JP4954267B2 - リソグラフィ装置の方法 - Google Patents
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Description
放射ビームPB(例えば、UV放射又はEUV放射)を調節する照明システム(イルミネータ)ILと、
パターニングデバイス(例えば、マスク)を支持し、部品PLに対してパターニングデバイスを正確に位置決めする第1の位置決めデバイスPMに接続された支持構造(例えば、支持構造)MTと、
基板(例えば、レジストコートウェーハ)Wを保持し、部品PLに対して基板を正確に位置決めする第2の位置決めデバイスPWに接続された基板テーブル(例えば、ウェーハテーブル)WTと、
パターニングデバイスMAによって放射ビームPBに付与されたパターンを基板Wのターゲット部分C(例えば、1つ又は複数のダイを含む)上に結像するように構成された投影システム(例えば、屈折型投影レンズ)PLと、
投影システムPLの瞳面PP内又はそれに隣接して位置し、放射ビームの電界の少なくとも一部の位相を調整するように配置された位相変調素子PMEとを備える。
Claims (15)
- リソグラフィ装置によって結像されるパターンフィーチャの少なくとも一部の焦点深度を増大させる方法であって、
パターニングデバイスによって提供されるパターニングデバイスのパターンを放射ビームで照明するステップであって、前記パターニングデバイスのパターンが、前記放射ビームを回折させて複数の回折放射ビームを形成するパターンフィーチャを含むステップと、
位相変調素子をパターニングデバイスから生じる回折放射ビームで照明し、位相変調素子を用いて回折放射ビームの各々を構成する放射の少なくとも一部分の位相を制御して、前記リソグラフィ装置の第1の焦点面を有する第1の位相波面を形成し、前記リソグラフィ装置の第2の焦点面を有する第2の位相波面を形成するステップであって、第1及び第2の焦点面がリソグラフィ装置の光軸に沿って互いにオフセットされるステップとを含み、前記回折放射ビームの少なくとも一部分を構成する前記放射の前記位相を制御するステップが、
前記第1及び第2の回折放射ビームの前記第1の部分が、前記第1の位相波面の少なくとも部分的に形成する第1の位相の変化を受けるように、第1の回折放射ビームの第1の部分と第2の回折放射ビームの対応する第1の部分の位相を制御するステップと、
前記第1及び第2の回折放射ビームの前記第2の部分が、前記第2の位相波面の少なくとも部分的に形成する第2の位相の変化を受けるように、第1の回折放射ビームの第2の部分と前記第2の回折放射ビームの対応する第2の部分の位相を制御するステップと、
を含む方法。 - 前記第1及び第2の回折放射ビームの第1の部分と第1及び第2の回折放射ビームの第2の部分が、それらがそれぞれの回折放射ビーム内に同じ相対位置を有するという点で対応する、請求項1に記載の方法。
- 前記第1又は第2の回折放射ビームの前記第1の部分と第1又は第2の回折放射ビームの第2の部分が、前記位相変調素子に投影された時に実質的に等しい領域を画定する、請求項1又は2に記載の方法。
- 前記位相変調素子に投影された時に、前記第1又は第2の回折放射ビームの前記第1及び第2の部分が、第1又は第2の回折放射ビームそれぞれの中心で交わる、請求項1〜3のいずれか1項に記載の方法。
- 各回折放射ビームの交互する及び/又は隣接する部分が、交互する位相波面の少なくとも部分的に形成する位相の変化を受ける、請求項1〜4のいずれか1項に記載の方法。
- 前記第1の位相の変化が、一緒に半径方向の位相分布を画定するか、又は第2の位相の変化が、一緒に半径方向の位相分布を画定する、請求項1〜5のいずれか1項に記載の方法。
- 前記第1の位相波面及び第2の位相波面が、各々異なる正の曲率を有するか、又は
前記第1の位相波面及び第2の位相波面が、各々異なる負の曲率を有するか、又は
前記第1の位相波面が、正の曲率を有し、前記第2の位相波面が、負の曲率を有する、請求項1〜6のいずれか1項に記載の方法。 - 前記第1又は第2の回折放射ビームの前記第1の部分の位相の変化が、前記第1又は第2の回折放射ビームの前記第2の部分の位相の変化に実質的に等しく逆方向である、請求項1〜7のいずれか1項に記載の方法。
- 前記位相変調素子に入射する時に前記第1及び第2の回折放射ビームの間に重なりがほとんどないか全くなく、前記位相変調素子に入射する時に前記複数の回折放射ビーム間に重なりがほとんどないか全くない、請求項1〜8のいずれか1項に記載の方法。
- 前記位相変調素子が、制御可能な領域を含む、請求項1〜9のいずれか1項に記載の方法。
- 前記制御可能な領域が、前記制御可能な領域を選択的に加熱することにより前記制御可能な領域の屈折率を変更するように制御可能である、請求項10に記載の方法。
- 前記制御可能な領域が、前記制御可能な領域の形状、位置又は向きを選択的に制御することにより制御可能である、請求項10又は11に記載の方法。
- 前記位相変調素子が、前記リソグラフィ装置の瞳面に、又はそれに隣接して位置する、請求項1〜12のいずれか1項に記載の方法。
- リソグラフィ装置によって結像されるパターンフィーチャの少なくとも一部の焦点深度を増大させる方法であって、
パターニングデバイスのパターンを放射ビームで照明することにより回折放射ビームを形成するステップであって、前記パターニングデバイスのパターンが、前記放射ビームを回折させるパターンフィーチャを含むステップと、
位相変調素子を前記回折放射ビームで照明し、回折放射ビームの一部分の位相波面を前記リソグラフィ装置の第1の焦点面(及び第1の焦点深度)を有する第1の位相波面と、前記リソグラフィ装置の第2の焦点面(及び第2の焦点深度)を有する第2の位相波面とに変換するステップであって、前記第1及び第2の焦点面(及び第1及び第2の焦点深度)が、前記リソグラフィ装置の光軸に沿って互いにオフセットされるステップとを含み、
前記変換ステップが、
第1の回折放射ビームの第1の部分の位相及び第2の回折放射ビームの対応する第1の部分の位相に前記第1の位相波面の少なくとも部分的に形成する位相の変化を与えるステップと、
前記第1の回折放射ビームの第2の部分の位相及び前記第2の回折放射ビームの対応する第2の部分の位相に前記第2の位相波面の少なくとも部分的に形成する位相の変化を与えるステップと、
を含む方法。 - リソグラフィ装置であって、
パターニングデバイスから複数の回折放射ビームの各々を構成する放射の少なくとも一部分の位相を制御して前記リソグラフィ装置の第1の焦点面を有する第1の位相波面及び前記リソグラフィ装置の第2の焦点面を有する第2の位相波面を形成するように構成された位相変調素子であって、前記第1及び第2の焦点面が、前記リソグラフィ装置の光軸に沿って互いにオフセットされた位相変調素子を備え、前記回折放射ビームの少なくとも一部分を構成する放射の位相の制御が、
第1及び第2の回折放射ビームの第1の部分が前記第1の位相波面の少なくとも部分的に形成する第1の位相の変化を受けるように、第1の回折放射ビームの第1の部分及び第2の回折放射ビームの対応する第1の部分の位相を制御するステップと、
前記第1及び第2の回折放射ビームの第2の部分が前記第2の位相波面の少なくとも部分的に形成する第2の位相の変化を受けるように、前記第1の回折放射ビームの第2の部分及び前記第2の回折放射ビームの対応する第2の部分の位相を制御するステップと、
を含むリソグラフィ装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US19341908P | 2008-11-26 | 2008-11-26 | |
