JP2869143B2

JP2869143B2 - 基板の傾斜検出装置

Info

Publication number: JP2869143B2
Application number: JP2129111A
Authority: JP
Inventors: 正孝芝; 実吉田; 晃稲垣; 康夫日良; 秀己佐藤
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1990-05-21
Filing date: 1990-05-21
Publication date: 1999-03-10
Anticipated expiration: 2014-03-10
Also published as: JPH0424505A

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］本発明は、半導体露光装置等に使用されるウエハ等の
基板の傾斜を検出する装置に係わり、特に、小形の装置
で高精度に傾斜を検出をするのに好適な基板の傾斜検出
装置に関する。

［従来の技術］半導体の高集積化に伴い、露光装置の解像度向上の要
求は、露光光がｇ線からｉ線に、さらにエキシマレーザ
光へと短い波長の光を用いるようになってきており、一
方、投影レンズ（縮小レンズ）も開口数（NA）の大きい
ものを使用するようになってきているため、ステッパ等
露光装置の焦点深度をますます浅くする傾向にある。こ
のため、ウエハやレチクルの面の傾斜を高精度に補正
し、露光領域内全面にわたって縮小レンズの焦点深度内
に正確に収めることが必要になってきている。

従来の基板（本発明では傾斜の検出対象を「基板」と
いう）の傾斜検出装置として、投影レンズによる被検領
域或いは露光領域が、投影レンズの光軸に対して垂直位
置にあることを非接触で検出することができる検出装置
が提供されている（例えば、特開昭58−113706号公
報）。これを第12図を参照して照明する。図において、
１はレチクル、２は縮小レンズ（投影レンズ）、３は基
板としてのウエハで、ウエハ３は縮小レンズ２に関して
レチクル１と共役な関係に保持され、図示しない照明光
源によりレチクル１上のパターンがウエハ３に縮小投影
されるようになっている。４はウエハ３を載置するチル
トステージ、５は載置したウエハ３を任意の角度に傾斜
させるチルトステージ４とステージ６との間に設けられ
たチルト機構である。101は発光ダイオード等の何干渉
性の小さい光源、102はコンデンサーレンズ、103は微小
円形開口を有する絞り、104は照射対物レンズで、コン
デンサーレンズ102を介して絞り103に集光された光束10
0aが、照射対物レンズ104によりコリメートされてウエ
ハ３に斜め方向から照射される。100は符号101〜104か
らなる照射光学系である。201は受光対物レンズ、202は
４分割受光素子で、ウエハ３における正反射光の光束20
0aが、受光対物レンズ201を介して４分割受光素子202上
の中心付近に集光されて、絞り103の開口の共役像203を
結ぶ。200は符号201および202からなる集光光学系であ
る。110は４分割受光素子202上の集光点の変位方向およ
び量に対する制御信号を発生する制御回路、111はステ
ージ駆動回路である。

照射光学系100の光束100aの光軸と集光光学系200の光
束200aの光軸とは、縮小レンズ２の光軸2aに関して対称
に配設されており、光軸2aに対してウエハ３の露光領域
が垂直であれば、照射光学系100の光束100aは４分割受
光素子202上の中心に集光され、ウエハ３が傾斜する
と、該傾斜に伴って光束200aも傾き、共役像203の位置
が４分割受光素子202上の中心から外れるようになって
いる。この共役像203の外れた位置からウエハ３の露光
領域における傾き方向を検出し、該検出情報に基づいて
制御回路110およびステージ駆動回路111を作動してステ
ージ６上のチルト機構５を駆動し、ウエハ３の露光領域
面の傾きを補正して該露光領域面の傾斜を一定に保つよ
うにした基板の傾斜を検出する装置である。

［発明が解決しようとする課題］前記従来の傾斜検出装置は、基板の傾斜検出の感度
が、受光対物レンズ201を介して結像される絞り103の開
口の共役像203の４分割受光素子202上における位置移動
量（位置ずれ）の分解能として与えられるから、高い感
度を得るためには、絞り103の開口を小さくしたり、受
光対物レンズ201の焦点距離を長くしなければならな
い。しかし、絞り103の開口を小さくすると、４分割受
光素子202に入射する光量が低下してノイズの影響を受
け易くなり、一方、受光対物レンズ201の焦点距離を長
くした場合には、受光対物レンズ201と４分割受光素子2
02との距離がそれだけ遠く離れ、傾斜検出装置の寸法が
大型化する問題点を有していた。

