JP2016152318A - パターン形成方法および露光装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】精度の高いパターンを形成することができるパターン形成方法および露光装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、周期的に配置された複数の光透過部を有するマスクと基板とを互いに離間して配置する工程と、光学部から出射された照明光を前記マスクに照射して、前記複数の光透過部を透過した前記照明光の少なくとも一部を前記基板に照射する工程と、を含むパターン形成方法が提供される。前記マスクと前記基板との間の距離d、前記照明光の波長λ、前記複数の光透過部の配置の周期p、前記光学部の開口数NAi、自然数の少なくとも1つnは、p≧2λ、(np2/λ)−α≦d≦(np2/λ)+α、α=p2/(2λ)、λ/(8np)≦NAi<λ/(2np)、を満たす。
【選択図】図1
【解決手段】実施形態によれば、周期的に配置された複数の光透過部を有するマスクと基板とを互いに離間して配置する工程と、光学部から出射された照明光を前記マスクに照射して、前記複数の光透過部を透過した前記照明光の少なくとも一部を前記基板に照射する工程と、を含むパターン形成方法が提供される。前記マスクと前記基板との間の距離d、前記照明光の波長λ、前記複数の光透過部の配置の周期p、前記光学部の開口数NAi、自然数の少なくとも1つnは、p≧2λ、(np2/λ)−α≦d≦(np2/λ)+α、α=p2/(2λ)、λ/(8np)≦NAi<λ/(2np)、を満たす。
【選択図】図1
Description
本発明の実施形態は、パターン形成方法および露光装置に関する。
例えば、繰り返しパターンを有するマスクに光を照射すると、タルボ干渉(タルボ効果)という現象が生じる。タルボ干渉においては、光の進行方向に沿ってパターンの像が周期的に生じる。タルボ干渉によって生じた像を利用して、被転写基板を露光し、微細パターンを形成することができる。このようなパターン形成方法において、形成されるパターンの精度を高めることが望まれる。
本発明の実施形態は、精度の高いパターンを形成することができるパターン形成方法および露光装置を提供する。
本発明の実施形態によれば、周期的に配置された複数の光透過部を有するマスクと基板とを互いに離間して配置する工程と、光学部から出射された照明光を前記マスクに照射して、前記複数の光透過部を透過した前記照明光の少なくとも一部を前記基板に照射する工程と、を含むパターン形成方法が提供される。前記マスクと前記基板との間の距離d、前記照明光の波長λ、前記複数の光透過部の配置の周期p、前記光学部の開口数NAi、自然数の少なくとも1つnは、p≧2λ、(np2/λ)−α≦d≦(np2/λ)+α、α=p2/(2λ)、λ/(8np)≦NAi<λ/(2np)、を満たす。
以下に、各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図1は、実施形態に係るパターン形成方法を例示するフローチャートである。
本実施形態に係るパターン形成方法は、ステップS101〜ステップS103を含む。
図1に示すように、ステップS101においてマスクM1と基板W1(被転写基板)とを配置する。ステップS102において、マスクM1を透過した光を基板W1に照射する。そして、ステップS103において、光が照射された領域に応じて基板W1上にパターンを形成する。実施形態に係るパターン形成方法は、このようなフォトリソグラフィに関する。
本実施形態に係るパターン形成方法は、ステップS101〜ステップS103を含む。
図1に示すように、ステップS101においてマスクM1と基板W1(被転写基板)とを配置する。ステップS102において、マスクM1を透過した光を基板W1に照射する。そして、ステップS103において、光が照射された領域に応じて基板W1上にパターンを形成する。実施形態に係るパターン形成方法は、このようなフォトリソグラフィに関する。
まず、実施形態に係るパターン形成方法に用いられる露光装置、マスクおよび基板等について説明する。
図2は、実施形態に係る露光装置を例示する模式図である。
図2に表すように、露光装置501は、照明光学系510(光学部)と、ステージ520と、マスク保持部530と、制御部540と、を含む。露光装置501は、例えばプロキシミティ露光装置である。
図2は、実施形態に係る露光装置を例示する模式図である。
図2に表すように、露光装置501は、照明光学系510(光学部)と、ステージ520と、マスク保持部530と、制御部540と、を含む。露光装置501は、例えばプロキシミティ露光装置である。
ここで、マスクM1及び基板W1が図2のように配置された状態において、マスクM1から基板W1へ向かう方向をZ軸方向とする。Z軸方向に対して直交する1つの方向をX軸方向とする。Z軸方向に対して直交し、X軸方向に対して直交する方向をY軸方向とする。
ステージ520は、基板W1が載置されるステージである。ステージ520は、例えば真空吸着によって基板W1をステージ520上に吸着保持する。
マスク保持部530は、マスクM1を保持する。これにより、マスクM1と基板W1とは、互いに離間して配置される。
なお、ステージ520は、Z軸方向およびX−Y平面に沿って移動可能である。また、マスク保持部530は、Z軸方向およびX−Y平面に沿って移動可能である。これにより、基板W1とマスクM1との相対的な位置関係が調整可能である。
図3は、実施形態に係るマスクを例示する模式的平面図である。
図3は、Z軸方向に沿って見たときのマスクM1を例示している。マスクM1は、所定の波長の光を透過する部材(マスク基板10)と、複数の遮光部11と、を有する。なお、図3には、3つの遮光部11のみを示しているが、実施形態において、遮光部11は3以上である。
図3は、Z軸方向に沿って見たときのマスクM1を例示している。マスクM1は、所定の波長の光を透過する部材(マスク基板10)と、複数の遮光部11と、を有する。なお、図3には、3つの遮光部11のみを示しているが、実施形態において、遮光部11は3以上である。
マスク基板10には、例えば石英や合成石英が用いられる。遮光部11には、例えばクロム(Cr)が用いられる。遮光部11は、リソグラフィにおいてマスクM1に照射される光を遮る部分である。
