JPH0440400A - X線露光装置 - Google Patents

X線露光装置

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Publication number
JPH0440400A
JPH0440400A JP2146243A JP14624390A JPH0440400A JP H0440400 A JPH0440400 A JP H0440400A JP 2146243 A JP2146243 A JP 2146243A JP 14624390 A JP14624390 A JP 14624390A JP H0440400 A JPH0440400 A JP H0440400A
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JP
Japan
Prior art keywords
parabolic mirror
ray
ray source
angle
mirror
Prior art date
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Pending
Application number
JP2146243A
Other languages
English (en)
Inventor
Masaaki Ito
昌昭 伊東
Shigeo Moriyama
森山 茂夫
Fumihiko Uchida
内田 史彦
Hidekazu Seya
英一 瀬谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Publication of JPH0440400A publication Critical patent/JPH0440400A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 【産業上の利用分野】
本発明は、半導体集積回路などの微細パターンを転写す
るX線露光装置に係り、特に、シンクロトロン放射光を
X線源とするX線露光装置におけるビーム走査光学系に
関する。
【従来の技術] 半導体集積回路の高密度化に対応でき、かつ生産性が高
いリソグラフィ技術として、シンクロトロン放射光(S
ynchrotron Radiation : S 
Rと呼ぶ)をX線源とするX線露光法が有望視されてい
る。これは、パターンが描画されたマスクと、レジスト
が塗布されたウェハとを数十μmの間隔で保持し、SR
中の波長1nm程度のX線を照射して、20〜40mm
角の領域でパターンを等倍転写するものである。X線露
光法は、霧光波長が短いため、0.1〜0.2μmの解
像度が期待されている。SRは、電子蓄積リング中で電
子を光速に近い速さで円弧運動させるとき、軌道の接線
方向に放射される電磁波であり、輝度が高くがっ指向性
が良いという利点がある。しかしながら、SRは水平面
内(電子軌道面内)では数十mradの範囲に一様に放
射されるが、鉛直面内での発散角は1 m r a d
程度であり、また輝度は角度分布をもっている。したが
って、マスクとウェハを光源から数m離れた位置に設置
する場合、露光領域を拡大し、かつ露光強度を一様化す
るため、ビームを鉛直方向に走査する必要がある。 従来の第1のビーム走査光学系は、プロシーデインゲス
 オブ ソサエティ オブ フォトオプティカル イン
スツルメンテーション エンジニアズ(Proc、5P
IE)、448巻、1983年、93頁〜101頁に開
示されているように、反射鏡を回転振動させるものであ
る。 第2図は、この光学系をメリディオナル面内(ここでは
鉛直面内)で示している。X線源11から放射されたビ
ーム12を反射鏡13によりマスク14に偏向し、パタ
ーンをウェハ15に転写する。反射面上にある回転軸1
6の周りに反射鏡を回転振動させることにより、ビーム
を走査する。 サジタル方向(ここでは水平方向)にビームをコリメー
トして露光強度を増加させるために、反射鏡としては円
筒面鏡が使用される。すなわち、反射鏡の形状は、メリ
デイオナル面内では直線であり、サジタル面内では円弧
である。また、上記従来技術では、露光強度の一様性の
改善などを目的として、X線源位置に焦点を有する放物
面鏡や楕円面鏡で円筒面鏡を置換した光学系も開示され
ている。 従来のビーム走査光学系の第2の例として、特開昭63
−116424号公報に開示されている光学系を挙げる
ことができる。この従来例は、反射鏡を直線振動させる
もので、第3図にメリデイオナル面内でのこの光学系を
示す。同図で第2図と同一の符号は同一部分を表す。こ
れはX線源から放射されたビームの主光線17と平行方
向に反射鏡を直線振動させ、ビームを走査する。反射鏡
の形状は、円筒面である。 従来のビーム走査光学系の第3の例は1本発明者が先に
出願した特開平1−96600号に開示されているよう
に、反射鈑を回転振動させるものである。第4図は、こ
の光学系をメリディオナル面内で示しており、第2図と
同一の符号は同一部分を表す。この従来例では、回転軸
は反射面の外部にある。また、X線源から放射されたビ
ームの主光線17に関して、任意の回転角において入射
角が一定となるように、反射鏡のメリディオナル面内の
形状(曲#りが与えられている。一方、水平方向にビー
ムをコリメートするために、サジタル面内の形状は1円
