JPH0324769B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0324769B2 JPH0324769B2 JP57179851A JP17985182A JPH0324769B2 JP H0324769 B2 JPH0324769 B2 JP H0324769B2 JP 57179851 A JP57179851 A JP 57179851A JP 17985182 A JP17985182 A JP 17985182A JP H0324769 B2 JPH0324769 B2 JP H0324769B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- radiation
- convex mirror
- synchrotron
- mirror
- ray
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 24
- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 claims description 17
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 13
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 238000001015 X-ray lithography Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 3
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 3
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- 230000005465 channeling Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- ORTYMGHCFWKXHO-UHFFFAOYSA-N diethadione Chemical compound CCC1(CC)COC(=O)NC1=O ORTYMGHCFWKXHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70075—Homogenization of illumination intensity in the mask plane by using an integrator, e.g. fly's eye lens, facet mirror or glass rod, by using a diffusing optical element or by beam deflection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
- Particle Accelerators (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はＸ線露光装置に係り、詳しくは大面積
のマスクパーンを高い精度で均一に転写すること
のできる、Ｘ線露光装置に関する。
のマスクパーンを高い精度で均一に転写すること
のできる、Ｘ線露光装置に関する。
Ｘ線リソグラフイの原理は第１図に示すごと
く、Ｘ線１をマスク２に照射し、Ｘ線透過性材料
３およびＸ線吸収性材料４から構成されるマスク
パターンをマスク後方にある感放射線性レジスト
膜５に転写するものである。Ｘ線は通常、電子線
励起型のクーリツヂ管方式の点Ｘ線源から得られ
るものが利用されるが、輝度が低いうえ、発散光
に起因する半影ボケにより解像度が低下するとい
う問題がある。これに対し、シンクロトロン軌道
放射光は点Ｘ線源に比べ約103倍高輝度であり平
行性も良いことから、サブミクロン寸法のパター
ン転写を行う上で最も有望なＸ線源の一つであ
る。
く、Ｘ線１をマスク２に照射し、Ｘ線透過性材料
３およびＸ線吸収性材料４から構成されるマスク
パターンをマスク後方にある感放射線性レジスト
膜５に転写するものである。Ｘ線は通常、電子線
励起型のクーリツヂ管方式の点Ｘ線源から得られ
るものが利用されるが、輝度が低いうえ、発散光
に起因する半影ボケにより解像度が低下するとい
う問題がある。これに対し、シンクロトロン軌道
放射光は点Ｘ線源に比べ約103倍高輝度であり平
行性も良いことから、サブミクロン寸法のパター
ン転写を行う上で最も有望なＸ線源の一つであ
る。
シンクロトロン軌道放射線束の断面積はシンク
ロトロンの規模にもよるがシンクロトロン軌道か
ら10m程離れた位置で大略、短径20〜30mm、長径
40〜60mm程度のだ円状である。しかし、シンクロ
トロン軌道面に垂直な方向に輝度分布があるた
め、レジスト膜を実効的に均一に露光できる面積
は数mm幅の帯状の面積にすぎず、大口径シリコン
ウエハを露光するには問題があつた。これを解決
するためにマスク・ウエハの載物台をシンクロト
ロン軌道放射光に対し移動させ、等価的にマス
ク・ウエハ上を該放射光でスキヤニングさせるこ
とが考えられるが、マスク・ウエハの位置合せ機
構と上記移動機構が個別に必要となり、装置構造
が複雑となる、露光中の上記移動機構作動により
マスク・ウエハが振動し、精密なパターン転写が
