JP2008270739A - 光学装置、多層膜反射鏡、露光装置、及びデバイス製造方法 - Google Patents

光学装置、多層膜反射鏡、露光装置、及びデバイス製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】望ましくない光を広い波長域で良好に減少、あるいは除去でき、光学性能の劣化を抑制できる光学装置を提供する。
【解決手段】光学装置は、極端紫外域の電磁波を反射可能な多層膜反射鏡を複数備えている。複数の前記多層膜反射鏡は、前記電磁波の光路に沿ってそれぞれ配置され、少なくとも２つの前記多層膜反射鏡の前記極端紫外域以外の波長域における反射波長特性が相互に異なる。
【選択図】図２

Description

本発明は、多層膜反射鏡を備えた光学装置、多層膜反射鏡、露光装置、及びデバイス製造方法に関する。
フォトリソグラフィ工程で用いられる露光装置において、例えば下記特許文献１に開示されているような、露光光として極端紫外（ＥＵＶ：Extreme Ultra-Violet）光を用いるＥＵＶ露光装置が案出されている。ＥＵＶ露光装置の光学系には多層膜反射鏡が用いられる。
米国公開第２００６／２４５０５８号公報
ＥＵＶ露光装置の光源から射出される光が、極端紫外領域（軟Ｘ線領域）のスペクトルを有する光のみならず、紫外領域、可視領域、及び赤外領域のスペクトルを有する光を含む可能性がある。極端紫外領域以外のスペクトルを有する光が、その光の照射が想定されていない部分に照射されると、その部分の温度が光の照射によって上昇する可能性がある。その場合、例えば照明光学系及び投影光学系の光学性能が劣化し、露光装置の性能が劣化する可能性がある。また、極端紫外領域以外のスペクトルを有する光が基板に照射されると、基板が不要に露光されたり、基板が加熱されたりして、露光不良が発生する可能性がある。
極端紫外領域以外のスペクトルを有する光等、望ましくない光を減少させるために、例えば多層膜に別の膜を付加することが考えられる。しかしながら、１つの多層膜反射鏡によって、望ましくない光を広い波長域で十分に減少させることは困難となる可能性がある。また、膜の構成によっては、望ましくない光を十分に減少することが困難となる可能性がある。
本発明の態様は、望ましくない光を広い波長域で良好に減少、あるいは除去でき、光学性能の劣化を抑制できる光学装置を提供することを目的とする。また、他の目的は、望ましくない光を良好に減少できる多層膜反射鏡を提供することである。また、別の目的は、性能の劣化を抑制でき、基板を良好に露光できる露光装置、及びその露光装置を用いるデバイス製造方法を提供することである。
本発明を例示する各態様として実施の形態に示す各図に対応付けした以下の構成を採用している。但し、各要素に付した括弧付き符号はその要素の例示に過ぎず、各要素を限定するものではない。
本発明を例示する第１の態様に従えば、極端紫外域の電磁波（Ｌ１）を反射可能な多層膜反射鏡（１０〜１５、２１〜２４）を複数備えた光学装置であって、複数の多層膜反射鏡（４１、４２）は、電磁波（Ｌ１）の光路に沿ってそれぞれ配置され、少なくとも２つの多層膜反射鏡（４１、４２）の極端紫外域以外の波長域における反射波長特性が相互に異なる。
本発明を例示する第１の態様によれば、望ましくない光を広い波長域で良好に減少、あるいは除去でき、光学性能の劣化を抑制できる。
本発明を例示する第２の態様に従えば、基材（３９）と、基材（３９）上に交互に積層された第１層（３１）及び第２層（３２）を含み、極端紫外域の電磁波（Ｌ１）を反射可能な多層膜（３３）と、多層膜（３３）の表面に接触するように形成された、極端紫外域以外の波長域の少なくとも一部の電磁波（Ｌ２）を吸収する吸収層（６０）と、を備え、吸収層（６０）は、多層膜（３３）の表面に接触するように形成された第１材料からなる第１吸収層（６１）と、第１吸収層（６１）の表面に接触するように形成された第２材料からなる第２吸収層（６２）とを含む多層膜反射鏡（４２）が提供される。
本発明を例示する第２の態様によれば、望ましくない光を良好に減少、あるいは除去でき、光学性能の劣化を抑制できる。
本発明を例示する第３の態様に従えば、露光光（Ｌ１）で基板（Ｐ）を露光する露光装置（ＥＸ）であって、上記態様の光学装置（ＩＬ、ＰＬ）を備えた露光装置（ＥＸ）が提供される。
本発明を例示する第３の態様によれば、光学性能の劣化が抑制された光学装置を備えているので、基板を良好に露光できる。
本発明を例示する第４の態様に従えば、上記態様の露光装置（ＥＸ）を用いて基板（Ｐ）を露光することと、露光された基板（Ｐ）を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。
本発明を例示する第４の態様によれば、基板を良好に露光できる露光装置を用いてデバイスを製造することができる。
本発明の態様によれば、望ましくない光を良好に減少、あるいは除去することができ、光学性能の劣化を抑制できる。したがって、基板を良好に露光でき。所望の性能を有するデバイスを製造できる。
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。なお、以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。そして、水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれに直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。
＜第１実施形態＞
第１実施形態について説明する。図１は、第１実施形態に係る露光装置ＥＸの一例を示す概略構成図である。図１において、露光装置ＥＸは、パターンが形成されたマスクＭを保持しながら移動可能なマスクステージ１と、デバイスを形成するための基板Ｐを保持しながら移動可能な基板ステージ２と、露光光を発生する光源装置３と、光源装置３から射出される露光光でマスクステージ１に保持されているマスクＭを照明する照明光学系ＩＬと、露光光で照明されたマスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する投影光学系ＰＬとを備えている。
本実施形態の露光装置ＥＸは、極端紫外光で基板Ｐを露光するＥＵＶ露光装置である。極端紫外光は、例えば波長５〜５０ｎｍ程度の極端紫外領域（軟Ｘ線領域）の電磁波である。以下の説明において、極端紫外光を適宜、ＥＵＶ光、と称する。
基板Ｐは、半導体ウエハ等の基材上に感光材（レジスト）等の膜（感光膜）が形成されたものを含む。マスクＭは、基板Ｐ上に投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。本実施形態では、露光光としてＥＵＶ光が用いられ、マスクＭは、ＥＵＶ光を反射可能な多層膜を有する反射型マスクである。反射型マスクの多層膜は、例えばＭｏ／Ｓｉ多層膜、あるいはＭｏ／Ｂｅ多層膜を含む。露光装置ＥＸは、多層膜が形成されたマスクＭの反射面（パターン形成面）を露光光（ＥＵＶ光）で照明し、そのマスクＭで反射した露光光で基板Ｐを露光する。一例として、本実施形態では、波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光を露光光として用いる。
また、本実施形態の露光装置ＥＸは、少なくとも露光光が通過する所定空間を形成し、その所定空間を真空状態（例えば、１．３×１０−３Ｐａ以下）にする真空システムを有するチャンバ装置４を備えている。
本実施形態の光源装置３は、レーザ励起型プラズマ光源装置であって、ハウジング５と、レーザ光を射出するレーザ装置６と、キセノンガス等のターゲット材料をハウジング５内に供給する供給部材７とを含む。レーザ装置６は、赤外領域及び可視領域の波長のレーザ光を発生する。レーザ装置６は、例えば半導体レーザ励起によるＹＡＧレーザ、エキシマレーザ等を含む。
また、光源装置３は、レーザ装置６から射出されたレーザ光を集光する集光光学系８を備えている。集光光学系８は、レーザ装置６から射出されたレーザ光を、ハウジング５内の位置９に集光する。供給部材７は、位置９にターゲット材料を供給する供給口を有する。集光光学系８で集光されたレーザ光は、供給部材７から供給されるターゲット材料に照射される。レーザ光が照射されたターゲット材料は、レーザ光のエネルギーによって高温になり、プラズマ状態に励起され、低ポテンシャル状態へ遷移する際に、ＥＵＶ光を含む光を発生する。供給部材７の先端で発生した光は、集光ミラー（コンデンサ）１０で反射し、集光される。集光ミラー１０は、ＥＵＶ光を反射可能な多層膜を備えた多層膜反射鏡を含む。集光ミラー１０を介した光は、ハウジング５の外側に配置されている照明光学系ＩＬの光学素子１１に入射する。光学素子１１は、コリメータミラーを含む。なお、光源装置３は、放電型プラズマ光源装置でもよい。
