JPS62261004A - 対象物整列方法 - Google Patents

対象物整列方法

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JPS62261004A
JPS62261004A JP62049021A JP4902187A JPS62261004A JP S62261004 A JPS62261004 A JP S62261004A JP 62049021 A JP62049021 A JP 62049021A JP 4902187 A JP4902187 A JP 4902187A JP S62261004 A JPS62261004 A JP S62261004A
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JP
Japan
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grating
alignment
mask
wafer
optical
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JP62049021A
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ギユンター・マコシユ
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International Business Machines Corp
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Publication date
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    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7065Production of alignment light, e.g. light source, control of coherence, polarization, pulse length, wavelength
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7049Technique, e.g. interferometric

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Optical Transform (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 A、産業上の利用分野 本発明は2個の対象物を整列させる技術に関する。
B、従来の技術及び間頑点 最近の製造技術は、2個の対象物を相互に正確に整列さ
せることを必要とする。この必要性は、例えば高密度の
集積回路の製造の際に使われる光学的リソグラフにとっ
て極めて重要である。既に存在する目的物上の構造に対
してマスクを整列させる精度は、限定されるべき最小寸
法の約1/1゜でなければならないので、線の幅が1マ
イクロメータ以下にまで狭められている現在、この要件
を通常の整列技術で満たすことは困難である。高精度で
整列させる他の困難は、ウェハの寸法が大きくなったこ
と(約127 tnm又はそれ以上)によって惹起され
、それは、個々のチップ領域の像をウェハに転写するた
め、区切られた繰返し工程(stop−azld−re
peat process )を必要とするからである
従って、製造プロセス中の加熱処理によって生ずる大き
な寸法のウェハの歪みを補償するため、各チップ領域の
像は、個別的に整列されなければならない。高度の処理
能力に対応するためには、そのような個々の整列ステッ
プは数分の1秒よりも長い時間を費してはならず、この
ことが所定の高精度の達成を困難にする。
従って、種々の方式の自動的な整列方法が提案されて来
た。その一つとして、マスク上の整列マークがウェハ上
の対応するマーク上に結像される如きイメージ処理技術
がある。この像のデジタル評価は整列データを生ずるけ
れども、高品質の光学システムと、被着される層によっ
て妨害されることのない明瞭なウェハのマークを必要と
する。
また、十字形とか山形などの月並なマークを置き侠える
周期的に並べられた整列マークが提案されて来た。格子
の形状は変位の正確な情報を生じ、そして、格子を構成
する個々の線の憂乱に比較的鈍感である。「新しい干渉
による整列技術J  (Anew interfero
metric alignment techniqu
e )と題するフランダース(Flanders )及