行えない、ことなど新たな問題が生ずる。
ロトロンの規模にもよるがシンクロトロン軌道か
ら10m程離れた位置で大略、短径20〜30mm、長径
40〜60mm程度のだ円状である。しかし、シンクロ
トロン軌道面に垂直な方向に輝度分布があるた
め、レジスト膜を実効的に均一に露光できる面積
は数mm幅の帯状の面積にすぎず、大口径シリコン
ウエハを露光するには問題があつた。これを解決
するためにマスク・ウエハの載物台をシンクロト
ロン軌道放射光に対し移動させ、等価的にマス
ク・ウエハ上を該放射光でスキヤニングさせるこ
とが考えられるが、マスク・ウエハの位置合せ機
構と上記移動機構が個別に必要となり、装置構造
が複雑となる、露光中の上記移動機構作動により
マスク・ウエハが振動し、精密なパターン転写が
行えない、ことなど新たな問題が生ずる。
また、上記問題を避ける目的から第２図に示す
ごとく円筒形凸面ミラー３１によりシンクロトロ
ン軌道放射光３２を反射せしめ、放射光束の断面
積を拡大する方法が提案されている（IBM
Research Report、RC8220、1980）。しかし、シ
ンクロトロン軌道放射光は第３図に示すごとく連
続スペクトルであり、この方法によれば、第２図
中の光束Ａの上記ミラー３１に対する入射角θAよ
り小さな全反射臨界角を有する波長成分は、反射
率が極めて低い値となるため試料面SAには殆ん
ど照射されない。一方、光束Ｂのミラーに対する
入射角θBはθB＜θAであり、試料面SBにはSAに比
べ、より短波長の放射光成分がさらに加わつて照
射されることになり、したがつて、試料面に照射
される放射光に波長分布が生じ、均一な露光がで
きないことになる。
ごとく円筒形凸面ミラー３１によりシンクロトロ
ン軌道放射光３２を反射せしめ、放射光束の断面
積を拡大する方法が提案されている（IBM
Research Report、RC8220、1980）。しかし、シ
ンクロトロン軌道放射光は第３図に示すごとく連
続スペクトルであり、この方法によれば、第２図
中の光束Ａの上記ミラー３１に対する入射角θAよ
り小さな全反射臨界角を有する波長成分は、反射
率が極めて低い値となるため試料面SAには殆ん
ど照射されない。一方、光束Ｂのミラーに対する
入射角θBはθB＜θAであり、試料面SBにはSAに比
べ、より短波長の放射光成分がさらに加わつて照
射されることになり、したがつて、試料面に照射
される放射光に波長分布が生じ、均一な露光がで
きないことになる。
さらに、上記凸面ミラーを用いる方法におい
て、単一波長化（モノクロ化）した放射光を用い
ることにより、試料面に照射された放射光の前記
波長分布を低減させる場合に於ても光束Ａ、Ｂに
おける同一光束幅Δの反射光の光束幅拡大率が異
なるまた、全反射臨界角内にあつても反射率には
入射角依存性があるため、試料面に照射される放
射光に強度分布が生じ、試料全面に亘る均一な露
光ができないことになる。
て、単一波長化（モノクロ化）した放射光を用い
ることにより、試料面に照射された放射光の前記
波長分布を低減させる場合に於ても光束Ａ、Ｂに
おける同一光束幅Δの反射光の光束幅拡大率が異
なるまた、全反射臨界角内にあつても反射率には
入射角依存性があるため、試料面に照射される放
射光に強度分布が生じ、試料全面に亘る均一な露
光ができないことになる。
本発明の目的は前記問題点を解決し、大面積の
マスクパターンを露光ムラなく高精度で転写でき
るＸ線露光装置を提供するものである。
マスクパターンを露光ムラなく高精度で転写でき
るＸ線露光装置を提供するものである。
本発明において用いられる放射線束断面積拡大
機構は円筒形凸面ミラーおよびこれを回転あるい
は回転振動させる機構部から成る。すなわち、上
記凸面ミラーにより反射しその断面積が拡大され
た放射線束を上記凸面ミラーに回転または回転振
動を与えることにより、被露光試料面上を繰り返
しスキヤニングするごとく振動させ、露光面積を
さらに拡大するとともに、反射放射線束内の放射
線密度分布および波長分布を実効的に低減させる
ものである。
機構は円筒形凸面ミラーおよびこれを回転あるい
は回転振動させる機構部から成る。すなわち、上
記凸面ミラーにより反射しその断面積が拡大され
た放射線束を上記凸面ミラーに回転または回転振
動を与えることにより、被露光試料面上を繰り返
しスキヤニングするごとく振動させ、露光面積を
さらに拡大するとともに、反射放射線束内の放射
線密度分布および波長分布を実効的に低減させる
ものである。
実施例 １
本発明の１実施例を第４図により説明する。第
４図において記号５１は本発明において用いられ
る円筒形凸面ミラーを示し、その曲率半径Ｒ＝
2mの石英円筒面上にAu層を30〜50nmの厚さで
形成したものを使用した。
４図において記号５１は本発明において用いられ
る円筒形凸面ミラーを示し、その曲率半径Ｒ＝
2mの石英円筒面上にAu層を30〜50nmの厚さで
形成したものを使用した。
幅Ｗ＝５mmのスリツト５３を用いて、シンクロ
トロン軌道放射光５４のうち、レジスト膜を実効
的に均一に露光できる部分５４′を選択的に通過
させ、これを静止状態にある上記ミラー５１に入
射した。
トロン軌道放射光５４のうち、レジスト膜を実効
的に均一に露光できる部分５４′を選択的に通過
させ、これを静止状態にある上記ミラー５１に入
射した。
なお、シンクロトロンの電子加速エネルギＥは
1.0GeV（109eV）、電子偏光強度Ｍ＝1T、加速電
