材５上に交互に積層された第１層１及び第２層２を含み、極端紫外光を反射可能な多層膜４と、多層膜４に対して入射する所定波長の光を散乱する散乱面３Ｓを有する散乱層３とを備えている。
極端紫外光は、例えば波長５〜５０ｎｍ程度の極端紫外領域（軟Ｘ線領域）の電磁波であって、多層膜４で反射される。以下の説明において、極端紫外光を適宜、ＥＵＶ光、と称する。
光干渉理論に基づいて、多層膜４の第１層１と第２層２との複数の界面のそれぞれで反射した反射波の位相が一致するように、第１層１の厚み及び第２層２の厚みのそれぞれが設定されている。多層膜４は、例えば６０％以上の高い反射率でＥＵＶ光を反射可能である。
後述するように、本実施形態においては、多層膜反射鏡１０の多層膜４には、ＥＵＶ光を射出可能な光源装置からの光が照射される。光源装置は、極端紫外領域のスペクトルを有する光（ＥＵＶ光）のみならず、紫外領域、可視領域、及び赤外領域のスペクトルを有する光も発生する可能性がある。すなわち、光源装置から射出される光は、極端紫外領域のスペクトルを有する光を含む第１成分と、紫外領域、可視領域、及び赤外領域等、極端紫外領域以外のスペクトルを有する光を含む第２成分とを含む可能性がある。換言すれば、本実施形態においては、多層膜４に対して入射する光は、ＥＵＶ光を含む第１成分と、第１成分以外の第２成分とを含む。以下の説明において、光源装置から放出される、紫外領域、可視領域、及び赤外領域等、極端紫外領域以外のスペクトルを有する光を適宜、ＯｏＢ（Out of Band）光、と称する。
第２成分は、ＯｏＢ光を含み、光源装置から射出される光は、ＥＵＶ光を含む第１成分と、ＯｏＢ光を含む第２成分とを含む。本実施形態においては、ＯｏＢ光の波長は、ＥＵＶ光の波長よりも長い。すなわち、本実施形態においては、第２成分の光の波長は、第１成分の光の波長よりも長い。
本実施形態においては、多層膜４は、第１層１と第２層２との複数の界面を用いてＥＵＶ光を反射する。多層膜４の散乱面３Ｓは、ＯｏＢ光を散乱する。多層膜４の散乱面３Ｓは、ＯｏＢ光を良好に散乱できるように、所定の形状を有する。
基材５は、例えば超低膨張ガラスで形成される。基材５としては、例えばコーニング社製ＵＬＥ、ショット社製Ｚｅｒｏｄｕｒ（登録商標）等を用いることができる。
第１層１及び第２層２は、多層膜４の厚み方向とほぼ平行なＺ軸方向において、周期的に形成されている。すなわち、本実施形態においては、多層膜４は、１つの第１層１及び１つの第２層２を含む１組の集合体を複数重ねたものである。
多層膜４は、所定の周期長ｄを有する。本実施形態においては、周期長ｄは、１つの第１層１及び１つの第２層２を含む１組の集合体の厚みである。すなわち、周期長ｄは、第１層１の厚みと第２層２の厚みとの和である。換言すれば、周期長ｄは、所定の第１層１の下面と、その所定の第１層１に次いで多層膜４の表面に近い第１層１の下面とのＺ軸方向における距離（厚み）である。
以下の説明において、１つの第１層１及び１つの第２層２を含む１組の集合体を適宜、層対７、と称する。本実施形態においては、１つの層対７に関して、第１層１が第２層２に対して基材５側（図中、−Ｚ側）に配置される。
本実施形態においては、基材５の表面は、ＸＹ平面とほぼ平行であり、＋Ｚ方向に複数の層対７が順次積層されている。また、多層膜４の表面は、実質的にＸＹ平面とほぼ平行である。
基材５上には、例えば数十〜数百組の層対７が積層される。一例として、本実施形態においては、基材５上に５０組の層対７が積層されている。
本実施形態においては、散乱面３Ｓは、多層膜４の表面の少なくとも一部で形成されている。本実施形態においては、多層膜４の表面は、第１層１で形成されている。すなわち、多層膜４の表層は、第１層１で形成されており、散乱面３Ｓは、第１層１の表面の少なくとも一部で形成されている。すなわち、本実施形態においては、散乱面３Ｓを含む散乱層３は、多層膜４の表層を形成する第１層１であり、散乱面３Ｓは、第１層１の表面に形成されている。
第１層１は、ＥＵＶ光に対する屈折率と真空の屈折率との差が大きい物質で形成されている。第２層２は、ＥＵＶ光に対する屈折率と真空の屈折率との差が小さい物質で形成されている。すなわち、第１層１のＥＵＶ光に対する屈折率と真空の屈折率との差は、第２層２の前記差よりも大きい。本実施形態においては、第１層（重原子層）１は、モリブデン（Ｍｏ）で形成されており、第２層（軽原子層）２は、シリコン（Ｓｉ）で形成されている。すなわち、本実施形態の多層膜４は、モリブデン層（Ｍｏ層）とシリコン層（Ｓｉ層）とを交互に積層したＭｏ／Ｓｉ多層膜である。多層膜４の表層は、第１層１であるモリブデン層で形成されている。
真空の屈折率ｎ＝１である。また、例えば波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光に対するモリブデンの屈折率ｎＭｏ＝０．９２であり、シリコンの屈折率ｎＳｉ＝０．９９８である。このように、第２層２は、ＥＵＶ光に対する屈折率が真空の屈折率とほぼ等しい物質で形成される。
散乱面３Ｓの表面粗さは、多層膜４の界面粗さよりも大きい。多層膜４の界面粗さは、第１層１と第２層２との界面の粗さ、換言すれば、第１層１と対向する第２層２の表面粗さ（又は第２層２と対向する第１層１の表面粗さ）である。
多層膜４の散乱面３Ｓは、ＯｏＢ光を良好に散乱できるように、所定の形状を有する。散乱面３Ｓは、散乱させる光の目標波長に応じた形状を有する。本実施形態においては、図１に示すように、散乱面３Ｓは、所定の周期ｐｔで形成された凹凸面を含む。散乱面３Ｓの凹凸面の周期ｐｔは、所定の凸部の頂部とその所定の凸部と隣り合う凸部の頂部とのＸＹ平面内での距離である。また、凹凸面の周期ｐｔは、隣り合う複数の凸部同士の距離の平均値を含む。なお、凹凸面の周期ｐｔが、所定の凹部の谷部とその所定の凹部と隣り合う凹部の谷部とのＸＹ平面内での距離であってもよい。
散乱面３Ｓの凹凸面の周期ｐｔは、散乱させる光の目標波長に応じた大きさを有する。例えば、多層膜４によって波長が５０ｎｍ未満のＥＵＶ光を反射させ、散乱面３Ｓによって波長が１００ｎｍ以上のＯｏＢ光を散乱させる場合には、凹凸面の周期ｐｔが１００ｎｍよりも大きくなるように、散乱面３Ｓの形状が調整される。一例として、本実施形態においては、ＥＵＶ光の波長が１３．５ｎｍであり、周期ｐｔは１５ｎｍ以上に設定されている。これにより、ＥＵＶ光の波長より長い波長の光（ＯｏＢ光）を散乱させることができる。
また、本実施形態においては、多層膜４の表層を形成する散乱層３の平均厚みは、多層膜４の厚みの１／１０以下に設定されている。散乱層３の平均厚みは、ＸＹ平面内における各位置での散乱層３の厚みの平均値を含む。
上述のように、例えば多層膜４が５０層対で形成され、多層膜４の全体の厚みが３００ｎｍである場合には、散乱層３の厚みは、３０ｎｍ以下に設定される。これにより、ＥＵＶ光の過剰な減衰を抑制できる。
次に、上述の多層膜反射鏡１０を製造する方法の一例について、図２を参照して説明する。まず、基材５上に第１層１及び第２層２を交互に形成する処理が実行される。これにより、図２（Ａ）に示すように、基材５上に第１層１及び第２層２が交互に積層され、ＥＵＶ光を反射可能な多層膜４が形成される。第１層１及び第２層２は、例えばスパッタリング法によって形成される。本実施形態においては、第１層１及び第２層２は、イオンビームスパッタリング法によって形成される。また、例えばマグネトロンスパッタ装置を用いて第１層１及び第２層２を形成することができる。第１層１と第２層２との界面粗さは、所定の粗さになる。また、図２（Ａ）において、第１層１の表面によって形成される多層膜４の表面粗さは、第１層１と第２層２との界面粗さとほぼ等しくなる。
次に、多層膜４の表面を加工して、散乱面３Ｓを形成する処理が実行される。すなわち、多層膜４の表面を所定の形状に加工する処理が実行される。本実施形態においては、多層膜４の表面を凹凸状に加工する処理が実行される。一例として、図２（Ｂ）に示すように、研磨装置８０が多層膜４の表面の一部を研磨し、除去することによって、多層膜４の表面を所定の形状（凹凸状）に加工する。これにより、図２（Ｃ）に示すように、所定の周期ｐｔを有する凹凸面を含む散乱面３Ｓが形成される。
図３は、多層膜反射鏡１０を製造する方法の別の例を示す模式図である。まず、図３（Ａ）に示すように、例えばスパッタリング法によって、基材５上に第１層１及び第２層２が交互に積層され、ＥＵＶ光を反射可能な多層膜４が形成される。
次に、多層膜４の表面を加工して、散乱面３Ｓを形成する処理が実行される。本実施形態においては、図３（Ｂ）に示すように、多層膜４の表面に、原子ビーム発生装置８１からの原子ビームを照射して、多層膜４の表面の少なくとも一部をスパッタリングする。これにより、多層膜４の表面（第１層１の表面）から、多層膜４（第１層１）を形成する材料の一部が除去される。これにより、図３（Ｃ）に示すように、所定の周期ｐｔを有する凹凸面を含む散乱面３Ｓが形成される。
なお、例えば多層膜４の表面に液体を噴射することによって、多層膜４の表面を所定の形状に加工することができる。
以上説明したように、本実施形態によれば、多層膜４の一部に、ＯｏＢ光を散乱する散乱面３Ｓを有する散乱層３を設けたので、光源装置から射出されたＯｏＢ光が、多層膜反射鏡１０を含む光学系の光路の下流側に導かれることを抑制できる。すなわち、光学系の光路の下流側に伝播するＯｏＢ光を減少、あるいは除去することができる。
ＯｏＢ光は、ＥＵＶ光よりも波長が長く、所定の形状に加工された散乱面３Ｓに入射したＯｏＢ光は、散乱面３Ｓで良好に散乱される。一方、ＥＵＶ光は波長が短く、散乱面３Ｓに入射することによって、一部分は散乱する可能性があるものの、大部分は散乱面３Ｓを通過して、第１層１と第２層２との複数の界面に入射する。そして、界面で反射したＥＵＶ光の反射波は干渉し合って多層膜４から射出される。換言すれば、散乱面３Ｓにおいて、ＯｏＢ光のほうがＥＵＶ光よりも相対的に十分に散乱する。このように、本実施形態の多層膜反射鏡１０によれば、ＥＵＶ光の減衰を抑制しつつ、ＯｏＢ光を良好に減少、あるいは除去することができる。
また、図２、図３を参照して説明したように、本実施形態においては、多層膜４を形成した後、その多層膜４の表面を加工することで、散乱面３Ｓを円滑に形成できる。例えば、多層膜の表面に粒子等を付加する構成に比べて、加工上の負担が大きくなることを抑制でき、ＯｏＢ光を散乱させるための散乱部を円滑に製造できる。
＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
図４は、第２実施形態に係る多層膜反射鏡１０Ｂの一例を示す模式図である。図４に示すように、本実施形態においては、多層膜４の表面は、第２層２で形成されている。すなわち、多層膜４の表層は、第２層２で形成されており、散乱面３Ｓは、第２層２の表面の少なくとも一部で形成されている。すなわち、本実施形態においては、散乱面３Ｓを含む散乱層３は、多層膜４の表層を形成する第２層２であり、散乱面３Ｓは、第２層２の表面に形成されている。
