JPS59188920A - 2重回折格子によるギヤツプ・位置合せ制御法 - Google Patents

2重回折格子によるギヤツプ・位置合せ制御法

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JPS59188920A
JPS59188920A JP58063360A JP6336083A JPS59188920A JP S59188920 A JPS59188920 A JP S59188920A JP 58063360 A JP58063360 A JP 58063360A JP 6336083 A JP6336083 A JP 6336083A JP S59188920 A JPS59188920 A JP S59188920A
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宇根 篤‖のぶ▼
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博雄 木下
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、半導体ICやLSI を製造するためog光
itやバタン坪価装置に利用されるギャップおよび位置
合せ制御法に関するものでおる。
〔従来技術〕
半導体ICやLSIの微細化に伴い、マスクパタンをウ
ェハに一括して、もしくはステップ壷アンド・レピート
方式によって露光Φ転写する装置において、マスクとウ
ェハを互いに高精度に位置合せする技術の確立は不可欠
であシ、とくにザブミクロンパクンを露光するX線露光
装置では、高精度位置合せとともに、マスクとウニへ間
のギャップを高精度で一定値に設定する技術の確立が欠
かせないものとなっている。
位置合せとギャップ制御を同時に行なえる技術として、
従来2重焦点レンズを用いた方法が開発されている。こ
れは、第1図囚に示すように2重焦点レンズ1の第1焦
点をウェハ2の上に作製されたウェハマーク3に、第2
焦点をマスク4の上に作製されたマスクマーク5にそれ
ぞれ合わせることによってマスク4とウェハ2との間の
ギャップを設定するとともに、同図(B)に示すように
ウェハマーク3全マスクマーク5でハサミ、マスクマー
ク5の中心にウェハマーク3がくるようにウェハ2とマ
スク4を相対移動し、位置合せするものである。
しかしながら、この方法ではギャップ設定のために2重
焦点レンズを用いておシ、レンズには1μm程度の焦点
深度があるため、高精度のギャップ設定は行々えない欠
点があった。また、レンズ口径は無限に小さくはできな
いため、ステップ・アンド・レピート方式によって露光
領域が小さくなると露光領域から離れた位置合せマーク
を利用せざるを得ない。このため、ウェハの周辺部まで
露光することができず、露光可能領域が小さいという欠
点があった。さらに、このような光学的方法では、位置
合せ自体の精度も±0.1μm程度で超微細パタンの転
写には問題があった。
一方、位置合せ精度の高度化を図るものとして、J−V
oc、Sci、Technol、、Voi、19.No
。4+P21491981で紹介されているように2重
回折格子を用いた位置合せ法が開発された。
第2図(4)に、このような2重回折格子を用いて位置
合せする装置の一例を示す。図において、レーザ光源6
から発したコヒーレント光は、ミラー2で方向を変えら
れ、真空吸着ホルダ8によって保持されるマスク4の上
に作製されたマスクマーク5に入射、通過後、粗調ステ
ージ9の上の微調ステージ10の上に保持されるウエノ
・2に作製されたウェハマーク3で反射きれ、再度マス
クマーク5を通過する。
マスクマーク5、ウェハマーク3は回折格子パタンであ
シ、第2図(B)に示すように前者は透過形で、石英ガ
ラス等の透明基板もしくは5isN+等の透明薄膜11
の上にCrやTi等の不透明薄膜12によシ回折格子バ
タンを形成したもの、後者は反射形で、ウェハ2の上に
無反射薄膜13によシ回折格子パタンを形成したもので
