JPH0431799A - シンクロトロン放射光収束偏向装置 - Google Patents
シンクロトロン放射光収束偏向装置Info
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- JPH0431799A JPH0431799A JP13530790A JP13530790A JPH0431799A JP H0431799 A JPH0431799 A JP H0431799A JP 13530790 A JP13530790 A JP 13530790A JP 13530790 A JP13530790 A JP 13530790A JP H0431799 A JPH0431799 A JP H0431799A
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- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 claims description 23
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 241000252203 Clupea harengus Species 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
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- 238000005339 levitation Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70075—Homogenization of illumination intensity in the mask plane by using an integrator, e.g. fly's eye lens, facet mirror or glass rod, by using a diffusing optical element or by beam deflection
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はシンクロトロン放射光収束偏向装置に関し、特
に半導体製造装置用露光装置に適するこの種装買関する
。
に半導体製造装置用露光装置に適するこの種装買関する
。
（従来技術および発明が解決しようとする課題）シンク
ロトロン放射光発生装置１（以下、ＳＯＲ装置という）
は第３図に概略構成を示すように、例えば、陽電子、イ
オン等の荷電粒子を所定の曲率を持つリング状軌道に沿
って光速に近い速度で運動させることにより、軌道の接
線方向へシンクロトロン放射光（以下、ＳＯＲ光という
）２を発生する装置である。このようなＳＯＲ装置によ
り発生されるＳＯＲ光２は波長が極めて短いため、超高
密度の半導体集積回路の製造工程であるマスクパターン
の露光装置としての実用化が期待されている。
ロトロン放射光発生装置１（以下、ＳＯＲ装置という）
は第３図に概略構成を示すように、例えば、陽電子、イ
オン等の荷電粒子を所定の曲率を持つリング状軌道に沿
って光速に近い速度で運動させることにより、軌道の接
線方向へシンクロトロン放射光（以下、ＳＯＲ光という
）２を発生する装置である。このようなＳＯＲ装置によ
り発生されるＳＯＲ光２は波長が極めて短いため、超高
密度の半導体集積回路の製造工程であるマスクパターン
の露光装置としての実用化が期待されている。
ところで、このＳＯＲ光２は第３図（ｂ）に示すように
、ＳＯＲ装置１のリング軌道が形成する平面と同一平面
、すなわち水平面内ではリング軌道から遠ざかるにした
が・ってビーム幅が拡がっている。しかし、第３図（ａ
）に示すように、リング軌道が形成する平面と直交する
平面、すなわち垂直面内ではビーム幅の拡がりは非常に
小さく、一定と見なされる。そしてＳＯＲ光２の断面は
第３図（ｂ）に示すように、偏平な形となっている。
、ＳＯＲ装置１のリング軌道が形成する平面と同一平面
、すなわち水平面内ではリング軌道から遠ざかるにした
が・ってビーム幅が拡がっている。しかし、第３図（ａ
）に示すように、リング軌道が形成する平面と直交する
平面、すなわち垂直面内ではビーム幅の拡がりは非常に