流値Ｉ＝100mAとした。
1.0GeV（109eV）、電子偏光強度Ｍ＝1T、加速電
流値Ｉ＝100mAとした。
上記放射光５４′のミラー５１への入射角は放
射光５４′の上端部５４′ａがミラー５１の接線と
なるごとくミラー位置に設定した。このとき、放
射光５４′の下端部５４′ｂのミラー５１への入射
角は大略70mradであり、波長λ＝1nmの放射線
の臨界入射角θCに相当するため、これより短波長
の放射光の反射率は急激に低下する。この反射光
５５の試料５６上における輝度分布を第５図に示
す。なお、ミラー５１から試料５６までの距離は
1mとした。
射光５４′の上端部５４′ａがミラー５１の接線と
なるごとくミラー位置に設定した。このとき、放
射光５４′の下端部５４′ｂのミラー５１への入射
角は大略70mradであり、波長λ＝1nmの放射線
の臨界入射角θCに相当するため、これより短波長
の放射光の反射率は急激に低下する。この反射光
５５の試料５６上における輝度分布を第５図に示
す。なお、ミラー５１から試料５６までの距離は
1mとした。
第５図から明らかなように、凸面ミラーが静止
していると、ｘの増大とともに、各波長ともに相
対輝度の低下が著るしく、ウエーハ全面を均一に
照射することは、明らかに不可能である。
していると、ｘの増大とともに、各波長ともに相
対輝度の低下が著るしく、ウエーハ全面を均一に
照射することは、明らかに不可能である。
これに対し、第６図は上記条件において、ミラ
ー５１を放射光束５４′ａ上にある軸５２の周り
に矢印５７で示すように、振幅±100mradで回転
振動させたときの同様の輝度分布を示したもので
ある。第６図から明らかなようにλ1nmの放射
光で均一な露光ができる範囲が大略50mm幅とな
り、入射光５４′の幅Ｗ＝５mmに対し10倍拡大さ
れる。
ー５１を放射光束５４′ａ上にある軸５２の周り
に矢印５７で示すように、振幅±100mradで回転
振動させたときの同様の輝度分布を示したもので
ある。第６図から明らかなようにλ1nmの放射
光で均一な露光ができる範囲が大略50mm幅とな
り、入射光５４′の幅Ｗ＝５mmに対し10倍拡大さ
れる。
また、λ＝５mmのときは幅10cm以上の範囲内
で、極めて均一な相対輝度の得られることが認め
られた。
で、極めて均一な相対輝度の得られることが認め
られた。
なお、上記実施例におけるミラー５１の回転軸
が入射光束５４′の光軸よりずれた場合は均一な
露光輝度を得る面積が減少するため好ましくな
い。
が入射光束５４′の光軸よりずれた場合は均一な
露光輝度を得る面積が減少するため好ましくな
い。
実施例 ２
上記実施例１の放射光束反射ミラー機構により
面積拡大された放射光を1μm厚さのPMMA
（Polymethyl Methacrylate）レジストに照射
し、現像したのちのレジスト残存膜厚の光束拡大
方向の分布を調べた結果を第７図に示す。第６図
の放射光輝度分布に比し、均一な露光ができる範
囲が約80mm幅と極めて大きくなつていることが判
る。これは上記PMMAレジストがかなり広い波
長領域に亘つて感度を有するため長波長成分の影
響によつて、極めて高い均一性が広範囲にわたつ
て得られたものと推定される。
面積拡大された放射光を1μm厚さのPMMA
（Polymethyl Methacrylate）レジストに照射
し、現像したのちのレジスト残存膜厚の光束拡大
方向の分布を調べた結果を第７図に示す。第６図
の放射光輝度分布に比し、均一な露光ができる範
囲が約80mm幅と極めて大きくなつていることが判
る。これは上記PMMAレジストがかなり広い波
長領域に亘つて感度を有するため長波長成分の影
響によつて、極めて高い均一性が広範囲にわたつ
て得られたものと推定される。
上記のように、本発明は凸面ミラーを回転もし
くは回転振動させることによつて、照射光度の均
一性を向上させるものである。
くは回転振動させることによつて、照射光度の均
一性を向上させるものである。
上記回転もしくは回転振動は、凸面ミラーの中
心軸（円筒状凸面ミラーの中心軸）と平行で、か
つ、中心より偏心した軸を回転軸として行なわれ
る。これにより、凸面ミラーからの反射光は、あ
たかも走査するように、マスクやレジスト膜に照
射され、その結果、極めて均一な照射強度分布が
広い範囲にわたつて得られるのである。凸面ミラ
ーを上下もしくは斜め方向に振動させても、上記
照射強度分布の均一性を向上させることができ、
実施は可能である。
心軸（円筒状凸面ミラーの中心軸）と平行で、か
つ、中心より偏心した軸を回転軸として行なわれ
る。これにより、凸面ミラーからの反射光は、あ
たかも走査するように、マスクやレジスト膜に照
射され、その結果、極めて均一な照射強度分布が
広い範囲にわたつて得られるのである。凸面ミラ
ーを上下もしくは斜め方向に振動させても、上記
照射強度分布の均一性を向上させることができ、
実施は可能である。
しかし、所望回転軸の周囲に回転もしくは回転
振動させることの方が容易なことが多いので、通
常の場合は、凸面ミラーを回転もしくは回転振動
させることが多い。
振動させることの方が容易なことが多いので、通
常の場合は、凸面ミラーを回転もしくは回転振動
させることが多い。
本発明によれば、均一に露光できる面積を大幅
に増大することができる。本発明において用いら
れる凸面ミラーの放射線の反射率は、例えばＸ線