本発明は、上記従来技術の問題点に鑑み、半導体露光
装置等において、基板の傾斜を小形の装置で、しかも高
精度（高感度）に検出することができる基板の傾斜検出
装置を提供することを目的とする。

［課題を解決するための手段］上記目的を達成するため、本発明の基板の傾斜検出装
置は、コリメートされたレーザ光束を形成し該形成され
たレーザ光をステージ上に載置された基板に照射する光
源と、光導波路基板上に薄膜の光導波路を形成し該光導
波路上に前記レーザ光の基板における正反射光が斜めに
入射される直線回折格子形の光結合器を設けた光導波路
素子と、該光導波路素子に入射し光結合器および光導波
路を介したレーザ光の強度を検出する光センサと、前記
光源から前記基板および光結合器を介して前記光センサ
に入射されるまでのレーザ光の光路中に設けられる光偏
向手段と、該光偏向手段により変化する光センサの出力
値より前記基板の傾斜角度の基準値に対する変化量をモ
ニタする角度検出手段とを備える構成にしたものであ
る。

そして、前記光源は、気体レーザとビームエキスパン
ダとを組み合わせた構成としても、或いは半導体レーザ
とコリメートレンズとを組み合わせた構成としてもよ
く、また、前記光源からのレーザ光は、基板に対して斜
めに照射する構成にしても、或いは基板に対して垂直に
照射する構成にしてもよい。

また、前記光偏向手段は、ガルバノミラーを使用する
か、音響光学光偏向器等の非機械的光偏向素子を使用す
るか、或いは基板を載置するステージに設けたチルト機
構であることが望ましい。

さらに、前記光導波路素子は、前記光結合器を介して
光導波路上に相対配置した電極間に直流電圧発生器によ
り直流電圧を印加した際、該印加により誘起される電気
光学効果を利用する光結合部を備えた構成にしてもよ
い。そして、光結合部は、レーザ光の光軸に直角方向に
延びた直線状のパターンを等ピッチに配置した直線回折
格子形にするとよい。また、前記光導波路素子を、前記
光導波路上に設けたくし歯状の電極に高周波の電界を印
加した際、該印加により前記電極と光導波路との間に誘
起される弾性表面波で光結合器を形成してなる光結合部
を備えた構成にしてもよい。

［作用］基板の傾斜検出装置を上記構成としたことにより、光
源よりコリメートされたレーザ光束を基板に照射し、該
基板における正反射光が、光導波路素子に設けた光結合
部に予め設定された光軸方向から入射されると、該光結
合部において最大効率の光結合が起こり、レーザ光のパ
ワーの全部、または、殆ど全部が光導波路を伝送し、伝
送したレーザ光の強度が光センサに検出される。この場
合、検出されたレーザ光の強度は、光結合部における光
結合効率に応じて変化し、光結合効率は、光結合部に入
射されるレーザ光の光軸方向（光軸の角度）により変化
するが、光結合部における光結合効率の角度選択性が極
めて高いことから、光偏向手段により光結合部に入射さ
れるレーザ光の光軸方向が僅かでも変化すると、光結合
部における光結合効率が顕著に変化し、この変化に応じ
て光センサより出力されるレーザ光の強度も変化する。
光センサの出力は、角度検出手段に入力されてモニタさ
れ、該モニタにより基準となる光軸方向における光セン
サの出力強度のときの基板の傾斜角度と前記入力された
光センサの出力強度がピーク値となる光軸方向のときの
基板の角度との変化量が明瞭に求められ、求めた変化量
より基板の傾斜を高感度で検出することができる。

上記基板の傾斜検出は、基板が半導体ウエハのよう
に、基板の傾斜検出領域内に凹凸を有するパターンが存
在し、該パターンにレーザ光が照射されて回折光が発生
するような場合であっても、光結合部における光結合効
率の角度選択性が極めて高いことから、光センサ出力強
度の低い回折光による影響を無視することができる。

