JP5757413B2 - 位相変調マスク、露光装置および露光方法 - Google Patents

Description

光を所定の周期的な変調パターンで位相変調するための位相変調マスクに関する。また本発明は、被露光物を所定の露光パターンで露光する露光装置および露光方法に関する。

近年、屈折率が周期的に変化する構造を有するフォトニック結晶が様々な分野で利用されている。フォトニック結晶は、例えば、光の波長程度、すなわち数百ｎｍ程度のピッチで周期的に設けられた複数のピラーやホールなどを有しており、これによって、屈折率の周期的な変化が実現されている。

周期的に複数のピラーやホールなどを形成する方法の１つとして、フォトリソグラフィー法が知られている。フォトリソグラフィー法においては、はじめに基板が準備され、次に基板上にレジストが塗布される。その後、基板およびレジストからなる被露光物が、形成されるべきピラーやホールのピッチに対応する所定のパターンで露光され、現像される。次に、基板上に残っているレジストをマスクとしてエッチングを行うことにより、基板にピラーやホールを形成することができる。

レジストを所定のパターンで露光する方法として、レーザ描画装置や電子線描画装置を用いた走査露光による方法や、フォトマスクを用いた一括露光による方法が知られている。このうち一括露光による方法は、基板上のレジストを全面にわたって一括で露光できるため、量産用途の場合に好ましく用いられる。

フォトマスクを用いた一括露光による方法としては、密着露光、近接露光または投影露光などが知られている。

投影露光においては、数百ｎｍの解像度で露光を実施するためには、高い開口数および低い収差を有する結像光学系を用いることが求められる。しかしながら、一般に、開口数が高くなり収差が低くなるほど、結像光学系の入手が困難になる。また焦点深度が開口数の二乗に反比例して浅くなるため、開口数を高めることによって解像度を向上させる場合、被露光物の位置を高い精度で制御する必要がある。このため、被露光物を所望の位置で保持するための保持具として、高精度の保持具が必要となる。また投影露光においては、露光対象となる被露光物に焦点深度以上の凹凸が形成されている場合、そのような被露光物を露光することが不可能となる。このため、被露光物の製造過程で焦点深度以上のうねりが被露光物に発生してしまう分野の場合、投影露光を用いることができない。

このような課題を解決するため、近接露光に関する研究が進められている。しかしながら、通常の近接露光ではフォトマスクと被露光物との間にギャップが設けられており、このため、回折によって露光光の焦点がぼけることが知られている。従って、従来、近接露光を用いて数百ｎｍの解像度で露光を実施することは困難であった。

このような課題を解決し、近接露光を用いて数百ｎｍの解像度で露光を実施することを可能とするため、タルボット（Ｔａｌｂｏｔ）効果を利用した近接露光方法が提案されている。タルボット効果とは、周期的な構造を有する物体、例えばフォトマスクに光を照射したとき、フォトマスクの出射側に、光の伝搬方向において光強度が周期的に変化するパターンが発生するという現象である。例えば特許文献１においては、０次を含む全ての回折次数の光を用いて被露光物を露光するためのフォトマスクと、フォトマスクから所定の距離に配置された被露光物であって、被露光物上に所望のパターンの光を照射している間、前記所定の距離が光の強度分布の少なくとも一つの周期的な変動の範囲に渡って変化される被露光物と、を備えたシステムが提案されている。特許文献１においては、このようなシステムを用いることにより、被露光物上に所望の平均的な強度分布が得られることが意図されている。

特表２００８−５１７４７２号公報

特許文献１に示されるシステムにおいては、少なくとも一つの周期的な変動の範囲に渡って被露光物を移動させることによってはじめて、所望の平均的な強度分布を得ることができる。すなわち、被露光物を移動させることが必須となっている。さらに、特許文献１に示されるシステムにおいては、平均的な強度分布を精密に制御するためには、被露光物の移動距離を精密に制御する必要がある。従って、被露光物を保持するとともに移動させる保持具として、精密な保持具が必要となる。このため、システムの構造が複雑になってしまうことが考えられる。

また、特許文献１において示されている光の伝搬方向における強度分布は、フォトマスクからの距離に対して完全に周期的には変化していない。すなわち、光の強度分布の周期性に乱れがみられる。この場合、精密な保持具を用いることにより、フォトマスクからの距離が光の強度分布の少なくとも一つの周期的な変動の範囲に渡って精密に変化するよう被露光物が移動させられたとしても、被露光物上に得られる平均的な強度分布が、被露光物の移動開始位置に応じて変化すると考えられる。このため、被露光物の移動開始位置に応じて、被露光物に形成される露光パターンが変化してしまうことが考えられる。

本発明は、このような課題を効果的に解決し得る位相変調マスク、露光装置および露光方法を提供することを目的とする。

本発明による位相変調マスクは、光を所定の周期的な変調パターンで位相変調し、位相変調された光の回折光相互の干渉を利用して被露光物を所定の露光パターンで露光するための位相変調マスクであって、位相変調された光の回折光のうち１次の回折光のみによって前記被露光物が露光されるよう構成されていることを特徴とする位相変調マスクである。

本発明による位相変調マスクは、位相変調された光の回折光のうち１次の回折光のみによって被露光物が露光されるよう構成されている。このため、位相変調マスクからの距離に依らず一定の強度を有する光を生成することができる。これによって、位相変調マスクからの距離に依らず、被露光物を所望のパターンで精度良く露光することができる。

本発明による位相変調マスクは、所定の位相変調量を有する第１、…、第ｎ（ｎ≧２の整数）の位相変調群を有し、第ｋ（ｋ＝１〜ｎの整数）の位相変調群は、前記変調パターンに対応する所定の周期的な配置パターンで配置された複数の第ｋの位相変調領域を含み、各位相変調群における複数の位相変調領域の配置パターンは全て同一となっており、第ｋの位相変調領域の位相変調量をθ_ｋとし、第ｋの位相変調領域の面積をＳ_ｋとするとき、以下の関係式
が成立しており、各位相変調群における近接する２つの位相変調領域の間の距離と光の波長との比率は、前記位相変調マスクから１次の回折光のみが生成されるよう定められていてもよい。

本発明による位相変調マスクにおいて、第ｕ（ｕ＝１〜ｎ−１の整数）の位相変調群の第ｕの位相変調領域の位相変調量と第ｕ＋１の位相変調群の第ｕ＋１の位相変調領域の位相変調量との差は２π／ｎとなっており、第１、…、第ｎの位相変調領域の面積は全て同一となっており、第１、…、第ｎの位相変調群は各々、隙間無く配置された複数の正ｍ角形領域（ｍ＝４または６）によって前記位相変調マスクを仮想的に区画した場合に、各正ｍ角形領域において第１、…、第ｎの位相変調領域のいずれか１つの重心が正ｍ角形領域の中心に位置するよう、配置されていてもよい。

本発明による位相変調マスクにおいて、互いに異なる位相変調量を有する第１、…、第ｎ（ｎ≧２の整数）の位相変調群は、互いに異なる位相変調量を有する第１、第２および第３の位相変調群（前記ｎ＝３）となっており、第１、第２および第３の位相変調領域の形状は全て同一となっており、第１、第２および第３の位相変調群は各々、隙間無く配置された複数の正６角形領域によって前記位相変調マスクを仮想的に区画した場合に、各正６角形領域において第１、第２または第３の位相変調領域のいずれか１つの重心が正６角形領域の中心に位置するよう、配置されていてもよい。この場合、好ましくは、隣接する２つの前記正６角形領域の中心間距離をＰとし、光の波長をλとするとき、以下の関係式
が成立している。
この場合、前記正６角形領域は、前記正６角形領域の中心に位置する第１、第２または第３の位相変調領域のいずれか１つと、各位相変調領域を取り囲むよう位置するとともに光遮蔽層を有する光遮蔽領域と、によって占められていてもよい。若しくは、前記正６角形領域は、第１、第２または第３の位相変調領域のいずれか１つによって占められていてもよい。

本発明による位相変調マスクにおいて、互いに異なる位相変調量を有する第１、…、第ｎ（ｎ≧２の整数）の位相変調群は、互いに異なる位相変調量を有する第１および第２の位相変調群（前記ｎ＝２）となっており、第１および第２の位相変調領域の形状は全て同一となっており、第１および第２の位相変調群は各々、隙間無く配置された複数の正４角形領域によって前記位相変調マスクを仮想的に区画した場合に、各正４角形領域において第１または第２の位相変調領域のいずれか１つの重心が正４角形領域の中心に位置するよう、配置されていてもよい。この場合、好ましくは、隣接する２つの前記正４角形領域の中心間距離をＰとし、光の波長をλとするとき、以下の関係式
が成立している。
この場合、前記正４角形領域は、前記正４角形領域の中心に位置する第１または第２の位相変調領域のいずれか１つと、各位相変調領域を取り囲むよう位置するとともに光遮蔽層を有する光遮蔽領域と、によって占められていてもよい。若しくは、前記正４角形領域は、第１または第２の位相変調領域のいずれか１つによって占められていてもよい。

本発明による位相変調マスクにおいて、隙間無く配置された複数の正ｍ角形領域（ｍ＝４または６）によって前記位相変調マスクを仮想的に区画した場合、各正ｍ角形領域に、第１、…、第ｎの位相変調領域がそれぞれ１つずつ含まれており、各正ｍ角形領域において、各位相変調領域は、正ｍ角形領域に対応する回転対称性を有するよう配置されていてもよい。
この場合、互いに異なる位相変調量を有する第１、…、第ｎ（ｎ≧２の整数）の位相変調群は、互いに異なる位相変調量を有する第１および第２の位相変調群（前記ｎ＝２）となっており、第１の位相変調群および第２の位相変調群は各々、隙間無く配置された複数の正４角形領域によって前記位相変調マスクを仮想的に区画した場合に、第１の位相変調領域の重心および第２の位相変調領域の重心がいずれも正４角形領域の中心に位置するよう、配置されており、第１の位相変調群の第１の位相変調領域の位相変調量と第２の位相変調群の第２の位相変調領域の位相変調量との差はπとなっており、第１の位相変調領域の面積と第２の位相変調領域の面積とは同一となっていてもよい。この場合、好ましくは、隣接する２つの前記正４角形領域の中心間距離をＰとし、光の波長をλとするとき、以下の関係式
が成立している。

