JPH03263313A - 干渉露光装置 - Google Patents
干渉露光装置Info
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- JPH03263313A JPH03263313A JP2063046A JP6304690A JPH03263313A JP H03263313 A JPH03263313 A JP H03263313A JP 2063046 A JP2063046 A JP 2063046A JP 6304690 A JP6304690 A JP 6304690A JP H03263313 A JPH03263313 A JP H03263313A
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- 230000010363 phase shift Effects 0.000 abstract description 36
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 239000012466 permeate Substances 0.000 abstract 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- -1 stainless steel Chemical class 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70408—Interferometric lithography; Holographic lithography; Self-imaging lithography, e.g. utilizing the Talbot effect
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は２光束干渉露光装置に関するものである。
［従来の技備〕
第３図は例えば昭和６０年度電子通信学会半導体・材料
部門全国大会予稿集ｌ−１２７頁に示された従来の干渉
露光装置を示す説明図で、図に卦いて、（１）は露光光
源となるＶ−ザ光のビーム、（２）はハーフミラ−、（
３） Ｊ＆？よび（３１）はミラー、（４）は透過型位
相シフト板、（５）は共焦点レンズ、（６）は半導体基
板、（７）は半導体基板（６）上に塗布されたレジスト
であるっ 次に露光原理について説明するっ ハーフミラ−（２）で２分割されたレーザ光のビーム（
１）の一方はミラー（３）で反射され、レジスト（７）
に到達する。また、他方のビームはミラー（３１）で反
射された後、透過型位相シフト板（４）卦よび共焦点レ
ンズ（５）を通過した後、レジスト（７）に到達する。
部門全国大会予稿集ｌ−１２７頁に示された従来の干渉
露光装置を示す説明図で、図に卦いて、（１）は露光光
源となるＶ−ザ光のビーム、（２）はハーフミラ−、（
３） Ｊ＆？よび（３１）はミラー、（４）は透過型位
相シフト板、（５）は共焦点レンズ、（６）は半導体基
板、（７）は半導体基板（６）上に塗布されたレジスト
であるっ 次に露光原理について説明するっ ハーフミラ−（２）で２分割されたレーザ光のビーム（
１）の一方はミラー（３）で反射され、レジスト（７）
に到達する。また、他方のビームはミラー（３１）で反
射された後、透過型位相シフト板（４）卦よび共焦点レ
ンズ（５）を通過した後、レジスト（７）に到達する。
レジスト（７）に到達したこの２つのビームｉｄ互イに
干渉してストライプ状の干渉予を形威し、レジスト（７
）はこの干渉縞に対応して露光され、現像した際周期的
なレジストが残り、このレジストをマスクとして半導体
基板（６）をエツチングすると、基板表面上に回折格子
が形成される。
干渉してストライプ状の干渉予を形威し、レジスト（７
）はこの干渉縞に対応して露光され、現像した際周期的
なレジストが残り、このレジストをマスクとして半導体
基板（６）をエツチングすると、基板表面上に回折格子
が形成される。
この回折格子の周期Ａは
λ
””Ｉｓ□。θ ・・・（１）（
１）式で示される。ここで、λはレーザ光の波長、θは
半導体基板（６）に入射するレーザ光の入射角である。
１）式で示される。ここで、λはレーザ光の波長、θは
半導体基板（６）に入射するレーザ光の入射角である。
この回折格子を導波路上に有する半導体レーザは分布帰
還型半導体レーザと呼ばれ、従来のファプリベロー型半
導体レーザと異なり単一の波長で発振するという特徴を
有する。
還型半導体レーザと呼ばれ、従来のファプリベロー型半
導体レーザと異なり単一の波長で発振するという特徴を
有する。
ところで、位相シフト板（４）が−様な厚さを有する場
合、位相シフト板（４）を通過してレジスト（７）に到
達するレーザ光の位相は揃っているため、半導体基板（
６）の表面に形成される回折格子は上記（１）式の周期
Ａを有する均一なものとなる。この様な回折格子を導波
路上に有する半導体レーザは通常、２つの波長で発振し
、実用上好咬しくない。このλ 問題を解決するために従来使用されたのが４シフト型回
折格子と呼ばれる回折格子を有する半導体λ ンーザの構造である。このｉシフト型回折格子は第４図
に示すように、回折格子の位相が特定の位置Ａでπだけ
ずれ／こものである。
合、位相シフト板（４）を通過してレジスト（７）に到
達するレーザ光の位相は揃っているため、半導体基板（
