JP4777296B2 - リソグラフィ装置 - Google Patents

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Description

[0001] 本発明は、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法に関する。
[0002] リソグラフィ装置は、基板、一般的には基板のターゲット部分に所望のパターンを付与するマシンである。リソグラフィ装置は、たとえば集積回路（ＩＣ）の製造に使用することができる。その場合、マスクまたはレチクルとも呼ばれているパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層に形成すべき回路パターンが生成される。生成されたパターンが、基板（たとえばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（たとえば部分的に１つまたは複数のダイが含まれている）に転送される。パターンの転送は、通常、基板の上に提供されている放射感応性材料（レジスト）の層へのイメージングを介して実施される。通常、１枚の基板には、順次パターニングされる隣接するターゲット部分の回路網が含まれている。知られているリソグラフィ装置には、パターン全体を１回でターゲット部分に露光することによってターゲット部分の各々が照射されるいわゆるステッパと、パターンを放射ビームで所与の方向（「スキャンニング」方向）にスキャンし、かつ、基板をこの方向に平行または非平行に同期スキャンすることによってターゲット部分の各々が照射されるいわゆるスキャナがある。パターンを基板に転写することによってパターニングデバイスから基板へパターンを転送することも可能である。
[0003] フォトリソグラフィは、ＩＣならびに他のデバイスおよび／または構造の製造に欠くことのできないステップの１つとして広く認識されている。今のところ、同様の精度、速度および経済的な生産性で所望のパターンアーキテクチャを提供する代替技法は存在していないようである。しかしながら、フォトリソグラフィを使用して製造されるフィーチャの寸法は、ますます小さくなっているため、フォトリソグラフィは、最大要因ではないにしても、小形のＩＣあるいは他のデバイスおよび／または構造の真に大量生産を可能にするための最も重大な制限要因の１つになっている。
[0004] パターン印刷の限界の理論的な予測は、式（１）で示される解像度に対するレイリー基準によって与えられる。
Figure 0004777296
 上の式で、λは、使用される放射の波長であり、ＮＡＰＳは、パターンの印刷に使用される投影システムの開口数である。ｋ１は、レイリー定数とも呼ばれているプロセス依存調整係数であり、ＣＤは、１：１のデューティサイクルでアレイに配置されたフィーチャ（つまりピッチの半分に等しいサイズの同じラインアンドスペースまたは孔）のフィーチャサイズである。したがって、アレイ内におけるフィーチャの間隔である特定のピッチによって特徴付けられるフィーチャのアレイのコンテキストにおいては、式（１）のクリティカルディメンションＣＤは、以下、「ハーフピッチ」(half-pitch)として参照されている、印刷可能な最小ピッチの半分の値を表している。
[0005] 式（１）から、フィーチャの最小印刷可能サイズの短縮は、３つの方法、つまり露光波長λを短くすることによって、または開口数ＮＡＰＳを大きくすることによって、あるいはｋ１の値を小さくすることによって達成することができる、と言える。
[0006] リソグラフィに広く使用されている、レイリー定数ｋ１をより小さくし、それによってパターン解像度を改善する現在の解像度改善技法には、たとえばAttenuated位相シフトマスクもしくはAlternating位相シフトマスクおよび／またはサブ解像度アシストフィーチャ（sub-resolution assist features ＳＲＡＦ）の使用が含まれている。これらの解像度改善技法は、ＩＣデバイス内の配線レベル間の接続を画定しているコンタクトホールまたはビアのリソグラフィ印刷および処理には、とりわけ重要な技法である。それは、他のＩＣフィーチャと比較すると、コンタクトホールの面積が比較的狭いことによるものである。コンタクトホールは、たとえば、位相シフトマスクおよびポジ型レジストと組み合わせた従来のオンアクシス照明を使用して印刷することができる。
[0007] しかしながら、約８５ｎｍ（λ＝１９３ｎｍ、ＮＡＰＳ＝０．９３およびｋ１＝０．４）未満の微小フィーチャおよびコンタクトホールをパターニングする場合、Attenuated位相シフトマスクもしくはAlternating位相シフトマスクおよび／またはサブ解像度アシストフィーチャを使用することはできない。これらの技法には、その能力に限界があり、ｋ１＝０．４で動作させた場合に達成可能なＣＤ未満のハーフピッチを印刷するための十分なプロセス寛容度（つまりクリティカルディメンションの所与の許容誤差に対する使用可能な焦点深度と許容可能な露光線量の変動の組合せ）を提供することはできない。
[0008] 本発明の一実施形態では、第１の複数の空間コヒーレント放射ビームを生成するように構成された第１のビームスプリッタと、第１の複数の空間コヒーレント放射ビームの少なくとも一部を受け取り、かつ、第１の複数の空間コヒーレント放射ビームに基づいて第２の複数の空間コヒーレント放射ビームを生成するように構成された第２のビームスプリッタと、干渉パターンを形成するために、第２の複数の空間コヒーレント放射ビームの少なくとも一部を基板の表面の方向に向け、かつ、結合するように適合されたビームコンバイナとを備えたリソグラフィ装置が提供される。
[0009] 本発明の他の実施形態では、第１の複数の空間コヒーレント放射ビームを生成するように構成された第１の回折格子と、第１の複数の空間コヒーレント放射ビームの少なくとも一部を受け取り、かつ、第１の複数の空間コヒーレント放射ビームに基づいて第２の複数の空間コヒーレント放射ビームを生成するように構成された第２の回折格子と、第１の回折格子と第２の回折格子の間に配置された放射伝達デバイスであって、第１の複数の空間コヒーレント放射ビームが第２の回折格子のためのコヒーレント軸外照明を形成するよう、第１の複数の空間コヒーレント放射ビームの前記部分を第２の回折格子の方向に向けるように構成された放射伝達デバイスと、干渉パターンを形成するために、第２の複数の空間コヒーレント放射ビームの少なくとも一部を基板の表面の方向に向け、かつ、結合するように適合されたビームコンバイナとを備えたリソグラフィ装置が提供される。
[0010] 本発明のさらに他の実施形態では、第１の複数の空間コヒーレント放射ビームを形成するために、放射のビームを使用して第１の回折格子を照射するステップと、第２の複数の空間コヒーレント放射ビームを形成するために、第１の複数の空間コヒーレント放射ビームの少なくとも一部を使用して第２の回折格子を照射するステップと、干渉パターンを形成するために、第２の複数の空間コヒーレント放射ビームの少なくとも一部を基板の表面の方向に向け、かつ、結合するステップとを含むデバイス製造方法が提供される。
