JP2614863B2 - Ｘ線縮小投影露光装置 - Google Patents
Ｘ線縮小投影露光装置Info
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- JP2614863B2 JP2614863B2 JP62166174A JP16617487A JP2614863B2 JP 2614863 B2 JP2614863 B2 JP 2614863B2 JP 62166174 A JP62166174 A JP 62166174A JP 16617487 A JP16617487 A JP 16617487A JP 2614863 B2 JP2614863 B2 JP 2614863B2
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- rays
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は主として半導体装置の製造において微細パタ
ンを形成するときに用いられる露光装置であり、Ｘ線か
ら真空紫外領域の光源を用いて、ウェハ上に微細パタン
を転写する縮小投影露光装置に関するものである。
ンを形成するときに用いられる露光装置であり、Ｘ線か
ら真空紫外領域の光源を用いて、ウェハ上に微細パタン
を転写する縮小投影露光装置に関するものである。
従来の微細パタンの形成方法としては、波長400nm前
後の紫外線による露光方式が用いられているが、パタン
寸法が１μｍ前後になると、回折，干渉のために物理的
な解像限界となり、１μｍ以下のパタン形成法としては
有用ではない。解像度向上策として350nmのｉ線もしく
は250nmを用いた露光方式が検討されているが、解像度
は0.7μｍ程度が限界となる。また、さらに短波長化す
ると適当な屈折率をもつレンズ材料が存在しなくなる。
後の紫外線による露光方式が用いられているが、パタン
寸法が１μｍ前後になると、回折，干渉のために物理的
な解像限界となり、１μｍ以下のパタン形成法としては
有用ではない。解像度向上策として350nmのｉ線もしく
は250nmを用いた露光方式が検討されているが、解像度
は0.7μｍ程度が限界となる。また、さらに短波長化す
ると適当な屈折率をもつレンズ材料が存在しなくなる。
このため、レンズによらない転写方式として、軟Ｘ線
（波長４〜40Å）を用いたプロキシミティ露光方式が提
案されている。この方式は第５図に示すように、Ｘ線に
対して透過性の膜の上に、Ｘ線を吸収するパタンを形成
したマスク２と、レジストを塗布したウェハ３とを数10
μｍの間隔をおいて平行に設置し、マスク２面に垂直な
方向からＸ線束１を照射することによって、マスク２上
のパタンをウェハ３上に転写するものである。この方式
は、高い解像性，耐塵性等の特徴のある優れた転写技術
であることが確認されているが、等倍投影のために、マ
スクパタンを描画する露光機の性能で支配されるマスク
パタンの持つ性能以上にＸ線によるパタン転写性能（解
像度，位置合わせ精度等）を向上させることができな
い。また、プロキシミティ露光のため、フレネル回折に
より解像度が低下するという問題がある。
（波長４〜40Å）を用いたプロキシミティ露光方式が提
案されている。この方式は第５図に示すように、Ｘ線に
対して透過性の膜の上に、Ｘ線を吸収するパタンを形成
したマスク２と、レジストを塗布したウェハ３とを数10
μｍの間隔をおいて平行に設置し、マスク２面に垂直な
方向からＸ線束１を照射することによって、マスク２上
のパタンをウェハ３上に転写するものである。この方式
は、高い解像性，耐塵性等の特徴のある優れた転写技術
であることが確認されているが、等倍投影のために、マ
スクパタンを描画する露光機の性能で支配されるマスク
パタンの持つ性能以上にＸ線によるパタン転写性能（解
像度，位置合わせ精度等）を向上させることができな
い。また、プロキシミティ露光のため、フレネル回折に
より解像度が低下するという問題がある。