弧となっている。 【発明が解決しようとする課題] 従来の第1のビーム走査光学系では、反射鏡の入射角が
数mrad変化し、またビームがメリディオナル面内で
コリメートされないため、以下の問題点がある。 第1に、反射率が入射角とともに変化するため、露光強
度がマスク上の位置によって変化し、−様なパターン線
幅を得ることが困難である。 第2に、マスクに入射するビームの方向がマスク上の位
置によって変化するため、転写パターンに歪(ランアウ
ト誤差)が生じる。 第3に、マスク上の同一位置においても入射ビームの方
向が変化するため、半影ぼけが生しる。 第5図は、この光学系におけるランアウト誤差と半影ぼ
けを示しており、第2図と同一の符号は同一部分を表す
。ここで1反射鏡の回転軸からXm源とマスクまでの距
離をそれぞれr工とr2、ビームの発散角をγ、マスク
上の主光線の走査長さをa、マスクとウェハの間隔をg
とする。反射鏡の入射角の変化量δは。 で表される。また、X線源の虚光源は、回転軸を中心と
する半径r2の円弧18上を移動する。したがって、ラ
ンアウト誤差WRと半影ぼけwpは。 WR=Tηg で表される。例えば、r1=5m、r、==2m、γ=
1mrad、a=30mm、g=40pm、とすると、
δ=7.5mra d、wR=0.3μm、WP=0.
1μmとなる。このランアウト誤差と半影ぼけは、微細
なパターン線幅(例えば0.2μm)に比較して、無視
できない量である。なお。 この光学系で放物面鏡を使用する場合、ビームはメリデ
ィオナル面内でコリメートされるが、入射角が走査中に
変化するため、上記の問題は依然として残る。 従来の第2のビーム走査光学系では、反射鏡の入射角は
一定であるが、ビームがメリデイオナル面内でコリメー
トされていない。したがって、露光強度の変化とランア
ウト誤差の問題はないが、半影ぼけは依然として残る。 この場合、半影ぼけwpは。 wP=γg で表される。例えば、y=1mrad、g=40μmと
すると、wp=0.04μmとなり、無視できない量で
ある。 従来の第3のビーム走査光学系では、反射鏡の入射角は
一定であるが、ビームがメリデイオナル面内でコリメー
トされるとは必ずしも限らない。 したがって、一般には半影ぼけは除去されない。 このように、従来のビーム走査光学系では、露光強度の
変化、ランアウト誤差、および半影ぼけの問題があった
。本発明の目的は、X線露光装置において、露光領域を
拡大し、かつ高精度のパターン転写を行うためのビーム
走査光学系を提供することにある。 【課題を解決するための手段】 上記目的は、X線源から放射されるビームを反射鏡でマ
スクに偏向するX線露光装置において、前記X線源位置
に焦点を有する放物面鏡を使用し、前記ビームの主光線
に関して入射角が実質的に一定となるように前記放物面
鏡を振動させ、前記ビームを走査することにより達成さ
れる。
【作用】
第1図は、本発明によるビーム走査光学系をメリディオ
ナル面内で示したものである。X線源1から放射された
ビーム2を放物面鏡3によりマスク4に偏向し、パター
ンをウェハ5に転写する。 なお、放物面とは、放物線を主軸の周りに回転して得ら
れる面である。放物面鏡の焦点はX線源位置にあるため
、発散ビームは、メリディオナル面内とサジタル面内と
もにコリメートされる。ビームの主光線7の延長線上に
あり、X線源位置に関して放物面鏡と対称位置にある回
転軸6の周りに放物面鏡を回転振動させる。後述のよう
に、入射角は実質的に一定であるため、ビームは平行に
走査する。なお、走査に伴って放物面鏡の焦点はX線源
位置から離れるが、この偏差量は十分小さいため、ビー
ムは実質的にコリメートされる。このように、X線源か
ら放射された発散ビームを放物面鏡でコリメートし、入
射角を一定に保持してビームを平行に走査することによ
り、ランアウト誤差と半影ぼけを除去できる。さらに1
反射率が一定であるため、−様な露光強度が得られる。 次に、上記のビーム走査光学系において、入射角が実質
的に一定となることを第6図を用いて説明する。図にお
いて、X線源位置を原点Oとし、X線源から放射される
ビームの主光線をy軸とし、これに垂直にy軸をとる。 初め、放物面鏡は実線で示す位置(中立位置)にあり、
焦点が点○と−致し、主光線が点P (f、O)におい
て斜入射角(入射光線と反射面とのなす角)αで入射す
るものとする。次に、放物面鏡を点C(−f、O)の周
りに微小角度θだけ回転するとき(1θ1(αであり、
時計方向の回転のとき、θ〉0とする)。 放物面鏡が破線で示す位置に移動し、主光線が点Q (
q、O)において斜入射角βで入射するものとする。こ
のとき、β#αとなることを、以下説明する。 まず、sinθ≠θ、cosθ≠1と近似すると、移動
後の焦点Fの座榛は(0,fθ)で表される。また、放
物面鏡は、近似的にはy軸方向に2fθだけ直線移動す
るので、sinα弁αと近似すると、 2θ q弁f(1+−)(5) α の関係がある。点Pと点Qから放物面の頂点における接
線に下した垂線の足をそれぞれ点Aと点Bとすると、点
Pと点Qにおける接線は、それぞれ10PAとZFQB
を二等分する。すなわち、1OPA=2α lFQO+10QB=2 (β+/FQO)の関係があ
る。ただし、ZFQ○は符号を含み、θ〉0のとき/F
QO〈0とする。また1、  fθ 。 1FQOキー□キーθ 2θ α 10QB=lOPA−e の関係がある。したがって、式(6)〜(9)から、 であり、入射角は実質的に一定である。 なお、X線源から放射されるビームの発散角をγとし、
