JPH0619280B2 - 光学式自動位置決め装置 - Google Patents

光学式自動位置決め装置

Info

Publication number
JPH0619280B2
JPH0619280B2 JP58176835A JP17683583A JPH0619280B2 JP H0619280 B2 JPH0619280 B2 JP H0619280B2 JP 58176835 A JP58176835 A JP 58176835A JP 17683583 A JP17683583 A JP 17683583A JP H0619280 B2 JPH0619280 B2 JP H0619280B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
diffraction grating
positioning device
automatic positioning
plate
optical automatic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP58176835A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS6067822A (ja
Inventor
秀三 服部
悦行 内田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NAGOYA DAIGAKU GAKUCHO
Original Assignee
NAGOYA DAIGAKU GAKUCHO
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NAGOYA DAIGAKU GAKUCHO filed Critical NAGOYA DAIGAKU GAKUCHO
Priority to JP58176835A priority Critical patent/JPH0619280B2/ja
Priority to EP84110356A priority patent/EP0140022B1/en
Priority to DE8484110356T priority patent/DE3479353D1/de
Priority to US06/652,452 priority patent/US4664524A/en
Publication of JPS6067822A publication Critical patent/JPS6067822A/ja
Publication of JPH0619280B2 publication Critical patent/JPH0619280B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7049—Technique, e.g. interferometric

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、微細加工技術などに好適な光学式自動位置決
め装置に関し、特に所定間隔で配置された２枚の基板の
相対位置の変位（基板の間隔と直交する方向の相対位置
の変位）を調整する光学式自動位置決め装置に関し、例
えば半導体ウエハに位置決め用のパターンを書き込み、
このパターンによるモアレ縞を利用して上記半導体ウエ
ハの位置決め（アラインメント）が行なえるようにした
光学式自動位置決め装置に関する。
２枚１組の回折格子の透過光あるいは反射光から得られ
るモアレ信号が回折格子の相対位置の変位測定や制御に
利用できるという原理は、ジェイ・ギルド（Ｊ．Ｇｕｉ
ｌｄ）によって、オックスフォード社（Ｏｘｆｏｒｄ
Ｕ．Ｐ．）出版のディフラクション・グレイティングス
・アズ・メジャリング・スケールス（Ｄｉｆｆｒａｃｔ
ｉｏｎ Ｇｒａｔ−ｉｎｇｓ ａｓ Ｍｅａｓｕｒｉｎ
ｇ Ｓｃａｌｅｓ，１９６０年）に発表されている。
この原理を利用して位置決めをおこなう従来の技術の１
つとして、モアレ信号が最小になるように制御する手段
がある。
この手段の問題点は、設定位置に対する信号の変位がゼ
ロとなる点を用いて位置決めを行なっているために、位
置決めの精度が制限される点である。
さらに、同じ原理を利用して位置決めを行なう従来の技
術の１つに、モアレ信号の±１次の回折信号を比較する
手段がある。
この手段では、２光束を分離し、かつ変調信号を受光す
るなどの技術と組み合せることにより、位置決め精度を
２０ｎｍまで高めることができるが、より高精度の位置
決めを行ないたいという要望がある。
また、半導体ウエハでは、同ウエハ中に有効に半導体素
子を配列するために、完成後に切り放される狭い帯状の
スペースに、位置決め用のパターンを書き込みたいとい
う要望がある。
一方位置決め信号の信号対雑音比は、位置決め用パター
ンの有効な面積に比例する。
さらに半導体ウエハの加工時には、ウエハに対してレジ
スト塗布、レジスト現象、薄膜デポジシヨン、エッチン
グ、熱酸化、熱拡散などの加工プロセスが順次施行され
ので、これらの各プロセスに対してウエハの置かれる位
置の再現性が良好でなければならない。
本発明は、このような種々の要望に対処しようとするも
ので、基本となる板の縞の方向とこの板に対して相対移
動位置な板の縞の方向とを平行とすることでモアレ縞の
幅を位置決め用のパターンに許されたスペースいっぱい
に広げることができ、そうすることにより位置決め信号
の信号対雑音比の向上化をはかるとともに、基本となる
縞の位相の異なったものを用いることでウエハの位置の
再現性の良好化をはかった、光学式自動位置決め装置を
提供することを目的とする。
このため、本発明の光学式自動位置決め装置は、所定間
隔で配設された２枚の基板の相互位置を調整する自動位
置決め装置において、上記基板のうちの一方の基板に取
り付けられた第１の格子板と、上記基板のうちの他方の
基板に上記第１の格子板と平行に取り付けられた第２の
格子板と、上記第１の格子板へレーザー光を照射するレ
ーザー光源とをそなえるとともに、上記第１の格子板に
形成され互いに平行なライン・アンド・スペースをそな
えた第１および第２の回折格子部と、上記第２の格子板
に形成され上記第１および第２の回折格子部のライン・
アンド・スペースと平行なライン・アンド・スペースを
そなえた第３および第４の回折格子部と、上記第３の回
折格子部を経由したレーザー光を受けモアレ信号を分離
検出する第１の光電検出器と、上記第４の回折格子部を
経由したレーザー光を受けモアレ信号を分離検出する第
２の光電検出器と、上記の第１および第２の光電検出器
からの検出信号を比較する比較器と、同比較器からの比
較信号に基づき制御信号を出力する制御器と、上記制御
信号を受けて上記基板のいずれかを所定方向に駆動する
駆動機構とをそなえ、上記の第１および第２の格子板の
整合時において、上記第３の回折格子部が、上記第１の
回折格子部に対して９０゜位相遅れの位置あるいは９０
゜位相進み位置に形成されるとともに、上記第４の回折