６）の表面に形成される回折格子は上記（１）式の周期
Ａを有する均一なものとなる。この様な回折格子を導波
路上に有する半導体レーザは通常、２つの波長で発振し
、実用上好咬しくない。このλ 問題を解決するために従来使用されたのが４シフト型回
折格子と呼ばれる回折格子を有する半導体λ ンーザの構造である。このｉシフト型回折格子は第４図
に示すように、回折格子の位相が特定の位置Ａでπだけ
ずれ／こものである。
この様な回折格子を有する半導体レーザは安定に単一の
波長で発振させることができる。
波長で発振させることができる。
このイシフト型回折格子の作成方法は前に述べたように
、−様な厚さを有する位相シフト板（４）を用いた場合
、位相ずれのない回折格子ができあがるが、第５凶のよ
うに段差を有する位相シフト板を用いた場合、その厚さ
の厚い部分を透過した光と薄い部分を透過した光の位相
がπだけ異なればレジスト（７）上での干渉条件がπだ
け異なか、所望の怪シフト型回折格子が得られる。なふ
・、共焦点レンズ（５）は位相シフト板（４）の段差部
で発生した回折光をレジスト（７）上に結像させること
により、回折光による干渉によって生ずる干渉パターン
の乱れを最小限に抑える役目を果している。
、−様な厚さを有する位相シフト板（４）を用いた場合
、位相ずれのない回折格子ができあがるが、第５凶のよ
うに段差を有する位相シフト板を用いた場合、その厚さ
の厚い部分を透過した光と薄い部分を透過した光の位相
がπだけ異なればレジスト（７）上での干渉条件がπだ
け異なか、所望の怪シフト型回折格子が得られる。なふ
・、共焦点レンズ（５）は位相シフト板（４）の段差部
で発生した回折光をレジスト（７）上に結像させること
により、回折光による干渉によって生ずる干渉パターン
の乱れを最小限に抑える役目を果している。
従来の干渉露光装置は以上のように構成されてλ
いたので、ｉシフ）５回折格子を作製するため、透過型
の位相シフト板（４）を用いているため下記のような問
題点があった。
の位相シフト板（４）を用いているため下記のような問
題点があった。
（１）；透過光に対して透明の材料を用いなければなら
ないっ （２）：位相シフト板表面の反射光の影響を抑えるため
、両面に無反射コーティングを施こさなければならない
。
ないっ （２）：位相シフト板表面の反射光の影響を抑えるため
、両面に無反射コーティングを施こさなければならない
。
（３）二位相シフト板の厚さのむらが回折格子の位相む
らを生ずるため、両面とも平坦に加工することが必要で
ある。
らを生ずるため、両面とも平坦に加工することが必要で
ある。
（４）；位相シフト板の屈折率によって位相シフト量が
変わるので、材質のむらによる屈折率の変化を小さく抑
えなければならない。
変わるので、材質のむらによる屈折率の変化を小さく抑
えなければならない。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、加工の簡単な材質を有する位相シフト板を用
いることができ、普た、無反射コー格子を得ることを目
的とする。
たもので、加工の簡単な材質を有する位相シフト板を用
いることができ、普た、無反射コー格子を得ることを目
的とする。
この発明に係る干渉露光装置は、透過型の位相シフト板
を廃し、ミラーの表面に段差を設けることにより、反射
型位相シフト板としたものである。
を廃し、ミラーの表面に段差を設けることにより、反射
型位相シフト板としたものである。
この発明における反射型移相シフト板は、製作の囃しい
透過型位相シフト板を廃して製作の簡単な反射型位相シ
フト板にふ・きかえたので、均一性〔実施例〕 以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
色にかいて、（１）は露光光源となるレーザ光のビーム
、Ｃ２）はハーフミラ−１（３）はミラー、（５）は共
焦点レンズ、（６）は半導体基板、（７）は半導体基板
（６）上に塗布されたレンズ） 、 （８）は反射型位
相シフト板である。
透過型位相シフト板を廃して製作の簡単な反射型位相シ
フト板にふ・きかえたので、均一性〔実施例〕 以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
色にかいて、（１）は露光光源となるレーザ光のビーム
、Ｃ２）はハーフミラ−１（３）はミラー、（５）は共
焦点レンズ、（６）は半導体基板、（７）は半導体基板
（６）上に塗布されたレンズ） 、 （８）は反射型位
相シフト板である。
次に動作について説明する。
ハーフミラ−（２）で２分割された露光用のレーザ光の
ビーム（１）の一方は、ミラー（３）で反射されレジス
ト（７）に到達する。他方のビームは反射型位相シフト
板（８）で反射され、共焦点レンズ（５）を通過した後
、レジスト（７）に到達し、反対側から入射したビーム
と干渉しレジスト（７）上に干渉縞を形成する。
ビーム（１）の一方は、ミラー（３）で反射されレジス
ト（７）に到達する。他方のビームは反射型位相シフト
板（８）で反射され、共焦点レンズ（５）を通過した後
、レジスト（７）に到達し、反対側から入射したビーム
と干渉しレジスト（７）上に干渉縞を形成する。
反射型位相シフト板（８）の断面囚を第２図に示す。
即ち１反射型位相シフト板（８）は段差は高さ約８００
２、幅約３００ ａｒｎで金属コーティングがなされて
いる。この反射型位相シフト板では内部にレーザビーム
