KR102693181B1 - 다층막 반사형 존플레이트를 이용한 euv용 조명 장치 및 그 제조방법 - Google Patents

다층막 반사형 존플레이트를 이용한 euv용 조명 장치 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102693181B1
KR102693181B1 KR1020210120836A KR20210120836A KR102693181B1 KR 102693181 B1 KR102693181 B1 KR 102693181B1 KR 1020210120836 A KR1020210120836 A KR 1020210120836A KR 20210120836 A KR20210120836 A KR 20210120836A KR 102693181 B1 KR102693181 B1 KR 102693181B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
zone plate
euv
light
pattern
multilayer
Prior art date
Application number
KR1020210120836A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20230037817A (ko
Inventor
이동근
Original Assignee
주식회사 이솔
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 이솔 filed Critical 주식회사 이솔
Priority to KR1020210120836A priority Critical patent/KR102693181B1/ko
Priority to US17/570,404 priority patent/US11829064B2/en
Publication of KR20230037817A publication Critical patent/KR20230037817A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102693181B1 publication Critical patent/KR102693181B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
    • G03F1/84—Inspecting
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
    • G03F1/24—Reflection masks; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/62—Optical apparatus specially adapted for adjusting optical elements during the assembly of optical systems
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/08—Mirrors
    • G02B5/0891—Ultraviolet [UV] mirrors
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/18—Diffraction gratings
    • G02B5/1876—Diffractive Fresnel lenses; Zone plates; Kinoforms
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G03F7/2004—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the use of a particular light source, e.g. fluorescent lamps or deep UV light
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
    • G01N2021/95676—Masks, reticles, shadow masks

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

본 발명은 다층막 반사형 존플레이트를 이용한 EUV용 조명 장치 및 제조방법에 관한 것으로, 반도체 제조 공정에 따른 EUV 노광 공정에서 EUV 마스크의 측정 및 검사용 EUV 조명 장치에 있어서, 파장이 5nm 내지 15nm 사이인 EUV(Extreme ultraviolet) 광을 출력하는 EUV 광소스; 및 평면 기판으로 EUV 반사 다층막과 존플레이트 패턴이 형성된 다층막 반사형 존플레이트(Multilayer reflection zone plate);를 포함하여 구성되고, 상기 EUV 광소스에서 출력되는 EUV 광을 상기 다층막 반사형 존플레이트(multilayer reflection zone plate)에 조사한 후 반사되는 1차 회절광을 획득하여 EUV 조명광을 생성한다.

