JPS60173835A - 回折格子によるギヤツプ制御法 - Google Patents
回折格子によるギヤツプ制御法Info
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- JPS60173835A JPS60173835A JP59014692A JP1469284A JPS60173835A JP S60173835 A JPS60173835 A JP S60173835A JP 59014692 A JP59014692 A JP 59014692A JP 1469284 A JP1469284 A JP 1469284A JP S60173835 A JPS60173835 A JP S60173835A
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、半導体ＩＣ−？ＬＳＩ を製造するための露
光装置やバタン評価装置に利用されるギャップ制御法に
関するものでおる。
光装置やバタン評価装置に利用されるギャップ制御法に
関するものでおる。
従来、半導体ＩＣ−？ＬＳＩを製造するだめのＸ線露光
装置には、マスクとウェハ間のギャップを高精度に設定
することが要求され、その方法として２重焦点レンズに
よる方法が利用されてきた。
装置には、マスクとウェハ間のギャップを高精度に設定
することが要求され、その方法として２重焦点レンズに
よる方法が利用されてきた。
これは、第１図に示すように２重焦点レンズ１の第１焦
点をウェハ２上に作製されたウェハマーク３に、第２焦
点をマスク４上に作製されたマスクマーク５に合せるこ
とによって、マスク４とウェハ２との間のギャップを設
定する方法である。
点をウェハ２上に作製されたウェハマーク３に、第２焦
点をマスク４上に作製されたマスクマーク５に合せるこ
とによって、マスク４とウェハ２との間のギャップを設
定する方法である。
しかし、このギャップ設定法では、２重焦点レンズに１
μｍ程度の焦点深度があり、この深度を１μｍ以下にす
ることはきわめてむずかしいため、高精度のギャップ設
定は行えない欠点があった。
μｍ程度の焦点深度があり、この深度を１μｍ以下にす
ることはきわめてむずかしいため、高精度のギャップ設
定は行えない欠点があった。
また、レンズ口径は無限に小さくすることはできないた
め、ステップ・アンド、レピート方式によって露光領域
が小さくなると、露光領域から離れたギャップ設定用マ
ークを利用せざるを得ない。
め、ステップ・アンド、レピート方式によって露光領域
が小さくなると、露光領域から離れたギャップ設定用マ
ークを利用せざるを得ない。
このためウェハの周辺まで露光することができず、露光
領域が小さいという欠点があった。
領域が小さいという欠点があった。
本発明はこのよう々事情に鑑みてなされたもので、その
目的は、きわめて容易に高精度のギャップ制御を行なう
ことを可能にした回折格子によるギャップ制御法を提供
することにある。
目的は、きわめて容易に高精度のギャップ制御を行なう
ことを可能にした回折格子によるギャップ制御法を提供
することにある。
このような目的を達成するために、本発明は、ギャップ
制御すべき第１の物体に回折格子を、第２の物体に反射
面を設け、これら回折格子および反射面で回折・反射さ
れた回折光の強度から両物体間のギャップを検出するよ
うにしたものである。
制御すべき第１の物体に回折格子を、第２の物体に反射
面を設け、これら回折格子および反射面で回折・反射さ
れた回折光の強度から両物体間のギャップを検出するよ
うにしたものである。
以下、実施例を用いて本発明の詳細な説明する。
第２図は、本発明の実施に使用するギャップ制御装置の
構成例を示す図である。図において、６はレーザ光源、
γは入射角偏向ミラー、８は球面ミラー、９はマスクス
テージ、１０はマスク、１１は透過形回折格子マーク、
１２はウェハステージ、１３はウェハ、１４は反射マー
ク、１５はハーフミラ−１１６は集光レンズ、１７．１
８は光検出器、１９は信号処理制御部である。
構成例を示す図である。図において、６はレーザ光源、
γは入射角偏向ミラー、８は球面ミラー、９はマスクス
テージ、１０はマスク、１１は透過形回折格子マーク、