また、基板の傾斜検出領域内に反り等の変形が存在し
ている場合には、光センサによる検出波形が山形の曲線
を形成し光結合部における光結合効率の角度選択性が多
少鈍くなるが、該曲線のピーク位置または重心位置を求
めることにより、基板の支配的な傾斜或いは平均的な傾
斜を、容易かつ高精度に検出することが可能である。

［実施例］以下、本発明の第１の実施例を第１図ないし第５図を
参照して説明する。第１図は基板の傾斜検出装置の構成
説明図、第２図は光導波路素子の構成説明図で、第２図
（ａ）はその平面図、第２図（ｂ）は側面図、第３図は
直線回折格子形光結合器の光結合効率の角度選択性の説
明図、第４図は作用説明図、第５図は光偏向角度と光セ
ンサ出力強度との関係説明図である。図中、第12図と同
符号のものは同じものを示す。

図において、７は光源となるHe−Neレーザ、８はHe−
Neレーザから放射されるレーザビームを拡径するビーム
エキスパンダ、９はビームエキスパンダ８より射出され
たコリメートされたレーザ光束、10はレーザ光束９を曲
げて基板３に照射させるミラー、11は本実施例における
光偏向手段であるガルバノミラーで、ウエハ３上におけ
るレーザ光束９の正反射光を光偏向し光導波路素子12に
対する入射角を変化させる。光導波路素子12は、第２図
に示すように、LiNbO₃,石英ガラスまたはSi等で形成さ
れる光導波路基板13、光導波路基板13上にイオン交換や
拡散の技術により形成された光導波路基板13と屈折率の
異なる数ミクロン程度の薄膜からなる光導波路14および
光導波路14上に設けられ前記ウエハ３上におけるレーザ
光束９の正反射光を光導波路14に入射する直線回折格子
形の光結合器15で構成されている。この場合、光結合器
15の直線回折格子は、レーザ光束９の光軸17に対して直
角方向に延びたTiO₂等の材料で形成される直線状のパタ
ーン16を等ピッチに配置した構成になっており、パター
ン16のピッチは、光導波路基板13および光導波路14の屈
折率と、入射するレーザ光束９の波長および光導波路14
への入射角とにより設定される。19は光導波路14も矢印
18の方向へ伝送されるレーザ光の強度Ｉを検出する光セ
ンサである。第１図に示す20はガルバノミラー11の光偏
向角βを制御するガルバノミラー駆動回路、21はレーザ
光の強度Ｉに応じてチルト機構５の駆動を制御するステ
ージ制御回路である。なお、ステージ制御回路21は、ガ
ルバノミラー駆動回路20に対してガルバノミラー11の偏
向角βを変化させる駆動信号を送る。

He−Neレーザ７からのレーザ光をビームエキスパンダ
８を介して拡大し、コリメートされたレーザ光束９をミ
ラー10を介してウエハ３に照射すると、ウエハ３におけ
る正反射光はガルバノミラー11を介して直線回折格子形
の光結合器15を設けた光導波路素子12に導かれ、光結合
器15において光結合を起こす。そして、光結合効率に応
じたレーザ光のパワーが、第２図に示す矢印18方向に光
導波路14を伝送し光センサ19に検出される。この場合、
ガルバノミラー11を介して光結合器15に入射するレーザ
光束９の光軸が、第２図（ｂ）に示すように予め設定さ
れた光軸17の方向である場合には、光結合器15において
最大効率の光結合が起こり、レーザ光のパワーの全部、
または殆ど全部が光導波路14を伝送し、その強度が光セ
ンサ19に検出される。しかし、光結合器15に入射するレ
ーザ光束９の光軸が、光軸17より角度θだけずれた光軸
22の場合には、光結合は起こりにくくなり光センサ19に
検出されるレーザ光の強度は急激に低くなる。第３図は
上記角度θと光結合効率Ｅ（∝Ｉ）との関係を示すもの
で、光結合効率Ｅ（∝Ｉ）の角度選択性は例えば、半値
全幅のΔθが数度/1000程度であり極めて高い角度選択
性を有している。

