JPH0359569B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0359569B2 JPH0359569B2 JP56199826A JP19982681A JPH0359569B2 JP H0359569 B2 JPH0359569 B2 JP H0359569B2 JP 56199826 A JP56199826 A JP 56199826A JP 19982681 A JP19982681 A JP 19982681A JP H0359569 B2 JPH0359569 B2 JP H0359569B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ray
- pattern
- monochromator
- transfer
- absorber pattern
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
Links
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 21
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 19
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 10
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＸ線露光装置に関するものである。
従来、いわゆる軟Ｘ線を転写光源とするＸ線露
光装置に於いては、有限の大きさを有するＸ線焦
点源（以下Ｘ線源と称する）と、これと一定の距
離を置いて、平面が、Ｘ線束と垂直になるように
配置されたパターン転写用Ｘ線マスク（以下Ｘ線
マスクと称する）と、該Ｘ線マスクの近傍に該Ｘ
線マスクとほぼ平行に配置された感光用レジスト
塗布済みのウエハー（以後ウエハーと称する）と
から成る基本的な配置関係を有し、Ｘ線マスク上
のパターン（以後吸収体パターンと称する）を該
ウエハー上のレジストに転写することを行つてい
る。この従来のＸ線露光装置に於いては、Ｘ線マ
スク上の吸収体パターンがそのまゝウエハーに転
写されることから、必然的に該Ｘ線マスク上の吸
収体パターン（一般に、該パターンはＸ線を吸収
する金属から構成される）そのものを転写を要求
する寸法で形成する必要がある。
光装置に於いては、有限の大きさを有するＸ線焦
点源（以下Ｘ線源と称する）と、これと一定の距
離を置いて、平面が、Ｘ線束と垂直になるように
配置されたパターン転写用Ｘ線マスク（以下Ｘ線
マスクと称する）と、該Ｘ線マスクの近傍に該Ｘ
線マスクとほぼ平行に配置された感光用レジスト
塗布済みのウエハー（以後ウエハーと称する）と
から成る基本的な配置関係を有し、Ｘ線マスク上
のパターン（以後吸収体パターンと称する）を該
ウエハー上のレジストに転写することを行つてい
る。この従来のＸ線露光装置に於いては、Ｘ線マ
スク上の吸収体パターンがそのまゝウエハーに転
写されることから、必然的に該Ｘ線マスク上の吸
収体パターン（一般に、該パターンはＸ線を吸収
する金属から構成される）そのものを転写を要求
する寸法で形成する必要がある。
上記の必然性から、例えば、1μｍ以下の寸法
を有する、いわゆる超微細パターンを転写するた
めには、吸収体パターンもまた超微細的な寸法を
持つて形成することが要求されるが、このような
超微細パターンを有する吸収体を形成する技術は
充分とは云えない。
を有する、いわゆる超微細パターンを転写するた
めには、吸収体パターンもまた超微細的な寸法を
持つて形成することが要求されるが、このような
超微細パターンを有する吸収体を形成する技術は
充分とは云えない。
本発明の目的は、上記の困難性を除去し、現状
達成できる吸収体パターン形成技術（略〜1μｍ）
をもつてしても、いわゆる超微細パターンを転写
できるＸ線露光装置を提供することにある。
達成できる吸収体パターン形成技術（略〜1μｍ）
をもつてしても、いわゆる超微細パターンを転写
できるＸ線露光装置を提供することにある。
本発明によれば、Ｘ線マスク上に形成する吸収
体パターンのサイズは所望の転写パターンのサイ