多層膜反射鏡１０Ｂは、上述の第１実施形態で説明した製造方法と同様、例えばスパッタリング法によって、基材５上に第１層１及び第２層２を積層する処理と、研磨装置８０あるいは原子ビーム発生装置８１を用いて多層膜４の表面（第２層２の表面）を加工する処理とを含む製造方法によって製造可能である。
本実施形態においても、ＥＵＶ光の減衰を抑制しつつ、ＯｏＢ光を良好に減少、あるいは除去することができる。
＜第３実施形態＞
次に、第３実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
図５は、第３実施形態に係る多層膜反射鏡１０Ｃの一例を示す模式図である。図５に示すように、本実施形態においては、多層膜４の表面は、第１層１と第２層２との両方で形成されている。すなわち、多層膜４の表層は、第１層１及び第２層２で形成されており、散乱面３Ｓは、第１層１の表面と第２層２の表面とで形成されている。
多層膜反射鏡１０Ｃは、上述の第１実施形態で説明した製造方法と同様、例えばスパッタリング法によって、基材５上に第１層１及び第２層２を積層する処理と、研磨装置８０あるいは原子ビーム発生装置８１を用いて多層膜４の表面を加工する処理とを含む製造方法によって製造可能である。
本実施形態においても、ＥＵＶ光の減衰を抑制しつつ、ＯｏＢ光を良好に減少、あるいは除去することができる。
＜第４実施形態＞
次に、第４実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
図６は、第４実施形態に係る多層膜反射鏡１０Ｄの一例を示す模式図である。図６に示すように、本実施形態の多層膜反射鏡１０Ｄは、多層膜４の表面を覆うように配置された保護層６を備えている。本実施形態の多層膜反射鏡１０Ｄは、上述の第１実施形態と同様、表面が第１層１で形成された多層膜４を有している。散乱層３は、多層膜４の表層を形成する第１層１であり、散乱面３Ｓは、多層膜４の表面（第１層１の表面）で形成されている。そして、その多層膜４の表面（散乱面３Ｓ）を覆うように、保護層６が配置されている。すなわち、本実施形態においては、散乱層３は、保護層６の下層である。保護層６の表面の形状は、散乱面３Ｓの形状に沿っている。
保護層６は、酸化抑制層を含む。ＥＵＶ光は、大気に吸収され、減衰するので、多層膜反射鏡をＥＵＶ露光装置の光学系として使用する場合、多層膜反射鏡が配置される所定空間は真空状態に設定される。しかしながら、所定空間を完全な真空状態にすることは困難であり、その所定空間に酸素（及び／又は水分）等が僅かに存在する可能性がある。保護層が無く、多層膜反射鏡の表面が多層膜で形成されている場合、所定空間に酸素等が存在する状態でＥＵＶ光が多層膜反射鏡の表面に照射されると、その表面が酸化する可能性がある。多層膜（Ｍｏ／Ｓｉ多層膜）は酸化し易く、この場合、多層膜反射鏡の光学性能が劣化する可能性がある。
また、多層膜反射鏡が配置される所定空間を完全な真空状態にできず、例えば露光対象の基板の感光材（フォトレジスト）、所定空間を真空状態にするための真空システムに用いられるオイル、及び各種可動機構に用いられる潤滑剤等から所定空間に有機ガスが放出される可能性がある。放出された有機ガスが多層膜反射鏡の表面と接触し、その有機ガスと接触した状態の多層膜反射鏡の表面にＥＵＶ光が照射されると、光化学反応により、炭素を主成分とする物質が多層膜反射鏡の表面に付着する可能性がある。炭素を主成分とする物質の付着は、カーボンコンタミネーション（カーボンコンタミ）と呼ばれる。多層膜反射鏡の表面にカーボンコンタミが形成されると、その多層膜反射鏡の光学性能が劣化する。カーボンコンタミを除去するために、そのカーボンコンタミを酸化させる処理（例えばオゾンアッシング処理）を実行することが考えられるが、保護層が無く、多層膜反射鏡の表面が多層膜で形成されている場合、カーボンコンタミとともに、多層膜反射鏡の表面も酸化してしまい、光学性能が劣化する可能性がある。
本実施形態においては、多層膜４の表面に保護層６が配置されているので、表面が酸化したり、カーボンコンタミが多層膜に付着したり、カーボンコンタミを除去するための処理に起因して反射面が酸化したりする等の不具合の発生を抑制できる。したがって、多層膜４の表面の劣化を抑制できる。
本実施形態においては、保護層６は、ルテニウム（Ｒｕ）で形成されている。あるいは、保護層６は、ルテニウム合金等、ルテニウムを含む化合物、あるいはルテニウムを含む酸化物で形成することができる。
多層膜反射鏡１０Ｄは、例えばスパッタリング法によって、基材５上に第１層１及び第２層２を積層する処理と、研磨装置８０あるいは原子ビーム発生装置８１を用いて多層膜４の表面を加工する処理と、スパッタリング法によって、多層膜４の表面に保護層６を形成する処理と、その保護層６の表面を平面に加工する処理とを含む製造方法によって製造可能である。
本実施形態によれば、多層膜４の酸化等を抑制し、ＥＵＶ光の減衰を抑制しつつ、ＯｏＢ光を良好に減少、あるいは除去することができる。
なお、本実施形態においては、上述の第１実施形態で説明したような多層膜反射鏡１０に保護層６を付加した場合を例にして説明したが、第２実施形態で説明したような、表面が第２層２で形成された多層膜４を覆うように保護層６を配置してもよいし、第３実施形態で説明したような、表面が第１層１及び第２層２で形成された多層膜４を覆うように保護層６を配置してもよい。
なお、本実施形態においては、保護層６がルテニウム（Ｒｕ）を含む場合を例にして説明したが、保護層６は、例えば、チタン（Ｔｉ）で形成することができる。また、保護層６は、チタンを含む化合物、あるいは二酸化チタン（ＴｉＯ２）等、チタンを含む酸化物で形成することができる。
＜第５実施形態＞
次に、第５実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
図７は、第５実施形態に係る多層膜反射鏡１０Ｅの一例を示す模式図である。図７に示すように、本実施形態の多層膜反射鏡１０Ｅは、基材５上に交互に積層された第１層１及び第２層２を含む多層膜４と、多層膜４の表面と接触するように形成された第１層１及び第２層２とは別の第３層８とを備えている。本実施形態においては、散乱面３Ｓは、第３層８の表面で形成されている。すなわち、本実施形態においては、散乱面３Ｓを有する散乱層３は、第３層８である。上述の各実施形態と同様、本実施形態の散乱面３Ｓは、所定の周期ｐｔで形成された凹凸面を含む。
第３層８は、ＥＵＶ光を通過可能な物質で形成されている。本実施形態においては、第３層８は、ＥＵＶ光に対する屈折率が真空の屈折率とほぼ等しい物質で形成されている。第３層８は、シリコン（Ｓｉ）、ベリリウム（Ｂｅ）、炭化シリコン（ＳｉＣ）、二酸化シリコン（ＳｉＯ２）またはこれらの組合せからなるグループから選ばれる材料を含む。一例として、本実施形態においては、第３層８は、炭化シリコンで形成されている。
例えば多層膜４が５０層対で形成され、多層膜４の全体の厚みが３００ｎｍである場合には、第３層８（散乱層３）の厚みは、３０ｎｍ以下に設定される。これにより、ＥＵＶ光の過剰な減衰を抑制できる。
多層膜反射鏡１０Ｅは、例えばスパッタリング法によって、基材５上に第１層１及び第２層２を積層して多層膜４を形成する処理と、スパッタリング法によって、多層膜４の表面に第３層８を形成する処理と、研磨装置８０あるいは原子ビーム発生装置８１を用いて第３層８の表面を加工する処理とを含む製造方法によって製造可能である。
本実施形態においても、ＥＵＶ光の減衰を抑制しつつ、ＯｏＢ光を良好に減少、あるいは除去することができる。
なお、本実施形態において、散乱面３Ｓを有する第３層８が、多層膜４を保護する保護層（酸化抑制層）としての機能を兼ね備えていてもよい。すなわち、散乱面３Ｓを有する第３層８を、上述のルテニウム、チタン、ルテニウムを含む化合物、チタンを含む化合物、ルテニウムを含む酸化物、及びチタンを含む酸化物の少なくとも１つで形成されていてもよい。
＜第６実施形態＞
次に、第６実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
図８は、第６実施形態に係る多層膜反射鏡１０Ｆの一例を示す模式図である。図８に示すように、本実施形態の多層膜反射鏡１０Ｆは、基材５上に交互に積層された第１層１及び第２層２を含む多層膜４と、多層膜４の表面を覆うように配置された保護層６と、保護層６の表面を覆うように配置された第３層８とを備えている。保護層６は、第３層８と多層膜４の表面との間に配置されている。保護層６は、多層膜４の表面と接触するように形成されている。第３層８は、保護層６の表面と接触するように形成されている。散乱面３Ｓは、第３層８の表面で形成されている。散乱面３Ｓは、所定の周期ｐｔで形成された凹凸面を含む。
第３層８は、ＥＵＶ光を通過可能な物質で形成されている。本実施形態においては、第３層８は、ＥＵＶ光に対する屈折率が真空の屈折率とほぼ等しい物質で形成されている。第３層８は、シリコン（Ｓｉ）、ベリリウム（Ｂｅ）、炭化シリコン（ＳｉＣ）、二酸化シリコン（ＳｉＯ２）またはこれらの組合せからなるグループから選ばれる材料を含む。一例として、本実施形態においては、第３層８は、炭化シリコンで形成されている。
保護層６は、酸化抑制層を含み、ルテニウム、チタン、ルテニウムを含む化合物、チタンを含む化合物、ルテニウムを含む酸化物、及びチタンを含む酸化物の少なくとも１つを含む。一例として、本実施形態においては、保護層６は、ルテニウムで形成されている。
多層膜反射鏡１０Ｆは、例えばスパッタリング法によって、基材５上に第１層１及び第２層２を積層して多層膜４を形成する処理と、スパッタリング法によって、多層膜４の表面に保護層６を形成する処理と、スパッタリング法によって、保護層６の表面に第３層８を形成する処理と、研磨装置８０あるいは原子ビーム発生装置８１を用いて第３層８の表面を加工する処理とを含む製造方法によって製造可能である。
本実施形態によれば、多層膜４の酸化等を抑制し、ＥＵＶ光の減衰を抑制しつつ、ＯｏＢ光を良好に減少、あるいは除去することができる。
＜第７実施形態＞
次に、第７実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
図９は、第７実施形態に係る多層膜反射鏡１０Ｇの一例を示す模式図である。図９に示すように、本実施形態の多層膜反射鏡１０Ｇは、基材５上に交互に積層された第１層１及び第２層２を含む多層膜４と、多層膜４の表面と接触するように形成された散乱面３Ｓを有する第３層８と、第３層８の表面（散乱面３Ｓ）を覆うように配置された保護層６とを備えている。散乱面３Ｓを有する第３層８（散乱層３）は、保護層６の下層である。散乱面３Ｓは、所定の周期ｐｔで形成された凹凸面を含む。保護層６の表面の形状は、散乱面３Ｓの形状に沿っている。