ある。
これらマスクマーク5およびウェハマーク3によシ回折
された光は、入射光に対してθ=sin−1mλ (Σ石) (m = o r±1.±2.・・・・・・
・・・)の方向でのみ強くなシ、それらはmの値によっ
てm次の回折光と呼ばれている。なお、λは光の波長、
Pは回折格子のピッチである。これらの回折光のうち、
入射光に対して対称的な方向に回折された+1次回折光
と一1次回折光のみを光電変換器13,14で受け、各
回折光強度’+1rI−1を光電変換し、その減算強度
ΔI=I十□−ニー□の変化を検出することによって位
置合せを行なう。すなわち、この減算強度Δ工は、回折
格子のピッチPを周期として同じ波形を繰返し、2つの
回折格子がびったシ一致したとき(相対位置ずれ量d=
0)と、2つの回折格子の相対位置ずれ量dがP/2の
とき、マスクとウェハ間のギャップ2にかかわらず零に
なる。
したがって、通常Δ■が零になるように微調ステージ7
を移動させて位置合せt行表っている。一方、ギャップ
の設定は、マスク周辺に作製した容量形ギャップセンサ
16を用いてギャップを測定することによって行なって
いる。
ところが、この相対位置ずれidに対するΔIの変化曲
線は、ギャップZが微小変動することによって犬きく変
化する。例えば、第3図は波長λ=0.6328μm%
 ピッチP = i−iμm、入射角α=08(回折格
子に対して垂直入射)の場合について位置ずれ量dに対
する減算強度Δ工の変化を示したものであるが、同図(
4)に示したギャップZ = 20.02μmの場合に
対し、同図ωンのZ = 20.05μ。の場合の曲線
は山や谷を多く含み、しかも多点で零点を横切る。この
ため、位置合せ制御はむずかしく、高精度を保証できな
い。高n度位置合せのためにはZ = 20.02μm
の条件のΔ工曲線を用いればよいが、このためにはギャ
ップをきわめて正確に設定し、しかも変動をきわめて小
さく抑えなければならガい。また、ウェハもしくはマス
クの平面度が悪い場合には、マスク周辺でギャップ測定
を行なっているところから、ギャップセンサ16によ)
正確にギャップを設定してもマスク−ウニ八両マ−り間
のギャップは必ずしも適正値に設定できない欠点があっ
た。
〔発明の目的卦よび構成〕
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであシ、
その目的は、ギャップ制御と位置合せ制御とを同時にか
つ高精度に行なうことが可能な2重回折格子によるギャ
ップ・位置合せ制御法を提供することにある。
このような目的を達成するために、本発明は、2重回折
格子に入射する光の入射角を周期的に変動させ、入射光
に対して対称的な方向に回折された同次数の回折光の減
算強度を入射角について積分して得た積分強度の変化に
よってギャップ制御を行なう一万、上記同次数の回折光
の加算強度の変化によって位置合せ制御を行なうもので
ある。
以下、実施例を用いて本発明の詳細な説明する。
〔実施例〕
第4図は、本発明の一実施例を示す位置合せ装置の構成
図であシ、2はウェハ、3はウェハマーク、4はマスク
、5はマスクマーク、6はレーザ光源、8はマスクホ/
vダ、9は粗調ステージ、10は微調ステージ、14,
15は光電変換器、1γ。
18.19は球面ミラー、20は入射角振動子、21は
信号処理制御部である。
上記構成において、レーザ光源Gから発したコヒーレン
ト光は、ガルバノメータや光偏向素子等からなる入射角
振動子20によって周期的に光線の方向が振られ、球面
ミラー1Tによって反射されて、真空吸着マスクホルダ
8によって保持されるマスク4の上の同一点に入射する
。マスク4の上に作製された第2図(B)に示したと同
様のマスクマーク5に入射し、た光は、微調ステージ1
0の上に保持されるウェハ2の上に作製された同じく第
2図111I3)に示したと同様のウェハマーク3で反
射され、再度マスクマーク5を通過する。
ウェハ・マスク両マークによって回折された光のうち、
+1次と一1次の回折光のみをそれぞれ球面ミラー18
