JPH04291103A - 位置検出装置 - Google Patents

位置検出装置

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Publication number
JPH04291103A
JPH04291103A JP3057435A JP5743591A JPH04291103A JP H04291103 A JPH04291103 A JP H04291103A JP 3057435 A JP3057435 A JP 3057435A JP 5743591 A JP5743591 A JP 5743591A JP H04291103 A JPH04291103 A JP H04291103A
Authority
JP
Japan
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light
incident light
diffraction grating
axis
reflected
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP3057435A
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English (en)
Inventor
Hironobu Kitajima
弘伸 北島
Masaki Yamabe
山部 正樹
Makio Fukita
吹田 牧夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Publication of JPH04291103A publication Critical patent/JPH04291103A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、位置検出装置に係り、
詳しくは、例えば、半導体露光装置の分野に用いて好適
な、精密に対象物の位置を検出する位置検出装置に関す
る。
【0002】近年、半導体製造技術の発展に伴ってウェ
ハ基板上に形成する回路パターンの微細化と高集積化が
実現され、限られた基板面積内に非常に多くの回路素子
を集積したLSI(large scale inte
grated circuit)として実用化されてい
る。
【0003】このようなLSIの製造に際しては、回路
パターンをウェハ基板上に形成する微細加工技術が重要
であり、特に、ウェハ基板上の感光性の有機材料(ホト
レジスト)の厚い皮膜を回路パターンに従って選択的に
露光する処理行程が回路作成の成否を分ける決定的な要
因となっている。
【0004】この処理行程に適用される製造装置として
、所定光源からのスポット光によってウェハ基板上に回
路パターンを露光する半導体露光装置が数多く開発され
ている。
【0005】そこで半導体露光装置では、より微細な回
路パターンへの要求に対処するため、スポット光のスポ
ット径をより細くすることと、そのスポット光をウェハ
基板上に回路パターンに従って露光するための位置決め
をより精確に制御することが必要となり、特に、ウェハ
基板上の露光位置を精確に制御するためには、加工中の
ウェハ基板表面の位置を精確に検出する必要があり、高
精度の位置検出装置が要求される。
【0006】
【従来の技術】従来のこの種の位置検出装置としては、
光源からのコヒーレント光を回折格子を用いた光学系に
より対象物の位置を検出する位置検出装置が知られてお
り、例えば、図7に示すような位置検出用の光学系を備
えたものがある。
【0007】図7では、リニアフレネルゾーンプレート
(以下LFZPとする)と回析格子を用いた位置検出用
の光学系の一例を示しており、光学系1は、レーザーチ
ューブ2、集束レンズ3、ミラー4、LFZP5、回析
格子6、フォトダイオード7、アンプ8から構成されて
いる。
【0008】レーザーチューブ2から出力されるレーザ
ー光は、集束レンズ3により集束され、ミラー4で反射
されて入射光としてマスク面に形成されたLFZP5を
通してウェハ面に形成された回折格子6に照射され、回
折格子6からの反射光は、再び、LFZP5を通してミ
ラー4に反射され、回析光(−1次光)としてフォトダ
イオード7で受光される。回析光は、フォトダイオード
7により光電変換され、アンプ8で増幅されて検出信号
として図外の制御系に出力されて、ウェハ表面に形成さ
れる回路パターンの位置が検出される。
【0009】図8は、LFZP5と回折格子6の部分を
拡大して示す図であり、LFZP5とは、図8に示すよ
うに、光を透過させる透明部(図中、白抜き部分で示す
)と光を遮る遮光部(図中、黒色で示す部分)が交互に
その間隔が狭められるようにパターンが形成されており
、このパターンは、入射光を集光する性質を持ち、焦点
距離fとパターン配置は、次式1を充たすように設計さ
れている。
【0010】
【数1】
【0011】但し、λ:使用波長 rn:中心軸から各透明部と遮光部までの距離(n=1
,2,3…) 図8において、LFZP5は、回路パターンが印刷され
たマスク9面上に形成され、回折格子6は、ウェハ10
面上に形成されており、ミラー4で反射された入射光は
、LFZP5によってさらに集光されて、回折格子6に
照射される。この時、回折格子(反射型位相格子)から
は、±n次(n=0,1,2…)の回折光が発生し、こ
れらの回折光のうち図7に示す0次光の方向には、レー
ザー光が回折格子6に照射されていないときにも、常に
ウェハ面からの反射光が発生しているため、位置検出用
としては使用できない。このため光学系1では、0次光
がフォトダイオード7に入射しないように調整されてい
る。
【0012】0次光以外の回折光は、いずれも位置検出
用として使用できるが、この例では、最も強度の大きい
、図7に示す−1次光のみを採用し、−1次光が最も効
率良く受光できる位置にフォトダイオード7を配置して
いる。回折光によってフォトダイオード7から出力され
る電気信号は、アンプ8で増幅された後、適当なAD変
換、信号処理等を経て、LFZP5に対する回析格子6
の相対位置、ひいては、マスクに対するウェハの相対位
置の情報が得られる。
【0013】図9に、このような回折信号の一例を示す
。図9は、ウェハ上の回折格子を格子の長手方向と直行
する方向にその位置を連続的に走査し、回折光の強度を
観察した場合の結果であり、ここでは、半値幅 〜1.
