JP6356510B2 - 露光方法及び露光装置 - Google Patents
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Description
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図1は、パターン形成方法を例示するフローチャートである。
図1は、第1の実施形態に係る露光方法を用いたパターン形成方法を例示している。
第1の実施形態に係る露光方法は、第1光及び第2光の照射(ステップS102)、第1干渉光及び第2干渉光の照射(ステップS103)を含む。図1に表したように、ステップS101〜ステップS104によってパターンが形成される。
図2は、マスクを例示する模式図である。マスクM1は、所定の波長の光を透過する部材(マスク基板10)と、マスク基板10上に設けられた複数の遮光部11と、を有する。遮光部11は、リソグラフィにおいてマスクM1に照射される光を遮る。
図3では、グレースケールによって光強度分布を示す。グレースケールは、白いほど光強度が強いことを表す。図3では、説明の便宜上、1次回折光のみを考慮した光強度分布が表される。
となる。したがって、マスクM1と被転写基板との間の距離は、波長λよりも長く設定される。異なる波長を有する光を照射する場合には、マスクと被転写基板との間の距離は、短い方の波長よりも長く設定される。
ここで、
である。nは、レンズと転写基板との間における屈折率であり、θは、光軸上の像点が射出瞳の半径に対してはる角である。k1は、プロセスファクターと呼ばれる。空間周波数のカットオフ周波数となる解像力を得るk1値は、垂直入射の場合では0.5、斜入射照明の場合では0.25である。
第1光L1及び第2光L2を同時にマスクに照射してもよい。この場合、マスクに照射される光は、第1光L1と第2光L2とが重ね合わされた1つの光と考えることができる。すなわち、実施形態は、互いに異なる複数の波長のそれぞれにおいて、強度分布のピークを有する光を照射する場合を含む。
図6は、露光システムを例示する模式図である。
図6に表した露光システムは、第2の実施形態に係る露光装置501と、制御部540と、を含む。
また、各具体例のいずれか2つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
Claims (10)
- 周期的パターンで配置された複数の光透過部を有するマスクと前記マスクと離間して配置された基板との間の距離よりも短い第1波長において強度のピークを有し、ArFエキシマレーザ光、及びKrFエキシマレーザ光のいずれか1つを含む第1光と、前記第1波長よりも長い第2波長において強度のピークを有し、ArFエキシマレーザ光、及びKrFエキシマレーザ光の前記1つとは異なる1つを含む第2光と、を、前記第1光の照射時間と前記第2光の照射時間との比を変更可能に前記マスクに照射し、
前記第1光が前記光透過部を透過することで生じた第1干渉光と、前記第2光が前記光透過部を透過することで生じた第2干渉光と、を前記基板に照射し、
前記基板の前記第1干渉光及び前記第2干渉光が照射される領域は、前記周期的パターンに応じた周期性を有し、
前記領域の周期は、前記第1波長の10倍以下であり、
前記領域は、前記第1干渉光の自己結像によって形成されるパターンと、前記第1干渉光の反転像によって形成されるパターンと、を含み、
前記第1光の強度と、前記第2光の強度と、の比は、変更可能である露光方法。 - 周期的パターンで配置された複数の光透過部を有するマスクと前記マスクと離間して配置された基板との間の距離よりも短い第1波長において強度のピークを有し、ArFエキシマレーザ光、及びKrFエキシマレーザ光のいずれか1つを含む第1光と、前記第1波長よりも長い第2波長において強度のピークを有し、ArFエキシマレーザ光、及びKrFエキシマレーザ光の前記1つとは異なる1つを含む第2光と、を、前記第1光の照射時間と前記第2光の照射時間との比を変更可能に前記マスクに照射し、
前記第1光が前記光透過部を透過することで生じた第1干渉光と、前記第2光が前記光透過部を透過することで生じた第2干渉光と、を前記基板に照射する露光方法。 - 前記基板の前記第1干渉光及び前記第2干渉光が照射される領域は、前記周期的パターンに応じた周期性を有し、
前記領域の周期は、前記第1波長の10倍以下である請求項2記載の露光方法。 - 前記領域は、前記第1干渉光の自己結像によって形成されるパターンと、前記第1干渉光の反転像によって形成されるパターンと、を含む請求項3記載の露光方法。
- 前記第1光の強度と、前記第2光の強度と、の比は、変更可能である請求項2〜4のいずれか1つに記載の露光方法。
- 前記第1波長よりも長い第3波長において強度のピークを有する第3光を、前記マスクにさらに照射し、
前記第3光が前記光透過部を透過することで生じた第3干渉光を、前記基板にさらに照射する請求項2〜5のいずれか1つに記載の露光方法。 - 第1波長において強度のピークを有し、ArFエキシマレーザ光、及びKrFエキシマレーザ光のいずれか1つを含む第1光と、
前記第1波長よりも長い第2波長において強度のピークを有し、ArFエキシマレーザ光、及びKrFエキシマレーザ光の前記1つとは異なる1つを含む第2光と、
を放出する光源と、
基板を載置するステージと、
周期的パターンで配置された複数の光透過部を有するマスクを、前記マスクと前記基板との間の距離が前記第1波長よりも長くなる位置に保持するマスク保持部と、
を備え、
前記マスクに前記第1光と前記第2光とを、前記第1光の照射時間と前記第2光の照射時間との比を変更可能に照射し、前記第1光が前記光透過部を透過することで生じた第1干渉光と、前記第2光が前記光透過部を透過することで生じた第2干渉光と、を前記基板に照射する露光装置。 - 前記基板の前記第1干渉光及び前記第2干渉光が照射される領域は、前記周期的パターンに応じた周期性を有し、
前記領域の周期は、前記第1波長の10倍以下である請求項7記載の露光装置。 - 前記領域は、前記第1干渉光の自己結像によって形成されるパターンと、前記第1干渉光の反転像によって形成されるパターンと、を含む請求項8記載の露光装置。
- 前記第1光の強度と、前記第2光の強度と、の比は、変更可能である請求項7〜9のいずれか1つに記載の露光装置。
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