.19で反射し、光電変換器14゜15で光強度を電気
信号に変換する。次に、信号処理制御部21で+1次回
折光強度I+、から−1次回折光強度ニー□を減算し、
その絶対値ΔI=lI情−L□1を求める。この減算強
度ΔIは、入射角αの、θ°を中心としたーΔα〜Δα
の周期的変化にる。この積分強度Tは、後述するように
マスク4とウェハ2との間の竿#ギャップ2と一定の関
係を有するから、この積分強度Tが零となるように、微
調ステージ10に組込まれた2軸微調整機構によってウ
ェハ2を上下方向に動かすことにより、ギャップ制御が
行なえる。同時に一定の入射角の場合について、+1次
回折光強度工刊と一1次回折光強度I、’i加算する。
この加算強度Σ■は後述するように相対位置すれ量dと
の間に一定の関係を有するため、この加算強度ΣI−■
+1+I−0が最小になるように5微調テーブル10を
移動することによシ、位置合せ制御を行なうことができ
る。
なお、入射角αは、入射角振動子20を振Waノさせる
ことによって00を中心に−ΔαからΔαまで変動、−
1mλ させるが、Δαがsln   (1,、)(mは整数)
に近い値のときに、ギャップ設定値近辺における相対位
置ずれ景dに対する積分強度曲線の変化は最も小さく、
高精度の制御が可能である。したがってΔαは上記条件
を満たすように設定することが望ましい。
第5図は波長λが0.6328μm、ピッチPが4μm
1中心入射角が0°で振動幅が±4.535°(この値
(d上述した高′ff4度制御の条件f満たずものであ
る)の場合について、マスクとウェハの相対位置ずれ量
dkoから2μmまで変動させlζ際のマスクとウェハ
間のギャップ2に対する積分強度Tの変化を示した図で
ある。図において、←)はd=0μ0、←)は0.5カ
□、(ハ)は1.OIt p、(ロ)は1.5.え70
、ωつは2.01t]□の場合の演算結果を示す。
第5図から明ら≠・でように、積分強四″TieれλZ
/p” = n (nは整数)を満足する条件、すなわ
ち本例ではZ勾25.28μm、50.57μm、・・
・・・・・のときに、相対位置ずれ量dにかかわらず零
になる。したがって、粗調ステージ9によってギャップ
を予め25.28μiTlから50.57μmの範囲に
入れておけば、微調ステージ10を上方向もしくは下方
向へ移動し、Tが零になったときに移動を停止する簡単
な制御法によって、25.3μmもしくは50.6μm
へのギャップ設定が行なえる。
この場合、上記25.28μmから50.57μmの範
囲の積分強度曲線には、複数の極小値がある。したがっ
て、上記設定値を見出すためには、一定の限界値以下で
の最小値を捜す必要がある。これに対し、第6図に示す
ように予め微調ステージ10によってギャップを設定値
に対して±2μmに入れておけば、単純に積分強度Tが
小さくなるようにギャップ2を制御することによって、
容易にギャップを設定することができる。すなわち、第
6図はギャップ設定値を25.28μ。とじてその付近
での設定値からのずれ量Δ2に対する積分強度Tの変化
を第5図に対し検出系の感度を上げて示したもので、こ
のように設定値付近±2.0μm程度の範囲では曲線は
設定値を最小点として単純な増加もしくは減少曲線とな
っている。
同様に第7図は設定値Z = 25.28μm付近につ
いて検出系の感度をさらに上げて示したものであるが、
図から明らかなように設定値からのずれ量Δ2が−0,
1μmから081μmの範囲では$f分強度Tはずれ量
Δ2に対してほとんど直線的に増減している。したがっ
て0.01μm以下の高精度でギャップ設定を行なうこ
とが可能であシ、シかもその制御法はきわめて簡単であ
る。
ギャップ設定値を袈えたい場合には、λZ/P ”=n
(nは整1B、)を満たすことを条件に、コヒーレント
光の波長λを変更するか・マスク°ウェハ両マークの回
折格子ピッチPを変更すればよい。
々お、ギャップの設定を行なった後に、周囲条件等によ
シギャップが設定値からΔZだけずれた、   、必 場合、Δ2の正負判定は、積分強度T=/  ΔIdα