即ち、マスク２とウェハ３間のギャップをｓ、使用光
源の波長をλ、回折の程度を表わす比例定数をｋ、パタ
ン寸法をａとするとこれらの間には次式の関係がある。
源の波長をλ、回折の程度を表わす比例定数をｋ、パタ
ン寸法をａとするとこれらの間には次式の関係がある。
ｄ＝ｋ（ｓ・λ）1/2 （１） ここで、比例定数ｋとして解像限界に相当する値を与
えると（１）式は解像し得る最小パタン寸法を与えるこ
ととなる。
えると（１）式は解像し得る最小パタン寸法を与えるこ
ととなる。
例えばｋ＝1.5、ｓ＝10μｍ、λ＝10Åでは（１）式
からｄ＝0.15μｍが解像限界となる。実際にはギャップ
ｓはマスク損傷等を考慮すると、20μｍ以上は必要とな
るため、あまり微細なパタン形成は出来ない。
からｄ＝0.15μｍが解像限界となる。実際にはギャップ
ｓはマスク損傷等を考慮すると、20μｍ以上は必要とな
るため、あまり微細なパタン形成は出来ない。
また、光源に発散光を用いる場合には第６図に示すよ
うなランアウト誤差と呼ぶ横方向の位置ずれ量Δｂを生
ずる。
うなランアウト誤差と呼ぶ横方向の位置ずれ量Δｂを生
ずる。
第６図は、ランアウトの影響を説明する図で、複数の
マスク間でのギャップｓの設定値がΔｓ変動した場合を
示している。ここで、光源1aとマスク２との間の距離を
Ｄ、対象露光領域半径をＲ、マスク２からマスク2aへの
ギャップ変動量をΔｓとすると、ランアウト誤差Δｂは
次式で表わされる。
マスク間でのギャップｓの設定値がΔｓ変動した場合を
示している。ここで、光源1aとマスク２との間の距離を
Ｄ、対象露光領域半径をＲ、マスク２からマスク2aへの
ギャップ変動量をΔｓとすると、ランアウト誤差Δｂは
次式で表わされる。
Δｂ＝（R/D）Δｓ （２） （２）式から分かるようにランアウト誤差Δｂの値は
ギャップ変動量Δｓに比例して増大する。従って、プロ
キシミティ露光で高精度なパタンを得るためには、マス
ク２とウェハ３との横方向の相対位置を検出する位置検
出機構の他に、マスク２とウェハ３のギャップならびに
傾きを高精度に制御する６軸位置検出制御機構が必要と
なり、装置構成上の複雑化，高精度化が要求される。
ギャップ変動量Δｓに比例して増大する。従って、プロ
キシミティ露光で高精度なパタンを得るためには、マス
ク２とウェハ３との横方向の相対位置を検出する位置検
出機構の他に、マスク２とウェハ３のギャップならびに
傾きを高精度に制御する６軸位置検出制御機構が必要と
なり、装置構成上の複雑化，高精度化が要求される。
これに対して、第７図に示すように、Ｘ線領域での縮
小投影法として、全反射を利用した方式が提案されてい
る。（松村他「Ｘ線反射露光を用いたパタンの転写」昭
和60年春季応用物理学会講演予稿集p309）。すなわち、
Siウェハ上にAu（金）吸収体のパタンを形成することに
より得られたマスク２に全反射となるような入射角で平
行なＸ線束１′を入射すると、パタンに応じたコントラ
ストをもつ平行な反射Ｘ線束１′ｂが得られ、反射Ｘ線
束１′ｂに垂直にウェハ３を置くと、入射角の正弦値に
等しい縮小比のパタンが得られる。なお、第７図の４は
反射鏡である。
小投影法として、全反射を利用した方式が提案されてい
る。（松村他「Ｘ線反射露光を用いたパタンの転写」昭
和60年春季応用物理学会講演予稿集p309）。すなわち、
Siウェハ上にAu（金）吸収体のパタンを形成することに
より得られたマスク２に全反射となるような入射角で平
行なＸ線束１′を入射すると、パタンに応じたコントラ
ストをもつ平行な反射Ｘ線束１′ｂが得られ、反射Ｘ線
束１′ｂに垂直にウェハ３を置くと、入射角の正弦値に
等しい縮小比のパタンが得られる。なお、第７図の４は
反射鏡である。
この方法ではマスク２上のコントラストを得るために
Ｘ線領域での全反射角度を１〜２度以下と小さくせねば
ならず、縮小比は1/30以下と大きくとれるものの、逆に
転写用マスク２のパタンはウェハ３上のパタンの30倍以
上の大きさのものが必要となり、マスク全体のサイズが