１２はウェハステージ、１３はウェハ、１４は反射マー
ク、１５はハーフミラ−１１６は集光レンズ、１７．１
８は光検出器、１９は信号処理制御部である。
上記構成において、レーザ光源６を発したコヒーレント
光は、ガルバノメータや光偏向素子等からなる入射角偏
向ミラー７で偏向され、球面ミラー８によって反射され
て、真空吸着マスクステージ９によって保持されるマス
ク１０上の同一点に入射する。マスク１０上に作製され
た回折格子マーク１１上に入射した光は、ウェハステー
ジ１２上に保持されるウェハ１３上に作製された反射マ
ーク１４によって反射され、再度回折格子マーク１１を
通過する。
光は、ガルバノメータや光偏向素子等からなる入射角偏
向ミラー７で偏向され、球面ミラー８によって反射され
て、真空吸着マスクステージ９によって保持されるマス
ク１０上の同一点に入射する。マスク１０上に作製され
た回折格子マーク１１上に入射した光は、ウェハステー
ジ１２上に保持されるウェハ１３上に作製された反射マ
ーク１４によって反射され、再度回折格子マーク１１を
通過する。
マスク１０およびウェハ１３上に作製されたマークは、
第３図に拡大して示すように、前者は透過形で、マスク
１０を構成する透明基板、もしくは透明薄膜２０上に不
透明薄膜２１によって回折格子パタンを形成したもの、
後者はウェハ１３上に形成した無反射薄膜２２の一部を
除去して反射面としたものである。
第３図に拡大して示すように、前者は透過形で、マスク
１０を構成する透明基板、もしくは透明薄膜２０上に不
透明薄膜２１によって回折格子パタンを形成したもの、
後者はウェハ１３上に形成した無反射薄膜２２の一部を
除去して反射面としたものである。
これら両マークによって回折・反射された光は、入射光
に対して対称的な方向に回折されるプラス・マイナスの
多数の回折光となる。このうち±１次回折光はハーフミ
ラ−１５によって反射され、さらに集光レンズ１６によ
って、それぞれ光検出器１７．１８に導かれる。±１次
回折光は光検出器１７．１８によって回折光強度■ヤ□
とＩ、に光電変換され、さらに信号処理制御部１９によ
って、信号処理されてマスクステージ９、ウェハステー
ジ１２の駆動信号になシ、マスクとウェハ間のギャップ
が制御される。なお、図上実線で示される光線は回折格
子に直入射する光線であり、破線で示される光線は入射
角偏向ミラー７によって偏向され回折格子に斜め入射す
る光線である。
に対して対称的な方向に回折されるプラス・マイナスの
多数の回折光となる。このうち±１次回折光はハーフミ
ラ−１５によって反射され、さらに集光レンズ１６によ
って、それぞれ光検出器１７．１８に導かれる。±１次
回折光は光検出器１７．１８によって回折光強度■ヤ□
とＩ、に光電変換され、さらに信号処理制御部１９によ
って、信号処理されてマスクステージ９、ウェハステー
ジ１２の駆動信号になシ、マスクとウェハ間のギャップ
が制御される。なお、図上実線で示される光線は回折格
子に直入射する光線であり、破線で示される光線は入射
角偏向ミラー７によって偏向され回折格子に斜め入射す
る光線である。
直入射時における±１次回折光強度工や□、■−１およ
びそれらの加算信号ΣＩ＝Ｉ＋１＋Ｉ 、は、第４図に
示すようにマスクとウェハ間のギャップ２に対して周期
的に変化し、Ｍ＝λＺ／Ｐ２＝ ４ ＋ｋ（ｋは整数）
を満たすギャップ２において最小、Ｍ＝λＺ／Ｐ”＝ｋ
を満たすギャップ２におい１大となる。ここで、λは光
の波長で図示の例では０．６３２８μｍ、Ｐは回折格子
のピッチで３μｍである。また、図中（イ）が工＋１も
しくはＩ−１、（ロ）がΣＩを示す。
びそれらの加算信号ΣＩ＝Ｉ＋１＋Ｉ 、は、第４図に
示すようにマスクとウェハ間のギャップ２に対して周期
的に変化し、Ｍ＝λＺ／Ｐ２＝ ４ ＋ｋ（ｋは整数）
を満たすギャップ２において最小、Ｍ＝λＺ／Ｐ”＝ｋ
を満たすギャップ２におい１大となる。ここで、λは光
の波長で図示の例では０．６３２８μｍ、Ｐは回折格子
のピッチで３μｍである。また、図中（イ）が工＋１も
しくはＩ−１、（ロ）がΣＩを示す。
したがって、−周期の範囲内（１４２μｍ）にギャップ
をあらかじめプリアライメントしておき、回折光強度が
最小または最大になるようにマスクステージ９もしくは
ウェハステージ１２をギャンプ方向に制御することによ