第３層８は、ＥＵＶ光を通過可能な物質で形成されている。本実施形態においては、第３層８は、ＥＵＶ光に対する屈折率が真空の屈折率とほぼ等しい物質で形成されている。第３層８は、シリコン（Ｓｉ）、ベリリウム（Ｂｅ）、炭化シリコン（ＳｉＣ）、二酸化シリコン（ＳｉＯ２）またはこれらの組合せからなるグループから選ばれる材料を含む。一例として、本実施形態においては、第３層８は、炭化シリコンで形成されている。
保護層６は、酸化抑制層を含み、ルテニウム、チタン、ルテニウムを含む化合物、チタンを含む化合物、ルテニウムを含む酸化物、及びチタンを含む酸化物の少なくとも１つを含む。一例として、本実施形態においては、保護層６は、ルテニウムで形成されている。
多層膜反射鏡１０Ｇは、例えばスパッタリング法によって、基材５上に第１層１及び第２層２を積層して多層膜４を形成する処理と、スパッタリング法によって、多層膜４の表面に第３層８を形成する処理と、研磨装置８０あるいは原子ビーム発生装置８１を用いて第３層８の表面を加工する処理と、スパッタリング法によって、第３層８の表面に保護層６を形成する処理とを含む製造方法によって製造可能である。
本実施形態においても、多層膜４の酸化等を抑制し、ＥＵＶ光の減衰を抑制しつつ、ＯｏＢ光を良好に減少、あるいは除去することができる。
＜第８実施形態＞
次に、第８実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
図１０は、第８実施形態に係る多層膜反射鏡１０Ｈの一例を示す模式図である。上述の第１〜第７実施形態においては、散乱面３Ｓが、所定の周期ｐｔで形成された凹凸面を含む場合を例にして説明したが、図１０に示すように、散乱面３Ｓが、互いに異なる方向を向く複数の平面を組み合わせたものであってもよい。本実施形態においても、ＥＵＶ光の減衰を抑制しつつ、ＯｏＢ光を良好に減少、あるいは除去することができる。
なお、図１０においては、多層膜４の表面が第２層２で形成され、複数の平面からなる散乱面３Ｓが第２層２に形成されているが、多層膜４の表面を第１層１で形成し、その第１層１に、複数の平面からなる散乱面３Ｓを形成してもよい。また、多層膜４の表面に、第１層１及び第２層２とは別の第３層３を形成し、その第３層３に、複数の平面からなる散乱面３Ｓを形成してもよい。また、必要に応じて、保護層６を形成することができる。
なお、上述の第１〜第８実施形態においては、多層膜反射鏡の各層を形成するために、スパッタリング法を用いているが、それら各層を形成する物質に応じて、スパッタリング法のみならず、真空蒸着法、ＣＶＤ法等、他の成膜方法を用いて、各層を形成することができる。
なお、上述の第１〜第８実施形態においては、基材５の表面及び多層膜４の表面等が、ＸＹ平面とほぼ平行な平面である場合を例にして説明したが、基材５の表面及び多層膜４の表面等が、多層膜４側（＋Ｚ側）に対して突出する凸面であってもよい。また、基材５の表面及び多層膜４の表面等が、多層膜４側（＋Ｚ側）に対して凹む凹面であってもよい。
なお、上述の第１〜第８実施形態においては、多層膜４がＭｏ／Ｓｉ多層膜である場合を例にして説明したが、例えばＥＵＶ光の波長帯域に応じて、多層膜４を形成する材料を変更することができる。例えば、１１．３ｎｍ付近の波長帯域のＥＵＶ光を用いる場合には、モリブデン層（Ｍｏ層）とベリリウム層（Ｂｅ層）とを交互に積層したＭｏ／Ｂｅ多層膜を用いることで、高い反射率を得ることができる。
また、上述の第１〜第８実施形態において、多層膜４の第１層１を形成するための物質として、ルテニウム（Ｒｕ）を用いることができる。また、多層膜４の第１層１を形成するための物質として、モリブデン（Ｍｏ）とルテニウム（Ｒｕ）とを組み合わせてもよい。また、多層膜４の第１層１を形成するための物質として、炭化モリブデン（Ｍｏ２Ｃ）、酸化モリブデン（ＭｏＯ２）、珪化モリブデン（ＭｏＳｉ２）等を用いてもよい。また、多層膜４の第２層２を形成する物質として、炭化シリコン（ＳｉＣ）を用いることができる。
なお、上述の第１〜第８実施形態において、例えば、基材５と多層膜４との間に銀合金、銅、銅合金、アルミニウム、アルミニウム合金等の熱伝達率が大きい金属層が設けられてもよいし、基材５と多層膜４との間に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）、フッ化バリウム（ＢａＦ２）、フッ化アルミニウム（ＡｌＦ３）、フッ化マンガン（ＭｎＦ２）、フッ化亜鉛（ＺｎＦ２）等の水溶性の下地層や、共晶合金、Ｂｉ、Ｐｂ、Ｉｎ、Ｓｎ、及びＣｄからなる群から選ばれる２種類以上の組合せからなる２元系から５元系の共晶合金、Ａｕ−Ｎａ共晶合金、Ｎａ−Ｔｌ共晶合金、Ｋ−Ｐｂ共晶合金等の低融点の合金を含む下地層が設けられてもよい。
＜第９実施形態＞
次に、第９実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
図１１は、第９実施形態に係る露光装置ＥＸである。本実施形態の露光装置ＥＸは、ＥＵＶ光で基板Ｐを露光するＥＵＶ露光装置である。上述の第１〜第８実施形態で説明した多層膜反射鏡１０（１０Ｂ〜１０Ｈ）が、本実施形態に係るＥＵＶ露光装置ＥＸの光学系として用いられる。
図１１において、露光装置ＥＸは、マスクＭを保持しながら移動可能なマスクステージ１１と、露光光Ｌ１が照射される基板Ｐを保持しながら移動可能な基板ステージ１２と、ＥＵＶ光を含む光を発生する光源装置１３と、光源装置１３から射出されるＥＵＶ光を含む光でマスクステージ１１に保持されているマスクＭを照明する照明光学系ＩＬと、ＥＵＶ光を含む光で照明されたマスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する投影光学系ＰＬと、少なくとも露光光Ｌ１が通過する所定空間を形成し、その所定空間を真空状態（例えば、１．３×１０−３Ｐａ以下）にする真空システムを有するチャンバ装置ＶＣとを備えている。
基板Ｐは、半導体ウエハ等の基材上に感光膜が形成されたものを含む。マスクＭは、基板Ｐに投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。本実施形態では、露光光Ｌ１としてＥＵＶ光が用いられ、マスクＭは、ＥＵＶ光を反射可能な多層膜を有する反射型マスクである。反射型マスクの多層膜は、例えばＭｏ／Ｓｉ多層膜、Ｍｏ／Ｂｅ多層膜を含む。露光装置ＥＸは、多層膜が形成されたマスクＭの反射面（パターン形成面）を露光光（ＥＵＶ光）Ｌ１で照明し、そのマスクＭで反射した露光光Ｌ１の反射光で基板Ｐを露光する。
本実施形態の光源装置１３は、レーザ励起型プラズマ光源装置であって、レーザ光を射出するレーザ装置１５と、キセノンガス等のターゲット材料を供給する供給部材１６とを含む。レーザ装置１５は、赤外領域及び可視領域の波長のレーザ光を発生する。レーザ装置１５は、例えば半導体レーザ励起によるＹＡＧレーザ、エキシマレーザ等を含む。
また、光源装置１３は、レーザ装置１５から射出されたレーザ光を集光する第１集光ミラー１７を備えている。第１集光ミラー１７は、レーザ装置１５から射出されたレーザ光を位置１９に集光する。供給部材１６は、位置１９にターゲット材料を供給する供給口を有する。第１集光ミラー１７で集光されたレーザ光は、供給部材１６から供給されるターゲット材料に照射される。レーザ光が照射されたターゲット材料は、レーザ光のエネルギーによって高温になり、プラズマ状態に励起され、低ポテンシャル状態へ遷移する際に、ＥＵＶ光を含む光を発生する。なお、光源装置１３は、放電型プラズマ光源装置でもよい。
光源装置１３は、極端紫外領域のスペクトルを有する光（ＥＵＶ光）のみならず、紫外領域、可視領域、及び赤外領域のスペクトルを有する光も発生する可能性がある。換言すれば、光源装置１３は、ＥＵＶ光を含む第１成分と、ＯｏＢ光を含む第２成分とを射出する可能性がある。以下の説明においては、極端紫外領域（軟Ｘ線領域）の電磁波（光）であるＥＵＶ光Ｌ１を適宜、露光光Ｌ１、と称し、光源装置１３から放出される、ＥＵＶ光Ｌ１以外の光Ｌ２を適宜、ＯｏＢ光Ｌ２、と称する。すなわち、光源装置１３から射出される光Ｌ０は、ＥＵＶ光Ｌ１とＯｏＢ光Ｌ２とを含む。
図１１に示すように、露光装置ＥＸは、位置１９の周囲に配置された第２集光ミラー１８を備えている。第２集光ミラー１８は、楕円鏡を含む。楕円鏡を含む第２集光ミラー１８は、その第１焦点と位置１９とがほぼ一致するように配置されている。
本実施形態の第２集光ミラー１８は、上述の各実施形態で説明した散乱面を有する多層膜反射鏡を含む。位置１９で発生した光Ｌ０は、第２集光ミラー１８で反射し、第２集光ミラー１８の第２焦点に集光される。第２集光ミラー１８は、上述の各実施形態で説明した散乱面を有する多層膜反射鏡で構成されているので、位置１９で発生した光Ｌ０のうち、主にＥＵＶ光Ｌ１を反射して、第２集光光学系１８の第２焦点に集光させる。一方、位置１９で発生した光Ｌ０のうち、ＯｏＢ光Ｌ２は、第２集光ミラー１８の散乱面で散乱される。これにより、照明光学系ＩＬの各光学素子にＯｏＢ光Ｌ２が入射したり、照明光学系ＩＬの光路の下流側にＯｏＢ光Ｌ２が導かれることが抑制される。すなわち、照明光学系ＩＬの光路の下流側に伝播するＯｏＢ光Ｌ２を減少、あるいは除去することができる。
第２集光ミラー１８により第２焦点に集光されたＥＵＶ光Ｌ１を含む光Ｌ０は、照明光学系ＩＬに供給される。照明光学系ＩＬは、ＥＵＶ光Ｌ１を含む光源装置１３からの光Ｌ０が供給される複数の光学素子２０、２１、２２、２３、２４を含み、光源装置１３からの露光光（ＥＵＶ光）Ｌ１でマスクＭを照明する。照明光学系ＩＬの各光学素子２０、２１、２２、２３、２４は、上述の各実施形態で説明した散乱面を有する多層膜反射鏡を含む。これにより、第２集光ミラー１８からの光Ｌ０がＯｏＢ光Ｌ２を含む場合でも、照明光学系ＩＬの各光学素子２０、２１、２２、２３、２４は、そのＯｏＢ光Ｌ２を散乱させることができる。これにより、照明光学系ＩＬの光路の下流側にＯｏＢ光Ｌ２が導かれることが抑制され、マスクＭ、投影光学系ＰＬ、基板Ｐ等に、ＯｏＢ光Ｌ２が入射することが抑制される。すなわち、照明光学系ＩＬの光路の下流側に伝播するＯｏＢ光Ｌ２を減少、あるいは除去することができる。
照明光学系ＩＬの光学素子２０は、コリメータミラーとして機能する第３集光ミラーであって、第２集光ミラー１８からの光Ｌ０が供給される。第２集光ミラー１８からの光Ｌ０は、第３集光ミラー２０に導かれる。
第３集光ミラー２０は、放物面鏡を含む。第３集光ミラー２０は、その焦点と第２集光ミラー１８の第２焦点とがほぼ一致するように配置されている。
また、照明光学系ＩＬは、オプティカルインテグレータ２５を有する。本実施形態において、オプティカルインテグレータ２５は、反射型フライアイミラー光学系を含む。反射型フライアイミラー光学系２５は、入射側フライアイミラー２１及び射出側フライアイミラー２２を含む。フライアイミラー２１、２２のそれぞれは、上述の各実施形態で説明した散乱面を有する多層膜反射鏡を含む。第３集光ミラー２０は、ＥＵＶ光Ｌ１を含む光Ｌ０を、ほぼコリメートした状態で、フライアイミラー光学系２５の入射側フライアイミラー２１に供給する。