本発明による露光装置は、光を所定の周期的な変調パターンで位相変調し、位相変調された光の回折光相互の干渉を利用して被露光物を所定の露光パターンで露光する露光装置であって、光を出射する照明光学系と、前記照明光学系の出射側に設けられ、前記照明光学系からの光を所定の周期的な変調パターンで位相変調して出射する位相変調マスクと、を備え、前記位相変調マスクは、位相変調マスクにより位相変調された光の回折光のうち１次の回折光のみによって前記被露光物が露光されるよう構成されていることを特徴とする露光装置である。

本発明による露光装置の位相変調マスクは、位相変調された光の回折光のうち１次の回折光のみによって被露光物が露光されるよう構成されている。このため、位相変調マスクからの距離に依らず一定の強度を有する光を生成することができる。これによって、位相変調マスクからの距離に依らず、被露光物を所望のパターンで精度良く露光することができる。

本発明による露光方法は、光を所定の周期的な変調パターンで位相変調し、位相変調された光の回折光相互の干渉を利用して被露光物を所定の露光パターンで露光する露光方法であって、光を出射する照明光学系を準備する工程と、位相変調された光の回折光のうち１次の回折光のみによって前記被露光物が露光されるよう、位相変調マスクを用いて前記照明光学系からの光を所定の周期的な変調パターンで位相変調する位相変調工程と、を備えたことを特徴とする露光方法である。

本発明による露光方法の位相変調工程は、位相変調された光の回折光のうち１次の回折光のみによって被露光物が露光されるよう、位相変調マスクを用いて照明光学系からの光を所定の周期的な変調パターンで位相変調する工程となっている。このため、位相変調マスクからの距離に依らず一定の強度を有する光を生成することができる。これによって、位相変調マスクからの距離に依らず、被露光物を所望のパターンで精度良く露光することができる。

本発明によれば、位相変調マスクからの距離に依らず、被露光物を所望のパターンで精度良く露光することができる。

図１は、図１は、本発明の第１の実施の形態における露光装置を示す図。 図２は、本発明の第１の実施の形態における位相変調マスクを示す平面図。 図３は、図２の位相変調マスクをIII−III方向から見た縦断面図。 図４は、位相変調マスクの各位相変調領域の配置パターンを示す図。 図５は、非回折ビームが成立する条件を模式的に示す図。 図６（ａ）（ｂ）（ｃ）は、一次元の周期的構造体において、光が回折する様子を示す図。 図７（ａ）（ｂ）（ｃ）は、本発明の第１の実施の形態における位相変調マスクが生成し得る回折光と、被露光物に実際に照射される回折光の範囲を示す円と、の関係を示す図。 図８は、本発明の第１の実施の形態の変形例における位相変調マスクを示す平面図。 図９は、図８の位相変調マスクをIX−IX方向から見た縦断面図。 図１０は、本発明の第２の実施の形態における位相変調マスクを示す平面図。 図１１は、図１０の位相変調マスクをXI−XI方向から見た縦断面図。 図１２（ａ）（ｂ）（ｃ）は、本発明の第２の実施の形態における位相変調マスクが生成し得る回折光と、被露光物に実際に照射される回折光の範囲を示す円と、の関係を示す図。 図１３は、本発明の第２の実施の形態の第１の変形例における位相変調マスクを示す平面図。 図１４は、図１３の位相変調マスクをＸIV−ＸIV方向から見た縦断面図。 図１５は、本発明の第２の実施の形態の第２の変形例における位相変調マスクを示す平面図。 図１６は、本発明の第３の実施の形態の第３の変形例における位相変調マスクを示す平面図。 図１７は、本発明の第３の実施の形態における位相変調マスクを示す平面図。 図１８は、図１７の位相変調マスクをＸVIII−ＸVIII方向から見た縦断面図。 図１９（ａ）（ｂ）（ｃ）は、本発明の第３の実施の形態における位相変調マスクが生成し得る回折光と、被露光物に実際に照射される回折光の範囲を示す円と、の関係を示す図。 図２０は、本発明の第３の実施の形態の第１の変形例における位相変調マスクを示す平面図。 図２１（ａ）（ｂ）は、本発明の第３の実施の形態の第２の変形例における位相変調マスクを示す平面図。 図２２は、本発明の第３の実施の形態の第３の変形例における位相変調マスクを示す平面図。 図２３は、各実施例における光強度分布の算出箇所を示す図。 図２４（ａ）（ｂ）（ｃ）は、実施例１において、光強度分布の算出結果を示す図。 図２５は、実施例１において、被露光物に得られた露光パターンを示す図。 図２６（ａ）（ｂ）（ｃ）は、実施例２において、光強度分布の算出結果を示す図。 図２７（ａ）（ｂ）（ｃ）は、実施例３において、光強度分布の算出結果を示す図。 図２８（ａ）（ｂ）（ｃ）は、実施例４において、光強度分布の算出結果を示す図。 図２９（ａ）（ｂ）（ｃ）は、実施例５において、光強度分布の算出結果を示す図。 図３０（ａ）（ｂ）（ｃ）は、実施例６において、光強度分布の算出結果を示す図。

第１の実施の形態
以下、図１乃至図７（ａ）（ｂ）（ｃ）を参照して、本発明の第１の実施の形態について説明する。はじめに図１を参照して、本実施の形態における露光装置１０であって、光を所定の周期的な変調パターンで位相変調し、位相変調された光の回折光相互の干渉を利用して被露光物１４を所定の露光パターンで露光する露光装置１０について説明する。

露光装置
図１は、露光装置１０を示す図である。図１に示すように、露光装置１０は、光を出射する照明光学系１１と、照明光学系１１の出射側に設けられ、照明光学系１１からの光を所定の周期的な変調パターンで位相変調して出射する位相変調マスク２０と、位相変調マスク２０の出射側に設けられ、被露光物１４を保持するとともに位相変調マスク２０と被露光物１４との間の距離を変化させるよう移動自在となっている保持具１７と、保持具１７の移動を制御する制御手段１８と、を備えている。

（照明光学系）
このうち照明光学系１１は、好ましくは、相互にコヒーレントな光を位相変調マスク２０に向けて出射するよう構成されている。すなわち照明光学系１１は、好ましくは、図１に示す矢印Ｔの方向に伝搬される平行光であって、含まれる光の振幅および位相に一定の関係がある平行光を出射するよう構成されている。このような照明光学系１１の具体的な構成は特には限定されないが、例えば、図１に示すように、照明光学系１１は、レーザ光を出射するレーザ光源１２と、レーザ光源１２からのレーザ光を平行光として位相変調マスク２０へ導くための折り返しミラー１３ａおよびビームエキスパンダー１３ｂ，１３ｃと、を有している。

（位相変調マスク）
照明光学系１１からの平行光は、位相変調マスク２０において位相変調される。また位相変調マスク２０を透過した光は、様々な方向へ回折し、この結果、被露光物１４上に干渉パターンが形成される。ここで、本実施の形態による位相変調マスク２０は、光を所定の周期的な変調パターンで位相変調し、この結果、被露光物１４上に形成される干渉パターンが位相変調マスク２０によって位相変調された光の回折光のうち１次の回折光のみによって生成されるよう、構成されている。すなわち位相変調マスク２０は、１次の回折光のみによって被露光物１４が露光されるよう構成されている。以下、位相変調マスク２０の構成について説明する。

はじめに、位相変調マスク２０の周期性について説明する。位相変調マスク２０は、所定の位相変調量を有する第１、…、第ｎの位相変調群を有している。ここで、ｎは２以上の整数である。また、第ｋの位相変調群は、前記変調パターンに対応する所定の周期的な配置パターンで配置された複数の第ｋの位相変調領域を含み、各位相変調群における複数の位相変調領域の配置パターンは全て同一となっている。ここでｋは、１〜ｎの範囲内の任意の整数である。このように位相変調マスク２０を構成することにより、光を所定の周期的な変調パターンで位相変調することが可能となっている。このような位相変調マスク２０の具体的な構造について、図２乃至図４を参照して説明する。

図２は、位相変調マスク２０を示す平面図であり、図３は、図２の位相変調マスクをIII−III方向から見た縦断面図である。本実施の形態においては、上述のｎが３となっている例について説明する。具体的には、図２に示すように、位相変調マスク２０は、光を第１の位相変調量θ_１で変調する第１位相変調群２１と、光を第２の位相変調量θ_２で変調する第２位相変調群２２と、光を第３の位相変調量θ_３で変調する第３位相変調群２３と、を有している。このうち第１位相変調群２１は、光を第１の位相変調量θ_１で変調するよう構成された複数の第１位相変調領域２１ａを含んでいる。同様に、第２位相変調群２２は、光を第２の位相変調量θ_２で変調するよう構成された複数の第２位相変調領域２２ａを含んでおり、第３位相変調群２３は、光を第３の位相変調量θ_３で変調するよう構成された複数の第３位相変調領域２３ａを含んでいる。また図２に示すように、位相変調マスク２０のうち第１位相変調領域２１ａ、第２位相変調領域２２ａおよび第３位相変調領域２３ａ以外の領域は、光を遮蔽する光遮蔽領域２５によって占められている。

図２から明らかなように、第１位相変調領域２１ａ、第２位相変調領域２２ａおよび第３位相変調領域２３ａはいずれも、同一の直径Ｒを有する円形の領域となっている。すなわち、第１位相変調領域２１ａ、第２位相変調領域２２ａおよび第３位相変調領域２３ａの形状および面積は全て同一となっている。

次に図３を参照して、光の伝搬方向における位相変調マスク２０の構造について説明する。図３に示すように、第１位相変調領域２１ａ、第２位相変調領域２２ａおよび第３位相変調領域２３ａは、その表面に凹凸が設けられ、光透過性を有する基材７１によって形成されている。基材７１は、例えばその屈折率がｎである石英ガラスから構成されている。