マスク基板10は、X−Y平面と平行に配置された主面(面P1)を有する。複数の遮光部11のそれぞれは、一定の幅を有し、面P1上において一定の間隔で設けられている。すなわち、複数の遮光部11は、周期的パターンで配置されている。
複数の遮光部11のそれぞれは、Y軸方向に沿って延在し、X軸方向において互いに離間している。周期的パターンの周期pは、1つの遮光部11のX軸方向に沿った中心と、隣接する遮光部11のX軸方向に沿った中心と、の間の距離である。周期pは、例えば、200nm以上2000nm以下である。この例では、周期pは、920nmである。
光透過性のマスク基板10及び複数の遮光部11によって、マスクM1には複数の光透過部12が設けられている。光透過部12は、マスク基板10のうち遮光部11によって光が遮られない部分に対応する。複数の遮光部11の配置に応じて、複数の光透過部12も面P1上において周期pの周期的パターンを有する。
なお、図3に表した例では、複数の遮光部11および複数の光透過部12は、ラインアンドスペースの周期的パターンを形成しているが、周期的パターンは島状のパターンであってもよい。
照明光学系510は、光源511と光学部材512とを含む。光源511は、例えば、ArFエキシマレーザおよびKrFエキシマレーザのいずれかである。これらの光源511から出射される照明光の波長は、例えば190nm以上250nm以下である。光源511として、高圧水銀ランプや他のレーザ光源を用いてもよい。
光学部材512は、レンズ、ミラー、絞り、偏光素子、光学拡散板、および光学フィルタの少なくともいずれかを含む。例えば、光学部材512には、ハエの目レンズ、光学拡散板、および振動ミラーの少なくともいずれかを用いることができる。
ハエの目レンズは、平面内に複数のレンズを並べた光学部材である。
光学拡散板は、入射した光を複数の方向に拡散する光学部材である。すなわち、光学拡散板に入射した入射光の一部は、第1方向に進行し、入射光の別の一部は、第1方向とは異なる第2方向に進行する。
振動ミラーは、入射した光が反射される方向を切り替えることができる反射部材である。すなわち、振動ミラーは、入射光を第1方向に向けて反射する第1状態と、入射光を第1方向とは異なる第2方向に向けて反射する第2状態と、を有する。ハエの目レンズ、光学拡散板、振動ミラーなどの光学部材を用いることにより、例えば、光源を点光源から面光源に変換するとともに光源の輝度ムラを抑制することができる。例えば、照明光学系の開口数を調整することができる。
照明光学系510は、光源から出射された照明光L1を、これらの光学部材を介してマスクM1に照射する。
照明光学系510は、光源から出射された照明光L1を、これらの光学部材を介してマスクM1に照射する。
実施形態においては、マスクM1と基板W1との間の距離dと、照明光L1の波長λと、マスクM1の周期pとは、次の式(1)、式(2)および式(3)を満たす。
ここで、nは自然数に含まれる1つの値である。
ここで、nは自然数に含まれる1つの値である。
図4は、実施形態に係る照明されたマスクからの光路を例示する模式図である。図4は、マスクM1に入射する照明光L1がマスクの光透過部12を通過した後の光路を例示している。
例えば、複数の光透過部12は、第1光透過部12aと、第2光透過部12bと、を含む。第1光透過部12aと第2光透過部12bとは、互いに隣接する光透過部12である。照明光L1のうち第1光束L1aは、第1光透過部12aへの入射光である。照明光L1のうち第2光束L1bは、第2光透過部12bへの入射光である。
例えば、複数の光透過部12は、第1光透過部12aと、第2光透過部12bと、を含む。第1光透過部12aと第2光透過部12bとは、互いに隣接する光透過部12である。照明光L1のうち第1光束L1aは、第1光透過部12aへの入射光である。照明光L1のうち第2光束L1bは、第2光透過部12bへの入射光である。
図4に示したように、第1光束L1aは、複数の光線を含む。例えば、第1光束L1aは、Z軸方向に対して平行に進行する光線と、Z軸方向に対して傾いた方向に進行する複数の光線と、を含む。第1光束L1aのうちの複数の光線の進行方向と、Z軸方向と、の間の最大角度を角度θ(θ>0)とする。すなわち、角度θは、面P1に入射する光の最大入射角度である。
同様にして、第2光束L1bも、複数の光線を含む。第2光束L1bのうちの複数の光線の進行方向と、Z軸方向と、の間の最大角度は、角度θ(θ>0)である。
角度θは、照明光学系510の開口数NAiに対応する。照明光学系510の開口数NAiは、
と表される。
と表される。
このように、実施形態においては、マスクM1に入射する照明光L1は、Z軸方向に対して平行に進行する平行光ではなく、角度θの広がりを有する。
そして、実施形態においては、照明光学系510の開口数NAiと、照明光L1の波長λと、マスクM1の周期pとは、次の式(5)を満たす。
ここでnは自然数である。nの値は特に制限されないが、例えば、1以上1000以下である。
ここでnは自然数である。nの値は特に制限されないが、例えば、1以上1000以下である。
基板W1は、基体と、基体の表面に設けられた感光性材料(レジスト)と、を含む。基体は、例えば、半導体層や薄膜などであり、この上にレジストが設けられている。すなわち、基体とマスクM1との間にレジストが配置されている。基板W1の主面は、X−Y平面と平行に配置されている。
制御部540は、照明光学系510、ステージ520、及びマスク保持部530などの動作を制御する。
次に、実施形態の作用について説明する。
照明光学系510から出射された照明光L1の一部は、複数の光透過部12に入射し、透過する。これにより、後述のタルボ効果(タルボ干渉)によって、干渉光が生じる。このようにして、生じた干渉光(光透過部12を透過した光の少なくとも一部)は、基板W1に照射される。
照明光学系510から出射された照明光L1の一部は、複数の光透過部12に入射し、透過する。これにより、後述のタルボ効果(タルボ干渉)によって、干渉光が生じる。このようにして、生じた干渉光(光透過部12を透過した光の少なくとも一部)は、基板W1に照射される。