Description

다층막 반사형 존플레이트를 이용한 EUV용 조명 장치 및 그 제조방법{Lighting devices for EUV and their manufacturing methods using multilayer reflective zone plates}
본 발명은 다층막 반사형 존플레이트를 이용한 EUV용 조명 장치 및 그 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체 소자 제조 공정 중에 EUV 노광 공정을 이용한 미세 패턴 형성에 사용되는 원판 EUV 마스크의 측정(metrology) 및 검사(inspection) 시스템용 다층막 반사형 존플레이트를 이용한 EUV용 조명 장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
최근 파장 13.5nm의 EUV 광을 사용하는 반도체 소자 제작용 EUV 노광기가 반도체 제조 공정에 본격 도입되고 있다. EUV 노광기는 기존 193nm 파장의 ArF 노광기 대비 짧은 파장 사용으로 소자의 미세화에 유리한 노광기이다. 향후 EUV 보다 더 짧은 파장을 사용하여 더욱 더 미세화에 유리한 약 6.7 nm 파장의 EUV(혹은 Beyond EUV인 BUV로 불림) 노광기도 반도체 제조 공정에 도입될 시기가 올 것으로 예상된다.
기존 대비 짧은 파장을 사용하는 EUV 노광기는 미세 패턴 형성을 위해서 원판 마스크를 EUV 마스크를 사용한다. EUV 마스크는 기존 ArF 노광기와 다른 구조를 가지고 있다. 그 중 가장 큰 차이는 투과구조에서 반사 구조로 변경되었고, 뿐만 아니라 EUV 마스크는 13.5nm 파장 혹은 6.7nm 파장(BUV의 경우)에 최적화된 반사도를 가지고 있다.
EUV 마스크의 제조 공정 중 EUV 광을 이용한 측정 및 검사 시스템이 다수 있다. 특히, EUV 검사 시스템을 이용한 EUV 마스크 원판 패턴의 결함 검사는 웨이퍼 수율에 직접적으로 영향을 주는 주요한 공정이다. 원판 마스크의 결함은 모두 웨이퍼에 반복적으로 전사되기 때문이다.
마스크 검사를 통해 검출된 결함 패턴은 수정 공정으로 수정이 되는데 수정 성공 여부는 웨이퍼 노광기로 직접 웨이퍼에 노광 후 SEM 리뷰를 통해 수정 성공 여부를 확인하는 방법을 적용할 수 있으나, 비용과 검증 기간이 많이 소요되므로 현 마스크 제조 공정에서는 웨이퍼 노광기 광학계를 묘사할 수 있는 현미경 구조의 마스크 검사 장치를 활용하여 패턴이 웨이퍼에 미치는 영향을 미리 저비용으로 검증하는데 적용하고 있다.
도 1은 종래기술에 따른 EUV 조명장치(1)의 구성도이다. 미국특허 US 2015-0002925호에 따른 기존 EUV 조명 기술은 EUV 광을 콜렉터 거울(collector mirror)로 포집해서 조명 조절 광학계에 전달하고 조명 조절 광학계에서는 샘플에 입사하는 빔의 각도별 세기 분포를 조절하기 위해 거울 어레이로 구성된 페이셋(facet) 광학 소자 2개를 적용하고, 마지막으로 샘플에 최종 조명하기 위해서 2개의 EUV 거울을 사용한다. 기본적으로 5개의 EUV 광학 부품이 적용되어 전체 조명 광학계의 개발 비용이 높으며 요구되는 부품의 제작 및 설치 기술이 상당히 어렵다.
이와 같이 종래의 기술은 우선적으로 상당수의 광학부품이 요구되고 있으며, 구조가 복잡하고 이에 따른 비용 증대와 유지보수의 어려움 등 다양한 문제점이 발생되고 있는 실정이다.
US 2015-0002925호 KR 10-1370203호 KR 10-2021-0043701호 KR 10-1258344호 KR 10-1606227호
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명은, 현미경 구조의 마스크 검사 장치에 노광기를 조명계를 묘사할 수 있는 고성능 EUV 조명 장치를 제공하고자 하는데 목적이 있다.
특히, 본 발명은 다층막 반사형 존플레이트(Multilayer reflection zone plate)에서 각 위치별로 패턴의 듀티 사이클(duty cycle) 혹은 흡수체의 높이를 조절하여 EUV 노광기의 푸리폼 퓨필(freeform pupil) 조명을 묘사(emulation)하거나, EUV 검사 시스템에서 요구되는 균일한 조명빔을 제공할 수 있는 EUV 조명 장치 및 제조방법을 제공하고자 하는데 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 반도체 제조 공정에 따른 EUV 노광 공정에서 EUV 마스크의 측정 및 검사용 EUV 조명 장치에 있어서, 파장이 5nm 내지 15nm 사이인 EUV(Extreme ultraviolet) 광을 출력하는 EUV 광소스; 및 평면 기판으로 EUV 반사 다층막과 존플레이트 패턴이 형성된 다층막 반사형 존플레이트(Multilayer reflection zone plate);를 포함하여 구성되고, 상기 EUV 광소스에서 출력되는 EUV 광을 상기 다층막 반사형 존플레이트(multilayer reflection zone plate)에 조사한 후 반사되는 1차 회절광을 획득하여 EUV 조명광을 생성한다.
또한, 상기 다층막 반사형 존플레이트는, 하나의 평면 기판, 상기 평면 기판으로 적층되는 EUV 반사 다층막 및 상기 EUV 반사 다층막 표면이나 내측으로 형성되는 존플레이트 패턴을 포함하여 구성된다.
또한, 상기 존플레이트 패턴은, 상기 EUV 반사 다층막을 적어도 2개 이상의 반사물질을 반복적으로 적층시켜 구성하되, 상기 EUV 반사 다층막은 흡수체 물질을 소정 패턴에 따라 적층하거나, EUV 반사 다층막을 소정 패턴에 따라 식각하거나, 흡수체 물질을 적층 후 EUV 반사 다층막을 다시 적층함으로써 상기 존플레이트 패턴을 형성시키는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 존플레이트 패턴은, 상기 평면 기판에 EUV 반사 다층막을 형성시키고, 흡수체 물질을 소정 패턴에 따라 적층하거나, EUV 반사 다층막을 소정 패턴에 따라 식각하거나, 흡수체 물질을 적층 후 EUV 반사 다층막을 다시 적층함에 따라 상기 존플레이트 패턴은 다층막 표면 또는 다층막 내측으로 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 존플레이트 패턴을 구성하는 흡수체는 광의 반사를 모두 차단하거나 일부분만 반사되게 하고, 상기 존플레이트 패턴은 흡수체 증착 후 E-빔 리소그라피(lithography)를 통해 구현되며, 상기 존플레이트 패턴은 E-빔 리소그라피(lithography)로 다층막을 식각하여 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 존플레이트 패턴은, 상기 흡수체의 높이 혹은 폭(듀티 사이클;duty cycle)을 조절하여 1차광 세기를 조절하고, 상기 다층막 반사형 존플레이트에서 공간적으로 1차광의 세기를 조절하여 빔의 각도별 세기 분포를 조절하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 다층막 반사형 존플레이트는, 존플레이트 패턴이 각각 원형 혹은 타원형 모양으로 형성되며, 상기 원형 혹은 타원형 모양의 패턴의 중심이 상기 다층막 반사형 존플레이트 내에 존재하지 않는 비근축(off-axis) 존플레이트이거나, 상기 원형 혹은 타원형 모양의 패턴의 중심이 상기 다층막 반사형 존플레이트 내에 존재하는 근축(on-axis) 존플레이트이며, 비근축(off-axis) 존플레이트는 0차광과 1차광의 중심이 진행하는 방향이 다르고, 근축(on-axis) 존플레이트는 0차광과 1차광의 중심 방향이 동일한 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 EUV 조명 장치는, 상기 다층막 반사형 존플레이트에서 출력되는 조명빔 주변으로 단색광을 추가적으로 조명하거나, 조명빔의 영역을 제한하는 어퍼쳐를 더 포함하여 구성된다.