リソグラフイに有効な波長領域１〜5nmの超短波
長においてはほぼ10％程度であるが、シンクロト
ロン軌道放射光の強度がクーリツヂ管方式などの
従来のＸ線源に比べてほぼ３桁高いため、所要露
光時間はマスク・ウエハのアライメント時間に比
し無視できる程度となり、この結果、スループツ
トは著るしく向上した。このほか、前述したマス
ク・ウエハ移動による露光面積拡大方式に比べ、
振動が大幅に低減できるため、サブミクロンパタ
ーンの転写精度、合せ精度が向上する効果が得ら
れる。凸面ミラーの回転により発生する振動は従
来方式のそれよりも少なくすることができ、ま
た、ミラー機構部とマスク・ウエハアライメント
機構部とは真空ベローズ等を介することにより軟
結合とすることができるため、振動をさらに少な
くすることが可能である。
に増大することができる。本発明において用いら
れる凸面ミラーの放射線の反射率は、例えばＸ線
リソグラフイに有効な波長領域１〜5nmの超短波
長においてはほぼ10％程度であるが、シンクロト
ロン軌道放射光の強度がクーリツヂ管方式などの
従来のＸ線源に比べてほぼ３桁高いため、所要露
光時間はマスク・ウエハのアライメント時間に比
し無視できる程度となり、この結果、スループツ
トは著るしく向上した。このほか、前述したマス
ク・ウエハ移動による露光面積拡大方式に比べ、
振動が大幅に低減できるため、サブミクロンパタ
ーンの転写精度、合せ精度が向上する効果が得ら
れる。凸面ミラーの回転により発生する振動は従
来方式のそれよりも少なくすることができ、ま
た、ミラー機構部とマスク・ウエハアライメント
機構部とは真空ベローズ等を介することにより軟
結合とすることができるため、振動をさらに少な
くすることが可能である。
さらに、凸面ミラーの曲率半径あるいは回転振
動振幅を選定することにより、放射線の入射角を
限定できるため、被露光試料の特性劣化を誘起す
る短波長の放射線を遮断することができる。
動振幅を選定することにより、放射線の入射角を
限定できるため、被露光試料の特性劣化を誘起す
る短波長の放射線を遮断することができる。
また、上記本発明の効果はシンクロトロン軌道
放射光を用いた場合に限らず、単結晶に入射した
電子が発生させる、いわゆるレプトンチヤネリン
グ放射光（応用物理、第49巻第10号、1980）やレ
ーザ光など指向性が強く、線束断面積の小さな光
源についても有効である。
放射光を用いた場合に限らず、単結晶に入射した
電子が発生させる、いわゆるレプトンチヤネリン
グ放射光（応用物理、第49巻第10号、1980）やレ
ーザ光など指向性が強く、線束断面積の小さな光
源についても有効である。
第１図はＸ線リソグラフイの原理説明図、第２
図は凸面ミラーによる放射線束の断面拡大方法を
示す模式図、第３図は電子シンクロトロン放射光
の波長特性線図、第４図は本発明の実施例を説明
するための模式図、第５図は従来法における反射
光輝度分布を示す曲線図、第６図および第７図は
本発明の効果を示す曲線図である。 １…Ｘ線束、２…Ｘ線マスク、３…Ｘ線透過メ
ンブレン、４…Ｘ線吸収体、５…レジスト、３１
…凸面ミラー、３２…入射放射線束、３３…反射
後の放射線束、５１…凸面ミラー、５２…凸面ミ
ラーの回転軸、５３…スリツト、５４…入射放射
線束、５４′，５４′ａ，５４′ｂ…スリツト通過
後の放射線束、５５…反射後の放射線束、５６…
露光試料。
図は凸面ミラーによる放射線束の断面拡大方法を
示す模式図、第３図は電子シンクロトロン放射光
の波長特性線図、第４図は本発明の実施例を説明
するための模式図、第５図は従来法における反射
光輝度分布を示す曲線図、第６図および第７図は
本発明の効果を示す曲線図である。 １…Ｘ線束、２…Ｘ線マスク、３…Ｘ線透過メ
ンブレン、４…Ｘ線吸収体、５…レジスト、３１
…凸面ミラー、３２…入射放射線束、３３…反射
後の放射線束、５１…凸面ミラー、５２…凸面ミ
ラーの回転軸、５３…スリツト、５４…入射放射
線束、５４′，５４′ａ，５４′ｂ…スリツト通過
後の放射線束、５５…反射後の放射線束、５６…
露光試料。
Claims (1)
- １ 所望の光径を有するシンクロトロン放射線束
を凸面ミラーに入射する手段と、上記凸面ミラー
からの反射光を、所望のパターンを有するマスク
を介して感放射線性レジスト膜に照射する手段を
そなえたものにおいて、上記凸面ミラーを、上記
凸面ミラーの中心軸と平行で、かつ、偏心した軸
を回転軸として回転もしくは回転振動させる手段
をそなえたことを特徴とするＸ線露光装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57179851A JPS5969927A (ja) | 1982-10-15 | 1982-10-15 | Ｘ線露光装置 |
| KR1019830004846A KR920001171B1 (ko) | 1982-10-15 | 1983-10-13 | X선 노출 장치 |
| US06/541,447 US4514857A (en) | 1982-10-15 | 1983-10-13 | X-Ray lithographic system |
| DE8383306244T DE3379915D1 (en) | 1982-10-15 | 1983-10-14 | X-ray lithographic system |