光源装置３は、極端紫外領域のスペクトルを有する光（ＥＵＶ光）のみならず、紫外領域、可視領域、及び赤外領域のスペクトルを有する光も発生する可能性がある。すなわち、光源装置３から射出される光は、極端紫外領域の光（電磁波）と、極端紫外領域以外の波長領域の光（電磁波）とを含む可能性がある。以下の説明において、光源装置３から射出される、紫外領域、可視領域、及び赤外領域等、極端紫外領域以外の波長領域の光を適宜、ＯｏＢ（Out of Band）光、と称する。
すなわち、本実施形態においては、光源装置３から射出される光Ｌ０は、極端紫外領域のＥＵＶ光（露光光）Ｌ１と、極端紫外領域以外の波長領域のＯｏＢ光Ｌ２とを含む。本実施形態においては、ＯｏＢ光Ｌ２の波長は、ＥＵＶ光Ｌ１の波長よりも長い。
照明光学系ＩＬは、光源装置３からの露光光Ｌ１でマスクＭを照明する。照明光学系ＩＬは、複数の光学素子１１、１２、１３、１４、１５を含み、マスクＭ上の所定の照明領域を均一な照度分布の露光光Ｌ１で照明する。光学素子１１〜１５のそれぞれは、ＥＵＶ光Ｌ１を反射可能な多層膜を備えた多層膜反射鏡を含む。照明光学系ＩＬにより照明され、マスクＭの反射面で反射した露光光Ｌ１は、投影光学系ＰＬの物体面側から投影光学系ＰＬに入射する。
マスクステージ１は、マスクＭを保持しながら、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６方向に移動可能な６自由度ステージである。本実施形態においては、マスクステージ１は、マスクＭの反射面とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、マスクＭを保持する。マスクステージ１（マスクＭ）の位置情報（Ｘ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に関する位置情報）は、不図示のレーザ干渉計を含む干渉計システムによって計測される。また、マスクステージ１に保持されているマスクＭの表面の面位置情報（Ｚ軸、θＸ、及びθＹに関する位置情報）は、不図示のフォーカス・レベリング検出システムによって検出される。干渉計システムの計測結果及びフォーカス・レベリング検出システムの検出結果に基づいて、マスクステージ１に保持されているマスクＭの位置が制御される。
投影光学系ＰＬは、複数の光学素子２１、２２、２３、２４を含み、マスクＭのパターンの像を所定の投影倍率で基板Ｐに投影する。光学素子２１〜２４のそれぞれは、ＥＵＶ光Ｌ１を反射可能な多層膜を備えた多層膜反射鏡を含む。投影光学系ＰＬの物体面側から投影光学系ＰＬに入射した露光光Ｌ１は、投影光学系ＰＬの像面側に射出され、基板Ｐに入射する。露光光Ｌ１で照明されたマスクＭのパターンの像は、投影光学系ＰＬを介して、感光膜が形成された基板Ｐに投影される。
基板ステージ２は、基板Ｐを保持しながら、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６方向に移動可能な６自由度ステージである。本実施形態においては、基板ステージ２は、基板Ｐの表面とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、基板Ｐを保持する。基板ステージ２（基板Ｐ）の位置情報（Ｘ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に関する位置情報）は、不図示のレーザ干渉計を含む干渉計システムによって計測される。また、基板ステージ２に保持されている基板Ｐの表面の面位置情報（Ｚ軸、θＸ、及びθＹに関する位置情報）は、不図示のフォーカス・レベリング検出システムによって検出される。干渉計システムの計測結果及びフォーカス・レベリング検出システムの検出結果に基づいて、基板ステージ２に保持されている基板Ｐの位置が制御される。
露光光Ｌ１を用いてマスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影するために、図１に示すように、マスクＭがマスクステージ１に保持され、基板Ｐが基板ステージ２に保持される。光源装置３より露光光（ＥＵＶ光）Ｌ１が射出されると、照明光学系ＩＬは、光源装置３からの露光光Ｌ１を、多層膜反射鏡からなる複数の光学素子１１〜１５のそれぞれで反射して、マスクＭへ導く。マスクＭは、照明光学系ＩＬからの露光光Ｌ１で照明される。マスクＭの反射面に照射され、その反射面で反射した露光光Ｌ１は、投影光学系ＰＬに入射する。投影光学系ＰＬは、マスクＭからの露光光Ｌ１を、多層膜反射鏡からなる複数の光学素子２１〜２４のそれぞれで反射して、基板Ｐへ導く。感光性の基板Ｐは、投影光学系ＰＬからの露光光Ｌ１で露光される。これにより、マスクＭのパターンの像が投影光学系ＰＬを介して基板Ｐに投影される。
本実施形態においては、照明光学系ＩＬは、極端紫外領域以外の波長領域の少なくとも一部の光（電磁波）、すなわちＯｏＢ光Ｌ２の反射を抑制する（減少させる）多層膜反射鏡を少なくとも２つ含む。本実施形態においては、少なくとも２つの多層膜反射鏡により反射が抑制される波長領域は、互いに異なる。すなわち、照明光学系ＩＬの複数の多層膜反射鏡のうち、第１の多層膜反射鏡は、第１波長領域のＯｏＢ光の反射を主に抑制し、第２の多層膜反射鏡は、第１波長領域と異なる第２波長領域のＯｏＢ光の反射を主に抑制する。
上述のように、本実施形態においては、ＯｏＢ光Ｌ２の波長を、ＥＵＶ光Ｌ１の波長よりも長い波長とする。すなわち、本実施形態においては、多層膜反射鏡によって反射が抑制される波長領域は、極端紫外領域よりも長い波長領域を含む。極端紫外領域よりも長い波長領域は、紫外領域、可視領域、及び赤外領域の少なくとも１つの波長領域を含む。
本実施形態においては、ＯｏＢ光Ｌ２の反射を抑制する多層膜反射鏡が、極端紫外領域よりも長い紫外領域のＯｏＢ光Ｌ２の反射を抑制する場合を例にして説明する。
後述するように、本実施形態において、ＯｏＢ光Ｌ２の反射を抑制する多層膜反射鏡は、極端紫外領域以外の波長領域の少なくとも一部の光（電磁波）を吸収する吸収層を備えている。吸収層を備える多層膜反射鏡は、ＯｏＢ光Ｌ２を吸収することによって、ＯｏＢ光Ｌ２の反射を抑制する。
本実施形態においては、照明光学系ＩＬの複数の多層膜反射鏡のうち、第１の多層膜反射鏡が第１波長領域のＯｏＢ光Ｌ２の反射を良好に抑制できるように、第１波長領域に応じて第１の多層膜反射鏡に設けられる吸収層が調整され、第２の多層膜反射鏡が第２波長領域のＯｏＢ光Ｌ２の反射を良好に抑制できるように、第２波長領域に応じて第２の多層膜反射鏡に設けられる吸収層が調整されている。第１の多層膜反射鏡の吸収層の構成と、第２の多層膜反射鏡の吸収層の構成とは異なる。吸収層の構成は、吸収層を形成する材料の種類（物性）、及び吸収層の厚みの少なくとも一方を含む。
すなわち、第１の多層膜反射鏡の吸収層は、第１波長領域のＯｏＢ光Ｌ２を主に吸収し、第２の多層膜反射鏡の吸収層は、第１波長領域と異なる第２波長領域のＯｏＢ光Ｌ２を主に吸収するように調整されている。換言すれば、本実施形態においては、第１の多層膜反射鏡の吸収層に対して吸収効率が高い波長と、第２の多層膜反射鏡の吸収層に対して吸収効率が高い波長とは異なる。
本実施形態の照明光学系ＩＬは、第１波長領域のＯｏＢ光Ｌ２の反射を主に抑制できる第１の多層膜反射鏡と、第２波長領域のＯｏＢ光Ｌ２の反射を主に抑制できる第２の多層膜反射鏡とを備えているので、それら第１の多層膜反射鏡と第２の多層膜反射鏡とを組み合わせて、広い波長領域においてＯｏＢ光Ｌ２を十分に減少、あるいは除去することができる。
例えば、第１の多層膜反射鏡で短い波長のＯｏＢ光Ｌ２の反射を十分に抑制できるように、その第１の多層膜反射鏡の吸収層の構成を調整し、第２の多層膜反射鏡で長い波長のＯｏＢ光Ｌ２の反射を十分に抑制できるように、その第２の多層膜反射鏡の吸収層の構成を調整することによって、第１の多層膜反射鏡と第２の多層膜反射鏡との両方で、広い波長領域のＯｏＢ光Ｌ２を吸収して、反射を抑制することができる。したがって、マスクＭ、投影光学系ＰＬ、及び基板Ｐ等、照明光学系ＩＬの光路の下流側の物体にＯｏＢ光Ｌ２が導かれることを良好に抑制できる。