또한, 상기 존플레이트 패턴은, 상기 다층막 반사형 존플레이트에서 공간적으로 상기 존플레이트 패턴의 유무를 조절하여 광의 회절 유무를 결정함에 따라 바이너리(binary) 조명을 구현하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 존플레이트 패턴은, 상기 다층막 반사형 존플레이트에서 공간적으로 존플레이트 패턴의 듀티 사이클(duty cycle) 혹은 흡수체의 높이를 조절하여 그 공간적 부분의 광의 1차 회절광의 세기를 조절하여 프리폼 퓨필(freeform pupil) 조명(illumination) 혹은 픽셀레이티드 퓨필(pixelated pupil) 조명을 구현하는 것을 특징으로 한다.
또한, 반도체 제조 공정에 따른 EUV 노광 공정에서 EUV 마스크의 측정 및 검사용 EUV 조명 장치 제조방법에 있어서, EUV 광소스에서 출력되는 EUV 광을 반사시켜 조명광을 출력하는 것으로, 하나의 평면 기판으로 EUV 반사 다층막과 존플레이트 패턴이 형성되는 다층막 반사형 존플레이트를 제조하며, 상기 EUV 반사 다층막을 적어도 2개 이상의 반사물질을 반복적으로 적층시켜 구성하되, 상기 EUV 반사 다층막은 흡수체 물질을 소정 패턴에 따라 적층하거나, EUV 반사 다층막을 소정 패턴에 따라 식각하거나, 흡수체 물질을 적층 후 EUV 반사 다층막을 다시 적층함으로써 상기 존플레이트 패턴을 형성시키는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 존플레이트 패턴은, 상기 평면 기판에 EUV 반사 다층막을 형성시키고, 흡수체 물질을 소정 패턴에 따라 적층하거나, EUV 반사 다층막을 소정 패턴에 따라 식각하거나, 흡수체 물질을 적층 후 EUV 반사 다층막을 다시 적층함에 따라 상기 존플레이트 패턴은 다층막 표면 또는 다층막 내측으로 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 다층막 반사형 존플레이트는, 상기 존플레이트 패턴을 구성하는 흡수체는 광의 반사를 모두 차단하거나 일부분만 반사되게 하고, 상기 존플레이트 패턴은 흡수체 증착 후 E-빔 리소그라피(lithography)를 통해 구현되며, 상기 존플레이트 패턴은 E-빔 리소그라피(lithography)로 다층막을 식각하여 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 존플레이트 패턴은, 상기 흡수체의 높이 혹은 폭(듀티 사이클;duty cycle)을 조절하여 1차광 세기를 조절하고, 상기 다층막 반사형 존플레이트에서 공간적으로 1차광의 세기를 조절하여 빔의 각도별 세기 분포를 조절하는 것을 특징으로 한다.
나아가 상기 다층막 반사형 존플레이트에서 공간적으로 상기 존플레이트 패턴의 유무를 조절하여 광의 회절 유무를 결정함에 따라 바이너리(binary)조명을 구현하고, 상기 존플레이트 패턴이 존재하는 곳의 듀티 사이클(duty cycle)을 달리하여 상기 바이너리 조명위치의 광량을 조절함으로써, 조명이 비추어지는 위치와 각 조명의 빛의 세기를 조절하는 것을 특징으로 한다.
상기와 같이 구성되고 작용되는 본 발명에 따른 다층막 반사형 존플레이트는 기존 거울을 사용하는 광학계에 비해 부품수가 적어 장치에 적용이 용이하고, 부품수가 적으므로 개발기간이 짧고 비용이 적은 장점이 있다.
또한, 기존의 사입사 반사형 존플레이트 부품을 적용한 반사형 존플레이트의 경우 다층막을 적용하지 않았기 때문에 연-선 광의 반사를 위해서 사입사(입사각 86도)로 빔이 존플레이트에 입사되고, 존플레이트가 포집하는 입체각이 적어 광 포집 효율이 떨어지는 문제점을 해결할 수 있는 이점이 있다.
본 발명은 EUV 반사 다층막을 적용함으로써 존플레이트에 수직에 가까운 각으로(입사각 약 6도) 입사 시킬 수 있으므로 포집 효율을 상당히 증가 시킬 수 있는 장점이 있고, 구조적으로 두꺼운 기반 위에 반사체인 다층막을 형성한 구조이므로 대면적이 가능하여 넓게 퍼지는 비간섭 광원의 경우 대면적으로 포집 효율을 높일 수 있는 장점이 있다.
도 1은 종래기술에 따른 EUV 조명장치의 구성도,
도 2는 본 발명에 따른 다층막 반사형 존플레이트를 이용한 EUV용 조명 장치의 구성도,
도 3은 본 발명에 따른 다층막 반사형 존플레이트를 이용한 EUV용 조명 장치의 평면도,
도 4는 본 발명에 따른 다층막 반사형 존플레이트를 이용한 EUV용 조명 장치의 다양한 실시예를 나타낸 단면 구성도,
도 5는 본 발명에 따른 다층막 반사형 존플레이트를 이용한 EUV용 조명 장치의 조명 방식을 도시한 도면,
도 6은 본 발명에 따른 다층막 반사형 존플레이트를 이용한 EUV용 조명 장치의 또 다른 조명 방식을 도시한 도면,
도 7은 본 발명에 따른 다층막 반사형 존플레이트를 이용한 EUV용 조명 장치의 조명광 제어를 위한 상세 구성도,
도 8은 본 발명에 따른 조명 장치의 흡수체 높이에 따른 1차광 회절 효율(1차 회절광 세기)을 계산한 결과를 도시한 도면,
도 9는 본 발명에 따른 조명 장치의 프리폼 퓨필(freeform pupil) 조명을 구현하기 위한 1차 회절광 세기 변화를 계산한 결과를 도시한 도면,
도 10은 본 발명에 따른 조명 장치의 다층막 반사형 존플레이트 패턴에서 공간적으로 듀티 사이클 조절을 통해 1차 회절빔의 세기 분포를 최적화한 결과를 도시한 도면.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 EUV용 조명 장치 및 그 제조방법을 상세히 설명하면 다음과 같다.
본 발명에 따른 EUV용 조명 장치 및 그 제조방법은, 반도체 제조 공정에 따른 EUV 노광 공정에서 EUV 마스크의 측정 및 검사용 EUV 조명 장치에 있어서, 파장이 5nm 내지 15nm 사이인 EUV(Extreme ultraviolet) 광을 출력하는 EUV 광소스; 및 평면 기판으로 EUV 반사 다층막과 존플레이트 패턴이 형성된 다층막 반사형 존플레이트(Multilayer reflection zone plate);를 포함하여 구성되고, 상기 EUV 광소스에서 출력되는 EUV 광을 상기 다층막 반사형 존플레이트(multilayer reflection zone plate)에 조사한 후 반사되는 1차 회절광을 획득하여 EUV 조명광을 생성한다.