US61/193,419 | 2008-11-26 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010130010A JP2010130010A (ja) | 2010-06-10 |
JP4954267B2 true JP4954267B2 (ja) | 2012-06-13 |
Family
ID=42196609
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009263436A Expired - Fee Related JP4954267B2 (ja) | 2008-11-26 | 2009-11-19 | リソグラフィ装置の方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8178263B2 (ja) |
JP (1) | JP4954267B2 (ja) |
NL (1) | NL2003689A (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL2003689A (en) | 2008-11-26 | 2010-05-27 | Asml Netherlands Bv | Method for a lithographic apparatus. |
NL2004323A (en) * | 2009-04-16 | 2010-10-18 | Asml Netherlands Bv | Device manufacturing method and lithographic apparatus. |
US8553331B2 (en) * | 2009-12-16 | 2013-10-08 | Flir Systems, Inc. | Selective diffractive optical element and a system including the same |
NL2007477A (en) | 2010-10-22 | 2012-04-24 | Asml Netherlands Bv | Method of optimizing a lithographic process, device manufacturing method, lithographic apparatus, computer program product and simulation apparatus. |
JP5757413B2 (ja) * | 2011-06-29 | 2015-07-29 | 大日本印刷株式会社 | 位相変調マスク、露光装置および露光方法 |
NL2009850A (en) | 2011-12-02 | 2013-06-05 | Asml Netherlands Bv | Lithographic method and apparatus. |
US9964850B2 (en) | 2014-07-31 | 2018-05-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method to mitigate defect printability for ID pattern |
US10162257B2 (en) * | 2016-12-15 | 2018-12-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Extreme ultraviolet lithography system, device, and method for printing low pattern density features |
CN114207530A (zh) | 2019-08-09 | 2022-03-18 | Asml荷兰有限公司 | 在对准中用以减小标记大小的相位调制器 |
US11815675B2 (en) | 2019-08-09 | 2023-11-14 | Asml Netherlands B.V. | Metrology device and phase modulator apparatus therefor comprising a first moving grating and a first compensatory grating element |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07147222A (ja) * | 1993-11-26 | 1995-06-06 | Hitachi Ltd | パターン形成方法及び投影露光装置 |
JPH08148411A (ja) * | 1994-11-24 | 1996-06-07 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
JP2001284221A (ja) * | 2000-03-30 | 2001-10-12 | Canon Inc | 投影光学系及び投影露光方法 |
EP1467252A1 (en) * | 2003-04-07 | 2004-10-13 | ASML Netherlands B.V. | Device manufacturing method and mask set for use in the method |
US7525640B2 (en) | 2006-11-07 | 2009-04-28 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
NL2003689A (en) | 2008-11-26 | 2010-05-27 | Asml Netherlands Bv | Method for a lithographic apparatus. |
-
2009
- 2009-10-22 NL NL2003689A patent/NL2003689A/en not_active Application Discontinuation
- 2009-11-19 JP JP2009263436A patent/JP4954267B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2009-11-24 US US12/625,063 patent/US8178263B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-04-13 US US13/446,811 patent/US8426088B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010130010A (ja) | 2010-06-10 |
US20120200838A1 (en) | 2012-08-09 |
NL2003689A (en) | 2010-05-27 |
US8178263B2 (en) | 2012-05-15 |
US20100129742A1 (en) | 2010-05-27 |
US8426088B2 (en) | 2013-04-23 |
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Date | Code | Title | Description |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20111031 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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