図２の（Ａ）部は、吸収層が設けられていない多層膜反射鏡のＯｏＢ光Ｌ２に対する反射波長特性の一例を模式的に示す。横軸は多層膜反射鏡に入射する光（電磁波）の波長、縦軸は入射した光に対する多層膜反射鏡の反射率である。図２の（Ａ）部中、波長λ０は、紫外領域のうち、基板Ｐの感光膜が感光する（感光膜が感度を有する）波長の最大値である。すなわち、基板Ｐの感光膜は、極端紫外領域の波長λｅのＥＵＶ光Ｌ１で感光するとともに、紫外領域における波長λ０よりも短い波長領域のＯｏＢ光Ｌ２でも感光する。
以下の説明において、基板Ｐの感光膜が感光する（感光膜が感度を有する）極端紫外領域以外の波長領域を適宜、所定波長領域Ｈｓ、と称する。本実施形態においては、所定波長領域Ｈｓは、極端紫外領域の波長λｅよりも長い紫外領域であって、波長λ０よりも短い波長領域、換言すれば、紫外領域における最小値の波長から波長λ０までの波長領域を含む。
図２の（Ａ）部に示すような反射波長特性を有する多層膜反射鏡は、ＥＵＶ光Ｌ１のみならず、所定波長領域ＨｓのＯｏＢ光Ｌ２に対しても高い反射率を有する。したがって、照明光学系ＩＬの光学素子として、図２の（Ａ）部に示すような反射波長特性を有する多層膜反射鏡を用いた場合、光源装置３から射出された光Ｌ０のうち、ＥＵＶ光Ｌ１のみならず、基板Ｐの感光膜を感光させてしまうＯｏＢ光Ｌ２も多層膜反射鏡で反射してしまう。その場合、ＯｏＢ光Ｌ２は、マスクＭに到達し、マスクＭ、及び投影光学系ＰＬを介して、基板Ｐに到達してしまう。ＯｏＢ光Ｌ２が基板Ｐに照射されると、基板Ｐが不要に露光されたり、基板Ｐが加熱されたりして、露光不良が発生する可能性がある。
図２の（Ｂ）部は、第１波長領域Ｈ１のＯｏＢ光Ｌ２の反射を主に抑制する第１の多層膜反射鏡のＯｏＢ光Ｌ２に対する反射波長特性の一例を模式的に示す。横軸は多層膜反射鏡に入射する光（電磁波）の波長、縦軸は入射した光に対する多層膜反射鏡の反射率である。図２の（Ｂ）部に示すように、波長λ１から波長λ２までの第１波長領域Ｈ１のＯｏＢ光Ｌ２に対する第１の多層膜反射鏡の反射率は抑制されている。波長λ１、λ２は、紫外領域の波長であって、波長λ０よりも短く、且つ極端紫外領域（ＥＵＶ光Ｌ１の波長）よりも長い。すなわち、第１波長領域Ｈ１は、所定波長領域Ｈｓの一部である。なお、波長λ２は、波長λ１よりも長い。
本実施形態においては、第１波長領域Ｈ１の反射を抑制するように、第１の多層膜反射鏡の吸収層の構成が調整されている。上述のように、第１波長領域Ｈ１は所定波長領域Ｈｓの一部であり、第１の多層膜反射鏡は、極端紫外領域よりも長く、且つ所定波長領域Ｈｓの少なくとも一部の波長領域の反射を抑制する。
しかし、第１の多層膜反射鏡は、所定波長領域Ｈｓのうち、波長λ２から波長λ０までの波長領域の光の反射を十分に抑制することができない。そのため、照明光学系ＩＬの複数の多層膜反射鏡のうち、吸収層を備える多層膜反射鏡が第１の多層膜反射鏡のみであって、他の多層膜反射鏡は吸収層を備えていない場合、光源装置３から射出されたＯｏＢ光Ｌ２のうち、波長λ２から波長λ０までの波長領域の光は、マスクＭに到達し、マスクＭ、及び投影光学系ＰＬを介して、基板Ｐに到達してしまう。この場合においても、露光不良が発生する可能性がある。
図２の（Ｃ）部は、第２波長領域Ｈ２のＯｏＢ光Ｌ２の反射を主に抑制する第２の多層膜反射鏡のＯｏＢ光Ｌ２に対する反射波長特性の一例を模式的に示す。横軸は多層膜反射鏡に入射する光（電磁波）の波長、縦軸は入射した光に対する多層膜反射鏡の反射率である。図２の（Ｃ）部に示すように、波長λ２から波長λ３までの第２波長領域Ｈ２のＯｏＢ光Ｌ２に対する第２の多層膜反射鏡の反射率は抑制されている。波長λ２、λ３は、紫外領域の波長であって、極端紫外領域（ＥＵＶ光Ｌ１の波長）よりも長い。本実施形態においては、波長λ２は、波長λ０よりも短く、波長λ３は、波長λ０よりも長い。すなわち、第２波長領域Ｈ２は、所定波長領域Ｈｓの少なくとも一部を含む。
本実施形態においては、第２波長領域Ｈ２の反射を抑制するように、第２の多層膜反射鏡の吸収層の構成が調整されている。上述のように、第２波長領域Ｈ２は所定波長領域Ｈｓの一部を含み、第２の多層膜反射鏡は、極端紫外領域よりも長く、且つ所定波長領域Ｈｓの少なくとも一部の波長領域の反射を抑制する。
しかし、第２の多層膜反射鏡は、所定波長領域Ｈｓのうち、その所定波長領域Ｈｓの最小値の波長から波長λ２までの波長領域の光の反射を十分に抑制することができない。そのため、照明光学系ＩＬの複数の多層膜反射鏡のうち、吸収層を備える多層膜反射鏡が第２の多層膜反射鏡のみであって、他の多層膜反射鏡は吸収層を備えていない場合、光源装置３から射出されたＯｏＢ光Ｌ２のうち、所定波長領域Ｈｓの最小値の波長から波長λ２までの波長領域の光は、マスクＭに到達し、マスクＭ、及び投影光学系ＰＬを介して、基板Ｐに到達してしまう。この場合においても、露光不良が発生する可能性がある。
図２の（Ｄ）部は、第１波長領域Ｈ１のＯｏＢ光Ｌ２の反射を主に抑制する第１の多層膜反射鏡と、第２波長領域Ｈ２のＯｏＢ光Ｌ２の反射を主に抑制する第２の多層膜反射鏡とを組み合わせた場合のＯｏＢ光Ｌ２に対するトータルの反射波長特性の一例を模式的に示す。横軸は多層膜反射鏡に入射する光（電磁波）の波長、縦軸は入射した光に対する多層膜反射鏡の反射率である。第１の多層膜反射鏡と第２の多層膜反射鏡とを組み合わせることによって、図２の（Ｄ）部に示すように、波長λ１から波長λ３までの広い波長領域のＯｏＢ光Ｌ２の反射を抑制することができる。したがって、マスクＭ、投影光学系ＰＬ、基板Ｐ等、照明光学系ＩＬの光路の下流側の物体にＯｏＢ光Ｌ２が導かれることを良好に抑制できる。第１の多層膜反射鏡と第２の多層膜反射鏡とを組み合わせることによって、反射が抑制される波長領域は、極端紫外領域よりも長く、且つ所定波長領域Ｈｓである波長域の少なくとも一部を含むので、基板Ｐが不要に露光されることを抑制できる。図２の（Ｄ）部に示す例では、第１の多層膜反射鏡と第２の多層膜反射鏡とによって、基板Ｐの感光膜が感光する所定波長領域Ｈｓのほぼ全ての光の反射を抑制することができる。
次に、吸収層を備えた多層膜反射鏡の一例について説明する。図３は、本実施形態に係る第１の多層膜反射鏡４１を示す模式図である。図４は、本実施形態に係る第２の多層膜反射鏡４２を示す模式図である。本実施形態においては、集光ミラー１０、及び照明光学系ＩＬの複数の多層膜反射鏡１１〜１５のうち、少なくとも１つの多層膜反射鏡が、図３に示す第１の多層膜反射鏡４１で構成され、少なくとも１つの多層膜反射鏡が、図４に示す第２の多層膜反射鏡４２で構成される。
まず、第１の多層膜反射鏡４１について説明する。図３において、第１の多層膜反射鏡４１は、基材３９と、基材３９上に所定の周期長で交互に積層された第１層３１及び第２層３２を含み、ＥＵＶ光Ｌ１を反射可能な多層膜３３と、多層膜３３の表面に接触するように形成された、極端紫外領域以外の波長領域（紫外領域）の少なくとも一部のＯｏＢ光Ｌ２を吸収する吸収層５０とを備えている。
基材３９は、例えば超低膨張ガラスで形成される。基材３９としては、例えばコーニング社製ＵＬＥ、ショット社製Ｚｅｒｏｄｕｒ（登録商標）等を用いることができる。
多層膜３３は、所定の周期長ｄで交互に積層された第１層３１及び第２層３２を含む。周期長ｄは、第１層３１の厚みｄ１と第２層３２の厚みｄ２との和（ｄ１＋ｄ２）である。光干渉理論に基づいて、第１層３１と第２層３２との各界面で反射した反射波の位相が一致するように、第１層３１の厚みｄ１及び第２層３２の厚みｄ２のそれぞれが設定されている。多層膜３３は、例えば６０％以上の高い反射率でＥＵＶ光を反射可能である。
一例として、本実施形態における周期長ｄは、７ｎｍである。以下の説明において、１組の第１層３１と第２層３２とを適宜、層対３４、と称する。
なお、周期長ｄ（層対３４の厚み）は、多層膜３３の表面に対するＥＵＶ光Ｌ１の入射角に応じて調整される。本実施形態においては、多層膜３３の表面に対するＥＵＶ光Ｌ１の入射角がほぼ９０度である場合に、ＥＵＶ光Ｌ１を良好に反射できるように、周期長ｄ（層対３４の厚み）が調整されている。
基材３９上には、例えば数十〜数百組の層対３４が積層される。一例として、本実施形態においては、基材３９上に５０組の層対３４が積層されている。なお、図では、層対３４の一部を省略して図示してある。
第１層３１は、ＥＵＶ光Ｌ１に対する屈折率と真空の屈折率との差が大きい物質で形成されている。第２層３２は、ＥＵＶ光Ｌ２に対する屈折率と真空の屈折率との差が小さい物質で形成されている。すなわち、第１層３１のＥＵＶ光に対する屈折率と真空の屈折率との差は、第２層３２の前記差よりも大きい。本実施形態においては、第１層（重原子層）３１は、モリブデン（Ｍｏ）で形成されており、第２層（軽原子層）３２は、シリコン（Ｓｉ）で形成されている。すなわち、本実施形態の多層膜３３は、モリブデン層（Ｍｏ層）とシリコン層（Ｓｉ層）とを交互に積層したＭｏ／Ｓｉ多層膜である。
