JPH0424505A - 基板の傾斜検出装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ 本発明は、半導体露光装置等に使用されるウェハ等の基
板の傾斜を検出する装置に係わり、特に、小形の装置で
高精度に傾斜を検出をするのに好適な基板の傾斜検出装
置に関する。

［従来の技術］ 半導体の高集積化に伴い、露光装置の解像度向上の要求
は、露光光がｇＩ！からｉ線に、さらにエキシマレーザ
光へと短い波長の光を用いるようになってきており、一
方、投影レンズ（縮小レンズ）も開口数（ＮＡ）の大き
いものを使用するようになってきているため、ステッパ
等露光装置の焦点深度をますます浅くする傾向にある。

このため、ウェハやレチクルの面の傾斜を高精度に補正
し、露光領域内全面にわたって縮小レンズの焦点深度内
に正確に収めることが必要になってきている。

従来の基板（本発明では傾斜の検出対象を「基板」とい
う）の傾斜検出装置として、投影レンズによる被検領域
或いは露光領域が、投影レンズの光軸に対して垂直位置
にあることを非接触で検出することができる検出装置が
提供されている（例えば、特開昭５８−１１３７０６号
公報）。これを第１２図を参照して説明する。図におい
て、１はレチクル、２は縮小レンズ（投影レンズ）、３
は基板としてのウェハで、ウェハ３は縮小レンズ２に関
してレチクル１と共役な関係に保持され、図示しない照
明光源によりレチクル１上のパターンがウェハ３に縮小
投影されるようになっている。

４はウェハ３を載置するチルトステージ、５は載置した
ウェハ３を任意の角度に傾斜させるチルトステージ４と
ステージ６との間に設けられたチルト機構である。１０
１は発光ダイオード等の可干渉性の小さい光源、１０２
はコンデンサーレンズ、１０３は微小円形開口を有する
絞り、１０４は照射対物レンズで、コンデンサーレンズ
１０２を介して絞り１０３に集光された光束１００ａが
、照射対物レンズ１０４によりコリメートされてウェハ
３に斜め方向から照射される。１００は符号１０１〜１
０４からなる照射光学系である。２０１は受光対物レン
ズ、２０２は４分割受光素子で、ウェハ３における正反
射光の光束２００ａが、受光対物レンズ２０１を介して
４分割受光素子２０２上の中心付近に集光されて、絞り
１０３の開口の共役像２０３を結ぶ。２００は符号２０
１および２０２からなる集光光学系である。１１０は４
分割受光素子２０２上の集光点の変位方向および量に対
する制御信号を発生する制御回路、１１１はステージ駆
動回路である。

照射光学系１００の光束１００ａの光軸と集光光学系２
００の光束２００ａの光軸とは、縮小レンズ２の光軸２
ａに関して対称に配設されており、光軸２ａに対してウ
ェハ３の露光領域が垂直であれば、照射光学系１００の
光束１００ａは４分割受光素子２０２上の中心に集光さ
れ、ウェハ３が傾斜すると、該傾斜に伴って光束２００
ａも傾き、共役像２０３の位置が４分割受光素子２０２
上の中心から外れるようになっている。この共役像２０
３の外れた位置からウェハ３の露光領域における傾き方
向を検出し、該検出情報に基づいて制御回路１１０およ
びステージ駆動回路１１１を作動してステージ６上のチ
ルト機構５を駆動し、ウェハ３の露光領域面の傾きを補
正して該露光領域面の傾斜を一定に保つようにした基板
の傾斜を検出する装置である。

［発明が解決しようとする課題］ 前記従来の傾斜検出装置は、基板の傾斜検出の感度が、
受光対物レンズ２０１を介して結像される絞り１０３の
開口の共役像２０３の４分割受光素子２０２上における
位置移動量（位置ずれ）の分解能として与えられるから
、高い感度を得るためには、絞り１０３の開口を小さく
したり、受光対物レンズ２０１の焦点距離を長くしなけ
ればならない。しかし、絞り１０３の開口を小さくする
と、４分割受光素子２０２に入射する光量が低下してノ
イズの影響を受は易くなり、一方、受光対物レンズ２０
１の焦点距離を長くした場合には、受光対物レンズ２０
１と４分割受光素子２０２との距離がそれだけ遠く離れ
、傾斜検出装置の寸法が大型化する問題点を有していた
。