sinγ弁γと近似すると、マスク上の主光線の走査長
さaと有効露光領域長さhは8次式の関係がある。 a=h+fγ また、放物面鏡に必要な回転角ωと反射面長さbは、 b= 8  ° 8 sin 2α ”2a で表される。 以上では、放物面鏡の回転振動によるビーム走査を説明
したが、放物面鏡をビームの主光線と平行方向に直線振
動させることにより、X線源から放射された発散ビーム
をコリメートし、入射角を一定に保持してビームを平行
に走査することも可能である。 第7図はこのビーム走査光学系を示しており、第1図と
同一の符号は同一部分を表す。X線源から放射されるビ
ームの発散角をγ、マスク上の主光線の走査長さをa、
放物面鏡の斜入射角をα、XM源と中立位置における放
物面鏡との距離をfとすると、必要な移動距離dと反射
面長さbは、d= 8 ゛ 8 sin2ct”α 1)= fy 、 fy ・    0  α S1n α で表される。 なお、上記の回転振動と直線振動の他に、入射角を一定
に保持して放物面鏡を任意に振動させることにより、X
線源から放射された発散ビームをコリメートし、ビーム
を平行に走査することも可能である。
【実施例】
本発明の第1の実施例として、放物面鏡の回転振動によ
るビーム走査を説明する。まず、放物面鏡の斜入射角α
を25 m r a dに設定する。この場合、反射面
材料に金を使用すると、波長1nmで約70%の反射率
が得られる。次に、xH源から放射されるビームの発散
角γを1mrad、X線源と中立位置における放物面鏡
との距Jlifを5mに設定する。有効露光領域長さh
 = 30 m mを得るためには、回転角ω=1.7
5mrad、反射面長さb=700mmが必要である。 この場合。 入射角の変化量は0.03mrad以下であり、無視で
きる量である。なお、放物面鏡の回転振動を主光線と直
角方向の直線振動で近似すると、その移動距離は17.
5mmである。実際には、回転振動は、例えばリンク機
構やカム機構により実現できる。 本発明の第2の実施例として、放物面鏡の直線振動によ
るビーム走査を説明する。放物面鏡の斜入射角αを25
mrad、Xi!源から放射されるビームの発散角を1
mrad、X線源と中立位置における放物面鏡との距離
fを5mに設定する。 有効露光領域長さh=30mmを得るためには、移動路
lid=700mm、反射面長さb=200mmが必要
である。直線振動は、通常の移動台により実現できる。
【発明の効果】
本発明によれば、X線露光装置において、ビームを走査
して露光面積を拡大する場合、ランアウト誤差と半影ぼ
けを除去でき、また−様な露光強度が得られるため、転
写パターン精度の向上という効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明のビーム走査光学系の原理を示す概略図
、第2図は従来の第1のビーム走査光学系を示す概略図
、第3図は従来の第2のビーム走査光学系を示す概略図
、第4図は従来の第3のビーム走査光学系を示す概略図
、第5図は従来の第1のビーム走査光学系におけるラン
アウト誤差と半影ぼけを示す概略図、第6図は本発明に
おいて入射角が実質的に一定であることを説明する概略
図5第7図は本発明の一実施例を示す概略図である。 符号の説明 1・・・X線源、2・・・ビーム、3・・・放物面鏡、
4・・・マスク、5・・・ウェハ、6・・・回転軸、7
・・・主光線、11・・・X線源、12・・ビーム、1
3・・・反射鏡、14・・・マスク、 15・・・ウェハ、 16・・・回転軸。 17・・・ 第 図 力 図 図 猶 図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、X線源から放射されるビームを反射鏡でマスクに偏
    向するX線露光装置において、前記反射鏡は前記X線源
    位置に焦点を有する放物面鏡であり;前記ビームの主光
    線に関する入射角が実質的に一定となるように前記放物
    面鏡を振動させ、前記ビームを走査することを特徴とす
    るX線露光装置。 2、特許請求範囲第1項記載のX線露光装置において、
    前記ビームの主光線の延長線上にあり、前記X線源位置
    に関して前記放物面鏡と対称位置にある回転軸の周りに
    前記放物面鏡を回転振動させることを特徴とするX線露
    光装置。 3、特許請求範囲第1項記載のX線露光装置において、
    前記ビームの主光線と平行方向に前記放物面鏡を直線振
    動させることを特徴とするX線露光装置。
JP2146243A 1990-06-06 1990-06-06 X線露光装置 Pending JPH0440400A (ja)

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JPH0440400A true JPH0440400A (ja) 1992-02-10

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JP2146243A Pending JPH0440400A (ja) 1990-06-06 1990-06-06 X線露光装置

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