[0011] 本発明の一実施形態では、基板へのパターニングデバイスのレイアウトの光転送を構成するための方法が提供される。レイアウトには、周期パターンおよび非周期パターンが含まれており、また、この方法には、パターニングデバイスのレイアウトの周期パターンおよび非周期パターンをそれぞれ使用して、第１および第２のサブレイアウトを形成するステップと、第１のサブレイアウトの画像を干渉計リソグラフィ装置を使用して基板に転送するステップと、第２のサブレイアウトの画像を干渉計リソグラフィ装置を使用することなく基板に転送するステップとが含まれている。
[0012] 本発明の他の実施形態では、異なる方向に伝搬する少なくとも４つの空間コヒーレント放射ビームを生成するように構成されたビームスプリッタと、干渉パターンを形成するために、異なる方向に伝搬する少なくとも４つの空間コヒーレント放射ビームを基板の表面の方向に向け、かつ、結合するように構成されたビームコンバイナとを備えたリソグラフィ装置が提供される。
[0013] 以下、本発明の実施形態について、単なる例示として、添付の略図を参照して説明する。図において、対応する参照記号は対応する部品を表している。
[0026] 図１Ａは、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置１００を示したものである。リソグラフィ装置１００は、通常、第１のビームスプリッタ１０１、放射伝達デバイス１０５、第２のビームスプリッタ１１０およびコンバイナ１１５を備えている。第１のビームスプリッタ１０１は、放射Ｂのコヒーレントビームによって照射されると、複数の空間コヒーレントビーム１０２を生成するように構成されている。次に、この複数のビーム１０２が、それらの少なくとも一部を第２のビームスプリッタ１１０の方向に向けるように適合された放射伝達デバイス１０５に入射する。第２のビームスプリッタ１１０は、コンバイナ１１５の反射表面１１６ａ〜ｂを介して基板Ｗに向かって反射する複数のビーム１０６を生成する。図１Ａでは、放射伝達デバイス１０５は、複数の空間コヒーレントビーム１０２の少なくとも一部を第２のビームスプリッタ１１０の方向に向けるように適合されている。一実施形態では、放射伝達デバイス１０５は、複数のビーム１０２の実質的にすべてを第２のビームスプリッタ１１０の方向に向けるように適合されている。
[0027] 複数のビーム１０６は、基板Ｗの上部表面に干渉パターンを生成する。この干渉パターンは、回折格子パターンを形成するフォトレジスト層（図１Ａには示されていない）を露光する。干渉パターンには、複数のビーム１０６の強め合う干渉によって形成される最大強度の縞(fringe)が含まれている。これらの縞は、複数のビーム１０６の弱め合う干渉によってもたらされる最小強度のゾーンによって分離されている。
[0028] 放射Ｂのビームは、ＵＶレンジ、深ＵＶレンジまたは極端ＵＶレンジ内で放出することができる放射源（図１Ａには示されていない）によって生成される。一構成では、放射の波長は約１９３ｎｍである。リソグラフィ装置１００は、さらに、放射源と第１のビームスプリッタ１０１の間に配置された、放射Ｂのビームを偏光させるための偏光子を備えることができる。一構成では、偏光子は、ＴＥ偏光を生成するように適合されている。
[0029] 基板Ｗは、第１および第２のビームスプリッタ１０１、１１０、放射伝達デバイス１０５およびビームコンバイナ１１５に対して基板Ｗを移動させるように構成された基板テーブルＷＴによって支持されている。リソグラフィ装置は、ステップモードまたはスキャンモードで動作するように適合させることができる。ステップモードでは、第２のビームスプリッタ１１０（および第２のビームスプリッタ１１０を支持しているサポート構造）および基板テーブルＷＴは、基板のターゲット部分を露光している間、基本的に静止状態に維持される。基板テーブルＷＴは、次に、異なるターゲット部分を露光することができるよう、平行移動される。スキャンモードでは、基板のターゲット部分を露光している間、第２のビームスプリッタ１１０および基板テーブルＷＴが同期スキャンされる（つまり単一動的露光）。
[0030] 図１Ａに示すように、放射伝達デバイス１０５は、ビームスプリッタ１０１によって生成される複数のビーム１０２の少なくとも一部を集光し、かつ、それらを第２のビームスプリッタ１１０の方向に向けるように適合されている。一構成では、放射伝達デバイス１０５は、ガラス、フッ化カルシウムまたは水晶棒などのライトパイプの形態を取っている。しかしながら、代替機構を使用して複数のビーム１０２の方向を変えることも可能であることは理解されよう。たとえば、放射伝達デバイス１０５は、ビーム１０２を第２のビームスプリッタ１１０の方向に向けるように適合された複数のミラーまたはレンズを備えることができる。
[0031] 一実施形態では、図１Ａに示すように、第１および第２のビームスプリッタ１０１、１１０は、それぞれ回折次数ビーム１０２および１０６を生成する回折格子である。第１および第２のビームスプリッタ１０１、１１０は、一次元回折格子または二次元回折格子である。干渉パターンの形成に使用することができる回折格子の例には、チェッカー盤回折格子を備えたガラス板がある。回折格子は、位相シフトマスク回折格子またはバイナリ回折格子であってもよい。様々な構成では、回折格子１０１、１１０は、クロムチェッカー盤パターン(chrome checkerboard pattern)、エッチ位相パターン(etched phase pattern)、クロムバスケットウィーブパターン(chrome basket weave pattern)、またはエッチウィーブパターン(etched weave pattern)を備えたガラス板を備えている。
[0032] 第１のビームスプリッタすなわち回折格子１０１は、第２の回折格子１１０のための空間コヒーレント軸外照明を生成するように構成されている。この構成では、第１および第２の回折格子１０１、１１０は、それぞれ空間コヒーレント軸外照明源回折格子およびイメージング回折格子として作用している。
[0033] コヒーレンスは、放射のビーム中の異なるポイントで測定した放射波の位相間に存在する相関の測度である。放射のビームのコヒーレンスは、時間的コヒーレンスおよび空間的コヒーレンスの形で記述することができる。
[0034] 時間的コヒーレンスは、伝搬方向に沿った異なる位置における放射波の位相間の相関の測度である。時間的コヒーレンスは、放射源の単色度を表すインジケータである。たとえば、放射源がλ＋Δλの波長の放射を放出する場合、波長λおよびλ＋Δλの放射波は、Ｌｃで一般的に表される特定の光路長より遠くへ伝搬した後、弱め合って干渉することになる。Ｌｃは、放射源のコヒーレンス長と呼ぶことができる。２つの波の間の干渉パターンは、これらの波の光路の差がＬｃより長い場合、観察することはできない。