びスミス(Sm1th )による論文において、同じ形
の格子をマスク及びウェハの両方に設けることが記載さ
れている。この技術によると、対称的な回折の成分が同
じ照度を示したならば、これら二つの格子が相対的に整
列されていることが示される。然しなから、相対的な照
度の測定は光学システムの精密な制御を必要とし、加え
て、この方法は近接したプリントにのみしか適用するこ
とが出来ない。
1969年のSP工EのVol、 174 の63頁に
記載された「近接して投影したプリントにおける自動整
列のためのキーとしての回折用格子」 (Diffra
ction gratings as keys fo
r automatic alignm−ent in
 proximity and projection
 printjxg )と題するクラインクネヒト (
KlejJlに!1echt )の論文において、新し
い回折の成分が整列して現われるように、マスク格子が
ウェハ格子の格子定数の半分を持つことが記載されてい
る。従って、この方法もまた、照度の測定に基礎を置い
ている。
欧州特許出願第45321号は重なりを測定する技術を
開示しており、格子が置き換えられたときに生ずる位相
差を測定することが記載されている。この技術によると
、重なりを測定するために、一方の格子が基準格子に隣
接したマスクから発生される、ウェハ上の2個の格子が
評価される。この技術は集積回路製造用としての整列プ
ロセスには適当ではない。
C9問題点を解決するための手段 従って本発明の目的は、高精度、高速度で整列を行うこ
とができ、且つ、製造上の制約を受けないような整列方
法を提供することにある。
る2つの対象物を、前記第1の光学的格子に光ビームを
当てて光学系における共役な面に整列させる方法であっ
て、前記第1の光学的格子からの対称的な回折光を前記
第2の光学的格子に結像し、前記第1の光学的格子から
の対称的な回折光間の位相差を周期的に変化せしめ、前
記第1の光学的格子からの前記回折光と前記第2の光学
的格子からの回折光との位相差を測定するようにしたこ
とを特徴としている。
以下、本発明の作用を幾つかの実施例と共に説明する。
D、実施例 はじめに実施例の概略を説明する。
本発明は、マスク及びウェハが光学的に共役な2つの面
に配置されているリングラフ照射システムに適用される
。本発明に従って、光透過型の格子(grating 
) (以下格子という)がマスクに与えられ、且つ例え
ばレーザのような平方光線により照射される。従って、
例えば±1次のような2つの対称的な回折の成分が光学
的な結像システムによって、光学的格子に関して一つの
共通の地点に収束される。この一つの共通の地点はウェ
ハ上に与えられており、且つマスクの格子の像と同じ格
子定数を持っている。投射されたこの2つの回折成分は
ウェハ格子の処で再度回折されて、光軸に沿って戻り、
そして、半透明ミラーによって、光検出器の方へ反射さ
れる。光検出器の出力は回折された2つのビームの間の
相対的な位相差を測定するのに使われる。この目的のた
めに、マスクの処で回折された2つのビームの位相は、
例えば、マスク格子と直列に配列されている振動する薄
いガラス板によって、3段階で周期的に変化される。
本発明の整列方法の1実施例では、2次元の同時整列を
可能とするため、マスク及びウェハに縦横の格子を用い
てY方向に回折されたビームの偏光面を回転することに
よって、これらのビームが偏光ビーム分割器で分離され
、別個の2つの光検出器に差し向けられる。
実際の整列状態が測定された後、ガラス板(すなわち回
転の垂直軸に対して存する2個のガラス板)を傾斜させ
ることによって、他の機械的な移動を行うことなく、整
列の微調節を達成することが出来る。
本発明によれば25ミクロンまでの非常に高い整列の精
度で0.1秒程度の非常に短時間の整列調節ができる。
これは高い処理能力を有する、区切られた繰り返し工程
(5top−and−repeat process 
)を有するシステムに対して特に有利である。整列はX
方向及びY方向で行うことが出来る。本発明はマスクと
ウェハとの間の距離には依存しないので、本発明はあら
ゆる光照射システムに適用することが出来、更に、ウェ
ハ格子の・上に他の層が被着されて、格子の一部が若干
劣化したとしても、良好な整列信号を発生することが出
来る。本発明の整列用ビームの光線路は従来の光学シス
テムの周辺に配置することが出来るので、本発明によれ
ば照射光線を歪ませることなく、従来の装置に組み入れ
ることが出来る。
以下、図面を参照して実施例を詳細に説明する。
第1図はホトリングラフ・システムの主要部を示してお
り、そして、光学系7によって、光感知層で被われたウ
ェハ8上に結像されているホトリソグラフ用のマスク3
を、露光用の光ビーム1が照射している状態を示してい