本発明は、上記従来技術の問題点に鑑み、半導体露光装
置等において、基板の傾斜を小形の装置で、しかも高精
度（高感度）に検出することができる基板の傾斜検出装
置を提供することを目的とする。

［課題を解決するための手段］ 上記目的を達成するため、本発明の基板の傾斜検出装置
は、コリメートされたレーザ光束を形成し該形成された
レーザ光をステージ上に載置された基板に照射する光源
と、光導波路基板上に薄膜の光導波路を形成し該光導波
路上に前記レーザ光の基板における正反射光が斜めに入
射される直線回折格子形の光結合器を設けた光導波路素
子と、該光導波路素子に入射し光結合器および光導波路
を介したレーザ光の強度を検出する光センサと、前記光
源から前記基板および光結合器を介して前記光センサに
入射されるまでのレーザ光の光感中に設けられる光偏向
手段と、該光偏向手段により変化する光センサの出力値
より前記基板の傾斜角度の基準値に対する変化量をモニ
タする角度検出手段とを備える構成にしたものである。

そして、前記光源は、気体レーザとビームエキスパンダ
とを組み合わせた構成としても、或いは半導体レーザと
コリメートレンズとを組み合わせた構成としてもよく、
また、前記光源からのレーザ光は、基板に対して斜めに
照射する構成にしても、或いは基板に対して垂直に照射
する構成にしてもよい。

また、前記光偏向手段は、ガルバノミラ−を使用するか
、音響光学光偏向器等の非機械的光偏向素子を使用する
か、或いは基板を載置するステージに設けたチルト機構
であることが望ましい。

さらに、前記光導波路素子は、前記光結合器を介して光
導波路上に相対配置した電極間に直流電圧発生器により
直流電圧を印加した際、該印加により誘起される電気光
学効果を利用する光結合部を備えた構成にしてもよい。

そして、光結合部は、レーザ光の光軸に直角方向に延び
た直線状のパターンを等ピッチに配置した直線回折格子
形にするとよい。また、前記光導波路素子を、前記光導
波路上に設けたくし歯状の電極に高周波の電界を印加し
た際、該印加により前記電極と光導波路との間に誘起さ
れる弾性表面波で光結合器を形成してなる光結合部を備
えた構成にしてもよい。

［作用コ 基板の傾斜検出装置を上記構成としたことにより、光源
よりコリメートされたレーザ光束を基板に照射し、該基
板における正反射光が、光導波路素子に設けた光結合部
に予め設定された光軸方向から入射されると、該光結合
部において最大効率の光結合が起こり、レーザ光のパワ
ーの全部、または、殆ど全部が光導波路を伝送し、伝送
したレーザ光の強度が光センサに検出される。この場合
、検出されたレーザ光の強度は、光結合部における光結
合効率に応じて変化し、光結合効率は、光結合部に入射
されるレーザ光の光軸方向（光軸の角度）により変化す
るが、光結合部における光結合効率の角度選択性が極め
て高いことから、光偏向手段により光結合部に入射され
るレーザ光の光軸方向が僅かでも変化すると、光結合部
における光結合効率が顕著に変化し、この変化に応じて
光センサより出力されるレーザ光の強度も変化する。

光センサの出力は、角度検出手段に入力されてモータさ
れ、該モニタにより基準となる光軸方向における光セン
サの出力強度のときの基板の傾斜角度と前記入力された
光センサの出力強度がピーク値となる光軸方向のときの
基板の角度との変化量が明瞭に求められ、求めた変化量
より基板の傾斜を高感度で検出することができる。

上記基板の傾斜検出は、基板が半導体ウェハのように、
基板の傾斜検出領域内に凹凸を有するパターンが存在し
、該パターンにレーザ光が照射されて回折光が発生する
ような場合であっても、光結合部における光結合効率の
角度選択性が極めて高いことから、光センサ出力強度の
低い回折光による影響を無視することができる。

また、基板の傾斜検出領域内に反り等の変形が存在して
いる場合には、光センサによる検出波形が山形の曲線を
形成し光結合部における光結合効率の角度選択性が多少
鈍くなるが、該曲線のピーク位置または重心位置を求め
ることにより、基板の支配的な傾斜或いは平均的な傾斜
を、容易かつ高精度に検出することが可能である。