格子部が、上記第２の回折格子部に対して９０゜位相進
みの位置あるいは９０゜位置遅れの位置に形成されたこ
とを特徴としている。
以下、図面により本発明の実施例について説明すると、
第１〜４図は本発明の第１実施例としての透過型光学式
自動位置決め装置を示すもので、第１図はその全体構成
を示す斜視図、第２図(a)はその第１の格子板を示す説
明図、第２図(b)はその第２の格子板を示す説明図、第
３図は光電検出器と比較器との接続を示す電気回路図、
第４図(a)〜(d)はいずれも格子板を経由したレーザー光
の強度を示すグラフであり、第５，６図はいずれも上記
本発明の装置における実験例の作用を説明するためのグ
ラフであり、第７図はその回折格子部の変形例を示すも
ので、ライン・アンド・スペースの幅を２段にした第１
の格子板を示す説明図であり、第８図は本発明の第２実
施例としての反射型光学式自動位置決め装置の全体構成
を示す斜視図である。
第１図に示すように、本発明の第１実施例では、平行な
レーザー光ＬをＺ方向に出力するレーザー光源Ｓが設け
られており、このレーザー光源Ｓには図示しない光学手
段が接続されている。
レーザー光Ｌは、第１の格子板Ａに垂直に照射するよう
になっていて、第１の格子板Ａは、基板としての半導体
用マスク１に付設されている。
この第１の格子板Ａと平行に、かつ、所定間隔をおい
て、第２の格子板Ｂが設けられていて、第２の格子板Ｂ
は、第１の格子板Ａを透過したレーザー光Ｌを受けるよ
うになっており、位置制御対象としての半導体基板２に
付設されている。
第２の格子板Ｂを透過したレーザー光Ｌは、光電検出板
Ｃにほぼ垂直に照射するようになっている。
第１の格子板Ａには、十字線９により分割された４つの
領域における回折格子部Ａ1，Ａ2，Ａ3，Ａ4に、回折格
子３，４が描画されており、第２の格子板Ｂには、十字
線１０により分割された４つの領域における回折格子部
Ｂ1，Ｂ2，Ｂ3，Ｂ4に、回折格子３，４が描画されてい
る。
すなわち、Ｘ方向の制御信号の発生手段における第１の
格子板Ａの第１の回折格子部Ａ1および第２の回折格子
部Ａ2と、第２の格子板Ｂの第３の回折格子部Ｂ1および
第４の回折格子部Ｂ2とに回折格子３が描画されてお
り、Ｙ方向の制御信号の発生手段における第１の格子板
Ａの第１の回折格子部Ａ3および第２の回折格子部Ａ
4と、第２の格子板Ｂの第３の回折格子部Ｂ3および第４
の回折格子部Ｂ4とに回折格子４が描画されている。
光電検出板Ｃには、４つの光電検出器（フォトダイオー
ド）Ｃ1，Ｃ2，Ｃ3，Ｃ4が設けられている。
Ｘ方向において、前記第１の回折格子部Ａ１に入射した
レーザー光Ｌは、第３の回折格子部Ｂ1を透過するよう
になっており、第３の回折格子部Ｂ1を透過したレーザ
ー光Ｌは、第１の光電検出器Ｃ1へ照射される。
また、前記第２の回折格子部Ａ2に入射したレーザー光
Ｌは、第４の回折格子部Ｂ2を透過するようになってお
り、第４の回折格子部Ｂ2を透過したレーザー光Ｌは、
第２の光電検出器Ｃ2へ照射される。
同様に、Ｙ方向において、レーザー光Ｌは、「A3→Ｂ3
→Ｃ3」および「Ａ4→Ｂ4→Ｃ4」と進むように、各格子
板Ａ，Ｂおよび光電検出板Ｃに各回折格子部および光電
検出器が配設されている。
各光電検出器Ｃ1，Ｃ2の検出信号は、第３図に示すよう
に、Ｘ方向の比較器（コンパレータ等）Ｄｘへそれぞれ
出力されるようになっており、Ｘ方向の比較器Ｄｘで比
較された信号は、Ｘ方向の制御器（電圧発生器等）Ｅｘ
へ供給される。
Ｘ方向の制御器Ｅｘは、比較信号を受けて、Ｘ方向の駆
動機構（積層圧電素子等）Ｆｘへ制御信号を出力するよ
うになっていて、これにより、Ｘ方向の駆動機構Ｆｘ
は、第２の格子板Ｂを第１図中に示すＸ方向へ駆動す
る。すなわち、半導体基板２は、Ｘ方向へ駆動される。
各光電検出器Ｃ3，Ｃ4の検出信号は、Ｙ方向の比較器
（コンパレータ等）Ｄｙへそれぞれ出力されるようにな
っており、Ｙ方向の比較器Ｄｙで比較された信号は、Ｙ
方向の制御器（電圧発生器等）Ｅｙへ供給される。
Ｙ方向の制御器Ｅｙは、比較信号を受けて、Ｙ方向の駆
動機構（積層圧電素子等）Ｆｙへ制御信号を出力するよ
うになっていて、これにより、Ｙ方向の駆動機構Ｆｙ
は、第２の格子板Ｂを第１図中に示すＹ方向へ駆動す
る。すなわち、半導体基板２は、Ｙ方向へ駆動される。
光電検出板Ｃは、このように１チップ分割光電素子で構
成されており、光電検出器Ｃ1，Ｃ2，Ｃ3，Ｃ4には電圧
が印加されていて、光強度は抵抗器Ｒを介して検出され
る。
また、光電検出器Ｃ1；Ｃ2とＸ方向の比較器Ｄｘとの間
および光電検出器Ｃ3；Ｃ4とＹ方向の比較器Ｄｙとの間
には、それぞれ図示しない増幅器と差動増幅器とが介装
されている。
なお、第３図中の符号Ｒは抵抗器を示しており、Ｖは電
源を示している。
次に、第２図(a)，(b)にそれぞれ示すように、第１およ
び第２の格子板Ａ，Ｂの回折格子３，４の詳細を以下に
説明する。
第２図(a)，(b)中の各寸法は、μｍ単位で示してある。
５０００μｍ×５０００μｍの格子板Ａ，Ｂには、その
中央に幅９６μｍの十字線９，１０を残して、この十字
線９，１０で４分割された２０００μｍ×２０００μｍ
の領域の回折格子部Ａ1，Ａ2，Ａ3，Ａ4，Ｂ1，Ｂ2，Ｂ
3，Ｂ4に幅８μｍのライン・アンド・スペースの回折格
子３，４［第２図(a)，(2)にはそれぞれ拡大して一部の
み示す］が電子線描画法等により描かれている。
回折格子部Ａ1，Ａ2と回折格子部Ａ3，Ａ4との回折格子
３，４の溝方向は互いに９０度異なっている。
回折格子部Ａ1とＢ1との空間位相関係および回折格子部
Ａ2とＢ2との空間位相関係は、第４図(a)〜(d)に示すよ
うに、それぞれ単独にレーザー光Ｌを照射させた通過光
の強度を用いて示される。
また、回折格子部Ｂ1，Ｂ2と回折格子部Ｂ3，Ｂ4の回折
格子３，４の溝方向も互いに９０度異なっている。
第１の格子板Ａの回折格子３，４では、どの回折格子
３，４もライン・アンド・スペースが９０度の位相差す
なわちライン・アンド・スペースの幅の半分４μｍのず
れをもつ。
第２の格子板Ｂの回折格子３，４では、回折格子部Ｂ1
のライン・アンド・スペースに対して回折格子部Ｂ2の
ライン・アンド・スペースが１８０度の位相差、すなわ
ち８μｍのずれをもつ。
同様に、回折格子部Ｂ3のライン・アンド・スペースに
対して回折格子部Ｂ4のライン・アンド・スペースも１
８０度の位相差、すなわち８μｍのずれをもつ。
また、第１および第２の格子板Ａ，Ｂの各十字線９，１
０を合せると、回折格子部Ａ1のライン・アンド・スペ
ースの位相に対して回折格子部Ｂ1のライン・アンド・
スペースの位相は９０度遅れ、回折格子部Ａ2ライン・
アンド・スペースの位相に対して回折格子部Ｂ2ライン
・アンド・スペースの位相は９０度進む。
同様に、回折格子部Ａ3のライン・アンド・スペースの
位相に対して回折格子部Ｂ3のライン・アンド・スペー
スの位相が９０度遅れ、回折格子部Ａ4のライン・アン
ド・スペースの位相に対して回折格子部Ｂ4のライン・
アンド・スペースの位相が９０度進む。
回折格子部Ａ1，Ｂ1の組回折格子３の回折格子部Ａ2，