[0035] 空間的コヒーレンスは、伝搬方向に対して横方向の異なるポイントにおける放射波の位相間の相関の測度である。空間的コヒーレンスは、波面の位相の一様性の程度を表している。干渉を生成するためには、ある程度の空間的コヒーレンスが放射波間に存在していなければならない。つまり、一定の位相関係が放射波間に維持されなくてはならない。図１Ａに示す実施形態では、第１のビームスプリッタすなわち第１の回折格子１０１によって生成される回折次数ビーム１０２の間に、一定の位相関係が存在している。したがって、回折次数ビーム１０２が相俟って、第２のビームスプリッタすなわち第２の回折格子１１０を照射する空間コヒーレント照明源を形成している。
[0036] 図１Ａに示す実施形態では、回折次数ビーム１０２が、従来のリソグラフィ装置に使用されている軸外源を模倣する軸外源を形成し、解像度および焦点深度を改善している。ビーム１０２によって生成される軸外照明により、第２の回折格子１１０から放出される第１次数回折ビームおよび第０次数ビームをビームコンバイナ１１５によって同時に捕捉することができるため、解像度および焦点深度が改善される。つまり、図１Ａに示す構成の場合、複数の放射ビーム（回折次数ビームに対応する）をビームコンバイナ１１５によって同時に捕捉することができる。基板の表面で干渉するビームの数を多くすることにより、複雑な干渉パターンを生成することができる。
[0037] したがって、図２Ａを参照すると、任意の回折格子のパターンＰＡが放射のコヒーレントビームで照射されると、そのパターンＰＡは、回折パターンを生成し、放射が回折する角度がパターンの空間周波数成分によって決定される。たとえば、ライン／スペースパターンのピッチＰによって画定される単一空間周波数を有する無限ライン／スペースパターンによって、コヒーレント放射（光軸に沿ってパターンまで移動する）が、パターンのラインアンドスペースに対して直角の方向に、次の式（２）によって画定される角度（つまりｎが整数である回折次数ｎ）で回折する。
θ=sin-1{λ/(n*P)} （２）
[0038] 図１Ａでは、理想ビームコンバイナ１１５（または回折格子１１０とビームコンバイナ１１５の間に配置することができる理想光拡大システム）によって、回折格子１１０によって生成されるすべての回折次数ビームを捕捉し、かつ、それらを再結合して所望の干渉パターンを形成することができる。実際には、ビームコンバイナ１１５（または光拡大システム）は、ビームコンバイナ１１５（または光拡大システム）が回折ビームを捕捉することができる有限角度を有しており、この角度を超えるあらゆる回折放射は失われる。そのために、図１Ａに示す干渉パターンが劣化する。
[0039] したがって、図２Ａおよび２Ｂに示すように、ライン／スペースパターンＰＡがビームコンバイナ１１５の光軸に沿った放射Ｂのコヒーレントビームで照射される場合、ビームコンバイナ１１５によって＋／−１回折次数を依然として捕捉することができるウェーハレベルの画像に存在する最小ピッチ（Ｐｍｉｎ）は、
Pmin=λ/NA （３）
によって表すことができる。λは放射Ｂの波長であり、ＮＡはビームコンバイナ１１５の開口数である。
[0040] ピッチＰｍｉｎを有するパターンＰＡを示す図２Ａ、およびＰｍｉｎより狭いピッチを有するパターンを示す図２Ｂに示すように、ピッチが狭くなると、ビームコンバイナ１１５は、もはやいずれの＋／−１回折次数も捕捉することはできない。
[0041] しかしながら、図２Ｃを参照すると、コヒーレントビームＢが光軸に対してビームコンバイナ１１５の捕捉角度範囲外に傾斜している場合（軸外照明すなわちＯＡＩ）、投影システムによって＋１回折次数を捕捉することができる。
[0042] したがって、第２の回折格子１１０に軸外照明を使用することにより、コンバイナ１１５は、ピッチが緊密であっても、第２の回折格子１１０によって生成される複数のビーム（つまり非第０回折次数）を捕捉することができる。また、軸外照明は、空間コヒーレントビームによって形成されるため、第２の回折格子１１０によって生成される回折ビーム１０６も同じく空間的にコヒーレントであり、したがって干渉して基板Ｗの表面に干渉パターンを生成することができる。したがって、より鮮明な画像を生成することができ、また、装置１００の焦点深度を著しく深くすることができる。
[0043] 図３は、本発明の一実施形態による第１のビームスプリッタ３０１を示したものである。第１のビームスプリッタ３０１は、コンタクトのアレイの形態を取っている二次元パターン３０３を備えている。放射Ｂの空間的および時間的にコヒーレントなビームが第１のビームスプリッタ３０１に入射すると、コンタクト毎に回折パターンが生成される。図３には、放射伝達デバイス１０５によって集光され、かつ、方向が変化するビームのみが示されている。しかしながら、放射伝達デバイス１０５は、追加ビームの方向を変化させるように構成することも可能であることは理解されよう。これらのビームには、第０非回折次数（００）および第１の回折次数が含まれている。第１の回折次数には、正次数（１０）および（０１）ならびに負次数（１０）および（０１）が含まれている。第１のビームスプリッタ３０１によって形成される４つの空間的および時間的にコヒーレントなビームが第２のビームスプリッタ３１０を照射する。第２のビームスプリッタ３１０は、照射されると、図１Ａに示すようにビームコンバイナ１１５を介して基板Ｗの方向に向けられるビーム（たとえば回折次数ビーム）を生成する。
[0044] 図３に示す実施形態では、第１のビームスプリッタ３０１および放射伝達デバイス１０５は、第２のビームスプリッタ３１０のための四極照明を生成するように適合されている。四極照明は、それぞれリソグラフィ装置１００の光軸から実質的に同じ距離で配置された４つのビームを備えた軸外照明である。隣接する２つのビーム間の角半径（リソグラフィ装置１００の光軸に対して実質的に直角の平面内で見た場合の）は、約９０°である。本発明の他の実施形態では、追加タイプの照明を得ることができることは理解されよう。一構成では、たとえば、ダイポール照明すなわち２つの軸外照明ビームを備えた照明を得ることができる。四極照明と同様、ダイポール照明は、それぞれリソグラフィ装置１００の光軸から実質的に同じ距離で配置された２つのビームを備えた軸外照明である。２つのビーム間の角半径（リソグラフィ装置１００の光軸に対して実質的に直角の平面内で見た場合の）は、約１８０°である。ダイポール照明は、たとえば一次元回折格子の第１の回折次数を集光することによって生成することができる。別法としては、たとえば二次元ビームスプリッタ３０１によって生成される第１の回折次数（たとえば（０１）および（０１））の２つをマスキングすることによってダイポール照明を生成することも可能である。マスキングは、ビームスプリッタ３０１と放射伝達デバイス１０５の間、または放射伝達デバイス１０５と第２のビームスプリッタ３１０の間のいずれかで実施することができる。本発明の他の実施形態では、５つ以上のビームを使用して第２のビームスプリッタ３１０を照射することができる。この実施形態では、放射伝達デバイス１０５を使用して、たとえば、ビームスプリッタ３０１によって生成される第１および第２の回折次数を集光することができる。一実施形態では、第２のビームスプリッタ上に環状照明を形成するために、複数の回折次数が集光され、かつ、方向転換される。本発明の他の実施形態では、追加タイプの照明が企図されている（たとえばオンアクシス照明と軸外照明の組合せ、ブルズアイ照明など）。