る。本発明の実施例におけるマスク6は、格子定数がg
 で100ミクロン×100ミクロンの寸法を有する直
線型格子3aを含んでいる。この格子は、透明マスク基
板上でクロームのパターンによって実現することが出来
る。この格子はチップの領域の間にある切断すべき領域
に置かれるのが好ましい。
ビーム1でマスク3を露光する前に、格子3aは、格子
3aの像が格子8aと合致するように、ウェハ8上の格
子8aに対して整列されねばならない。従って、ウェハ
の格子8aの格子定数gwは光学系7の倍率に従って選
ばれている。1:1の光学系の場合、格子定数〜は格子
定数gwに等しい。
ウェハの格子は、二酸化シリコン層上のホトレジストで
被われたウェハ上にマスク格子を結像しその後ホトレジ
ストを蝕刻することによって形成するのが好ましい。
本発明に従った自動整列システムにおいて、格子3aは
、対称的な回折成分を発生するために、レーザビーム2
によって照射される。最初の2つの対称的な回折の成分
は、第1図でUo−1及びU0+1で示されたように選
択される(例えば絞りによって)。レーザビーム2は、
マスク格子3aのほぼ10個の区域を被う大きさのスポ
ットサイズに、レンズ20によって収束され、そして、
露出光線1に対して透明なミラー21によって反射され
る。光学系7は、ウェハの格子8a上で対称的な回折の
成分を再結合するために回折の成分を集束させる。ウェ
ハ格子の処で、対称的なそれらの回折の成分は反射され
て、再度2次の回折の成分に回折され、そして、光学系
の光軸に沿って進むビームU1及びU+1として、格子
8aを離れる。
反射されたこれらのビームは、これらの重複されたビー
ムの照度を測定する光検出装置乙の方へ、ビーム分割器
5によって転換される。ビーム分割器5はまた、格子3
aを通過して回折されなかったビームを濾過するのにも
役立つ。
整列プロセスにおいて、位相格子は、その位相格子の光
学的な効果が劣化するのを減少させるように、他の層に
より被うことが出来る。マスク格子の回折の成分による
傾斜照射と、ウェハ格子の5102層の厚さの選択はこ
の妨害効果を減らす。
最初のステップで、粗調整の整列が、X座標軸方向で、
はぼgW/4の精度で、マスク6か又はウェハ8を機械
的に移動することによって達成される。若し、10ミク
ロンの程度の格子定数が使われたとすれば、この準備的
整列ステップの精度は±2.5ミクロンでなければなら
ないが、これは、例えば、レーザ干渉で制御される装置
のような通常の整列システムによって達成可能である。
この準備的整列の後、微調整の整列は、その上の機械的
移動手段を使うことなく、ガラス板4の適当な傾斜を使
うことによって行われる。したがって準備的整列のステ
ップは一枚のウェハ毎に一回だけでよい。
光検出器乙の電気出力信号は照度に依存するので、干渉
して重複されたビームU1及びU+1の相対的な位相に
応じて変化することになる。格子の変位ΔXは次式の位
相変化を発生するものとして知られている。即ち、 Δπ −4πΔX/g        (1)電気信号
の位相はマスク格子3aの位置及びウェハ格子8aの位
置の両方に依存する。この位相差は以下の式により表わ
される。
たとえば、大きさは同じだが符号が逆の付加的位相シフ
トが、回折されたビームU0−及びU0+1においてガ
ラス板によって生ぜしめられたとすると、光検出器乙に
おいて重複されるビームは以下の複素数表記法によって
表わされる。
ここで、Aは光波の振幅である。従って、光検出器6で
測定される照度は、 J  =  I U+1 +0112 繭J□  l l +cos (F + FM) I 
(5)、T  −2A2 である。
ガラス板が無いか、又はガラス板が水平位置にあって、
若し、 ΔXM / gM−一ΔXw/gw(6)であるか、若
しくは、 FM−0(7) であるとすれば、整列が達成される。〜の電気出力信号
、従って、不整列は、等式(5)のコサイン関係の3つ
の点、即ち、2/3π だけ互に離れている点における
照度を測定することによって決められる。この目的のた
めに、部分的ビームIJ+i及びし1の間の光学的位相
差は、マスク3と光学系7との間に配置された傾斜しう
るガラス板(厚さd)4によって、φ−0からφ−2/
3π及びφ−−2/3π で変化する。若し、このガラ
ス板4が水平に置かれていれば、両方の回折されたビー
ムは対称的に通過して、相互の位相差は生じない。然し
なから、ガラス板4を角度αに傾けると、各ビームは、
ガラス板を通過する経路がガラス板の異なった厚さを通
ることになるから、2つのビーム相互の位相差を生じ、
その大きさは次式で与えられる。即ち、 f   −4+rX −X5inαX u 上式において、dはガラス板の厚さで、nは屈折率であ
る。
同時に、ガラス板の傾斜はウェハ格子に対してマスク格