Ｂ2の回折格子3の組とのライン・アンド・スペースの位
置関係ならびに回折格子部Ａ3，Ｂ3の回折格子４の組と
回折格子部Ａ4，Ｂ4の回折格子４の組とのライン・アン
ド・スペースの位置関係を、第２図(a)，(b)に示すよう
に、ライン・アンド・スペースの位相が９０度遅れの位
置関係と９０度進みの位置関係としたとき、それぞれ
「９０度位相遅れの回折格子の関係」および「９０度位
相進みの回折格子の関係」にあるということにする。
本発明の第１実施例における光学式自動位置決め装置は
上述のごとく構成されているので、まず、各格子板Ａ，
Ｂに描かれている十字線９，１０を用いて、従来の目視
による十字線合せの方法により、数μｍ程度の精度の大
まかな位置決めを行なう。
つぎに、レーザー光Ｌを用いて、回折格子部Ａ1，Ｂ1の
回折格子３の組５と回折格子部Ａ2，Ｂ2の回折格子３の
組６とから得られる、位置に対して正弦的に変化するモ
アレ信号を、それぞれ光電検出器Ｃ1，Ｃ2で検出する。
２つの組５，６の回折格子３は、第２図(a)，(b)にそれ
ぞれ示したように、ライン・アンド・スペースの位置関
係からそれぞれ９０度位相遅れの回折格子の関係と９０
度位相進みの回折格子の関係とにあるので、これらの組
５，６から得られるモアレ信号は、相互に１８０度ずれ
た位相をもつ。
Ｘ方向のコンパレータＤｘでは、光電検出器Ｃ１，Ｃ２
で検出された検出強度Ｉｃ1，Ｉｃ2を比較し、それらの
大小Ｉｃ1＞Ｉｃ2，Ｉｃ1＜Ｉｃ2を判別する。一定の初
期電圧Ｖ0が電圧発生器Ｅｘから積層圧電素子Ｆｘに印
加されている。
コンパレータＤｘでＩｃ1＞Ｉｃ2と判別している間、電
圧発生器Ｆｘから積層圧電素子Ｆｘに印加されている電
圧は、１パルス電圧ΔＶ0ずつ下げられる。
そして、このパルス電圧ΔＶ0に比例して積層圧電素子
Ｆｘが変位し、第２の格子板Ｂを動かす。
また、コンパレータＤｘでＩｃ1＜Ｉｃ2と判別している
間、電圧発生器Ｅｘから積層圧電素子Ｆｘに印加されて
いる電圧が、１パルス電圧ΔＶ0ずつ上げられ、このパ
ルス電圧ΔＶ0に比例して積層圧電素子Ｆｘが変位し、
第２の格子板Ｂを上記と反対方向に動かす。
そして、Ｉｃ1＝Ｉｃ2の近傍でパルス電圧は止められ
る。
すなわち、これら２つの組５，６の回折格子から得られ
るモアレ信号強度が等しくなるように位置制御される。
このようにして、回折格子の溝方向に直角方向の位置決
めすなわちＸ方向の位置決めを行なう。
同様に、Ｙ方向においては、回折格子部Ａ3，Ｂ3の回折
格子４の組７と回折格子部Ａ4，Ａ4の回折格子部４の組
８とから得られるモアレ信号を用いて、位置決めを行な
う。
次に、本発明の実験例について説明すると、第１図に示
す構成において、レーザー光源Ｓには、波長６３２．８
ｎｍのヘリウム・ネオンレーザーが用いられ、各回折格
子部Ａ1，Ａ2，Ｂ1，Ｂ2には、１００μｍのライン・ア
ンド・スペースの回折格子３が電子線描画法で作成され
た大きさ５mm×５mmのものが用いられる。
そして、第１の格子板Ａと第２の格子板Ｂとの間隔は、
フレネル領域に設定され（例えば、１mm）、光電検出板
Ｃ上の光電素子にはフォトダイオードが２個用いられ
て、光電検出板Ｃの位置は、フラウンホーファ領域に配
置され、かつフォトダイオードＣ1，Ｃ2に０次の回折像
のみが入り、１次の回折像が入らないように、第２の格
子板Ｂから離して（例えば、１．２ｍ）設置される。
フォトダイオードＣ1，Ｃ2の出力は増幅器と差動増幅器
とを通してコンパレータＤｘに入力され、第２の格子板
Ｂを固定したＸＹステージのＸ方向の駆動機構Ｆｘにパ
ルスモータが用いられ、パルスモータを動かすパルス電
圧が電圧発生器Ｆｘで発生される。
以下、Ｘ方向についての位置設定実験を示す。
第５図は、縦軸にフォトダイオードＣ1，Ｃ2で検出さ
れ、増幅器で増幅されたモアレ信号の検出強度をとり、
横軸に第２の格子板Ｂの第１の格子板Ａに対する相対位
置をとったもので、実験的において、Ｘ軸の電圧発生器
Ｅｘをオフとしてモアレ信号を測定した結果である。
ここで、第５図中の符号Ｉｃ1，Ｉｃ2は、それぞれ光電
検出器Ｃ1，Ｃ2で検出されるモアレ信号の検出強度を示
す。
第６図は、Ｘ軸の差動増幅器の出力を記録計に時間軸ｔ
で記録したものであり、時刻Ｑ1では、Ｘ軸の電圧発生
器Ｅｘをオフとし、第２の格子板Ｂを第５図の設定位置
Ｐ0から手動でプラス側に１０μｍ動かし、時刻Ｒ1でＸ
軸の電圧発生器Ｅｘをオンとして位置制御を自動的にお
こなわせ、つぎに時刻Ｑ2では、Ｘ軸の電圧発生器Ｅｘ
を再度オフとし、第２の格子板Ｂを設定位置Ｐ0からこ
んどはマイナス側に１０μｍ動かし、時刻Ｒ2で再度Ｘ
軸の電圧発生器Ｅｘをオンとして位置制御を自動的に行
なわせた位置制御の動作特性を示す実験結果である。
第５図において、実験例に則して本発明の動作原理を説
明する。本実験例では、９０度位相遅れの回折格子の関
係と９０度位相進みの回折格子の関係とにある２組の回
折格子部５，６を用いたために、回折格子の相対位置に
対して正弦的に変化しているモアレ信号の検出強度Ｉｃ
１と検出強度Ｉｃ２とは、相互に１８０度ずれた位相を
示している。
したがって、モアレ信号の検出強度の差（Ｉｃ1−Ｉ
ｃ2）がゼロとなる第２の格子板Ｂの位置は、・・・，
Ｐ-2，Ｐ−1，Ｐ0，Ｐ＋1，Ｐ＋2，・・・と１００μｍ
間隔で得られる。設定位置はこのうちの１点であり、こ
こではＰ0点とする。
第２の格子板Ｂの現在の位置が、設定位置Ｐ0からプラ
ス側にずれていてその範囲がほぼＰ0からＰ+1までの間
では、モアレ信号の検出強度の差（Ｉｃ1−Ｉｃ2）がプ
ラスとなり、コンパレータＤｘからＩｃ1＞Ｉｃ2の判別
出力がでる。
そして、電圧発生器Ｅｘはパルス電圧を発生し、パルス
モータを右回転させ、第２の格子板Ｂをマイナス側に駆
動する。
また、第２の格子板Ｂの位置がマイナス側にずれていて
その範囲がＰ0からＰ-1までの間では、モアレ信号の検
出強度の差（Ｉｃ1−Ｉｃ2）がマイナスとなり、コンパ
レータＤｘからＩｃ1＜Ｉｃ2の判別出力が出る。
そして、電圧発生器Ｅｘはパルス電圧を発生し、パルス
モータを左回転させ、第２の格子板Ｂをプラス側に駆動
する。
しかし、第２の格子板Ｂの位置が設定位置Ｐ0の極近傍
にあれば、モアレ信号の検出強度の差（Ｉｃ1−Ｉｃ2）
はほぼゼロとなり、コンパレータＤｘからはＩｃ1＞Ｉ
ｃ2あるいはＩｃ1＜Ｉｃ2という判別出力がでない。
そこで、電圧発生器Ｅｘはパルス電圧を発生せず、第２
の格子板Ｂは、その位置に保持される。
駆動される格子板としては、Ａでも類似の取り扱いがで
きる。
Ｘ軸の位置決め精度は、設定点の両側に対して１パルス
による変位に雑音による変位を加えた変位の大きさで決
められる。
モアレ信号の検出強度Ｉｃ1と検出強度Ｉｃ2とが、第５
図に示すように、位相のみ１８０度ずれるほかは、同一
の強度特性をもつようにすると、設定位置において信号
変位が大きくなり、モアレ信号の検出強度の差（Ｉｃ1
−Ｉｃ2）も高い信号対雑音比で得られる。
したがって、モアレ信号の検出強度の差（Ｉｃ1−Ｉ
ｃ2）が小さくても、信号対雑音比が高いので、モアレ