つぎに、上記光結合効率Ｅ（∝Ｉ）の角度選択性を利
用して行うウエハ３の傾斜検出を、第４図および第５図
を参照して説明する。また、ウエハ３が角度α傾斜して
いる状態でコリメートされたレーザ光束９を照射される
と、ウエハ３における正反射光は、前述と同様に、ガル
バノミラー11を介して光導波路素子12の直線回折格子形
の光結合器15に導かれ、光結合を起こして光導波路14を
伝送したレーザ光の強度が光センサ19に検出される。こ
の場合、光センサ19の出力強度Ｉは、ガルバノミラー11
の光偏向角βの変化に応じて変化し、第５図に示す高い
角度選択性を有する曲線23が得られる。曲線23の強度Ｉ
は、ステージ制御回路21に入力されて図示しないモニタ
装置によりモニタされ、曲線23の強度Ｉがピーク値とな
る光偏向角βのときのウエハ３の角度αと、基準となる
光偏向角βのときのウエハ３の角度α_０とから、ウエハ
３の傾きの変化量Δαを検出することができる。変化量
Δαの検出は、光結合器15の高い角度選択性により高感
度で容易に行うことができるから、ステージ制御回路21
よりステージ６を介してチルト機構５に光センサ19の出
力強度Ｉの信号をフィードバックすることにより、ウエ
ハ３の傾斜を所定の角度α_０に精度よく補正することが
できる。従って前記従来のように、受光対物レンズ201
や円形開口を有する絞り103等を用いることがなく、装
置全体を小形化することが可能になるとともに、高精度
にウエハ３の傾斜を検出することができる。

上記ウエハ３の傾斜検出は、傾斜検出領域Ａ内に凹凸
を有するパターンが存在し、該パターンにレーザ光が照
射されて回折光が発生するような場合であっても、光結
合器15における光結合効率の角度選択性が極めて高いこ
とから、回折光による影響を無視することができる効果
を有する。

また、ウエハ３の傾斜検出領域Ａ内に反り等の変形が
存在している場合には、光センサ19による検出波形が第
５図に点線で示す山形の曲線24を形成し、光結合器15に
おける光結合効率の角度選択性を多少鈍くするが、かか
る場合でも、曲線24のピーク位置または重心位置を求め
ることにより、前述と同様にウエア３の支配的な傾斜或
いは平均的な傾斜を、容易かつ高精度に検出することが
可能である。

前記構成においては、照射側にミラー10を設けたが、
これをガルバノミラー11等の光偏向器に置き換え、ウエ
ハ３における正反射光を光導波路素子12に直接導く構成
にしてもよく、また、検出感度をさらに向上させるため
に、ビームエキスパンダをガルバノミラー11等の光偏向
器の後続側に配置するとよい。

つぎに、本発明の第２の実施例を第６図ないし第８図
を参照して説明する。本実施例は光導波路素子の電気光
学効果を利用した例で、第６図は第２の実施例の構成説
明図、第７図は光導波路素子の構成説明図で、第７図
（ａ）はその平面図、第７図（ｂ）は側面図、第８図は
印加電圧と光結合器へ入射するレーザ光束の光軸の方向
との関係説明図である。図中、第１図ないし第５図と同
符号のものは同じものを示す。

図において、25は半導体レーザ、26は半導体レーザ25
より照射されるレーザ光をコリメートするコリメートレ
ンズで、本実施例においては両者の組み合わせにより光
源を形成している。30はウエハ３上におけるレーザ光束
９の正反射光が入射される光導波路素子で、光導波路素
子30は第７図に示すように、光結合器15を介して光導波
路14上に相対配置された電極32および33と、電極32,33
間に直流電圧Ｖを印加する直流電圧発生器34からなる等
ピッチの直線パターン16の直線回折格子形の光結合部31
を有しており、光結合部31は光導波路素子30上における
光偏向機能を有している。35は電極32,33間に挾まれた
領域、36は光結合部31の電圧制御を行う光結合部制御回
路である。

電極32,33間に直流電圧Ｖが印加されると、光導波路1
4のうち領域35の屈折率が変化し、光結合器15の光結合
効率が最大となる光軸17の方向、つまり光軸17と光導波
路14とのなす角度φが変化する。この場合、角度φの変
化は、第８図に示すように印加電圧Ｖの高低により直線
的に変化する。このため、レーザ光束９が光軸17に対し
て角度θだけずれた光軸37で光導波路素子30に入射され
た場合に、印加電圧Ｖを変化させて角度φを変化させな
がら光センサ19の出力強度Ｉをモニタすると、前記第５
図に示す高い角度選択性を有する曲線23と同様の信号が
得られ、前記第１の実施例におけるガルバノミラー11と
同様の光偏向機能を有せしめることができる。従って、
前記第１の実施例と同様に、ウエハ３の傾きの変化量Δ
αを検出することが可能で、ステージ制御回路21により
ウエハ３の傾斜を所定の角度αに精度よく補正すること
ができる。