[0045] 第２のビームスプリッタ３１０は、一次元回折格子または二次元回折格子であってもよい。第２の回折格子３１０によって生成される回折ビームは、基板Ｗの表面で干渉して干渉パターンを生成する。基板Ｗ上に生成される干渉縞は、とりわけ第１および第２のビームスプリッタ１０１、１１０または３０１、３１０の組合せ構成によるものである。本発明の一実施形態では、第１および第２のビームスプリッタ１０１、１１０または３０１、３１０のフィーチャは、所望のパターンを基板上に得るために同時に決定される。これは、インバースコヒーレントイメージング(inverse coherent imaging)を使用した光シミュレーションによって実施することができる。この方法によれば、ピッチ、回折格子のタイプ（たとえばAlternating位相シフトまたはバイナリ回折格子）、および／または個々の回折格子のパターンの寸法が、所望のパターンを基板上に得るために同時に構成される。また、インバースコヒーレントイメージングプロセスの間、追加パラメータを構成することができることは理解されよう。たとえば、一実施形態では、放射伝達デバイス１０５および／またはコンバイナ１１５のフィーチャも構成の一部にすることができる。詳細には、コンバイナ１１５のファセットの寸法および配向、放射波長、放射Ｂのビームが伝搬する（放射源から基板Ｗまで）媒体の屈折率、およびリソグラフィ装置１００のコンポーネントと基板Ｗの間の距離も構成の一部にすることができる。
[0046] もう一度図１Ａを参照すると、第２のビームスプリッタ１１０によって生成される複数のビーム１０６の少なくとも一部は、コンバイナ１１５に入射し、コンバイナの表面（図１Ａの表面１１６ａ〜ｂ）のうちの一方で内部反射する。次に、ビーム１０６は、基板Ｗ上に干渉縞を形成する。図１Ａに示すコンバイナ１１５は、マルチファセットプリズム(multi-faceted prism)である。図１Ａに示すようなプリズムを使用する利点は、プリズムが一度製造されると、整列させるための困難が存在しないことである。図１Ａでは、ビームコンバイナ１１５は、第２のビームスプリッタ１１０によって生成される複数のビーム１０６の少なくとも一部の方向を変えるように適合されている。一実施形態では、ビームコンバイナ１１５は、第２のビームスプリッタ１１０によって生成される複数のビーム１０６の実質的にすべての方向を変えるように適合されている。
[0047] 図１Ａに示すプリズムは、Ｎ方向対称を持たせるべく一般化することができる。たとえば、一構成では、プリズムは、図４Ａに示すように、６方向対称（六角プリズム）を有することができる。図４Ａは、本発明の一実施形態による六角プリズムを端面図で示したものである。プリズム４００は、プリズムの中心ＣＥの周りに分布している６つの高角ゾーン４０５および６つの低角ゾーン４１０を備えている。図４Ａでは、プリズム４００は、基板Ｗの表面に干渉縞を形成するために、６つのビーム４１５ａ〜ｆを結合するように適合されている。六角プリズム４００を使用してＤＲＡＭタイプ構造を生成することができる。別法としては、図４Ｂに示すように、マルチファセットコンバイナ１１５に４方向対称を持たせることができる（正方形プリズム）。図４Ｂに示す正方形プリズム４２０は、中心ＣＥの周りに分布している４つの高角ゾーン４２５および４つの低角ゾーン４３０を備えている。図４Ｂでは、プリズム４２０は、４つのビーム４３５ａ〜ｄを結合するように適合されている。プリズムの設計は、図４Ａ〜Ｂに示す設計に限定されないこと、また、数Ｎは、必ずしも偶数である必要はないことは理解されよう。たとえば、本発明の他の実施形態では、３方向対称または５方向対称を使用することも可能である。一構成では、図１Ａに示すビームコンバイナ１１５は、干渉パターンを形成するために、約２つないし８つのビームの間を結合するように適合されている。
[0048] コンバイナ１１５の典型的な寸法は、頂面１１７（図１Ａ参照）で約５０ｃｍ未満である。一実施形態では、コンバイナ１１５の頂面１１７の直径は、約２０ｃｍから３０ｃｍまでの範囲にすることができる。
[0049] コンバイナ１１５は、図１Ａに示すようなマルチファセットプリズムに限定されないことは理解されよう。たとえば、図１Ｂに示す実施形態では、リソグラフィ装置１００は、複数のビーム１０６を反射するように適合された湾曲下部表面１２１を備えたコンバイナ１２０を備えることができる。
[0050] 一実施形態では、図１Ａに示すリソグラフィ装置を使用して、約３５ｎｍから４０ｎｍのパターン解像度すなわちハーフピッチ（約７０ｎｍ〜８０ｎｍの最小ピッチに対応している）を得ることができる。図５Ａ〜Ｆは、リソグラフィ装置１００を使用して得られるパターンの例を示したものである。
[0051] 図５Ａ〜Ｆは、本発明の一実施形態によって得られる模擬周期セル５００〜５２５を示したものである。コンタクト（図５Ｂおよび５Ｅ）、トレンチ（図５Ｃ）、短いライン（図５Ａおよび５Ｄ）または真っ直ぐなライン（図５Ｆ）を含有したセルを形成することができる。セル５００〜５２０（図５Ａ〜Ｅ）は、４つのビーム干渉プロセスを使用して形成されており、また、セル５２５（図５Ｆ）は、２つのビーム干渉プロセスを使用して形成されている。
[0052] 第２のビームスプリッタ１１０によって生成される複数のビーム１０６の各々またはグループの位相および／または振幅を調整するために、第２のビームスプリッタ１１０とコンバイナ１１５の間に、１つまたは複数のアテニュエータおよび位相板を配置することができる。このような板およびアテニュエータを使用することにより、基板Ｗの表面に生成される干渉縞を良好に制御することができる。したがって、複数の干渉ビームのうちの１つまたは複数の位相および／または振幅を、１つまたは複数の他のビームの位相および／または振幅に対して変化させることにより、干渉縞の寸法および鮮明度を調整することができる。図６は、第２のビームスプリッタ６１０によって形成されるビーム６０６の位相および／または振幅を調整するように適合された、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置６００を示したものである。リソグラフィ装置６００は、リソグラフィ装置１００と類似しており、第１のビームスプリッタ６０１、放射伝達デバイス６０５、第２のビームスプリッタ６１０およびマルチファセットビームコンバイナ６１５を備えている。リソグラフィ装置６００は、さらに、ビーム６０６の放射経路に挿入された板６１１ａ〜ｃを備えている。この実施形態では、板６１１ａ〜ｃは、ビーム６０６の位相を調整するために使用することができる汎用波長板である。一構成では、板６１１ａ〜ｃは、ビーム６０６の位相を約１８０°回転させ、かつ、第０非回折次数の強度を小さくするように適合された、若干の減衰を伴う２分の１波長板からなっている。このような構成により、減衰位相シフトマスクの作用を近似することができ、また、より深い焦点深度を提供することができる。板６１１ａ〜ｃは、板６１１ａ〜ｃを放射経路に挿入し、あるいは放射経路から引き出すように構成されたコントローラ６２０と通信することができる。一実施形態では、第０回折次数を遮断するために、リソグラフィ装置６００の光軸に沿ってアテニュエータ板を配置することができる。