基板W1に、光透過部12を透過して生じた干渉光が照射されると、光が照射された領域に応じてレジストが変化する。その後、基板W1を現像液に浸し、レジストの一部を除去する。これにより、マスクM1の周期的パターンに応じたパターンが基板W1上に形成される。なお、パターンが形成されたレジストを用いて、レジストの下方の基体をエッチングしてもよい。
ここで、タルボ干渉(タルボ効果)について説明する。
図5は、タルボ干渉を例示する模式図である。前述したように、実施形態においては、角度θ>0である。但し、タルボ干渉の説明のため、まず、角度θ=0である平行光がマスクM1に入射した場合を示す。
図5は、タルボ干渉を例示する模式図である。前述したように、実施形態においては、角度θ>0である。但し、タルボ干渉の説明のため、まず、角度θ=0である平行光がマスクM1に入射した場合を示す。
タルボ干渉は、マスクM1の繰り返しパターン(遮光部11及び光透過部12)に干渉性の良いコヒーレント光を照射すると、光の進行方向に、マスクM1の繰り返しパターンの反転像IMrと自己結像IMとが周期的に現れる現象である。
図5に表したように、タルボ干渉は、少なくとも光透過部12から0次光Ld0と、+1次光Ldaと、−1次光Ldbと、が発生する条件の下で生じる。図4では、0次光及び±1次光のみを示す。そして、回折光どうしが同位相となる位置において、自己結像IMが発生する。ここで自己結像IMとは、光透過部12の位置に相当する光強度分布が現れる結像のことをいう。反転像IMrとは、光透過部12の周期的パターンが反転したパターンに対応した光強度分布が現れる結像のことをいう。
複数の自己結像IMは、光透過部12の周期的パターンに対応してX軸方向において並ぶ。反転像IMrのX軸方向における位置は、X軸方向において互いに隣合う自己結像IM同士の中間の位置である。
反転像IMr及び自己結像IMは、Z軸方向に沿って交互に周期的に現れる。自己結像が現れるZ軸方向に沿った1周期の長さは、タルボ距離と呼ばれる。光透過部12の周期的パターンの周期(パターンピッチ)をpとし、マスクM1に照射される光の波長をλとする。周期pが波長λに近いときは、タルボ距離Ztは、
と表される。周期pが波長λの2倍以上であるときは、タルボ距離Ztは、近似的に、
と表される。このようなタルボ距離Ztの間隔で、複数の自己結像IMがZ軸方向において並ぶ。反転像IMrが生じるZ軸方向に沿った位置は、Z軸方向において隣合う自己結像IMどうしの中間の位置である。
と表される。周期pが波長λの2倍以上であるときは、タルボ距離Ztは、近似的に、
と表される。このようなタルボ距離Ztの間隔で、複数の自己結像IMがZ軸方向において並ぶ。反転像IMrが生じるZ軸方向に沿った位置は、Z軸方向において隣合う自己結像IMどうしの中間の位置である。
図6は、タルボ干渉による光強度分布のシミュレーション結果を例示する模式図である。
図6では、グレースケールによって光強度分布を示す。グレースケールは、白いほど光強度が強いことを表す。
図6では、グレースケールによって光強度分布を示す。グレースケールは、白いほど光強度が強いことを表す。
このシミュレーションでは、マスクから無限遠の距離に置かれた点光源から発せられた照明光を想定している。すなわち、マスクに入射する照明光は、Z軸方向に対して平行な平行光である。また、図6には、1次回折光のみを考慮した光強度分布を示す。
図6に示すように、例えば、遮光部11の下端位置を基準としたZ軸方向に、反転像IMr及び自己結像IMが交互に現れる。ここで、反転像IMrの中心を含みX−Y平面と平行な面を反転像面Frとする。自己結像IMの中心を含みX−Y平面と平行な面を自己結像面Fとする。この反転像面Frまたは自己結像面Fにおいて、パターン転写を行うことができる。
半導体装置を製造する際のリソグラフィ工程において、高い解像性が必要な場合、波長が193nmのArFエキシマレーザを光源とする深紫外(Deep Ultraviolet:DUV)光をマスクの照明光源として用いることがある。
例えば、微細パターンを形成するために、実際に形成するパターンの4倍サイズのマスク(レチクル)と、縮小投影光学系を含む露光装置と、を用いる参考例の方法がある。
しかし、近年では、パターンの微細化に伴い4倍体のマスクを用いてもマスクパターンの形成が困難になりつつある。また、光学系の設計や部材の物理的な制限により、ウェハ上に形成可能なパターンサイズも限界に近づいている。
こうした状況に対応する超解像技術(Resolution Enhancement Techniques:RET)として、ダブルパターニングなどの参考例の露光方法も提案されている。このダブルパターニングでは、最初の露光と2回目の露光との重ね合わせの際に生じるズレなど、解決しなければならない問題が多数あり容易ではない。
解像限界パターンのパターンサイズLは、光源波長をλ、投影光学系の開口数をNAとすると、
と表される。ここで、
である。nは、レンズと転写基板との間における屈折率であり、θ1は、光軸上の像点が射出瞳の半径に対してはる角である。k1は、プロセスファクターと呼ばれる。空間周波数のカットオフ周波数となる解像力を得るk1値は、垂直入射の場合では0.5、斜入射照明の場合では0.25である。
と表される。ここで、
である。nは、レンズと転写基板との間における屈折率であり、θ1は、光軸上の像点が射出瞳の半径に対してはる角である。k1は、プロセスファクターと呼ばれる。空間周波数のカットオフ周波数となる解像力を得るk1値は、垂直入射の場合では0.5、斜入射照明の場合では0.25である。
光学設計上sinθ1の値の経験的な上限値は、例えば0.95程度である。そこで、nを大きくすれば高い解像力が得られる。しかし、光学レンズと基板との間の媒質の屈折率を、レンズに使用する光学ガラスの屈折率より大きくすることは、光学設計上の制約から困難である。例えば、ArF用の光学ガラスには、石英が用いられる。193nmの波長を有する光に対する石英の屈折率は、1.56である。このため、1.56よりも小さい屈折力を有する媒質が挿入される。例えば、媒質として、屈折率が1.44である水が用いられる。これらの関係より、液浸露光装置のNAの最大値は、例えば1.35である。