入射側フライアイミラー２１は、例えば米国特許第６，４５２，６６１号公報等に開示されているように、並列に配列された照野と実質的に相似な円弧状の反射面を有する複数の単位ミラー（反射素子群）を含む。入射側フライアイミラー２１は、マスクＭの反射面及び基板Ｐの表面と光学的に共役な位置又はその近傍に配置されている。
また、射出側フライアイミラー２２は、入射側フライアイミラー２１の複数の単位ミラーと対応する複数の単位ミラー（反射素子群）を含む。射出側フライアイミラー２２の単位ミラーのそれぞれは、矩形状であり、並列に配列されている。射出側フライアイミラー２２は、投影光学系ＰＬの瞳位置と光学的に共役な位置又はその近傍に配置されている。
第３集光ミラー２０からのコリメートされた光は、入射側フライアイミラー２１に入射して、その入射側フライアイミラー２１によって波面分割される。入射側フライアイミラー２１の単位ミラーのそれぞれは、入射した光を集光し、複数の集光点（光源像）を形成する。それら複数の集光点が形成される位置近傍のそれぞれには、射出側フライアイミラー２２の複数の単位ミラーが配置されている。射出側フライアイミラー２２の射出面又はその近傍には、射出側フライアイミラー２２の単位ミラーの数に応じた複数の集光点（二次光源）が形成される。
また、照明光学系ＩＬは、コンデンサミラー２３を有する。コンデンサミラー２３は、コンデンサミラー２３の焦点位置とフライアイミラー光学系２５により形成される二次光源の位置近傍とがほぼ一致するように配置されている。フライアイミラー光学系２５により形成された二次光源からの光は、コンデンサミラー２３で反射されるともに集光され、光路折り曲げミラー２４を介して、マスクＭに供給される。
このように、複数の光学素子２０〜２４を含む照明光学系ＩＬは、光源装置１３から射出される露光光Ｌ１でマスクＭ上の照明領域を均一に照明する。照明光学系ＩＬにより照明され、マスクＭで反射した露光光Ｌ１は、投影光学系ＰＬに入射する。
なお、マスクＭに供給される光と、マスクＭで反射して投影光学系ＰＬに入射する光との光路分離を空間的に行うために、本実施形態の照明光学系ＩＬは、非テレセントリック系である。また、投影光学系ＰＬもマスク側非テレセントリック系である。
本実施形態においては、光源装置１３からの光が入射する複数の光学素子１９〜２４のうち、例えば第２集光ミラー（第１の多層膜反射鏡）１８の散乱面は、第１のスペクトルの光を主に散乱し、第３集光ミラー（第２の多層膜反射鏡）２０の散乱面は、第２のスペクトルの光を主に散乱するように調整されている。換言すれば、本実施形態においては、第２集光ミラー１８に対して散乱効率が高い波長と、第３集光ミラー２０に対して散乱効率が高い波長とは異なる。
具体的には、第２集光ミラー１８が第１のスペクトルの光を良好に散乱できるように、第１のスペクトルに応じて第２集光ミラー１８の散乱面の凹凸面の周期ｐｔが調整され、第３集光ミラー２０が第２のスペクトルの光を良好に散乱できるように、第２のスペクトルに応じて第３集光ミラー２０の散乱面の凹凸面の周期ｐｔが調整されている。第２集光ミラー１８の散乱面の周期ｐｔと第３集光ミラー２０の散乱面の周期ｐｔとは異なる。
上述したように、例えば第１のスペクトルのＯｏＢ光を散乱面で良好に反射させるためには、その散乱面の凹凸面の周期ｐｔは、第１の波長よりも大きいほうが望ましく、第２の波長のＯｏＢ光を散乱面で良好に反射させるためには、その散乱面の凹凸面の周期ｐｔは、第２の波長よりも大きいほうが望ましい。すなわち、散乱面で良好に散乱できるＯｏＢ光の波長（スペクトル）は、その散乱面の周期ｐｔに応じて決定される。したがって、例えば第２集光ミラー（第１の多層膜反射鏡）１８で短い波長のＯｏＢ光を良好に散乱できるように、その第２集光ミラー１８の散乱面の周期ｐｔを小さくし、第３集光ミラー（第２の多層膜反射鏡）２０で長い波長のＯｏＢ光を良好に散乱できるように、その第３集光ミラー２０の散乱面の周期ｐｔを大きくすることによって、第２集光ミラー１８と第３集光ミラー２０との両方で、広い波長のＯｏＢ光を良好に散乱させることができる。したがって、マスクＭ、投影光学系ＰＬ、基板Ｐ等、照明光学系ＩＬの光路の下流側にＯｏＢ光Ｌ２が導かれることを良好に抑制できる。
なお、ここでは、第２集光ミラー１８の散乱面の周期ｐｔと、第３集光ミラー２０の散乱面の周期ｐｔとが異なる場合を例にして説明したが、例えばコンデンサミラー２３の散乱面の周期ｐｔと、光路折り曲げミラー２４の散乱面の周期ｐｔとを調整して、そのコンデンサーミラー２３と光路折り曲げミラー２４とを用いて、広い波長のＯｏＢ光を散乱させるようにしてもよい。また、３つ以上の複数の光学素子を組み合わせて、広い波長のＯｏＢ光を散乱させるようにしてもよい。
マスクステージ１１は、マスクＭを保持しながら、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つの方向に移動可能な６自由度ステージである。本実施形態においては、マスクステージ１１は、マスクＭの反射面とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、マスクＭを保持する。マスクステージ１（マスクＭ）の位置情報は、レーザ干渉計４１によって計測される。レーザ干渉計３１は、マスクステージ１１に設けられた計測ミラー１１Ｒを用いて、マスクステージ１１のＸ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に関する位置情報を計測する。また、マスクステージ１１に保持されているマスクＭの表面の面位置情報（Ｚ軸、θＸ、及びθＹに関する位置情報）は、不図示のフォーカス・レベリング検出システムによって検出される。レーザ干渉計４１の計測結果及びフォーカス・レベリング検出システムの検出結果に基づいて、マスクステージ１１に保持されているマスクＭの位置が制御される。
また、本実施形態の露光装置ＥＸは、例えば特開２００４−３５６４１５号公報等に開示されているような、マスクＭの反射面の少なくとも一部と対向する位置に配置され、マスクＭの反射面での露光光Ｌ１の照明領域を制限するブラインド部材６０を備えている。ブラインド部材６０は、露光光Ｌ１が通過可能な開口６０Ｋを有し、マスクＭの反射面での露光光Ｌ１の照明領域を規定する。ブラインド部材６０は、投影光学系ＰＬの像面（基板Ｐの表面）、及び投影光学系ＰＬの物体面（マスクＭの反射面）に対してほぼ共役な位置に配置される。本実施形態においては、ブラインド部材６０は、マスクＭの反射面に近い位置に配置されている。すなわち、本実施形態のブラインド部材６０は、所謂、プロキシミティタイプ（近接タイプ）のブラインド部材である。なお、マスクＭ上の照明領域を制限するブラインド部材（視野絞り）が、照明光学系ＩＬの内部に配置されていてもよい。この場合、ブラインド部材（視野絞り）は、照明光学系ＩＬの内部において、投影光学系ＰＬの像面（基板Ｐの表面）、及び投影光学系ＰＬの物体面（マスクＭの反射面）に対してほぼ共役な位置に配置される。
投影光学系ＰＬは、マスクＭからの光Ｌ０が供給される複数の光学素子３１、３２、３３、３４、３５、３６を含み、露光光Ｌ１で照明されたマスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する。投影光学系ＰＬの各光学素子３１、３２、３３、３４、３５、３６は、上述の各実施形態で説明した散乱面を有する多層膜反射鏡を含む。これにより、マスクＭからの光Ｌ０がＯｏＢ光Ｌ２を含む場合でも、投影光学系ＰＬの各光学素子３１、３２、３３、３４、３５、３６は、そのＯｏＢ光Ｌ２を散乱させることができる。これにより、投影光学系ＰＬの光路の下流側にＯｏＢ光Ｌ２が導かれることが抑制され、基板Ｐ等にＯｏＢ光Ｌ２が入射することが抑制される。すなわち、投影光学系ＰＬの光路の下流側に伝播するＯｏＢ光Ｌ２を減少、あるいは除去することができる。
投影光学系ＰＬは、凹面状の反射面を有する第１反射ミラー３１及び凹面状の反射面を有する第２反射反射ミラー３２を含む第１ミラー対と、所定形状の反射面を有する第３反射ミラー３３及び凹面状の反射面を有する第４反射ミラー３４を含む第２ミラー対と、凸面状の反射面を有する第５反射ミラー３５及び凹面状の反射面を有する第６反射ミラー３６を含む第３ミラー対とを備えている。
それぞれのミラー対のうち、第１反射ミラー３１、第３反射ミラー３３、及び第５反射ミラー３５のそれぞれは、反射面が投影光学系ＰＬの物体面側（マスクＭ側）を向くように配置されており、第２反射ミラー３２、第４反射ミラー３４、及び第６反射ミラー３６のそれぞれは、反射面が投影光学系ＰＬの像面側（基板Ｐ側）を向くように配置されている。
マスクＭからの光は、第１反射ミラー３１及び第２反射ミラー３２の順で第１ミラー対を反射した後に中間像を形成する。中間像からの光は、第３反射ミラー３３及び第４反射ミラー３４の順で第２ミラー対を反射する。第２ミラー対を反射した光は、第５反射ミラー３５及び第６反射ミラー３６の順で第３ミラー対を反射して基板Ｐへ導かれる。中間像が形成される位置には、基板Ｐ上の投影領域を制限する視野絞りＦＳが配置されている。
第１ミラー対の第１反射ミラー３１と第２反射ミラー３２との間には、投影光学系ＰＬの開口数ＮＡを制限する開口絞りＡＳが配置されている。開口絞りＡＳは、大きさ（口径）が可変な開口を有する。開口の大きさ（口径）は、開口絞り制御ユニット５１により制御される。
基板ステージ１２は、基板Ｐを保持しながら、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つの方向に移動可能な６自由度ステージである。本実施形態においては、基板ステージ１２は、基板Ｐの表面とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、基板Ｐを保持する。基板ステージ１２（基板Ｐ）の位置情報は、レーザ干渉計４２によって計測される。レーザ干渉計４２は、基板ステージ１２に設けられた計測ミラー１２Ｒを用いて、基板ステージ１２のＸ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に関する位置情報を計測する。また、基板ステージ１２に保持されている基板Ｐの表面の面位置情報（Ｚ軸、θＸ、及びθＹに関する位置情報）は、不図示のフォーカス・レベリング検出システムによって検出される。レーザ干渉計４２の計測結果及びフォーカス・レベリング検出システムの検出結果に基づいて、基板ステージ１２に保持されている基板Ｐの位置が制御される。
基板Ｐを露光するときには、照明光学系ＩＬがマスクＭ上の所定の照明領域を露光光Ｌ１で照明しながら、マスクＭを保持したマスクステージ１１のＹ軸方向への移動と同期して、基板Ｐを保持した基板ステージ１２がＹ軸方向へ移動する。これにより、マスクＭのパターンの像が、投影光学系ＰＬを介して基板Ｐに投影される。