小さく、一定と見なされる。そしてＳＯＲ光２の断面は
第３図（ｂ）に示すように、偏平な形となっている。
この様なＳＯＲ光２を半導体装置製造用の露光に利用す
るためには、ビームの偏向装置が必要となる。すなわち
、半導体集積回路パターンが形成されたマスクを通して
半導体基盤（ウェハ）表面を露光するためには、例えば
−辺が２５ｍｍの正方形の面積に対し均一なＳＯＲ光を
照射する必要がある。しかし、ＳＯＲ光２は前述のよう
に断面が偏平な形のため、その水平方向の幅を２５ｍｍ
に設定しても垂直方向の幅はこれより狭く、必要な露光
面積が得られない。
るためには、ビームの偏向装置が必要となる。すなわち
、半導体集積回路パターンが形成されたマスクを通して
半導体基盤（ウェハ）表面を露光するためには、例えば
−辺が２５ｍｍの正方形の面積に対し均一なＳＯＲ光を
照射する必要がある。しかし、ＳＯＲ光２は前述のよう
に断面が偏平な形のため、その水平方向の幅を２５ｍｍ
に設定しても垂直方向の幅はこれより狭く、必要な露光
面積が得られない。
第４図は従来の偏向装置の一例を示す概略図で、ＳＯＲ
装置１のリング軌道から放射されたＳＯＲ光２の光路上
に配置された平面ミラー３を揺動させ、ＳＯＲ光２をそ
の垂直面内で偏向させるものである。しかしこの偏向装
置においては、前述したＳＯＲ光２の拡がりが問題とな
る。すなわち、ＳＯＲ装置１のリング軌道から８ｍ離れ
た位置に２５ｍｍ角の露光面積を得る場合、ＳＯＲ光２
の拡がりは水平、垂直方向に θ−ｔ ａ ｎ −”１２．５７ＨＯＤ −１、５６ｍ
ｒａｄから、±１．５６ｓｒａｄとなる。
装置１のリング軌道から放射されたＳＯＲ光２の光路上
に配置された平面ミラー３を揺動させ、ＳＯＲ光２をそ
の垂直面内で偏向させるものである。しかしこの偏向装
置においては、前述したＳＯＲ光２の拡がりが問題とな
る。すなわち、ＳＯＲ装置１のリング軌道から８ｍ離れ
た位置に２５ｍｍ角の露光面積を得る場合、ＳＯＲ光２
の拡がりは水平、垂直方向に θ−ｔ ａ ｎ −”１２．５７ＨＯＤ −１、５６ｍ
ｒａｄから、±１．５６ｓｒａｄとなる。
半導体露光装置ではマスクパターンはウニ／％表面に全
露光面積にわたり同じ倍率で焼き付けられなければなら
ないが、ＳＯＲ光２に拡がりがあると２５ｍｍ角の露光
面の周辺部では中心部と異なる倍率となる。従って、マ
スクパターンの設計に際しては、ＳＯＲ光の拡がりによ
る影響をあらかじめ盛り込んでおく必要があり、作業が
煩雑となる。さらにマスクとウェハを重ね合わせる場合
のアラインメントマークに対しても問題が生ずる。
露光面積にわたり同じ倍率で焼き付けられなければなら
ないが、ＳＯＲ光２に拡がりがあると２５ｍｍ角の露光
面の周辺部では中心部と異なる倍率となる。従って、マ
スクパターンの設計に際しては、ＳＯＲ光の拡がりによ
る影響をあらかじめ盛り込んでおく必要があり、作業が
煩雑となる。さらにマスクとウェハを重ね合わせる場合
のアラインメントマークに対しても問題が生ずる。
すなわち、アラインメントマークは２５ｍｍ角の露光面
の周辺部に設けられるため、拡がりのあるＳＯＲ光２に
よりアラインメントマークをウエノ＼に焼き付けると、
マスク上の位置からずれた位置に焼き付けられる。この
位置ずれの量はマスクとウェハの間隔を例えば４０μｍ
とすると、４０ｔａｎ１．５６＋ｍｒａｄ となる。
の周辺部に設けられるため、拡がりのあるＳＯＲ光２に
よりアラインメントマークをウエノ＼に焼き付けると、
マスク上の位置からずれた位置に焼き付けられる。この
位置ずれの量はマスクとウェハの間隔を例えば４０μｍ
とすると、４０ｔａｎ１．５６＋ｍｒａｄ となる。
従って、このような露光装置ではサブミクロンすなわち
０．１μｍ以下の精度を要するプロセス、例えば１６Ｍ
ＤＲＡＭ等の製造プロセスの処理は困難である。
０．１μｍ以下の精度を要するプロセス、例えば１６Ｍ
ＤＲＡＭ等の製造プロセスの処理は困難である。
第５図はこのようなＳＯＲ光２の拡がりを防止するため
、第３図の平面ミラー３の代わりに放物面ミラー４を用
い、平面ミラー３と同様に揺動させるものである。この
装置では放物面ミラー１４によりＳＯＲ光２は第５図（
ｂ）に示すように水平面内では平行光線になる。しかし
、第５図（ａ）に示す垂直面内では依然としてＳＯＲ光
の拡がりは避けられない。
、第３図の平面ミラー３の代わりに放物面ミラー４を用
い、平面ミラー３と同様に揺動させるものである。この