본 발명에 따른 EUV 조명 장치는 다층막 반사형 존플레이트를 이용하여 EUV 조명 장치가 제공된다. 상기 EUV 조명 장치는 EUV 광원과 다층막 반사형 존플레이트(multilayer reflection zone plate)로 구성된다.
반도체 칩 제작을 위한 EUV 노광기는 EUV 마스크에 넓은 면적으로 균일하게 조명할 필요가 있으며, 요구되는 단위 시간당의 웨이퍼 생산량이 많은 관계로 고가의 복잡한 광학계를 적용하더라도 넓은 노광 면적을 확보할 수 있는 기존 조명 기술을 적용하고 있다. 그러나 EUV 노광기에 사용되는 EUV 조명 기술을 EUV 마스크의 검사기에 적용하면 설비 개발 기간이 길어지고 비용이 높아지며, 설비 개발의 기술적 위험도가 증가하는 문제점이 있다. 다행히 웨이퍼 생산량에 비해 EUV 마스크(mask)의 생산량이 웨이퍼에 비해 월등이 적기 때문에 EUV 검사기는 EUV 마스크 내 좁은 영역에 조명을 하고, 이 영역을 확대 광학계를 이용하여 검사하고, EUV 마스크를 고속으로 스캔해서 검사하는 방식을 적용한다.
광원에서 발생된 EUV 광은 상기 다층막 반사형 존플레이트에 의해서 1차광이 집속되게 한다. 존플레이트는 광을 회절 시키기 위해 원형 혹은 타원형 패턴 구조를 형성하고 있으며, EUV 광을 반사시킬 수 있는 다층막과 결합되어 반사되는 방향으로 EUV 광을 회절 시키고, 이중 1차광이 집속되게 한다.
도 2는 본 발명에 따른 다층막 반사형 존플레이트를 이용한 EUV용 조명 장치(100)의 구성도이다.
본 발명에 따른 다층막 반사형 존플레이트(multilayer reflection zone plate;200)를 이용한 EUV용 조명 장치(100)는, 평면 기판으로 EUV 반사 다층막(220)을 형성하고 여기에 존플레이트 패턴(250)을 형성시키고, 준비된 EUV 광소스(100)에서 출력되는 EUV 광을 상기 존플레이트(200)에 조사한 후 반사되는 광을 이용해 조명광(300)으로 사용되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 EUV 조명 장치(100)는 반도체 제조 공정에 따른 EUV 노광 공정에서 EUV 마스크의 측정 및 검사용으로 사용되는 조명 장치를 제공하기 위한 것으로, 하나의 EUV 광소스(110)와 EUV 조명광을 생성하기 위한 다층막 반사형 존플레이트(200)를 포함하여 구성된다. 상기 EUV 광소스(110)는 바람직하게 파장이 5nm 내지 15nm 사이인 EUV(Extreme ultraviolet) 광을 출력하는 광소스에 해당한다.
본 발명의 주요 기술적 요지로, EUV용 조명광을 생성하기 위한 다층막 반사형 존플레이트(200)는 EUV 반사 다층막이 적층된 조명광 생성을 위한 반사체로써, 평면 기판(210)으로 EUV 반사 다층막을 적층되고 여기에 존플레이트 패턴(250)이 형성된 것이다. 이에 따라 상기 다층막 반사형 존플레이트는 상기 EUV 광소스(110)에서 출력되는 EUV 광이 상기 다층막 반사형 존플레이트(multilayer reflection zone plate)에 조사한 후 반사되는 1차 회절광을 획득하여 EUV 조명광(300)을 생성하게 된다.
도 3은 본 발명에 따른 다층막 반사형 존플레이트를 이용한 EUV용 조명 장치의 평면도이다. 도시된 바와 같이 본 발명에서 사용되는 EUV 조명광 생성을 위한 다층막 반사형 존플레이트(200)는 평면 기판으로 EUV 반사 다층막을 적층한 후 여기에 다시 존플레이트 패턴을 형성시킨 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따른 다층막 반사형 존플레이트는 원형 또는 타원형 형상을 갖는 존플레이트 패턴(250)이 형성된 것으로, 상기 존플레이트 패턴을 통해 EUV 조명광으로 사용되는 1차 회절광을 생성시키게 되는 것이다.
이때, 상기 존플레이트 패턴(250)을 형성하는 흡수체는 광의 반사를 모두 차단하거나 일부만 반사되는 흡수체로써, 이를 제어하여 조명광의 특성을 제어할 수 있다.
여기서, 상기 다층막 반사형 존플레이트(200)의 각 위치에서 존플레이트 패턴의 높이나 패턴의 폭(혹은 듀티 사이클)을 조절하면, 그 위치의 1차광 효율이 조절된다. 이를 이용하여 각 위치에서의 1차광 회절 효율을 원하는 양으로 조절하면 존플레이트 패턴(250)이 주기적 구조에 의해서 빔이 접속되어 조명됨과 동시에 집속되는 빔의 각각의 각도별 세기가 조절된다. 곧 EUV 노광기와 같이 조명 빔의 각도별 세기 분포를 형성할 수 있다.
뿐만 아니라, 다층막 반사형 존플레이트의 위치별 1차광 효율을 조절하여 조명빔의 세기분포를 균일하게 조절하는 것도 가능하다. 이러한 기술은 EUV 검사 성능 개선에 매우 효과적이다.
도 4는 본 발명에 따른 다층막 반사형 존플레이트를 이용한 EUV용 조명 장치의 다양한 실시예를 나타낸 단면 구성도이다.
본 발명에 따른 다층막 반사형 존플레이트를 구성하는 방법은 다양하다. 우선, (a)에 나타낸 바와 같이 상기 다층막 반사형 존플레이트는 하나의 평면 기판(210)상에 다층막 반사막을 구성하는 EUV 반사 다층막(220)이 적층 형성되고 상기 EUV 반사 다층막(220) 표면으로 흡수체(240)를 형성시켜 존플레이트 패턴을 형성시킨다. 즉, 다수의 흡수체 형성을 통해 하나의 존플레이트 패턴이 형성되는 것이다.
이때, 상기 EUV 반사 다층막은 적어도 2개 이상의 반사물질을 반복적으로 적층시켜 구성하며, 상기 흡수체(240)는 입사된 광을 흡수하거나 일부만 반사할 수 있도록 제어할 수 있다.
(b)는 EUV 반사 다층막을 식각한 후 여기에 흡수체를 형성시키는 구조를 갖는다. 이를 통해 존플레이트 패턴이 다층막 내측에 형성될 수 있으며, (a)의 경우는 다층막 표면으로 존플레이트 패턴이 형성되는 것이다.
(c)의 경우는 EUV 반사 다층막을 소정 패턴에 따라 식각하여 존플레이트 패턴이 형성되도록 구성한다.
상기 존플레이트 패턴을 구성하는 흡수체(240)는 광의 반사를 모두 차단하거나 일부분만 반사되게 하고, 상기 존플레이트 패턴은 흡수체 증착 후 E-빔 리소그라피(lithography)를 통해 구현되며, 상기 존플레이트 패턴은 E-빔 리소그라피(lithography)로 다층막을 식각하여 형성될 수 있다.
도 5는 본 발명에 따른 다층막 반사형 존플레이트를 이용한 EUV용 조명 장치의 조명 방식을 도시한 도면이다.
상기 다층막 반사형 존플레이트(200)에서 존플레이트 패턴은 EUV 광원을 샘플에 집속하기 위해서 각각 원형 혹은 타원형 모양을 형성한다. 원형 혹은 타원형 모양의 패턴의 중심이 다층막 반사형 존플레이트 내에 존재하지 않는 비근축(off-axis) 존플레이트를 적용하거나, 원형 혹은 타원형 모양의 패턴의 중심이 다층막 반사형 존플레이트 내에 존재하는 근축(on-axis) 존플레이트를 적용할 수 있다.