真空の屈折率ｎ＝１である。また、例えば波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光に対するモリブデンの屈折率ｎＭｏ＝０．９２であり、シリコンの屈折率ｎＳｉ＝０．９９８である。このように、第２層３２は、ＥＵＶ光Ｌ１に対する屈折率が真空の屈折率とほぼ等しい物質で形成される。
また、本実施形態においては、多層膜３３の表面は、第２層（Ｓｉ層）３２で形成されている。これにより、多層膜３３の表面の酸化を抑制できる。
図３において、第１の多層膜反射鏡４１の吸収層５０は、一酸化珪素（ＳｉＯ）で形成されている。一例として、本実施形態における吸収層５０の厚みは、２９ｎｍである。
次に、第２の多層膜反射鏡４２について説明する。図４において、第２の多層膜反射鏡４２は、基材３９と、基材３９上に所定の周期長ｄで交互に積層された第１層３１及び第２層３２を含み、ＥＵＶ光Ｌ１を反射可能な多層膜３３と、多層膜３３の表面に接触するように形成された、極端紫外領域以外の波長領域（紫外領域）の少なくとも一部のＯｏＢ光Ｌ２を吸収する吸収層６０とを備えている。
本実施形態においては、第２の多層膜反射鏡４２の基材３９、第１層３１、及び第２層３２は、第１の多層膜反射鏡４１の基材３９、第１層３１、及び第２層３２と同等である。第２の多層膜反射鏡４２の基材３９、第１層３１、及び第２層３２についての説明は省略する。
図４において、第２の多層膜反射鏡４２の吸収層６０は、２つの吸収層で形成されている。吸収層６０は、多層膜３３の表面に接触するように形成された第１材料からなる第１吸収層６１と、第１吸収層６１の表面に接触するように形成された第２材料からなる第２吸収層６２とを含む。本実施形態においては、第１吸収層６１は、一酸化珪素（ＳｉＯ）で形成され、第２吸収層６２は、シリコン（Ｓｉ）で形成されている。一例として、本実施形態における第１吸収層６１の厚みは、１６ｎｍであり、第２吸収層６２の厚みは、９ｎｍである。
図５は、図３に示した第１の多層膜反射鏡４１の反射波長特性を示す図である。横軸は多層膜反射鏡に入射するＯｏＢ光Ｌ２の波長、縦軸は入射したＯｏＢ光Ｌ２に対する多層膜反射鏡の反射率である。図５には、波長１００ｎｍから波長９００ｎｍまでの波長領域のＯｏＢ光Ｌ２に対する第１の多層膜反射鏡４１の反射率が実線で示されている。また、図５には、多層膜３３の表面（吸収層５０の表面）に対する光の入射角がほぼ９０度である場合が示されている。なお、比較例として、吸収層が設けられていない多層膜反射鏡のＯｏＢ光Ｌ２に対する反射率を破線で示す。
図５に示すように、本実施形態の第１の多層膜反射鏡４１は、波長３００ｎｍ付近の波長領域のＯｏＢ光Ｌ２の反射を良好に抑制できる。
図６は、図４に示した第２の多層膜反射鏡４２の反射波長特性を示す図である。横軸は多層膜反射鏡に入射するＯｏＢ光Ｌ２の波長、縦軸は入射したＯｏＢ光Ｌ２に対する多層膜反射鏡の反射率である。図６には、波長１００ｎｍから波長９００ｎｍまでの波長領域のＯｏＢ光Ｌ２に対する第２の多層膜反射鏡４２の反射率が実線で示されている。また、図６には、多層膜３３の表面（吸収層６０の表面）に対する光の入射角がほぼ９０度である場合が示されている。なお、比較例として、吸収層が設けられていない多層膜反射鏡のＯｏＢ光Ｌ２に対する反射率を破線で示す。
図６に示すように、本実施形態の第２の多層膜反射鏡４２は、波長６００ｎｍ付近の波長領域のＯｏＢ光Ｌ２の反射を良好に抑制できる。
図７は、図３に示した第１の多層膜反射鏡４１と図４に示した第２の多層膜反射鏡４２とを組み合わせた場合の反射波長特性を示す図である。横軸は多層膜反射鏡に入射するＯｏＢ光Ｌ２の波長、縦軸は入射したＯｏＢ光Ｌ２に対する多層膜反射鏡の反射率である。図７には、波長１００ｎｍから波長９００ｎｍまでの波長領域のＯｏＢ光Ｌ２に対する第１の多層膜反射鏡４１及び第２の多層膜反射鏡４２のトータルの反射率が実線で示されている。また、図７には、多層膜３３の表面（吸収層５０、６０の表面）に対する光の入射角がほぼ９０度である場合が示されている。なお、比較例として、吸収層が設けられていない多層膜反射鏡を２つ組み合わせた場合のＯｏＢ光Ｌ２に対する反射率を破線で示す。
図７に示すように、第１の多層膜反射鏡４１と第２の多層膜反射鏡４２とを組み合わせることによって、波長１００ｎｍから波長９００ｎｍまでの広い波長領域において、ＯｏＢ光Ｌ２の反射を良好に抑制できる。
以上説明したように、本実施形態によれば、ＯｏＢ光Ｌ２の反射が抑制される波長領域が互いに異なる少なくとも２つの多層膜反射鏡４１、４２を設けることによって、広い波長領域においてＯｏＢ光Ｌ２を良好に減少、あるいは除去することができる。したがって、例えば光源装置３から射出されたＯｏＢ光Ｌ２が、照明光学系ＩＬの光路の下流側の物体に導かれたり、光の照射が想定されていない部分に照射されたりすることが抑制される。したがって、例えばＯｏＢ光Ｌ２の照射による照明光学系ＩＬの加熱を抑制できるので、照明光学系ＩＬの光学性能の劣化を抑制できる。また、ＯｏＢ光Ｌ２の照射によるマスクＭの加熱を抑制できるので、マスクＭの熱変形等を抑制でき、露光不良の発生を抑制できる。また、例えばＯｏＢ光Ｌ２の照射による投影光学系ＰＬの加熱を抑制できるので、投影光学系ＰＬの光学性能（結像特性）の劣化を抑制できる。また、ＯｏＢ光Ｌ２の基板Ｐへの入射を抑制できるので、基板Ｐの不要な露光、基板Ｐの加熱等を抑制できるので、露光不良の発生を抑制できる。
＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分について同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
本実施形態においては、集光ミラー１０、及び照明光学系ＩＬの複数の多層膜反射鏡１１〜１５のうち、少なくとも１つの多層膜反射鏡が、図８に示す第１の多層膜反射鏡４１Ｂで構成され、少なくとも１つの多層膜反射鏡が、図９に示す第２の多層膜反射鏡４２Ｂで構成される場合について説明する。
まず、第１の多層膜反射鏡４１Ｂについて説明する。図８において、第１の多層膜反射鏡４１Ｂは、基材３９と、基材３９上に所定の周期長ｄで交互に積層された第１層３１及び第２層３２を含み、ＥＵＶ光Ｌ１を反射可能な多層膜３３と、多層膜３３の表面に接触するように形成された、極端紫外領域以外の波長領域（紫外領域）の少なくとも一部のＯｏＢ光Ｌ２を吸収する吸収層５１とを備えている。
本実施形態においては、第１の多層膜反射鏡４１Ｂの基材３９、第１層３１、及び第２層３２は、上述の第１実施形態で説明した第１の多層膜反射鏡４１の基材３９、第１層３１、及び第２層３２と同等である。第１の多層膜反射鏡４１Ｂの基材３９、第１層３１、及び第２層３２についての説明は省略する。
図８において、吸収層５１は、窒化硼素（ＢＮ）で形成されている。一例として、本実施形態における吸収層５１の厚みは、２４ｎｍである。
次に、第２の多層膜反射鏡４２Ｂについて説明する。図９において、第２の多層膜反射鏡４２Ｂは、基材３９と、基材３９上に所定の周期長ｄで交互に積層された第１層３１及び第２層３２を含み、ＥＵＶ光Ｌ１を反射可能な多層膜３３と、多層膜３３の表面に接触するように形成された、極端紫外領域以外の波長領域（紫外領域）の少なくとも一部のＯｏＢ光Ｌ２を吸収する吸収層６３とを備えている。
本実施形態においては、第２の多層膜反射鏡４２Ｂの基材３９、第１層３１、及び第２層３２は、上述の第１実施形態で説明した第１の多層膜反射鏡４１の基材３９、第１層３１、及び第２層３２と同等である。第２の多層膜反射鏡４２Ｂの基材３９、第１層３１、及び第２層３２についての説明は省略する。
図９において、吸収層６３は、多層膜３３の表面に接触するように形成された第１材料からなる第１吸収層６４と、第１吸収層６４の表面に接触するように形成された第２材料からなる第２吸収層６５、６６とを含む。本実施形態においては、第１吸収層６４は、炭素（Ｃ）で形成され、第２吸収層６５、６６は、モリブデン（Ｍｏ）で形成された層６５、及びそのモリブデンで形成された層６５の表面に接触するようにシリコン（Ｓｉ）で形成された層６６を含む。すなわち、第２の多層膜反射鏡４２Ｂに設けられる吸収層６３は、炭素（Ｃ）からなる吸収層６４、モリブデン（Ｍｏ）からなる吸収層６５、及びシリコン（Ｓｉ）からなる吸収層６６の３つの吸収層で形成されている。一例として、本実施形態における吸収層６４の厚みは、３０ｎｍであり、吸収層６５の厚みは、１ｎｍであり、吸収層６６の厚みは、６ｎｍである。