装置では放物面ミラー１４によりＳＯＲ光２は第５図（
ｂ）に示すように水平面内では平行光線になる。しかし
、第５図（ａ）に示す垂直面内では依然としてＳＯＲ光
の拡がりは避けられない。
第６図は同じ〈従来の偏向装置の他の例を示す概略図で
ある。この装置では電子軌道自体を偏向させることによ
りＳＯＲ光の偏向を行うものである。しかし、この装置
では第４図および第５図の装置において生ずる反射ミラ
ーによる光の減衰を防止できるが、ＳＯＲ光の拡がりの
影響は回避できない。
ある。この装置では電子軌道自体を偏向させることによ
りＳＯＲ光の偏向を行うものである。しかし、この装置
では第４図および第５図の装置において生ずる反射ミラ
ーによる光の減衰を防止できるが、ＳＯＲ光の拡がりの
影響は回避できない。
本発明は上記従来のシンクロトロン放射光収束偏向装置
の欠点を除去し、拡がりのないＳＯＲ光を発生できる収
束偏向装置を提供することを目的とするものである。
の欠点を除去し、拡がりのないＳＯＲ光を発生できる収
束偏向装置を提供することを目的とするものである。
（課題を解決するための手段）
すなわち、本発明によれば、シンクロトロン放射光発生
装置から放射された放射光の光路上にこの放射光を反射
するように配置された放物面ミラーと、この放物面ミラ
ーを前記放射光の光路方向に沿って平行移動させる手段
とを備え、前記放物面ミラーは前記放射光の水平方向の
拡がりを防止しほぼ平行光線となるように配置されると
ともに、前記平行移動手段により前記放射光を垂直方向
に偏向するように構成したことを特徴とするシンクロト
ロン放射光収束装置により、上記の目的を達成するもの
である。
装置から放射された放射光の光路上にこの放射光を反射
するように配置された放物面ミラーと、この放物面ミラ
ーを前記放射光の光路方向に沿って平行移動させる手段
とを備え、前記放物面ミラーは前記放射光の水平方向の
拡がりを防止しほぼ平行光線となるように配置されると
ともに、前記平行移動手段により前記放射光を垂直方向
に偏向するように構成したことを特徴とするシンクロト
ロン放射光収束装置により、上記の目的を達成するもの
である。
（作用）
この放物面ミラーにより水平面内のＳＯＲ光を平行光線
とし、また、この放物面ミラーを前記放射光の光路方向
に沿って平行移動することにより、垂直面内の偏向を行
う。
とし、また、この放物面ミラーを前記放射光の光路方向
に沿って平行移動することにより、垂直面内の偏向を行
う。
（実施例）
以下に、本発明の実施例を第１図、第２図を参照して説
明する。
明する。
第１図は本発明のシンクロトロン放射光収束装置の構成
を示す概略図である。シンクロトロン放射光発生装置１
１は陽電子、イオン等の荷電粒子を所定の曲率を持つリ
ング状軌道に沿って光速に近い速度で運動させることに
より、軌道の接線方向へシンクロトロン放射光（以下、
ＳＯＲ光という）１２を発生する。リング状のシンクロ
トロン放射光発生装置１１から放射されたＳＯＲＯＲ光
合２路上にこの放射光を反射するように放物面ミラー１
３が設けられ。この放物面ミラー１３は。
を示す概略図である。シンクロトロン放射光発生装置１
１は陽電子、イオン等の荷電粒子を所定の曲率を持つリ
ング状軌道に沿って光速に近い速度で運動させることに
より、軌道の接線方向へシンクロトロン放射光（以下、
ＳＯＲ光という）１２を発生する。リング状のシンクロ
トロン放射光発生装置１１から放射されたＳＯＲＯＲ光
合２路上にこの放射光を反射するように放物面ミラー１
３が設けられ。この放物面ミラー１３は。
第１図（ａ）に示すように、ＳＯＲＯＲ光合２路方向に
沿って往復運動をするように構成されている。放物面ミ
ラー１３はＳＯＲＯＲ光合２１図（ｂ）に示すように水
平面内で平行光線となるように反射する。
沿って往復運動をするように構成されている。放物面ミ
ラー１３はＳＯＲＯＲ光合２１図（ｂ）に示すように水
平面内で平行光線となるように反射する。
第２図は第１図の放物面ミラー１３を往復運動（平行移
動）させるための往復運動機構の実施例を示す図である
。ガイド筐体１５は下面が開放された長方形断面を有す
る細長い箱状のガイド体であり、内部にガイド筐体１５
の長手方向に往復運動する可動子１６を備えている。ガ
イド筐体１５の内面には固定電磁石コイル１７が、また
、可動子１６の外面には可動電磁石コイル１８が固定さ