[0053] 図７は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置７００を示したものである。図６に示す実施形態と同様、リソグラフィ装置７００は、第１のビームスプリッタ７０１、放射伝達デバイス７０５、第２のビームスプリッタ７１０、アテニュエータおよび／または位相板７１１ａ〜ｃならびにビームコンバイナ７１５を備えている。板７１１ａ〜ｃは、板７１１ａ〜ｃを放射経路に挿入し、あるいは放射経路から引き出すように構成されたコントローラ（図７には示されていない）と通信することができる。図７では、ビームコンバイナ７１５は、複数のビーム７０６を基板Ｗの表面の方向に向けるために個々に移動させることができる複数のミラー７１６ａ〜ｆを備えている。ミラー７１６ａ〜ｆの配向は、コントローラ７１７を使用して制御することができる。本発明の他の実施形態では、追加ミラーまたはもっと少ないミラーを使用することができることは理解されよう。
[0054] 一実施形態では、リソグラフィ装置は、液浸液システムと共に使用することができる。図８は、この実施形態によるリソグラフィ装置を示したものである。図６と同様、リソグラフィ装置８００は、第１のビームスプリッタ８０１、放射伝達デバイス８０５、第２の回折格子８１０、アテニュエータおよび／または位相板８１１ａ〜ｃならびにビームコンバイナ８１５を備えている。リソグラフィ装置８００は、さらに、ビームコンバイナ８１５と、基板ステージＷＴの上に配置された基板Ｗとの間に配置された液体供給システム８２０を備えている。液体供給システム８２０は、入口／出口ダクト８２６を介して提供される、たとえば水などの屈折率が比較的大きい液体８２５が充填されたリザーバ８２１を備えている。衝突する放射ビームの放射波長は、液体中の方が空気中または真空中より短いため、より小さいフィーチャを解像することができる。一実施形態では、液体供給システム８２０の液体８２５は、ビームコンバイナ８１５の底面８１８と接触させることができる。
[0055] 次に図９を参照すると、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置９００が示されている。図１Ａと同様、リソグラフィ装置９００は、第１のビームスプリッタ９０１、放射伝達デバイス９０５、第２のビームスプリッタ９１０およびビームコンバイナ９１５を備えている。リソグラフィ装置９００は、さらに、拡大システム９２０を備えている。拡大システム９２０を使用することにより、第１および／または第２のビームスプリッタ９０１、９１０のパターン寸法を著しく緩和することができる。本発明の一実施形態には、倍率係数が約１０の拡大システムを使用することができる。
[0056] 本発明の一実施形態では、多重露光プロセスを使用して所望のパターンを印刷することができる。図１０を参照すると、本発明の一実施形態による、所望のパターンを印刷するための方法が示されている。方法１０００は、ブロック１０１０で開始され、パターンのレイアウトが第１および第２のサブレイアウトに分割される。レイアウトの分割は、第１のサブレイアウトに周期パターンが含まれ、また、第２のサブレイアウトに、（ａ）非周期パターン、（ｂ）第１のサブレイアウトに含まれるパターンとは異なるパターン、および／または（ｃ）通常はレイアウトの周囲に含まれるパターンが含まれるように実施される。方法１０００は、次にブロック１０２０に進み、干渉リソグラフィを使用して第１の露光が実行され、第１のサブレイアウトが基板上にイメージングされる。第１の露光は、図１および６〜９に示すリソグラフィ装置のうちのいずれかを使用して実施することができる。第１のサブレイアウトが露光されると、方法はブロック１０３０に進み、第２のサブレイアウトが転送される。図１０に示す方法によれば、干渉リソグラフィを使用して臨界周期パターンを印刷することができる。
[0057] 本発明の他の実施形態では、第１の露光および第２のサブレイアウトの転送の順序を逆にすることができることは理解されよう。また、パターニングデバイスのレイアウトを３つ以上のレイアウトに分割することができることは理解されよう。たとえば、一構成では、第１のサブレイアウトに第１の周期パターンを含み、第２のサブレイアウトに第２の周期パターン（第１の周期パターンとは異なる周期パターン）を含むことができる。この構成では、４つ以上の露光または転送を使用して、第１、第２および第３のサブレイアウトをイメージングする、つまり転送することができる。
[0058] 図１０に示す第２のサブレイアウトの転送１０３０は、マスクレスリソグラフィ装置、図１１に示すようなリソグラフィ装置、つまり以下で説明する転写装置等を使用して実行することができる。
[0059] 図１１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を略図で示したものである。この装置は、放射ビームＢ（たとえばＵＶ放射またはＤＵＶ放射）を条件付けるように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬ、パターニングデバイス（たとえばマスク）ＭＡを保持するように構築された、特定のパラメータに従って該パターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに接続されたサポート構造（たとえばマスクテーブル）ＭＴ、基板（たとえばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構築された、特定のパラメータに従って該基板を正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに接続された基板テーブル（たとえばウェーハテーブル）ＷＴ、およびパターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（たとえば１つまたは複数のダイが含まれている）上に投影するように構成された投影システム（たとえば屈折型投影レンズシステム）ＰＳを備えている。