図１０は、図８に示した第１の多層膜反射鏡４１Ｂの反射波長特性を示す図である。横軸は多層膜反射鏡に入射するＯｏＢ光Ｌ２の波長、縦軸は入射したＯｏＢ光Ｌ２に対する多層膜反射鏡の反射率である。図１０には、波長１００ｎｍから波長９００ｎｍまでの波長領域のＯｏＢ光Ｌ２に対する第１の多層膜反射鏡４１Ｂの反射率が実線で示されている。また、図１０には、多層膜３３の表面（吸収層５１の表面）に対する光の入射角がほぼ９０度である場合が示されている。なお、比較例として、吸収層が設けられていない多層膜反射鏡のＯｏＢ光Ｌ２に対する反射率を破線で示す。
図１０に示すように、本実施形態の第１の多層膜反射鏡４１Ｂは、波長３００ｎｍ付近の波長領域のＯｏＢ光Ｌ２の反射を良好に抑制できる。
図１１は、図９に示した第２の多層膜反射鏡４２Ｂの反射波長特性を示す図である。横軸は多層膜反射鏡に入射するＯｏＢ光Ｌ２の波長、縦軸は入射したＯｏＢ光Ｌ２に対する多層膜反射鏡の反射率である。図１１には、波長１００ｎｍから波長９００ｎｍまでの波長領域のＯｏＢ光Ｌ２に対する第２の多層膜反射鏡４２Ｂの反射率が実線で示されている。また、図１１には、多層膜３３の表面（吸収層６３の表面）に対する光の入射角がほぼ９０度である場合が示されている。なお、比較例として、吸収層が設けられていない多層膜反射鏡のＯｏＢ光Ｌ２に対する反射率を破線で示す。
図１１に示すように、本実施形態の第２の多層膜反射鏡４２Ｂは、波長６００ｎｍ付近の波長領域のＯｏＢ光Ｌ２の反射を良好に抑制できる。
図１２は、図８に示した第１の多層膜反射鏡４１Ｂと図９に示した第２の多層膜反射鏡４２Ｂとを組み合わせた場合の反射波長特性を示す図である。横軸は多層膜反射鏡に入射するＯｏＢ光Ｌ２の波長、縦軸は入射したＯｏＢ光Ｌ２に対する多層膜反射鏡の反射率である。図１２には、波長１００ｎｍから波長９００ｎｍまでの波長領域のＯｏＢ光Ｌ２に対する第１の多層膜反射鏡４１Ｂ及び第２の多層膜反射鏡４２Ｂのトータルの反射率が実線で示されている。また、図１２には、多層膜３３の表面（吸収層５１、６３の表面）に対する光の入射角がほぼ９０度である場合が示されている。なお、比較例として、吸収層が設けられていない多層膜反射鏡を２つ組み合わせた場合のＯｏＢ光Ｌ２に対する反射率を破線で示す。
図１２に示すように、第１の多層膜反射鏡４１Ｂと第２の多層膜反射鏡４２Ｂとを組み合わせることによって、波長１００ｎｍから波長９００ｎｍまでの広い波長領域において、ＯｏＢ光Ｌ２の反射を良好に抑制できる。
＜第３実施形態＞
次に、第３実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分について同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
本実施形態においては、集光ミラー１０、及び照明光学系ＩＬの複数の多層膜反射鏡１１〜１５のうち、少なくとも１つの多層膜反射鏡が、上述した図３に示す第１の多層膜反射鏡４１で構成され、少なくとも１つの多層膜反射鏡が、図１３に示す第２の多層膜反射鏡４２Ｃで構成される場合について説明する。
本実施形態における第１の多層膜反射鏡は、上述の図３を参照して説明した第１の多層膜反射鏡４１であるため、その説明を省略する。また、第１の多層膜反射鏡４１の反射波長特性は、図５を参照して説明したので、その説明を省略する。
次に、第２の多層膜反射鏡４２Ｃについて説明する。図１３において、第２の多層膜反射鏡４２Ｃは、基材３９と、基材３９上に所定の周期長ｄで交互に積層された第１層３１及び第２層３２を含み、ＥＵＶ光Ｌ１を反射可能な多層膜３３と、多層膜３３の表面に接触するように形成された、極端紫外領域以外の波長領域（紫外領域）の少なくとも一部のＯｏＢ光Ｌ２を吸収する吸収層６７とを備えている。
本実施形態においては、第２の多層膜反射鏡４２Ｃの基材３９、第１層３１、及び第２層３２は、上述の第１実施形態で説明した第１の多層膜反射鏡４１の基材３９、第１層３１、及び第２層３２と同等である。第２の多層膜反射鏡４２Ｃの基材３９、第１層３１、及び第２層３２についての説明は省略する。
図１３において、吸収層６７は、多層膜３３の表面に接触するように形成された第１材料からなる第１吸収層６８と、第１吸収層６８の表面に接触するように形成された第２材料からなる第２吸収層６９とを含む。本実施形態においては、第１吸収層６８は、窒化硼素（ＢＮ）で形成され、第２吸収層６９は、シリコン（Ｓｉ）で形成されている。一例として、本実施形態における第１吸収層６８の厚みは、２４ｎｍであり、第２吸収層６９の厚みは、６ｎｍである。
図１４は、図１３に示した第２の多層膜反射鏡４２Ｃの反射波長特性を示す図である。横軸は多層膜反射鏡に入射するＯｏＢ光Ｌ２の波長、縦軸は入射したＯｏＢ光Ｌ２に対する多層膜反射鏡の反射率である。図１４には、波長１００ｎｍから波長９００ｎｍまでの波長領域のＯｏＢ光Ｌ２に対する第２の多層膜反射鏡４２Ｃの反射率が実線で示されている。また、図１４には、多層膜３３の表面（吸収層６７の表面）に対する光の入射角がほぼ９０度である場合が示されている。なお、比較例として、吸収層が設けられていない多層膜反射鏡のＯｏＢ光に対する反射率を破線で示す。
図１４に示すように、本実施形態の第２の多層膜反射鏡４２Ｃは、波長６００ｎｍ付近の波長領域のＯｏＢ光Ｌ２の反射を良好に抑制できる。
図１５は、図３に示した第１の多層膜反射鏡４１と図１３に示した第２の多層膜反射鏡４２Ｃとを組み合わせた場合の反射波長特性を示す図である。横軸は多層膜反射鏡に入射するＯｏＢ光Ｌ２の波長、縦軸は入射したＯｏＢ光Ｌ２に対する多層膜反射鏡の反射率である。図１５には、波長１００ｎｍから波長９００ｎｍまでの波長領域のＯｏＢ光Ｌ２に対する第１の多層膜反射鏡４１及び第２の多層膜反射鏡４２Ｃのトータルの反射率が実線で示されている。また、図１５には、多層膜３３の表面（吸収層５０、６７の表面）に対する光の入射角がほぼ９０度である場合が示されている。なお、比較例として、吸収層が設けられていない多層膜反射鏡を２つ組み合わせた場合のＯｏＢ光Ｌ２に対する反射率を破線で示す。
図１５に示すように、第１の多層膜反射鏡４１と第２の多層膜反射鏡４２Ｃとを組み合わせることによって、波長１００ｎｍから波長９００ｎｍまでの広い波長領域において、ＯｏＢ光Ｌ２の反射を良好に抑制できる。
＜第４実施形態＞
次に、第４実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分について同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
本実施形態においては、集光ミラー１０、及び照明光学系ＩＬの複数の多層膜反射鏡１１〜１５のうち、少なくとも１つの多層膜反射鏡が、上述した図８に示す第１の多層膜反射鏡４１Ｂで構成され、少なくとも１つの多層膜反射鏡が、図１６に示す第２の多層膜反射鏡４２Ｄで構成される場合について説明する。
本実施形態における第１の多層膜反射鏡は、上述の図８を参照して説明した第１の多層膜反射鏡４１Ｂであるため、その説明を省略する。また、第１の多層膜反射鏡４１Ｂの反射波長特性は、図１０を参照して説明したので、その説明を省略する。
次に、第２の多層膜反射鏡４２Ｄについて説明する。図１６において、第２の多層膜反射鏡４２Ｄは、基材３９と、基材３９上に所定の周期長ｄで交互に積層された第１層３１及び第２層３２を含み、ＥＵＶ光Ｌ１を反射可能な多層膜３３と、多層膜３３の表面に接触するように形成された、極端紫外領域以外の波長領域（紫外領域）の少なくとも一部のＯｏＢ光Ｌ２を吸収する吸収層７０とを備えている。
本実施形態においては、第２の多層膜反射鏡４２Ｄの基材３９、第１層３１、及び第２層３２は、上述の第１実施形態で説明した第１の多層膜反射鏡４１の基材３９、第１層３１、及び第２層３２と同等である。第２の多層膜反射鏡４２Ｄの基材３９、第１層３１、及び第２層３２についての説明は省略する。
図１６において、吸収層７０は、多層膜３３の表面に接触するように形成された第１材料からなる第１吸収層７１と、第１吸収層７１の表面に接触するように形成された第２材料からなる第２吸収層７２とを含む。本実施形態においては、第１吸収層７１は、炭化硼素（Ｂ４Ｃ）で形成され、第２吸収層７２は、シリコン（Ｓｉ）で形成されている。一例として、本実施形態における第１吸収層７１の厚みは、３１ｎｍであり、第２吸収層７２の厚みは、３ｎｍである。
図１７は、図１６に示した第２の多層膜反射鏡４２Ｄの反射波長特性を示す図である。横軸は多層膜反射鏡に入射するＯｏＢ光Ｌ２の波長、縦軸は入射したＯｏＢ光Ｌ２に対する多層膜反射鏡の反射率である。図１７には、波長１００ｎｍから波長９００ｎｍまでの波長領域のＯｏＢ光Ｌ２に対する第２の多層膜反射鏡４２Ｄの反射率が実線で示されている。また、図１７には、多層膜３３の表面（吸収層７０の表面）に対する光の入射角がほぼ９０度である場合が示されている。なお、比較例として、吸収層が設けられていない多層膜反射鏡のＯｏＢ光に対する反射率を破線で示す。