| EP83306244A EP0109193B1 (en) | 1982-10-15 | 1983-10-14 | X-ray lithographic system |
| CA000439140A CA1192673A (en) | 1982-10-15 | 1983-10-17 | X-ray lithographic system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57179851A JPS5969927A (ja) | 1982-10-15 | 1982-10-15 | Ｘ線露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5969927A JPS5969927A (ja) | 1984-04-20 |
| JPH0324769B2 true JPH0324769B2 (ja) | 1991-04-04 |
Family
ID=16073018
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57179851A Granted JPS5969927A (ja) | 1982-10-15 | 1982-10-15 | Ｘ線露光装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4514857A (ja) |
| EP (1) | EP0109193B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5969927A (ja) |
| KR (1) | KR920001171B1 (ja) |
| CA (1) | CA1192673A (ja) |
| DE (1) | DE3379915D1 (ja) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2155201B (en) * | 1984-02-24 | 1988-07-13 | Canon Kk | An x-ray exposure apparatus |
| US4788698A (en) * | 1984-04-15 | 1988-11-29 | Hitachi, Ltd. | X-ray exposure system |
| JPS62222634A (ja) * | 1986-03-18 | 1987-09-30 | Fujitsu Ltd | Ｘ線露光方法 |
| DE3639346A1 (de) * | 1986-11-18 | 1988-05-26 | Siemens Ag | Verfahren und anordnung zur aenderung des abbildungsmassstabes in der roentgenlithografie |
| US4890309A (en) * | 1987-02-25 | 1989-12-26 | Massachusetts Institute Of Technology | Lithography mask with a π-phase shifting attenuator |
| JPH0196600A (ja) * | 1987-10-09 | 1989-04-14 | Hitachi Ltd | Ｘ線露光装置 |
| US5365561A (en) * | 1988-03-25 | 1994-11-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure control in an X-ray exposure apparatus |
| JP2770960B2 (ja) * | 1988-10-06 | 1998-07-02 | キヤノン株式会社 | Ｓｏｒ−ｘ線露光装置 |
| US5003567A (en) * | 1989-02-09 | 1991-03-26 | Hawryluk Andrew M | Soft x-ray reduction camera for submicron lithography |
| JP2731955B2 (ja) * | 1989-09-07 | 1998-03-25 | キヤノン株式会社 | Ｘ線露光装置 |
| US5285488A (en) * | 1989-09-21 | 1994-02-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus |
| EP0425739B1 (en) * | 1989-10-30 | 1995-02-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Alignment apparatus and SOR X-ray exposure apparatus having same |
| US5214685A (en) * | 1991-10-08 | 1993-05-25 | Maxwell Laboratories, Inc. | X-ray lithography mirror and method of making same |
| US5458999A (en) * | 1993-06-24 | 1995-10-17 | Szabo; Gabor | Interferometric phase shifting method for high resolution microlithography |
