JPH01243421A - Ｘ線露光装置 - Google Patents
Ｘ線露光装置Info
- Publication number
- JPH01243421A JPH01243421A JP63069335A JP6933588A JPH01243421A JP H01243421 A JPH01243421 A JP H01243421A JP 63069335 A JP63069335 A JP 63069335A JP 6933588 A JP6933588 A JP 6933588A JP H01243421 A JPH01243421 A JP H01243421A
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- JP
- Japan
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- slit
- ray
- synchrotron radiation
- radiation light
- light source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 claims abstract description 30
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Particle Accelerators (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はＸ線露光装置に関し、ざらに詳しくは大面積の
Ｘ線マスクパターンを均一に転写できるＸ線露光装置に
関する。
Ｘ線マスクパターンを均一に転写できるＸ線露光装置に
関する。
［従来の技術１
シンクロトロン放射光を使用するＸ線露光装置の原理は
第３図に示すように、蓄積リング１中のシンクロトロン
放射光源２より発せられたシンクロトロン放射光３をＸ
線吸収材によりマスクパターンの描かれたＸ線マスク４
を通して被加工物６上のレジスト膜５にパターンを転写
するものである。
第３図に示すように、蓄積リング１中のシンクロトロン
放射光源２より発せられたシンクロトロン放射光３をＸ
線吸収材によりマスクパターンの描かれたＸ線マスク４
を通して被加工物６上のレジスト膜５にパターンを転写
するものである。
シンクロトロン放射光３は、電子軌道面に平行な方向に
は強度が均一であるが、垂直方向には鋭い指向性を有す
るため、放射光源２から１０ｍ離れた位置でも、縦方向
には幅数馴の均一露光領域しか得られない。そのため、
露光領域を拡大する方法の一つとして、１９８３年に発
行された刊行物［ジャーナル・オブ・バキューム・サイ
エンス・アンド争テクノロジー Ｊ （Ｊｏｕｒｎａｌ
ｏｆ Ｖａｃｕｕｍ ５ｃｉｅｎｃｅａｎｄ Ｔｅｃ
ｈｎｏｌｏｇ７） １３１巻、１２６２〜１２６６頁に
開示されているように、シンクロトロン放射光源２とＸ
線マスク４の間に設置したＸ線ミラー８を振動させる方
法が実施されている。
は強度が均一であるが、垂直方向には鋭い指向性を有す
るため、放射光源２から１０ｍ離れた位置でも、縦方向
には幅数馴の均一露光領域しか得られない。そのため、
露光領域を拡大する方法の一つとして、１９８３年に発
行された刊行物［ジャーナル・オブ・バキューム・サイ
エンス・アンド争テクノロジー Ｊ （Ｊｏｕｒｎａｌ
ｏｆ Ｖａｃｕｕｍ ５ｃｉｅｎｃｅａｎｄ Ｔｅｃ
ｈｎｏｌｏｇ７） １３１巻、１２６２〜１２６６頁に
開示されているように、シンクロトロン放射光源２とＸ
線マスク４の間に設置したＸ線ミラー８を振動させる方
法が実施されている。
［発明が解決しようとする課題］
上記の如く、シンクロトロン放射光源としては電子蓄積
リングが一般に用いられるが、蓄積電子は一定の寿命で
減少するので、シンクロトロン放射光強度も減少する。
リングが一般に用いられるが、蓄積電子は一定の寿命で
減少するので、シンクロトロン放射光強度も減少する。
そのため、レジストの露光時間も露光毎に徐々に長くし
なければならず、Ｘ線シャッタの制御が必要である。一
方、シンクロトロン放射光は非常に強力で、露光時間は
１〜２秒程度であり、また撮動ミラーは一般にＩＨ７程
度の撮動数で運転されるので、１回の露光におけるスキ
ャン回数は通常は２〜５回である。しかしながら電子蓄
積リング内の蓄積電子の減少によってシンクロトロンｆ
ｉＩｉ射光強度が変化した場合、スキャン回数を増やす
ために撮動ミラーの振動数も変化させなければならない
。
なければならず、Ｘ線シャッタの制御が必要である。一
方、シンクロトロン放射光は非常に強力で、露光時間は
１〜２秒程度であり、また撮動ミラーは一般にＩＨ７程
度の撮動数で運転されるので、１回の露光におけるスキ
ャン回数は通常は２〜５回である。しかしながら電子蓄
積リング内の蓄積電子の減少によってシンクロトロンｆ