極めて大きなものとなる。また、この系では、マスク2,
ウェハ３間に結像作用がないために、マスク2,ウェハ３
間の距離を増すと、回折の影響でパタンのぼけが生ずる
等の欠点がある。また、この方法では、１次元の縮小と
なり、２次元すなわち面状の縮小はできない。
Ｘ線領域での全反射角度を１〜２度以下と小さくせねば
ならず、縮小比は1/30以下と大きくとれるものの、逆に
転写用マスク２のパタンはウェハ３上のパタンの30倍以
上の大きさのものが必要となり、マスク全体のサイズが
極めて大きなものとなる。また、この系では、マスク2,
ウェハ３間に結像作用がないために、マスク2,ウェハ３
間の距離を増すと、回折の影響でパタンのぼけが生ずる
等の欠点がある。また、この方法では、１次元の縮小と
なり、２次元すなわち面状の縮小はできない。
本発明の目的は、上述したような、従来のＸ線露光法
であるプロキシティ露光での解像度がマスクとウェハ間
のギャップで制限され、位置合わせ精度を高めるために
ギャップ制御（ギャップと傾斜）を含めた高精度な６軸
位置合わせ検出制御機構を必要とすること、等倍投影の
ためマスクパタンは微細で位置精度の高いものが要求さ
れるが、そのようなマスクを作成する技術に大きな困難
性があること、更に、このような微細パタンをもつマス
クパタンを検査し得る手段の開発も容易ではないため、
その良否の判定が困難であるなどの問題を解決するにあ
る。
であるプロキシティ露光での解像度がマスクとウェハ間
のギャップで制限され、位置合わせ精度を高めるために
ギャップ制御（ギャップと傾斜）を含めた高精度な６軸
位置合わせ検出制御機構を必要とすること、等倍投影の
ためマスクパタンは微細で位置精度の高いものが要求さ
れるが、そのようなマスクを作成する技術に大きな困難
性があること、更に、このような微細パタンをもつマス
クパタンを検査し得る手段の開発も容易ではないため、
その良否の判定が困難であるなどの問題を解決するにあ
る。
このような問題点を解決するために本発明は、図形を
有する第１の基板と、この第１の基板上にＸ線を入射す
る手段と、Ｘ線に対し感光性を有する第２の基板と、Ｘ
線の進行方向に沿って第１の基板と第２の基板との間に
位置する１個の凹状の曲面をもつ反射鏡からなる縮小光
学系と、第１の基板に対して第２の基板を縮小光学系の
縮小率に応じて位置合わせする位置合わせ手段とを装置
に設けるようにしたものである。さらに、直入射での反
射光学系として重元素を主とした薄膜と、軽元素を主と
した薄膜を交互に幾層にも形成した多層膜とし、さら
に、第１の基板と第２の基板を前記の反射鏡の主軸に対
して垂直面内に配置したものである。
有する第１の基板と、この第１の基板上にＸ線を入射す
る手段と、Ｘ線に対し感光性を有する第２の基板と、Ｘ
線の進行方向に沿って第１の基板と第２の基板との間に
位置する１個の凹状の曲面をもつ反射鏡からなる縮小光
学系と、第１の基板に対して第２の基板を縮小光学系の
縮小率に応じて位置合わせする位置合わせ手段とを装置
に設けるようにしたものである。さらに、直入射での反
射光学系として重元素を主とした薄膜と、軽元素を主と
した薄膜を交互に幾層にも形成した多層膜とし、さら
に、第１の基板と第２の基板を前記の反射鏡の主軸に対
して垂直面内に配置したものである。
第１図は本発明の第１の実施例を示す構成図である。
第１図において、１はＸ線源からのＸ線束、２は図形を
有する第１の基板としてのマスク、３はＸ線に対して感
光性を有する第２の基板としてのウェハ、４は重元素を
主とする薄膜と軽元素を主とする薄膜を交互に幾層にも
形成した凹球面反射鏡、５はマスク２を一定の方向に移
動させるマスクステージ、６はウェハ３を直交する２方
向に間欠移動するウェハステージ、７は円弧状の切り欠
きをもつ遮光板である。
第１図において、１はＸ線源からのＸ線束、２は図形を
有する第１の基板としてのマスク、３はＸ線に対して感
光性を有する第２の基板としてのウェハ、４は重元素を
