JPH0246717A - Ｘ線露光方法 - Google Patents
Ｘ線露光方法Info
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- JPH0246717A JPH0246717A JP63197509A JP19750988A JPH0246717A JP H0246717 A JPH0246717 A JP H0246717A JP 63197509 A JP63197509 A JP 63197509A JP 19750988 A JP19750988 A JP 19750988A JP H0246717 A JPH0246717 A JP H0246717A
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Links
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 abstract description 4
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- 238000001015 X-ray lithography Methods 0.000 description 1
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Particle Accelerators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は、Ｘ線リソグラ７オにおいて有用なＸ線露光方
法に関する。
法に関する。
（リ 従来の技術
超ＬＳＩ技術は、その集積度の高まシと共に、フォトリ
ングラフィによる加工限界に米ている。
ングラフィによる加工限界に米ている。
これを破る技術として半導体微細加工へのＸ線の利用が
検討されている。特忙、強力光源として電子蓄積リング
からのシンクロトロン放射光の利用が有望視され、利用
技術の開発が進められている。
検討されている。特忙、強力光源として電子蓄積リング
からのシンクロトロン放射光の利用が有望視され、利用
技術の開発が進められている。
そこで問題になるのはＸ線忙よる露光面積の拡大である
。水平軌道を持つリングの場合、光は水平方向には充分
な拡がシを有しているが、鉛直方向には数ミリラジアン
の限られた拡がりしか有しない。そのため−回の露光で
大口径ウェハー全体を均一に露光するためにはＸ線とウ
ェハーの相対的表位置を動かしてやる必要がある。その
ための具体的な方法として、 伽） 電子の軌道を振らせる電子波動の方法（特開昭６
１−２００７００号公報、特開昭６２−１３９３００号
公報）、Φ） Ｘ線を放射する蓄積リングそのものを上
下する方法（特開昭６２−１４１７２１号公報）、（Ｃ
）１個の全反射ミラーを使うてその位置を移動させる方
法←特開昭６１−２７６２２３号公報）、（ｄ） １
個の全反射ミラーを射ミラーを使って第２のミラーの方
位を振動させる方法（特開昭６２−２９１０２７号公報
）、（ｆ）Ｘ線マスク及びウェハを相互に並行に保持し
たまま平面内で移動する方法（特開昭６２−１５９４３
０号公報）等が提案されている。
。水平軌道を持つリングの場合、光は水平方向には充分
な拡がシを有しているが、鉛直方向には数ミリラジアン
の限られた拡がりしか有しない。そのため−回の露光で
大口径ウェハー全体を均一に露光するためにはＸ線とウ
ェハーの相対的表位置を動かしてやる必要がある。その
ための具体的な方法として、 伽） 電子の軌道を振らせる電子波動の方法（特開昭６
１−２００７００号公報、特開昭６２−１３９３００号
公報）、Φ） Ｘ線を放射する蓄積リングそのものを上
下する方法（特開昭６２−１４１７２１号公報）、（Ｃ
）１個の全反射ミラーを使うてその位置を移動させる方
法←特開昭６１−２７６２２３号公報）、（ｄ） １
個の全反射ミラーを射ミラーを使って第２のミラーの方
位を振動させる方法（特開昭６２−２９１０２７号公報
）、（ｆ）Ｘ線マスク及びウェハを相互に並行に保持し
たまま平面内で移動する方法（特開昭６２−１５９４３
０号公報）等が提案されている。
（ハ）発明が解決しようとする課題
前記（ａ）〜σ）の方法は、いづれも露光面積を拡大す
る効果を持つが、次に示すように問題を含んでいる。伽