ｉＩｉ射光強度が変化した場合、スキャン回数を増やす
ために撮動ミラーの振動数も変化させなければならない
。
そのため、振動ミラーおよびＸ線シャッタの双方を制御
しなければならず、制御システムが複雑となるという問
題点があった。
しなければならず、制御システムが複雑となるという問
題点があった。
本発明の目的はこのような従来の欠点を除去せしめて、
常に一定の条件で均一なＸ線露光が可能なＸ線露光装置
を提供することにある。
常に一定の条件で均一なＸ線露光が可能なＸ線露光装置
を提供することにある。
［課題を解決するための手段］
本発明は、シンクロトロン放射光源から放射されるシン
クロトロン放射光を振動するＸ線ミラーで反射させ、Ｘ
線マスクを通してＸ線レジストが塗布された被加工物上
に照射してなるＸ線露光装置において、シンクロトロン
放射光源とＸ線ミラーとの間に配設されたスリットと、
シンクロトロン放射光源のＸ線強度に応じて前記スリッ
トの開度を制御するスリット制御手段と、前記スリット
を開閉させるスリット駆動手段とを備えてなることを特
徴とするＸ線露光装置である。
クロトロン放射光を振動するＸ線ミラーで反射させ、Ｘ
線マスクを通してＸ線レジストが塗布された被加工物上
に照射してなるＸ線露光装置において、シンクロトロン
放射光源とＸ線ミラーとの間に配設されたスリットと、
シンクロトロン放射光源のＸ線強度に応じて前記スリッ
トの開度を制御するスリット制御手段と、前記スリット
を開閉させるスリット駆動手段とを備えてなることを特
徴とするＸ線露光装置である。
［実施例］
以下、本発明の一実施例について、図面を参照して詳細
に説明する。
に説明する。
第１図は本発明に係るＸ線露光装置の一実施例を示す概
略構成図である。基本的構成は第３図のＸ線露光装置と
ほぼ同じなので、同一構成部分には同一符号を付してそ
の説明を省略する。ただし、本実施例ではシンクロトロ
ン放射光源２とＸ線ミラー８との間にスリット１１が設
けられている。
略構成図である。基本的構成は第３図のＸ線露光装置と
ほぼ同じなので、同一構成部分には同一符号を付してそ
の説明を省略する。ただし、本実施例ではシンクロトロ
ン放射光源２とＸ線ミラー８との間にスリット１１が設
けられている。
本実施例のＸ線露光装置では、シンクロトロン放射光源
２からのシンクロトロン放射光３はスリット１１で縦方
向のビーム幅を制限されてＸ線ミラー８へ入射する。シ
ンクロトロン放射光３は縦方向に数ｍのビーム幅を持っ
ているため、スリット１１の開口をわずかに変えること
により、ミラー８へ入射するシンクロトロン放射光３の
強度を変化させることができる。スリット１１の開口の
制御は、蓄積リング１中に設置された蓄積電流モニタ１
４から得られる電流値をスリット制御装置１２に入力し
てレジスト面において一定Ｘ線強度が得られるスリット
１１の開度を計鋒し、スリット駆動装置１３を介してス
リット１１を制御する。以上のようにしてスリットの開
度を制御することにより、常に一定のＸ線強度とするこ
とができる。
２からのシンクロトロン放射光３はスリット１１で縦方
向のビーム幅を制限されてＸ線ミラー８へ入射する。シ
ンクロトロン放射光３は縦方向に数ｍのビーム幅を持っ
ているため、スリット１１の開口をわずかに変えること
により、ミラー８へ入射するシンクロトロン放射光３の
強度を変化させることができる。スリット１１の開口の
制御は、蓄積リング１中に設置された蓄積電流モニタ１
４から得られる電流値をスリット制御装置１２に入力し
てレジスト面において一定Ｘ線強度が得られるスリット
１１の開度を計鋒し、スリット駆動装置１３を介してス
リット１１を制御する。以上のようにしてスリットの開
度を制御することにより、常に一定のＸ線強度とするこ
とができる。
第２図は本発明の別の一実施例を示す概略構成図である
。構成は第１図の実施例とほぼ同じであるので、相違点
のみ説明する。第２図においてはＸ線マスク４の前にＸ
線強度モニタ１５を設置してシンクロトロン放射光３の
Ｘ線強度を測定する。
。構成は第１図の実施例とほぼ同じであるので、相違点
のみ説明する。第２図においてはＸ線マスク４の前にＸ
線強度モニタ１５を設置してシンクロトロン放射光３の
Ｘ線強度を測定する。
得られたＸ線強度信号をスリット制御装置１２へ送出し
、スリット制御装置１２ではＸ線強度信号が常に一定と
なるようにスリット駆動装置１３を介してスリット１１
の開度を制御する。
、スリット制御装置１２ではＸ線強度信号が常に一定と
なるようにスリット駆動装置１３を介してスリット１１
の開度を制御する。
以上述べたように、シンクロトロン放射光源とＸ線ミラ
ーとの間にシンクロトロン放射光源の強度変化によって
制御されるスリットを配置することにより、シンクロト
ロン放射光源のＸ線強度変化にかかわらず常に一定のＸ
線強度が得られる。