光源としてArFエキシマレーザを用いた場合、式(8)においてk1=0.25、NA=1.35とすると、解像可能な最小寸法は、37.5nmである。また、このようなパターン転写においては、光学系のわずかな誤差や不均一性が、転写精度に重大な影響をもたらす。このため、光学材料の選定の費用や、光学系のシステムとしての完成度の高さを維持するための費用が、膨大となってしまう場合がある。
一方、解像可能なパターンサイズは、光源から放出される光の波長に比例する。このため、さらに波長を短くすることも考えられている。波長が13.5nmの光(Extreme Ultraviolet:EUV)を用いた投影露光装置が検討されている。
EUV光を用いた場合、例えばNA=0.25である。NA=0.32の光学系も計画されている。NA=0.32、k1=0.25とすると、EUV光を用いた場合の解像可能な最小寸法は、10.5nmとなる。しかし、EUV光源を用いることは、技術的な難易度が高く、半導体製造に十分な出力を得ることが可能な光源を提供することは困難である。
EUV光を用いたリソグラフィにおいては、半導体パターンを転写する際、反射型マスクを用いる。このため、照明光をマスクに対して斜めに入射する。このため、パターン精度を維持するためにパターン配置を工夫する。
これに対して、実施形態に係る露光方法のように、タルボ効果を用いたプロキシミティ法によれば、高価な投影光学系を用いずとも、投影光学系を用いた場合と同等、又はそれ以上の微細なパターンを転写することができる。
タルボ干渉を利用したプロキシミティ露光法を用いることで、パターン転写における解像度を高めることができる。例えば、半導体リソグラフィにおいて、解像度を高めることができる。
タルボ干渉を用いたプロキシミティ法によるパターン形成方法は、原板(マスク)に欠陥があっても、その欠陥が転写されにくいという特徴を有する。これは、半導体製造工程においては、長所と考えることができる。
このように、タルボ干渉を利用したプロキシミティ露光法では、投影光学系を用いない簡便な露光方法で、解像度が高く欠陥の少ないパターンを形成することができる。
図7は、タルボ干渉による光強度分布のシミュレーション結果を例示する模式図である。図7においても、光強度分布は、グレースケールによって示されている。図7に示す光強度分布は、高次の回折光も考慮した光強度分布である。また、マスクに入射する照明光としては、図6の場合と同様に、Z軸方向に対して平行な平行光を想定している。
周期pが波長の2倍よりも大きいとき、すなわちp≧2λであるときには、1次回折光以外の回折光が発生する。このときには、図7に表したように、図6に比べて微細な干渉パターンが発生する。例えば、自己結像面FからZ軸方向にわずかにずれた位置では、自己結像IM(または反転像IMr)がスプリットする。
以上のタルボ干渉の説明を踏まえ、実施形態における光強度分布について以下説明する。
前述したように、実施形態においては、照明光学系510の開口数NA>0である。すなわち、角度θの広がりを有する照明光を用いて、リソグラフィを行う。
前述したように、実施形態においては、照明光学系510の開口数NA>0である。すなわち、角度θの広がりを有する照明光を用いて、リソグラフィを行う。
図8は、実施形態に係る光強度分布を例示する模式図である。
前述の通り、マスクM1と基板W1との間の距離dは、式(2)を満たす。例えば、距離dは、タルボ距離Ztからわずかにずれた距離であり、
である。
前述の通り、マスクM1と基板W1との間の距離dは、式(2)を満たす。例えば、距離dは、タルボ距離Ztからわずかにずれた距離であり、
である。
なお、図8では、説明のため光強度分布の一部および照明光L1の一部のみを示す。
図8に表したように、照明光L1は、光線Lzを含む。光線Lzは、Z軸方向に対して平行な方向に進行し、複数の光透過部12に入射する光線である。このとき、光線Lzの高次回折光のタルボ干渉によって、基板W1の位置に自己結像IMがスプリットした光強度分布が生じる。
例えば、照明光L1は、さらに光線Lxを含む。光線Lxは、Z軸方向に対して角度θだけ傾いた方向に進行し、複数の光透過部12に入射する光線である。このとき、光線Lxの高次回折光のタルボ干渉によって、基板W1の位置に自己結像IMがスプリットした光強度分布が生じる。
実施形態に係る照明光L1は、光線Lzおよび光線Lxを含む複数の光線を含んでいる。すなわち、照明光L1は、Z軸方向と進行方向との間の角度がθ以下である複数の光線を含む。このとき、実際には図8に示すように、複数のスプリットした光強度分布が重ね合わさった分布DSが生じる。これにより、高次回折光によって生じた微細な干渉パターンが暈かされる。
例えば、照明光L1は、さらに光線Lxを含む。光線Lxは、Z軸方向に対して角度θだけ傾いた方向に進行し、複数の光透過部12に入射する光線である。このとき、光線Lxの高次回折光のタルボ干渉によって、基板W1の位置に自己結像IMがスプリットした光強度分布が生じる。
実施形態に係る照明光L1は、光線Lzおよび光線Lxを含む複数の光線を含んでいる。すなわち、照明光L1は、Z軸方向と進行方向との間の角度がθ以下である複数の光線を含む。このとき、実際には図8に示すように、複数のスプリットした光強度分布が重ね合わさった分布DSが生じる。これにより、高次回折光によって生じた微細な干渉パターンが暈かされる。
ところで、図7において説明したように、平行光を照射するタルボ干渉においては、自己結像IMのスプリットが生じる。自己結像面からわずかに離れた位置に発生するパターンは、自己結像面で発生するパターンとは異なる。リソグラフィの際、基板が自己結像面からわずかにずれた場合、解像されるパターンの寸法の誤差が大きくなりやすい。また、解像されるパターンが意図しない形状となりやすい。
これに対して、実施形態においては、式(1)〜式(5)が満たされる。このとき、マスクM1に入射する光は、平行光ではなく、角度θの広がりを有する。これにより、基板W1に生じる光強度分布は、図8において説明したように、高次回折光による微細なパターンが重ね合わさった光強度分布となる。その結果、全体として、高次回折光による微細なパターンが暈かされる。つまり、重ね合わされた光強度分布においては、高次回折光による微細な干渉パターンの発生が抑制される。これにより、基板やマスクの位置がずれた場合においても、形成されるパターンは、高次回折光による微細な干渉パターンの影響を受けにくい。したがって、寸法の誤差を小さくすることができ、焦点深度を大きくすることができる。実施形態によれば、精度の高いパターンを形成することができる。