主とする薄膜と軽元素を主とする薄膜を交互に幾層にも
形成した凹球面反射鏡、５はマスク２を一定の方向に移
動させるマスクステージ、６はウェハ３を直交する２方
向に間欠移動するウェハステージ、７は円弧状の切り欠
きをもつ遮光板である。
マスク２に入射したＸ線束１は、マスク２上に描かれ
たパタンに応じた反射Ｘ線束として入射角（反射Ｘ線束
と反射鏡の主軸とがなす角）と同じ反射角をもって進
む。ここで、反射鏡の主軸は、反射鏡面上の反射Ｘ線束
の中心点での反射鏡面の法線をいう。反射Ｘ線束は７の
遮光板によって円弧状の開口部を通過した光となって凹
球面反射鏡４に入射する。凹球面反射鏡４に入射したＸ
線束１は入射角に等しい反射角で反射されたウェハ上に
集光し、マスク上の円弧状部分のパタンをウェハ上に縮
小結像する。第１図には、マスク上の１点から出たＸ線
束が凹球面反射鏡を経てウェハ上の１点に集光する様子
が示されている。
たパタンに応じた反射Ｘ線束として入射角（反射Ｘ線束
と反射鏡の主軸とがなす角）と同じ反射角をもって進
む。ここで、反射鏡の主軸は、反射鏡面上の反射Ｘ線束
の中心点での反射鏡面の法線をいう。反射Ｘ線束は７の
遮光板によって円弧状の開口部を通過した光となって凹
球面反射鏡４に入射する。凹球面反射鏡４に入射したＸ
線束１は入射角に等しい反射角で反射されたウェハ上に
集光し、マスク上の円弧状部分のパタンをウェハ上に縮
小結像する。第１図には、マスク上の１点から出たＸ線
束が凹球面反射鏡を経てウェハ上の１点に集光する様子
が示されている。
第２図は、第１図の構成のマスク面とウェハ面を上部
からみたもので、マスク上の円弧状のパタンが、ウェハ
上に２次元に縮小される様子を示している。第１図の構
成によって、マスク上の円弧状の線分をウェハ上に縮小
転写できるが、例えば同時にマスクステージ５とウェハ
ステージ６をそれぞれ同期して、かつ、ウェハステージ
６をマスクステージ５に対して倍率分低速度で移動させ
ることにより、縮小光学系の縮小率に応じてマスクとウ
ェハとの位置合わせを行ない、マスク上の広い領域のパ
タンをウェハ上に形成することができる。マスク上の全
領域を転写した後、ウェハステージ６のみを移動させ、
ひきつづき、前記のマスクとウェハの同期移動をおこな
うことにより、ウェハ上にマスク上のパタンを多数縮小
転写することができる。
からみたもので、マスク上の円弧状のパタンが、ウェハ
上に２次元に縮小される様子を示している。第１図の構
成によって、マスク上の円弧状の線分をウェハ上に縮小
転写できるが、例えば同時にマスクステージ５とウェハ
ステージ６をそれぞれ同期して、かつ、ウェハステージ
６をマスクステージ５に対して倍率分低速度で移動させ
ることにより、縮小光学系の縮小率に応じてマスクとウ
ェハとの位置合わせを行ない、マスク上の広い領域のパ
タンをウェハ上に形成することができる。マスク上の全
領域を転写した後、ウェハステージ６のみを移動させ、
ひきつづき、前記のマスクとウェハの同期移動をおこな
うことにより、ウェハ上にマスク上のパタンを多数縮小
転写することができる。
ここで、マスク２は反射と吸収によってパタンのコン
トラストを与える反射型としており、反射面としては、
重元素を主とする薄膜と軽元素を主とする薄膜を交互に
幾層にも積層した多層膜を用いれば、入射角の小さな直
入射光学系とすることができ、球面収差を小さくするこ
とができる。
トラストを与える反射型としており、反射面としては、
重元素を主とする薄膜と軽元素を主とする薄膜を交互に
幾層にも積層した多層膜を用いれば、入射角の小さな直
入射光学系とすることができ、球面収差を小さくするこ
とができる。
また、縮小光学系４の反射鏡の主軸に対して垂直面内
にマスク２とウェハ３とを配置し、かつ、マスクから反
射した反射Ｘ線束1aの中心が、前記の構成の主軸を通る
ように入射角を選ぶことによって、収差を小さく、かつ
２次元とも縮小倍率の等しいパタンを形成できる。入射
角の等しいＸ線は遮光板７によって得られるが、第３図
に示すような集光光学系８を配置することによって、結
