JPH083404B2 - 位置合せ方法 - Google Patents

位置合せ方法

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JPH083404B2
JPH083404B2 JP62145728A JP14572887A JPH083404B2 JP H083404 B2 JPH083404 B2 JP H083404B2 JP 62145728 A JP62145728 A JP 62145728A JP 14572887 A JP14572887 A JP 14572887A JP H083404 B2 JPH083404 B2 JP H083404B2
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diffraction grating
light
diffracted
diffracted light
mask
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JP62145728A
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憲男 内田
頼幸 石橋
正幸 増山
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Topcon Corp
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G03F9/7023Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7049Technique, e.g. interferometric

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) この発明は、第1の物体と第2の物体とを位置合せす
る方法に関し、たとえば半導体製造工程において、回路
パターンの像がウェハに転写されるときに、マスクとウ
ェハとを位置合せする方法に関する。
(従来の技術) 超LSIなどの半導体装置が製造される工程において
は、露光装置によってウェハに回路パターンが転写され
るのが一般的である。この装置では、予めマスクに形成
された回路パターンにX線が照射されると、回路パター
ンの像がウェハに転写される。この回路パターンが転写
される前に、マスクとウェハとが正確に位置合せされる
必要がある。即ち、マスクとウェハとは、互いに対向し
て配置されているが、マスクとウェハとは、これらの対
向する面に沿った方向に位置合せされる必要がある。
ところで、マスクとウェハとを位置合せする方法の一
例として、二重回折格子を用いる方法がある。即ち、マ
スクとウェハとに各々1次元の回折格子が形成されてい
る。2つの回折格子は、ピッチが等しく、そのストライ
プの方向が同じ向きに配置されている。マスク上面にレ
ーザ光が照射されると、マスクの回折格子を回折し且つ
透過した光がウェハの回折格子で回折され且つ反射さ
れ、再びマスクの回折格子で回折する。この回折光のう
ち+1次回折光In(+1)と−1次回折光In(−1)と
が検出される。これらの回折光の強度In(+1)とIn
(−1)とが等しくなるように、マスクとウェハとの相
対位置が調整される。これにより、マスクとウェハとが
位置合せされる。
(発明が解決しようとする問題点) しかしながら、マスクの回折格子は、反射型回折格子
としても働く。そのため、マスク→ウェハ→マスクの経
路で回折された±1次回折光と、マスク上面で反射され
た±1次反射回折光とが干渉することがある。即ち、マ
スクとウェハとのギャップがzであるとすると、±1次
の回折光は、±1次の反射回折光に対して2zの光路差を
有する。2z=nλ(λは入射光の波長、nは整数)のと
き、±1次回折光と、±1次の反射回折光とが干渉す
る。そのため、マスクとウェハとのギャップがλ/4だけ
変動すると、±1次の回折光の強度が激減し、±1次の
回折光の測定が困難になることがあった。