〔位相変調量〕
次に、基材７１から形成される各位相変調領域の位相変調量について説明する。各位相変調群の位相変調領域の位相変調量は、第ｕの位相変調群の第ｕの位相変調領域の位相変調量と第ｕ＋１の位相変調群の第ｕ＋１の位相変調領域の位相変調量との差が２π／ｎとなるよう設定されている。ここでｕは、１〜（ｎ−１）の範囲内の任意の整数である。なお上述のように、本実施の形態においては、整数ｎが３となっている。すなわち、本実施の形態において、第１位相変調領域２１ａの第１の位相変調量θ_１と第２位相変調領域２２ａの第２の位相変調量θ_２との差が２π／３となっており、また、第２位相変調領域２２ａの第２の位相変調量θ_２と第３位相変調領域２３ａの第３の位相変調量θ_３との差が２π／３となっている。このように各位相変調領域２１ａ，２２ａ，２３ａを設定するための具体的な構成について、図３を参照して説明する。

図３に示すように、基材７１のうち第１位相変調領域２１ａを構成する部分の厚みと、基材７１のうち第２位相変調領域２２ａを構成する部分の厚みとの差をΔｈ_１とする。この場合、空気の屈折率を１とすると、第１位相変調領域２１ａにおける第１の位相変調量θ_１と、第２位相変調領域２２ａにおける第２の位相変調量θ_２との差はΔｈ_１×（ｎ−１）×２π／λになる。ここで、位相変調マスク２０の基材７１は、第１の位相変調量θ_１と第２の位相変調量θ_２との差が２π／３となるよう構成されている。ここでλは、光の波長を表している。

同様に、図３において、基材７１のうち第２位相変調領域２２ａを構成する部分の厚みと、基材７１のうち第３位相変調領域２３ａを構成する部分の厚みとの差がΔｈ_２で表されている。この場合、空気の屈折率を１とすると、第２位相変調領域２２ａにおける第２の位相変調量θ_２と、第３位相変調領域２３ａにおける第３の位相変調量θ_３との差はΔｈ_２×（ｎ−１）×２π／λになる。ここで、位相変調マスク２０の基材７１は、第２の位相変調量θ_２と第３の位相変調量θ_３との差が２π／３となるよう構成されている。

〔光遮蔽領域〕
また図３に示すように、光遮蔽領域２５は、基材７１の表面に遮蔽層７２を設けることにより構成されている。遮蔽層７２は、光の透過率をほぼゼロとすることができる材料から構成されており、例えば、クロム、アルミニウム、シリコン酸化物または誘電体多層膜などの遮光材料から構成されている。

〔配置パターン〕
次に、各位相変調群２１，２２，２３における配置パターンについて説明する。図２に示すように、第１位相変調群２１の各第１位相変調領域２１ａは、所定の周期的な配置パターンで配置されている。具体的には、各第１位相変調領域２１ａは、各第１位相変調領域２１ａが仮想的な三角格子（図示せず）の頂点を占めるよう配置されている。同様に、各第２位相変調領域２２ａは、各第２位相変調領域２２ａが仮想的な三角格子の頂点を占めるよう配置されており、各第３位相変調領域２３ａは、各第３位相変調領域２３ａが仮想的な三角格子の頂点を占めるよう配置されている。

また、複数の第１位相変調領域２１ａの配置パターンと、複数の第２位相変調領域２２ａの配置パターンと、複数の第３位相変調領域２３ａの配置パターンとは全て同一となっている。ここで「配置パターンは同一」という文言の意味について、図４を参照して説明する。図４は、図２から位相変調領域２１ａ，２２ａ，２３ａのみを抽出して示す平面図である。

本実施の形態において、複数の第１位相変調領域２１ａの配置パターンと複数の第２位相変調領域２２ａの配置パターンとが同一であるとは、各第１位相変調領域２１ａを所定のベクトルｔ_１に沿って平行移動させた場合、各第１位相変調領域２１ａの重心と各第２位相変調領域２２ａの重心とが一致することを意味している。また、複数の第１位相変調領域２１ａの配置パターンと複数の第３位相変調領域２３ａの配置パターンとが同一であるとは、各第１位相変調領域２１ａを所定のベクトルｔ_２に沿って平行移動させた場合、各第１位相変調領域２１ａの重心と各第３位相変調領域２３ａの重心とが一致することを意味している。すなわち「配置パターンは同一」とは、一の位相変調群の各位相変調領域の重心を、当該位相変調群を回転させたり拡大または縮小させたりすることなく、当該位相変調群を所定のベクトルに沿って平行移動させることのみによって、その他の全ての位相変調群の各位相変調領域の重心に一致させることができることを意味している。

〔各位相変調領域の重心の位置〕
次に、各位相変調領域２１ａ，２２ａ，２３ａの重心の位置について説明する。図２に示すように、隙間無く配置された複数の正６角形領域４１によって位相変調マスク２０を仮想的に区画した場合を考える。この場合、各位相変調群２１，２２，２３は、各正６角形領域４１において各位相変調領域２１ａ，２２ａ，２３ａのいずれか１つの重心２７が正６角形領域４１の中心４２に位置するよう、配置されている。この場合、図２に示すように、各正６角形領域４１は、各正６角形領域４１の中心に位置する第１位相変調領域２１ａ，第２位相変調領域２２ａまたは第３位相変調領域２３ａと、各位相変調領域２１ａ，２２ａ，２３ａを取り囲むよう位置する光遮蔽領域２５と、によって占められることになる。

〔周期構造の周期〕
次に、位相変調マスク２０における周期的な構造の周期について説明する。図２に示すように、位相変調マスク２０を正６角形領域４１によって仮想的に区画した場合の、隣接する２つの正６角形領域４１の中心間距離をＰとする。この場合、中心間距離Ｐは、光の波長λと中心間距離Ｐとの間に以下の〔数５〕の関係が成立するよう定められている。
このように中心間距離Ｐと光の波長λとの比率を定めることにより、後述するように、被露光物１４上に形成される干渉パターンに１次の回折光のみが現れるようにすることができる。すなわち、位相変調マスク２０から１次の回折光のみが生成されるようにすることができる。

なお図２から明らかなように、近接する２つの位相変調領域間の中心間距離、例えば近接する２つの第１位相変調領域２１ａ間の中心間距離は、隣接する２つの正６角形領域４１の中心間距離Ｐの３＾^0.5倍、すなわち３＾^0.5Ｐとなっている。すなわち、近接する２つの第１位相変調領域２１ａ間の中心間距離と、隣接する２つの正６角形領域４１の中心間距離Ｐとの間には比例関係が成立している。従って、隣接する２つの正６角形領域４１の中心間距離Ｐと光の波長λとの比率を所定範囲内に定めることは、近接する２つの第１位相変調領域２１ａ間の中心間距離と光の波長λとの比率を所定範囲内に定めることと同義である。

次に、このような構成からなる本実施の形態の作用について説明する。はじめに、本実施の形態において採用される原理について説明する。

非回折ビームの原理
本実施の形態においては、非回折ビームの原理に着目することにより、位相変調マスク２０からの距離に依らず、被露光物１４を所望の一定のパターンで精度良く露光することが実現される。ここで「非回折ビームの原理」とは、波数ベクトルのビーム方向の成分が等しい平面波同士の干渉によるビームの光強度分布はビームの伝搬方向において変化しない、というものである。以下、この原理の概要を説明する。なお波数ベクトルとは、大きさが２π／λで、方向が平面波の伝播方向であるベクトルである。

ｘｙｚ空間における光の複素振幅分布をα（ｘ，ｙ，ｚ）とする。また、ｚ＝０におけるｘｙ面内の光の複素振幅分布α（ｘ，ｙ，ｚ＝０）のフーリエ変換、すなわち初期分布のフーリエ変換をＡ（σ_ｘ，σ_ｙ）とする。非回折ビームの原理によれば、初期分布のフーリエ変換Ａ（σ_ｘ，σ_ｙ）がフーリエ平面の所定の半径のリング内のみでゼロではない値をとる時、干渉により生じるビームの光強度分布がビーム方向に変化しないようになる。本実施の形態においては、この原理に基づいて、伝搬方向において光強度分布が変化しない光が得られるよう、上述の位相変調マスク２０が構成されている。なお、「非回折ビームの原理」については、先行技術文献、例えば 「シミュレーションで見る光学現象（株式会社新技術コミュニケーションズ発行）」に開示されており、ここでは詳細な説明は省略する。なお以下の記述において、伝搬方向において光強度分布が変化しない光を、「非回折ビーム」と称する。

図５は、非回折ビームが得られる条件を模式的に示す図である。図５において、矢印ａ〜ｄはそれぞれ、複数の回折光の波数ベクトルを示している。図５において、矢印ａ〜ｄで示される波数ベクトルは、それぞれ始点を一致させた状態で示されている。

上述の非回折ビームの原理によれば、矢印ａ〜ｄで示される各波数ベクトルの終点が所定の半径のリング内に収まる場合、伝搬方向において光強度分布が変化しない光が得られることになる。

回折光が、周期的な変調パターンで光を位相変調する位相変調マスクからの回折光として得られる場合、非回折ビームを得るためには、以下の２つの条件が成立していることが必要となる。第１の条件は、位相変調マスクからの回折光のうち、０次光の強度がゼロとなっていることである。第２の条件は、０次光以外の回折光において、各々の方向余弦が等しくなっていることである。以下、２つの条件について説明する。

（第１の条件）
はじめに、第１の条件について説明する。位相変調マスクにおける周期的な構造が、所定の単位領域を繰り返し配置することにより得られていると仮定する。この場合、第１の条件は、位相変調マスクの単位領域内において複素振幅透過率の平均がゼロとなっていることを意味している。

ここで、位相変調マスクが、所定の位相変調量を有する第１、…、第ｎ（ｎ≧２の整数）の位相変調群を有し、第ｋ（ｋ＝１〜ｎの整数）の位相変調群は各々、変調パターンに対応する所定の周期的な配置パターンで配置された複数の第ｋの位相変調領域を含み、各位相変調群における複数の位相変調領域の配置パターンは全て同一となっている場合を考える。この場合、位相変調マスクにおける周期的な構造を構成する単位領域は、第１、…、第ｎの位相変調領域をそれぞれ１つずつ含むことになる。従って、第ｋの位相変調領域の位相変調量をθ_ｋとし、第ｋの位相変調領域の面積をＳ_ｋとするとき、第１の条件が成立することは、以下の〔数６〕が満たされることを意味している。