図１７に示すように、本実施形態の第２の多層膜反射鏡４２Ｄは、波長６００ｎｍ付近の波長領域のＯｏＢ光Ｌ２の反射を良好に抑制できる。
図１８は、図８に示した第１の多層膜反射鏡４１Ｂと図１６に示した第２の多層膜反射鏡４２Ｄとを組み合わせた場合の反射波長特性を示す図である。横軸は多層膜反射鏡に入射するＯｏＢ光Ｌ２の波長、縦軸は入射したＯｏＢ光Ｌ２に対する多層膜反射鏡の反射率である。図１８には、波長１００ｎｍから波長９００ｎｍまでの波長領域のＯｏＢ光Ｌ２に対する第１の多層膜反射鏡４１Ｂ及び第２の多層膜反射鏡４２Ｄのトータルの反射率が実線で示されている。また、図１８には、多層膜３３の表面（吸収層５１、７０の表面）に対する光の入射角がほぼ９０度である場合が示されている。なお、比較例として、吸収層が設けられていない多層膜反射鏡を２つ組み合わせた場合のＯｏＢ光Ｌ２に対する反射率を破線で示す。
図１８に示すように、第１の多層膜反射鏡４１Ｂと第２の多層膜反射鏡４２Ｄとを組み合わせることによって、波長１００ｎｍから波長９００ｎｍまでの広い波長領域において、ＯｏＢ光Ｌ２の反射を良好に抑制できる。
＜第５実施形態＞
次に、第５実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分について同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
本実施形態においては、集光ミラー１０、及び照明光学系ＩＬの複数の多層膜反射鏡１１〜１５のうち、少なくとも１つの多層膜反射鏡が、図１９に示す第１の多層膜反射鏡４１Ｃで構成され、少なくとも１つの多層膜反射鏡が、図２０に示す第２の多層膜反射鏡４２Ｅで構成される場合について説明する。
まず、第１の多層膜反射鏡４１Ｃについて説明する。図１９において、第１の多層膜反射鏡４１Ｃは、基材３９と、基材３９上に所定の周期長ｄで交互に積層された第１層３１及び第２層３２を含み、ＥＵＶ光Ｌ１を反射可能な多層膜３３と、多層膜３３の表面に接触するように形成された、極端紫外領域以外の波長領域（紫外領域）の少なくとも一部のＯｏＢ光Ｌ２を吸収する吸収層８０と、吸収層８０の表面に接触するように形成された保護層９０とを備えている。
本実施形態においては、第１の多層膜反射鏡４１Ｃの基材３９、第１層３１及び第２層３２は、上述の第１実施形態で説明した第１の多層膜反射鏡４１の基材３９、第１層３１及び第２層３２と同等である。第１の多層膜反射鏡４１Ｃの基材３９、第１層３１及び第２層３２についての説明は省略する。
図１９において、第１の多層膜反射鏡４１Ｃの吸収層８０は、炭化珪素（ＳｉＣ）で形成されている。一例として、本実施形態における吸収層８０の厚みは、１７ｎｍである。
また、図１９において、第１の多層膜反射鏡４１Ｃの保護層９０は、ルテニウム（Ｒｕ）で形成されている。一例として、本実施形態における保護層９０の厚みは、２ｎｍである。
なお、本実施形態における保護層９０は、多層膜反射鏡の表面の酸化防止膜、又は、多層膜反射鏡の表面に付着する汚染物（例えば、炭素を主成分とするカーボンコンタミネーション）を除去する際の保護膜として作用する。また、保護層９０は、ルテニウムを含む化合物（例えば、ルテニウム合金）、ルテニウムを含む酸化物、シリコン（Ｓｉ）、あるいはチタン（Ｔｉ）、などで形成されてもよい。
次に、第２の多層膜反射鏡４２Ｅについて説明する。図２０において、第２の多層膜反射鏡４２Ｅは、基材３９と、基材３９上に所定の周期長ｄで交互に積層された第１層３１及び第２層３２を含み、ＥＵＶ光Ｌ１を反射可能な多層膜３３と、多層膜３３の表面に接触するように形成された、極端紫外領域以外の波長領域（紫外領域）の少なくとも一部のＯｏＢ光Ｌ２を吸収する吸収層８１と、吸収層８１の表面に接触するように形成された、第１層３１と第２層３２とからなる層対３４を２組含む多層膜３５とを備えている。
本実施形態においては、第２の多層膜反射鏡４２Ｅの基材３９、第１層３１、及び第２層３２は、上述の第１実施形態で説明した第１の多層膜反射鏡４１の基材３９、第１層３１、及び第２層３２と同等である。第２の多層膜反射鏡４２Ｅの基材３９、第１層３１、及び第２層３２についての説明は省略する。
図２０において、第２の多層膜反射鏡４２Ｅの吸収層８１は、一酸化珪素（ＳｉＯ）で形成されている。一例として、本実施形態における吸収層８１の厚みは、２８ｎｍである。
また、図２０において、第２の多層膜反射鏡４２Ｅの多層膜３５は、２組の層対３４で形成されている。一例として、本実施形態における多層膜３５の厚みは、１組の層対３４の厚みを７ｎｍとして、１４ｎｍである。
図２１は、図１９に示した第１の多層膜反射鏡４１Ｃの反射波長特性を示す図である。横軸は多層膜反射鏡に入射するＯｏＢ光Ｌ２の波長、縦軸は入射したＯｏＢ光Ｌ２に対する多層膜反射鏡の反射率である。図２１には、波長１９０ｎｍから波長９００ｎｍまでの波長領域のＯｏＢ光Ｌ２に対する第１の多層膜反射鏡４１Ｃの反射率が実線で示されている。また、図２１には、多層膜３３の表面（保護層９０の表面）に対する光の入射角がほぼ９０度である場合が示されている。なお、比較例として、吸収層及び保護層が設けられていない多層膜反射鏡のＯｏＢ光Ｌ２に対する反射率を破線で示す。
図２１に示すように、本実施形態の第１の多層膜反射鏡４１Ｃは、特に波長２７０ｎｍ付近の波長領域のＯｏＢ光Ｌ２の反射を良好に抑制できる。
図２２は、図２０に示した第２の多層膜反射鏡４２Ｅの反射波長特性を示す図である。横軸は多層膜反射鏡に入射するＯｏＢ光Ｌ２の波長、縦軸は入射したＯｏＢ光Ｌ２に対する多層膜反射鏡の反射率である。図２２には、波長１００ｎｍから波長９００ｎｍまでの波長領域のＯｏＢ光Ｌ２に対する第２の多層膜反射鏡４２Ｅの反射率が実線で示されている。また、図２２には、多層膜３３の表面（多層膜３５の表面）に対する光の入射角がほぼ９０度である場合が示されている。なお、比較例として、吸収層及び多層膜３５が設けられていない多層膜反射鏡のＯｏＢ光Ｌ２に対する反射率を破線で示す。
図２２に示すように、本実施形態の第２の多層膜反射鏡４２Ｅは、特に波長６００ｎｍ付近の波長領域のＯｏＢ光Ｌ２の反射を良好に抑制できる。
次に、本実施形態において、少なくとも１つの多層膜反射鏡が、図２３に示す第２の多層膜反射鏡４２Ｆで構成される場合について説明する。
図２３において、第２の多層膜反射鏡４２Ｆは、基材３９と、基材３９上に所定の周期長ｄで交互に積層された第１層３１及び第２層３２を含み、ＥＵＶ光Ｌ１を反射可能な多層膜３３と、多層膜３３の表面に接触するように形成された、極端紫外領域以外の波長領域（紫外領域）の少なくとも一部のＯｏＢ光Ｌ２を吸収する吸収層８１と、吸収層８１の表面に接触するように形成された、第１層３１と第２層３２とからなる層対３４を１組含む多層膜３６と、多層膜３６の表面に接触するように形成された保護層９０とを備えている。
本実施形態においては、第２の多層膜反射鏡４２Ｆの基材３９、第１層３１及び第２層３２は、上述の第１実施形態で説明した第１の多層膜反射鏡４１の基材３９、第１層３１及び第２層３２と同等である。また、第２の多層膜反射鏡４２Ｆの吸収層８１は、本実施形態で説明した第２の多層膜反射鏡４２Ｅの吸収層８１と同等である。さらに、第２の多層膜反射鏡４２Ｆの保護層９０は、本実施形態で説明した第１の多層膜反射鏡４１Ｃの保護層９０と同等である。第２の多層膜反射鏡４２Ｆの基材３９、第１層３１、第２層３２、吸収層８１及び保護層９０についての説明は省略する。
また、図２３において、第２の多層膜反射鏡４２Ｆの多層膜３６は、１組の層対３４で形成されている。一例として、本実施形態における多層膜３６の厚みは、７ｎｍである。
図２４は、図２３に示した第２の多層膜反射鏡４２Ｆの反射波長特性を示す図である。横軸は多層膜反射鏡に入射するＯｏＢ光Ｌ２の波長、縦軸は入射したＯｏＢ光Ｌ２に対する多層膜反射鏡の反射率である。図２４には、波長１９０ｎｍから波長９００ｎｍまでの波長領域のＯｏＢ光Ｌ２に対する第２の多層膜反射鏡４２Ｆの反射率が実線で示されている。また、図２４には、多層膜３３の表面（保護層９０の表面）に対する光の入射角がほぼ９０度である場合が示されている。なお、比較例として、吸収層、多層膜３６及び保護層が設けられていない多層膜反射鏡のＯｏＢ光Ｌ２に対する反射率を破線で示す。
図２４に示すように、本実施形態の第２の多層膜反射鏡４２Ｆは、特に波長６５０ｎｍ付近の波長領域のＯｏＢ光Ｌ２の反射を良好に抑制できる。