以下、上記のような条件を見出すに至った検討について説明する。
タルボ効果による自己結像は、マスクM1からタルボ距離Zt離れた位置を中心として、Z軸方向に広がりを有する。この広がりが焦点深度に相当する。この焦点深度をDOFとすると、レイリーの基準に従った計算により、DOF=±Zt/4となる(Takashi Sato, Focus position and depth of two-dimensional patterning by Talbot effect lithography, Microelectronic Engineering, Volume 123, 1 July 2014, Pages 80-83, ISSN 0167-9317)。したがって、基板W1とマスクM1との間の距離dは、Zt−Zt/4≦d≦Zt+Zt/4とされる。これと式(7)から、式(3)および式(10)が導かれる。
タルボ効果による自己結像は、マスクM1からタルボ距離Zt離れた位置を中心として、Z軸方向に広がりを有する。この広がりが焦点深度に相当する。この焦点深度をDOFとすると、レイリーの基準に従った計算により、DOF=±Zt/4となる(Takashi Sato, Focus position and depth of two-dimensional patterning by Talbot effect lithography, Microelectronic Engineering, Volume 123, 1 July 2014, Pages 80-83, ISSN 0167-9317)。したがって、基板W1とマスクM1との間の距離dは、Zt−Zt/4≦d≦Zt+Zt/4とされる。これと式(7)から、式(3)および式(10)が導かれる。
図9は、実施形態に係る光強度分布を例示する模式図である。
図9に表したように、1つの光透過部12に対応した光強度分布(分布DS)は、例えば、分布DLと分布DRとの重ね合わせと考えることができる。ここで、自己結像IMが2つにスプリットする場合について考える。分布DLは、自己結像IMがスプリットした分布のうちの一方(例えば左側)の分布の重ね合わせである。分布DRは、自己結像IMがスプリットした分布のうち他方(例えば右側)の分布の重ね合わせである。なお、この例では、自己結像IMが2つにスプリットする場合について考えているが、実施形態は、様々な干渉パターンの場合を含む。
図9に表したように、1つの光透過部12に対応した光強度分布(分布DS)は、例えば、分布DLと分布DRとの重ね合わせと考えることができる。ここで、自己結像IMが2つにスプリットする場合について考える。分布DLは、自己結像IMがスプリットした分布のうちの一方(例えば左側)の分布の重ね合わせである。分布DRは、自己結像IMがスプリットした分布のうち他方(例えば右側)の分布の重ね合わせである。なお、この例では、自己結像IMが2つにスプリットする場合について考えているが、実施形態は、様々な干渉パターンの場合を含む。
ここで、角度θが大きくなると、全体の光強度分布(分布DS)の幅(例えばX軸方向に沿った長さ)は、広くなる。同様に、角度θが大きくなると、分布DLの幅および分布DRの幅は、広くなる。
角度θが大きすぎると、第1光透過部12aに対応した光強度分布と、第2光透過部12bに対応した光強度分布と、のコントラストが低下し、解像度が低下する。そこで、p/2の範囲の中で、光強度分布がスプリットする場合を想定する。このとき、分布DLの中心と分布DRの中心との間の距離は、等間隔に2つにスプリットした時が最大となり、パターンの対称性から、例えばp/4となる。
実施形態においては、分布DLは、分布DRと重なる。つまり、二つにわかれたパターンが照明光源の拡がりによって結合される。これにより、スプリットによって生じた光強度分布のパターンを暈かすことができる。この条件は、
となる。式(11)および式(7)より、
が導かれる。
となる。式(11)および式(7)より、
が導かれる。
図10は、実施形態に係る光強度分布を例示する模式図である。
図10に示したように、照明光L1は、例えば光線Laと光線Lbとを含む。
光線Laは、第1光透過部12aに入射して、Z軸方向に対して角度θ(+θ°)だけ傾いた方向Daに進行する。光線Lbは、第2光透過部12bに入射して、Z軸方向に対して角度θ(−θ°)だけ傾いた方向Dbに進行する。
図10に示したように、照明光L1は、例えば光線Laと光線Lbとを含む。
光線Laは、第1光透過部12aに入射して、Z軸方向に対して角度θ(+θ°)だけ傾いた方向Daに進行する。光線Lbは、第2光透過部12bに入射して、Z軸方向に対して角度θ(−θ°)だけ傾いた方向Dbに進行する。
基板W1とマスクM1との間において、光線Laが光線Lbと交差する場合には、第1光透過部12aに対応した光強度分布と、第2光透過部12bに対応した光強度分布と、が重なる。この場合には、マスクM1の周期的パターンを基板W1上で形成することができない。従って、照明光源(照明光の広がり)はこのような条件よりも小さい必要がある。実施形態においては、基板W1とマスクM1との間において、光線Laが光線Lbと交差しないように、角度θが定められる。
この条件は、
となる。式(13)および式(7)より、
式(12)および式(14)から、
が導かれる。
となる。式(13)および式(7)より、
が導かれる。
以上の式(15)の導出では、マスクM1を透過した光によって自己結像IMが生じる最初の位置について考えた。ただし、実施形態では、マスクM1から数えてn1番目に生じる自己結像IM付近で、パターン転写を行ってもよい。この場合には、
となる(n1は自然数)。そして、式(3)のαの値は、n1の値に依らないため、式(10)は、
となる。
となる(n1は自然数)。そして、式(3)のαの値は、n1の値に依らないため、式(10)は、
となる。
さらに、実施形態では、タルボ干渉の反転像面Fr付近でパターン転写を行ってもよい。この場合には、式(16)の導出と同様にして、
となる(n2は自然数)。
式(16)および式(18)をまとめると、式(5)となる。式(17)および式(19)をまとめると、式(2)となる。