（第２の条件）
次に、第２の条件について説明する。簡単のため、まず一次元周期構造を例にとって考える。この場合、ｄ次（ｄは整数）の回折光の回折角度φは以下の〔数７〕で表される。
〔数７〕において、λは光の波長を表しており、Ｐ_０は一次元周期構造のピッチを表している。

得られる回折光は、波長λとピッチＰとの関係に応じて、図６（ａ）（ｂ）（ｃ）にそれぞれ示されるような３つの場合に分類される。このうち図６（ａ）は、Ｐ_０／λ＜１の関係が成立する場合に得られる回折光を示しており、図６（ｂ）は、１≦Ｐ_０／λ＜２の関係が成立する場合に得られる回折光を示しており、図６（ｃ）は、２≦Ｐ_０／λの関係が成立する場合に得られる回折光を示している。すなわち、図６（ａ）は、〔数７〕の解としてｄ＝０のみが得られる場合を示しており、図６（ｂ）は、〔数７〕の解としてｄ＝０，±１が得られる場合を示しており、図６（ｃ）は、〔数７〕の解としてｄ＝０，±１に加えてｄ＝２，３，…も得られる場合を示している。

上述のように、第２の条件は、０次光以外の回折光において、各々の方向余弦が等しくなっていることである。ここで図６（ｂ）に示す態様においては、０次光以外に表れている光は１次光のみである。従って、図６（ｂ）に示す例において現れている回折光は、各々の方向余弦すなわちｃｏｓφ_ｄ（ｄ＝１）が等しい回折光のみとなっている。すなわち図６（ｂ）に示す態様においては、第２の条件が満たされている。このことから、光の波長λと周期構造のピッチＰ_０とを適切な範囲内に設定することにより、第２の条件を満たすことができるということがわかる。このことは、後述するように、二次元周期構造を有する位相変調マスク、すなわち本実施の形態による位相変調マスク２０が用いられる場合にもあてはまる。

本実施の形態による位相変調マスクの作用
次に、本実施の形態による位相変調マスク２０において、非回折ビームを得るための上述の第１および第２の条件が成立しているかどうかについて考察する。

（第１の条件）
上述のように、各位相変調群２１，２２，２３における位相変調領域２１ａ，２２ａ，２３ａの配置パターンは全て同一となっている。この場合、本実施の形態による位相変調マスク２０における周期的な構造を構成する単位領域は、第１位相変調領域２１ａ，第２位相変調領域２２ａおよび第３位相変調領域２３ａを１つずつ含むことになる。また上述のように、各位相変調領域２１ａ，２２ａ，２３ａの面積は全て同一となっている。この場合、第１の条件における上述の〔数６〕は、以下の〔数８〕に置き換えられる。

また上述のように、第１の位相変調量θ_１と第２の位相変調量θ_２との差は２π／３となっており、さらに、第２の位相変調量θ_２と第３の位相変調量θ_３との差は２π／３となっている。従って、本実施の形態による位相変調マスク２０においては、上述の〔数８〕が満たされている。すなわち、非回折ビームを得るための第１の条件が成立している。

（第２の条件）
次に、第２の条件について、図７（ａ）（ｂ）（ｃ）を参照して考察する。図７（ａ）（ｂ）（ｃ）は、位相変調マスク２０が生成し得る回折光を示す図であり、位相変調マスク２０の出射面２０ｂにおける光の複素振幅分布をフーリエ変換することにより得られる図である。このうち図７（ａ）は、隣接する２つの正６角形領域４１の中心間距離Ｐと光の波長λの間にＰ／λ＜２／３の関係が成立する場合に得られる回折光を示している。また図７（ｂ）は、２／３≦Ｐ／λ＜４／３の関係が成立する場合に得られる回折光を示しており、図７（ｃ）は、４／３≦Ｐ／λの関係が成立する場合に得られる回折光を示している。図７（ａ）（ｂ）（ｃ）において、白丸は、回折光がゼロとなる位置を示しており、黒丸は、回折光がゼロとならない位置を示している。

本実施の形態においては、図７（ａ）（ｂ）（ｃ）において黒丸で示される回折光のうち、中心に最も近い位置にある回折光を１次の回折光と定義し、１次の回折光よりも中心から遠い位置にある回折光を高次の回折光と定義する。

図７（ａ）（ｂ）（ｃ）において、符号８５で表されている円は、半径が１の円となっている。従って、図７（ａ）（ｂ）（ｃ）の各々において、実際に得られる回折光、すなわち被露光物１４における干渉パターンを生成する回折光は、円８５の内側に位置する回折光となっている。

図７（ａ）に示す例においては、円８５の内側に黒丸が存在していない。従って、Ｐ／λ＜２／３の関係が成立する場合、実際に得られる回折光は無い。また図７（ｃ）に示す例においては、円８５の内側に、１次の回折光を示す黒丸だけでなく、高次の回折光を示す黒丸も存在している。従って、４／３≦Ｐ／λの関係が成立する場合、中心から各回折光までの距離は、一定とはなっておらず、回折光により異なっている。

一方、図７（ｂ）に示す例においては、円８５の内側に、１次の回折光を示す黒丸のみが存在している。従って、２／３≦Ｐ／λ＜４／３の関係が成立する場合、中心から各回折光までの距離が一定となっている。従って、図７（ｂ）に示す例において、得られる回折光は、各々の方向余弦が等しい１次の回折光のみとなっている。すなわち、〔数８〕の関係を満たす本実施の形態においては、非回折ビームを得るための第２の条件が成立している。

上述のように、本実施の形態による位相変調マスク２０においては、非回折ビームを得るための第１の条件および第２の条件が満たされている。このため本実施の形態によれば、被露光物１４上に形成される干渉パターンが、位相変調マスク２０によって位相変調された光の回折光のうち１次の回折光のみによって生成される。この場合、位相変調マスク２０から出射される光の強度分布が、位相変調マスクからの距離に依らず一定となっている。
従って、位相変調マスク２０が近接露光において用いられる場合、位相変調マスク２０と被露光物１４との間の距離に依らず、所望の一定の露光パターンで被露光物１４のレジスト層１５を露光することができる。このため、精密な位置合わせ機能が保持具１７に求められることがなく、これによって、露光装置１０の構成を簡易なものにすることができる。また被露光物１４に焦点深度以上の凹凸が形成されている場合であっても、所望の一定の露光パターンで被露光物１４のレジスト層１５を露光することが可能となる。
また、被露光物１４に焦点深度以上の凹凸が形成されている場合であっても露光が可能となることから、位相変調マスク２０を密着露光の用途で用いることもできる。

第１の実施の形態の変形例
なお本実施の形態において、正６角形領域４１が、正６角形領域４１の中心に位置する位相変調領域２１ａ，２２ａ，２３ａのいずれか１つと、各位相変調領域２１ａ，２２ａ，２３ａを取り囲むよう位置するとともに光遮蔽層を有する光遮蔽領域２５と、によって占められている例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、図８および図９に示すように、各正６角形領域４１は、位相変調領域２１ａ，２２ａ，２３ａのいずれか１つによって占められていてもよい。図８および図９に示す例においても、位相変調マスク２０は、非回折ビームを得るための第１の条件および第２の条件を満たしている。このため、位相変調マスク２０から出射される光の強度分布を、位相変調マスク２０からの距離に依らず一定とすることができる。

第２の実施の形態
次に図１０乃至図１２を参照して、本発明の第２の実施の形態について説明する。図１０乃至図１２に示す第２の実施の形態は、各位相変調群の位相変調領域が、仮想的な四角格子の頂点を占めるよう配置されている点が異なるのみであり、他の構成は、図１乃至図７（ａ）（ｂ）（ｃ）に示す第１の実施の形態と略同一である。図１０乃至図１２に示す第２の実施の形態において、図１乃至図７（ａ）（ｂ）（ｃ）に示す第１の実施の形態と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。

図１０は、位相変調マスク２０を示す平面図であり、図１１は、図１０の位相変調マスクを露光装置XI−XI方向から見た縦断面図である。本実施の形態においては、上述のｎが２となっている例について説明する。具体的には、図１０に示すように、位相変調マスク２０は、光を第１の位相変調量θ_１で変調する第１位相変調群２１と、光を第２の位相変調量θ_２で変調する第２位相変調群２２と、を有している。このうち第１位相変調群２１は、光を第１の位相変調量θ_１で変調するよう構成された複数の第１位相変調領域２１ａを含んでいる。同様に、第２位相変調群２２は、光を第２の位相変調量θ_２で変調するよう構成された複数の第２位相変調領域２２ａを含んでいる。また図１０に示すように、位相変調マスク２０のうち第１位相変調領域２１ａおよび第２位相変調領域２２ａ以外の領域は、光を遮蔽する光遮蔽領域２５によって占められている。

図１０から明らかなように、第１位相変調領域２１ａおよび第２位相変調領域２２ａは、同一の直径Ｒを有する円形の領域となっている。すなわち、第１位相変調領域２１ａおよび第２位相変調領域２２ａの形状および面積は全て同一となっている。

〔位相変調量〕
次に、各位相変調領域の位相変調量について説明する。本実施の形態においても、各位相変調群の位相変調領域の位相変調量は、第ｕ（ｕ＝１〜ｎ−１の整数）の位相変調群の第ｕの位相変調領域の位相変調量と第ｕ＋１の位相変調群の第ｕ＋１の位相変調領域の位相変調量との差が２π／ｎとなるよう設定されている。すなわち、第１位相変調領域２１ａの第１の位相変調量θ_１と第２位相変調領域２２ａの第２の位相変調量θ_２との差がπとなっている。