以上説明したように、本実施形態によれば、光源装置１３からのＥＵＶ光Ｌ１を含む光Ｌ０が供給される第２集光ミラー１８、照明光学系ＩＬの複数の光学素子２０〜２４、及び投影光学系ＰＬの複数の光学素子３１〜３６のそれぞれに、上述の第１〜第８実施形態で説明した多層膜反射鏡が用いられている。これにより、ＥＵＶ光Ｌ１の減衰を抑制しつつ、ＯｏＢ光Ｌ２を良好に減少、あるいは除去できる。したがって、照明光学系ＩＬ、投影光学系ＰＬの光学性能、ひいては露光装置ＥＸの露光性能の劣化を抑制でき、基板Ｐを良好に露光することができる。
なお、本実施形態においては、光源装置１３からのＥＵＶ光Ｌ１を含む光Ｌ０が供給される各光学素子１９〜２４、３１〜３６のそれぞれが、散乱面を有する多層膜反射鏡である場合を例にして説明したが、全ての光学素子が散乱面を有する多層膜反射鏡でなくてもよい。複数の光学素子のうち、例えば１つの光学素子、あるいは任意の複数の光学素子を、散乱面を有する多層膜反射鏡とすることによって、基板Ｐを良好に露光することができる。
また、投影光学系ＰＬの光学素子３１〜３６を、散乱面を有する多層膜反射鏡とせずに、第２集光ミラー１８、及び照明光学系ＩＬの各光学素子２０〜２４の少なくとも１つを、散乱面を有する多層膜反射鏡としてもよい。これにより、投影光学系ＰＬにＯｏＢ光Ｌ２が入射することが抑制され、投影光学系ＰＬの光学特性が維持される。
なお、本実施形態において、開口絞りＡＳ、視野絞りＦＳは、ＥＵＶ光を十分に遮光するために、Ａｕ、Ｔａ、Ｗなどの金属から構成されることが望ましい。
＜第１０実施形態＞
次に、第１０実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
図１２は、第１０実施形態に係る第２集光ミラー１８の近傍を示す図である。第２集光ミラー１８は、散乱面を有する多層膜反射鏡である。本実施形態の特徴的な部分は、多層膜反射鏡の散乱面で散乱された散乱光（ＯｏＢ光）の少なくとも一部が所定部材に入射することを抑制する抑制部材７０を備えた点にある。すなわち、第９実施形態と異なる第１０実施形態の特徴的な部分は、光源装置１３からの光Ｌ０の光路上の所定位置に抑制部材７０を付加した点にある。
図１２において、抑制部材７０は、多層膜反射鏡である第２集光ミラー１８からのＥＵＶ光Ｌ１を通過させる開口７１と、開口７１を囲むように配置され、第２集光ミラー１８の散乱面で散乱された散乱光（ＯｏＢ光Ｌ２）を遮蔽する遮光面７２とを有する光学部材を含む。遮光面７２は、第２集光ミラー１８からの光が入射する入射面であって、第２集光ミラー１８側を向くように配置されている。
第２集光ミラー１８は、ＥＵＶ光Ｌ１を反射して集光し、散乱面を用いてＯｏＢ光Ｌ２を散乱させる。抑制部材７０の遮蔽面７２は、第２集光ミラー１８によって集光されるＥＵＶ光Ｌ１の光路を囲むように配置される。
本実施形態の抑制部材７０は、所謂、ピンホール板である。第２集光ミラー１８で集光されたＥＵＶ光Ｌ１は、第３集光ミラー２０に供給される。抑制部材７０は、第２集光ミラー１８の第２焦点（集光点）の近傍に配置されている。抑制部材７０の開口（ピンホール）７１の大きさ（径）は、第２焦点でのＥＵＶ光Ｌ１の光束の大きさ（径）とほぼ同等、あるいは僅かに大きい。
第２集光ミラー１８で散乱されたＯｏＢ光Ｌ２は、照明光学系ＩＬを通過する光の光路の外側に導き出され、散乱されたＯｏＢ光Ｌ２の一部は、照明光学系ＩＬの光路の下流側に導かれる可能性がある。その状態を放置しておくと、ＯｏＢ光Ｌ２が、第２集光ミラー１８の光路下流側に配置されている各部材、例えば第２集光ミラー１８の光路下流側に配置されている照明光学系ＩＬの各光学素子に入射したり、マスクＭに入射したり、マスクＭ上の照明領域を制限するブラインド部材６０に入射したり、開口絞りＡＳ、視野絞りＦＳ、光学素子３１〜３６を含む投影光学系ＰＬに入射したり、基板Ｐに入射したりする可能性がある。
本実施形態においては、抑制部材７０は、第２集光ミラー１８の散乱面で散乱された散乱光の少なくとも一部が、照明光学系ＩＬの光学素子、マスクＭ、ブラインド部材６０等に入射することを抑制する。また、照明光学系ＩＬに、照明光学系ＩＬのσ値を制限するσ絞りが配置されている場合には、抑制部材７０は、第２集光ミラー１８の散乱面で散乱された散乱光の少なくとも一部が、σ絞りに入射することを抑制できる。また、抑制部材７０は、第２集光ミラー１８の散乱面で散乱された散乱光の少なくとも一部が、投影光学系ＰＬの各光学素子３１〜３６、開口絞りＡＳ、視野絞りＦＳ、基板Ｐ等に入射することを抑制できる。
また、本実施形態においては、第２集光ミラー１８側を向く抑制部材７０の遮光面７２は、光の反射を防止する機能を有する。本実施形態においては、遮光面７２は、反射防止膜７３で形成されている。
一例として、本実施形態においては、抑制部材７０の基材が、例えばインバー、ステンレス鋼、チタン等の金属で形成されており、第２集光ミラー１８側を向く基材の表面（遮光面）に、クロム、酸化クロム、カーボン等、少なくとも可視領域のＯｏＢ光Ｌ２の反射を抑制できる材料で形成された反射防止膜７３が形成されている。また、紫外領域のＯｏＢ光の反射を抑制するために、反射防止膜７３が、誘電体多層膜等であってもよい。散乱光（ＯｏＢ光Ｌ２）の反射を十分に抑制するために、反射防止膜７３の膜厚、層構造が最適化されている。また、反射防止膜７３の代わりに、遮光面７２をモスアイ構造にして、光の反射を防止するようにしてもよい。
以上説明したように、本実施形態によれば、抑制部材７０を設けたことにより、ＯｏＢ光Ｌ２が光学系の光路下流側に伝播することを抑制でき、散乱光（ＯｏＢ光Ｌ２）が、照明光学系ＩＬの光学素子、マスクＭ、ブラインド部材６０、投影光学系ＰＬの光学素子、開口絞りＡＳ、視野絞りＦＳ、基板Ｐ等に入射することを抑制できる。したがって、基板Ｐを良好に露光できる。
＜第１１実施形態＞
次に、第１１実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
図１３は、第１１実施形態に係る第２集光ミラー１８の近傍を示す図である。第１０実施形態と異なる第１１実施形態の特徴的な部分は、抑制部材７０を冷却する冷却機構９０を設けた点にある。
図１３に示すように、露光装置ＥＸは、抑制部材７０を冷却する冷却機構９０を備えている。本実施形態においては、抑制部材７０は、抑制部材７０の遮光面７２と反対側の面７４に接続されたペルチェ素子９１を含む。また、露光装置ＥＸは、ペルチェ素子９１を支持する支持部材９２を備えている。ペルチェ素子９１、及び支持部材９２は、第２集光ミラー１８からのＥＵＶ光Ｌ１の照射を妨げないように配置されている。
ペルチェ素子９１の温度は、印加される電力（極性、電流量を含む）に応じて変化する。ペルチェ素子９１に印加する電力が調整されることによって、抑制部材７０を所定の温度に調整（冷却）することができる。
散乱光（ＯｏＢ光Ｌ２）が照射されることによって、抑制部材７０が加熱される可能性がある。加熱された状態を放置しておくと、ＥＵＶ光Ｌ１の光路の温度が変化し、照明光学系ＩＬの光学性能が変化する可能性がある。冷却機構９０によって抑制部材７０の温度を調整することによって、照明光学系ＩＬの光学性能の劣化を抑制できる。
また、本実施形態の支持部材９２は、冷媒が流れる内部流路を備える。ペルチェ素子９１が一方の面で抑制部材７０を冷却することによって、支持部材９２に接続されているペルチェ素子９１の他方の面の温度が上昇する可能性がある。支持部材９２に、冷媒が流れる内部流路を含む冷却機構を設けることによって、ペルチェ素子９１による温度変化を抑制できる。なお、ペルチェ素子９１を省略して、冷媒が流れる内部流路を備える支持部材９２によって、抑制部材７０を直接的に支持するようにしてもよい。こうすることによっても、抑制部材７０の温度変化（温度上昇）を抑制することができる。
なお、第１０、第１１実施形態においては、一例として、第２集光ミラー１８と第３集光ミラー２０との間に抑制部材７０を配置した場合を例にして説明したが、抑制部材７０は、ＥＵＶ光Ｌ１の光路上の任意の位置に配置することができる。例えば、抑制部材７０を第３集光ミラー２０と入射側フライアイミラー２１との間に配置することができる。この場合、抑制部材７０の遮光面７２は、第３集光ミラー２０で集光されるＥＵＶ光の光路を囲むように配置される。
＜第１２実施形態＞
次に、第１２実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
図１４は、第１２実施形態に係る射出側フライアイミラー２２の近傍を示す図である。本実施形態においては、入射側フライアイミラー２１は、散乱面を有する多層膜反射鏡である。本実施形態の特徴的な部分は、入射側フライアイミラー２１の散乱面で散乱された散乱光（ＯｏＢ光Ｌ２）の少なくとも一部が射出側フライアイミラー２２に入射することを抑制する抑制部材７０Ｂを備えた点にある。
図１４において、抑制部材７０Ｂは、入射側フライアイミラー２１の複数の集光点に応じた複数の開口７１Ｂと、それら開口７１Ｂを囲むように配置され、入射側フライアイミラー２１の散乱面で散乱された散乱光（ＯｏＢ光Ｌ２）を遮蔽する遮光面７２Ｂとを有する。遮蔽面７２Ｂは、入射側フライアイミラー２１で集光されるＥＵＶ光の光路のそれぞれを囲むように配置されている。
開口７１Ｂは、多層膜反射鏡である入射側フライアイミラー２１からのＥＵＶ光を通過させる。すなわち、本実施形態の抑制部材７０Ｂは、入射側フライアイミラー２１の複数の集光点に応じた複数のピンホールが形成されたピンホール板である。抑制部材７０Ｂは、射出側フライアイミラー２２の近傍に配置される。本実施形態においては、射出側フライアイミラー２２の射出面と、抑制部材７０Ｂの遮光面７２Ｂと反対側の面７４Ｂとが近接して対向するように配置されている。開口７１Ｂを通過したＥＵＶ光Ｌ１は、射出側フライアイミラー２２で反射し、開口７１Ｂを介して、コンデンサミラー２３に導かれる。また、抑制部材７０Ｂの遮光面７２Ｂは、反射防止膜７３Ｂで形成されている。
以上説明したように、本実施形態によれば、抑制部材７０Ｂを設けたことにより、ＯｏＢ光Ｌ２が少なくとも射出側フライアイミラー２２よりも光路下流側に伝播することを抑制でき、散乱光（ＯｏＢ光Ｌ２）が、照明光学系ＩＬの光学素子２３、２４、マスクＭ、ブラインド部材６０、投影光学系ＰＬの光学素子、開口絞りＡＳ、視野絞りＦＳ、基板Ｐ等に入射することを抑制できる。したがって、基板Ｐを良好に露光できる。
また、本実施形態においても、抑制部材７０Ｂを冷却する冷却機構を設けることができる。
＜第１３実施形態＞
次に、第１３実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