従って、マスクとウェハとのギャップが所定値に正確
に維持されないと、マスクとウェハとの相対位置の測定
精度が低下するといった問題があった。
そのため、特開昭61−116837号公報には、以下のよう
な、位置合せ方法が開示されている。
k次の回折角θは、一般に、 sinθ=k・λ/p …(1) で表わされる(pは回折格子のピッチ)。そのため、マ
スクの回折格子のピッチがpm、ウェハの回折格子のピ
ッチがpwである場合に、2pm=pwとされている。これ
により、マスクの回折格子で反射される±1次の反射回
折光の回折角と、マスク→ウェハ→マスクの経路で回折
された±1次回折光の回折角が異ならされている。
しかしながら、この公報に記載された方法でも、±1
次の回折光の強度がマスクとウェハとのギャップ値に依
存することが報告されている(二重回折格子による高精
度位置合せ法(第5報),昭和59年度精密機械学会秋期
大会学術講演論文集,p443〜p444,NTT通研)。そのた
め、マスクとウェハとのギャップ値が2μm以内に維持
されないと、±1次の回折光の計測が困難であった。そ
のため、マスクとウェハとの位置合せの精度が悪いとい
った問題があった。
この発明の目的は、検出回折光と反射回折光とが干渉
することがなく、且つ第1の物体と第2の物体とのギャ
ップに拘りなく、精度良く、第1の物体と第2の物体と
を位置合せする方法を提供することにある。
[発明の構成] (問題点を解決するための手段) 上記目的を達成するために、本発明は、第1の物体に
第1の回折格子を設けるとともに第1の物体に対向して
配置された第2の物体に第2の回折格子を設け、光源か
ら照射された光を前記第1もしくは第2の回折格子の一
方に入射させ、前記一方の回折格子で回折した回折光が
他方の回折格子に入射して回折した後の回折光のうちの
所定の回折光を位置合せ用の回折光として受光し、この
位置合せ用の回折光に基づいて前記第1の物体と第2の
物体との相対位置を調整して位置合せを行う位置合せ方
法において、前記第1の回折格子として位置合せ方向と
直交する方向に延出した複数の平行なストライプパター
ンを有する1次元回折格子を用い、前記第2の回折格子
として市松状のパターンを有する二次元回折格子を用い
ることを特徴としている。
(作用) 第1の回折格子として位置合せ方向と直交する方向に
延出した複数の平行なストライプパターンを有する1次
元回折格子を用い、第2の回折格子として市松状のパタ
ーンを有する2次元回折格子を用いているので、これら
の回折格子が2重回折格子として作用することになり、
第1の回折格子および第2の回折格子の双方で少なくと
も1回ずつ回折した回折光は2次元のパターンとして現
れる。この2次元のパターンとして現れた回折光のうち
の所定の回折光を位置合せ用の回折光として受光するこ
とにより、光源から最初に光を照射された回折格子の表
面で反射される位置合せには不要な反射回折光の方向と
は異なる方向で位置合せ用の回折光を受光することがで
きる。したがって、位置合せ用の回折光と位置合せには
不必要な反射回折光との干渉を防止でき、測定精度を低
下させることなく位置合せを行うことができる。
また、本発明における理論解析(実施例において説明
する)によると、第1の物体と第2の物体との間のギャ
ップ値が所定に設定されていなくても、このギャップ値
の影響を受けることなく、第1の物体と第2の物体との
間の対向面に沿う方向の位置合せ精度良く行うことがで
きる。
(実施例) 第1図及び第2の実施例では、入射光が回折格子に直
角に入射される場合について述べ、第3の実施例では、
入射光が回折格子に斜めに入射される場合について述べ
る。
第1図に示されるように、マスクとウェハとを位置合
せする装置には、X方向に移動可能なウェハテーブル11
が設けられている。このウェハテーブル11は、モータ22
に接続されている。これにより、モータ22が駆動される
と、ウェハテーブルが位置合せ方向(x方向)に移動さ
れる。このウェハテーブル11の上面には、ウェハ12が載
置されている。このウェハ12上方に、マスク13が配置さ
れている。このマスク13とウェハ12との間には、z方向