子の事実上の変位を生ずる。
厚さdが300ミクロンで、格子定数が20ミクロンで
、角度αが±2°であるとき、±2/3πの必要な位相
差が達成される。
これらの3つの傾斜角度において測定された照度がJR
−、JT及びJ8 とすると、位相Vrmは次式で計算
することが出来る。
上記の等式(9)は光学的な重なりを測定する技術の分
野で知られた数式である。部分的ビーム間の位相シフト
を行わしめるために電子光学変調器を使った光学システ
ムには、1984年2月14日の応用光学(Appli
ed 0ptics ) Vo 1.23. No、4
の629頁にある[リングラフ・プロセスにおけるマス
ク整列の精度を検査するための光干渉方法」 (工nt
erferometric method for c
hecking the maskalignment
 Precision in the lithogr
aphic Process )と題するマコッシュ(
Makosh )及びシェーン(5ch6nea )の
文献に記載されている。
測定プロセスにおいて、ガラス板4は第1図の紙面に対
して垂直方向な軸を傾斜軸として、例えば、検流計スキ
ャナによる振動の態様で、キロヘルツ程度の周波数で振
動される。従って、電気出力信号の評価は1/10秒単
位で行うことが出来る。
電気出力信号の位相の評価は、(10ミクロン程度の格
子定数が使われト場合、25ミクロン程度の整列精度を
生ずる6×1o π位の大きさの高精度で行うことが出
来る。
マスクの変位の量及び方向、又は、整列を達成するのに
必要とされるウェハの変位の量及び方向は電気出力信号
の位相を測定することにより決められる。位相測定の結
果の値はサーボ機構、又は、ガラス板のアクチュエータ
に与えることが出来る。
後者の場合、露光プロセスの前に、ガラス板の傾斜によ
り、ウェハ8上に結像されたマスク乙の像が移動するの
で、微調整による整列が、機械的な移動を行うことなく
、達成される。
第2A図及び第2B図は、直交する二方向の整列を同時
に行わせる本発明の第2の実施例を示している。この実
施例において、レーザの投射ビーム2は縦横の格子を有
する格子3a  (両方の方向について同じ格子定数を
持っている)に向けられ、4本の部分的なビーム、Uo
Uo−1U1+1及+11  1 びUl−1に分割される。分割された4本のビームはす
べて、傾斜しうるガラス板4及び修正されたビーム分割
器5を通過して、光学系7によってウェハ8上で一つの
位置に収束される。収束されたその位置には、光学系7
の倍率に従って、マスク格子3aに対応する第2の格子
8a  (この格子も縦横の格子を有する)がある。傾
斜ガラス板4の回転の軸は2対の回折ビームによって限
定される面に対して45°に方向付けられているので、
ビーム対の位相差はガラス板4を単純に回転することに
よって変化させることが出来る。
X方向及びY方向に回折されたビーム相互の間で差異を
持つように、ビーム分割器5は、Y部分ビームU1−1
及びU1+1の交差点でλ/2の層によりカバーされる
2つの領域5aを持っている。
従って、Yビームの偏光方向はXビームに対して90度
だけ回転され、そして、一対の部分ビームの両方は偏光
ビーム分割器6cによって分離されて、対応する光検出
器6a及び6bに差し向けられる。(ビームの偏光方向
は第2A図では夫々■印と○印とによって示されている
。) ビーム分割器5の中心部分はハーフミラ−5bによって
カバーされており、ハーフミラ−は露出光線1に対して
は完全に透明であり、部分ビームUは完全に反射する。
光学式リングラフ・システムの像の質が低下することが
ないように、第1図及び第2図の実施例は単純な光学素
子を使って、高精度で製造することが出来る。これは、
整列に関する光学的な微調整のときでさえも、薄いガラ
ス板及びその傾斜角度に特に適用される。
空間的な制限とか、品質上の要求とかが他の光学素子の
介入を許さない場合の他の光学式システムにおいて、本
発明は境界的な(marginal )光線ルイ市って
常■すス、″″J−バ出ネールのトへ7’?〜ス子ムを
第3図に示す。
レーザビーム2a及び2bがハーフミラ−21へ別個の
光軸に沿って差し向けられて、マスクの周辺に配列され
た2つの格子3a1及び3a2に投射される。その回折
の成分は次に、2個の傾斜しうるガラス板4a及び4b
を通過して、夫々X方向及びY方向に位相をシフトする
。あるいは、45度の回転軸を有するガラス板を用いて
もよい。
この実施例の光学系は、マスク格子3a1及び3a2の
像を夫々、ウェハ格子8al及び8a2上に結像させる
2個の集束素子7a及び7bを持っている。ウェハのマ
スク8aで回折されたビームと結合するビーム分割器5
は夫々の交差点5a及び5bの点で2つの出力ビームを