図１５は、第１３実施形態に係る露光装置ＥＸを示す図である。本実施形態の露光装置ＥＸは、照明光学系ＩＬのσ値を制限するσ絞りＡＳ１を備えている。σ絞りＡＳ１は、射出側フライアイミラー２２の近傍に配置されており、二次光源の形状を制御する。σ絞りＡＳ１は、ターレット状に配置され、互いに形状が異なる複数の開口を備えている。σ絞りＡＳ１は、σ絞り制御ユニット５２により制御される。σ絞り制御ユニット５２は、σ絞りＡＳ１の複数の開口から所定の開口を選択し、ＥＵＶ光Ｌ１の光路上に配置する。
本実施形態においては、σ絞りＡＳ１に近接するように、そのσ絞りＡＳ１に散乱光（ＯｏＢ光Ｌ２）が入射することを抑制する抑制部材７０Ｃが配置されている。抑制部材７０Ｃは、上述の第１１、第１２実施形態で説明した抑制部材と同等の構造を有する。抑制部材７０Ｃは、入射側フライアイミラー２１からの散乱光が入射する入射面（遮光面）に反射防止膜を備える。
また、本実施形態においては、マスクＭ上の照明領域を制限するブラインド部材６０に近接するように、そのブラインド部材６０に散乱光（ＯｏＢ光Ｌ２）が入射することを抑制する抑制部材７０Ｄが配置されている。抑制部材７０Ｄは、上述の第１１、第１２実施形態で説明した抑制部材と同等の構造を有する。抑制部材７０Ｄは、光路折り曲げミラー２４からの散乱光が入射する入射面（遮光面）に反射防止膜を備える。
また、本実施形態においては、投影光学系ＰＬの開口数を制限する開口絞りＡＳに近接するように、その開口絞りＡＳに散乱光（ＯｏＢ光Ｌ２）が入射することを抑制する抑制部材７０Ｅが配置されている。抑制部材７０Ｅは、上述の第１１、第１２実施形態で説明した抑制部材と同等の構造を有する。抑制部材７０Ｅは、第１反射ミラー３１からの散乱光が入射する入射面（遮光面）に反射防止膜を備える。
このように、抑制部材を、露光光Ｌ１の光路上の任意の位置に配置することができる。
なお、上述の各実施形態の基板Ｐとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスク又はレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。
露光装置ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。
さらに、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第１パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第１パターンの縮小像を基板Ｐ上に転写した後、第２パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第２パターンの縮小像を第１パターンと部分的に重ねて基板Ｐ上に一括露光してもよい（スティッチ方式の一括露光装置）。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Ｐを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。
また、例えば米国特許第６，６１１，３１６号公報に開示されているように、２つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、１回の走査露光によって基板上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などにも本発明を適用することができる。
また、本発明は、米国特許６，３４１，００７号、米国特許６，４００，４４１号、米国特許６，５４９，２６９号、及び米国特許６，５９０,６３４号、米国特許６，２０８，４０７号、米国特許６，２６２，７９６号などに開示されているような複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。
更に、例えば米国特許第６，８９７，９６３号等に開示されているように、基板を保持する基板ステージと基準マークが形成された基準部材及び／又は各種の光電センサを搭載した計測ステージとを備えた露光装置にも本発明を適用することができる。また、複数の基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置にも適用することができる。
露光装置ＥＸの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。
なお、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態及び変形例で引用した露光装置等に関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。
以上のように、本願実施形態の露光装置ＥＸは、本願請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度及びクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図１６に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、前述した実施形態に従って、マスクのパターンの像で基板に露光し、露光した基板を現像する基板処理（露光処理）を含む基板処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。
第１実施形態に係る多層膜反射鏡の一例を示す模式図である。 第１実施形態に係る多層膜反射鏡の製造方法を説明するための模式図である。 第１実施形態に係る多層膜反射鏡の製造方法を説明するための模式図である。 第２実施形態に係る多層膜反射鏡の一例を示す模式図である。 第３実施形態に係る多層膜反射鏡の一例を示す模式図である。 第４実施形態に係る多層膜反射鏡の一例を示す模式図である。 第５実施形態に係る多層膜反射鏡の一例を示す模式図である。 第６実施形態に係る多層膜反射鏡の一例を示す模式図である。 第７実施形態に係る多層膜反射鏡の一例を示す模式図である。 第８実施形態に係る多層膜反射鏡の一例を示す模式図である。 第９実施形態に係る露光装置の一例を示す模式図である。 第１０実施形態に係る露光装置の一部を示す模式図である。 第１１実施形態に係る露光装置の一部を示す模式図である。 第１２実施形態に係る露光装置の一部を示す模式図である。 第１３実施形態に係る露光装置の一例を示す模式図である。 マイクロデバイスの製造工程の一例を示すフローチャート図である。
符号の説明
１…第１層、２…第２層、３…散乱層、３Ｓ…散乱面、４…多層膜、５…基材、６…保護層、７…層対、８…第３層、１０…多層膜反射鏡、１３…光源装置、１９…第２集光ミラー、２０…第３集光ミラー、２１…入射側フライアイミラー、２２…射出側フライアイミラー、２５…フライアイミラー光学系、６０…ブラインド部材、７０…抑制部材、７１…開口、７２…遮光面、９０…冷却機構、ＡＳ…開口絞り、ＡＳ１…σ絞り、ＥＸ…露光装置、ＩＬ…照明光学系、Ｍ…マスク、Ｐ…基板、ＰＬ…投影光学系

Claims (46)

  1. 基材と、
    前記基材上に交互に積層された第１層及び第２層を含み、極端紫外光を反射可能な多層膜と、
    前記多層膜に対して入射する所定波長の光を散乱する散乱面を有する散乱層と、を備えた多層膜反射鏡。
  2. 前記多層膜に対して入射する光は、前記極端紫外光を含む第１成分と、前記第１成分以外の第２成分とを含み、
    前記散乱面は、前記第２成分の光を散乱する請求項１記載の多層膜反射鏡。
  3. 前記散乱層は、前記多層膜の表層を含む請求項１又は２記載の多層膜反射鏡。
  4. 前記多層膜の表面は、前記第１層で形成され、前記散乱面は、前記第１層の表面の少なくとも一部で形成されている請求項３記載の多層膜反射鏡。
  5. 前記多層膜の表面は、前記第２層で形成され、前記散乱面は、前記第２層の表面の少なくとも一部で形成されている請求項３記載の多層膜反射鏡。
  6. 前記多層膜の表面は、前記第１層と前記第２層との両方で形成され、前記散乱面は、前記第１層の表面と前記第２層の表面とで形成されている請求項３記載の多層膜反射鏡。
  7. 前記第１層の、極端紫外光に対する屈折率と真空の屈折率との差は、前記第２層の前記差よりも大きい請求項１〜６のいずれか一項記載の多層膜反射鏡。
  8. 前記第１層は、モリブデンを含む請求項１〜７のいずれか一項記載の多層膜反射鏡。
  9. 前記第２層は、シリコンを含む請求項１〜８のいずれか一項記載の多層膜反射鏡。
  10. 前記多層膜の表面を覆うように配置された保護層を備える請求項１〜９のいずれか一項記載の多層膜反射鏡。
  11. 前記保護層は酸化抑制層を含み、ルテニウム、チタン、ルテニウムを含む化合物、チタンを含む化合物、ルテニウムを含む酸化物、及びチタンを含む酸化物の少なくとも１つを含む請求項１０記載の多層膜反射鏡。
  12. 前記散乱層は、前記多層膜の表面と接触するように形成された前記第１層及び前記第２層とは別の第３層を含む請求項１又は２記載の多層膜反射鏡。
  13. 前記第３層は、前記極端紫外光を透過可能な物質で形成されている請求項１２記載の多層膜反射鏡。
  14. 前記第３層は、前記極端紫外光に対する屈折率が真空の屈折率とほぼ等しい物質で形成されている請求項１２又は１３記載の多層膜反射鏡。
  15. 前記第３層は、シリコン、ベリリウム、炭化シリコン、二酸化シリコンまたはこれらの組合せからなるグループから選ばれる材料を含む請求項１２〜１４のいずれか一項記載の多層膜反射鏡。
  16. 前記第３層の表面を覆うように配置された保護層を備える請求項１２〜１５のいずれか一項記載の多層膜反射鏡。
  17. 前記多層膜の表面を覆うように配置された保護層と、
    前記保護層の表面を覆うように配置された前記第１層及び前記第２層とは別の第３層とを備える請求項１〜９のいずれか一項記載の多層膜反射鏡。
  18. 前記散乱面の表面粗さは、前記多層膜の界面粗さよりも大きい請求項１〜１７のいずれか一項記載の多層膜反射鏡。
  19. 前記散乱面は、所定の周期で形成された凹凸面を含み、
    前記凹凸面の周期は、前記所定波長よりも大きい請求項１〜１８のいずれか一項記載の多層膜反射鏡。
  20. 前記散乱層の平均厚みは、前記多層膜の厚みの１／１０以下である請求項１〜１９のいずれか一項記載の多層膜反射鏡。
  21. 光源から射出される極端紫外光を含む光で物体を照明する照明装置であって、
    前記光源からの光が供給される光学素子を備え、
    前記光学素子は、請求項１〜２０のいずれか一項記載の多層膜反射鏡を含む照明装置。
  22. 前記多層膜反射鏡を複数備え、
    第１の多層膜反射鏡の散乱面は、第１のスペクトルの光を主に散乱し、第２の多層膜反射鏡の散乱面は、第２のスペクトルの光を主に散乱する請求項２１記載の照明装置。
  23. 前記散乱面で散乱された散乱光の少なくとも一部が所定部材に入射することを抑制する抑制部材を備えた請求項２１又は２２記載の照明装置。