）の電子波動の方法は蓄積リングを設計する時に考慮す
れば非常に優れた方法であるが、既存リングをオｕＪ＠
する場合には使えない、、（ｂ）のリング自体を上下さ
せる方法は、将来、超小型リングが実用になうた場合は
考慮に値するが、数多くの重い電磁石が分かれて配列さ
れている現在のリングでは実現の可能性はλい。（Ｃ）
は非常に簡単で有効な方法であるが、ミラーに入射する
Ｘ線と出射Ｘ線の方向が並行でないために、レジスト感
度などの要請で波長分布を変えるためにミラーの角度を
変更する場合にはミラーの下流側にある装置を全て移動
させなければならなくなる。これは現実問題として多く
の困難を伴い、不可能に近い。
る効果を持つが、次に示すように問題を含んでいる。伽
）の電子波動の方法は蓄積リングを設計する時に考慮す
れば非常に優れた方法であるが、既存リングをオｕＪ＠
する場合には使えない、、（ｂ）のリング自体を上下さ
せる方法は、将来、超小型リングが実用になうた場合は
考慮に値するが、数多くの重い電磁石が分かれて配列さ
れている現在のリングでは実現の可能性はλい。（Ｃ）
は非常に簡単で有効な方法であるが、ミラーに入射する
Ｘ線と出射Ｘ線の方向が並行でないために、レジスト感
度などの要請で波長分布を変えるためにミラーの角度を
変更する場合にはミラーの下流側にある装置を全て移動
させなければならなくなる。これは現実問題として多く
の困難を伴い、不可能に近い。
（ｄ）と（ｅ）は既存のリングを利用する方法としては
最も実用的で実現容品な方法であるが、ミラーを振る事
によってＸ線のミラーに対する入射角が変わｐ、それに
伴ってＸ線の反射率も変化する。これは被露光体上にお
ける照射むらを引き起こし、この照射むらをミラーの振
シ方で補正するのは容易でない。さらＫこの方法では照
射Ｘ線に角度広が９ができる為に、パターン転写の際に
いわゆるランアウト誤差を引き起こし、転写精度を下げ
る欠点がある。（ｆ）は最も手軽な方法に見えるが、マ
スクとウェハーの相対的位置を変えずに全体を動かすの
は、高精度の位置合わせを高速で行なうことが要求され
るステッパーの場合には機械的振動の影響を排除するの
がむずかしい。このようＫ、光源、補露光体、Ｘ線の方
位等を変更することなく露光面積を拡大する方法が要求
される。
最も実用的で実現容品な方法であるが、ミラーを振る事
によってＸ線のミラーに対する入射角が変わｐ、それに
伴ってＸ線の反射率も変化する。これは被露光体上にお
ける照射むらを引き起こし、この照射むらをミラーの振
シ方で補正するのは容易でない。さらＫこの方法では照
射Ｘ線に角度広が９ができる為に、パターン転写の際に
いわゆるランアウト誤差を引き起こし、転写精度を下げ
る欠点がある。（ｆ）は最も手軽な方法に見えるが、マ
スクとウェハーの相対的位置を変えずに全体を動かすの
は、高精度の位置合わせを高速で行なうことが要求され
るステッパーの場合には機械的振動の影響を排除するの
がむずかしい。このようＫ、光源、補露光体、Ｘ線の方
位等を変更することなく露光面積を拡大する方法が要求
される。
に）課題を解決するための手段
従って、本発明によるＸ１ａ露光方法は、第１図に示す
如く、入射Ｘ線を第１の全反射ミラー（３）によって反
射させた後、この反射Ｘ線を更に第２の全反射ミラー（
５）で反射させて、前記入射ＸＭと並行に戻し、斯る第
２の全反射ミラーの反射Ｘｆａを被露光体（８）に指向
させる露光光学系において、第１の全反射ミラー（３）
を固定し、かつ、第２の全反射ミラー（５）を、その面
方位を保持したま＼移動させることによって、被露光体
上におけるＸ線露光位置を移動させることを特徴とする
。
如く、入射Ｘ線を第１の全反射ミラー（３）によって反
射させた後、この反射Ｘ線を更に第２の全反射ミラー（
５）で反射させて、前記入射ＸＭと並行に戻し、斯る第
２の全反射ミラーの反射Ｘｆａを被露光体（８）に指向
させる露光光学系において、第１の全反射ミラー（３）
を固定し、かつ、第２の全反射ミラー（５）を、その面
方位を保持したま＼移動させることによって、被露光体
上におけるＸ線露光位置を移動させることを特徴とする
。
（７）作 用
本発明方法によれば、従来技術（ａ）、わ）と違うて既
存のリングを使用する場合でも応用することができ、（
ｃ）と違って被露光体に入射するＸ線が光源からでるＸ
線と並行であるためＫ、たとえ全反射ミラーの角度を変