像性能を向上させることができる。
にマスク２とウェハ３とを配置し、かつ、マスクから反
射した反射Ｘ線束1aの中心が、前記の構成の主軸を通る
ように入射角を選ぶことによって、収差を小さく、かつ
２次元とも縮小倍率の等しいパタンを形成できる。入射
角の等しいＸ線は遮光板７によって得られるが、第３図
に示すような集光光学系８を配置することによって、結
像性能を向上させることができる。
また、縮小光学系として、第１の実施例では凹球面反
射鏡４を用いているが、直交する２方向にそれぞれ曲率
半径の異なるトロイダル面を用いることにより、球面収
差を小さくすることができ、パタン解像度を向上させる
ことができる。
射鏡４を用いているが、直交する２方向にそれぞれ曲率
半径の異なるトロイダル面を用いることにより、球面収
差を小さくすることができ、パタン解像度を向上させる
ことができる。
さらに、反射鏡４の多層膜は一般に斜入射に近いほ
ど、即ち、入射角度を大きくするほど、反射率を高くす
ることができるため、許容される解像度に見合った斜入
射光学系とすることできる。
ど、即ち、入射角度を大きくするほど、反射率を高くす
ることができるため、許容される解像度に見合った斜入
射光学系とすることできる。
また、斜入射光学系とすれば、10Å程の波長帯での多
層膜反射鏡が使用でき、厚膜レジストの使用、従来の透
過型マスクが利用できる等の長所がある。
層膜反射鏡が使用でき、厚膜レジストの使用、従来の透
過型マスクが利用できる等の長所がある。
即ち、多層膜の入射角と波長はブラッグの反射条件
（ｍλ＝2dsinθ，λ：波長,d:ピッチ，θ：ブラッグ角
＝90°−入射角,m:次数）で決められ、直入射条件、即
ちsinθ１ではピッチｄはλ/2に等しくなる。このた
め、従来のＸ線露光法で用いられている波長10Å以下に
対する直入射での１層の膜厚は軽元素層と重元素層の膜
厚を１対１とすると、2.5Å以下となる。2.5Åでは干渉
効果を生ずる十分緻密な膜にならず、現状の薄膜形成技
術では10Å以上が必要となる。このため、ピッチｄは20
Å以上となり、直入射で多層膜反射鏡の使用波長は40Å
以上となる。これに対して、入射角数10度以上をもつ斜
入射光学系では例えば、入射角80度では、ピッチｄは波
長λの３倍の厚さでよく、例えば、波長10Åに対してピ
ッチｄは30Åとなる。この厚さの薄膜なら十分作成でき
る。
（ｍλ＝2dsinθ，λ：波長,d:ピッチ，θ：ブラッグ角
＝90°−入射角,m:次数）で決められ、直入射条件、即
ちsinθ１ではピッチｄはλ/2に等しくなる。このた
め、従来のＸ線露光法で用いられている波長10Å以下に
対する直入射での１層の膜厚は軽元素層と重元素層の膜
厚を１対１とすると、2.5Å以下となる。2.5Åでは干渉
効果を生ずる十分緻密な膜にならず、現状の薄膜形成技
術では10Å以上が必要となる。このため、ピッチｄは20
Å以上となり、直入射で多層膜反射鏡の使用波長は40Å
以上となる。これに対して、入射角数10度以上をもつ斜
入射光学系では例えば、入射角80度では、ピッチｄは波
長λの３倍の厚さでよく、例えば、波長10Åに対してピ
ッチｄは30Åとなる。この厚さの薄膜なら十分作成でき
る。
第４図は、本発明の第２の実施例であり、マスクとし
てＸ線を透過する部分と吸収する部分とによってパタン
コントラストを与える透過型マスク２′を用いた例であ
る。前述したように、従来のSiNメンブレンマスクやBN
メンブレンマスクを使用することができる。本構成でも
第１の実施例同様の構成から、２次元に縮小されたパタ
ンをウェハ上に多数得ることができる。
てＸ線を透過する部分と吸収する部分とによってパタン
コントラストを与える透過型マスク２′を用いた例であ
る。前述したように、従来のSiNメンブレンマスクやBN
メンブレンマスクを使用することができる。本構成でも
第１の実施例同様の構成から、２次元に縮小されたパタ
ンをウェハ上に多数得ることができる。
以上述べたように、縮小光学系を１枚の反射鏡で構成