비근축(off-axis) 존플레이트는 영차광과 일차광의 중심이 진행하는 방향이 다르고, 근축 존플레이트는 영차광과 일차광의 중심 방향이 동일한 특성이 있으며, EUV 광의 파장 선폭이 넓어 이를 좁은 선폭으로 개선하는 효과를 추가적으로 얻기 위해 집속되는 조명빔 근처에 어퍼쳐(400)를 적용할 수 있다. 이때 비근축 존플레이트가 근축 존플레이트에 비해 어퍼쳐와 결합해 단색광의 선폭이 더 좁은 것이 특징인 반면, 요구되는 존플레이트의 패턴의 주기가 더 작은 것이 특징으로 광원의 선폭과 조명빔의 목적에 맞게 근축과 비근축중 하나를 선택하여 적용 가능하다.
EUV 광소스 광원의 파장의 선폭이 넓으면 어퍼쳐를 추가하여 파장 선폭이 좁은 단색광을 생성한다. 본 발명에 따른 EUV 조명 장치에서 사용하는 EUV 광원은 파장 영역이 5nm 내지 15nm 사이의 EUV(extreme ultraviolet) 광을 사용하며, 사용자에 따라 13.5 nm 파장 부근의 광을 EUV 광이라고 부르며, 파장 6.7nm 부근의 광을 BUV(beyond EUV)라고 부르기도 하는데, 본 발명에서는 5nm 내지 15nm 사이의 파장을 모두 EUV광으로 통일하기로 한다.
EUV 광원은 주로 Nd:YAG 레이저나 CO2 레이저를 Sn이나 Xe 표적에 집속하여 발생된 플라즈마에서 생성되거나 싱크로트론(Synchrotron)에서 발생된 광을 사용하나, 본 발명에서는 이외 방식으로 생성된 EUV 광에 모두 적용 가능한 기술을 제공한다.
도 6은 본 발명에 따른 다층막 반사형 존플레이트를 이용한 EUV용 조명 장치의 또 다른 조명 방식을 도시한 도면이다. 상기 다층막 반사형 존플레이트에서 공간적으로 존플레이트 패턴의 유무를 조절하여 광의 회절 유무를 결정하여 다양한 바이너리(binary) 조명을 구현하고, 상기 바이너리 조명을 EUV 현미경에 적용하여 현미경의 해상력 개선에 최적화 조건을 확인하여 적용한다. 이로써 상기 바이너리 조명을 검사기의 검사 감도 개선에 최적화되도록 적용할 수 있다.
도 7은 본 발명에 따른 다층막 반사형 존플레이트를 이용한 EUV용 조명 장치의 조명광 제어를 위한 상세 구성도이다. 상기 다층막 반사형 존플레이트에서 공간적으로 존플레이트 패턴의 듀티 사이클(duty cycle) 혹은 흡수체의 높이를 조절하여 그 공간적 부분의 광의 1차 회절광의 세기를 조절하여 프리폼 퓨필(freeform pupil) 조명(illumination) 혹은 픽셀레이티드 퓨필(pixelated pupil) 조명을 구현하고, 상기 프리폼퓨필을 현미경의 해상력을 개선하거나 검사기의 검사 감도 개선에 최적화하여 적용하거나, 상기 프리폼 퓨필(freeform pupil)을 최적화 하여 샘플에 조명하는 빔의 균일도를 개선시켰다.
또한 도 7에서 패턴을 단속적으로 새기거나 패턴이 없는 부위를 두어 패턴이 있는 곳에서만 회절광이 생기도록 하여 원하는 지점에 조명을 가능하게 할 뿐 아니라 해당부위 패턴의 듀티사이클을 조절하여 원하는 지점의 조명의 밝기를 제어하는 형태를 도시한 것이다.
이와 같은 형태의 존플레이트를 활용하여 상기 다층막 반사형 존플레이트에서 공간적으로 상기 존플레이트 패턴의 유무를 조절하여 광의 회절 유무를 결정함에 따라 바이너리(binary)조명을 구현하고, 상기 존플레이트 패턴이 존재하는 곳의 듀티 사이클(duty cycle)을 달리하여 상기 바이너리 조명위치의 광량을 조절함으로써, 조명이 비추어지는 위치와 각 조명의 빛의 세기를 조절할 수 있어 원하는 부위에 원하는 조명의 제공이 가능하다.
도 8은 본 발명에 따른 조명 장치의 흡수체 높이에 따른 1차광 회절 효율(1차 회절광 세기)를 계산한 결과를 도시한 도면이다. 이때 사용한 존플레이트 패턴의 주기(pitch)는 300nm이고, 듀티 사이클(DC)은 0.5이며, 적용 조명 파장은 13.5 nm 파장에 대한 것이며, 흡수체는 다층막 아래에 존재하는 경우이다. 흡수체의 높이가 약 8 nm일 때 1차광 회절효율이 최대 약 19% 이다.
도 9는 본 발명에 따른 조명 장치의 프리폼 퓨필(freeform pupil) 조명을 구현하기 위한 1차 회절광 세기 변화를 계산한 결과를 도시한 도면이다. 이때, 사용한 존플레이트 패턴의 주기(pitch)는 300nm이고, 13.5 nm 파장에 대한 각 듀티 사이클에서의 1차광 회절 효율이고, 최대 1차광 효율은 듀티 사이클이 약 0.55일대 최대 약 29%를 얻을 수 있고 EUV 다층막이 적용된 5개의 EUV 거울로 구성된 이전 광학계 기술(= 0.65^5= 0.11, 최대 11%)에 비해 프리폼 퓨필(freeform pupil)이 구현되는 광학 소자로는 상당히 높은 효율임을 확인 할 수 있다. 이전 기술과 본 발명기술과의 효율 차이는 적용하고자 하는 프리폼 퓨필의 종류에 따라 달라 질 수 있다.
여기서 듀티 사이클(duty cycle)이란 존플레이트의 패턴에 직각방향으로 가상의 선이 있다고 가정할 때 패턴이 있는 부위의 폭과 패턴의 없는부위의 폭의 비율(듀티사이클 = (패턴이 있는 부위의 폭)/주기, 여기서 주기 = 패턴이 있는 부위의 폭 + 패턴이 없는 부위의 폭)을 말한다.
따라서 도 9에서 보면 가로축의 듀티사이클 값에 따라 1차회절광의 효율을 알 수 있으며, 듀티사이클 값이 0,4 ~ 0.6 사이에서 대략 0, 25 ~ 0.3 정도가 됨을 알 수 있다.
도 10은 본 발명에 따른 조명 장치의 다층막 반사형 존플레이트 패턴에서 공간적으로 듀티 사이클 조절을 통해 1차 회절빔의 세기 분포를 최적화한 결과를 도시한 도면이다. 상기 다층막 반사형 존플레이트에 가우시안(gaussian)빔이 조사되고, 공간적 듀티 사이클 조절을 통해 1차 회절하는 빔의 세기 분포를 변형하였을 때 이전 가우시안 빔 대비 중앙 부근의 균일도를 개선시킬 수 있었으며, 이를 통해 검사에 적용하는 조사빔의 균일도의 별도의 광학계 없이 개선 가능한 특징을 갖는다.
이와 같이 구성되는 본 발명은 상기와 같이 구성되고 작용되는 본 발명에 따른 다층막 반사형 존플레이트는 기존 거울을 사용하는 광학계에 비해 부품수가 적어 장치에 적용이 용이하고, 부품수가 적으므로 개발기간이 짧고 비용이 적은 장점이 있다.
또한, 기존의 사입사 반사형 존플레이트 부품을 적용한 반사형 존플레이트의 경우 다층막을 적용하지 않았기 때문에 연-선 광의 반사를 위해서 사입사(입사각 86도)로 빔이 존플레이트에 입사되고 그러므로 존플레이트가 포집하는 입체각이 적어 광 포집 효율이 떨어지는 문제점을 해결할 수 있는 이점이 있다.
이상, 본 발명의 원리를 예시하기 위한 바람직한 실시예와 관련하여 설명하고 도시하였지만, 본 발명은 그와 같이 도시되고 설명된 그대로의 구성 및 작용으로 한정되는 것이 아니다. 오히려, 첨부된 청구범위의 사상 및 범주를 일탈함이 없이 본 발명에 대한 다수의 변경 및 수정이 가능함을 당업자들은 잘 이해할 수 있을 것이다. 따라서 그러한 모든 적절한 변경 및 수정과 균등물들도 본 발명의 범위에 속하는 것으로 간주되어야 할 것이다.
100 : 조명장치 110 : EUV 광소스
200 : 다층막 반사형 존플레이트 210 : 기판
220 : EUV 반사 다층막 240 : 흡수체
250 : 존플레이트 패턴 300 : 조명광
400 : 어퍼쳐