［実施例］ 以下、本発明の第１の実施例を第１図ないし第５図を参
照して説明する。第１図は基板の傾斜検出装置の構成説
明図、第２図は光導波路素子の構成説明図で、第２図（
ａ）はその平面図、第２図（ｂ）は側面図、第３図は直
線回折格子形光結合器の光結合効率の角度選択性の説明
図、第４図は作用説明図、第５図は光偏向角度と光セン
サ出力強度との関係説明図である。図中、第１２図と同
符号のものは同じものを示す。

図において、７は光源となるＨｅ−Ｎｅレーザ、８はＨ
ｅ−Ｎｅレーザから放射されるレーザビームを拡径する
ビームエキスパンダ、９はビームエキスパンダ８より射
出されたコリメートされたレーザ光束、１０はレーザ光
束９を曲げて基板３に照射させるミラー、１１は本実施
例における光偏向手段であるガルバノミラ−で、ウェハ
３上におけるレーザ光束９の正反射光を光偏向し光導波
路素子１２に対する入射角を変化させる。光導波路素子
１２は、第２図に示すように、ＬｉＮｂＯ２゜石英ガラ
スまたはＳｉ等で形成される光導波路基板１３、光導波
路基板１３上にイオン交換や拡散の技術により形成され
た光導波路基板１３と屈折率の異なる数ミクロン程度の
薄膜からなる光導波路１４および光導波路１４上に設け
られ前記ウェハ３上におけるレーザ光束９の正反射光を
光導波路１４に入射する直線回折格子形の光結合器１５
で構成されている。この場合、光結合器１５の直線回折
格子は、レーザ光束９の光軸１７に対して直角方向に延
びたＴｉＯ２等の材料で形成される直線状のパターン１
６を等ピッチに配置した構成になっており、パターン１
６のピッチは、光導波路基板１３および光導波路１４の
屈折率と、入射するレーザ光束９の波長および光導波路
１４への入射角とにより設定される。１９は光導波路１
４を矢印１８の方向へ伝送されるレーザ光の強度■を検
出する光センサである。第１図に示す２０はガルバノミ
ラ−１１の光偏向角βを制御するガルバノミラ−駆動回
路、２１はレーザ光の強度Ｉに応じてチルト機構５の駆
動を制御するステージ制御回路である。なお、ステージ
制御回路２１は、ガルバノミラ−駆動回路２０に対して
ガルバノミラ−１１の偏向角βを変化させる駆動信号を
送る。

Ｈｅ−Ｎｅレーザ７からのレーザ光をビームエキスパン
ダ８を介して拡大し、コリメートされたレーザ光束９を
ミラー１０を介してウェハ３に照射すると、ウェハ３に
おける正反射光はガルバノミラ−１１を介して直線回折
格子形の光結合器１５を設けた光導波路素子１２に導か
れ、光結合器１５において光結合を起こす。そして、光
結合効率に応じたレーザ光のパワーが、第２図に示す矢
印１８方向に光導波路１４を伝送し光センサ１９に検出
される。この場合、ガルバノミラ−１１を介して光結合
器１５に入射するレーザ光束９の光軸が、第２図（ｂ）
に示すように予め設定された光軸１７の方向である場合
には、光結合器１５において最大効率の光結合が起こり
、レーザ光のパワーの全部、または殆ど全部が光導波路
１４を伝送し、その強度が光センサ１９に検出される。

しかし、光結合器１５に入射するレーザ光束９の光軸が
、光軸１７より角度θだけずれた光軸２２の場合には、
光結合は起こりにくくなり光センサユ９に検出されるレ
ーザ光の強度は急激に低くなる。

第３図は上記角度θと光結合効率Ｅ（ＣｅＩ）との関係
を示すもので、光結合効率Ｅ（ｏ：Ｉ）の角度選択性は
例えば、半値全幅のΔθが数度／１０００程度であり極
めて高い角度選択性を有している。