となる(n2は自然数)。
式(16)および式(18)をまとめると、式(5)となる。式(17)および式(19)をまとめると、式(2)となる。
式(5)において、nを奇数とすることは、反転像面Fr付近においてパターン転写を行うことに対応する。nを偶数とすることは、自己結像面F付近においてパターン転写を行うことに対応する。nを選ぶことにより、p/2ずれた位置において、パターンを転写することが可能である。
さらに、式(2)において、
としてもよい。この式(20)の範囲を含む複数の距離dにおいて、複数回の露光を行ってもよい。その際、距離dの変化と露光とは、連続的でもよい。これにより、例えば、基板W1の位置において、高次回折光による微細なパターンが重なりやすくなる。したがって、パターンの寸法変動を抑制しやすい。また、基板W1とマスクM1との間の距離dが、レジストの厚さなどによって変動しても、パターンの寸法変動が抑制される。
としてもよい。この式(20)の範囲を含む複数の距離dにおいて、複数回の露光を行ってもよい。その際、距離dの変化と露光とは、連続的でもよい。これにより、例えば、基板W1の位置において、高次回折光による微細なパターンが重なりやすくなる。したがって、パターンの寸法変動を抑制しやすい。また、基板W1とマスクM1との間の距離dが、レジストの厚さなどによって変動しても、パターンの寸法変動が抑制される。
図11は、照明光学系の開口数とマスクパターンの周期との関係を例示するグラフ図である。
図11の縦軸は、照明光学系510の開口数NAiを表す。図11の横軸は、マスクM1に設けられた周期的パターンの周期pを表す。
図11の縦軸は、照明光学系510の開口数NAiを表す。図11の横軸は、マスクM1に設けられた周期的パターンの周期pを表す。
図11には、式(15)で表された開口数NAiの上限ULと、式(15)で表された開口数NAiの下限LLと、を示す。ここで、光源波長は、193nmである。
図11に示すように、周期pが920nmのとき、開口数NAi=0.04および開口数NAi=0.02は、式(15)の範囲に含まれる。一方、周期pが920nmのとき、開口数NAi=0.06は、式(15)の範囲に含まれない。
図12(a)〜図12(c)は、タルボ干渉の光学シミュレーション結果を例示する模式図である。このシミュレーションでは、マスクパターンの周期p=920nm、光源の波長λ=193nmである。
図12(a)は、開口数NAi=0.02の場合のシミュレーション結果を示す。図12(b)は、開口数NAi=0.04の場合のシミュレーション結果を示す。図12(c)は、開口数NAi=0.06の場合のシミュレーション結果を示す。
式(15)の範囲内であるNAi=0.02およびNAi=0.04の場合には、高次回折光による微細な干渉パターンが暈かされており、更にコントラストも大きいことが分かる。これに対して、上限ULよりも開口数が大きいNAi=0.06では、コントラストが非常に小さく、パターン転写が困難であることが分かる。
図13は、照明光学系の開口数と光強度分布のコントラストとの関係を例示するグラフ図である。ここでも、図11および図12と同様に、周期pは920nmであり、波長λは193nmである。
図13の縦軸は、光強度分布のコントラストCntを表す。コントラストCntは、マスクからタルボ距離Zt離れた位置における光強度の最大値と、マスクからタルボ距離Zt離れた位置における光強度の最小値と、の比である。図13の横軸は、開口数NAiを表す。図13から分かるように、開口数NAiが大きくなると、コントラストCntが低下することがわかる。すなわち、マスクパターンの転写が困難になることが分かる。
実際に、上限ULよりも開口数NAiが大きい条件においてリソグラフィのシミュレーションを行うと、マスクパターンがレジストに転写されないことが分かった。
図14(a)〜図14(c)は、レジスト形状のシミュレーション結果を例示する模式図である。
図14(a)〜図14(c)は、周期p=920nmのマスク及び波長λ=193nmの光源を用いて、リソグラフィを行った場合のレジスト形状を示す。
図14(a)〜図14(c)は、レジスト形状のシミュレーション結果を例示する模式図である。
図14(a)〜図14(c)は、周期p=920nmのマスク及び波長λ=193nmの光源を用いて、リソグラフィを行った場合のレジスト形状を示す。
図14(a)では、開口数NAi=0.04である。図14(b)では、開口数NAi=0.05である。図14(a)及び図14(b)のように、上限ULよりも開口数NAiが小さいの場合には、レジストにマスクパターンが転写されることがわかる。
これに対して、図14(c)では、開口数NAi=0.06である。図14(c)のように、上限ULよりも開口数NAiが大きい場合には、レジストにマスクパターンが転写されないことが分かる。図14(a)〜図14(c)のシミュレーション結果は、開口数NAiの上限ULが妥当であることを示している。
図15(a)及び図15(b)は、リソグラフィのシミュレーション結果を例示するグラフ図である。
図15(a)及び図15(b)の縦軸は、フォーカス位置(Defocus)μmを表す。すなわち、図15(a)及び図15(b)の縦軸は、マスクM1と基板W1と間の距離と、タルボ距離Ztと、の差を表す。図15(a)及び図15(b)の横軸は、光強度Inの対数を表す。なお、このシミュレーションにおいて周期pは920nmであり、波長λは193nmである。
図15(a)及び図15(b)の縦軸は、フォーカス位置(Defocus)μmを表す。すなわち、図15(a)及び図15(b)の縦軸は、マスクM1と基板W1と間の距離と、タルボ距離Ztと、の差を表す。図15(a)及び図15(b)の横軸は、光強度Inの対数を表す。なお、このシミュレーションにおいて周期pは920nmであり、波長λは193nmである。
図15(a)では、照明光学系の開口数NAi=0.001である。これは、点光源がマスクから無限遠の距離に置かれた場合に相当する。図15(a)の光強度I1は、レジストに転写されるパターンの寸法が所望の寸法になる時の光強度を表す。図15(a)の光強度I2は、レジストに転写されるパターンの寸法が所望の寸法よりも10%大きくなる時の光強度を表す。図15(c)の光強度I3は、レジストに転写されるパターンの寸法が所望の寸法よりも10%小さくなる時の光強度を表す。