ーとの間にシンクロトロン放射光源の強度変化によって
制御されるスリットを配置することにより、シンクロト
ロン放射光源のＸ線強度変化にかかわらず常に一定のＸ
線強度が得られる。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明のＸ線露光装置は、シンク
ロトロン放射光によるＸ線露光において、常に一定のＸ
線強度を簡便な操作で得ることができるので、Ｘ線露光
の作業性が向上すると共に、均質かつ高精度のＸ線露光
が可能となる等の効果を有する。
ロトロン放射光によるＸ線露光において、常に一定のＸ
線強度を簡便な操作で得ることができるので、Ｘ線露光
の作業性が向上すると共に、均質かつ高精度のＸ線露光
が可能となる等の効果を有する。
第１図は本発明の一実施例の概略構成図、第２図は本発
明の別の一実施例の概略構成図、第３図は従来例による
Ｘ線露光装置の概略構成図である：１・・・蓄積リング ２・・・シンクロトロン放射光源 ３・・・シンクロトロン放射光 ４・・・Ｘ線マスク ５・・・レジスト膜６・・
・被加工物 ８・・・Ｘ線ミラー１１・・・ス
リット １２・・・スリット制御装置１３・・
・スリット駆動装置
明の別の一実施例の概略構成図、第３図は従来例による
Ｘ線露光装置の概略構成図である：１・・・蓄積リング ２・・・シンクロトロン放射光源 ３・・・シンクロトロン放射光 ４・・・Ｘ線マスク ５・・・レジスト膜６・・
・被加工物 ８・・・Ｘ線ミラー１１・・・ス
リット １２・・・スリット制御装置１３・・
・スリット駆動装置
Claims (1)
- （１）シンクロトロン放射光源から放射されるシンクロ
トロン放射光を振動するＸ線ミラーで反射させ、Ｘ線マ
スクを通してＸ線レジストが塗布された被加工物上に照
射してなるＸ線露光装置において、シンクロトロン放射
光源とＸ線ミラーとの間に配設されたスリットと、シン
クロトロン放射光源のＸ線強度に応じて前記スリットの
開度を制御するスリット制御手段と、前記スリットを開
閉させるスリット駆動手段とを備えてなることを特徴と
するＸ線露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63069335A JPH01243421A (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | Ｘ線露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63069335A JPH01243421A (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | Ｘ線露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01243421A true JPH01243421A (ja) | 1989-09-28 |
Family
ID=13399578
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63069335A Pending JPH01243421A (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | Ｘ線露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01243421A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0276213A (ja) * | 1988-09-13 | 1990-03-15 | Canon Inc | 露光装置 |
| JPH02194521A (ja) * | 1989-01-21 | 1990-08-01 | Canon Inc | Ｘ線露光装置及び素子製造方法 |
| JPH03120738A (ja) * | 1989-10-03 | 1991-05-22 | Canon Inc | 寸法測定装置 |
-
1988
- 1988-03-25 JP JP63069335A patent/JPH01243421A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0276213A (ja) * | 1988-09-13 | 1990-03-15 | Canon Inc | 露光装置 |
| JPH02194521A (ja) * | 1989-01-21 | 1990-08-01 | Canon Inc | Ｘ線露光装置及び素子製造方法 |
| JPH03120738A (ja) * | 1989-10-03 | 1991-05-22 | Canon Inc | 寸法測定装置 |
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