JPS639931A - Ｘ線露光装置 - Google Patents
Ｘ線露光装置Info
- Publication number
- JPS639931A JPS639931A JP61154391A JP15439186A JPS639931A JP S639931 A JPS639931 A JP S639931A JP 61154391 A JP61154391 A JP 61154391A JP 15439186 A JP15439186 A JP 15439186A JP S639931 A JPS639931 A JP S639931A
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- Japan
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- ray
- shutter
- exposure
- mirror
- synchrotron radiation
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Links
- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 claims abstract description 19
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70075—Homogenization of illumination intensity in the mask plane by using an integrator, e.g. fly's eye lens, facet mirror or glass rod, by using a diffusing optical element or by beam deflection
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＸ線露光装置、さらに詳しくは大面積のＸ線マ
スクパターンを短時間に均一転写することのできるＸ線
露光装置に関する。
スクパターンを短時間に均一転写することのできるＸ線
露光装置に関する。
シンクロトロン放射光を使用するＸ線露光装置の原理は
第２図に示すように、蓄積リング１におけるシンクロト
ロン放射光源２より発せられたシンクロトロン放射光３
をＸ線吸収材によるマスクパターンが描かれたＸ線マス
ク４を通して被加工物６のレジスト膜５にマスクパター
ンを転写するものである。
第２図に示すように、蓄積リング１におけるシンクロト
ロン放射光源２より発せられたシンクロトロン放射光３
をＸ線吸収材によるマスクパターンが描かれたＸ線マス
ク４を通して被加工物６のレジスト膜５にマスクパター
ンを転写するものである。
シンクロトロン放射光３は電子軌道面に対して平行な方
向には均一であるが、垂直方向には鋭い角度分布をもつ
ため放射光源２から約１０ｍ離れた位置でも幅数Ｉの均
一露光域しか得られない。従来、均一露光域を拡大する
方法としては例えば１９８３年に発行された刊行物ニュ
ークリア・インストルメンツ・アンド・メソッズ（Ｎｕ
ｃｌｅａｒ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓａｎｄ Ｍｅｔｈ
ｏｄ） ２０８巻２８１〜２８６頁に開示されている第
２図に示すような振動するＸ線ミラーによる方法が広く
用いられている。第２図において、シンクロトロン放射
光３は振動するＸ線ミラー８によって上下方向に拡大さ
れ、Ｘ線マスク４を通してＸ線レジスト５に照射される
。
向には均一であるが、垂直方向には鋭い角度分布をもつ
ため放射光源２から約１０ｍ離れた位置でも幅数Ｉの均
一露光域しか得られない。従来、均一露光域を拡大する
方法としては例えば１９８３年に発行された刊行物ニュ
ークリア・インストルメンツ・アンド・メソッズ（Ｎｕ
ｃｌｅａｒ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓａｎｄ Ｍｅｔｈ
ｏｄ） ２０８巻２８１〜２８６頁に開示されている第
２図に示すような振動するＸ線ミラーによる方法が広く
用いられている。第２図において、シンクロトロン放射
光３は振動するＸ線ミラー８によって上下方向に拡大さ
れ、Ｘ線マスク４を通してＸ線レジスト５に照射される
。
また、Ｘ線のシャッターとしては通常シンクロトロン放
射光利用施設と同様に鉛等のブロックを上下動させる構
造のものが使用されていた。
射光利用施設と同様に鉛等のブロックを上下動させる構
造のものが使用されていた。
ところで、シンクロトロン放射光の強度は従来の電子線
励起型Ｘ線源から発するＸ線の１０〜１００倍にも及び
、レジスト面上で１００ｍＷ／ａｊ程度の線量率を得る
ことができる。このような場合、感度の高いＸ線レジス
トを使用すると露光時間は１秒〜５秒程度となるが、従