上記第１および第２の各実施例は、光源からのレーザ
光束９がウエハ３に対して斜めに照射される構成にした
が、レーザ光束９をウエハ３に対して垂直に照射する構
成にしてもよく、該構成である第３の実施例を第９図に
示す。図中、第６図と同符号のものは同じものを示す。
図において、38はハーフミラーで、ハーフミラー38は半
導体レーザ25とウエハ３とを垂直に結ぶ光軸上に配設さ
れている。コリメートレンズ26を介したレーザ光束９
が、ハーフミラー38を介してウエハ３に垂直に照射さ
れ、該照射された正反射光が再びハーフミラー38を介し
て光導波路素子30に入射される構成である。光導波路素
子30に入射した後の作用は前記第２の実施例と同じであ
るが、本構成の場合は、レーザ光束９をウエハ３に対し
て斜めに照射する構成に比べて、装置を小スペースにす
ることができる効果を有する。

なお、前記各実施例において、チルト機構５のチルト
量αを直接モニタし、該モニタ信号をステージ制御回路
21に入力することにより、チルト機構５を光偏向手段と
して使用してもよい。。

つぎに、本発明の第４の実施例を第10図および第11図
を参照して説明する。本実施例は光偏向手段に非機械的
光偏向素子である音響光学偏向器を利用した例である。
第10図は光導波路素子の構成説明図で、第10図（ａ）は
その平面図、第10図（ｂ）は側面図、第11図は超音波周
波数と光結合器へ入射するレーザ光束の光軸の方向との
関係説明図である。図中、第１図ないし第９図と同符号
のものは同じものを示す。

図において、40はウエハ３上におけるレーザ光束９の
正反射光が入射される光導波路素子で、光導波路素子40
には第10図に示すように、光導波路14上に設けられたく
し歯状の電極42,電極42に接続された変調信号入力装置4
3および音響吸収材44が設けられており、電極42に変調
信号入力装置43により高周波が印加されると、電極42と
光導波路14との間の電気機械結合効果により、矢印18の
方向へ進むレーザ光束９の進行方向が同軸上にある弾性
表面波45が光導波路14上に発生する。発生した弾性表面
波45はピッチ一定の回折格子となり、音響吸収材44に至
るまでの領域に光結合部41を形成する。

前記弾性表面波45のピッチは駆動周波数ｆに依存する
ため、第11図に示すように駆動周波数ｆを変化させる
と、光結合部41の光結合効率が最大となる光軸17の方
向、つまり光軸17と光導波路14とのなす角度φが直線的
に変化する。このため、レーザ光束９が光軸17に対して
角度θだけずれた光軸37で光導波路素子40に入射された
場合、駆動周波数ｆを変化させて角度φを変化させなが
ら光センサ19の出力強度Ｉをモニタすると、前記第５図
に示す高い角度選択性を有する曲線23と同様の信号が得
られ、前記第１の実施例におけるガルバノミラー11と同
様の光偏向機能を有せしめることができる。従って、前
記第１の実施例と同様に、ウエハ３の傾きの変化量Δα
を検出することができ、ステージ制御回路21によりウエ
ハ３の傾斜を所定の角度α_０に精度よく補正することが
できる。

なお、上記各実施例においては、基板としてのウエハ
３をステッパに搭載した例について説明したが、ウエハ
３に限定されることなく他の基板であってもよく、ま
た、ステッパ以外の装置に搭載してもよいのは勿論であ
る。