もしくはT=、/ヨ。ΔIdαを求めることによって可
能である。すなわち、第8図は第5図と同一条件で積分
強KT′の変化を示したもので、(イ)〜(9はそれぞ
れ第5図と同様にd=Qμm + 0.51tm + 
1.0 μm 。
1.5fime 2.04の場合に対応するが、積分強
度Tは、λz/p” =n (nは整数)を満たす条件
、2#25.28μm、50.57μl’n”’−・問
 のときに相対位置ずれ量dにかかわらず零となJ、d
=1μmの場合を除いては、この点を境に正負が逆転す
る。積分強度T”も同様で、したがってT′もしくはT
“の正負判定を行なうことによってΔ2の正負判定を行
なうことができる。さらに、これの積分強度T′および
T″は、予め粗調によってギャップを設定値に対し±5
μm程度の範囲にいれておけば、直接ギャップ制御にも
利用できる。
次に、第9図は波長λ= 0.6328μm1ピツチP
=4μmで入射角αを0°としたときの相対位置ずれ量
dに対する加算強度ΣI=I。□十ニー□の変化を示し
たものである。図において、(イ)はギャップ2’it
 25.28.ams(ロ)は25.481Lms(ハ
)は25.68μmsに)は25.88μm1←)は2
6.08μmとした場合を示すが、図から明らかなよう
にギャップがこのように変化しても曲線形状にはほとん
ど変化がなく、シかも1周期内に1回の最小値もしくは
最大値をもつ単線な曲線となるので、ギャップ設定が容
易であシ、簡単な制御方法でd=Qの最小値点もしくは
d=P/2の最大値点で高精度の位置合ぜが行なえる。
曲線の形状はλZ/P”=n(nは整数)を満たすギャ
ップのときに最も単純な形状となシ、ギャップλZ/p
2=n (nは整数)に一致しているため、マスク・ウ
ェハ両マークによる回折光強K I+1 p■−1を検
出し演算処理して得た信号にょシギャップと位置合せを
同時に高精度に制御できる。
なお、上述した実施例ではマークに光線を垂直に入射さ
せて位置合せを行ない、またその角度を中心にして変動
させてギャップの制御を行なう場合について説明したが
、本発明はこれに限定されるものではなく、2Psin
α/λ−m(mは整数)を満たす角度で斜め入射させ、
かつその近傍で振らせても、上述したと全く同様にギャ
ップと位置合せを同時に制御できる。また、上述した実
施例では1次回折光を利用した場合について述べたが、
2次あるいは3次以上の回折光を利用しても同様の効果
が得られる。
以上、1つの2重回折格子マーク(上下1つずつのマー
ク)を用いた例について述べたが、特開昭53−327
59において説明されているようにX、y軸方向の互い
に直交する2重回折格子マークを1組として設ければ、
X、y両軸方向について同時に位置合せ制御でき、さら
にもう1つのマークを設けることによりマスク−ウェハ
間の平行度をきわめて高精度に制御できる。
さらに、上述した実施例では入射角を振動して積分強度
によシギャップ設定を行なうと同時に、そのうちの一定
の入射角において位置合せを行なう方法について述べた
が、入射角を振動してギャップを設定し、次に振動を停
止して位置合せを行なうという作業を交互に繰シ返し行
なうことによシギャップ、位置合せ制御を高精度かつ簡
単に行なうことも可能である。
なお、レーザ光源から発するコヒーレント光の代シに準
単色光を用いても同様の効果が得られる。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明によれば、2重回折格子に
入射する光の入射角を周期的に変動させ、対称方向に回
折された同次数の回折光を減算強度を入射角について積
分して得た積分強度の変化によってギャップ制御を行な
うとともに、当該同次数の回折光の加算強度の変化によ
って位置合せ制御を行なうことによシ、ギャップ設定に
利用した検出信号の一部を用いて高精度の位置合せがで
きるため、ギヤツブ設定1付置合せにそれぞれ別のセン
サや検出機構を用いる必要がなく、装置構造を簡単にで
きる。しかも、ギャップ設定と位置合せの最良条件が一