って、それぞれＭ−に＋１！ 、 Ｍ ＝ ｋを満たす
ギヤングに容易に設定できる。
をあらかじめプリアライメントしておき、回折光強度が
最小または最大になるようにマスクステージ９もしくは
ウェハステージ１２をギャンプ方向に制御することによ
って、それぞれＭ−に＋１！ 、 Ｍ ＝ ｋを満たす
ギヤングに容易に設定できる。
ギャップの設定値を変えたい場合には、ピンチＰもしく
はレーザの波長λを変えることによって簡単に行うこと
ができる。また、レーザ光の入射角またはＭ ”＝ Ｔ
を満たすギャップ点、すなわち直入射の場合の１／／！
の周期の点で、回折光強度はそれぞれ最小または最大値
をとる。したがって、これらの点においてもギャップ設
定が可能となる。
はレーザの波長λを変えることによって簡単に行うこと
ができる。また、レーザ光の入射角またはＭ ”＝ Ｔ
を満たすギャップ点、すなわち直入射の場合の１／／！
の周期の点で、回折光強度はそれぞれ最小または最大値
をとる。したがって、これらの点においてもギャップ設
定が可能となる。
一方、レーザ入射角θが−＝−色ｇ轡！−一１をλ ２
満たす斜め入射時においては、±１次回折光強度の差信
号ΔＩ＝Ｉ＋１−Ｉ−□は、第５図に示すようにＭ＝に
＋Σを満たすギャップ２においてゼロクロスし、Ｍ＝ｋ
を満たすギャップ２において零となる。したがって、Δ
■が零に近づくようにマスクステージ９もしくはウェハ
ステージ１２をギャップ方向に移動し、ΔＩ＝＝０の点
で停止するという方法によって、簡単にギャップ制御で
きる。
号ΔＩ＝Ｉ＋１−Ｉ−□は、第５図に示すようにＭ＝に
＋Σを満たすギャップ２においてゼロクロスし、Ｍ＝ｋ
を満たすギャップ２において零となる。したがって、Δ
■が零に近づくようにマスクステージ９もしくはウェハ
ステージ１２をギャップ方向に移動し、ΔＩ＝＝０の点
で停止するという方法によって、簡単にギャップ制御で
きる。
以上の結果はマスク上の回折格子マーク裏面からの反射
回折光がないとして、第４３回応用物理学会学術講演会
講演予稿集Ｐ２７，１９８２年で紹介されている理論式
を用いてシミュレートしたものである。
回折光がないとして、第４３回応用物理学会学術講演会
講演予稿集Ｐ２７，１９８２年で紹介されている理論式
を用いてシミュレートしたものである。
マスク上の回折格子マーク裏面からの反射回折光がある
場合については、透過回折光（回折格子マーク１１を透
過回折し、反射マーク１４によって反射され、再度回折
格子マーク１１を透過回折する回折光）と反射回折光が
干渉し、例えば第６図に示すような回折光強度信号が得
られる。第６図は、波長０．６３２８μｍのＨｅ−Ｎｅ
レーザ、３μｍピッチの回折格子を用いて、直入射時の
＋１次回折光強度Ｉ＋１をギャップ２に関して実験的に
めた結果である。この検出信号は、透過回折光と反射回
折光とが干渉したλ／２周期の干渉波（イ）とその包絡
線で示されるＰ２／λ周期の包絡波（ロ）が重畳したも
のでちゃ、包絡波の最大値点はＭ＝ｋ （ｋは整数）を
満たすギャップ２で生じている。したがって、包絡波の
最大値点Ａ、Ｂ、Ｃを検出することによってギャップ設
定を行うことができる。一方、この最大値点を含む干渉
波を利用して、第７図に示すように干渉波の最大値点よ
り低い基準電圧’ｐａｒを設け、検出信号との交差点で
ギャップサーボを行うと、±０．０１μｍ以下のギャッ
プサーボを容易に実現できる。また、サーボ点Ｓの最大
値点ＭＸからのずれは、λ／１６ ＝ ０．０４ Ｉｔ
ｍ程度であシ、総合精度として０．０５μｍ以下のギ
ャップ設定が可能になる。
場合については、透過回折光（回折格子マーク１１を透
過回折し、反射マーク１４によって反射され、再度回折
格子マーク１１を透過回折する回折光）と反射回折光が
干渉し、例えば第６図に示すような回折光強度信号が得
られる。第６図は、波長０．６３２８μｍのＨｅ−Ｎｅ
レーザ、３μｍピッチの回折格子を用いて、直入射時の
＋１次回折光強度Ｉ＋１をギャップ２に関して実験的に
めた結果である。この検出信号は、透過回折光と反射回
折光とが干渉したλ／２周期の干渉波（イ）とその包絡
線で示されるＰ２／λ周期の包絡波（ロ）が重畳したも
のでちゃ、包絡波の最大値点はＭ＝ｋ （ｋは整数）を