図15(a)は、光強度I2と光強度I3との間において、おおよそ所望の寸法が得られることを表す。
図15(b)では、照明光学系の開口数NAi=0.02である。図15(b)の光強度I4は、レジストに転写されるパターンの寸法が所望の寸法になる時の光強度を表す。図15(b)の光強度I5は、レジストに転写されるパターンの寸法が所望の寸法よりも10%大きくなる時の光強度を表す。図15(c)の光強度I6は、レジストに転写されるパターンの寸法が所望の寸法よりも10%小さくなる時の光強度を表す。
図15(b)は、光強度I5と光強度I6との間において、おおよそ所望の寸法が得られることを表す。
フォーカス位置がずれた時に、所望の寸法が得られる光強度が大きく変化する場合には、寸法の誤差が大きくなりやすい。フォーカス位置の変化に対して、所望の寸法が得られる光強度の変化が小さいことが好ましい。
図15(a)に表したように、開口数NAiが小さい場合には、フォーカス位置によって、光強度が大きく変化する。これは、光の干渉性が高いためである。
これに対して、図15(b)の場合には、光の干渉性が低く、フォーカス位置がずれても光強度の変化が小さい。下限LLよりも開口数NAiが大きい場合には、フォーカス位置がずれても、転写されるパターンの寸法の誤差が小さいことがわかる。図15(a)および図15(b)のシミュレーション結果は、開口数NAiの下限LLが妥当であることを示している。
これに対して、図15(b)の場合には、光の干渉性が低く、フォーカス位置がずれても光強度の変化が小さい。下限LLよりも開口数NAiが大きい場合には、フォーカス位置がずれても、転写されるパターンの寸法の誤差が小さいことがわかる。図15(a)および図15(b)のシミュレーション結果は、開口数NAiの下限LLが妥当であることを示している。
以上説明したように、実施形態においては、式(1)〜式(5)が満たされる。このとき、マスクM1には角度θの広がりを有する照明光L1が入射し、高次回折光によるタルボ効果が生じる。そして、開口数NAi(角度θ)が式(5)の上限未満であることにより、光強度分布のコントラストが維持される。開口数NAiが式(5)の下限よりも大きいことにより、高次回折光による光強度分布の微細パターンの発生が抑制される。これにより、高次回折光に起因した光強度分布の寸法誤差を小さくすることができる。したがって、リソグラフィによって形成されるパターンの精度を高めることができる。
例えば、タルボ干渉を用いたプロキシミティ露光において、マスクに照射される照明光のスペクトルバンド幅を調整する方法も考えられる。照明光がスペクトルバンド幅を有することにより、複数の波長に対応した光強度分布の重ね合わせが得られ、光強度分布の微細パターンの発生を抑制する。しかしながら、ArFエキシマレーザを用いた場合などの照明光の波長が短い場合には、スペクトルバンド幅を調整することが困難な場合がある。これに対して、実施形態においては、照明光学系510の開口数NAiを調整することで、光強度分布の微細パターンの発生を抑制することができる。このため、照明光の波長が短い場合でも、形成されるパターンの精度を高めることができる。
実施形態によれば、精度の高いパターンを形成することができるパターン形成方法および露光装置が提供される。が提供できる。
なお、本願明細書において、「垂直」及び「平行」は、厳密な垂直及び厳密な平行だけではなく、例えば製造工程におけるばらつきなどを含むものであり、実質的に垂直及び実質的に平行であれば良い。
以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明の実施形態は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、マスク、基板および光学部などの各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。
また、各具体例のいずれか2つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
また、各具体例のいずれか2つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
その他、本発明の実施の形態として上述したパターン形成方法および露光装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全てのパターン形成方法および露光装置も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。
その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
10…マスク基板、 11…遮光部、 12…光透過部、 12a…第1光透過部、 12b…第2光透過部、 θ…角度、 501…露光装置、 510…照明光学系、 511…光源、 512…光学部材、 520…ステージ、 530…マスク保持部、 540…制御部、 Cnt…コントラスト、 DL、DR、Ds…光強度分布、 Da、Db…方向、 F…自己結像面、 Fr…反転像面、 I1〜I6…光強度、 IM…自己結像、 IMr…反転像、 In…光強度、 L1…照明光、 L1a…第1光束、 L1b…第2光束、 LL…下限、 La、Lb…光線、 Ld0…0次光、 Lda…+1次光、 Ldb…−1次光、 Lx、Lz…光線、 M1…マスク、 NAi…開口数、 P1…面、 S101〜S103…ステップ、 UL…上限、 W1…基板、 Zt…タルボ距離、 d…距離、 p…周期
Claims (9)
- 周期的に配置された複数の光透過部を有するマスクと基板とを互いに離間して配置する工程と、
光学部から出射された照明光を前記マスクに照射して、前記複数の光透過部を透過した前記照明光の少なくとも一部を前記基板に照射する工程と、
を備え、
前記マスクと前記基板との間の距離d、前記照明光の波長λ、前記複数の光透過部の配置の周期p、前記光学部の開口数NAi、自然数の少なくとも1つnは、
p≧2λ、
(np2/λ)−α≦d≦(np2/λ)+α、
α=p2/(2λ)、
λ/(8np)≦NAi<λ/(2np)、