Claims (13)

  1. 반도체 제조 공정의 EUV(Extreme ultraviolet) 노광 공정에 사용되는 EUV 마스크의 측정 및 검사용 EUV 조명 장치에 있어서,
    EUV 광을 출력하는 EUV 광소스; 및 기판, 상기 기판 상에 형성되고 상기 EUV 광소스에서 조사되는 상기 EUV 광을 반사하는 다층막과, 상기 반사되는 EUV 광을 회절시켜 EUV 조명광을 생성하는 존플레이트 패턴으로 이루어지는 다층막 반사형 존플레이트(Multilayer reflection zone plate);를 포함하되
    상기 EUV 광은 5nm 내지 15nm 사이의 파장을 가지며
    상기 다층막 반사형 존플레이트의 상기 다층막은 적어도 2개 이상의 반사물질이 적층되어 구성되고
    상기 다층막 반사형 존플레이트의 상기 존플레이트 패턴은 상기 EUV 광의 원하는 회절 효율을 얻기 위해 높이와 폭을 조절하며,
    상기 조절된 높이와 폭은 주기적인 구조를 갖도록 하여 상기 주기적인 패턴에 의해 집속되는 빔들 각각은 집속각도별로 세기가 조절됨에 따라 조명 빔의 집속각도별 세기 분포를 조절하고
    또한 상기 다층막 반사형 존플레이트에서 공간적으로 상기 존플레이트 패턴의 유무를 조절하여 광의 회절 유무를 결정함에 따라 집속되는 빔이 바이너리(binary)조명을 구현하고, 상기 존플레이트 패턴이 존재하는 곳에서 패턴의 높이와 폭을 조절하는 듀티 사이클(duty cycle)을 달리하여 상기 바이너리 조명위치의 광량을 조절함으로써, 조명이 비추어지는 위치와 상기 비추어지는 위치의 조명 빛의 세기를 조절하는 것을 특징으로 하는 다층막 반사형 존플레이트를 이용한 EUV용 조명 장치.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서,
    상기 다층막 반사형 존플레이트의 상기 존플레이트 패턴은 상기 다층막의 표면 또는 내측에 소정의 패턴에 따라 형성된 흡수체로 구성되는 것을 특징으로 하는 다층막 반사형 존플레이트를 이용한 EUV용 조명 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 다층막 반사형 존플레이트의 상기 존플레이트 패턴은 상기 다층막의 적어도 일부를 소정의 패턴에 따라 식각하여 구성되는 것을 특징으로 하는 다층막 반사형 존플레이트를 이용한 EUV용 조명 장치.
  6. 삭제
  7. 제1항에 있어서,
    상기 다층막 반사형 존플레이트의 상기 존플레이트 패턴은 원형 또는 타원형의 패턴인 것을 특징으로 하는 다층막 반사형 존플레이트를 이용한 EUV용 조명 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 다층막 반사형 존플레이트의 상기 존플레이트 패턴은 상기 원형 또는 타원형의 패턴의 중심이 상기 다층막 반사형 존플레이트 내에 존재하지 않는 비근축(off-axis) 존플레이트, 또는 상기 원형 또는 타원형의 패턴의 중심이 상기 다층막 반사형 존플레이트 내에 존재하는 근축(on-axis) 존플레이트인 것을 특징으로 하는 다층막 반사형 존플레이트를 이용한 EUV용 조명 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 다층막 반사형 존플레이트로부터 집속되는 상기 조명광의 선폭을 제한하는 어퍼쳐; 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다층막 반사형 존플레이트를 이용한 EUV용 조명 장치.