満たすギャップ２で生じている。したがって、包絡波の
最大値点Ａ、Ｂ、Ｃを検出することによってギャップ設
定を行うことができる。一方、この最大値点を含む干渉
波を利用して、第７図に示すように干渉波の最大値点よ
り低い基準電圧’ｐａｒを設け、検出信号との交差点で
ギャップサーボを行うと、±０．０１μｍ以下のギャッ
プサーボを容易に実現できる。また、サーボ点Ｓの最大
値点ＭＸからのずれは、λ／１６ ＝ ０．０４ Ｉｔ
ｍ程度であシ、総合精度として０．０５μｍ以下のギ
ャップ設定が可能になる。
２Ｐｓｆｎθ １
第８図は、ｍ ” ” ２を満たす角度λ
θ≠＃３°でレーザを回折格子に斜め入射した時の±１
次回折光強度の差信号Δ工を、ギャップに関して実験的
にめた結果でちる。使用したレーザ、回折格子は第６図
の直入射の場合と同じである。
次回折光強度の差信号Δ工を、ギャップに関して実験的
にめた結果でちる。使用したレーザ、回折格子は第６図
の直入射の場合と同じである。
包絡波は、１ｄ＝ｋを満たすギャップ２において、最小
となシ、この点Ａ／ 、 ｎ／等でギャップ設定を行う
ことができる。第９図に、第８図上、円で示したこの設
定点付近の拡大図を示すが、最小振幅となる干渉波の中
点Ｎを検出することによって、容易にギャップ設定でき
る。
となシ、この点Ａ／ 、 ｎ／等でギャップ設定を行う
ことができる。第９図に、第８図上、円で示したこの設
定点付近の拡大図を示すが、最小振幅となる干渉波の中
点Ｎを検出することによって、容易にギャップ設定でき
る。
なお、第６図の直入射の実施例では＋１次回折−光強度
工や□を利用した場合について述べたが、−１次回折光
強度ニー□もしくは±１次回折光強度の和信号ΣＩを利
用しても、同様な効果が得られる。
工や□を利用した場合について述べたが、−１次回折光
強度ニー□もしくは±１次回折光強度の和信号ΣＩを利
用しても、同様な効果が得られる。
このように、第１の物体に設けた回折格子と第２の物体
に設けた反射面に、レーザ光を直もしくは斜め入射し丸
さいに生じる回折光強度信号の変化によって、高精度の
ギャップ設定が可能であり、且つ干渉波の利用によって
、±０．０１μｍ以下のギャップサーボを容易に実現で
きる。また、２重焦点レンズ等をマスクマーク１１に近
接して設置する必要がなく、例えば第１０図に示すよう
に単にレーザ反射ミラー２３を設けることによって、露
光用の光の入射を妨げることなくギャップ設定用の光の
入射および回折光の検出が行なえるので、露光バタン２
４に近接してウエノ１マーク１４を配ハの平面度が悪い
場合にもマスクとウェハ間のギャップを正確に設定でき
、かつウェハの周辺まで露光できる利点がある。さらに
、回折格子マークはマスク（大量のウェハの処理に共通
に使える）上にのみ設ければよく、ウェハ上には反射面
があればギャップ検出が可能になるので、プロセスへの
負担は少ない。
に設けた反射面に、レーザ光を直もしくは斜め入射し丸
さいに生じる回折光強度信号の変化によって、高精度の
ギャップ設定が可能であり、且つ干渉波の利用によって
、±０．０１μｍ以下のギャップサーボを容易に実現で
きる。また、２重焦点レンズ等をマスクマーク１１に近
接して設置する必要がなく、例えば第１０図に示すよう
に単にレーザ反射ミラー２３を設けることによって、露
光用の光の入射を妨げることなくギャップ設定用の光の
入射および回折光の検出が行なえるので、露光バタン２
４に近接してウエノ１マーク１４を配ハの平面度が悪い
場合にもマスクとウェハ間のギャップを正確に設定でき
、かつウェハの周辺まで露光できる利点がある。さらに
、回折格子マークはマスク（大量のウェハの処理に共通
に使える）上にのみ設ければよく、ウェハ上には反射面
があればギャップ検出が可能になるので、プロセスへの
負担は少ない。
発明者らは、先に上述したと同様の構造の位置合せ装置
によｈ１２重回折格子を位置合せマークとして用いてギ
ャップの設定および位置合せを高精度で行なう方法を提
案しているが、本発明をこの方法に組合せ、ギャップの
設定については本発明により独立に行ない、その上で２
重回折光強度によシ位置合せを行なりようにすれば、両
者の信号が完全に分離できるために信号処理が簡単にな
る。この場合、２重回折格子のみを用いる場合に比べて