できることは、光の損失を最小限とすることができ、か
つ、反射鏡間の調整が不要など、装置構成上のメリット
も大きい。
できることは、光の損失を最小限とすることができ、か
つ、反射鏡間の調整が不要など、装置構成上のメリット
も大きい。
以上説明したように本発明は、Ｘ線の進行方向に沿っ
て第１の基板と第２の基板との間に縮小光学系を設置す
ることにより、Ｘ線から真空紫外領域での縮小投影露光
を構成できるので、１μｍ以下の微細なパタンを容易に
得ることができ、マスク上のパタンサイズも５〜10倍の
レチクルパタンでよく、マスクの制作が容易になると共
に、マスクの検査・修正技術も従来の紫外線露光での装
置が利用できる。
て第１の基板と第２の基板との間に縮小光学系を設置す
ることにより、Ｘ線から真空紫外領域での縮小投影露光
を構成できるので、１μｍ以下の微細なパタンを容易に
得ることができ、マスク上のパタンサイズも５〜10倍の
レチクルパタンでよく、マスクの制作が容易になると共
に、マスクの検査・修正技術も従来の紫外線露光での装
置が利用できる。
また、縮小投影露光構成により、マスクとウェハのギ
ャップの高精度設定が不要となり、従来困難とされてい
たアライナの構成が容易となる。
ャップの高精度設定が不要となり、従来困難とされてい
たアライナの構成が容易となる。
さらに、縮小光学系の光軸に同心に切り欠きをもつ遮
光板を置き、マスクとウェハを同期させることにより、
マスク上の広い面積をウェハ上に２次元縮小転写するこ
とができ、2500Å以下の波長での屈折光学系で問題とな
る大面積露光を可能とすることができる。
光板を置き、マスクとウェハを同期させることにより、
マスク上の広い面積をウェハ上に２次元縮小転写するこ
とができ、2500Å以下の波長での屈折光学系で問題とな
る大面積露光を可能とすることができる。
第１図は本発明の第１の実施例を示すＸ線縮小投影露光
装置の概略図、第２図は第１図の構成のＸ線縮小投影露
光装置の縮小投影の様子を示す図、第３図は集光光学系
を示す図、第４図は本発明の第２の実施例を示すＸ線縮
小投影露光装置の概略図、第５図は従来のプロキシミテ
ィ露光方式を説明するための図、第６図はプロキシミテ
ィ露光方式でのランアウト誤差を説明するための図、第
７図は従来の全反射を利用した一次元縮小投影露光法を
説明するための図である。 1,1′…Ｘ線束、1a,1′ａ…反射Ｘ線束、2,2a…マス
ク、２′…透過型マスク、３…ウェハ、４…反射鏡、５
…マスクステージ、６…ウェハステージ、７…遮光板、
８…集光光学系。
装置の概略図、第２図は第１図の構成のＸ線縮小投影露
光装置の縮小投影の様子を示す図、第３図は集光光学系
を示す図、第４図は本発明の第２の実施例を示すＸ線縮
小投影露光装置の概略図、第５図は従来のプロキシミテ
ィ露光方式を説明するための図、第６図はプロキシミテ
ィ露光方式でのランアウト誤差を説明するための図、第
７図は従来の全反射を利用した一次元縮小投影露光法を
説明するための図である。 1,1′…Ｘ線束、1a,1′ａ…反射Ｘ線束、2,2a…マス
ク、２′…透過型マスク、３…ウェハ、４…反射鏡、５
…マスクステージ、６…ウェハステージ、７…遮光板、
８…集光光学系。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 金子 隆司 神奈川県厚木市森の里若宮３番１号 日 本電信電話株式会社厚木電気通信研究所 内 (72)発明者 石原 直 神奈川県厚木市森の里若宮３番１号 日 本電信電話株式会社厚木電気通信研究所 内 (56)参考文献 特開 昭60−173551（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−9632（ＪＰ，Ａ)
Claims (4)
- 【請求項１】図形を有する第１の基板と、この第１の基
板上にＸ線を入射するＸ線源と、Ｘ線に対して感光性を
有する第２基板と、Ｘ線の進行方向に沿って前記第１の
基板と前記第２の基板との間に位置し、１個の凹状の曲