えても、−度設置した装置全体を動かす必要がない。又
・（ｄ）、（ｅ）と違ってミラーの方位を変えないので
、被露光体に入射するＸｔｌｌｉＩの開き角が大きくな
らず、かつミラーによるＸ線の反射率に影響するような
動きがないので、照射むらが新たに発生しない。更に（
ｆ）と違って被露光体を動かさないので、被加工物を乗
せたステッパー等に機械的振動等が加わらない。
存のリングを使用する場合でも応用することができ、（
ｃ）と違って被露光体に入射するＸ線が光源からでるＸ
線と並行であるためＫ、たとえ全反射ミラーの角度を変
えても、−度設置した装置全体を動かす必要がない。又
・（ｄ）、（ｅ）と違ってミラーの方位を変えないので
、被露光体に入射するＸｔｌｌｉＩの開き角が大きくな
らず、かつミラーによるＸ線の反射率に影響するような
動きがないので、照射むらが新たに発生しない。更に（
ｆ）と違って被露光体を動かさないので、被加工物を乗
せたステッパー等に機械的振動等が加わらない。
（へ）実施例
第１図は、本発明実施例の露光光学系を示す。
光源（１）として水平軌道をもつ電子蓄積リングが用い
られ、斯る光源から放射されるシンクロトロン放射Ｘ線
を入射Ｘ線（２）とし、これを第１の全反射ミラー（３
）で反射させ、不必要な短波長Ｘ線をカットする。ミラ
ー（３）としては、例えばシリコンカーバイドを鏡面研
摩したもの、あるいは必要に応じて白金をコートしたも
のを用いる。その大きさは、例えば５０ｘ３００ｘ２０
Ｈである。入射角（θ）はカットオフ波長（λＣ）に応
じて、例えば２°あるいは４°程度に選ぶ。
られ、斯る光源から放射されるシンクロトロン放射Ｘ線
を入射Ｘ線（２）とし、これを第１の全反射ミラー（３
）で反射させ、不必要な短波長Ｘ線をカットする。ミラ
ー（３）としては、例えばシリコンカーバイドを鏡面研
摩したもの、あるいは必要に応じて白金をコートしたも
のを用いる。その大きさは、例えば５０ｘ３００ｘ２０
Ｈである。入射角（θ）はカットオフ波長（λＣ）に応
じて、例えば２°あるいは４°程度に選ぶ。
ミラー（３）から反射したＸ線（４）を第１のミラーと
並行に配置した第２の全反射ミラー（５）でもう−度反
射させ、入射Ｘ線（２）と並行に戻す。第２の全反射ミ
ラーからの反射Ｘ線（６）をパターンマスク（７）を介
して被露光体（８）に照射し、パターン転写を行なう。
並行に配置した第２の全反射ミラー（５）でもう−度反
射させ、入射Ｘ線（２）と並行に戻す。第２の全反射ミ
ラーからの反射Ｘ線（６）をパターンマスク（７）を介
して被露光体（８）に照射し、パターン転写を行なう。
ミラー（５）は方位を変えることなく移動できる機構を
有し、図中点線で示す如くミラー（３）と（５）を結ぶ
線に沿うて並行移動する。これＫよシ、被露光体（８）
に当るＸ線の位置をづらす事ができる。ミラー（５）の
移動距離を変える事によって露光面積が調節ツマ、移動
範囲を変える事によって露光位置も調節できる。
有し、図中点線で示す如くミラー（３）と（５）を結ぶ
線に沿うて並行移動する。これＫよシ、被露光体（８）
に当るＸ線の位置をづらす事ができる。ミラー（５）の
移動距離を変える事によって露光面積が調節ツマ、移動
範囲を変える事によって露光位置も調節できる。
長さが５００ａ程度の全反射ミラーが製作できる場合に
は、第２図に示すように、第２のミラー（５）をミラー
面に垂直あるｂは面方位を保ったま＼被露光体の表面に
並行に移動すれば移動距離を小さくすることができ、例
えばθ−３＠の場合、畏怖 さ４８伽のミラーで披露４表面を２５ｆｆスキヤンでき
る。
は、第２図に示すように、第２のミラー（５）をミラー
面に垂直あるｂは面方位を保ったま＼被露光体の表面に
並行に移動すれば移動距離を小さくすることができ、例
えばθ−３＠の場合、畏怖 さ４８伽のミラーで披露４表面を２５ｆｆスキヤンでき
る。
（ト） 発明の効果
本発明によればミラーに入射するＸ線と被露光体に照射
されるＸ線が並行であるため、使用するＸ線のカットオ
フ波長を変える必要が生じた場合でも、第１と第２のミ
ラーの相対的な位置と角度を変えるだけで済み、これら
のミラーのセットよシ下流側にある装置全体を動かす必
要がない。
されるＸ線が並行であるため、使用するＸ線のカットオ
フ波長を変える必要が生じた場合でも、第１と第２のミ
ラーの相対的な位置と角度を変えるだけで済み、これら