このように、第１の多層膜反射鏡４１Ｃと第２の多層膜反射鏡４２Ｅとを組み合わせることによって、波長１００ｎｍから波長９００ｎｍまでの広い波長領域において、ＯｏＢ光Ｌ２の反射を良好に抑制できる。また、第１の多層膜反射鏡４１Ｃと第２の多層膜反射鏡４２Ｆとを組み合わせることによって、波長１００ｎｍから波長９００ｎｍまでの広い波長領域において、ＯｏＢ光Ｌ２の反射を良好に抑制できる。
なお、上述の第１〜第５実施形態においては、照明光学系ＩＬが、ＯｏＢ光Ｌ２の反射が抑制される波長領域が互いに異なる２つの多層膜反射鏡を備えている場合を例にして説明したが、もちろん、ＯｏＢ光Ｌ２の反射が抑制される波長領域が互いに異なる３つ以上の任意の複数の多層膜反射鏡を備えることができる。これにより、より広い波長領域におけるＯｏＢ光Ｌ２の反射を抑制できる。
なお、上述の各実施形態においては、ＯｏＢ光Ｌ２の反射を抑制する多層膜反射鏡が照明光学系ＩＬに配置されている場合を例にして説明したが、マスクＭからの光を基板Ｐへ導く投影光学系ＰＬが、ＯｏＢ光Ｌ２の反射を抑制する多層膜反射鏡を備えることができる。こうすることによっても、投影光学系ＰＬの光学性能の劣化を抑制し、露光不良の発生を抑制できる。
なお、上述の各実施形態においては、ＯｏＢ光Ｌ２の反射を抑制する多層膜反射鏡が、露光装置ＥＸの光学装置（照明光学系ＩＬ、投影光学系ＰＬ）に配置される場合を例にして説明したが、もちろん、露光装置ＥＸ以外の光学装置に、ＯｏＢ光Ｌ２の反射を抑制する多層膜反射鏡を配置することができる。光学装置が、第１の位置からの極端紫外領域の光（電磁波）を、複数の多層膜反射鏡のそれぞれで反射して、第２の位置へ導く場合、その光学装置に、ＯｏＢ光Ｌ２の反射を抑制する多層膜反射鏡を配置することによって、その光学装置の光学特性の劣化を抑制でき、第２の位置にＯｏＢ光Ｌ２が照射されることを抑制できる。
なお、上述の各実施形態においては、多層膜３３、３５、３６がＭｏ／Ｓｉ多層膜である場合を例にして説明したが、例えばＥＵＶ光Ｌ１の波長帯域に応じて、多層膜３３を形成する材料を変更することができる。例えば、１１．３ｎｍ付近の波長帯域のＥＵＶ光を用いる場合には、モリブデン層（Ｍｏ層）とベリリウム層（Ｂｅ層）とを交互に積層したＭｏ／Ｂｅ多層膜を用いることで、高い反射率を得ることができる。
また、上述の各実施形態において、多層膜３３、３５、３６の第１層３１を形成するための物質として、ルテニウム（Ｒｕ）、炭化モリブデン（Ｍｏ２Ｃ）、酸化モリブデン（ＭｏＯ２）、珪化モリブデン（ＭｏＳｉ２）等を用いてもよい。また、多層膜３３、３５、３６の第２層３２を形成する物質として、炭化シリコン（ＳｉＣ）を用いることができる。
なお、上述の各実施形態において、例えば、基材３９と多層膜３３との間に銀合金、銅、銅合金、アルミニウム、アルミニウム合金等の熱伝達率が大きい金属層が設けられてもよいし、基材３９と多層膜３３との間に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）、フッ化バリウム（ＢａＦ２）、フッ化アルミニウム（ＡｌＦ３）、フッ化マンガン（ＭｎＦ２）、フッ化亜鉛（ＺｎＦ２）等の水溶性の下地層や、共晶合金、Ｂｉ、Ｐｂ、Ｉｎ、Ｓｎ、及びＣｄからなる群から選ばれる２種類以上の組合せからなる２元系から５元系の共晶合金、Ａｕ−Ｎａ共晶合金、Ｎａ−Ｔｌ共晶合金、Ｋ−Ｐｂ共晶合金等の低融点の合金を含む下地層が設けられてもよい。
なお、上述の実施形態の基板Ｐとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスク又はレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）、またはフィルム部材等が適用される。また、基板はその形状が円形に限られるものではなく、矩形など他の形状でもよい。
露光装置ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。
さらに、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第１パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第１パターンの縮小像を基板Ｐ上に転写した後、第２パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第２パターンの縮小像を第１パターンと部分的に重ねて基板Ｐ上に一括露光してもよい（スティッチ方式の一括露光装置）。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Ｐを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。
また、例えば米国特許第６，６１１，３１６号に開示されているように、２つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、１回の走査露光によって基板上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などにも本発明を適用することができる。
また、本発明は、米国特許６，３４１，００７号、米国特許６，４００，４４１号、米国特許６，５４９，２６９号、及び米国特許６，５９０，６３４号、米国特許６，２０８，４０７号、米国特許６，２６２，７９６号などに開示されているような複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。
更に、例えば米国特許第６，８９７，９６３号等に開示されているように、基板を保持する基板ステージと基準マークが形成された基準部材及び／又は各種の光電センサを搭載した計測ステージとを備えた露光装置にも本発明を適用することができる。また、複数の基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置にも適用することができる。
露光装置ＥＸの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。
以上のように、上記実施形態の露光装置ＥＸは、各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度及びクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図２５に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、前述した実施形態に従って、マスクのパターンの像で基板に露光し、露光した基板を現像する基板処理（露光処理）を含む基板処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。
なお、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態及び変形例で引用した露光装置等に関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。
なお、上述のように本発明の実施形態を説明したが、本発明は上述した全ての構成要素を適宜組み合わせて用いる事が可能であり、また、一部の構成要素を用いない場合もある。
第１実施形態に係る露光装置の一例を示す模式図である。 第１実施形態に係る光学装置の光学特性を説明するための図である。 第１実施形態に係る多層膜反射鏡の一例を示す模式図である。 第１実施形態に係る多層膜反射鏡の一例を示す模式図である。 第１実施形態に係る多層膜反射鏡の光学特性を説明するための図である。 第１実施形態に係る多層膜反射鏡の光学特性を説明するための図である。 第１実施形態に係る光学装置の光学特性を説明するための図である。 第２実施形態に係る多層膜反射鏡の一例を示す模式図である。 第２実施形態に係る多層膜反射鏡の一例を示す模式図である。 第２実施形態に係る多層膜反射鏡の光学特性を説明するための図である。 第２実施形態に係る多層膜反射鏡の光学特性を説明するための図である。 第２実施形態に係る光学装置の光学特性を説明するための図である。 第３実施形態に係る多層膜反射鏡の一例を示す模式図である。 第３実施形態に係る多層膜反射鏡の光学特性を説明するための図である。 第３実施形態に係る光学装置の光学特性を説明するための図である。 第４実施形態に係る多層膜反射鏡の一例を示す模式図である。 第４実施形態に係る多層膜反射鏡の光学特性を説明するための図である。 第４実施形態に係る光学装置の光学特性を説明するための図である。 第５実施形態に係る多層膜反射鏡の一例を示す模式図である。 第５実施形態に係る多層膜反射鏡の一例を示す模式図である。 図１９に示した多層膜反射鏡の反射波長特性を示す図である。 図２０に示した多層膜反射鏡の反射波長特性を示す図である。 第５実施形態に係る多層膜反射鏡の別の一例を示す模式図である。 図２３に示した多層膜反射鏡の反射波長特性を示す図である。 マイクロデバイスの製造工程の一例を示すフローチャート図である。