に所定の間隔が設けられている。マスク13は、ホルダー
14によって支持されている。このホルダー14は、圧電素
子25により支持されている。この圧電素子25が駆動され
ることにより、マスク13は、z方向に移動される。
さらに、マスク13には、第2図に示されるように、透
過型の第1の回折格子15が形成されている。ウェハ12の
上面には、反射型の第2の回折格子16が形成されてい
る。これら第1及び第2の回折格子15,16は、互いに対
向して配置されている。第1の回折格子15は、ストライ
プがy方向に延出している1次元の回折格子である。第
1の回折格子15のx方向の格子ピッチは、pxである。第
2の回折格子16は、市松状のパターンの回折格子であ
る。第2の回折格子16のx方向の格子ピッチがpx、これ
のy方向の格子ピッチがpyである。即ち、第1の回折格
子のx方向のピッチと、第2の回折格子のx方向のピッ
チとが等しくされている。
この装置には、さらに、コヒーレントなレーザ光を発
射するレーザ17と、回折光を検知してこれを電気信号に
変換する光電検出器26と、この電気信号を処理し制御信
号を発生する信号処理回路20と、制御信号に応じてモー
タ22に電流を供給するモータ駆動回路23とが備えられて
いる。
この装置によって、以下のようにして、マスクとウェ
ハとが位置合せされる。
レーザ17から発射された光は、ミラー18に向って照射
される。このミラー18で反射された光が第1の回折格子
15に照射される。第1の回折格子15により回折され且つ
これを透過した光が第2の回折格子16に移行される。第
2の回折格子16により回折され且つこれを反射した光が
第1の回折格子15に移行される。この第1の回折格子15
により回折され且つこれを透過した回折光がミラー19に
移行される。このように、これら第1及び第2の回折格
子15,16は、二重回折格子として働く。このミラー19に
よって、回折格子15,16で回折した回折光のうち特定方
向の光、例えば第3図に示される(0,1)次の回折光の
みが光電検出器26が導かれる。即ち、ミラー19の傾斜角
度が調整されることにより、光電検出器26に導かれる回
折光が検出される。特定方向の回折光は、光電検出器26
により回折光の強度に応じた電気信号に変換される。こ
の電気信号がアンプ27を介して信号処理回路2に供給さ
れ、処理される。この信号処理回路20によって、モータ
駆動信号が発せられる。このモータ駆動信号がモータ駆
動回路23に供給される。この駆動回路23は、この信号に
基づいて、モータ22に電流を供給する。モータ22が駆動
されて、マスク13に対してウェハ12がx方向に移動され
る。これにより、マスク13とウェハ12との相対位置が調
整され、マスクとウェハとが位置合せされる。
ところで、レーザ光が第1の回折格子15→第2の回折
格子16→第1の回折格子15の経路で回折されるとき、上
述したように、第1及び第2の回折格子15,16は、二重
回折格子として働く。そのため、これら回折光のうち0
次及び1次の回折光は、第3図に示されるように、9つ
の方向に現われる。
一方、第1の回折格子15の表面でレーザ光が反射する
ことがある。このとき、第1の回折格子15で反射された
1次反射回折光は、第1の回折格子のストライプに直交
する面であって、入射光の軸線を含む平面において反射
される。即ち、この1次反射回折光は、第3図におい
て、入射光の軸線がz軸とされると、x軸線及びz軸線
を含む平面内で反射される。これに対して、0次及び1
次の回折光は、上述したように、9つの方向に現われ
る。そのため、この発明では、x軸線及びz軸線を含む
平面に沿わない回折光が検出されている。そのため、検
出される回折光がマスク表面の反射光と干渉することが
ない。
さらに、この発明によれば、回折光の強度がマスクと
ウェハとのギャップ値に依存しない。その理由を以下に
説明する。
この説明のため、レーザ光が回折格子15,16により回
折される場合の回折の原理から説明する。
ピッチp、光の透過幅aである一般的な回折格子に直
角に、波長λのコヒーレント光が照射される。この回折