ズの数倍〜数10倍であれば良い為、吸収体パター
ンを形成する際に、現状達成できる形成技術で充
分であり、かつ転写に利用されるＸ線束の平行性
が、極めて良好となる結果、転写精度が飛躍的に
上昇させることが可能となる。
体パターンのサイズは所望の転写パターンのサイ
ズの数倍〜数10倍であれば良い為、吸収体パター
ンを形成する際に、現状達成できる形成技術で充
分であり、かつ転写に利用されるＸ線束の平行性
が、極めて良好となる結果、転写精度が飛躍的に
上昇させることが可能となる。
以下本発明について実施例を示す図面を用いて
説明する。
説明する。
第１図及び第２図は本発明の原理を示す断面図
及び、その部分拡大図である。
及び、その部分拡大図である。
両図面において、入射Ｘ線束１（必ずしも平行
性は良くなくて良い）がＸ線マスク２に照射され
るとき、該Ｘ線マスク２の一面上に形成された吸
収体パターン３に対応したコントラストを含んだ
透過Ｘ線束４は、モノクロメータ５によつて反射
する。
性は良くなくて良い）がＸ線マスク２に照射され
るとき、該Ｘ線マスク２の一面上に形成された吸
収体パターン３に対応したコントラストを含んだ
透過Ｘ線束４は、モノクロメータ５によつて反射
する。
該モノクロメータ５は、Ｘ線が入射する表面に
対して反射面６が、ａだけ傾いた構造に加工して
あり、かつ、透過Ｘ線束４とモノクロメータ５の
表面となす角の方が、反射Ｘ線束７と該表面とな
す角より大きくなるように配置されている。
対して反射面６が、ａだけ傾いた構造に加工して
あり、かつ、透過Ｘ線束４とモノクロメータ５の
表面となす角の方が、反射Ｘ線束７と該表面とな
す角より大きくなるように配置されている。
透過Ｘ線束４が、モノクロメータ５の反射面６
によつてブラツグ反射し、反射Ｘ線束７を生じる
場合のブラツグ角をθとすると、透過Ｘ線束４と
モノクロメータ５の表面となす角はθ＋ａ、反射
Ｘ線束７と該表面となす角はθ−ａとなり、つね
に、θ＋ａ＞θ−ａとなる条件で、該モノクロメ
ータを加工し、配置することが、肝要である。
によつてブラツグ反射し、反射Ｘ線束７を生じる
場合のブラツグ角をθとすると、透過Ｘ線束４と
モノクロメータ５の表面となす角はθ＋ａ、反射
Ｘ線束７と該表面となす角はθ−ａとなり、つね
に、θ＋ａ＞θ−ａとなる条件で、該モノクロメ
ータを加工し、配置することが、肝要である。
例えば、θ45°、ａ33.7°となるようにモノ
クロメータの材質及び、Ｘ線の波長を選択すれ
ば、第２図に示すように、幅がＷである吸収体パ
ターン３のコントラストが、反射Ｘ線束７に於け
るコントラストに変換され、その幅W′＝Ｗ／５
のパターンとしてウエハー８上に塗布されたフオ
トレジスト９に転写される。したがつて転写パタ
ーンが所望のサイズW′を持つためには、上記の
転写条件での吸収体パターンのサイズはＷ＝
5W′で良いことになる。例えば、フオトレジスト
上にW′1μｍのパターンを転写したい場合には、
Ｗ＝5μｍの吸収体パターンを形成すれば良く、
現状の吸収体パターン形成技術をもつてすれば、
この程度のサイズの吸収体を加工することは極め
て容易である。上記の第１図及び第２図に示した
実施例では、紙面に平行な寸法を縮小して転写す
ることを示したが、紙面に垂直な方向については
寸法の縮小は行われない。第３図は、この方向の
寸法も縮小、即ち、Ｘ線マスク上の吸収体パター
ンを二次元的に縮小してフオトレジストに転写す
るＸ線露光装置の基本的な構成を示す斜視図であ
る。Ｘ線マスク２１の一面上に形成された吸収体
パターン３１を透過した透過Ｘ線束は、第一のモ
ノクロメータ５１で、二次元面内の一方向だけ縮
小されて反射Ｘ線束４２となり、その光軸が、さ
らに90°回転しながら反射するように設置された
第二のモノクロメータ５２によつて、二次元面内
の他の一方向も縮小されて反射Ｘ線束７１となつ
た上で、ウエハー８１の上に塗布されたフオトレ
ジスト９１の上に転写される。第一のモノクロメ
ータ５１と第二のモノクロメータ５２とが同一形
状のものであれば、二次元的な吸収体パターンの
直交する二方向の寸法は、同じ割合で縮小される
ことになる。例えば、先に記した条件で、第一及
び第二のモノクロメータを構成設置すれば、5μ
ｍ×5μｍの吸収体パターンは、フオトレジスト
上では1μｍ×1μｍとなり、1μｍ×1μｍのパター