が進入しないので、材質はどのようなものでもよく、加
工し易いもの例えば、ステンレスなどの金属を用いるこ
ともできる。また、裏面側の平坦性は全く影響せず、片
側のみ平坦に加工すればよいので加工が楽である。筺た
、透過型位相シフト板に必要な無反射コーティングを施
こす必要もない。
２、幅約３００ ａｒｎで金属コーティングがなされて
いる。この反射型位相シフト板では内部にレーザビーム
が進入しないので、材質はどのようなものでもよく、加
工し易いもの例えば、ステンレスなどの金属を用いるこ
ともできる。また、裏面側の平坦性は全く影響せず、片
側のみ平坦に加工すればよいので加工が楽である。筺た
、透過型位相シフト板に必要な無反射コーティングを施
こす必要もない。
したがって、透過型位相シフト板（３１）と比べて、高
精度の位相シフト板が容易に製作でき、したがって、よ
り高精度で均質な各シフト型回折格子を得ることができ
るっ 〔発明の効果］ 以上のようにこの発明によれば、透過型位相シフ１〜板
を反射型位相シフト板に置き変えたので高精度の位相シ
フト板が簡単に製作でき、より均一λ な−シフト型回折格子を得ることができる。
精度の位相シフト板が容易に製作でき、したがって、よ
り高精度で均質な各シフト型回折格子を得ることができ
るっ 〔発明の効果］ 以上のようにこの発明によれば、透過型位相シフ１〜板
を反射型位相シフト板に置き変えたので高精度の位相シ
フト板が簡単に製作でき、より均一λ な−シフト型回折格子を得ることができる。
第１図はこの発明の一実施例による干渉露光装置の構成
を示す説明図、第２図は第１図の反射型位相シフト板（
８）を示す断面図、第３図は従来の干渉露光装置の構成
を示す説明図、第４図は半導体型位相シフト板を示す。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示すっ
を示す説明図、第２図は第１図の反射型位相シフト板（
８）を示す断面図、第３図は従来の干渉露光装置の構成
を示す説明図、第４図は半導体型位相シフト板を示す。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示すっ
Claims (1)
- 段差を有する反射鏡を備えたことを特徴とする干渉露光
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2063046A JPH03263313A (ja) | 1990-03-13 | 1990-03-13 | 干渉露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2063046A JPH03263313A (ja) | 1990-03-13 | 1990-03-13 | 干渉露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03263313A true JPH03263313A (ja) | 1991-11-22 |
Family
ID=13218000
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2063046A Pending JPH03263313A (ja) | 1990-03-13 | 1990-03-13 | 干渉露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03263313A (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| EP1540393A1 (en) * | 2002-06-28 | 2005-06-15 | Australian Photonics Pty Ltd | Writing of photo-induced structures |
| US7161684B2 (en) | 2000-02-15 | 2007-01-09 | Asml Holding, N.V. | Apparatus for optical system coherence testing |
| US7242464B2 (en) | 1999-06-24 | 2007-07-10 | Asml Holdings N.V. | Method for characterizing optical systems using holographic reticles |
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| US7952803B2 (en) | 2006-05-15 | 2011-05-31 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US8264667B2 (en) | 2006-05-04 | 2012-09-11 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method using interferometric and other exposure |
-
1990
- 1990-03-13 JP JP2063046A patent/JPH03263313A/ja active Pending
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