格子により回折された光の回折パターンが第5図に示さ
れている。ここで、+n次の回折光の回折角θは、 sinθ=n・λ/p …(2) である。n次の回折光の複素振幅Cnは、回折格子の複素
透過率が周期関数としてフーリエ級数に展開された時の
係数である。このn次の回折光の複素振幅Cnは、次式で
与えられる。
ここで、格子の透過関数A(x)を、 として(3)式に代入すると、n次の回折光の振幅C
nは、 Cn={sin(akπ/p)}/kπ …(5) と表わされる。
次に、各々1次元の回折格子が設けられたマスクとウ
ェハとが所定値のギャップを介して対向して配置された
場合について説明する。このとき、マスクの回折格子
は、透過型回折格子、ウェハの回折格子は、反射型回折
格子として働くが、この場合の光学モデルは、第6図に
示される光学モデルと等価である。マスクでl次、ウェ
ハでm次、マスクでr次回折した場合、マスク→ウェハ
→マスクの透過光は、(l+m+r)次の回折光とな
る。この回折光波の振幅は、Cl・Cm・Crで与えられる。
この光波は、マスクの回折格子へ入射する前の光に対し
て、 だけ位相がずれている。
一方、ウェハがΔxだけマスクに対して位置ずれして
いる場合、ウェハで回折されている光波の複素振幅は、
(3)式より、 となる。これが整理されると、 となる。(l+m+r)次の透過回折光U(l+m+
r)は、入射光Einとして、次の(8)式で表わされ
る。
U(l+m+r) =Cl+C′・Cr・exp[−iφv]・Ein =Cl・Cm・Cr・exp[−iφx +{(2π/p)mΔx}]・Ein …(8) 例えば、X方向の0次の回折光の表示は、l+m+r
=0を満足する全ての回折光の組合わせである。
次に、第3図に示されるように、マスクに1次元の回
折格子、ウェハに市松状のパターンの回折格子が形成さ
れた場合について説明する。この場合、ウェハでは、第
3図に示されるように、光が2次元的に回折される。x
方向の回折次数をm次、y方向の回折次数をn次、マス
ク及びウェハの回折格子のx方向のピッチを共にpx、、
ウェハの回折格子のy方向のピッチをpy、マスク及びウ
ェハの回折格子のx方向の光の透過幅を共にax、ウェハ
の回折格子のy方向の光の透過幅をayとすると、ウェハ
で回折される光波の振幅は、次式となる。
Cmn=1/(mnπ)・sin{ax/px)mπ} ・sin{(ay/py)nπ}・ [1+cos{(m+n)π}] …(9) この(9)式において、ax/px=ay/py=1/2とされる
と、Cmn、 Cmn=1/(mnπ)・sin(mπ/2)・sin(nπ/2)・
[1 +cos{(m+n)π}] …(10) となる。結局、マスク→ウェハ→マスク経由で回折され
る光U(l+m+r,n)の表示式は、 U(l+m+r,n) =Cr・Cmn・Cl・exp[−i{φxy +(2π/px)mΔx)・Ein …(11) となる。ここで、φxyは、光U(l+m+n)の位相ず
れ量であって、 で表わされる。
この回折光の一例として、x方向に0次、y方向に1
次の回折光の強度I(0,1)は、以下のように求められ
る。この場合、l+m+r=0、n=1となる組合せが
考慮されれば良い。しかし、ここでは、高次の回折光の
組合わせによる振幅への影響は、小さいと考えられるた
め、0次から1次までの回折光の組合わせが考慮されて
いる。{l,(m,n),r}として、以下の4つの組合わせ
が考慮されれば良い。
{0,(1,1),−1} {0,(−1,1),1} {−1,(1,1),0} {1,(−1,1),0} Z=πλz/px 2 とされると、(11)式より、光波の表示式は、 U(0,1) =2(1/π)・exp(−iZ)・{exp(−iX) +exp(iX)}・Ein …(12) で示される。光の強度I(0,1)は、 I(0,1)=|U(0,1)|2 …(13) である。そのため、入射光の強度がI0とされると、光の
強度I(0,1)は、 I(0,1)=8(1/π)・{1+cos2X)・I0…(14) となる。但し、X=2πpx・Δxである。この式から明