3μmの範囲で所定の検出強度の信号が得られたことを
示している。このような検出信号を用いることによって
高精度に位置検出をすることが可能である。
【0014】図9に示すような信号強度のガウス分布は
、概ね、以下のような光学的メカニズムによって発生し
ており、図10〜図12を参照して説明する。図10に
示すような長手方向の幅:cの反射型の位相格子を考え
ると、位相格子の幅aと幅bの段差は、入射光に位相差
:exp(ikxx)を与えるものであり、その反射率
は、格子部分で全て“1”、他部分は“0”とすると、
開口関数(exp(ikxx)):A(x,y)は、

0015】
【数2】
【0016】と、積の形に分解でき、図11と図12の
ように示される。この位相格子に平面波を照射したとき
に、発生する回折波をUA とすると、Fraunho
fer回折の理論により、回折波UA は、次式で与え
られる。
【0017】また、開口関数:A(x,y)と回折波U
A の関係を図11に示す。なお、開口関数とは、入射
光に対する複素変調関数である。
【0018】
【数3】
【0019】但し、
【0020】
【数4】
【0021】
【数5】
【0022】(λ:使用波長)
【0023】
【数6】
【0024】
【数7】
【0025】とする。
【0026】
【数8】
【0027】ここで、UAX を、開口関数がeid 
の部分からのもの:u1 、1の部分からのもの:u2
 に分けると、
【0028】
【数9】
【0029】
【数10】
【0030】となり、
【0031】
【数11】
【0032】から、回折光の強度:IA(kx,ky)
は、
【0033】
【数12】
【0034】但し、
【0035】
【数13】
【0036】
【数14】
【0037】
【数15】
【0038】
【数16】
【0039】
【数17】
【0040】
【数18】
【0041】
【数19】
【0042】
【数20】
【0043】
【数21】
【0044】で与えられ、回折光の発生する条件は、

0045】
【数22】
【0046】すなわち、
【0047】
【数23】
【0048】但し、 n=±1,±2… となる。このnに対応する回折光をn次光と呼ぶ。
【0049】図10の位相格子において、全値幅p=4
μm,半値幅a=2μm,幅c=2μm,位相差d=π
/2,波長λ=0.78μm ,周期N=128とした
場合の回折光のkx 分布のシミュレーション結果を図
13に示す。また、+1次のky 分布を図15に示す
【0050】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の位置検出装置に適用された光学系にあっては
、検出用の回折光によって得られる図9に示したような
信号強度の分布幅が入射光の分布幅に比べて広がってし
まうため、入射光の持つ位置情報を減少させるという問
題点があった。
【0051】すなわち、図16に示すように、入射光の
分布を、全値幅が2ωのガウス分布状のものであったと
すると、反射型の位相格子を走査して得られる回折光の
信号強度は、図17に示すように、全値幅が2ω+cと
なり、位相格子の長手方向の幅分だけ拡大され、入射光
分布がそのまま反映されず、高精度な位置検出を妨げる
要因となっていた。
【0052】このような全値幅の増大を減らすため、幅
cを小さくすることが考えられるが、幅cを小さくしす
ぎると回折光が充分に受光できなくなり、信号強度を低
下させて信号のS/N比を劣化させることになるため、
実用的でない。
【0053】また、位相格子の幅cをあまり大きくとる
ことができないため、回折光による信号を得る初期段階
では、他の部分との反射光の違いによって回折格子の位
置を検出することが困難であるといった問題もある。
【0054】[目的]そこで本発明は、コヒーレント光
が走査される方向と直交する軸を境に開口関数が反対称
となる回折格子によって反射させることで、高精度な位
置検出装置を提供することを目的としている。
【0055】
【課題を解決するための手段】本発明による位置検出装
置は上記目的達成のため、その原理図を図1に示すよう
に、格子状に開口関数がeidと1の領域a、bが周期
pで交互に配置されたものを、コヒーレント光の走査方
向xと直交する反対称軸tを境にその開口関数が反対称
となるように、それぞれ幅Lの格子Gと格子G’ を形
成している。
【0056】
【作用】本発明では、光学素子がコヒーレント光の走査
方向と直交する軸を境に開口関数が反対称となるように