つぎに、上記光結合効率Ｅ（ＣＣＩ）の角度選択性を利
用して行うウェハ３の傾斜検出を、第４図および第５図
を参照して説明する。いま、ウェハ３が角度α傾斜して
いる状態でコリメートされたレーザ光束９を照射される
と、ウェハ３における正反射光は、前述と同様に、ガル
バノミラ−１１を介して光導波路素子１２の直線回折格
子形の光結合器］６５に導かれ、光結合を起こして光導
波路１４を伝送したレーザ光の強度が光センサ１９に検
出される。この場合、光センサ１９の出力強度■は、ガ
ルバノミラ−１１の光偏向角βの変化に応じて変化し、
第５図に示す高い角度選択性を有する曲線２３が得られ
る。曲ｌｌＡ２３の強度■は、ステージ制御回路２１に
入力されて図示しないモニタ装置によりモニタされ、曲
線２３の強度Ｊがピーク値となる光偏向角βのときのウ
ェハ３の角度αと、基準となる光偏向角βのときのウェ
ハ３の角度α。とから、ウェハ３の傾きの変化量Δαを
検出することができる。変化量△αの検出は、光結合器
１５の高い角度選択性により高感度で容易に行うことが
できるから、ステージ制御回路２１よりステージ６を介
してチルト機構５に光センサ１９の出力強度工の信号を
フィードバックすることにより、ウェハ３の傾斜を所定
の角度α。に精度よく補正することができる。従って前
記従来のように、受光対物レンズ２０１や円形開口を有
する絞り１０３等を用いることがなく、装置全体を小形
化することが可能になるとともに、高精度にウェハ３の
傾斜を検出することができる。

上記ウェハ３の傾斜検出は、傾斜検出領域Ａ内に凹凸を
有するパターンが存在し、該パターンにレーザ光が照射
されて回折光が発生するような場合であっても、光結合
器１５における光結合効率の角度選択性が極めて高いこ
とから、回折光による影響を無視することができる効果
を有する、また、ウェハ３の傾斜検出領域Ａ内に反り等
の変形が存在している場合には、光センサ１９による検
出波形が第５図に点線で示す山形の曲４！２４を形成し
、光結合器１５における光結合効率の角度選択性を多少
鈍くするが、かかる場合でも、曲線２４のピーク位置ま
たは重心位置を求めることにより、前述と同様にウェハ
３の支配的な傾斜或いは平均的な傾斜を、容易かつ高精
度に検出することが可能である。

前記構成においては、照射側にミラー１ｏを設けたが、
これをガルバノミラ−１１等の光偏向器に置き換え、ウ
ェハ３における正反射光を光導波路素子１２に直接導く
構成にしてもよく、また、検出感度をさらに向上させる
ために、ビームエキスパンダをガルバノミラ−１１等の
光偏向器の後続側に配置するとよい。

つぎに、本発明の第２の実施例を第６図ないし第８図を
参照して説明する。本実施例は光導波路素子の電気光学
効果を利用した例で、第６図は第２の実施例の構成説明
図、第７図は光導波路素子の構成説明図で、第７図（ａ
）はその平面図、第７図（ｂ）は側面図、第８図は印加
電圧と光結合器へ入射するレーザ光束の光軸の方向との
関係説明図である。図中、第１図ないし第５図と同符号
のものは同しものを示す。

図において、２５は半導体レーザ、２６は半導体レーザ
２５より照射されるレーザ光をコリメートするコリメー
トレンズで、本実施例においては両者の組み合わせによ
り光源を形成している。３０はウェハ３上におけるレー
ザ光束９の正反射光が入射される光導波路素子で、光導
波路素子３０は第７図に示すように、光結合器１５を介
して光導波路１４上に相対配置された電極３２および３
３と、電極３２．３３間に直流電圧■を印加する直流電
圧発生器３４からなる等ピッチの直線パターン１６の直
線回折格子形の光結合部３１を有しており、光結合部３
１は光導波路素子３ｏ上における光偏向機能を有してい
る。３５は電極３２゜３３間に挾まれた領域、３６は光
結合部３１の電圧制御を行う光結合部制御回路である。

電極３２．３３間に直流電圧Ｖが印加されると、光導波
路１４のうち領域３５の屈折率が変化し、光結合器１５
の光結合効率が最大となる光軸１７の方向、つまり光軸
１７と光導波路１４とのなす角度φが変化する。この場
合、角度φの変化は、第８図に示すように印加電圧■の
高低により直線的に変化する。このため、レーザ光束９
が光軸１７に対して角度θだけずれた光軸３７で光導波
路素子３０に入射された場合に、印加電圧■を変化させ
て角度φを変化させながら光センサ１９の出力強度工を
モニタすると、前記第５図に示す高い角度選択性を有す
る曲線２３と同様の信号が得られ、前記第１の実施例に
おけるガルバノミラ−１１と同様の光偏向機能を有せし
めることができる。