らなかように、回折光の強度I(0,1)は、マスクとウ
ェハとの位置ずれ量Δxのみの関数である。そのため、
回折光の強度は、マスクとウェハとのギャップ値に依存
しない。
回折光の強度I(0,1)が検出される場合、マスクと
ウェハとの位置ずれ量Δxと光強度との関係が第4図に
示されている。回折光の強度は、px/2の周期関数で表わ
されている。回折光の強度が、この周期関数のピーク値
に設定されるように、ウェハがマスクに対して移動され
ると、マスクとウェハとが位置合せされる。
このように、この発明の方法によれば、マスクの回折
格子のストライプに直交した平面であって、且つ入射光
の軸線を含む平面に沿わない回折光が検出される。その
ため、マスクの回折格子で反射された反射光と、検出回
折光とが干渉することがない。しかも、(14)式から明
らかなように、回折光の強度は、ギャップ値に依存され
ない。そのため、ギャップ値に拘らず、マスクとウェハ
とが正確に位置合せされる。
さらに、この発明の第2の実施例を第7図乃至第10図
に基づいて説明する。
この実施例では、2組の第1及び第2の回折格子が設
けられている。即ち、マスク13には、2つの第1の回折
格子31−1,31−2が形成されており、ウェハ12には、2
つの第2の回折格子32−1,32−2が形成されている。第
8図に示されるように、第1の回折格子31−1,31−2
は、x方向の格子ピッチがpxである1次元の回折格子で
ある。第1の回折格子31−1,31−2は、互いに距離uを
隔てて配置されている。第2の回折格子32−1,32−2
は、市松状のパターンの回折格子であって、x方向の格
子ピッチがpxであり、y方向の格子ピッチがpy1,py2
ある。第2の回折格子32−1,32−2は、互いに距離vを
隔てて配置されている。距離uと距離vとの間には、 の関係がある。但しNは整数。
ウェハの2つの第2の回折格子32−1,32−2では、各
々のy方向の格子ピッチが異なっている。そのため、2
つの第2の回折格子32−1,32−2により回折された回折
光が同一次数の回折光であっても、2つの第2の回折格
子32−1,32−2での回折角が異なる。そのため、1組の
第1及び第2の回折格子31−1,32−1により回折された
回折光と、他の1組の第1及び第2の回折格子31−2,32
−2で回折される回折光とは、異なった方向に現われ
る。
従って、位置合せ装置には、2つの回折光を別々に検
出する一対の光電検出器26−1,26−2と、減算器28が設
けられている。2つの回折光は、この光電検出器26−1,
26−2により別々に電気信号に変換される。これら電気
信号は、それぞれアンプ27−1,27−2を介して減算器28
に供給される。この減算器28では、2つの電気信号の差
が演算される。即ち、2つの回折光の強度の差が演算さ
れる。この電気信号の差が信号処理回路20に供給され
る。第1の実施例と同様に、信号処理回路20からモータ
駆動信号が発生され、この信号に基づいてモータ22に電
流が供給され、マスク13に対してウェハ12がx方向(位
置合せ方向)に移動される。これにより、ウェハ13とウ
ェハ12との相対位置が調整され、マスクとウェハとが位
置合せされる。
(0,1)次の回折光の場合、2つの回折光の強度がI1
(0,1)、I2(0,1)とされると、減算器28では、次式が
演算される。
ΔI=I1(0,1)−I2(0,1) …(15) この場合の回折光の強度の差ΔIと、位置ずれ量Δx
との関係が第9図に示されている。例えば、前記の整数
Nがゼロの場合、マスクとウェハとの2組の回折格子
は、各々、±px/8だけ位相がずれて位置されている。そ
のため、実線で示されているI1(0,1)と、破線で示さ
れているI2(0,1)とは、px/4だけ位相がずれた曲線と
なる。(15)式の演算がなされると、ΔIは、周期がpx
/4である周期関数で表わされる。これが第9図に一点鎖
線で示されている。これにより、マスク13とウェハ12と
の相対位置がpx/4ずれる度に、周期関数の直線状の部分
で位置ずれ量Δxが0点検出される。これによって、マ
スクとウェハとの相対位置が正確に位置合せされる。ま