信号の検出強度Ｉｃ1，Ｉｃ2の大小を判別でき、位置決
め精度が高まる。
第５図に示す実験結果は、設定位置に位置決めできる範
囲が約±１００μｍであることを示している。
一般に、設定位置に対してその両側から位置決めできる
範囲は、片側あたりほぼ回折格子のライン・アンド・ス
ペースの幅である。
現在、回折格子として電子線描画法でライン・アンド・
スペース４μｍのものが精度よく作成できている。この
格子を用いると、設定位置からほぼ±４μｍの範囲を信
号対雑音比５００で検出できるとすれば、位置決め精度
として５ｎｍが期待される。
第５，６図に示すように、本実施例では、設定位置の近
傍から自動的に設定位置に位置制御されそこに保持され
るという本発明の装置としての作用が、第６図において
設定位置Ｐ0から位置変位を手動でプラス側，マイナス
側どちらに与えても自動的に設定位置Ｐ0に位置制御さ
れるという実験結果で示された。
実験例では、Ｘ方向のみについて位置決めの作用を行な
わせているが、同様にＹ方向についても作用を行なわせ
ることができる。
なお、回折格子のライン・アンド・スペース幅を狭くす
ると、位置決めの範囲は狭くなるが、位置決め精度の向
上は期待できるという関係に着目して、第７図に示すよ
うに、回折格子部のライン・アンド・スペースが２種類
の幅２μｍおよび１００μｍに形成されるようにしても
よい。
まず、ライン・アンド・スペース１００μｍの第１の回
折格子部Ａ5〜Ａ8および第２の回折格子部（図示しな
い）を用いて第１の駆動部としてのパルスモータ駆動で
位置決めを行ない、つぎに、ライン・アンド・スペース
２μｍの第１の回折格子部Ａ1〜Ａ4および第２の回折格
子部Ｂ1〜Ｂ4を用いて第２の駆動部としての積層圧電素
子駆動で高精度の位置決めを行なう。
このように、ライン・アンド・スペース１００μｍ用の
回折格子部が設けられて、広い位置決め範囲をもつにも
かかわらず高い精度の位置決めのできる多段の装置を構
成することもできる。
本発明の第２実施例としての反射型光学式自動位置決め
装置では、第８図に示すように、第１の格子板Ａ′にお
けるＸ方向の第１および第２の回折格子部Ａ′1，Ａ′2
と、Ｙ方向の第１および第２の回折格子部Ａ′3，Ａ′4
とがともに、一部透過しうる反射型の回折格子部として
形成され、第２の格子板Ｂ′におけるＸ方向の第３およ
び第４の回折格子部Ｂ′1，Ｂ′2と、Ｙ方向の第３およ
び第４の回折格子部Ｂ′3，Ｂ′4とがともに、反射型の
回折格子部として形成されており、レーザー光源Ｓと第
１の格子板Ａ′との間に第１のハーフミラーＭ1が介装
され、第２の格子板Ｂ′からの反射光を受けて光電検出
板Ｃへレーザー光を反射する第２のハーフミラーＭ2が
設けられている。
なお、第８図中、第１〜７図と同じ符号はほぼ同様のも
のを示しており、第２実施例における他の構成は、第１
実施例とほぼ同様の構成となっている。
したがって、この第２実施例では、第１の格子板Ａ′に
おける＋字線９と第２の格子板Ｂ′における大字線１０
との整合を、第８図中に示す光路Ｇ1，Ｇ2，Ｇ3に沿っ
て各ハーフミラーＭ1，Ｍ2を透過する光によって、目視
により確認しながら行なうことができる。
なお、目視によらず、位置ＰDに、検出器を配置しても
よい。
このようにして、第１および第２の格子板Ａ′，Ｂ′に
より大まかな位置決めを行なった後、第１実施例とほぼ
同様の作用により、高精度の位置決めを行なうことがで
きる。
このとき、レーザー光Ｌは、第８図中の符号順に沿って
進む。すなわち、「Ｌ1→Ｌ2→Ｌ3→Ｌ4→Ｌ5→Ｌ6→Ｌ
7」ないし「Ｌ1→Ｌ2→Ｌ3→Ｌ6→Ｌ7」とレーザー光Ｌ
は進み、光電検出板ＣのＸ方向の第１および第２の光電
検出器Ｃ1，Ｃ2と、Ｙ方向の第１および第２の光電検出
器Ｃ3，Ｃ4とによってそれぞれモアレ信号が検出され
る。
このようにして、位置制御対象としての半導体基板２に
予め反射型第２の格子板Ｂ′を形成させるだけで、半導
体基板２の一方の側におけるレーザー光に受け渡しのみ
で、高精度の位置決めを行なうことができる。
なお、この第２実験例における位置制御対象としては、
半導体基板に限られることはなく、ビデオヘッド等の高
精度の位置決めを必要とするものを用いてもよい。
前述の各実施例および実験例において、９０度位相遅れ
の回折格子の関係にある回折格子と９０度位相進みの回
折格子の関係にある２組の回折格子を用いる本発明の装
置では、得られるモアレ信号が相互に１８０度ずれた位
相をもち、かつ位置決めをおこなう設定位置において大
きな信号変位が得られる。この２組のモアレ信号の検出
強度の差の特性から、駆動機構を動かすかどうかという
決定と駆動方向とを決める制御信号を作ることができ
る。
使用する回折格子は、基板上の任意の位置に描画しても
よいが、従来＋字線の位置合せに用いられていた部分に
まとまりのよい形で電子線描画法などを用いて、容易に
描画することができる。したがって、この装置では容易
形であるうえに、設定位置に高い精度で位置決めし、か
つその位置を保持する機構をそなえているという利点が
ある。
なお、位相遅れと位相進みとは、その絶対値の和が１８
０度となるように設定されていればよい。
以上詳述したように、本発明の光学式自動位置決め装置
によれば、簡素な構成で、次のような効果ないし利点を
得ることができる。
(1)設定位置に高い精度で位置決めすることができる。
(2)設定位置からずれても直ちに設定位置に戻されて、
常に設定位置に保持される。
(3)回折格子のライン・アンド・スペース幅を自由に設
定することができ、これにより、位置決め精度を予め調
整することができる。
(4)回折格子のライン・アンド・スペース幅を多段に設
定することができ、これにより位置決め前の位置ずれが
大きくても、高い位置決め精度を維持しながら、迅速に
位置決めすることができる。
(5)半導体ウエハの完成後に切り放される狭い帯状のス
ペースいっぱいに回折格子部を形成することができて、
位置決め信号の信号対雑音比の良好化がはかられる。
(6)基本となる縞に１８０゜位相の異なったものを用い
たため、位置決め精度が飛躍的に向上するとともに、位
置決めの再現性も向上する。」
【図面の簡単な説明】
第１〜４図は本発明の第１実施例としての透過型光学式
自動位置決め装置を示すもので、第１図はその全体構成
を示す斜視図、第２図(a)はその第１の格子板を示す説
明図、第２図(b)はその第２の格子板を示す説明図、第
３図は光電検出器と比較器との接続を示す電気回路図、
第４図(a)〜(b)はいずれも格子板を経由したレーザー光
の強度を示すグラフであり、第５，６図はいずれも上記
本発明の装置における実験例の作用を説明するためのグ
ラフであり、第７図はその回折格子部の変形例を示すも
ので、ライン・アンド・スペースの幅を２段にした第１
の格子板を示す説明図であり、第８図は本発明の第２実
施例としての反射型光学式自動位置決め装置の全体構成
を示す斜視図である。 １……基板としての半導体用マスク、２……位置制御対
象としての半導体基板、３……Ｘ方向の回折格子、４…
…Ｙ方向の回折格子、５……９０度位相遅れのＸ方向の