| US6558878B1 (en) * | 1999-07-08 | 2003-05-06 | Korea Electronics Technology Institute | Microlens manufacturing method |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4242588A (en) * | 1979-08-13 | 1980-12-30 | American Science And Engineering, Inc. | X-ray lithography system having collimating optics |
| DE3270459D1 (en) * | 1981-12-31 | 1986-05-15 | Ibm | A method and apparatus for providing a uniform illumination of an area |
-
1982
- 1982-10-15 JP JP57179851A patent/JPS5969927A/ja active Granted
-
1983
- 1983-10-13 KR KR1019830004846A patent/KR920001171B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1983-10-13 US US06/541,447 patent/US4514857A/en not_active Expired - Fee Related
- 1983-10-14 EP EP83306244A patent/EP0109193B1/en not_active Expired
- 1983-10-14 DE DE8383306244T patent/DE3379915D1/de not_active Expired
- 1983-10-17 CA CA000439140A patent/CA1192673A/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0109193A2 (en) | 1984-05-23 |
| JPS5969927A (ja) | 1984-04-20 |
| DE3379915D1 (en) | 1989-06-29 |
| EP0109193A3 (en) | 1986-06-11 |
| KR920001171B1 (ko) | 1992-02-06 |
| EP0109193B1 (en) | 1989-05-24 |
| CA1192673A (en) | 1985-08-27 |
| KR840006558A (ko) | 1984-11-30 |
| US4514857A (en) | 1985-04-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4028547A (en) | X-ray photolithography | |
| JPH0324769B2 (ja) | ||
| EP0083394B1 (en) | A method and apparatus for providing a uniform illumination of an area | |
| JP4319642B2 (ja) | デバイス製造方法 | |
| JPH0588355A (ja) | 反射型マスク及びそれを用いた露光装置 | |
| JP2645347B2 (ja) | 平行ｘ線用露光マスク | |
| US4604345A (en) | Exposure method | |
| JPS60173551A (ja) | Ｘ線など光線の反射投影によるパタ−ン転写法 | |
| JPS5915380B2 (ja) | 微細パタ−ンの転写装置 | |
| JPH0527080B2 (ja) | ||
| JPH01244400A (ja) | 露光装置 | |
| JPH04120717A (ja) | Ｘ線露光装置 | |
| JP2980397B2 (ja) | Ｘ線露光装置 | |
| JPH0359569B2 (ja) | ||
| Knyazev et al. | Development of Field Alignment Methods for Electron-Вeam Lithography in the Case of X-ray Bragg–Fresnel Lenses | |
| JPH0372172B2 (ja) | ||
| JPH0246717A (ja) | Ｘ線露光方法 | |
| JPS59155920A (ja) | Ｘ線露光方法 | |
| JPH0520892B2 (ja) | ||
| JP2004327786A (ja) | 露光方法および露光装置 | |
| JP2731959B2 (ja) | Ｘ線露光装置 | |
| JPH0943851A (ja) | 投影露光装置 | |
| JPH01243421A (ja) | Ｘ線露光装置 | |
| Piestrup et al. | Single-stepper soft x-ray source for step-and-scan tools | |
| JPH04346214A (ja) | Ｘ線露光用マスクおよびその製造法 |