ン転写を行うためには、5μｍ×5μｍの吸収体パ
ターンを形成すれば良いことになり、Ｘ線露光用
マスクの製作が極めて容易になる。
クロメータの材質及び、Ｘ線の波長を選択すれ
ば、第２図に示すように、幅がＷである吸収体パ
ターン３のコントラストが、反射Ｘ線束７に於け
るコントラストに変換され、その幅W′＝Ｗ／５
のパターンとしてウエハー８上に塗布されたフオ
トレジスト９に転写される。したがつて転写パタ
ーンが所望のサイズW′を持つためには、上記の
転写条件での吸収体パターンのサイズはＷ＝
5W′で良いことになる。例えば、フオトレジスト
上にW′1μｍのパターンを転写したい場合には、
Ｗ＝5μｍの吸収体パターンを形成すれば良く、
現状の吸収体パターン形成技術をもつてすれば、
この程度のサイズの吸収体を加工することは極め
て容易である。上記の第１図及び第２図に示した
実施例では、紙面に平行な寸法を縮小して転写す
ることを示したが、紙面に垂直な方向については
寸法の縮小は行われない。第３図は、この方向の
寸法も縮小、即ち、Ｘ線マスク上の吸収体パター
ンを二次元的に縮小してフオトレジストに転写す
るＸ線露光装置の基本的な構成を示す斜視図であ
る。Ｘ線マスク２１の一面上に形成された吸収体
パターン３１を透過した透過Ｘ線束は、第一のモ
ノクロメータ５１で、二次元面内の一方向だけ縮
小されて反射Ｘ線束４２となり、その光軸が、さ
らに90°回転しながら反射するように設置された
第二のモノクロメータ５２によつて、二次元面内
の他の一方向も縮小されて反射Ｘ線束７１となつ
た上で、ウエハー８１の上に塗布されたフオトレ
ジスト９１の上に転写される。第一のモノクロメ
ータ５１と第二のモノクロメータ５２とが同一形
状のものであれば、二次元的な吸収体パターンの
直交する二方向の寸法は、同じ割合で縮小される
ことになる。例えば、先に記した条件で、第一及
び第二のモノクロメータを構成設置すれば、5μ
ｍ×5μｍの吸収体パターンは、フオトレジスト
上では1μｍ×1μｍとなり、1μｍ×1μｍのパター
ン転写を行うためには、5μｍ×5μｍの吸収体パ
ターンを形成すれば良いことになり、Ｘ線露光用
マスクの製作が極めて容易になる。
このように、本発明のＸ線露光装置は表面が、
反射格子面に対して同一条件で非対称にカツトさ
れた二個のモノクロメータを用い、第一のモノク
ロメータによつてパターンの一方向を縮小し、さ
らに第二のモノクロメータによつて、前記方向に
直交する他の方向を縮小する結果、吸収体の持つ
二次元パターンを全体的に縮小することができる
利点を提供するが、その他に、Ｘ線マスク上の吸
収体パターンの加工精度もまた縮小されるという
第二の利点をもつ。即ち、例えば±0.2μｍの加工
精度をもつた平均5μｍのパターンは、第１図及
び第２図の説明に用いた例では、1μｍ±0.04μｍ
のパターンとなつて転写される。現状のＸ線露光
技術では、±0.04μｍの加工精度をもつた吸収体パ
ターンを形成することは不可能に近い。さらに、
第三の利点として、フオトレジストに照射される
ところの、モノクロメータからの反射Ｘ線束７又
は７１は、本質的に平行性が高いため、転写パタ
ーンのボケが少くなる。
反射格子面に対して同一条件で非対称にカツトさ
れた二個のモノクロメータを用い、第一のモノク
ロメータによつてパターンの一方向を縮小し、さ
らに第二のモノクロメータによつて、前記方向に
直交する他の方向を縮小する結果、吸収体の持つ
二次元パターンを全体的に縮小することができる
利点を提供するが、その他に、Ｘ線マスク上の吸
収体パターンの加工精度もまた縮小されるという
第二の利点をもつ。即ち、例えば±0.2μｍの加工
精度をもつた平均5μｍのパターンは、第１図及
び第２図の説明に用いた例では、1μｍ±0.04μｍ
のパターンとなつて転写される。現状のＸ線露光
技術では、±0.04μｍの加工精度をもつた吸収体パ
ターンを形成することは不可能に近い。さらに、
第三の利点として、フオトレジストに照射される
ところの、モノクロメータからの反射Ｘ線束７又
は７１は、本質的に平行性が高いため、転写パタ
ーンのボケが少くなる。
上記の実施例では、ブラツグ反射角がθ45°
で入射Ｘ線束と反射Ｘ線束がほぼ直交している
が、これは必ずしも必要条件でないことは勿論で
あつて、二次元的な吸収体パターンの一方向が縮