回折格子の組、６……９０度位相進みのＸ方向の回折格
子の組、７……９０度位相遅れのＹ方向の回折格子の
組、８……９０度位相進みのＹ方向の回折格子の組、９
……第１の格子板の十字線、１０……第２の格子板の十
字線、Ａ……透過型の第１の格子板、Ａ′……反射型の
第１の格子板、Ａ1，Ａ′1……Ｘ方向の第１の回折格子
部、Ａ2，Ａ′2……Ｘ方向の第２の回折格子部、Ａ3，
Ａ′3……Ｙ方向の第１の回折格子部、Ａ4，Ａ′4……
Ｙ方向の第２の回折格子部、Ａ5……第２段のＹ方向の
第１の回折格子部、Ａ6……第２段のＹ方向の第２の回
折格子部、Ａ7……第２段のＸ方向の第１の回折格子
部、Ａ8……第２段のＸ方向の第２の回折格子部、Ｂ…
…透過型の第２の格子板、Ｂ′……反射型の第２の格子
板、Ｂ1，Ｂ′1……Ｘ方向の第３の回折格子部、Ｂ2，
Ｂ′2……Ｘ方向の第４の回折格子部、Ｂ3，Ｂ′3……
Ｙ方向の第３の回折格子部、Ｂ4，Ｂ′4……Ｙ方向の第
４の回折格子部、Ｃ……光電検出板（４分割型光電素
子）、Ｃ1……Ｘ方向の第１の光電検出器（フォトダイ
オード）、Ｃ2……Ｘ方向の第２の光電検出器（フォト
ダイオード）、Ｃ3……Ｙ方向の第１の光電検出器（フ
ォトダイオード）、Ｃ4……Ｙ方向の第２の光電検出器
（フォトダイオード）、Ｄｘ……Ｘ方向の比較器（コン
パレータ等）、Ｄｙ……Ｙ方向の比較器（コンパレータ
等）、Ｅｘ……Ｘ方向の制御器（電圧発生器等）、Ｅｙ
……Ｙ方向の制御器（電圧発生器等）、Ｆｘ……Ｘ方向
の駆動機構（積層圧電素子等）、Ｆｙ……Ｙ方向の駆動
機構（積層圧電素子等）、Ｇ1，Ｇ2，Ｇ3……光路、
Ｌ，Ｌ1〜Ｌ7……レーザー光、Ｍ1，Ｍ2……ハーフミラ
ー、ＰD……位置、Ｒ……抵抗器、Ｓ……レーザー光
源、Ｖ……電源。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭57−86710（ＪＰ，Ａ) 特開 昭51−106454（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−46101（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−86301（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−12417（ＪＰ，Ａ) 特開 昭53−110548（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−94206（ＪＰ，Ａ) 実公 昭50−29495（ＪＰ，Ｙ１)

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】所定間隔で配設された２枚の基板の相互位
    置を調整する自動位置決め装置において、上記基板のう
    ちの一方の基板に取り付けられた第１の格子板と、上記
    基板のうちの他方の基板に上記第１の格子板と平行に取
    り付けられた第２の格子板と、上記第１の格子板へレー
    ザー光を照射するレーザー光源とをそなえるとともに、
    上記第１の格子板に形成され互いに平行なライン・アン
    ド・スペースをそなえた第１および第２の回折格子部
    と、上記第２の格子板に形成され上記第１および第２の
    回折格子部のライン・アンド・スペースと平行なライン
    ・アンド・スペースをそなえた第３および第４の回折格
    子部と、上記第３の回折格子部を経由したレーザー光を
    受けモアレ信号を分離検出する第１の光電検出器と、上
    記第４の回折格子部を経由したレーザー光を受けモアレ
    信号を分離検出する第２の光電検出器と、上記の第１お
    よび第２の光電検出器からの検出信号を比較する比較器
    と、同比較器からの比較信号に基づき制御信号を出力す
    る制御器と、上記制御信号を受けて上記基板のいずれか
    を所定方向に駆動する駆動機構とをそなえ、上記の第１
    および第２の格子板の整合時において、上記第３の回折
    格子部が、上記第１の回折格子部に対して９０゜位相遅
    れの位置あるいは９０゜位相進み位置に形成されるとと
    もに、上記第４の回折格子部が、上記第２の回折格子部
    に対して９０゜位相進みの位置あるいは９０゜位置遅れ
    の位置に形成されたことを特徴とする、光学式自動位置
    決め装置。
  2. 【請求項２】上記の第１および第２の回折格子部または
    上記第３および第４の回折格子部の少なくとも一方が透
    過型回折格子部として形成された、特許請求の範囲第１
    項に記載の光学式自動位置決め装置。
  3. 【請求項３】上記の第１および第２の回折格子部または
    上記の第３および第４の回折格子部の少なくとも一方が
    反射型回折格子部として形成された、特許請求の範囲第
    １項に記載の光学式自動位置決め装置。
  4. 【請求項４】上記制御器が、上記比較器からの比較信号
    をゼロとするように、上記駆動機構へ制御信号を出力す
    る回路として構成された、特許請求の範囲第１項ないし
    第３項のいずれかに記載の光学式自動位置決め装置。
  5. 【請求項５】上記の回折格子部のライン・アンド・スペ
    ースが２種類以上の幅で描画された、特許請求の範囲第
    １項ないし第４項のいずれかに記載の光学式自動位置決
    め装置。
  6. 【請求項６】上記駆動機構が、その移動量が異なる２種
    類以上の駆動部をそなえた、特許請求の範囲第１項ない
    し第５項のいずれかに記載の光学式自動位置決め装置。
  7. 【請求項７】上記の制御器および駆動機構が２対設けら
    れて、各駆動機構がその駆動方向を交差する方向に設定
    された、特許請求の範囲第１項ないし第６項のいずれか
    に記載の光学式自動位置決め装置。
  8. 【請求項８】上記の駆動機構および他の駆動機構の駆動
    方向が相互に直交する方向に設定され、上記の第１およ
    び第２の格子板の中央部に、十字線が描画されている、
    特許請求の範囲第７項に記載の光学式自動位置決め装
    置。
  9. 【請求項９】上記の制御器および駆動機構が多数対設け
    られて、各駆動機構がその駆動方向を交差する方向に設
    定された、特許請求の範囲第１項ないし第６項のいずれ
    かに記載の光学式自動位置決め装置。
JP58176835A 1983-09-24 1983-09-24 光学式自動位置決め装置 Expired - Lifetime JPH0619280B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58176835A JPH0619280B2 (ja) 1983-09-24 1983-09-24 光学式自動位置決め装置
EP84110356A EP0140022B1 (en) 1983-09-24 1984-08-30 Optical self-alignment system