れている。これらの固定電磁石コイル１７および可動電
磁石コイル１８は可動子１６を磁気的に浮上走行させる
、いわゆる磁気浮上式移動機構を構成している。可動子
１６の下面には放物面ミラー１３が固定され、その反射
面は筐体１５の下面開放部１９から下方に露出している
。この放物面ミラー１３はＳＯＲＯＲ光合２の垂直面内
で所定の角度を持って反射する。例えば、放物面ミラー
１３はＳＯＲＯＲ光合２平面に対して４度だけ下方に反
射するように角度設定した状態で、往復運動する。
動）させるための往復運動機構の実施例を示す図である
。ガイド筐体１５は下面が開放された長方形断面を有す
る細長い箱状のガイド体であり、内部にガイド筐体１５
の長手方向に往復運動する可動子１６を備えている。ガ
イド筐体１５の内面には固定電磁石コイル１７が、また
、可動子１６の外面には可動電磁石コイル１８が固定さ
れている。これらの固定電磁石コイル１７および可動電
磁石コイル１８は可動子１６を磁気的に浮上走行させる
、いわゆる磁気浮上式移動機構を構成している。可動子
１６の下面には放物面ミラー１３が固定され、その反射
面は筐体１５の下面開放部１９から下方に露出している
。この放物面ミラー１３はＳＯＲＯＲ光合２の垂直面内
で所定の角度を持って反射する。例えば、放物面ミラー
１３はＳＯＲＯＲ光合２平面に対して４度だけ下方に反
射するように角度設定した状態で、往復運動する。
上記の装置において、可動子１６がガイド筐体１５内で
往復運動すると、放物面ミラー１３は第１図（ｂ）のＰ
−Ｑ点間を往復運動する。放物面ミラー１３はＳＯＲＯ
Ｒ光合２の垂直面内で常に一定の角度すなわち４度だけ
反射するため、反射光は平行光線となる。また、放物面
ミラー１３はＰ−Ｑ点間を移動しつつ一定の角度でＳＯ
ＲＯＲ光合２射するため、ＳＯＲＯＲ光合２直面内で偏
向を受ける。ＳＯＲＯＲ光合２度で反射させた場合、２
５ｍｍの偏向量を得るためには平行移動距離、すなわち
Ｐ−Ｑ点間の長さは ２５ｍｍ／ｓ ｉ ｎ４” −３５８ｍｍとなる。移動
速度は毎秒３ｍとすると１秒以内に１往復できる。
往復運動すると、放物面ミラー１３は第１図（ｂ）のＰ
−Ｑ点間を往復運動する。放物面ミラー１３はＳＯＲＯ
Ｒ光合２の垂直面内で常に一定の角度すなわち４度だけ
反射するため、反射光は平行光線となる。また、放物面
ミラー１３はＰ−Ｑ点間を移動しつつ一定の角度でＳＯ
ＲＯＲ光合２射するため、ＳＯＲＯＲ光合２直面内で偏
向を受ける。ＳＯＲＯＲ光合２度で反射させた場合、２
５ｍｍの偏向量を得るためには平行移動距離、すなわち
Ｐ−Ｑ点間の長さは ２５ｍｍ／ｓ ｉ ｎ４” −３５８ｍｍとなる。移動
速度は毎秒３ｍとすると１秒以内に１往復できる。
（発明の効果）
このように本発明のシンクロトロン放射光収束装置によ
れば、ＳＯＲ光は水平、垂直両面内で平行光となり、拡
がりを防止できる。このため、半導体露光装置に利用し
た場合は所定の露光面積の全範囲に亘り均等な倍率の露
光が出−来る。また、マスクとウェハとのアラインメン
ト精度も向上することができる。
れば、ＳＯＲ光は水平、垂直両面内で平行光となり、拡
がりを防止できる。このため、半導体露光装置に利用し
た場合は所定の露光面積の全範囲に亘り均等な倍率の露
光が出−来る。また、マスクとウェハとのアラインメン
ト精度も向上することができる。
第１図は本発明のシンクロトロン放射光収束装置の構成
を示す概略図で図（ａ）は上面図、図（ｂ）は側面図、
第２図は第１図の放物面ミラー１３を往復運動させるた
めの往復運動機構の実施例を示す図で、図（ａ）は側面
図、図（ｂ）は図（ａ）のＣ−Ｃに沿った断面図、第３
図乃至第６図は従来のシンクロトロン放射光発生装置お
よび収束装置の構成を示す概略図である。 １１ニシンクロトロン放射光発生装置、１２：ＳＯＲ光
、１３：放物面ミラー １５ニガイド筐体、１６：可動
子、１７：固定電磁石コイル、１８；可動電磁石コイル
、１９：開放部。
を示す概略図で図（ａ）は上面図、図（ｂ）は側面図、
第２図は第１図の放物面ミラー１３を往復運動させるた
めの往復運動機構の実施例を示す図で、図（ａ）は側面
図、図（ｂ）は図（ａ）のＣ−Ｃに沿った断面図、第３
図乃至第６図は従来のシンクロトロン放射光発生装置お
よび収束装置の構成を示す概略図である。 １１ニシンクロトロン放射光発生装置、１２：ＳＯＲ光
、１３：放物面ミラー １５ニガイド筐体、１６：可動