図１１に示すように、基材７１のうち第１位相変調領域２１ａを構成する部分の厚みと、基材７１のうち第２位相変調領域２２ａを構成する部分の厚みとの差をΔｈ_３とする。この場合、空気の屈折率を１とすると、第１位相変調領域２１ａにおける第１の位相変調量θ_１と、第２位相変調領域２２ａにおける第２の位相変調量θ_２との差はΔｈ_３×（ｎ−１）×２π／λになる。ここで、位相変調マスク２０の基材７１は、第１の位相変調量θ_１と第２の位相変調量θ_２との差がπとなるよう構成されている。

〔配置パターン〕
次に、各位相変調群２１，２２における配置パターンについて説明する。図１０に示すように、各位相変調群２１，２２は、各位相変調領域２１ａ，２２ａが仮想的な四角格子（図示せず）の頂点を占めるよう配置されている。また、上述の第１の実施の形態の場合と同様に、複数の第１位相変調領域２１ａの配置パターンと、複数の第２位相変調領域２２ａの配置パターンとは同一となっている。

〔各位相変調領域の重心の位置〕
次に、各位相変調領域２１ａ，２２ａの重心の位置について説明する。図１０に示すように、隙間無く配置された複数の正４角形領域４３によって位相変調マスク２０を仮想的に区画した場合を考える。この場合、各位相変調群２１，２２は、各正４角形領域４３において各位相変調領域２１ａ，２２ａのいずれか１つの重心２７が正４角形領域４３の中心４４に位置するよう、配置されている。この場合、図１０に示すように、各正４角形領域４３は、各正４角形領域４３の中心に位置する第１位相変調領域２１ａまたは第２位相変調領域２２ａと、各位相変調領域２１ａ，２２ａを取り囲むよう位置する光遮蔽領域２５と、によって占められることになる。

〔周期構造の周期〕
次に、位相変調マスク２０における周期的な構造の周期について説明する。図１０に示すように、位相変調マスク２０を正４角形領域４３によって仮想的に区画した場合の、隣接する２つの正４角形領域４３の中心間距離をＰとする。この場合、中心間距離Ｐは、光の波長λと中心間距離Ｐとの間に以下の〔数９〕の関係が成立するよう定められている。
このように中心間距離Ｐと光の波長λとの比率を定めることにより、後述するように、被露光物１４上に形成される干渉パターンに１次の回折光のみが現れるようにすることができる。すなわち、位相変調マスク２０から１次の回折光のみが生成されるようにすることができる。

次に、本実施の形態による位相変調マスク２０において、非回折ビームを得るための上述の第１および第２の条件が成立しているかどうかについて考察する。

（第１の条件）
上述のように、各位相変調群２１，２２における位相変調領域２１ａ，２２ａの配置パターンは全て同一となっている。この場合、本実施の形態による位相変調マスク２０における周期的な構造を構成する単位領域は、第１位相変調領域２１ａおよび第２位相変調領域２２ａを１つずつ含むことになる。また上述のように、各位相変調領域２１ａ，２２ａの面積は全て同一となっている。また上述のように、第１の位相変調量θ_１と第２の位相変調量θ_２との差はπとなっている。従って、上述の第１の実施の形態の場合と同様に、本実施の形態による位相変調マスク２０において、上述の〔数８〕が満たされている。すなわち、非回折ビームを得るための第１の条件が成立している。

（第２の条件）
次に、第２の条件について、図１２（ａ）（ｂ）（ｃ）を参照して考察する。図１２（ａ）（ｂ）（ｃ）は、位相変調マスク２０が生成し得る回折光を示す図であり、位相変調マスク２０の出射面２０ｂにおける光の複素振幅分布をフーリエ変換することにより得られる図である。このうち図１２（ａ）は、隣接する２つの正４角形領域４１の中心間距離Ｐと光の波長λの間にＰ／λ＜２＾^0.5／２の関係が成立する場合に得られる回折光を示している。また図１２（ｂ）は、２＾^0.5／２≦Ｐ／λ＜１０＾^0.5／２の関係が成立する場合に得られる回折光を示しており、図１２（ｃ）は、１０＾^0.5／２≦Ｐ／λの関係が成立する場合に得られる回折光を示している。

図１２（ａ）に示す例においては、円８５の内側に黒丸が存在していない。従って、Ｐ／λ＜２＾^0.5／２の関係が成立する場合、実際に得られる回折光は無い。また図１２（ｃ）に示す例においては、円８５の内側に、１次の回折光を示す黒丸だけでなく、高次の回折光を示す黒丸も存在している。従って、１０＾^0.5／２≦Ｐ／λの関係が成立する場合、中心から各回折光までの距離は、一定とはなっておらず、回折光により異なっている。

一方、図１２（ｂ）に示す例においては、円８５の内側に、１次の回折光を示す黒丸のみが存在している。従って、２＾^0.5／２≦Ｐ／λ＜１０＾^0.5／２の関係が成立する場合、中心から各回折光までの距離が一定となっている。従って、図１２（ｂ）に示す例において、得られる回折光は、各々の方向余弦が等しい１次の回折光のみとなっている。すなわち、〔数９〕の関係を満たす本実施の形態においては、非回折ビームを得るための第２の条件が成立している。

上述のように、本実施の形態による位相変調マスク２０においては、非回折ビームを得るための第１の条件および第２の条件が満たされている。このため本実施の形態によれば、被露光物１４上に形成される干渉パターンが、位相変調マスク２０によって位相変調された光の回折光のうち１次の回折光のみによって生成される。このことにより、位相変調マスク２０から出射される光の強度分布を、位相変調マスクからの距離に依らず一定とすることができる。

第２の実施の形態の第１の変形例
なお本実施の形態において、正４角形領域４３が、正４角形領域４３の中心に位置する位相変調領域２１ａ，２２ａのいずれか１つと、各位相変調領域２１ａ，２２ａを取り囲むよう位置するとともに光遮蔽層を有する光遮蔽領域２５と、によって占められている例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、図１３および図１４に示すように、各正４角形領域４３は、位相変調領域２１ａ，２２ａのいずれか１つによって占められていてもよい。図１３および図１４に示す例においても、位相変調マスク２０は、非回折ビームを得るための第１の条件および第２の条件を満たしている。このため、位相変調マスク２０から出射される光の強度分布を、位相変調マスク２０からの距離に依らず一定とすることができる。

第２の実施の形態の第２の変形例
また本実施の形態および第１の変形例において、位相変調マスク２０が、光を第１の位相変調量θ_１で変調する第１位相変調群２１と、光を第２の位相変調量θ_２で変調する第２位相変調群２２と、を有する例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、図１５に示すように、位相変調マスク２０が、光を第１の位相変調量θ_１で変調する第１位相変調群２１と、光を第２の位相変調量θ_２で変調する第２位相変調群２２と、光を第３の位相変調量θ_３で変調する第３位相変調群２３と、光を第４の位相変調量θ_４で変調する第４位相変調群２４と、を有していてもよい。すなわち、上記のｎが４となっていてもよい。

図１５に示すように、第１位相変調群２１は、光を第１の位相変調量θ_１で変調するよう構成された複数の第１位相変調領域２１ａを含んでいる。また第２位相変調群２２は、光を第２の位相変調量θ_２で変調するよう構成された複数の第２位相変調領域２２ａを含んでいる。また第３位相変調群２３は、光を第３の位相変調量θ_３で変調するよう構成された複数の第３位相変調領域２３ａを含んでいる。また第４位相変調群２４は、光を第４の位相変調量θ_４で変調するよう構成された複数の第４位相変調領域２４ａを含んでいる。また図１５に示すように、位相変調マスク２０のうち位相変調領域２１ａ，２２ａ，２３ａ，２４ａ以外の領域は、光を遮蔽する光遮蔽領域２５によって占められている。

図１５から明らかなように、位相変調領域２１ａ，２２ａ，２３ａ，２４ａはいずれも、同一の直径Ｒを有する円形の領域となっている。すなわち、各位相変調領域２１ａ，２２ａ，２３ａ，２４ａの形状および面積は全て同一となっている。

〔位相変調量〕
本変形例においても、各位相変調群の位相変調領域の位相変調量は、第ｕ（ｕ＝１〜ｎ−１の整数）の位相変調群の第ｕの位相変調領域の位相変調量と第ｕ＋１の位相変調群の第ｕ＋１の位相変調領域の位相変調量との差が２π／ｎとなるよう設定されている。すなわち、第１位相変調領域２１ａの第１の位相変調量θ_１と第２位相変調領域２２ａの第２の位相変調量θ_２との差がπ／２となり、第２位相変調領域２２ａの第２の位相変調量θ_２と第３位相変調領域２３ａの第３の位相変調量θ_３との差がπ／２となり、第３位相変調領域２３ａの第３の位相変調量θ_３と第４位相変調領域２４ａの第４の位相変調量θ_４との差がπ／２となっている。

〔配置パターン〕
次に、各位相変調群２１，２２，２３，２４における配置パターンについて説明する。図１５に示すように、各位相変調群２１，２２，２３，２４は、各位相変調領域２１ａ，２２ａ，２３ａ，２４ａが仮想的な四角格子（図示せず）の頂点を占めるよう配置されている。また、上述の各実施の形態の場合と同様に、複数の第１位相変調領域２１ａの配置パターンと、複数の第２位相変調領域２２ａの配置パターンと、複数の第３位相変調領域２３ａの配置パターンと、複数の第４位相変調領域２４ａの配置パターンとは全て同一となっている。

〔各位相変調領域の重心の位置〕
また図１５に示すように、各位相変調群２１，２２，２３，２４は、各正４角形領域４３において各位相変調領域２１ａ，２２ａ，２３ａ，２４ａのいずれか１つの重心２７が正４角形領域４３の中心４４に位置するよう、配置されている。