DE8484110356T DE3479353D1 (en) 1983-09-24 1984-08-30 Optical self-alignment system
US06/652,452 US4664524A (en) 1983-09-24 1984-09-19 Optical self-alignment system

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58176835A JPH0619280B2 (ja) 1983-09-24 1983-09-24 光学式自動位置決め装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6067822A JPS6067822A (ja) 1985-04-18
JPH0619280B2 true JPH0619280B2 (ja) 1994-03-16

Family

ID=16020665

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58176835A Expired - Lifetime JPH0619280B2 (ja) 1983-09-24 1983-09-24 光学式自動位置決め装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4664524A (ja)
EP (1) EP0140022B1 (ja)
JP (1) JPH0619280B2 (ja)
DE (1) DE3479353D1 (ja)

Families Citing this family (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3682834D1 (de) * 1985-06-17 1992-01-23 Hitachi Ltd Sondenkontrollverfahren und -geraet fuer einen apparat mit mehreren freiheitsgraden.
DE3682675D1 (de) * 1986-04-29 1992-01-09 Ibm Deutschland Interferometrische maskensubstratausrichtung.
US4837857A (en) * 1986-11-06 1989-06-06 Storz Instrument Company Foot pedal assembly for ophthalmic surgical instrument
US4757207A (en) * 1987-03-03 1988-07-12 International Business Machines Corporation Measurement of registration of overlaid test patterns by the use of reflected light
JPS63281015A (ja) * 1987-05-13 1988-11-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 位置検出器の基準信号発生装置
EP0309281B1 (en) * 1987-09-25 1995-03-08 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Apparatus for controlling relation in position between a photomask and a wafer
US4969200A (en) * 1988-03-25 1990-11-06 Texas Instruments Incorporated Target autoalignment for pattern inspector or writer
JP2562479B2 (ja) * 1988-04-25 1996-12-11 株式会社 ミツトヨ 反射式ｘｙエンコーダ
JPH01291194A (ja) * 1988-05-18 1989-11-22 Tokyo Electron Ltd Ｘ−ｙテーブル
JPH02165699A (ja) * 1988-12-20 1990-06-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 産業用ロボットによるフラットパッケージ型ｉｃの装着方法
US5021649A (en) * 1989-03-28 1991-06-04 Canon Kabushiki Kaisha Relief diffraction grating encoder
DE69012644T2 (de) * 1989-05-17 1995-04-06 Canon Kk Vorrichtung zur Ermittlung einer Position.
DE4000785A1 (de) * 1990-01-12 1991-07-18 Suess Kg Karl Justiermarken fuer zwei aufeinander einzujustierende objekte
JPH0430414A (ja) * 1990-05-25 1992-02-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd 位置決め装置
US5216257A (en) * 1990-07-09 1993-06-01 Brueck Steven R J Method and apparatus for alignment and overlay of submicron lithographic features
DK69492D0 (da) * 1992-05-26 1992-05-26 Purup Prepress As Apparat til exponering af et medie, apparat til punktexponering af et medie, samt en indretning til fastholdelse af et medie
US5341213A (en) * 1992-07-21 1994-08-23 Avco Corporation Alignment of radiation receptor with lens by Fourier optics
US5300786A (en) * 1992-10-28 1994-04-05 International Business Machines Corporation Optical focus phase shift test pattern, monitoring system and process
US5521995A (en) * 1993-01-15 1996-05-28 Eastman Kodak Company Segmented waveguide gratings used as optical tilt and displacement sensors