子、１７：固定電磁石コイル、１８；可動電磁石コイル
、１９：開放部。
Claims (1)
- １、シンクロトロン放射光発生装置から放射された放射
光の光路上にこの放射光を反射するように配置された放
物面ミラーと、この放物面ミラーを前記放射光の光路方
向に沿って平行移動させる手段とを備え、前記放物面ミ
ラーは前記放射光の水平方向の拡がりを防止しほぼ平行
光線となるように配置されるとともに、前記平行移動手
段により前記放射光を垂直方向に偏向するように構成し
たことを特徴とするシンクロトロン放射光収束偏向装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13530790A JPH0431799A (ja) | 1990-05-28 | 1990-05-28 | シンクロトロン放射光収束偏向装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13530790A JPH0431799A (ja) | 1990-05-28 | 1990-05-28 | シンクロトロン放射光収束偏向装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0431799A true JPH0431799A (ja) | 1992-02-03 |
Family
ID=15148664
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13530790A Pending JPH0431799A (ja) | 1990-05-28 | 1990-05-28 | シンクロトロン放射光収束偏向装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0431799A (ja) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61276223A (ja) * | 1985-05-30 | 1986-12-06 | Fujitsu Ltd | Ｘ線露光方法 |
| JPS63116424A (ja) * | 1986-11-05 | 1988-05-20 | Nec Corp | Ｘ線露光装置 |
| JPH01102398A (ja) * | 1987-10-16 | 1989-04-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | コリメート光学系 |
| JPH01102399A (ja) * | 1987-10-16 | 1989-04-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 縮小投影光学系 |
| JPH0246717A (ja) * | 1988-08-08 | 1990-02-16 | Sanyo Electric Co Ltd | Ｘ線露光方法 |
-
1990
- 1990-05-28 JP JP13530790A patent/JPH0431799A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61276223A (ja) * | 1985-05-30 | 1986-12-06 | Fujitsu Ltd | Ｘ線露光方法 |
| JPS63116424A (ja) * | 1986-11-05 | 1988-05-20 | Nec Corp | Ｘ線露光装置 |
| JPH01102398A (ja) * | 1987-10-16 | 1989-04-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | コリメート光学系 |
| JPH01102399A (ja) * | 1987-10-16 | 1989-04-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 縮小投影光学系 |
| JPH0246717A (ja) * | 1988-08-08 | 1990-02-16 | Sanyo Electric Co Ltd | Ｘ線露光方法 |
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