［発明の効果］本発明は、以上説明したように構成されているので、
ステッパ等における基板の傾斜検出を、小形の傾斜検出
装置で、容易かつ高精度に行うことが可能になり、付随
して生産歩留まりを向上させる効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の実施例の基板の傾斜検出装置の
構成説明図、第２図は光導波路素子の構成説明図で、第
２図（ａ）はその平面図、第２図（ｂ）は側面図、第３
図は直線回折格子形光結合器の光結合効率の角度選択性
の説明図、第４図は作用説明図、第５図は光偏向角度と
光センサ出力強度との関係説明図、第６図は光導波路素
子の電気光学効果を利用した本発明の第２の実施例の構
成説明図、第７図は光導波路素子の構成説明図で、第７
図（ａ）はその平面図、第７図（ｂ）は側面図、第８図
は印加電圧と光結合器へ入射するレーザ光束の光軸の方
向との関係説明図、第９図は本発明の第３の実施例の構
成説明図、第10図は本発明の第４の実施例の音響光学偏
向器を利用した光導波路素子の構成説明図で、第10図
（ａ）はその平面図、第10図（ｂ）は側面図、第11図は
超音波周波数と光結合器へ入射するレーザ光束の光軸の
方向との関係説明図である。第12図は従来の基板の傾斜検出装置の構成例を示す図で
ある。１……レチクル、３……基板（ウエハ）、５……チルト
機構、７……光源（He−Neレーザ）、９……レーザ光
束、11……ガルバノミラー、12,30,40……光導波路素
子、14……光導波路、15……光結合器、19……光セン
サ、25……半導体レーザ、26……コリメートレンズ、3
1,41……光結合部、32,33……電極、38……ハーフミラ
ー、42……くし形電極、45……弾性表面波。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者日良康夫神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者佐藤秀己神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式会社日立製作所生産技術研究所内 (56)参考文献特開昭58−113706（ＪＰ，Ａ) 特開平１−180405（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) G01B 11/00 - 11/30 H01L 21/30

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】コリメートされたレーザ光束を形成し該形
成されたレーザ光をステージ上に載置された基板に照射
する光源と、光導波路基板上に薄膜の光導波路を形成し
該光導波路上に前記レーザ光の基板における正反射光が
斜めに入射される直線回折格子形の光結合器を設けた光
導波路素子と、該光導波路素子に入射し光結合器および
光導波路を介したレーザ光の強度を検出する光センサ
と、前記光源から前記基板および光結合器を介して前記
光センサに入射されるまでのレーザ光の光路中に設けら
れる光偏向手段と、該光偏向手段により変化する光セン
サの出力値より前記基板の傾斜角度の基準値に対する変
化量をモニタする角度検出手段とを備えたことを特徴と
する基板の傾斜検出装置。
【請求項２】前記光源が、気体レーザとビームエキスパ
ンダとを組み合わせた構成である請求項１記載の基板の
傾斜検出装置。
【請求項３】前記光源が、半導体レーザとコリメートレ
ンズとを組み合わせた構成である請求項１記載の基板の
傾斜検出装置。
【請求項４】前記光源からのレーザ光が、基板に対して
斜めに照射される構成にした請求項1,2または３記載の
基板の傾斜検出装置。
【請求項５】前記光源からのレーザ光が、基板に対して
垂直に照射される構成にした請求項1,2または３記載の
基板の傾斜検出装置。
【請求項６】前記光偏向手段が、ガルバノミラーである
請求項１または４記載の基板の傾斜検出装置。
【請求項７】前記光偏向手段が、音響光学光偏向器等の
非機械的光偏向素子である請求項1,4または５記載の基
板の傾斜検出装置。
【請求項８】前記光偏向手段が、基板を載置するステー
ジに設けたチルト機構である請求項1,4または５記載の
基板の傾斜検出装置。
【請求項９】前記光導波路素子が、前記光結合器を介し
て光導波路上に相対配置した電極間に直流電圧発生器に
より直流電圧を印加した際、該印加により誘起される電
気光学効果を利用する光結合部を備えた構成である請求
項1,4または５記載の基板の傾斜検出装置。
【請求項１０】前記光結合器が、レーザ光の光軸に直角
方向に延びた直線状のパターンを等ピッチに配置した直
線回折格子形である請求項１または９記載の基板の傾斜
検出装置。
【請求項１１】前記光導波路素子が、前記光導波路上に
設けたくし歯状の電極に高周波の電界を印加した際、該
印加により前記電極と光導波路との間に誘起される弾性
表面波で光結合器を形成してなる光結合部を備えた構成
である請求項1,4または５記載の基板の傾斜検出装置。