面を持つ反射鏡からなる縮小光学系と、円弧状の開口を
有する遮蔽板と、前記第１の基板に対して前記第２の基
板を前記縮小光学系の縮小率に応じて位置合わせする位
置合わせ装置とを備えたことを特徴とするＸ線縮小投影
露光装置。 - 【請求項２】図形を有する第１の基板と、この第１の基
板上にＸ線を入射するＸ線源と、Ｘ線に対して感光性を
有する第２基板と、前記Ｘ線源と前記第１基板との間に
位置し、Ｘ線を集光して前記第１基板を円弧状に照明す
る光学系と、Ｘ線の進行方向に沿って前記第１の基板と
前記第２の基板との間に位置し、１個の凹状の曲面を持
つ反射鏡からなる縮小光学系と、前記第１の基板に対し
て前記第２の基板を前記縮小光学系の縮小率に応じて位
置合わせする位置合わせ装置とを備えたことを特徴とす
るＸ線縮小投影露光装置。 - 【請求項３】Ｘ線の進行方向に沿って前記第１の基板と
前記第２の基板との間に円弧状の開口を有する遮蔽板を
位置したことを特徴とする第２項記載のＸ線縮小投影露
光装置。 - 【請求項４】前記反射鏡の主軸に対して垂直面内に前記
第１の基板と、前記第２の基板を配置したことを特徴と
する第１項、第２項、及び第３項記載のＸ線縮小投影露
光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62166174A JP2614863B2 (ja) | 1987-07-02 | 1987-07-02 | Ｘ線縮小投影露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62166174A JP2614863B2 (ja) | 1987-07-02 | 1987-07-02 | Ｘ線縮小投影露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6410625A JPS6410625A (en) | 1989-01-13 |
| JP2614863B2 true JP2614863B2 (ja) | 1997-05-28 |
Family
ID=15826447
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62166174A Expired - Lifetime JP2614863B2 (ja) | 1987-07-02 | 1987-07-02 | Ｘ線縮小投影露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2614863B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0616485B2 (ja) * | 1989-12-26 | 1994-03-02 | 広島大学長 | 単収束ミラーによる反射型２次元パターン縮小転写法および装置 |
| US5229872A (en) * | 1992-01-21 | 1993-07-20 | Hughes Aircraft Company | Exposure device including an electrically aligned electronic mask for micropatterning |
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| JPS629632A (ja) * | 1985-07-06 | 1987-01-17 | Agency Of Ind Science & Technol | 投影露光装置 |
-
1987
- 1987-07-02 JP JP62166174A patent/JP2614863B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6410625A (en) | 1989-01-13 |
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