本変形によれば、上述のように位相変調マスク２０を構成することにより、位相変調マスク２０における周期的な構造を構成する単位領域は、第１位相変調領域２１ａ，第２位相変調領域２２ａ，第３位相変調領域２３ａおよび第４位相変調領域２４ａを１つずつ含むことになる。また上述のように、各位相変調領域２１ａ，２２ａ，２３ａ，２４ａの面積は全て同一となっている。また上述のように、第ｕ（ｕ＝１〜３の整数）の位相変調群の第ｕの位相変調領域の位相変調量と第ｕ＋１の位相変調群の第ｕ＋１の位相変調領域の位相変調量との差がπ／２となっている。このため、上述の各実施の形態の場合と同様に、本変形例による位相変調マスク２０において、上述の〔数８〕が満たされている。すなわち、非回折ビームを得るための第１の条件が成立している。

また本変形例において、隣接する２つの正４角形領域４３の中心間距離Ｐと光の波長λとの比率は、非回折ビームを得るための第２の条件が満たされるよう定められている。このため、位相変調マスク２０から出射される光の強度分布を、位相変調マスクからの距離に依らず一定とすることができる。なお、第２の条件を満たすための上記比率の具体的な範囲は、第１の実施の形態における記述から明らかなように、位相変調マスク２０の出射面２０ｂにおける光の複素振幅分布をフーリエ変換することにより算出され得る。

第２の実施の形態の第３の変形例
なお本実施の形態の第２の変形例において、正４角形領域４３が、正４角形領域４３の中心に位置する位相変調領域２１ａ，２２ａ，２３ａ，２４ａのいずれか１つと、各位相変調領域２１ａ，２２ａ，２３ａ，２４ａを取り囲むよう位置するとともに光遮蔽層を有する光遮蔽領域２５と、によって占められている例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、図１６に示すように、各正４角形領域４３は、位相変調領域２１ａ，２２ａ，２３ａ，２４ａのいずれか１つによって占められていてもよい。図１６に示す例においても、位相変調マスク２０は、非回折ビームを得るための第１の条件および第２の条件を満たしている。このため、位相変調マスク２０から出射される光の強度分布を、位相変調マスク２０からの距離に依らず一定とすることができる。

第３の実施の形態
次に図１７乃至図１９を参照して、本発明の第３の実施の形態について説明する。図１７乃至図１９に示す第３の実施の形態は、位相変調マスクにおける周期的な構造を構成する単位領域が、位相変調マスクを仮想的に区画する複数の正ｍ角形領域（ｍ＝４または６）であって、第１、…、第ｎの位相変調領域をそれぞれ１つずつ含む正ｍ角形領域に一致している点が異なるのみであり、他の構成は、図１乃至図７（ａ）（ｂ）（ｃ）に示す第１の実施の形態または図１０乃至図１２（ａ）（ｂ）（ｃ）に示す第２の実施の形態と略同一である。図１７乃至図１９に示す第３の実施の形態において、図１乃至図７（ａ）（ｂ）（ｃ）に示す第１の実施の形態または図１０乃至図１２（ａ）（ｂ）（ｃ）に示す第２の実施の形態と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。

図１７は、位相変調マスク２０を示す平面図であり、図１８は、図１７の位相変調マスクを露光装置ＸVIII−ＸVIII方向から見た縦断面図である。本実施の形態においては、上述のｎが２となっている例について説明する。具体的には、図１７に示すように、位相変調マスク２０は、光を第１の位相変調量θ_１で変調する第１位相変調群３１と、光を第２の位相変調量θ_２で変調する第２位相変調群３２と、を有している。このうち第１位相変調群３１は、光を第１の位相変調量θ_１で変調するよう構成された複数の第１位相変調領域３１ａを含んでいる。同様に、第２位相変調群３２は、光を第２の位相変調量θ_２で変調するよう構成された複数の第２位相変調領域３２ａを含んでいる。

〔位相変調量〕
本実施の形態においても、各位相変調群の位相変調領域の位相変調量は、第ｕ（ｕ＝１〜ｎ−１の整数）の位相変調群の第ｕの位相変調領域の位相変調量と第ｕ＋１の位相変調群の第ｕ＋１の位相変調領域の位相変調量との差が２π／ｎとなるよう設定されている。すなわち、第１位相変調領域３１ａの第１の位相変調量θ_１と第２位相変調領域３２ａの第２の位相変調量θ_２との差がπとなっている。

図１８に示すように、基材７１のうち第１位相変調領域３１ａを構成する部分の厚みと、基材７１のうち第２位相変調領域３２ａを構成する部分の厚みとの差をΔｈ_４とする。この場合、空気の屈折率を１とすると、第１位相変調領域３１ａにおける第１の位相変調量θ_１と、第２位相変調領域３２ａにおける第２の位相変調量θ_２との差はΔｈ_４×（ｎ−１）×２π／λになる。ここで、位相変調マスク２０の基材７１は、第１の位相変調量θ_１と第２の位相変調量θ_２との差がπとなるよう構成されている。

〔配置パターン〕
次に、各位相変調群における配置パターンについて説明する。本実施の形態において、各位相変調群は、隙間無く配置された複数の正ｍ角形領域によって位相変調マスク２０を仮想的に区画した場合、各正ｍ角形領域に、第１、…、第ｎの位相変調領域がそれぞれ１つずつ含まれるよう構成されている。すなわち、図１７に示すように、各位相変調群３１，３２は、隙間無く配置された複数の正４角形領域４３によって位相変調マスク２０を仮想的に区画した場合、各正４角形領域４３に第１位相変調領域３１ａおよび第２位相変調領域３２ａがそれぞれ１つずつ含まれるよう構成されている。

〔回転対称性〕
また、各正ｍ角形領域において、各位相変調領域は、正ｍ角形領域に対応する回転対称性を有するよう配置されている。ここで「正ｍ角形領域に対応する回転対称性」とは、各正ｍ角形領域において、各位相変調領域の形状が互いにｍ回対称となっていることを意味している。具体的には、各正ｍ角形領域において正ｍ角形領域の中心を軸として各位相変調領域を２π／ｍだけ回転させる前後において、正ｍ角形領域内における境界線が一致していることを意味している。ここで「正ｍ角形領域内における境界線」とは、正ｍ角形領域において、一の位相変調領域とその他の位相変調領域との間の境界を示す線である。

例えば図１７に示す例においては、正４角形領域４３は、正４角形領域４３の中心４４に位置する円形の第２位相変調領域３２ａと、第２位相変調領域３２ａを取り囲むよう位置する第１位相変調領域３１ａとによって占められている。また各４角形領域４３において、第１位相変調領域３１ａの重心３７および第２位相変調領域３２ａの重心３８は、正４角形領域４３の中心４４に位置している。このため図１７に示す例において、正４角形領域４３の中心４４を軸として各位相変調領域３１ａ，３２ａをπ／２だけ回転させる前後において、正４角形領域４３内における境界線が一致している。すなわち各正４角形領域４３において、各位相変調領域３１ａ，３２ａは４回対称となっている。

また各位相変調領域３１ａ，３２ａは、各正４角形領域４３における第１位相変調領域３１ａの面積と第２位相変調領域３２ａの面積とが同一となるよう構成されている。

〔周期構造の周期〕
次に、本実施の位相変調マスク２０における周期的な構造の周期について説明する。本実施の形態において、隣接する２つの正４角形領域４３の中心間距離Ｐは、光の波長λと中心間距離Ｐとの間に以下の〔数１０〕の関係が成立するよう定められている。
このように中心間距離Ｐと光の波長λとの比率を定めることにより、後述するように、被露光物１４上に形成される干渉パターンに１次の回折光のみが現れるようにすることができる。すなわち、位相変調マスク２０から１次の回折光のみが生成されるようにすることができる。

次に、本実施の形態による位相変調マスク２０において、非回折ビームを得るための上述の第１および第２の条件が成立しているかどうかについて考察する。

（第１の条件）
上述のように、本実施の形態による位相変調マスク２０における周期的な構造を構成する単位領域、すなわち正４角形領域４３は、第１位相変調領域３１ａおよび第２位相変調領域３２ａを１つずつ含んでいる。また上述のように、各位相変調領域３１ａ，３２ａの面積は全て同一となっている。また上述のように、第１の位相変調量θ_１と第２の位相変調量θ_２との差はπとなっている。従って、上述の第１の実施の形態の場合と同様に、本実施の形態による位相変調マスク２０において、上述の〔数８〕が満たされている。すなわち、非回折ビームを得るための第１の条件が成立している。

（第２の条件）
次に、第２の条件について、図１９（ａ）（ｂ）（ｃ）を参照して考察する。図１９（ａ）（ｂ）（ｃ）は、位相変調マスク２０が生成し得る回折光を示す図であり、位相変調マスク２０の出射面２０ｂにおける光の複素振幅分布をフーリエ変換することにより得られる図である。このうち図１９（ａ）は、隣接する２つの正４角形領域４３の中心間距離Ｐと光の波長λの間にＰ／λ＜１の関係が成立する場合に得られる回折光を示している。また図１９（ｂ）は、１≦Ｐ／λ＜２＾^0.5の関係が成立する場合に得られる回折光を示しており、図１９（ｃ）は、２＾^0.5≦Ｐ／λの関係が成立する場合に得られる回折光を示している。

図１９（ａ）に示す例においては、円８５の内側に黒丸が存在していない。従って、Ｐ／λ＜１の関係が成立する場合、実際に得られる回折光は無い。また図１９（ｃ）に示す例においては、円８５の内側に、１次の回折光を示す黒丸だけでなく、高次の回折光を示す黒丸も存在している。従って、２＾^0.5≦Ｐ／λの関係が成立する場合、中心から各回折光までの距離は、一定とはなっておらず、回折光により異なっている。

一方、図１９（ｂ）に示す例においては、円８５の内側に、１次の回折光を示す黒丸のみが存在している。従って、１≦Ｐ／λ＜２＾^0.5の関係が成立する場合、中心から各回折光までの距離が一定となっている。従って、図１９（ｂ）に示す例において、得られる回折光は、各々の方向余弦が等しい１次の回折光のみとなっている。すなわち、〔数１０〕の関係を満たす本実施の形態においては、非回折ビームを得るための第２の条件が成立している。

上述のように、本実施の形態による位相変調マスク２０においては、非回折ビームを得るための第１の条件および第２の条件が満たされている。このため本実施の形態によれば、被露光物１４上に形成される干渉パターンが、位相変調マスク２０によって位相変調された光の回折光のうち１次の回折光のみによって生成される。この場合、位相変調マスク２０から出射される光の強度分布が、位相変調マスクからの距離に依らず一定となっている。