形成され、コヒーレント光による入射光がこの軸を通過
する際に発生する反射光の強度が極小にされ、該反射光
による検出信号が極小にされて、軸を通過する前後の反
射光によって検出される信号との対比により軸通過時の
検出信号の強度分布幅が入射光の強度分布幅のまま反映
される。
【0057】すなわち、入射光により光学素子から反射
される位置検出用の反射光の強度と分布状態が入射光と
同等に反射されて、位置検出が精度良く行なわれ、位置
検出装置の高精度化が図られる。
【0058】
【実施例】以下、本発明を図面に基づいて説明する。図
2〜図6は本発明に係る位置検出装置の一実施例を示す
図であり、図2は本実施例の位置検出装置に適用される
回折格子の構成を示す図である。
【0059】なお、本実施例において、図2に示す回折
格子以外の構成部分は、図7に示した従来例の光学系と
同一構成であるため、図示及び説明は省略する。
【0060】まず、構成を説明する。図2の回折格子1
1は、開口関数が“eid”と“1”の領域a(白抜き
部分)とb(黒色部分)が周期pで交互にN周期幅に配
置された格子12と格子13からなり、各格子12,1
3は、軸tを境にそれぞ幅Lで開口関数が反対称となる
ように形成されている。なお、回折格子11の軸tは、
位置検出装置にセットされる際に、入射光又は、回折格
子が走査される走査方向に対して直交するように配置さ
れる。
【0061】この回折格子11は、図3,4に示すよう
に、入射光に対して回折光を発生させる特性を有してい
る。図2および図3において、幅2ωの入射光f(x)
又は、回折格子の走査により入射光の中心と回折格子1
1の軸tが一致したとき(x=t)、図4に示すように
、回折光によって出力される検出信号の強度が極小とな
り、このとき、検出信号の極小となる部分の全値幅は2
ωに保たれて、入射光の強度分布をそのまま反映する特
性を示している。
【0062】次に作用を説明する。回折格子11から発
生する回折光の光学的メカニズムについて説明する。図
2において、入射光は、x=0を中心とした幅2ωの矩
形状で、長手方向は、格子より大きなサイズを持つもの
とする。(全範囲で強度:1、均一な位相を持つ。)こ
の条件で、入射光に対して、回折格子11を走査する時
の回析光の振幅:UASは、次式で与えられる。
【0063】
【数24】
【0064】但し、UG ,UG’ は、各格子12,
13からの回折光
【0065】
【数25】
【0066】
【数26】
【0067】但し、U1 ,U2 は、上記、従来の数
式9,10で定義したもの(但し、a=b、p=2aと
する)特に、n次光が発生するとき、(kx=2nπ/
p,n=±1,±2…)
【0068】
【数27】
【0069】で、
【0070】
【数28】
【0071】
【数29】
【0072】だから、回折光の波動:UAS(t)は、
【0073】
【数30】
【0074】となる。このとき、回折光強度:IAC(
t)は、次式で与えられる。
【0075】
【数31】
【0076】よって、t=0のときの回析光強度:IA
C(0)は、次式で与えられる。
【0077】
【数32】
【0078】さらに、IAS(0)→0(ky →0)
であるから、回折格子11の反対称軸tが、入射光の中
心(x=0)にある時は、ky =0方向へ、n次元(
n=±1,±2…)は発生しない。
【0079】このときの回折光のkx 分布とky 分
布(n=1)のシミュレーション結果を図5,6に示す
。 これらの図により、回折格子11では、ky =0方向
へは、0次元以外の回折光が発生していないことがわか
る。また、+1次元方向は、ky =0を中心とした左
右の二方向を中心とした分布を示しており、確かに、k
y =0方向での強度は“0”となっている。なお、こ
のシミュレーションにおけるパラメータ設定は、格子の
周期p=4μm,p=2a=2b,位相差d=π/2,
波長λ=0.78μm ,周期N=128となっている
【0080】さらに、t≦−ωの時の回折光強度分布は
、上記従来の位相格子のものと、全く同じであり、ω≦
tの時の回折光強度分布は、周期Nが充分大きければ、
ほとんど同じである。してがって、ky =0を中心と
した適当な範囲の回折光強度による検出信号を測定すれ
ば、信号の極小点として、反対称軸の位置を検出するこ
とができる。
【0081】したがって、図4に示したような回折光に
よる検出信号の極小部分を位置検出信号として採用すれ
ば、入射光と同等の情報を保ったままの回折光強度と分