  24. 前記所定部材は、光学素子を含む請求項２３記載の照明装置。
  25. 前記所定部材は、前記物体を含む請求項２３記載の照明装置。
  26. 前記抑制部材は、前記多層膜反射鏡からの極端紫外光を通過させる開口と、前記開口を囲むように配置され、前記散乱面で散乱された散乱光を遮蔽する遮光面とを有する光学部材を含む請求項２３〜２５のいずれか一項記載の照明装置。
  27. 前記多層膜反射鏡は、前記極端紫外光を集光し、
    前記遮蔽面は、前記集光される極端紫外光の光路を囲むように配置される請求項２６記載の照明装置。
  28. 前記抑制部材を冷却する冷却機構を備えた請求項２３〜２７のいずれか一項記載の照明装置。
  29. マスクを露光光で照明し、前記マスクからの前記露光光で基板を露光する露光装置であって、
    前記マスクを照明するために、請求項２１〜請求項２８のいずれか一項記載の照明装置を備えた露光装置。
  30. 露光光で基板を露光する露光装置であって、
    請求項１〜請求項２０のいずれか一項記載の多層膜反射鏡を備えた露光装置。
  31. マスクを露光光で照明する照明光学系と、
    前記露光光で照明されたマスクのパターンの像を前記基板に投影する投影光学系とを備え、
    前記照明光学系及び投影光学系の少なくとも一方は、前記多層膜反射鏡を有する請求項３０記載の露光装置。
  32. 前記散乱面で散乱された散乱光の少なくとも一部が所定部材に入射することを抑制する抑制部材を備えた請求項３１記載の露光装置。
  33. 前記所定部材は、前記照明光学系の光学素子を含む請求項３２記載の露光装置。
  34. 前記所定部材は、前記マスクを含む請求項３２記載の露光装置。
  35. 前記所定部材は、前記マスク上の照射領域を制限する視野絞りを含む請求項３２記載の露光装置。
  36. 前記所定部材は、前記照明光学系のσ値を制限するσ絞りを含む請求項３２記載の露光装置。
  37. 前記所定部材は、前記投影光学系の開口数を制限する開口絞りを含む請求項３２記載の露光装置。
  38. 前記抑制部材は、前記マスク上の照射領域を制限する視野絞りに近接するように配置される請求項３２記載の露光装置。
  39. 前記抑制部材は、前記照明光学系のσ値を制限するσ絞りに近接するように配置される請求項３２記載の露光装置。
  40. 前記抑制部材は、前記投影光学系のＮＡを制限するＮＡ絞りに近接するように配置される請求項３２記載の露光装置。
  41. 前記抑制部材は、前記多層膜反射鏡からの極端紫外光を通過させる開口と、前記開口を囲むように配置され、前記散乱面で散乱された散乱光を遮蔽する遮光面とを有する光学部材を含む請求項３２〜４０のいずれか一項記載の露光装置。
  42. 前記多層膜反射鏡は、前記照明光学系の集光ミラーであり、
    前記遮蔽面は、前記集光ミラーで集光される極端紫外光の光路を囲むように配置される請求項４１記載の露光装置。
  43. 前記多層膜反射鏡は、前記照明光学系のフライアイミラーであり、
    前記光学部材は、前記フライアイミラーの複数の集光点に応じた複数の開口を有し、
    前記遮蔽面は、前記フライアイミラーで集光される極端紫外光の光路を囲むように配置される請求項４１記載の露光装置。
  44. 前記照明光学系は、入射側フライアイミラー及び射出側フライアイミラーを含むフライアイミラー光学系を含み、
    少なくとも入射側フライアイミラーは、前記多層膜反射鏡であり、
    前記光学部材は、前記入射側フライアイミラーの複数の集光点に応じた複数の開口を有し、前記射出側フライアイミラーの近傍に配置される請求項４３記載の露光装置。
  45. 前記抑制部材を冷却する冷却機構を備えた請求項３２〜４４のいずれか一項記載の露光装置。
  46. 請求項３０〜４５のいずれか一項記載の露光装置を用いて基板を露光することと、
    前記露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009272622A (ja) * 2008-05-02 2009-11-19 Asml Netherlands Bv ダイクロイックミラー、ダイクロイックミラーを製造するための方法、リソグラフィ装置、半導体デバイス、およびそれらのための製造方法
JP2011222958A (ja) * 2010-03-25 2011-11-04 Komatsu Ltd ミラーおよび極端紫外光生成装置
WO2012023372A1 (ja) * 2010-08-18 2012-02-23 ソニー株式会社 光学機能素子および撮像装置
WO2012043181A1 (ja) * 2010-09-27 2012-04-05 古河電気工業株式会社 反射基材、バックライトユニット、および反射基材の製造方法
JP2012227526A (ja) * 2011-04-15 2012-11-15 Asml Netherlands Bv オブジェクトによる使用のために放射ビームを調整するための光学装置、リソグラフィ装置、およびデバイスを製造する方法
JP2013033039A (ja) * 2011-07-29 2013-02-14 General Electric Co <Ge> 多層内部全反射光学デバイスならびにその製作方法および使用方法
JP2014508414A (ja) * 2011-03-04 2014-04-03 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置、スペクトル純度フィルタおよびデバイス製造方法
JP2014519196A (ja) * 2011-05-18 2014-08-07 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー Ｅｕｖリソグラフィ用の反射光学素子及び光学系
JP2015510688A (ja) * 2012-01-19 2015-04-09 スプリヤ ジャイスワル リソグラフィ及び他の用途における極端紫外線放射で使用する材料、成分及び方法
JP2016502136A (ja) * 2012-11-09 2016-01-21 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー Ｅｕｖコレクター
KR20160007761A (ko) * 2014-06-27 2016-01-21 엘지디스플레이 주식회사 백라이트 유닛 및 액정 표시 장치
WO2016023802A1 (en) * 2014-08-13 2016-02-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Vacuum system, in particular euv lithography system, and optical element
KR20160051779A (ko) * 2013-09-06 2016-05-11 도판 인사츠 가부시키가이샤 반사형 포토마스크 및 그 제조 방법
JP2016164691A (ja) * 2016-06-16 2016-09-08 凸版印刷株式会社 反射型フォトマスクおよびその製造方法
JP2017521711A (ja) * 2014-07-11 2017-08-03 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 極紫外線キャッピング層、及び極紫外線キャッピング層の製造及びリソグラフィの方法
JP2017526009A (ja) * 2014-08-19 2017-09-07 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 加熱放射に影響を及ぼすコーティングを有する光学素子及び光学装置
WO2017199096A1 (en) * 2016-05-19 2017-11-23 Nikon Corporation Euv lithography system for dense line patterning
JP2018511818A (ja) * 2015-02-10 2018-04-26 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー Ｅｕｖ多層ミラー、多層ミラーを含む光学系及び多層ミラーを製造する方法
JP2019518232A (ja) * 2016-06-03 2019-06-27 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． パターニングデバイス
WO2019186921A1 (ja) * 2018-03-29 2019-10-03 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置及び電子デバイスの製造方法
US11119421B2 (en) 2019-10-29 2021-09-14 Gigaphoton Inc. Extreme ultraviolet light condensation mirror, extreme ultraviolet light generation apparatus, and electronic device manufacturing method
US11410785B2 (en) 2020-06-29 2022-08-09 Gigaphoton Inc. Extreme ultraviolet light concentrating mirror and electronic device manufacturing method
JP7471156B2 (ja) 2020-06-29 2024-04-19 ギガフォトン株式会社 極端紫外光集光ミラー及び電子デバイスの製造方法

Cited By (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009272622A (ja) * 2008-05-02 2009-11-19 Asml Netherlands Bv ダイクロイックミラー、ダイクロイックミラーを製造するための方法、リソグラフィ装置、半導体デバイス、およびそれらのための製造方法
JP2011222958A (ja) * 2010-03-25 2011-11-04 Komatsu Ltd ミラーおよび極端紫外光生成装置
CN103069309A (zh) * 2010-08-18 2013-04-24 索尼公司 光学功能器件和摄像装置
WO2012023372A1 (ja) * 2010-08-18 2012-02-23 ソニー株式会社 光学機能素子および撮像装置
JP2012042665A (ja) * 2010-08-18 2012-03-01 Sony Corp 光学機能素子および撮像装置