従って、前記第１の実施例と同様に、ウェハ３の傾きの
変化量Δαを検出することが可能で、ステージ制御回路
２１によりウェハ３の傾斜を所定の角度αに精度よく補
正することができる。

上記第１および第２の各実施例は、光源からのレーザ光
束９がウェハ３に対して斜めに照射される構成にしたが
、レーザ光束９をウェハ３に対して垂直に照射する構成
にしてもよく、該構成である第３の実施例を第９図に示
す。図中、第６図と同符号のものは同じものを示す。図
において、３８はハーフミラ−で、ハーフミラ−３８は
半導体レーザ２５とウェハ３とを垂直に結ぶ光軸上に配
設されている。コリメートレンズ２６を介したレーザ光
束９が、ハーフミラ−３８を介してウェハ３に垂直に照
射され、該照射された正反射光が再びハーフミラ−３８
を介して光導波路素子３０に入射される構成である。光
導波路素子３０に入射した後の作用は前記第２の実施例
と同じであるが、本構成の場合は、レーザ光束９をウェ
ハ３に対して斜めに照射する構成に比べて、装置をホス
ペースにすることができる効果を有する。

なお、前記各実施例において、チルト機構５のチルト量
αを直接モニタし、該モニタ信号をステージ制御回路２
１に入力することにより、チルト機構５を光偏向手段と
して使用してもよい。

つぎに、本発明の第４の実施例を第１０図および第１１
図を参照して説明する。本実施例は光偏向手段に非機械
的光偏向素子である音響光学偏向器を利用した例である
。第１０図は光導波路素子の構成説明図で、第１０図（
ａ）はその平面図、第１０図（ｂ）は側面図、第１１図
は超音波周波数と光結合器へ入射するレーザ光束の光軸
の方向との関係説明図である。図中、第１図ないし第９
図と同符号のものは同じものを示す。

図において、４０はウェハ３上におけるレーザ光束９の
正反射光が入射される光導波路素子で、光導波路素子４
０には第１０図に示すように、光導波路１４上に設けら
れたくし歯状の電極４２゜電極４２に接続された変調信
号入力装置４３および音響吸収材４４が設けられており
、電極４２に変調信号入力装置４３により高周波が印加
されると、電極４２と光導波路１４との間の電気機械結
合効果により、矢印１８の方向へ進むレーザ光束９と進
行方向が同軸上にある弾性表面波４５が光導波路１４上
に発生する。発生した弾性表面波４５はピッチ一定の回
折格子となり、音響吸収材４４に至るまでの領域に光結
合部４１を形成する。

前記弾性表面波４５のピッチは駆動周波数ｆに依存する
ため、第１１図に示すように駆動周波数ｆを変化させる
と、光結合部４１の光結合効率が最大となる光軸１７の
方向、つまり光軸１７と光導波路１４とのなす角度φが
直線的に変化する。

このため、レーザ光束９が光軸１７に対して角度θだけ
ずれた光軸３７で光導波路素子４０に入射された場合、
輛動周波数ｆを変化させて角度φを変化させながら光セ
ンサ１９の出力強度■をモニタすると、前記第５図に示
す高い角度選択性を有する曲線２３と同様の信号が得ら
れ、前記第１の実施例におけるガルバノミラ−１１と同
様の光偏向機能を有せしめることができる。従って、前
記第１の実施例と同様に、ウェハ３の傾きの変化量Δα
を検出することができ、ステージ制御回路２１によりウ
ェハ３の傾斜を所定の角度α。に精度よく補正する二と
ができる。

なお、上記各実施例においては、基板としてのウェハ３
をステッパに搭載した例について説明したが、ウェハ３
に限定されることなく他の基板であってもよく、また、
ステッパ以外の装置に搭載してもよいのは勿論である。