符号の説明
３…光源装置、３１…第１層、３２…第２層、３３…多層膜、３５、３６…多層膜（第２多層膜）、３９…基材、４１、４１Ｂ、４１Ｃ…多層膜反射鏡、４２、４２Ｂ、４２Ｃ、４２Ｄ、４２Ｅ、４２Ｆ…多層膜反射鏡、５０、５１、６０、６３、６７、７０…吸収層、６１、６４、６８、７１…第１吸収層、６２、６５、６６、６９、７２…第２吸収層、８０、８１…吸収層、９０…保護層、ＥＸ…露光装置、ＩＬ…照明光学系、Ｌ１…ＥＵＶ光、Ｌ２…ＯｏＢ光、Ｍ…マスク、Ｐ…基板、ＰＬ…投影光学系

Claims (37)

  1. 極端紫外域の電磁波を反射可能な多層膜反射鏡を複数備えた光学装置であって、
    複数の前記多層膜反射鏡は、前記電磁波の光路に沿ってそれぞれ配置され、
    少なくとも２つの前記多層膜反射鏡の前記極端紫外域以外の波長域における反射波長特性が相互に異なる光学装置。
  2. 前記極端紫外域以外の波長域は、前記極端紫外域よりも長い波長域を含む請求項１記載の光学装置。
  3. 前記多層膜反射鏡の多層膜は、基材上に交互に積層された第１層及び第２層を含み、
    前記多層膜反射鏡は、前記多層膜の表面に接触するように形成された、前記極端紫外域以外の波長域の少なくとも一部の電磁波を吸収する吸収層を備える請求項１又は２記載の光学装置。
  4. 前記第１層の、極端紫外光に対する屈折率と真空の屈折率との差は、前記第２層の、極端紫外光に対する屈折率と真空の屈折率との差よりも大きい請求項３記載の光学装置。
  5. 前記第１層は、Ｍｏを含み、前記第２層は、Ｓｉ又はＢｅを含み、前記多層膜の表面は、前記第２層で形成される請求項３又は４記載の光学装置。
  6. 前記吸収層は、ＳｉＯ、ＢＮ、Ｃ、Ｂ４Ｃ、Ｓｉ、ＳｉＣ、及びＭｏの少なくとも１つを含む請求項３〜５のいずれか一項記載の光学装置。
  7. 前記吸収層は、前記多層膜の表面に接触するように形成された第１材料からなる第１吸収層と、前記第１吸収層の表面に接触するように形成された第２材料からなる第２吸収層とを含む請求項３〜６のいずれか一項記載の光学装置。
  8. 前記第１吸収層は、ＳｉＯを含み、前記第２吸収層は、Ｓｉを含む請求項７記載の光学装置。
  9. 前記第１吸収層は、ＢＮを含み、前記第２吸収層は、Ｓｉを含む請求項７記載の光学装置。
  10. 前記第１吸収層は、Ｂ４Ｃを含み、前記第２吸収層は、Ｓｉを含む請求項７記載の光学装置。
  11. 前記第１吸収層は、Ｃを含み、前記第２吸収層は、Ｍｏを含む層、及び前記Ｍｏを含む層の表面に接触するように形成されたＳｉを含む層を含む請求項７記載の光学装置。
  12. 前記多層膜反射鏡は、前記吸収層の表面に接触するように形成された保護層を備える請求項３〜１１のいずれか一項記載の光学装置。
  13. 前記保護層は、Ｒｕ、Ｒｕを含む化合物、Ｒｕを含む酸化物、Ｓｉ、及びＴｉの少なくとも１つを含む請求項１２記載の光学装置。
  14. 前記多層膜反射鏡は、前記吸収層の表面に接触するように形成された第２多層膜を備える請求項３〜６のいずれか一項記載の光学装置。
  15. 前記第２多層膜は、交互に積層された前記第１層及び前記第２層から成る層対を少なくとも１組含む薄膜である請求項１４記載の光学装置。
  16. 前記多層膜反射鏡は、前記第２多層膜の表面に接触するように形成された保護層を備える請求項１４又は１５記載の光学装置。
  17. 前記保護層は、Ｒｕ、Ｒｕを含む化合物、Ｒｕを含む酸化物、Ｓｉ、及びＴｉの少なくとも１つを含む請求項１６記載の光学装置。
  18. 第１の位置からの極端紫外域の電磁波を、前記複数の多層膜反射鏡のそれぞれで反射して、第２の位置へ導く請求項１〜１７のいずれか一項記載の光学装置。
  19. 前記第１の位置には光源装置が配置され、前記第２の位置にはパターンが形成されたマスクが配置され、
    前記光源装置からの電磁波を、前記マスクへ導く請求項１８記載の光学装置。
  20. 前記第１の位置にはパターンが形成されたマスクが配置され、前記第２の位置には感光性の基板が配置され、
    前記マスクからの電磁波を、前記基板へ導く請求項１８記載の光学装置。
  21. 前記基板は、所定波長域の電磁波で感光し、
    前記極端紫外域以外の波長域は、前記極端紫外域よりも長く、且つ前記所定波長域である波長域の少なくとも一部を含む請求項２０記載の光学装置。
  22. 基材と、
    前記基材上に交互に積層された第１層及び第２層を含み、極端紫外域の電磁波を反射可能な多層膜と、
    前記多層膜の表面に接触するように形成された、前記極端紫外域以外の波長域の少なくとも一部の電磁波を吸収する吸収層と、を備え、
    前記吸収層は、前記多層膜の表面に接触するように形成された第１材料からなる第１吸収層と、前記第１吸収層の表面に接触するように形成された第２材料からなる第２吸収層とを含む多層膜反射鏡。
  23. 前記第１吸収層は、ＳｉＯを含み、前記第２吸収層は、Ｓｉを含む請求項２２記載の多層膜反射鏡。
  24. 前記第１吸収層は、ＢＮを含み、前記第２吸収層は、Ｓｉを含む請求項２２記載の多層膜反射鏡。
  25. 前記第１吸収層は、Ｂ４Ｃを含み、前記第２吸収層は、Ｓｉを含む請求項２２記載の多層膜反射鏡。
  26. 前記第１吸収層は、Ｃを含み、前記第２吸収層は、Ｍｏを含む層、及び前記Ｍｏを含む層の表面に接触するように形成されたＳｉを含む層を含む請求項２２記載の多層膜反射鏡。
  27. 前記吸収層の表面に接触するように形成された保護層を備える請求項２２〜２６のいずれか一項記載の多層膜反射鏡。
  28. 前記保護層は、Ｒｕ、Ｒｕを含む化合物、Ｒｕを含む酸化物、Ｓｉ、及びＴｉの少なくとも１つを含む請求項２７記載の多層膜反射鏡。
  29. 基材と、
    前記基材上に交互に積層された第１層及び第２層を含み、極端紫外域の電磁波を反射可能な多層膜と、
    前記多層膜の表面に接触するように形成された、前記極端紫外域以外の波長域の少なくとも一部の電磁波を吸収する吸収層と、
    前記吸収層の表面に接触するように形成された第２多層膜と、を備えた多層膜反射鏡。
  30. 前記第２多層膜は、交互に積層された前記第１層及び前記第２層から成る層対を少なくとも１組含む薄膜である請求項２９記載の多層膜反射鏡。
  31. 前記多層膜反射鏡は、前記第２多層膜の表面に接触するように形成された保護層を備える請求項２９又は３０記載の多層膜反射鏡。
  32. 前記保護層は、Ｒｕ、Ｒｕを含む化合物、Ｒｕを含む酸化物、Ｓｉ、及びＴｉの少なくとも１つを含む請求項３１記載の多層膜反射鏡。
  33. 露光光で基板を露光する露光装置であって、
    請求項１〜請求項２１のいずれか一項記載の光学装置を備えた露光装置。
  34. マスクを露光光で照明する照明光学系と、
    前記露光光で照明されたマスクのパターンの像を前記基板に投影する投影光学系とを備え、
    前記照明光学系及び投影光学系の少なくとも一方は、前記光学装置を含む請求項３３記載の露光装置。
  35. 少なくとも２つの多層膜反射鏡を含み、マスクを露光光で照明する照明光学系と、
    前記露光光で照明されたマスクのパターンの像を基板に投影する投影光学系と、を備え、
    前記少なくとも２つの多層膜反射鏡の一方は、請求項２２〜２８のいずれか一項記載の多層膜反射鏡であって、前記少なくとも２つの多層膜反射鏡の他方は、請求項２９〜３２のいずれか一項記載の多層膜反射鏡である露光装置。
  36. マスクを露光光で照明する照明光学系と、
    少なくとも２つの多層膜反射鏡を含み、前記露光光で照明されたマスクのパターンの像を基板に投影する投影光学系と、を備え、
    前記少なくとも２つの多層膜反射鏡の一方は、請求項２２〜２８のいずれか一項記載の多層膜反射鏡であって、前記少なくとも２つの多層膜反射鏡の他方は、請求項２９〜３２のいずれか一項記載の多層膜反射鏡である露光装置。
  37. 請求項３３〜３６のいずれか一項記載の露光装置を用いて基板を露光することと、
    前記露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
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