本発明によるギャップ設定専用の回折格子が余分に必要
となるが、前述したように回折格子を設けるのはマスク
側のみであるため、さして負担の増加とはならない。特
に、レーザの直入射を利用するギャップ制御の場合、位
置合せマークを、ギャップマークと同一のレーザスポッ
ト内に互いに回折格子方向を直角に配置することによっ
て、それぞれの回折光強度信号を干渉なく検出すること
ができるので、ギャップ検出と位置ずれ検出を同時に行
える利点がある。この場合、レーザビームは１本で良い
ので、光学機構系を簡単に構成できる利点がある。
によｈ１２重回折格子を位置合せマークとして用いてギ
ャップの設定および位置合せを高精度で行なう方法を提
案しているが、本発明をこの方法に組合せ、ギャップの
設定については本発明により独立に行ない、その上で２
重回折光強度によシ位置合せを行なりようにすれば、両
者の信号が完全に分離できるために信号処理が簡単にな
る。この場合、２重回折格子のみを用いる場合に比べて
本発明によるギャップ設定専用の回折格子が余分に必要
となるが、前述したように回折格子を設けるのはマスク
側のみであるため、さして負担の増加とはならない。特
に、レーザの直入射を利用するギャップ制御の場合、位
置合せマークを、ギャップマークと同一のレーザスポッ
ト内に互いに回折格子方向を直角に配置することによっ
て、それぞれの回折光強度信号を干渉なく検出すること
ができるので、ギャップ検出と位置ずれ検出を同時に行
える利点がある。この場合、レーザビームは１本で良い
ので、光学機構系を簡単に構成できる利点がある。
さらに、本発明は、高精度変位測定にも応用できる。す
なわち、第２図に示したウェハのかわ９にレーザ光を反
射する鏡面をもつ被測定物を置き、測定器側に設けた回
折格子と被測定物間で上述した方法を適用し、例えば包
絡波と干渉波の周期を利用することによって容易に、被
測定物の変位を測定できる。
なわち、第２図に示したウェハのかわ９にレーザ光を反
射する鏡面をもつ被測定物を置き、測定器側に設けた回
折格子と被測定物間で上述した方法を適用し、例えば包
絡波と干渉波の周期を利用することによって容易に、被
測定物の変位を測定できる。
以上、入射光としてレーザ光（コヒーレント光）を用い
た場合についてのみ説明したが、準単色光を用いてもｔ
ｌぼ同様の結果が得られる。
た場合についてのみ説明したが、準単色光を用いてもｔ
ｌぼ同様の結果が得られる。
以上説明したように、本発明によれば、ギャップ制御す
べき第１の物体に回折格子を設け、この回折格子および
第２の物体の反射面で回折・反射された回折光の強度信
号を検出することにより、きわめて容易に高精度のギャ
ップ制御が行なえる。
べき第１の物体に回折格子を設け、この回折格子および
第２の物体の反射面で回折・反射された回折光の強度信
号を検出することにより、きわめて容易に高精度のギャ
ップ制御が行なえる。
第１図は２重焦点レンズを用いた従来のギャップ検出系
を示す構成図、第２図は本発明の実施に使用するギャッ
プ制御装置の構成例を示す図、第３図はマスクおよびウ
ェハ上に形成したギャップ制御用マークの拡大図、第４
図はレーザ直入射時におけるギャップ検出信号の一例を
示す図、第５図はレーザ斜め入射時におけるギャップ検
出信号の一例を示す図、第６図はマスク裏面反射がある
場合のレーザ直入射時におけるギャップ検出信号の一例
を示す図、第７図は干渉波を利用するギャップサーボの
一例を説明するための図、第８図はマスク裏面反射があ
る場合のレーザ斜め入射時におけるギャップ検出信号の
一例を示す図、第９図はギャンプ設定点付近の拡大図、
第１０図はギャノ５、プ制御装置の他の構成例を示す図
である。 ６・−・・レーザ光源、Ｔ・・・拳入射角偏向ミラー、
８・・Φ・球面ミラー、９・Φ―・マスクステージ、１
０・・・・マスク（第１の物体）、１１・−・・透過形
回折格子マーク、１２・・・曝ウェハステージ、１３・
・・Φウェハ（ｊｌＥｚ。 物体）、１４・・・拳反射マーク、１５・・ゆ・ハーフ
ミラ−１１６・・・・集光レンズ、１Ｔ。 １８・・・・光検出器、１９・・・・信号処理制御部、
２０・・―・透明薄膜、２１・・・・不透明薄膜、２２
・・・・無反射薄膜、２３・・・・レーザ反射ミラー、