［発明の効果コ 本発明は、以上説明したように構成されているので、ス
テッパ等における基板の傾斜検出を、小形の傾斜検出装
置で、容易かつ高精度に行うことが可能になり、付随し
て生産歩留まりを向上させる効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の実施例の基板の傾斜検出装置の
構成説明図、第２図は光導波路素子の構成説明図で、第
２図（ａ）はその平面図、第２＠（ｂ）は側面図、第３
図は直線回折格子形光結合器の光結合効率の角度選択性
の説明図、第４図は作用説明図、第５図は光偏向角度と
光センサ出力強度との関係説明図、第６図は光導波路素
子の電気光学効果を利用した本発明の第２の実施例の構
成説明図、第７図は光導波路素子の構成説明図で、第７
図（ａ）はその平面図、第７図（ｂ）は側面図、第８図
は印加電圧と光結合器へ入射するレーザ光束の光軸の方
向との関係説明図、第９図は本発明の第３の実施例の構
成説明図、第１０図は本発明の第４の実施例の音響光学
偏向器を利用した光導波路素子の構成説明図で、第１０
図（ａ）はその平面図、第１０図（ｂ）は側面図、第１
１図は超音波周波数と光結合器へ入射するレーザ光束の
光軸の方向との関係説明図である。 第１２図は従来の基板の傾斜検出装置の構成例を示す図
である。 １・・・レチクル、３・・・基板（ウェハ）、５・・チ
ルト機構、７・・・光源（Ｈｅ−Ｎｅレーザ）、９　レ
ーザ光束、１１・・・ガルバノミラ−１１２，３０゜４
０・・・光導波路素子、１４・・光導波路、１５・光結
合器、１９・・・光センサ、２５・・・半導体レーザ、
２６・・コリメートレンズ、３１．４１・光結合部、３
２．３３・・・電極、３８・・・ハーフミラ−５４２く
し形電極、４５・・弾性表面波。 代理人弁理士　　秋　　本　　正　　実弟 ブ 図 ９−Ｌ−’７光東 図 １２−尤導漬路膚ｊ ブ４６．−光導５ｊｌｌｌｈ ブ５　−−−プ＝奪舌′（渣り醋１ １９〜尤センサ 第 図 １ｉ５図 嬉 図 賠 図 ｆ 第８図 第９ 図 ３８−一一ハーフミラー 第１０図 第　１１ 図 第１２図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、コリメートされたレーザ光束を形成し該形成された
   レーザ光をステージ上に載置された基板に照射する光源
   と、光導波路基板上に薄膜の光導波路を形成し該光導波
   路上に前記レーザ光の基板における正反射光が斜めに入
   射される直線回折格子形の光結合器を設けた光導波路素
   子と、該光導波路素子に入射し光結合器および光導波路
   を介したレーザ光の強度を検出する光センサと、前記光
   源から前記基板および光結合器を介して前記光センサに
   入射されるまでのレーザ光の光路中に設けられる光偏向
   手段と、該光偏向手段により変化する光センサの出力値
   より前記基板の傾斜角度の基準値に対する変化量をモニ
   タする角度検出手段とを備えたことを特徴とする基板の
   傾斜検出装置。 ２、前記光源が、気体レーザとビームエキスパンダとを
   組み合わせた構成である請求項１記載の基板の傾斜検出
   装置。 ３、前記光源が、半導体レーザとコリメートレンズとを
   組み合わせた構成である請求項１記載の基板の傾斜検出
   装置。 ４、前記光源からのレーザ光が、基板に対して斜めに照
   射される構成にした請求項１、２または３記載の基板の
   傾斜検出装置。 ５、前記光源からのレーザ光が、基板に対して垂直に照
   射される構成にした請求項１、２または３記載の基板の
   傾斜検出装置。 ６、前記光偏向手段が、ガルバノミラーである請求項１
   または４記載の基板の傾斜検出装置。 ７、前記光偏向手段が、音響光学光偏向器等の非機械的
   光偏向素子である請求項１、４または５記載の基板の傾
   斜検出装置。 ８、前記光偏向手段が、基板を載置するステージに設け
   たチルト機構である請求項１、４または５記載の基板の
   傾斜検出装置。 ９、前記光導波路素子が、前記光結合器を介して光導波
   路上に相対配置した電極間に直流電圧発生器により直流
   電圧を印加した際、該印加により誘起される電気光学効
   果を利用する光結合部を備えた構成である請求項１、４
   または５記載の基板の傾斜検出装置。 １０、前記光結合器が、レーザ光の光軸に直角方向に延
   びた直線状のパターンを等ピッチに配置した直線回折格
   子形である請求項１または９記載の基板の傾斜検出装置
   。 １１、前記光導波路素子が、前記光導波路上に設けたく
   し歯状の電極に高周波の電界を印加した際、該印加によ
   り前記電極と光導波路との間に誘起される弾性表面波で
   光結合器を形成してなる光結合部を備えた構成である請
   求項１、４または５記載の基板の傾斜検出装置。