致し、設定ギャップにおいて位置合せ曲線は最も単純か
つ最小値からの立上シが急峻であるとともにギャップ変
動による形状変化も小さくなるため、位置合せ制御を簡
単かつ高精度に行なヌーる。のみならず、同一の検出信
号が利用でき、演算方法を変えるのみでギャップ設定。
位置合せが可能であるため、これらを同時に、しかも短
時間に制御できる。
また、積分強度曲線はギャップ設定値から±0.1μm
の範囲では直線的に変化するので0.01μm以下のギ
ャップ設定が行なえ、しかもこの直線性を利用すれば0
.01μm以下の高精度変位計を構成することも可能で
ある。
さらに同一の回折格子マークでギャップ、位置合せの両
制御が行なえ、しかも対物レンズ等を使用していないた
めマークを露光バタン近くに配置できる。し7たがって
、マスクやウェハの平面度が悪い場合にもマスク上の露
光バタンとレジストを塗布し7たウェハ間のギャップを
正確に設定できる利点を有する。
【図面の簡単な説明】
第1図(4)は従来の2重焦点レンズを用いたギャップ
および位置合せ同時検出法を示す図、同図の)は位置合
せマークを示す図、第2図(ト)は従来の2重回折格子
を用いた位置合せ装置を示す構成図、同図(B)は位置
合せマークを示す詳細図、第3図囚および(B)はそれ
ぞれ相対位置ずれ量dに対する+1次と一1次回折光の
減算強度ΔIの変化の一例を示す図、第4図は本発明の
一実施例を示す位置合せ装置の構成図、第5図はギャッ
プに対するΔ■の積分強度の変化の一例を示す図、第6
図および2g7図はギャップ設定値力・らのギャップの
ずれ量Δ2に対するΔ工の積分強度の一例を示す図、第
8図はΔ2の正負判定に利用するギャップに対するΔ工
の積分強度の変化の一例を示す図、第9図は相対位置ず
れ量に対する+1次と一1次回折光の加算強度の変化の
一例を示す図である。 2・争・・ウェハ、3・・・・ウェハマーク、4・・φ
・マスク、5@・・・マスクマーク、6・・・・レーザ
光源、9・・・嗜粗調ステージ、10・・φ・微調ステ
ージ、14.15・・・拳光電変換器、17,18,1
9@・・・球面ミラー、20・拳・・入射角振動子、2
1・・・・信号処蓉制御部。 特1°出願人 日本電化箪―公社

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 第1の物体に設けた第1の回折格子と、瀉2の物体に設
    けた第2の回折格子とを一定のギャップをおいて重ね、
    これら第1および第2の回折格子にコヒーレント光もし
    くは準単色光を入射し、両回折光子によって生じた回折
    光の強度の変化によって・第1の物体と第2の物体の相
    対変位を検出して位置合せする方法において、前記コヒ
    ーレント光もしくは準単色光の入射角を周期的に変動さ
    せ、入射光に対して対称的な方向に回折された同次数の
    回折光の強度を減算処理し、当該減算強度を入射角につ
    いて積分した積分強度の変化によって第1の物体と第2
    の物体のギャップ制御を行なうとともに、入射光に対し
    て対称的に回折された同次数の回折光の強度を加算処理
    し、当該加算強度の変化によって第1の物体と第2の物
    体の相対変位を検出し位置合せ制御することを特徴とす
    る2重回折格子によるギャップ・位置合せ制御法。
JP58063360A 1983-04-11 1983-04-11 2重回折格子によるギヤツプ・位置合せ制御法 Granted JPS59188920A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61168226A (ja) * 1985-01-21 1986-07-29 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 回折格子による2物体の相対位置調整装置
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