来用いられているＸ線シャッターは動作時間が数秒であ
るためこのような短時間の露光を行うことができないと
いう欠点があった。
励起型Ｘ線源から発するＸ線の１０〜１００倍にも及び
、レジスト面上で１００ｍＷ／ａｊ程度の線量率を得る
ことができる。このような場合、感度の高いＸ線レジス
トを使用すると露光時間は１秒〜５秒程度となるが、従
来用いられているＸ線シャッターは動作時間が数秒であ
るためこのような短時間の露光を行うことができないと
いう欠点があった。
本発明の目的はこのような従来の問題点を除去し大面積
、短時間の露光を行い得るＸ線露光装置を提供すること
にある。
、短時間の露光を行い得るＸ線露光装置を提供すること
にある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明はシンクロトロン放射光源から放射されるシンク
ロトロン放射光を、振動するＸ線ミラーで反射させ、Ｘ
線マスクを通して反射光をＸ線レジストが塗布された被
加工物上に照射するＸ線露光装置において、前記シンク
ロトロン放射光源と前記Ｘ線ミラーとの間に高速軟Ｘ線
シャッターを設け、前記Ｘ線ミラーに連動させて前記Ｘ
線シャッターを動作させる露光制御装置を有することを
特徴とするＸ線露光装置である。
ロトロン放射光を、振動するＸ線ミラーで反射させ、Ｘ
線マスクを通して反射光をＸ線レジストが塗布された被
加工物上に照射するＸ線露光装置において、前記シンク
ロトロン放射光源と前記Ｘ線ミラーとの間に高速軟Ｘ線
シャッターを設け、前記Ｘ線ミラーに連動させて前記Ｘ
線シャッターを動作させる露光制御装置を有することを
特徴とするＸ線露光装置である。
以下本発明の構成について図面を参照しながら説明する
。
。
第１図は本発明に係るＸ線露光方法の実施例を示す概略
図である。基本的構成は第２図とほぼ同じである。同一
機構部分には同一番号を付してその説明を省略する。た
だし、本発明ではシンクロトロン放射光源２と振動する
Ｘ線ミラー８の間に高速軟Ｘ線シャッター１１を設置し
、上記Ｘ線ミラー８と連動させて上記高速軟Ｘ線シャッ
ター１１を動作させる露光制御装置１３を有している。
図である。基本的構成は第２図とほぼ同じである。同一
機構部分には同一番号を付してその説明を省略する。た
だし、本発明ではシンクロトロン放射光源２と振動する
Ｘ線ミラー８の間に高速軟Ｘ線シャッター１１を設置し
、上記Ｘ線ミラー８と連動させて上記高速軟Ｘ線シャッ
ター１１を動作させる露光制御装置１３を有している。
Ｘ線露光に使用されるＸ線は波長５オングストロ一ム以
上の軟Ｘ線であるため、シャッターの材料としてステン
レス鋼、銅、タングステン、タンタル等の金属板を使用
すれば０．５ｍｍ以下の板厚でＸ線を遮断することがで
きる。また、シンクロトロン放射光源２とＸ線ミラー８
間にシャッター１１を設置すればＸ線シャッター１１の
上下方向の移動距離は１０ｍｍ程度で十分である。その
ため、シャッターを小型、軽量にでき、動作時間を０．
２秒以下とすることは容易である。
上の軟Ｘ線であるため、シャッターの材料としてステン
レス鋼、銅、タングステン、タンタル等の金属板を使用
すれば０．５ｍｍ以下の板厚でＸ線を遮断することがで
きる。また、シンクロトロン放射光源２とＸ線ミラー８
間にシャッター１１を設置すればＸ線シャッター１１の
上下方向の移動距離は１０ｍｍ程度で十分である。その
ため、シャッターを小型、軽量にでき、動作時間を０．
２秒以下とすることは容易である。
また、振動するＸ線ミラー８によるＸ線の走査は第３図
に示すように、均一露光域を得るためには上下にかなり
余裕をもって行う必要がある。ミラー振動の周波数は装
置の振動を軽減するためにも小さくした方が望ましく、
１〜数七とするのが一般的である。第３図は１七の正弦
曲線に沿って振動させた場合であるが、時間軸ａからす
、ｃからｄの部分はミラーの動きが直線的でないため露
光には使用されず、この間にシャッターの開閉を行えば
露光に影響を与えない、実際には第１図に示すようにミ
ラー駆動装置１４から露光制御装置１３にミラー位置信
号１６を取り込み、ミラーが第３図ａまたはＣの位置に
きたときにシャッター開閉信号１５をシャッター駆動装
置１２に送り、シャッター１１を開閉する。このように
すればシャッター１１の開閉はａからｂまたはＣからｄ
の間に行われるので露光時間は露光面上の位置によらず
一定となる。
に示すように、均一露光域を得るためには上下にかなり
余裕をもって行う必要がある。ミラー振動の周波数は装
置の振動を軽減するためにも小さくした方が望ましく、
１〜数七とするのが一般的である。第３図は１七の正弦
曲線に沿って振動させた場合であるが、時間軸ａからす
、ｃからｄの部分はミラーの動きが直線的でないため露
光には使用されず、この間にシャッターの開閉を行えば
露光に影響を与えない、実際には第１図に示すようにミ
ラー駆動装置１４から露光制御装置１３にミラー位置信