発生する。その出力ビームの各々は2つの重複された回
折の成分(例えば±1次の成分)を構成して、夫々関連
した光検出器へ別個に向けられる。
本発明の他の実施例においては、共通光軸(QO−1i
ner )で発生されたビームの位相差を評価すること
の出来る限りにおいて、より高次の回折の成分を使うこ
とが出来るし、あるいは、異なった格子定数を有するマ
スク格子及びウェハ格子を使うことも可能である。
ウニ八8上の反射格子の代りに、透過格子もまた、この
格子の背後に配列されている光導電体6と共に用いるこ
とが出来る。
第4図は、例えばパソコンのような適当にプログラムさ
れたコンピュータに接続されたアクチュエータ及び制御
素子を本発明の整列装置に装着した態様を示している。
コンピュータ45は、夫々、D / A変換器44a及
び44bと、A/D変換器44cを介してデジタル信号
を発生し、そして受は取る。マスク6及びウェハ8の間
の整列の誤差は表示カウンタ46により表示される。
この実施例において、マスク6は、増幅器42を有する
ピエゾ電気変換装置41によって機械的に変位される。
マスク乙の正確な位置は誘導プローブ40により感知さ
れ、その出力信号はA / D変換器44cによりデジ
タル形式に変換される。
ガラス板4はスキャナ駆動器46によって傾けられる。
スキャナ駆動器46は、誤整列の大きさがコンピュータ
45で決定された後に、微調整用の一定の傾斜角度を設
定する。
E1発明の効果 本発明は従来のものに比べて、より高い精度の整列を高
速度に行うことが出来、更に製造上の制約を受けること
もない。
【図面の簡単な説明】
第1図は一方向の整列を行うための本発明の第1の実施
例を説明するための模式図、第2A図及び第2B図は2
方向の整列を可能とする本発明の第2の実施例を説明す
るための模式図、第3図は通常のホトグラフ・システム
に実施出来る共通の光軸を持たない本発明の第3の実施
例を説明するための模式図、第4図は本発明を実行する
ために装着される周辺装置を説明するためのブロック図
である。 2・・・・レーザビーム、3・・・・マスク、3a・・
・・マスク格子、4・・・・ガラス板、5・・・・ビー
ム分割器、6.6a 、6b・・・・光検出器、7・・
・・光学系、8・・・・ウェハ、8a・・・・ウェハ格
子、21・・・・ハーフミラ−0 出 願 人  インターナショナル・ビジネス・マシー
ンズ・フーホソーションFIG、( 軒千升刊−(

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 第1の光学的格子を有する第1の対象物と第2の光学的
    格子を有する第2の対象物とを、前記第1の光学的格子
    に光ビームを当てて光学系における共役な面に整列させ
    る方法であつて、 前記第1の光学的格子からの対称的な回折光を前記第2
    の光学的格子に結像し、 前記第1の光学的格子からの対称的な回折光間の位相差
    を周期的に変化せしめ、 前記第1の光学的格子からの前記回折光と前記第2の光
    学的格子からの回折光との位相差を測定するようにした
    ことを特徴とする対象物整列方法。
JP62049021A 1986-04-29 1987-03-05 対象物整列方法 Pending JPS62261004A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP86105893.1 1986-04-29
EP86105893A EP0243520B1 (en) 1986-04-29 1986-04-29 Interferometric mask-wafer alignment

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS62261004A true JPS62261004A (ja) 1987-11-13

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ID=8195095

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62049021A Pending JPS62261004A (ja) 1986-04-29 1987-03-05 対象物整列方法

Country Status (4)

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US (1) US4779001A (ja)
EP (1) EP0243520B1 (ja)
JP (1) JPS62261004A (ja)
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