US8953092B2 (en) 2010-08-18 2015-02-10 Sony Corporation Optical function device and image-capturing device
WO2012043181A1 (ja) * 2010-09-27 2012-04-05 古河電気工業株式会社 反射基材、バックライトユニット、および反射基材の製造方法
US10001709B2 (en) 2011-03-04 2018-06-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, spectral purity filter and device manufacturing method
JP2014508414A (ja) * 2011-03-04 2014-04-03 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置、スペクトル純度フィルタおよびデバイス製造方法
JP2017126086A (ja) * 2011-03-04 2017-07-20 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置、スペクトル純度フィルタおよびデバイス製造方法
US9594306B2 (en) 2011-03-04 2017-03-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, spectral purity filter and device manufacturing method
US9372413B2 (en) 2011-04-15 2016-06-21 Asml Netherlands B.V. Optical apparatus for conditioning a radiation beam for use by an object, lithography apparatus and method of manufacturing devices
JP2012227526A (ja) * 2011-04-15 2012-11-15 Asml Netherlands Bv オブジェクトによる使用のために放射ビームを調整するための光学装置、リソグラフィ装置、およびデバイスを製造する方法
JP2014519196A (ja) * 2011-05-18 2014-08-07 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー Ｅｕｖリソグラフィ用の反射光学素子及び光学系
JP2013033039A (ja) * 2011-07-29 2013-02-14 General Electric Co <Ge> 多層内部全反射光学デバイスならびにその製作方法および使用方法
JP2021170123A (ja) * 2012-01-19 2021-10-28 スプリヤ ジャイスワル リソグラフィ及び他の用途における極端紫外線放射で使用する材料、成分及び方法
JP2015510688A (ja) * 2012-01-19 2015-04-09 スプリヤ ジャイスワル リソグラフィ及び他の用途における極端紫外線放射で使用する材料、成分及び方法
JP2019179246A (ja) * 2012-01-19 2019-10-17 スプリヤ ジャイスワル リソグラフィ及び他の用途における極端紫外線放射で使用する材料、成分及び方法
JP2016502136A (ja) * 2012-11-09 2016-01-21 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー Ｅｕｖコレクター
JP2019012290A (ja) * 2012-11-09 2019-01-24 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー Ｅｕｖコレクター
KR20160051779A (ko) * 2013-09-06 2016-05-11 도판 인사츠 가부시키가이샤 반사형 포토마스크 및 그 제조 방법
KR102262761B1 (ko) * 2013-09-06 2021-06-09 도판 인사츠 가부시키가이샤 반사형 포토마스크 및 그 제조 방법
KR20160007761A (ko) * 2014-06-27 2016-01-21 엘지디스플레이 주식회사 백라이트 유닛 및 액정 표시 장치
KR102099386B1 (ko) * 2014-06-27 2020-04-10 엘지디스플레이 주식회사 백라이트 유닛 및 액정 표시 장치
JP2017521711A (ja) * 2014-07-11 2017-08-03 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 極紫外線キャッピング層、及び極紫外線キャッピング層の製造及びリソグラフィの方法
TWI683125B (zh) * 2014-08-13 2020-01-21 德商卡爾蔡司Ｓｍｔ有限公司 真空系統，特別是極紫外光微影系統及光學元件
WO2016023802A1 (en) * 2014-08-13 2016-02-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Vacuum system, in particular euv lithography system, and optical element
US10599052B2 (en) 2014-08-13 2020-03-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Vacuum system, in particular EUV lithography system, and optical element
US10241421B2 (en) 2014-08-13 2019-03-26 Carl Zeiss Smt Gmbh Vacuum system, in particular EUV lithography system, and optical element
US11112543B2 (en) 2014-08-19 2021-09-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical element having a coating for influencing heating radiation and optical arrangement
JP2017526009A (ja) * 2014-08-19 2017-09-07 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 加熱放射に影響を及ぼすコーティングを有する光学素子及び光学装置
US10401540B2 (en) 2014-08-19 2019-09-03 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical element having a coating for influencing heating radiation and optical arrangement
JP2018511818A (ja) * 2015-02-10 2018-04-26 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー Ｅｕｖ多層ミラー、多層ミラーを含む光学系及び多層ミラーを製造する方法
WO2017199096A1 (en) * 2016-05-19 2017-11-23 Nikon Corporation Euv lithography system for dense line patterning
JP2019517033A (ja) * 2016-05-19 2019-06-20 株式会社ニコン 高密度ラインのパターニングのためのｅｕｖリソグラフィシステム
US11099483B2 (en) 2016-05-19 2021-08-24 Nikon Corporation Euv lithography system for dense line patterning
KR20190033479A (ko) * 2016-05-19 2019-03-29 가부시키가이샤 니콘 조밀한 라인 패터닝을 위한 euv 리소그래피 시스템
KR102562404B1 (ko) 2016-05-19 2023-08-01 가부시키가이샤 니콘 조밀한 라인 패터닝을 위한 euv 리소그래피 시스템
JP2019518232A (ja) * 2016-06-03 2019-06-27 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． パターニングデバイス
JP7325961B2 (ja) 2016-06-03 2023-08-15 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． パターニングデバイス
JP2016164691A (ja) * 2016-06-16 2016-09-08 凸版印刷株式会社 反射型フォトマスクおよびその製造方法
WO2019186921A1 (ja) * 2018-03-29 2019-10-03 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置及び電子デバイスの製造方法
US10976665B2 (en) 2018-03-29 2021-04-13 Gigaphoton Inc. Extreme ultraviolet light generation apparatus and electronic device manufacturing method
US11119421B2 (en) 2019-10-29 2021-09-14 Gigaphoton Inc. Extreme ultraviolet light condensation mirror, extreme ultraviolet light generation apparatus, and electronic device manufacturing method
US11410785B2 (en) 2020-06-29 2022-08-09 Gigaphoton Inc. Extreme ultraviolet light concentrating mirror and electronic device manufacturing method
JP7471156B2 (ja) 2020-06-29 2024-04-19 ギガフォトン株式会社 極端紫外光集光ミラー及び電子デバイスの製造方法

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