号１６を取り込み、ミラーが第３図ａまたはＣの位置に
きたときにシャッター開閉信号１５をシャッター駆動装
置１２に送り、シャッター１１を開閉する。このように
すればシャッター１１の開閉はａからｂまたはＣからｄ
の間に行われるので露光時間は露光面上の位置によらず
一定となる。
以上述べたようにＸ線ミラー８に連動させて高速軟Ｘ線
シャッター１１を開閉制御を行う露光制御装置を用いて
均一な短時間露光が行えることは明らかであり、本発明
の目的は達成される。
シャッター１１を開閉制御を行う露光制御装置を用いて
均一な短時間露光が行えることは明らかであり、本発明
の目的は達成される。
以上詳述した如く本発明によれば、シンクロトロン放射
光を用いて大面積の均一露光を行う際。
光を用いて大面積の均一露光を行う際。
露光の均一性を損うことなく短時間の露光ができるとい
う顕著な効果を有するＸ線露光装置を提供できるもので
ある。
う顕著な効果を有するＸ線露光装置を提供できるもので
ある。
第１図は本発明に係るＸｍ露光′３Ａ置の一実施例を示
す概略図、第２図はシンクロトロン放射光を用いた露光
の原理図、第３図はミラーの振動の一例を示す図である
。 ３・・・シンクロトロン放射光 ４・・・１ｇマスク５
・・・Ｘ線レジスト ６・・・被加工物８・
・・Ｘ線ミラー １１・・・Ｘ線シャッタ
ー１２・・・シャッター駆動装置 １３・・・露光制
御装置１４・・・ミラー駆動装置１５・・・シャッター
開閉信号１６・・・ミラー位置信号
す概略図、第２図はシンクロトロン放射光を用いた露光
の原理図、第３図はミラーの振動の一例を示す図である
。 ３・・・シンクロトロン放射光 ４・・・１ｇマスク５
・・・Ｘ線レジスト ６・・・被加工物８・
・・Ｘ線ミラー １１・・・Ｘ線シャッタ
ー１２・・・シャッター駆動装置 １３・・・露光制
御装置１４・・・ミラー駆動装置１５・・・シャッター
開閉信号１６・・・ミラー位置信号
Claims (1)
- （１）シンクロトロン放射光源から放射されるシンクロ
トロン放射光を、振動するＸ線ミラーで反射させ、Ｘ線
マスクを通してその反射光をＸ線レジストが塗布された
被加工物上に照射するＸ線露光装置において、前記シン
クロトロン放射光源と前記Ｘ線ミラーとの間に高速Ｘ線
シャッターを設け、前記Ｘ線ミラーに連動させて前記Ｘ
線シャッターを動作させる露光制御装置を有することを
特徴とするＸ線露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61154391A JPS639931A (ja) | 1986-06-30 | 1986-06-30 | Ｘ線露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61154391A JPS639931A (ja) | 1986-06-30 | 1986-06-30 | Ｘ線露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS639931A true JPS639931A (ja) | 1988-01-16 |
| JPH058855B2 JPH058855B2 (ja) | 1993-02-03 |
Family
ID=15583111
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61154391A Granted JPS639931A (ja) | 1986-06-30 | 1986-06-30 | Ｘ線露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS639931A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63301000A (ja) * | 1987-06-01 | 1988-12-08 | Canon Inc | 露光装置 |
| JPH0435016A (ja) * | 1990-05-31 | 1992-02-05 | Toshiba Corp | 放射線露光装置 |
-
1986
- 1986-06-30 JP JP61154391A patent/JPS639931A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63301000A (ja) * | 1987-06-01 | 1988-12-08 | Canon Inc | 露光装置 |
| JPH0435016A (ja) * | 1990-05-31 | 1992-02-05 | Toshiba Corp | 放射線露光装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH058855B2 (ja) | 1993-02-03 |
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