JPS63116424A - Ｘ線露光装置 - Google Patents

Ｘ線露光装置

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JPS63116424A
JPS63116424A JP61261830A JP26183086A JPS63116424A JP S63116424 A JPS63116424 A JP S63116424A JP 61261830 A JP61261830 A JP 61261830A JP 26183086 A JP26183086 A JP 26183086A JP S63116424 A JPS63116424 A JP S63116424A
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ray mirror
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    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明はＸ線露光装置に係り、詳しくは大面積のＸ線マ
スクパターンを均一に転写できるＸ線露光装置に関する
。
［従来の技術］ シンクロトロン放射光を使用するＸ線露光装置の原理は
第３図に示すようにシンクロトロン放射光３をＸ線吸収
材によりマスクパターンの描かれたＸ線マスク４を通し
て被加工物６上のレジスト膜５にマスクパターンを転写
するものでおる。図中、１は蓄積リング、２はシンクロ
トロン放射光源を示す。
シンクロトロン放射光は電子軌道面に平行な方向には強
度が均一であるが垂直方向には鋭い角度分布をもつため
、放射光源から約１０ｍ離れた位置でも縦方向には幅数
ｍの露光領域しか得られない。
従来、露光領域を拡大する方法として１９８３年に発行
された刊行物ジャーナル・オブ・バキューム・サイエン
ス・アンド・テクノロジー（Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆｖａ
ｃｕｕｍ　５ｃｉｅｎｃｅ　ａｎｄ　Ｔｅｃｈｒｉｏｌ
ｏｇｙ）　３１巻、１２６２頁〜１２６６頁に開示され
ている様にシンクロトロン放射光源２とＸ線マスク４の
間に設置したＸ線ミラー３１を回転軸３２を中心として
振動させる方法が実施されている。
［発明が解決しようとする問題点］ Ｘ線露光の原理図を第４図に示す。Ｘ線露光の場合問題
となる幾何光学的誤差は半影ぼけＡ、ランアウト誤差Ｂ
およびギャップがΔＳ変動した場合の重ね合せ誤差ΔＢ
であり、これらはＡ＝Ｓ（ｄ／Ｄ＞　、Ｂ＝Ｓ　（Ｗ／
２Ｄ）　、ΔＢ＝ΔＳ（Ｗ／２Ｄ）の式で表わされる。
シンクロトロン放射光を用いるＸ線露光では線源径ｄは
１１ｒｕｎ以下、線源とＸ線マスク間の距離りは５〜１
０ｍ、露光域の寸法Ｗは２５〜５０１ｎ！ｎ１ギｔｒツ
ブＳは２０〜４０μｍ程度であるので、Ａ１ΔＢはｏ、
　ｏｏｉμｍ以下となり無視できるが、ランアウト誤差
Ｂは０．０２５〜０．２μｍとなり無視できない１直と
なる。このためＸ線マスクを設計する時に必らかしめ補
正しておかなければならない。ざらに、第３図のように
振動するＸ線ミラーを使用する場合は縦方向のランアウ
ト誤差は線源とＸ線マスク間距離りのかわりにＸ線ミラ
ーとＸ線マスク間の距離りを用いて計痒しなければなら
ない。即ちＢ＝Ｓ　（Ｗ／２Ｌ）となる。例えば、Ｄ＝
５ｍ、Ｌ＝２ｍ−，５＝２５μｍ。
Ｗ＝５０ｍとした場合、ランアウト誤差は縦方向には０
．３１μｍ１横方向には０．１３μｍと異った値となり
、マスクの補正はざらに複雑となるという欠点を有して
いる。
本発明の目的はこのような従来の問題点を除去し、大面
積でランアウト誤差のほとんど無いＸ線露光装置を提供
することにある。
［問題点を解決するための手段］ 本発明はシンクロトロン放射光源から放射される放射光
をＸ線ミラーで反射させ、Ｘ線マスクを通してＸ線レジ
ストが塗布された被加工物上に照射するＸ線露光装置に
おいて、前記Ｘ線ミラーとして直線運動をするＸ線ミラ
ーを少なくとも用いることを特徴とするＸ線露光装置で
ある。