[0060] 照明システムは、放射を誘導し、整形し、あるいは制御するための、屈折光コンポーネント、反射光コンポーネント、磁気光コンポーネント、電磁光コンポーネント、静電光コンポーネントまたは他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらの任意の組合せなどの様々なタイプの光コンポーネントを備えることができる。
[0061] サポート構造は、パターニングデバイスの配向、リソグラフィ装置の設計および他の条件、たとえばパターニングデバイスが真空環境中で保持されているか否か等に応じた様式でパターニングデバイスを保持している。サポート構造には、パターニングデバイスを保持するための機械式クランプ技法、真空クランプ技法、静電クランプ技法または他のクランプ技法を使用することができる。サポート構造は、たとえば必要に応じて固定または移動させることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポート構造は、パターニングデバイスをたとえば投影システムに対して所望の位置に確実に配置することができる。本明細書における「レチクル」または「マスク」という用語の使用はすべて、より一般的な「パターニングデバイス」という用語の同義語と見なすことができる。
[0062] 本明細書に使用されている「パターニングデバイス」という用語は、放射ビームの断面にパターンを付与し、それにより基板のターゲット部分にパターンを生成するべく使用することができる任意のデバイスを意味するものとして広義に解釈されたい。放射ビームに付与されるパターンは、たとえばそのパターンに位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャが含まれている場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに必ずしも厳密に対応している必要はないことに留意されたい。放射ビームに付与されるパターンは、通常、ターゲット部分に生成されるデバイス、たとえば集積回路などのデバイス中の特定の機能層に対応している。
[0063] パターニングデバイスは、透過型であってもあるいは反射型であってもよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイおよびプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクについてはリソグラフィにおいては良く知られており、バイナリ、Alternating位相シフトおよびAttenuated位相シフトなどのマスクタイプ、ならびに様々なハイブリッドマスクタイプが知られている。プログラマブルミラーアレイの実施例には、マトリックスに配列された、入射する放射ビームが異なる方向に反射するよう個々に傾斜させることができる微小ミラーが使用されている。この傾斜したミラーによって、ミラーマトリックスで反射する放射ビームにパターンが付与される。
[0064] 本明細書に使用されている「投影システム」という用語は、たとえば使用する露光放射に適した、もしくは液浸液の使用または真空の使用などの他の要因に適した、屈折光学システム、反射光学システム、カタディオプトリック光学システム、磁気光学システム、電磁光学システムおよび静電光学システム、またはそれらの任意の組合せを始めとする任意のタイプの投影システムが包含されているものとして広義に解釈されたい。本明細書における「投影レンズ」という用語の使用はすべて、より一般的な「投影システム」という用語の同義語と見なすことができる。
[0065] 図に示すように、この装置は、透過型（たとえば透過型マスクを使用した）タイプの装置である。別法としては、この装置は、反射型（たとえば上で参照したタイプのプログラマブルミラーアレイを使用した、あるいは反射型マスクを使用した）タイプの装置であってもよい。
[0066] リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または２つ以上のサポート構造）を有するタイプの装置であってもよい。このような「マルチステージ」マシンの場合、追加テーブル／サポート構造を並列に使用することができ、あるいは１つまたは複数の他のテーブル／サポート構造を露光のために使用している間、１つまたは複数のテーブル／サポート構造に対して予備ステップを実行することができる。
[0067] 図１１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受け取っている。放射源がたとえばエキシマレーザである場合、放射源およびリソグラフィ装置は、個別の構成要素にすることができる。このような場合、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとは見なされず、放射ビームは、たとえば適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを備えたビームデリバリシステムＢＤを使用して放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ引き渡される。それ以外のたとえば放射源が水銀灯などの場合、放射源はリソグラフィ装置の一構成要素にすることができる。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤと共に、放射システムと呼ぶことができる。
[0068] イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調整するように構成されたアジャスタＡＤを備えることができる。通常、イルミネータの瞳面内における強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（一般に、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれている）は調整が可能である。また、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯなどの他の様々なコンポーネントを備えることができる。イルミネータを使用して放射ビームを条件付け、所望する一様な強度分布をその断面に持たせることができる。