た、第10図には、(11)式に基づいて、マスクとウェハ
の回折格子での高次の回折光が考慮された場合の、回折
光の強度の差ΔIが示されている。この場合にも、ゼロ
クロス点近傍では、ギャップ値に拘らず、位置ずれ量Δ
xが0点検出される。そのため、高次の回折光が考慮さ
れた場合であっても、ギャップ値に拘らず、マスクとウ
ェハとが正確に位置合せされる。
さらに、この第2実施例の変形例を説明する。この変
形例では、第11図に示されるように、2つの回折光強度
の差の演算のために、2組の第1及び第2の回折格子で
回折した2つの回折光が同期して検出される。第1の回
折格子31−1,31−2が第8図に示される場合と同じく、
距離uだけ離間されてマスク上に配置されている。第2
の回折格子も同様に距離vだけ離間されてウェハに配置
されており、各々のy方向の格子ピッチpy1,py2は、等
しい。
2つの回折光が同期して検出されるために、発振器42
と、振動ミラー41と、同期検波回路29とが設けられてい
る。この発振器42から所定周波数の参照信号が発生され
る。この参照信号が夫々、振動ミラー41と、同期検波回
路29とに供給される。これにより、振動ミラー41は、所
定の周波数で振動する。そのため、レーザ光は、振動ミ
ラー41により、所定時間ごとに交互に2方向に振分けら
れて、2組の回折格子に入射される。2組の回折格子で
夫々回折した2つの回折光は、ミラー33を介して、所定
時間ごとに交互に光電検出器26に入射され、2つの電気
信号に変換される。2つの電気信号は、アンプ27を介し
て、所定時間ごとに交互に同期検波回路29に供給され
る。同期検波回路29では、所定周波数の参照信号に基づ
いて、2つの電気信号が同期検波される。これにより、
2つの回折光の強度の差が検出される。これにより、第
2の実施例と同様に、マスク13とウェハ12との相対位置
が調整される。
尚、第1及び第2実施例では、検出される回折光の角
度は、I(0,1)のみならず、I(0,−1)など、第1
の回折格子のストライプと直交する面であって、入射光
の軸線を含む平面に沿わない、回折光であれば良い。例
えば、 ΔI=I1(0,−1)−I2(0,−1) ΔI=I(0,1)−I2(0,−1) ΔI=I1(0,−1)−I2(0,1) が求められても良い。
さらに、レーザ光がy方向に対して斜めに入射されれ
ば、回路パターンを露光するための露光光を検出光学系
(例えば、ミラー)が遮らないという利点がある。
次に、この発明の第3の実施例について説明する。上
述した実施例では、入射光は、マスク13に対して垂直に
入射される。しかし、この入射光は、必ずしもマスク13
に垂直である必要はない。この第3の実施例では、マス
ク13に斜めに入射される場合について説明する。
第12図に示されるように、マスク13に形成された第1
の回折格子15と、ウェハ12に形成された第2の回折格子
16とは、第3図に示される場合と同様に配置されてい
る。第12図に示されるように、第1の回折格子15のスト
ライプに垂直な仮想面が第1の仮想面101と規定されて
いる。この第1の仮想面101がストライプの方向に所定
角度(α)傾斜された仮想面が第2の仮想面102と規定
されている。第1の仮想面101を基準として第2の仮想
面102に対称である仮想面が第3の仮想面103と規定され
ている。レーザ17から発射された光は、第1の回折格子
15に入射される。この入射光の光軸104は、第2の仮想
面102に沿っている。若干の入射光は、第1の回折格子1
5の上面で反射回折される。この反射回折光は、第3仮
想面103にのみ沿って移行される。
残りの大部分の入射光は、第1の回折格子15で透過回
折されて第1の回折光が現出され、この第1の回折光が
第2の回折格子16に移行され第2の回折格子で反射回折
されて第2の回折光が現出され、この第2の回折光が第
1の回折格子15に移行され第1の回折格子15で透過回折
されて第3の回折光が現出される。この第3の回折光
は、2次元の回折パターンで現出される。この回折パタ
ーンは、入射光が第1の回折格子15に直交している場合