小される関係を満足するならば、ブラツグ反射角
θ、及び格子面の表面からの傾きａは任意の角度
で良い。
で入射Ｘ線束と反射Ｘ線束がほぼ直交している
が、これは必ずしも必要条件でないことは勿論で
あつて、二次元的な吸収体パターンの一方向が縮
小される関係を満足するならば、ブラツグ反射角
θ、及び格子面の表面からの傾きａは任意の角度
で良い。
第１図、第２図、及び第３図は本発明の原理を
説明するための図で、図において、１は入射Ｘ線
束、２及び２１はＸ線マスク、３及び３１は吸収
体パターン、４及び４１は透過Ｘ線束、５，５１
及び５２はモノクロメータ、６は反射格子面、７
及び７１は反射Ｘ線束、８及び８１はウエハー、
９及び９１はフオトレジスト。
説明するための図で、図において、１は入射Ｘ線
束、２及び２１はＸ線マスク、３及び３１は吸収
体パターン、４及び４１は透過Ｘ線束、５，５１
及び５２はモノクロメータ、６は反射格子面、７
及び７１は反射Ｘ線束、８及び８１はウエハー、
９及び９１はフオトレジスト。
Claims (1)
- １ 表面が、反射格子面に対して非対称にカツト
された、第一のモノクロメータによつて、二次元
パターンの一方向が縮小された後、同じく非対称
にカツトされた第二のモノクロメータによつて、
前記方向と直交する方向が縮小されるように、二
個のモノクロメータが、Ｘ線マスクと転写レジス
トとの間に設置されたことを特徴とするＸ線露光
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56199826A JPS58101426A (ja) | 1981-12-11 | 1981-12-11 | Ｘ線露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56199826A JPS58101426A (ja) | 1981-12-11 | 1981-12-11 | Ｘ線露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58101426A JPS58101426A (ja) | 1983-06-16 |
| JPH0359569B2 true JPH0359569B2 (ja) | 1991-09-11 |
Family
ID=16414280
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56199826A Granted JPS58101426A (ja) | 1981-12-11 | 1981-12-11 | Ｘ線露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58101426A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS629632A (ja) * | 1985-07-06 | 1987-01-17 | Agency Of Ind Science & Technol | 投影露光装置 |
| JPS62208631A (ja) * | 1986-03-07 | 1987-09-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 縮小型ｘ線リソグラフイ装置 |
| EP0947882B1 (en) * | 1986-07-11 | 2006-03-29 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray reduction projection exposure system of reflection type |
| JP2688958B2 (ja) * | 1988-12-05 | 1997-12-10 | 三菱電機株式会社 | 露光装置およびその露光方法 |
-
1981
- 1981-12-11 JP JP56199826A patent/JPS58101426A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58101426A (ja) | 1983-06-16 |
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