第３の実施の形態の第１の変形例
なお本実施の形態において、正４角形領域４３の中心４４に位置する第２位相変調領域３２ａが円形の形状を有する例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、図２０に示すように、各正４角形領域４３の中心４４に位置する第２位相変調領域３２ａが正４角形の形状を有していてもよい。ここで、各位相変調領域３１ａ，３２ａは、各正４角形領域４３における第１位相変調領域３１ａの面積と第２位相変調領域３２ａの面積とが同一となるよう構成されている。このため、図２０に示す例においても、位相変調マスク２０は、非回折ビームを得るための第１の条件および第２の条件を満たしている。このため、位相変調マスク２０から出射される光の強度分布を、位相変調マスク２０からの距離に依らず一定とすることができる。

第３の実施の形態の第２の変形例
また本実施の形態において、各位相変調領域の重心が正ｍ角形領域の中心に位置する例を示した。しかしながら、各正ｍ角形領域において各位相変調領域が正ｍ角形領域に対応する回転対称性を有する限りにおいて、各位相変調領域の具体的な構造は限定されない。例えば位相変調マスク２０を正４角形領域４３によって仮想的に区画する場合、図２１（ａ）に示すように、各位相変調領域が、正４角形領域４３を４等分するよう設けられた第１〜第４の位相変調領域３１ａ，３２ａ，３３ａ，３４ａからなっていてもよい。また、位相変調マスク２０を正６角形領域４１によって仮想的に区画する場合、図２１（ｂ）に示すように、各位相変調領域が、正６角形領域４１を６等分するよう設けられた第１〜第６の位相変調領域３１ａ，３２ａ，３３ａ，３４ａ，３５ａ，３６ａからなっていてもよい。図２１（ａ）（ｂ）に示される例の各々において、位相変調領域の位相変調量は、第ｕ（ｕ＝１〜ｎ−１の整数）の位相変調群の第ｕの位相変調領域の位相変調量と第ｕ＋１の位相変調群の第ｕ＋１の位相変調領域の位相変調量との差が２π／ｎとなるよう設定されている。ここでｎは、図２１（ａ）に示す例では４となっており、図２１（ｂ）に示す例では６となっている。また各位相変調領域の面積は全て同一になっている。このため、本変形例による位相変調マスク２０において、上述の〔数８〕が満たされている。すなわち、非回折ビームを得るための第１の条件が成立している。

また本変形例において、隣接する２つの正ｍ角形領域の中心間距離Ｐと光の波長λとの比率は、非回折ビームを得るための第２の条件が満たされるよう定められている。このため、位相変調マスク２０から出射される光の強度分布を、位相変調マスクからの距離に依らず一定とすることができる。なお、第２の条件を満たすための上記比率の具体的な範囲は、第１の実施の形態における説明から明らかなように、位相変調マスク２０の出射面２０ｂにおける光の複素振幅分布をフーリエ変換することにより算出され得る。

第３の実施の形態の第３の変形例
なお本実施の形態において、位相変調領域の位相変調量は、第ｕ（ｕ＝１〜ｎ−１の整数）の位相変調群の第ｕの位相変調領域の位相変調量と第ｕ＋１の位相変調群の第ｕ＋１の位相変調領域の位相変調量との差が２π／ｎとなるよう設定されており、また、各位相変調領域の面積は全て同一になっている例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、上述の〔数６〕が満たされる限りにおいて、各位相変調領域の具体的な構成は限定されない。例えば図２２に示すように、正４角形領域４３を構成する第１位相変調領域３１ａ、第２位相変調領域３２ａおよび第３位相変調領域３３ａの面積が全て同一となっていなくてもよい。この場合、各位相変調領域３１ａ，３２ａ，３３ａの面積および位相変調量は、上述の〔数６〕が満たされるよう適宜設定される。

上述の各実施の形態による位相変調マスク２０を備えた露光装置１０を用いて、被露光物１４に対する露光を実施した例について説明する。

図２３は、後述する各実施例において用いられた位相変調マスク２０および被露光物１４を示す図である。なお後述する各実施例において、「鉛直方向における光強度分布」とは、図２３に示す線Ｄ_１−Ｄ_１に沿って光強度分布を見た場合を意味しており、「水平方向における光強度分布」とは、図２３に示す線Ｄ_２−Ｄ_２に沿って光強度分布を見た場合を意味している。

（実施例１）
図２に示す上述の第１の実施の形態による位相変調マスク２０を作製した。各位相変調領域２１ａ，２２ａ，２３ａにおける円の半径Ｒは１５０ｎｍとした。また、隣接する２つの正６角形領域４１の中心間距離Ｐは４００ｎｍとした。光遮蔽領域２５を構成する遮蔽層７２としてはクロム層を用いた。また、照明光学系１１のレーザ光源１２としては、Ｎｄ：ＹＡＧレーザの第三高調波を放射することができる光源を用いた。この場合、光の波長λは３５５ｎｍとなっていた。従って、Ｐ／λは１．１２８となっており、上述の〔数５〕が満たされていた。

波長３５５ｎｍの平行光を位相変調マスク２０に照射した場合に得られる光強度分布を算出した。結果を図２４（ａ）（ｂ）（ｃ）に示す。このうち図２４（ａ）は、鉛直方向における光強度分布を示す図であり、図２４（ｂ）は、水平方向における光強度分布を示す図であり、図２４（ｃ）は、図２４（ａ）（ｂ）に示される光強度分布のスケールを示す図である。図２４（ａ）に示すように、光の伝搬方向において光強度分布が変化しない光を得ることができた。なお図２４（ａ）（ｂ）に示される光強度分布の範囲は、図２において枠ＸＸIVで囲まれる範囲に対応している。

なお光強度分布は、初期分布のフーリエ変換Ａ（σ_ｘ，σ_ｙ）に位相係数を掛け、その後、得られた関数の逆フーリエ変換を計算することにより得られる。具体的な計算手順については、先行技術文献、例えば 「シミュレーションで見る光学現象（株式会社新技術コミュニケーションズ発行）」に開示されており、ここでは詳細な説明は省略する。なお本実施例においては、このような計算手順を実行することができる光学シミュレーションソフトが用いられている。例えば、ＰＲＯＬＩＴＨ （ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社）が用いられ得る。

位相変調マスク２０と被露光物１４との間のギャップを１００μｍとした状態で、被露光物１４を露光した。ここで、被露光物１４のレジスト層１５としては、ポジ型のレジスト層を用いた。次に、被露光物１４のレジスト層１５に現像処理を施した。これによって得られた露光パターンを図２５に示す。

図２５に示すように、本実施例によれば、図２４（ｂ）に示す水平方向の光強度分布に対応するパターンで、被露光物１４のレジスト層１５に開口部１５ａを形成することができた。

（実施例２）
図８に示す上述の第１の実施の形態の変形例による位相変調マスク２０を作製した。隣接する２つの正６角形領域４１の中心間距離Ｐは４００ｎｍとした。また、実施例１の場合と同様に、波長λが３５５ｎｍである光を用いた。従って、Ｐ／λは１．１２８となっており、上述の〔数５〕が満たされていた。

波長３５５ｎｍの平行光を位相変調マスク２０に照射した場合に得られる光強度分布を算出した。結果を図２６（ａ）（ｂ）（ｃ）に示す。このうち図２６（ａ）は、鉛直方向における光強度分布を示す図であり、図２６（ｂ）は、水平方向における光強度分布を示す図であり、図２６（ｃ）は、図２６（ａ）（ｂ）に示される光強度分布のスケールを示す図である。図２６（ａ）に示すように、光の伝搬方向において光強度分布が変化しない光を得ることができた。なお図２６（ａ）（ｂ）に示される光強度分布の範囲は、図８において枠ＸＸVIで囲まれる範囲に対応している。

（実施例３）
図１０に示す上述の第２の実施の形態による位相変調マスク２０を作製した。各位相変調領域２１ａ，２２ａにおける円の半径Ｒは１５０ｎｍとした。また隣接する２つの正４角形領域４３の中心間距離Ｐは４５０ｎｍとした。また、実施例１の場合と同様に、波長λが３５５ｎｍである光を用いた。従って、Ｐ／λは１．２７となっており、上述の〔数９〕が満たされていた。

波長３５５ｎｍの平行光を位相変調マスク２０に照射した場合に得られる光強度分布を算出した。結果を図２７（ａ）（ｂ）（ｃ）に示す。このうち図２７（ａ）は、鉛直方向における光強度分布を示す図であり、図２７（ｂ）は、水平方向における光強度分布を示す図であり、図２７（ｃ）は、図２７（ａ）（ｂ）に示される光強度分布のスケールを示す図である。図２７（ａ）に示すように、光の伝搬方向において光強度分布が変化しない光を得ることができた。なお図２７（ａ）（ｂ）に示される光強度分布の範囲は、図１０において枠ＸＸVIIで囲まれる範囲に対応している。

（実施例４）
図１３に示す上述の第２の実施の形態の第１の変形例による位相変調マスク２０を作製した。隣接する２つの正４角形領域４３の中心間距離Ｐは４５０ｎｍとした。また、実施例１の場合と同様に、波長λが３５５ｎｍである光を用いた。従って、Ｐ／λは１．２７となっており、上述の〔数９〕が満たされていた。

波長３５５ｎｍの平行光を位相変調マスク２０に照射した場合に得られる光強度分布を算出した。結果を図２８（ａ）（ｂ）（ｃ）に示す。このうち図２８（ａ）は、鉛直方向における光強度分布を示す図であり、図２８（ｂ）は、水平方向における光強度分布を示す図であり、図２８（ｃ）は、図２８（ａ）（ｂ）に示される光強度分布のスケールを示す図である。図２８（ａ）に示すように、光の伝搬方向において光強度分布が変化しない光を得ることができた。なお図２８（ａ）（ｂ）に示される光強度分布の範囲は、図１３において枠ＸＸVIIIで囲まれる範囲に対応している。