[0069] サポート構造（たとえばマスクテーブル）ＭＴの上に保持されているパターニングデバイス（たとえばマスク）ＭＡに放射ビームＢが入射し、パターニングデバイスによってパターニングされる。パターニングデバイスＭＡを透過した放射ビームＢは、放射ビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃに集束させる投影システムＰＳを通過する。基板テーブルＷＴは、第２のポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ（たとえば干渉計デバイス、リニアエンコーダまたは容量センサ）を使用して正確に移動させることができ、それによりたとえば異なるターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に配置することができる。同様に、第１のポジショナＰＭおよびもう１つの位置センサ（図１には明確に示されていない）を使用して、たとえばマスクライブラリから機械的に検索した後、またはスキャン中に、パターニングデバイスＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に配置することができる。通常、サポート構造ＭＴの移動は、第１のポジショナＰＭの一部を形成しているロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を使用して実現することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２のポジショナＰＷの一部を形成しているロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使用して実現することができる。ステッパの場合（スキャナではなく）、サポート構造ＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに接続することができ、あるいは固定することも可能である。パターニングデバイスＭＡおよび基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２および基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して整列させることができる。図には専用ターゲット部分を占有している基板アライメントマークが示されているが、基板アライメントマークは、ターゲット部分とターゲット部分の間の空間に配置することも可能である（このような基板アライメントマークは、スクライブレーンアライメントマークとして知られている）。同様に、複数のダイがパターニングデバイスＭＡ上に提供される場合、ダイとダイの間にパターニングデバイスアライメントマークを配置することができる。
[0070] 図に示す装置は、以下に示すモードのうちの少なくとも１つのモードで使用することができる。
[0071] １．ステップモード：サポート構造ＭＴおよび基板テーブルＷＴが基本的に静止状態に維持され、放射ビームに付与されたパターン全体がターゲット部分Ｃに１回で投影される（すなわち単一静止露光）。次に、基板テーブルＷＴがＸ方向および／またはＹ方向にシフトされ、異なるターゲット部分Ｃが露光される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静止露光でイメージングされるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。
[0072] ２．スキャンモード：放射ビームに付与されたパターンがターゲット部分Ｃに投影されている間、サポート構造ＭＴおよび基板テーブルＷＴが同期スキャンされる（すなわち単一動的露光）。サポート構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの倍率（縮小率）および画像反転特性によって決まる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分の幅（非スキャン方向の幅）が制限され、また、スキャン運動の長さによってターゲット部分の高さ（スキャン方向の高さ）が決まる。
[0073] ３．その他のモード：プログラマブルパターニングデバイスを保持するべくサポート構造ＭＴが基本的に静止状態に維持され、放射ビームに付与されたパターンがターゲット部分Ｃに投影されている間、基板テーブルＷＴが移動またはスキャンされる。このモードでは、通常、パルス放射源が使用され、スキャン中、基板テーブルＷＴが移動する毎に、あるいは連続する放射パルスと放射パルスの間に、必要に応じてプログラマブルパターニングデバイスが更新される。この動作モードは、上で参照したタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを利用しているマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
[0074] 上で説明した使用モードの組合せおよび／またはその変形形態、あるいは全く異なる使用モードを使用することも可能である。
[0075] 本明細書においては、とりわけＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用が参照されているが、本明細書において説明したリソグラフィ装置は、集積光学システム、磁気ドメインメモリのための誘導および検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造などの他の適用例を有していることを理解されたい。このような代替適用例のコンテキストにおいては、本明細書における「ウェーハ」または「ダイ」という用語の使用はすべて、それぞれより一般的な「基板」または「ターゲット部分」という用語の同義語と見なすことができることは当業者には理解されよう。本明細書において参照されている基板は、たとえばトラック（通常、基板にレジストの層を塗布し、かつ、露光済みのレジストを現像するツール）、メトロロジーツールおよび／またはインスペクションツール中で、露光前または露光後に処理することができる。適用可能である場合、本明細書における開示は、このような基板処理ツールおよび他の基板処理ツールに適用することができる。また、基板は、たとえば多層ＩＣを生成するために複数回にわたって処理することができるため、本明細書において使用されている基板という用語は、処理済みの複数の層が既に含まれている基板を指している場合もある。
[0076] また、本発明による実施形態の使用について、とりわけ光リソグラフィのコンテキストの中で参照されているが、本発明は、他の適用例、たとえばインプリントリソグラフィに使用することができ、コンテキストが許容する場合、光リソグラフィに限定されないことは理解されよう。インプリントリソグラフィの場合、基板に生成されるパターンは、パターニングデバイスのトポグラフィによって画定される。パターニングデバイスのトポグラフィが、基板に供給されているレジストの層にプレスされ、次に、レジストを硬化させるべく、電磁放射、熱、圧力またはそれらの組合せが印加される。レジストが硬化すると、パターニングデバイスがレジストから除去され、後にパターンが残される。
[0077] また、リソグラフィ装置は、基板の表面が比較的屈折率の大きい液体中、たとえば水中に浸され、それにより投影システムの最終エレメントと基板の間の空間が充填されるタイプの装置であってもよい。また、リソグラフィ装置内の他の空間、たとえばパターニングデバイスと投影システムの第１のエレメントの間の空間に液浸液を付与することも可能である。液浸技法は、当技術分野では、投影システムの開口数を大きくすることで良く知られている。