US5596413A (en) * 1995-08-17 1997-01-21 Lucent Technologies Inc. Sub-micron through-the-lens positioning utilizing out of phase segmented gratings
US6013355A (en) * 1996-12-30 2000-01-11 International Business Machines Corp. Testing laminates with x-ray moire interferometry
US5894350A (en) * 1998-06-12 1999-04-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Method of in line intra-field correction of overlay alignment
US5936738A (en) * 1998-08-03 1999-08-10 International Business Machines Corporation Focus monitor for alternating phase shifted masks
US6479811B1 (en) * 2000-03-06 2002-11-12 Eastman Kodak Company Method and system for calibrating a diffractive grating modulator
TW200509355A (en) * 2003-04-08 2005-03-01 Aoti Operating Co Inc Overlay metrology mark
US7433256B2 (en) * 2004-04-28 2008-10-07 Koninklijke Philips Electronics N.V. Information carrier, and system for positioning such an information carrier in a reading and/or writing apparatus
WO2005106856A1 (en) * 2004-04-28 2005-11-10 Koninklijke Philips Electronics N.V. Information carrier, and system for positioning such an information carrier in an apparatus
DE102005016231B4 (de) * 2005-04-06 2010-09-16 Jenoptik Laser, Optik, Systeme Gmbh Optisches System und Verfahren zur Herstellung eines Verbundelementes aus transparenten, mit mikrooptischen Strukturen versehenen plattenförmigen Substraten
US7671990B1 (en) * 2006-07-28 2010-03-02 Kla-Tencor Technologies Corporation Cross hatched metrology marks and associated method of use
US7612882B2 (en) * 2006-10-20 2009-11-03 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Optical gratings, lithography tools including such optical gratings and methods for using same for alignment
WO2009091896A1 (en) * 2008-01-15 2009-07-23 Optical Alchemy, Inc. Angular position sensor for relative attitude sensing
JP5339127B2 (ja) * 2008-12-10 2013-11-13 株式会社ニコン アブソリュートエンコーダ及びエンコーダ、並びに移動体装置
JP2015017943A (ja) * 2013-07-12 2015-01-29 太陽誘電株式会社 変位計測装置及び変位計測方法
CN103712603B (zh) * 2013-09-24 2016-03-23 哈尔滨工业大学 基于平面光栅的三维视觉位姿测量装置及其测量方法
US10678412B2 (en) 2014-07-31 2020-06-09 Microsoft Technology Licensing, Llc Dynamic joint dividers for application windows
US10592080B2 (en) 2014-07-31 2020-03-17 Microsoft Technology Licensing, Llc Assisted presentation of application windows
US10254942B2 (en) 2014-07-31 2019-04-09 Microsoft Technology Licensing, Llc Adaptive sizing and positioning of application windows
US9423360B1 (en) * 2015-02-09 2016-08-23 Microsoft Technology Licensing, Llc Optical components
US9827209B2 (en) 2015-02-09 2017-11-28 Microsoft Technology Licensing, Llc Display system
US9429692B1 (en) 2015-02-09 2016-08-30 Microsoft Technology Licensing, Llc Optical components
US11086216B2 (en) 2015-02-09 2021-08-10 Microsoft Technology Licensing, Llc Generating electronic components
US10018844B2 (en) 2015-02-09 2018-07-10 Microsoft Technology Licensing, Llc Wearable image display system
US9513480B2 (en) 2015-02-09 2016-12-06 Microsoft Technology Licensing, Llc Waveguide
US9372347B1 (en) 2015-02-09 2016-06-21 Microsoft Technology Licensing, Llc Display system