を満たすパターン形成方法。 - 前記マスクと前記基板との間の前記距離dは、np2/λとは異なる請求項1記載のパターン形成方法。
- 前記光学部は、平面内に並ぶ複数のレンズを含む請求項1または2に記載のパターン形成方法。
- 前記光学部は、反射部材を含み、
前記反射部材は、前記反射部材に入射した入射光が第1方向に向けて反射される第1状態と、前記入射光が前記第1方向とは異なる第2方向に向けて反射される第2状態と、を有する請求項1〜3のいずれか1つに記載のパターン形成方法。 - 前記照明光の前記波長は、190nm以上250nm以下である請求項1〜4のいずれか1つに記載のパターン形成方法。
- 周期的に配置された複数の光透過部を有するマスクを保持するマスク保持部と、
基板が載置されるステージと、
前記マスクに照射される照明光を出射する光学部であって、前記照明光の少なくとも一部は、前記複数の光透過部を透過して前記基板に照射される光学部と、
を備え、
前記マスクと前記基板との間の距離d、前記照明光の波長λ、前記複数の光透過部の配置の周期p、前記光学部の開口数NAi、自然数の少なくとも1つnは、
p≧2λ、
(np2/λ)−α≦d≦(np2/λ)+α、
α=p2/(2λ)、
λ/(8np)≦NAi<λ/(2np)、
を満たす露光装置。 - 前記マスクと前記基板との間の前記距離dは、np2/λとは異なる請求項6記載の露光装置。
- 前記光学部は、平面内に並ぶ複数のレンズを含む請求項6または7に記載の露光装置。
- 前記光学部は、反射部材を含み、
前記反射部材は、前記反射部材に入射した入射光が第1方向に向けて反射される第1状態と、前記入射光が前記第1方向とは異なる第2方向に向けて反射される第2状態と、を有する請求項6〜8のいずれか1つに記載の露光装置。
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---|---|---|---|---|
US4947413A (en) * | 1988-07-26 | 1990-08-07 | At&T Bell Laboratories | Resolution doubling lithography technique |
JPH10111409A (ja) | 1996-10-04 | 1998-04-28 | Canon Inc | 二光束干渉露光法、アレー型半導体光源装置の製造方法およびアレー型半導体光源装置 |
US6373553B1 (en) * | 1999-09-20 | 2002-04-16 | Intel Corp. | Photo-lithographic method to print a line-space pattern with a pitch equal to half the pitch of the mask |
US7170588B2 (en) * | 2003-07-25 | 2007-01-30 | Smith Bruce W | Reduction Smith-Talbot interferometer prism for micropatterning |
EP1810085B1 (en) | 2004-10-22 | 2011-03-16 | Eulitha AG | A system and a method for generating periodic and/or quasi-periodic pattern on a sample |
KR100652403B1 (ko) * | 2005-02-26 | 2006-12-01 | 삼성전자주식회사 | 다중노광 시스템 및 이를 이용한 다중노광 방법 |
WO2011057835A1 (en) | 2009-11-13 | 2011-05-19 | Eulitha Ag | Optimized mask design for fabricating periodic and quasi-periodic patterns |
US9036133B2 (en) | 2010-02-16 | 2015-05-19 | Eulitha Ag | Lithographic fabrication of general periodic structures by exposing a photosensitive layer to a range of lateral intensity distributions |
US8368871B2 (en) | 2010-02-16 | 2013-02-05 | Eulitha Ag | Lithographic fabrication of general periodic structures |
US9007566B2 (en) | 2010-07-07 | 2015-04-14 | Eulitha Ag | Apparatus and method for printing a periodic pattern with a large depth of focus |
US8524443B2 (en) | 2010-07-07 | 2013-09-03 | Eulitha A.G. | Method and apparatus for printing a periodic pattern with a large depth of focus |
US8525973B2 (en) | 2010-10-13 | 2013-09-03 | Eulitha A.G. | Method and apparatus for printing periodic patterns |
JP5901643B2 (ja) | 2010-11-16 | 2016-04-13 | ユーリタ アクチエンゲゼルシャフトEulitha Ag | 高解像度の二次元の周期的なパターンを印刷する方法および装置 |
JP5757413B2 (ja) | 2011-06-29 | 2015-07-29 | 大日本印刷株式会社 | 位相変調マスク、露光装置および露光方法 |
JP5838622B2 (ja) | 2011-07-05 | 2016-01-06 | 大日本印刷株式会社 | 露光装置および露光方法 |
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