[0078] 本明細書に使用されている「放射」および「ビーム」という用語には、紫外（ＵＶ）放射（たとえば３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍまたは１２６ｎｍの波長あるいはその近辺の波長の放射）、および極端紫外（ＥＵＶ）放射（たとえば波長の範囲が５〜２０ｎｍの放射）、ならびにイオンビームまたは電子ビームなどの粒子線を含むあらゆるタイプの電磁放射が包含されている。
[0079] コンテキストが許容する場合、「レンズ」という用語は、屈折光コンポーネント、反射光コンポーネント、磁気光コンポーネント、電磁光コンポーネントおよび静電光コンポーネントを始めとする様々なタイプの光コンポーネントのうちの任意の１つまたは組合せを意味している。
[0080] 以上、本発明の特定の実施形態について説明したが、説明した以外の方法で本発明を実践することができることは理解されよう。たとえば本発明は、上で開示した方法を記述した１つまたは複数の機械読取可能命令シーケンスを含んだコンピュータプログラムの形態を取ることができ、あるいはこのようなコンピュータプログラムを記憶したデータ記憶媒体（たとえば半導体記憶装置、磁気ディスクまたは光ディスク）の形態を取ることができる。
[0081] 以上の説明は例示を意図したものであり、本発明を制限するものではない。したがって、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく、上で説明した本発明に改変を加えることができることは当業者には明らかであろう。
[0014]本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を示す略図である。 [0015]本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を示す略図である。 [0016]ビームコンバイナ（または拡大システム）によって集光された、ピッチの広いパターンの回折次数を示す略図である。 [0016]ビームコンバイナ（または拡大システム）によって集光された、ピッチの狭いパターンの回折次数を示す略図である。 [0016]ビームコンバイナ（または拡大システム）によって集光された、軸外照明によって照射されたピッチの狭いパターンの回折次数を示す略図である。 [0017]本発明の一実施形態によるビームスプリッタの構成を示す図である。 [0018]本発明の一実施形態による六角ビームコンバイナおよび正方形ビームコンバイナの端面図である。 [0018]本発明の一実施形態による六角ビームコンバイナおよび正方形ビームコンバイナの端面図である。 [0019]４つのビーム干渉プロセスを使用して形成された周期パターンを示す図である。 [0019]４つのビーム干渉プロセスを使用して形成された周期パターンを示す図である。 [0019]４つのビーム干渉プロセスを使用して形成された周期パターンを示す図である。 [0019]４つのビーム干渉プロセスを使用して形成された周期パターンを示す図である。 [0019]４つのビーム干渉プロセスを使用して形成された周期パターンを示す図である。 [0019]図１Ａに示すリソグラフィ装置を使用した２つのビーム干渉プロセスを使用して形成された周期パターンを示す図である。 [0020]本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を示す略図である。 [0021]本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を示す略図である。 [0022]本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を示す略図である。 [0023]本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を示す略図である。 [0024]本発明の一実施形態による、パターンを印刷するための方法を示す流れ図である。 [0025]本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を示す略図である。

Claims (5)

  1. 第１の複数の空間コヒーレント放射ビームを生成するように構成された第１の回折格子と、
    前記第１の複数の空間コヒーレント放射ビームの少なくとも一部を受け取り、かつ、前記第１の複数の空間コヒーレント放射ビームに基づいて第２の複数の空間コヒーレント放射ビームを生成するように構成された第２の回折格子と、
    前記第１の回折格子と前記第２の回折格子の間に配置された放射伝達デバイスであって、前記第１の複数の空間コヒーレント放射ビームが前記第２の回折格子のためのコヒーレント軸外照明を形成するよう、前記第１の複数の空間コヒーレント放射ビームの前記一部を前記第２の回折格子の方向に向けるように構成された放射伝達デバイスと、
    干渉パターンを形成するために、前記第２の複数の空間コヒーレント放射ビームの少なくとも一部を基板の表面の方向に向け、かつ、結合するように適合されたビームコンバイナと、
    前記ビームコンバイナの表面と前記基板の前記表面の間に液体を提供する液体供給システムと、
    前記第２の回折格子と前記ビームコンバイナの間に配置され、前記第２の複数の空間コヒーレントビームのうちの１つまたは複数のビームの位相を修正し、かつ、振幅の減衰を伴う２分の１波長板と、
    前記２分の１波長板を前記放射ビームの経路に挿入し、または、前記放射ビームの経路から引き出すように構成されたコントローラと、
    を備え、
    前記第１および第２の回折格子の各々が、一次元回折格子または二次元回折格子のいずれかであり、かつ、Alternating位相シフト回折格子またはバイナリ回折格子のいずれかであり、
    前記第１の複数の空間コヒーレント放射ビームの前記一部が、前記第２の回折格子のための軸外照明を提供するように、前記リソグラフィ装置の光軸から実質的に等距離である軸外照明極を形成し、かつ、前記照明極が、前記光軸に対して実質的に直角の平面内の２つの実質的に直角の方向に沿って整列して構成されている、リソグラフィ装置。
  2. 前記放射伝達デバイスが、ガラス棒、レンズまたはミラーである、請求項１に記載の装置。
  3. 前記ビームコンバイナがマルチファセットプリズムである、請求項１に記載の装置。
  4. 前記第２の複数の空間コヒーレントビームの前記部分が、２つ、３つ、４つ、６つまたは８つのビームを含む、請求項１に記載の装置。
  5. 前記第２の回折格子と前記ビームコンバイナの間に配置された拡大システムをさらに備えた、請求項１に記載の装置。
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