と同様である。
しかし、回折パターンの原点I(0,0)は、入射光が
直交している場合と、異なっている。即ち、第12図に示
されるように、原点I(0,0)は、第1の仮想面101を基
準として入射光の光軸に対称である線(z′)の線上の
点として規定される。即ち、入射光が第1の回折格子15
に直交している場合(α=0,z′=z)、原点I(0,0)
は、入射光の光軸上にある。
若干の第3の回折光、即ち、I(0,0)、I(±1,0)
次の回折光は第3の仮想面103に沿って移行され、他の
第3の回折光、即ち、I(0,±1)、I(±1,±1)次
の回折光は第3の仮想面103以外に移行される。従っ
て、前記他の第3回折光は、第1の回折格子15の上面で
反射回折された反射回折光と干渉しない。そのため、上
述した実施例と同様に、前記他の第3の回折光、即ち、
I(0,±1)、I(±1,±1)次の回折光が検出され
る。検出結果は、第4図に示される場合と略同様であ
る。そのため、入射光が第1の回折格子15に斜めに入射
される場合であっても、入射光が第1の回折格子15に直
角に入射される場合と同様に、正確に位置合せされる。
[発明の効果] 以上説明したように、本発明によれば、第1の回折格
子として位置合せ方向と直交する方向に延出した複数の
平行なストライプパターンを有する1次元回折格子を用
い、第2回折格子として市松状のパターンを有する2次
元回折格子を用いたことにより、位置合せ用の回折光の
現れる方向と光源から最初に光を照射された回折格子の
表面で反射される位置合せには不必要な反射回折光の方
向とを異ならせることができる。したがって、位置合せ
用の回折光と位置合せには不必要な反射回折光との干渉
を防止でき、測定精度を低下させることなく位置合せを
行うことができる。
また、本発明によれば、第1の物体と第2の物体との
間のギャップ値が所定の値に設定されていなくても、こ
のギャップ値の影響を受けることなく第1の物体と第2
の物体との間の対向面に沿う方向の位置合せを精度良く
行うことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、この発明の第1の実施例に基づく、マスクと
ウェハとを位置合せする装置を模式的に示す図、 第2図は、第1図に示される装置において、マスクとウ
ェハとの各々に形成された第1及び第2の回折格子を示
す平面図、 第3図は、マスクとウェハとの各々の回折格子により回
折された回折光のパターンを示す斜視図、 第4図は、この発明の第1の実施例に基づく装置により
検出された、回折光の強度と、マスクとウェハとの位置
ずれ量との関係を示すグラフ、 第5図は、この発明に基づく、回折の原理を示す図であ
って、1次元の回折格子により回折された回折光のパタ
ーンを示す図、 第6図は、この発明に基づく、回折の原理を示す図であ
って、入射光がマスクの第1の回折格子→ウェハの第2
の回折格子→マスクの第1の回折格子により回折される
場合の光学モデルと等価の光学モデルを模式的に示す
図、 第7図は、この発明の第2の実施例に基づく、マスクと
ウェハとを位置合せする装置を模式的に示す図、 第8図は、第7図に示される装置に使用される2組の第
1及び第2の回折格子を示す平面図、 第9図及び第10図は、第7図に示す装置により検出され
た、回折光の強度と、マスクとウェハとの位置ずれ量と
の関係を示すグラフ、 第11図は、この発明の第2の実施例の変形例に基づく、
マスクとウェハとを位置合せする装置を模式的に示す
図、 第12図は、この発明の第3の実施例に基づく、マスクと
ウェハとの各々の回折格子により回折された回折光のパ
ターンを示す斜視図である。 13……第1の物体(マスク)、12……第2の物体(ウェ
ハ)、15……第1の回折格子、16……第2の回折格子、
17……光源(レーザ)、19……検出手段(ミラー)、26
……検出手段(光電検出器)、20……位置調整手段(信
号処理回路)、22……位置調整手段(モータ)、23……
位置調整手段(モータ駆動回路)、101……第1の仮想
面、102……第2の仮想面、103……第3の仮想面、104