のミラーのセットよシ下流側にある装置全体を動かす必
要がない。
さらに、露光中はミラーの方位θを一定に保うておくた
め、ミラーの移動によるＸ線の反射率の変動は発生しな
い。これにより、Ｘ線リングラフィで問題になる照射む
らが大幅に緩和され、露光面積を拡大することができる
。
め、ミラーの移動によるＸ線の反射率の変動は発生しな
い。これにより、Ｘ線リングラフィで問題になる照射む
らが大幅に緩和され、露光面積を拡大することができる
。
第１図及び第２図は、夫々本発明の第１及び第２の実施
例を示す露光光学系である。 （３１（５）・・・第１、第２の全反射ミラー、（８）
・・・被露光体。
例を示す露光光学系である。 （３１（５）・・・第１、第２の全反射ミラー、（８）
・・・被露光体。
Claims (1)
- （１）入射Ｘ線を第１の全反射ミラーによって反射させ
た後、この反射Ｘ線を更に第２の全反射ミラーで反射さ
せて、前記入射Ｘ線と並行に戻し、斯る第２の全反射ミ
ラーの反射Ｘ線を被露光体に指向させる露光光学系にお
いて、第１の全反射ミラーを固定し、かつ、第２の全反
射ミラーを、その面方位を保持したまゝ移動させること
によって、被露光体上におけるＸ線露光位置を移動させ
ることを特徴とするＸ線露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63197509A JPH0246717A (ja) | 1988-08-08 | 1988-08-08 | Ｘ線露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63197509A JPH0246717A (ja) | 1988-08-08 | 1988-08-08 | Ｘ線露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0246717A true JPH0246717A (ja) | 1990-02-16 |
Family
ID=16375655
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63197509A Pending JPH0246717A (ja) | 1988-08-08 | 1988-08-08 | Ｘ線露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0246717A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03254115A (ja) * | 1990-03-02 | 1991-11-13 | Canon Inc | 露光装置 |
| JPH0431799A (ja) * | 1990-05-28 | 1992-02-03 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | シンクロトロン放射光収束偏向装置 |
| CN111148461A (zh) * | 2017-09-27 | 2020-05-12 | 卡尔蔡司医疗技术股份公司 | 用于塔型裂隙灯的照射单元 |
-
1988
- 1988-08-08 JP JP63197509A patent/JPH0246717A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03254115A (ja) * | 1990-03-02 | 1991-11-13 | Canon Inc | 露光装置 |
| JPH0431799A (ja) * | 1990-05-28 | 1992-02-03 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | シンクロトロン放射光収束偏向装置 |
| CN111148461A (zh) * | 2017-09-27 | 2020-05-12 | 卡尔蔡司医疗技术股份公司 | 用于塔型裂隙灯的照射单元 |
| CN111148461B (zh) * | 2017-09-27 | 2023-11-21 | 卡尔蔡司医疗技术股份公司 | 用于塔型裂隙灯的照射单元 |
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