２４−・・・露光バタン。 特許出願人 日本電信電話公社 代理人山 川 政 樹 第１図 第２図 第３図 第４図 第７図 Ｘ 第８図 キ°ギ、、ブＸ （／’ｍ） 第１０図
を示す構成図、第２図は本発明の実施に使用するギャッ
プ制御装置の構成例を示す図、第３図はマスクおよびウ
ェハ上に形成したギャップ制御用マークの拡大図、第４
図はレーザ直入射時におけるギャップ検出信号の一例を
示す図、第５図はレーザ斜め入射時におけるギャップ検
出信号の一例を示す図、第６図はマスク裏面反射がある
場合のレーザ直入射時におけるギャップ検出信号の一例
を示す図、第７図は干渉波を利用するギャップサーボの
一例を説明するための図、第８図はマスク裏面反射があ
る場合のレーザ斜め入射時におけるギャップ検出信号の
一例を示す図、第９図はギャンプ設定点付近の拡大図、
第１０図はギャノ５、プ制御装置の他の構成例を示す図
である。 ６・−・・レーザ光源、Ｔ・・・拳入射角偏向ミラー、
８・・Φ・球面ミラー、９・Φ―・マスクステージ、１
０・・・・マスク（第１の物体）、１１・−・・透過形
回折格子マーク、１２・・・曝ウェハステージ、１３・
・・Φウェハ（ｊｌＥｚ。 物体）、１４・・・拳反射マーク、１５・・ゆ・ハーフ
ミラ−１１６・・・・集光レンズ、１Ｔ。 １８・・・・光検出器、１９・・・・信号処理制御部、
２０・・―・透明薄膜、２１・・・・不透明薄膜、２２
・・・・無反射薄膜、２３・・・・レーザ反射ミラー、
２４−・・・露光バタン。 特許出願人 日本電信電話公社 代理人山 川 政 樹 第１図 第２図 第３図 第４図 第７図 Ｘ 第８図 キ°ギ、、ブＸ （／’ｍ） 第１０図
Claims (1)
- 第１の物体と第２の物体間のギャップを一定に制御する
ギャップ制御法において、第１の物体に回折格子を、第
２の物体に反射面を設け、上記回折格子にコヒーレント
光もしくは準単色光を入射し、尚該回折格子および上記
第２の物体の反射面でそれぞれ回折・反射された回折光
の強度信号の変化から、第１の物体と第２の物体間のギ
ャップを検出してこれを所定の値に設定することを特徴
とする回折格子によるギャップ制御法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59014692A JPS60173835A (ja) | 1984-01-30 | 1984-01-30 | 回折格子によるギヤツプ制御法 |
| US06/695,698 US4656347A (en) | 1984-01-30 | 1985-01-28 | Diffraction grating position adjuster using a grating and a reflector |
| CA000473187A CA1226682A (en) | 1984-01-30 | 1985-01-30 | Method of adjusting relative positions of two objects by using diffraction grating and control apparatus |
| EP85300622A EP0151032B1 (en) | 1984-01-30 | 1985-01-30 | Method of adjusting relative positions of two objects by using diffraction grating and control apparatus therefor |
| DE3587921T DE3587921T2 (de) | 1984-01-30 | 1985-01-30 | Verfahren für die gegenseitige Ausrichtung zweier Objekte mittels eines Beugungsgitters, sowie die Steuervorrichtung dafür. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59014692A JPS60173835A (ja) | 1984-01-30 | 1984-01-30 | 回折格子によるギヤツプ制御法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59199433A Division JPS60173837A (ja) | 1984-01-30 | 1984-09-26 | 組合せ回折格子によるギヤツプ・位置合せ制御法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60173835A true JPS60173835A (ja) | 1985-09-07 |