（実施例５）
図１６に示す上述の第２の実施の形態の第３の変形例による位相変調マスク２０を作製した。隣接する２つの正４角形領域４１の中心間距離Ｐは４５０ｎｍとした。また、実施例１の場合と同様に、波長λが３５５ｎｍである光を用いた。

波長３５５ｎｍの平行光を位相変調マスク２０に照射した場合に得られる光強度分布を算出した。結果を図２９（ａ）（ｂ）（ｃ）に示す。このうち図２９（ａ）は、鉛直方向における光強度分布を示す図であり、図２９（ｂ）は、水平方向における光強度分布を示す図であり、図２９（ｃ）は、図２９（ａ）（ｂ）に示される光強度分布のスケールを示す図である。図２９（ａ）に示すように、光の伝搬方向において光強度分布が変化しない光を得ることができた。なお図２９（ａ）（ｂ）に示される光強度分布の範囲は、図１６において枠ＸＸIXで囲まれる範囲に対応している。

（実施例６）
図２０に示す上述の第３の実施の形態の第１の変形例による位相変調マスク２０を作製した。正４角形からなる第２位相変調領域３２ａの一辺の長さＬは３５３．６ｎｍとした。また隣接する２つの正４角形領域４３の中心間距離Ｐ、すなわち正４角形領域の一辺の長さＰは５００ｎｍとした。また、実施例１の場合と同様に、波長λが３５５ｎｍである光を用いた。従って、Ｐ／λは１．２７となっており、上述の〔数１０〕が満たされていた。

波長３５５ｎｍの平行光を位相変調マスク２０に照射した場合に得られる光強度分布を算出した。結果を図３０（ａ）（ｂ）（ｃ）に示す。このうち図３０（ａ）は、鉛直方向における光強度分布を示す図であり、図３０（ｂ）は、水平方向における光強度分布を示す図であり、図３０（ｃ）は、図３０（ａ）（ｂ）に示される光強度分布のスケールを示す図である。図３０（ａ）に示すように、光の伝搬方向において光強度分布が変化しない光を得ることができた。なお図３０（ａ）（ｂ）に示される光強度分布の範囲は、１つの正４角形領域４３の範囲に対応している。

１０ 露光装置
１１ 照明光学系
１２ レーザ光源
１３ａ 折り返しミラー
１３ｂ，１３ｃ ビームエキスパンダー
１４ 被露光物
１５ レジスト層
１５ａ 開口部
１６ ガラス基板
１７ 保持具
１８ 制御手段
２０ 位相変調マスク
２１ 第１位相変調群
２１ａ 第１位相変調領域
２２ 第２位相変調群
２２ａ 第２位相変調領域
２３ 第３位相変調群
２３ａ 第３位相変調領域
２５ 光遮蔽領域
２７ 位相変調領域の重心
３１ 第１位相変調群
３１ａ 第１位相変調領域
３２ 第２位相変調群
３２ａ 第２位相変調領域
３３ 第３位相変調群
３３ａ 第３位相変調領域
３４ 第４位相変調群
３４ａ 第４位相変調領域
３５ 第５位相変調群
３５ａ 第５位相変調領域
３６ 第６位相変調群
３６ａ 第６位相変調領域
３７ 第１位相変調領域の重心
３８ 第２位相変調領域の重心
４１ 正６角形領域
４２ 正６角形領域の中心
４３ 正４角形領域
４４ 正４角形領域の中心
７１ 基材
７２ 遮蔽層
８１ 等強度線
８２ リング
８５ 半径１の円

Claims (14)

1. 光を所定の周期的な変調パターンで位相変調し、位相変調された光の回折光相互の干渉を利用して被露光物を所定の露光パターンで近接露光するための位相変調マスクであって、
   所定の位相変調量を有する第１、…、第ｎ（ｎ≧２の整数）の位相変調群を有し、
   第ｋ（ｋ＝１〜ｎの整数）の位相変調群は、前記変調パターンに対応する所定の二次元の周期的な配置パターンで配置された複数の第ｋの位相変調領域を含み、各位相変調群における複数の位相変調領域の配置パターンは全て同一となっており、
   第ｋの位相変調領域の位相変調量をθ _ｋ とし、第ｋの位相変調領域の面積をＳ _ｋ とするとき、以下の関係式
   が成立しており、
   各位相変調群における近接する２つの位相変調領域の間の距離と光の波長との比率は、前記位相変調マスクから１次の回折光のみが生成されるよう定められていることを特徴とする位相変調マスク。
2. 第ｕ（ｕ＝１〜ｎ−１の整数）の位相変調群の第ｕの位相変調領域の位相変調量と第ｕ＋１の位相変調群の第ｕ＋１の位相変調領域の位相変調量との差は２π／ｎとなっており、
   第１、…、第ｎの位相変調領域の面積は全て同一となっており、
   第１、…、第ｎの位相変調群は各々、隙間無く配置された複数の正ｍ角形領域（ｍ＝４または６）によって前記位相変調マスクを仮想的に区画した場合に、各正ｍ角形領域において第１、…、第ｎの位相変調領域のいずれか１つの重心が正ｍ角形領域の中心に位置するよう、配置されていることを特徴とする請求項１に記載の位相変調マスク。
3. 互いに異なる位相変調量を有する第１、…、第ｎ（ｎ≧２の整数）の位相変調群は、互いに異なる位相変調量を有する第１、第２および第３の位相変調群（前記ｎ＝３）となっており、
   第１、第２および第３の位相変調領域の形状は全て同一となっており、
   第１、第２および第３の位相変調群は各々、隙間無く配置された複数の正６角形領域によって前記位相変調マスクを仮想的に区画した場合に、各正６角形領域において第１、第２または第３の位相変調領域のいずれか１つの重心が正６角形領域の中心に位置するよう、配置されていることを特徴とする請求項２に記載の位相変調マスク。
4. 隣接する２つの前記正６角形領域の中心間距離をＰとし、光の波長をλとするとき、以下の関係式
   が成立していることを特徴とする請求項３に記載の位相変調マスク。
5. 前記正６角形領域は、前記正６角形領域の中心に位置する第１、第２または第３の位相変調領域のいずれか１つと、各位相変調領域を取り囲むよう位置するとともに光遮蔽層を有する光遮蔽領域と、によって占められていることを特徴とする請求項４に記載の位相変調マスク。
6. 前記正６角形領域は、第１、第２または第３の位相変調領域のいずれか１つによって占められていることを特徴とする請求項４に記載の位相変調マスク。
7. 互いに異なる位相変調量を有する第１、…、第ｎ（ｎ≧２の整数）の位相変調群は、互いに異なる位相変調量を有する第１および第２の位相変調群（前記ｎ＝２）となっており、
   第１および第２の位相変調領域の形状は全て同一となっており、
   第１および第２の位相変調群は各々、隙間無く配置された複数の正４角形領域によって前記位相変調マスクを仮想的に区画した場合に、各正４角形領域において第１または第２の位相変調領域のいずれか１つの重心が正４角形領域の中心に位置するよう、配置されていることを特徴とする請求項２に記載の位相変調マスク。
8. 隣接する２つの前記正４角形領域の中心間距離をＰとし、光の波長をλとするとき、以下の関係式
   が成立していることを特徴とする請求項７に記載の位相変調マスク。
9. 前記正４角形領域は、前記正４角形領域の中心に位置する第１または第２の位相変調領域のいずれか１つと、各位相変調領域を取り囲むよう位置するとともに光遮蔽層を有する光遮蔽領域と、によって占められていることを特徴とする請求項８に記載の位相変調マスク。
10. 前記正４角形領域は、第１または第２の位相変調領域のいずれか１つによって占められていることを特徴とする請求項８に記載の位相変調マスク。
11. 隙間無く配置された複数の正ｍ角形領域（ｍ＝４または６）によって前記位相変調マスクを仮想的に区画した場合、各正ｍ角形領域に、第１、…、第ｎの位相変調領域がそれぞれ１つずつ含まれており、
    各正ｍ角形領域において、各位相変調領域は、正ｍ角形領域に対応する回転対称性を有するよう配置されていることを特徴とする請求項１に記載の位相変調マスク。
12. 互いに異なる位相変調量を有する第１、…、第ｎ（ｎ≧２の整数）の位相変調群は、互いに異なる位相変調量を有する第１および第２の位相変調群（前記ｎ＝２）となっており、
    第１の位相変調群および第２の位相変調群は各々、隙間無く配置された複数の正４角形領域によって前記位相変調マスクを仮想的に区画した場合に、第１の位相変調領域の重心および第２の位相変調領域の重心がいずれも正４角形領域の中心に位置するよう、配置されており、
    第１の位相変調群の第１の位相変調領域の位相変調量と第２の位相変調群の第２の位相変調領域の位相変調量との差はπとなっており、
    第１の位相変調領域の面積と第２の位相変調領域の面積とは同一となっており、
    隣接する２つの前記正４角形領域の中心間距離をＰとし、光の波長をλとするとき、以下の関係式
    が成立していることを特徴とする請求項１１に記載の位相変調マスク。
13. 光を所定の周期的な変調パターンで位相変調し、位相変調された光の回折光相互の干渉を利用して被露光物を所定の露光パターンで近接露光する露光装置において、
    光を出射する照明光学系と、
    前記照明光学系の出射側に設けられ、前記照明光学系からの光を所定の周期的な変調パターンで位相変調して出射する位相変調マスクと、を備え、
    前記位相変調マスクは、請求項１乃至１２のいずれかに記載の位相変調マスクからなることを特徴とする露光装置。
14. 光を所定の周期的な変調パターンで位相変調し、位相変調された光の回折光相互の干渉を利用して被露光物を所定の露光パターンで近接露光する露光方法において、
    光を出射する照明光学系を準備する工程と、
    位相変調された光の回折光のうち１次の回折光のみによって前記被露光物が露光されるよう、位相変調マスクを用いて前記照明光学系からの光を所定の周期的な変調パターンで位相変調する位相変調工程と、を備え、
    前記位相変調マスクは、請求項１乃至１２のいずれかに記載の位相変調マスクからなることを特徴とする露光方法。