布の検出信号を得ることができ、高精度に対象物の位置
を検出することができる。
【0082】また、回折格子11の幅(2L)は、L≧
2ωである限り、回折光による位置検出部分には無関係
であるから、いくらでも大きくとることができ、回折信
号全体の全値幅は、Lを適当に大きくすることにより、
検出信号取得初期段階での回折格子11の探索が容易な
サイズに任意に設定することができる。すなわち、検出
信号のS/N比を充分に確保することができる。
【0083】なお、上記実施例では、回折格子11を2
次元的に形成しているが、この形状に限らず、開口関数
が異なる2つの領域を交互に3次元的に形成しても良い
【0084】
【発明の効果】本発明では、回折格子をコヒーレント光
の走査方向と直交する軸を境に開口関数が反対称となる
ように形成し、コヒーレント光による入射光がこの軸を
通過する際に発生する反射光の強度を極小とし、該反射
光による検出信号も極小として、軸を通過する前後の反
射光によって検出される信号との対比により軸通過時の
検出信号の強度分布を入射光の強度分布のまま反映する
ことができ、入射光により回折格子から反射される位置
検出用の反射光による位置測定信号の幅を入射光と同等
にすることができる。
【0085】したがって、位置検出を精度良く行なうこ
とができ、位置検出装置の高精度化を図ることができる
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明一実施例の位置検出装置の原理説明図で
ある。
【図2】本発明一実施例の位置検出装置に適用された回
折格子の構成を示す図である。
【図3】本発明一実施例の入射光の強度分布を示す図で
ある。
【図4】本発明一実施例の回折光の強度分布を示す図で
ある。
【図5】本発明一実施例の回折格子による回折光のkx
 分布を示す図である。
【図6】本発明一実施例の回折格子による回折光の+1
次元のky 分布を示す図である。
【図7】従来例の光学系の概略構成を示す図である。
【図8】図7のLFZPと回折格子の構成を示す図であ
る。
【図9】従来例の検出信号の波形図である。
【図10】従来例の位相格子における開口関数を示す図
である。
【図11】図10の開口関数を分解して得られる関数要
素を示す図である。
【図12】図10の開口関数を分解して得られる関数要
素を示す図である。
【図13】従来例の開口関数と回折光の関係を示す図で
ある。
【図14】従来例の位相格子による回折光のkx 分布
を示す図である。
【図15】従来例の位相格子による回折光の+1次元の
ky 分布を示す図である。
【図16】従来例の入射光の強度分布を示す図である。
【図17】従来例の位相格子による回折光の強度分布を
示す図である。
【符号の説明】
1    位置検出装置 2    レーザーチューブ 3    集束レンズ 4    ミラー 5    リニアフレネルゾーンプレート6    回
折格子 7    フォトダイオード 8    アンプ 11    回折格子 12,13    格子

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】光源からのコヒーレント光を所定の開口関
    数を有する回折格子に照射し、該コヒーレント光または
    、該回折格子を所定方向に走査するとき、該回折格子か
    ら所定方向に発生する回折光を受光し、該受光強度によ
    りコヒーレント光と回折格子の相対位置関係を検出する
    位置検出装置において、前記回折格子を前記走査方向と
    直交する軸を境に開口関数が反対称となるように形成し
    たことを特徴とする位置検出装置。
JP3057435A 1991-03-20 1991-03-20 位置検出装置 Withdrawn JPH04291103A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009509156A (ja) * 2005-09-21 2009-03-05 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 物体の運動を検出するシステム
JP2016085055A (ja) * 2014-10-23 2016-05-19 株式会社ミツトヨ 光学式エンコーダ

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Effective date: 19980514