| JPH0263288B2 JPH0263288B2 (ja) | 1990-12-27 |
Family
ID=11868239
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59014692A Granted JPS60173835A (ja) | 1984-01-30 | 1984-01-30 | 回折格子によるギヤツプ制御法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60173835A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014186003A (ja) * | 2013-03-25 | 2014-10-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 距離測定装置及び距離測定方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54101676A (en) * | 1978-01-16 | 1979-08-10 | Rca Corp | Method of and device for aligning photo mask |
| JPS5698829A (en) * | 1980-01-10 | 1981-08-08 | Toshiba Corp | Gap setting device |
| JPS57109335A (en) * | 1980-12-26 | 1982-07-07 | Toshiba Corp | Positional matching method between mask substrate and wafer |
| JPS57139925A (en) * | 1981-02-23 | 1982-08-30 | Toshiba Corp | Positioning device |
-
1984
- 1984-01-30 JP JP59014692A patent/JPS60173835A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54101676A (en) * | 1978-01-16 | 1979-08-10 | Rca Corp | Method of and device for aligning photo mask |
| JPS5698829A (en) * | 1980-01-10 | 1981-08-08 | Toshiba Corp | Gap setting device |
| JPS57109335A (en) * | 1980-12-26 | 1982-07-07 | Toshiba Corp | Positional matching method between mask substrate and wafer |
| JPS57139925A (en) * | 1981-02-23 | 1982-08-30 | Toshiba Corp | Positioning device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014186003A (ja) * | 2013-03-25 | 2014-10-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 距離測定装置及び距離測定方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0263288B2 (ja) | 1990-12-27 |
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