……入射光の光軸。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 増山 正幸 東京都板橋区蓮沼町75番1号 東京光学機 械株式会社内 (56)参考文献 特開 昭62−188317(JP,A)

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】第1の回折格子が設けられた第1の物体
    と、この第1の物体に対向して配置され第2の回折格子
    が設けられた第2の物体に対して、光源から照射された
    光を前記第1もしくは第2の回折格子の一方に入射さ
    せ、前記一方の回折格子で回折した回折光が他方の回折
    格子に入射して回折した後の回折光のうちの所定の回折
    光を位置合せ用の回折光として受光し、この位置合せ用
    の回折光に基づいて前記第1の物体と第2の物体との相
    対位置を調整して位置合せを行う位置合せ方法におい
    て、 前記第1の回折格子として位置合せ方向と直交する方向
    に延出した複数の平行なストライプパターンを有する1
    次元回折格子を用い、前記第2の回折格子として市松状
    のパターンを有する二次元回折格子を用いることを特徴
    とする位置合せ方法。
  2. 【請求項2】前記光源からの光を前記第1の回折格子に
    入射させ、該第1の回折格子で透過回折した回折光が前
    記第2の回折格子に入射して該第2の回折格子で反射回
    折し、その後再び前記第1の回折格子に入射して該第1
    の回折格子で透過回折した回折光のうちの所定の回折光
    を位置合せ用の回折光として受光することを特徴とする
    特許請求の範囲第1項記載の位置合せ方法。
  3. 【請求項3】前記第1の物体はマスクであり、前記第2
    の物体はウェハであることを特徴とする特許請求の範囲
    第1項記載の位置合せ方法。
  4. 【請求項4】前記第1の回折格子のストライプの方向に
    直交する第1の仮想面と、この第1の仮想面に対して前
    記ストライプの方向に所定角度(α)傾斜した第2の仮
    想面と、前記第1の仮想面を基準として前記第2の仮想
    面に対称な第3の仮想面とを規定したとき、前記光源か
    ら第1もしくは第2の回折格子に入射される光の光軸
    を、前記第2の仮想面に沿う方向に設定し、前記第3の
    仮想面以外の方向に沿って回折した回折光を位置合せ用
    の光として受光することを特徴とする特許請求の範囲第
    1項記載の位置合せ方法。
  5. 【請求項5】前記位置合せ用の回折光は、(0,±1)次
    光であることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の
    位置合せ方法。
  6. 【請求項6】前記第1の回折格子と前記第2の回折格子
    とが、2組設けられていることを特徴とする特許請求の
    範囲第1項記載の位置合せ方法。
  7. 【請求項7】2つの前記第2の回折格子の位置合せ方向
    と直交する方向の格子ピッチを異ならせることにより、
    一方の組の第1および第2の回折格子から回折された一
    方の位置合せ用の回折光と、他方の組の第1および第2
    の回折格子から回折された他方の位置合せ用の回折光と
    がそれぞれ方向が異なって現出し、これらの位置合せ用
    の回折光が別々に受光されることを特徴とする特許請求
    の範囲第6項記載の位置合せ方法。
  8. 【請求項8】前記所定の角度(α)をゼロに設定するこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第4項記載の位置合せ方
    法。
JP62145728A 1986-06-11 1987-06-11 位置合せ方法 Expired - Lifetime JPH083404B2 (ja)

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