JP2008270802A - 光学装置、多層膜反射鏡、露光装置、及びデバイス製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】光学装置は、極端紫外域の電磁波を反射可能な多層膜反射鏡を複数備えている。複数の前記多層膜反射鏡は、前記電磁波の光路に沿ってそれぞれ配置され、少なくとも2つの前記多層膜反射鏡の前記極端紫外域以外の波長域における反射波長特性が相互に異なる。
【選択図】図2
Description
第1実施形態について説明する。図1は、第1実施形態に係る露光装置EXの一例を示す概略構成図である。図1において、露光装置EXは、パターンが形成されたマスクMを保持しながら移動可能なマスクステージ1と、デバイスを形成するための基板Pを保持しながら移動可能な基板ステージ2と、露光光を発生する光源装置3と、光源装置3から射出される露光光でマスクステージ1に保持されているマスクMを照明する照明光学系ILと、露光光で照明されたマスクMのパターンの像を基板Pに投影する投影光学系PLとを備えている。
次に、第2実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分について同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
次に、第3実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分について同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
次に、第4実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分について同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
次に、第5実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分について同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
Claims (23)
- 極端紫外域の電磁波を反射可能な多層膜反射鏡を複数備えた光学装置であって、
複数の前記多層膜反射鏡は、前記電磁波の光路に沿ってそれぞれ配置され、
少なくとも2つの前記多層膜反射鏡の前記極端紫外域以外の波長域における反射波長特性が相互に異なる光学装置。 - 前記極端紫外域以外の波長域は、前記極端紫外域よりも長い波長域を含む請求項1記載の光学装置。
- 前記多層膜反射鏡の多層膜は、基材上に交互に積層された第1層及び第2層を含み、
前記多層膜反射鏡は、前記多層膜の表面に接触するように形成された、前記極端紫外域以外の波長域の少なくとも一部の電磁波を吸収する吸収層を備える請求項1又は2記載の光学装置。 - 前記第1層の、極端紫外光に対する屈折率と真空の屈折率との差は、前記第2層の、極端紫外光に対する屈折率と真空の屈折率との差よりも大きい請求項3記載の光学装置。
- 前記第1層は、Moを含み、前記第2層は、Si又はBeを含み、前記多層膜の表面は、前記第2層で形成される請求項3又は4記載の光学装置。
- 前記吸収層は、SiO、BN、C、B4C、Si、SiC、及びMoの少なくとも1つを含む請求項3〜5のいずれか一項記載の光学装置。
- 前記吸収層は、前記多層膜の表面に接触するように形成された第1材料からなる第1吸収層と、前記第1吸収層の表面に接触するように形成された第2材料からなる第2吸収層とを含む請求項3〜6のいずれか一項記載の光学装置。
- 前記第1吸収層は、SiOを含み、前記第2吸収層は、Siを含む請求項7記載の光学装置。
- 前記第1吸収層は、BNを含み、前記第2吸収層は、Siを含む請求項7記載の光学装置。
- 前記第1吸収層は、B4Cを含み、前記第2吸収層は、Siを含む請求項7記載の光学装置。
- 前記第1吸収層は、Cを含み、前記第2吸収層は、Moを含む層、及び前記Moを含む層の表面に接触するように形成されたSiを含む層を含む請求項7記載の光学装置。
- 第1の位置からの極端紫外域の電磁波を、前記複数の多層膜反射鏡のそれぞれで反射して、第2の位置へ導く請求項1〜11のいずれか一項記載の光学装置。
- 前記第1の位置には光源装置が配置され、前記第2の位置にはパターンが形成されたマスクが配置され、
前記光源装置からの電磁波を、前記マスクへ導く請求項12記載の光学装置。 - 前記第1の位置にはパターンが形成されたマスクが配置され、前記第2の位置には感光性の基板が配置され、
前記マスクからの電磁波を、前記基板へ導く請求項12記載の光学装置。 - 前記基板は、所定波長域の電磁波で感光し、
前記極端紫外域以外の波長域は、前記極端紫外域よりも長く、且つ前記所定波長域である波長域の少なくとも一部を含む請求項14記載の光学装置。 - 基材と、
前記基材上に交互に積層された第1層及び第2層を含み、極端紫外域の電磁波を反射可能な多層膜と、
前記多層膜の表面に接触するように形成された、前記極端紫外域以外の波長域の少なくとも一部の電磁波を吸収する吸収層と、を備え、
前記吸収層は、前記多層膜の表面に接触するように形成された第1材料からなる第1吸収層と、前記第1吸収層の表面に接触するように形成された第2材料からなる第2吸収層とを含む多層膜反射鏡。 - 前記第1吸収層は、SiOを含み、前記第2吸収層は、Siを含む請求項16記載の多層膜反射鏡。
- 前記第1吸収層は、BNを含み、前記第2吸収層は、Siを含む請求項16記載の多層膜反射鏡。
- 前記第1吸収層は、B4Cを含み、前記第2吸収層は、Siを含む請求項16記載の多層膜反射鏡。
- 前記第1吸収層は、Cを含み、前記第2吸収層は、Moを含む層、及び前記Moを含む層の表面に接触するように形成されたSiを含む層を含む請求項16記載の多層膜反射鏡。
- 露光光で基板を露光する露光装置であって、
請求項1〜請求項15のいずれか一項記載の光学装置を備えた露光装置。 - マスクを露光光で照明する照明光学系と、
前記露光光で照明されたマスクのパターンの像を前記基板に投影する投影光学系とを備え、
前記照明光学系及び投影光学系の少なくとも一方は、前記光学装置を含む請求項21記載の露光装置。 - 請求項21又は22記載の露光装置を用いて基板を露光することと、
前記露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
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