  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 삭제
KR1020210120836A 2021-09-10 2021-09-10 다층막 반사형 존플레이트를 이용한 euv용 조명 장치 및 그 제조방법 KR102693181B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210120836A KR102693181B1 (ko) 2021-09-10 2021-09-10 다층막 반사형 존플레이트를 이용한 euv용 조명 장치 및 그 제조방법
US17/570,404 US11829064B2 (en) 2021-09-10 2022-01-07 EUV lighting device using multilayer reflection zone plate and manufacturing method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210120836A KR102693181B1 (ko) 2021-09-10 2021-09-10 다층막 반사형 존플레이트를 이용한 euv용 조명 장치 및 그 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20230037817A KR20230037817A (ko) 2023-03-17
KR102693181B1 true KR102693181B1 (ko) 2024-08-08

Family

ID=85477976

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210120836A KR102693181B1 (ko) 2021-09-10 2021-09-10 다층막 반사형 존플레이트를 이용한 euv용 조명 장치 및 그 제조방법

Country Status (2)

Country Link
US (1) US11829064B2 (ko)
KR (1) KR102693181B1 (ko)

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1992001319A1 (en) * 1990-07-10 1992-01-23 Mawzones Developments Limited A phase correcting reflection zone plate for focusing microwaves
US6259764B1 (en) 1999-07-16 2001-07-10 Agere Systems Guardian Corp. Zone plates for X-rays
KR100982739B1 (ko) 2007-12-11 2010-09-20 주식회사 세미콘라이트 고효율 태양전지
CN104111488A (zh) 2013-10-22 2014-10-22 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 一种具有单级衍射特性的反射式波带片设计及制造方法
CN104570180A (zh) 2015-01-05 2015-04-29 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 一种具有色散聚焦的椭圆反射式波带片设计和制作方法
CN105866870A (zh) * 2016-06-16 2016-08-17 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 具有准单级聚焦特性的梯形波带片
US20200003685A1 (en) * 2018-06-28 2020-01-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Euv mask inspection apparatus and method, and euv mask manufacturing method including euv mask inspection method
US20210136901A1 (en) * 2019-11-01 2021-05-06 Kla Corporation Laser Produced Plasma Illuminator With Liquid Sheet Jet Target