［実施例］ 以下本発明の実施例について第１図〜第２図を参照しな
がら説明する。第１図は本発明に係るＸ線露光装置の一
実施例を示す概略図である。基本的構成は第３図とほぼ
同じなので同一機構部分には同一番号を付してその説明
を省略する。ただし、本発明では振動するＸ線ミラー３
１のかわりに直線運動をするＸ線ミラー７を有している
。第１図においても第３図におけると同様にシンクロト
ロン放射光３はＸ線ミラー７で反射され、Ｘ線マスク４
に照射されるが、Ｘ線ミラー７はシンクロトロン放射光
３に対して常に一定の角度をもったまま直線運動するた
め、シンクロトロン放射光３はＸ線マスク４に対して垂
直に入射する。従って、縦方向のランアウト誤差はＯと
なる。この場合、横方向のランアウト誤差は残ってしま
うが、Ｘ線ミラー７を凹面鏡とし、横方向の放射光を平
行ビームとすることで解決される。この様にしてランア
ウト誤差のほとんど無い露光系が実現される。
第１図に示したＸ線露光装置ではシンクロトロン放射光
のＸ線ミラーへの入射角を小さくした場合、露光領域を
拡大するために必要なＸ線ミラー７の移動距離は長くな
り、例えば入射角が３°の場合、２５＃の縦方向の露光
域を得るためにはＸ線ミラーの移動距離は２４０．必要
となる。このＸ線ミラーの移動距離を改善したＸ線露光
装置の一例が第２図に示したものである。ここでは振動
するＸ線ミラー２１と直線運動をするＸ線ミラー２２を
併用している。Ｘ線ミラー２１が第３図のＸ線ミラー３
１と同じ運動をし、２枚目のＸ線ミラー２２が上下に動
くため第１図と同様にランアウト誤差の無い露光を行う
ことができる。ただし、２枚目のＸ線ミラー２２はシン
クロトロン放射光３からの高ざＨがＨ−１）　　ｔａｎ
２θ、放射光のＸ線ミラー２２への入射角θ２がＸ線ミ
ラー２１への入射角θ１と等しくなるように制御しなけ
ればならない。第２図の構成にすればＸ線ミラー２２の
移動距離は縦方向の露光域の長さと同じたけあればよい
。また、第１図の場合と同様にＸ線ミラー２１．２２の
一方を凹面鏡とすることにより縦方向、横方向どちらに
もランアウト誤差の無い露光系が実現される。
［発明の効果］ 以上詳述した如く、本発明によればシンクロトロン放射
光を用いて大面積の均一露光を行う際、ランアウト誤差
が無い露光ができるという顕著な効果を有するＸ線露光
装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
第１図及び第２図はそれぞれ本発明の一実施例を示す概
略図、第３図は従来のＸ線露光装置の概略図、第４図は
Ｘ線露光の原理図でおる。 １・・・蓄積リング　２・・・シンクロトロン放射光源
３・・・シンクロトロン放射光 ４・・・Ｘ線マスク　５・・・レジスト膜６・・・被加
工物　　７．２１．２２．３１・・・Ｘ線ミラー３２・
・・回転軸　　　θ　、θ２・・・入射角ｐ・・・Ｘ線
ミラー間の距離 Ｌ・・・Ｘ線ミラーとＸ線マスク間の距離Ｄ・・・線源
とＸ線マスク間の距離 ｄ・・・線源径　　　Ｓ・・・ギャップＡ・・・半影ぼ
け　　Ｂ・・・ランアウト誤差Ｗ・・・露光域の寸法

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）シンクロトロン放射光源から放射される放射光を
    Ｘ線ミラーで反射させ、Ｘ線マスクを通してＸ線レジス
    トが塗布された被加工物上に照射するＸ線露光装置にお
    いて、前記Ｘ線ミラーとして直線運動をするＸ線ミラー
    を少なくとも用いることを特徴とするＸ線露光装置。
JP61261830A 1986-11-05 1986-11-05 Ｘ線露光装置 Granted JPS63116424A (ja)

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JPS63116424A true JPS63116424A (ja) 1988-05-20
JPH0423415B2 JPH0423415B2 (ja) 1992-04-22

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