US10317677B2 (en) 2015-02-09 2019-06-11 Microsoft Technology Licensing, Llc Display system
US9535253B2 (en) 2015-02-09 2017-01-03 Microsoft Technology Licensing, Llc Display system
CN108459624B (zh) * 2018-03-12 2020-09-22 西安应用光学研究所 一种用于小角度转动的光电跟踪仪自适应稳定装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3783520A (en) * 1970-09-28 1974-01-08 Bell Telephone Labor Inc High accuracy alignment procedure utilizing moire patterns
US3796497A (en) * 1971-12-01 1974-03-12 Ibm Optical alignment method and apparatus
US3861798A (en) * 1972-05-22 1975-01-21 Hitachi Ltd Mask for aligning patterns
US3867038A (en) * 1972-11-27 1975-02-18 Baird Atomic Inc Optical alignment system
JPS5029495U (ja) * 1973-07-10 1975-04-03
JPS51106454A (ja) * 1975-03-15 1976-09-21 Olympus Optical Co Kodenshikienkooda
NL7606548A (nl) * 1976-06-17 1977-12-20 Philips Nv Werkwijze en inrichting voor het uitrichten van een i.c.-patroon ten opzichte van een halfgelei- dend substraat.
US4200395A (en) * 1977-05-03 1980-04-29 Massachusetts Institute Of Technology Alignment of diffraction gratings
US4172664A (en) * 1977-12-30 1979-10-30 International Business Machines Corporation High precision pattern registration and overlay measurement system and process
DE2846316A1 (de) * 1978-10-24 1980-06-04 Siemens Ag Verfahren und vorrichtung zur automatischen ausrichtung von zwei aufeinander einzujustierenden objekten
FR2450468A1 (fr) * 1979-02-27 1980-09-26 Thomson Csf Systeme optique d'alignement de deux motifs et photorepeteur mettant en oeuvre un tel systeme
JPS5719020A (en) * 1980-07-07 1982-02-01 Mitsubishi Heavy Ind Ltd Feeding method of ammonia
JPS5786710A (en) * 1980-11-19 1982-05-29 Yokogawa Hokushin Electric Corp Measuring device for three-dimensional configuration

Also Published As

Publication number Publication date
JPS6067822A (ja) 1985-04-18
US4664524A (en) 1987-05-12
EP0140022A1 (en) 1985-05-08
DE3479353D1 (en) 1989-09-14
EP0140022B1 (en) 1989-08-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0619280B2 (ja) 光学式自動位置決め装置
US4200395A (en) Alignment of diffraction gratings
US4311389A (en) Method for the optical alignment of designs in two near planes and alignment apparatus for performing this method
JP3841824B2 (ja) 格子−格子干渉型位置合わせ装置
JP2821073B2 (ja) ギャップ制御装置及びギャップ制御方法
EP0151032B1 (en) Method of adjusting relative positions of two objects by using diffraction grating and control apparatus therefor
US4340305A (en) Plate aligning
EP0445871A1 (en) Apparatus for and method of projecting a mask pattern on a substrate
EP0393775A1 (en) Apparatus for projecting a mask pattern on a substrate
JPH038098B2 (ja)
JPH039403B2 (ja)
US11333985B2 (en) Position sensor
JP3428705B2 (ja) 位置検出装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法
JPH083404B2 (ja) 位置合せ方法
JPS62229942A (ja) 光学式位置決め装置
JPS61116837A (ja) 回折格子によるギヤツプ・位置合せ制御法
JPH01182707A (ja) 格子周期測定装置
JP2869143B2 (ja) 基板の傾斜検出装置
JPH08321452A (ja) アライメント結果評価方法及び該方法を使用するアライメント装置
JP2874284B2 (ja) 間隔測定装置
JPH06105679B2 (ja) 露光装置
JPS60214531A (ja) 位置合わせ方法
JPH04188608A (ja) 回折格子を用いた位置合せ装置
JPH0317212B2 (ja)
Flamholz et al. Automatic Width And Overlay Measurement