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6914723B2 (en) * 2001-11-09 2005-07-05 Xradia, Inc. Reflective lithography mask inspection tool based on achromatic Fresnel optics
US7268945B2 (en) * 2002-10-10 2007-09-11 Xradia, Inc. Short wavelength metrology imaging system
KR101370203B1 (ko) 2005-11-10 2014-03-05 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 광원의 요동을 측정하기 위한 시스템을 구비한 ｅｕｖ 조명시스템
US7420737B2 (en) * 2005-12-21 2008-09-02 Intel Corporation Reconfigurable zone plate lens
DE102006020734A1 (de) 2006-05-04 2007-11-15 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem für die EUV-Lithographie sowie erstes und zweites optisches Element zum Einsatz in einem derartigen Beleuchtungssystem
US20080266651A1 (en) * 2007-04-24 2008-10-30 Katsuhiko Murakami Optical apparatus, multilayer-film reflective mirror, exposure apparatus, and device
NL1036695A1 (nl) * 2008-05-15 2009-11-17 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus.
DE102008042462B4 (de) 2008-09-30 2010-11-04 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem für die EUV-Mikrolithographie
KR101258344B1 (ko) 2008-10-31 2013-04-30 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 Ｅｕｖ 마이크로리소그래피용 조명 광학 기기
KR20130073429A (ko) * 2011-12-23 2013-07-03 삼성전자주식회사 존 플레이트 및 이를 포함하는 마스크 패턴 측정 장치
DE102017205629A1 (de) * 2017-04-03 2018-10-04 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Reparieren von Defekten einer photolithographischen Maske für den EUV-Bereich
DE102018216870A1 (de) 2018-10-01 2020-04-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Herstellen eines Beleuchtungssystems für eine EUV-Anlage
KR102207666B1 (ko) * 2019-04-16 2021-01-26 주식회사 이솔 스캐닝 타입 euv 마스크의 패턴 이미지 측정장치
DE102019124919B4 (de) * 2019-09-17 2021-08-26 Ri Research Instruments Gmbh Mikroskopisches System zur Prüfung von Strukturen und Defekten auf EUV-Lithographie-Photomasken
US11520235B2 (en) * 2019-10-07 2022-12-06 Kenneth Carlisle Johnson EUV lithography system with diffraction optics
KR20220075021A (ko) * 2020-11-26 2022-06-07 삼성전자주식회사 극자외선 발생 장치와 이의 제조 방법, 및 극자외선 시스템
KR20230054027A (ko) * 2021-10-15 2023-04-24 주식회사 이솔 Euv 마스크 및 euv 팰리클의 반사도와 투과도 측정장치
KR102693199B1 (ko) * 2021-10-15 2024-08-08 주식회사 이솔 다층막 반사형 존플레이트를 이용한 euv 마스크 검사장치

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1992001319A1 (en) * 1990-07-10 1992-01-23 Mawzones Developments Limited A phase correcting reflection zone plate for focusing microwaves
US6259764B1 (en) 1999-07-16 2001-07-10 Agere Systems Guardian Corp. Zone plates for X-rays
KR100982739B1 (ko) 2007-12-11 2010-09-20 주식회사 세미콘라이트 고효율 태양전지
CN104111488A (zh) 2013-10-22 2014-10-22 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 一种具有单级衍射特性的反射式波带片设计及制造方法
CN104570180A (zh) 2015-01-05 2015-04-29 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 一种具有色散聚焦的椭圆反射式波带片设计和制作方法
CN105866870A (zh) * 2016-06-16 2016-08-17 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 具有准单级聚焦特性的梯形波带片
US20200003685A1 (en) * 2018-06-28 2020-01-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Euv mask inspection apparatus and method, and euv mask manufacturing method including euv mask inspection method
US20210136901A1 (en) * 2019-11-01 2021-05-06 Kla Corporation Laser Produced Plasma Illuminator With Liquid Sheet Jet Target

Also Published As

Publication number Publication date
KR20230037817A (ko) 2023-03-17
US20230079858A1 (en) 2023-03-16
US11829064B2 (en) 2023-11-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101795610B1 (ko) 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법
US10578973B2 (en) Illumination optical assembly, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP3264224B2 (ja) 照明装置及びそれを用いた投影露光装置
JP3970106B2 (ja) 実質的に透過性のプロセス層に整列マークを備える基板、上記マークを露出するためのマスク、およびデバイス製造方法
JP2021193456A (ja) 露光装置、露光方法および高密度ラインのパターニングのためのｅｕｖリソグラフィシステム
TW200537256A (en) Illumination apparatus, exposure apparatus and device manufacturing method
JP6727327B2 (ja) 照明放射を発生するための方法及び装置
TWI477920B (zh) 用於微影裝置及方法之照明器
KR20070012248A (ko) 노광장치 및 방법
JP2006005319A (ja) 照明光学系及び方法、露光装置及びデバイス製造方法
JP4954267B2 (ja) リソグラフィ装置の方法
TWI519733B (zh) 照明系統、微影裝置及形成照明模式的方法
CN112639622A (zh) 量测设备
KR20120031916A (ko) Ｅｕｖ 마스크 평평함을 평가하기 위한 방법 및 시스템
JP4090449B2 (ja) リソグラフィック投影装置及びデバイス製造方法
KR20030006968A (ko) 리소그래피장치, 디바이스제조방법, 그 디바이스,반사기제조방법, 그 반사기 및 위상반전마스크
JP2009158959A (ja) デバイス製造方法及びリソグラフィ装置
KR102693199B1 (ko) 다층막 반사형 존플레이트를 이용한 euv 마스크 검사장치
JP3997199B2 (ja) 露光方法及び装置
KR102693181B1 (ko) 다층막 반사형 존플레이트를 이용한 euv용 조명 장치 및 그 제조방법
JP3958261B2 (ja) 光学系の調整方法
KR102591666B1 (ko) 고성능 euv 마스크 패턴 스캐닝 장치
KR102676573B1 (ko) 반사기 제조 방법 및 관련된 반사기
JP2022524206A (ja) リソグラフィ装置、計測装置、光学システムおよび方法
JP2010045360A (ja) 回折光学素子、リソグラフィ装置及び半導体デバイスの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant