JPS6138607B2 - - Google Patents

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Publication number
JPS6138607B2
JPS6138607B2 JP6305977A JP6305977A JPS6138607B2 JP S6138607 B2 JPS6138607 B2 JP S6138607B2 JP 6305977 A JP6305977 A JP 6305977A JP 6305977 A JP6305977 A JP 6305977A JP S6138607 B2 JPS6138607 B2 JP S6138607B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
charged particle
particle beam
shutter means
shutter
electron beam
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP6305977A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS53148284A (en
Inventor
Nobuo Goto
Kazumitsu Tanaka
Sakae Myauchi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jeol Ltd
Original Assignee
Nihon Denshi KK
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Filing date
Publication date
Application filed by Nihon Denshi KK filed Critical Nihon Denshi KK
Priority to JP6305977A priority Critical patent/JPS53148284A/ja
Publication of JPS53148284A publication Critical patent/JPS53148284A/ja
Publication of JPS6138607B2 publication Critical patent/JPS6138607B2/ja
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  • Electron Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は例えば電子ビーム露光装置の様な荷電
粒子線を用いた記録あるいは加工装置に於いて材
料面に於ける粒子線の位置変動を少なくすること
に関するものである。
一般に電子ビーム露光装置は電子計算機に依つ
て電子シヤツターを制御し、電子ビームをON―
OFFさせると共に走査器を制御して電子ビーム
を二次元的に移動させ種々複雑な模様を材料面上
に形成するものである。従つて電子ビームの位置
が電子計算機の制御以外の要因で移動すると露光
図形精度が悪化し、性能の劣化、歩留りの低下を
引きおこす。
ところが従来の電子ビーム露光装置においては
ある期間電子ビームを“OFF”状態にしておい
て再び電子ビームを材料上に照射すると、照射開
始後しばらくの間(数m sec〜数分)電子線照射
位置が安定せずに移動するというドリフト現象が
発生する。例えば、材料を移動して露光範囲を変
更する際等には、機械的な移動で時間がかかるた
め、材料上への電子ビームの照射を数秒以上中止
する必要がある。ところが、その時に電子シヤツ
ターを用いて電子ビームをOFFにしたのでは、
ONにした時にドリフト現象が発生してしまう。
ここで、このドリフト現象について図面を用い
て説明する。第1図は従来装置の略図と電子ビー
ムの経路を示したものであり、電子銃1から発生
した電子ビームは偏向器とビーム受けとから構成
される電子シヤツター2に依つて“ON”
“OFF”される。
従つてビーム“OFF”時は電子シヤツター2
から材料3に至る集束レンズ4、走査器5、対物
レンズ6を含む経路には電子は存在しない。次に
電子シヤツター2を解除し電子ビームを“ON”
状態にすると電子シヤツター2から材料面3まで
の経路のアパーチヤ、壁面等にも電子ビームが照
射される。一方これらの経路には非導電性物質が
付着していたり、有機物質等の汚れ(コンタミ)
が存在する。これらに電子が付着し帯電すると、
電界が乱されるため材料面上で電子ビームの位置
が変動し、この変動は上記非導電性物質あるいは
コンタミ等に電子が付着し終わり定常状態に達す
るまでの期間続く。また前記経路に電子ビームが
照射されると部品の温度が上昇し、温度が定常状
態になるまで部品の位置変動が生じ、これも電子
ビーム位置変動の原因となつている。この様に原
因が判明してもその原因を完全に取り除くことは
極めて困難であり、従来有効な対策はとられてい
なかつた。
ところで本発明者達はこのドリフト現象を繰返
し観察した結果電子ビームは材料面上で電子ビー
ムON直後から数m sec〜数分に亘つて0.3μm〜
1μm程度移動してしまうことを確認した。更に
又上記ドリフト現象による電子ビーム位置変動量
は電子ビームがOFFになつている期間の長さに
依存し、OFFの期間が数秒以下では位置変動が
極めて少ないが、それ以上になるとドリフト現象
が顕著に現われ変動量が増大することも確認し
た。
本発明は上述した諸点に鑑みてなされたもので
あり、上記ドリフト現象の発生を防止して精度良
く露光を行うことのできる電子ビーム露光装置を
提供することを目的とするものである。
以下本発明の実施例を図面に基づいて詳説す
る。尚図面において第1図に示された従来例と同
一の構成要素には同一番号を付し説明は省略す
る。
第2図は電子銃1、電子シヤツター2、集束レ
ンズ4、走査器5、対物レンズ6から成る電子光
学系に続いて対物レンズ6と材料3の間に本発明
の特徴である機械的に移動されるシヤツター板7
を設置した実施例である。該シヤツター板7は例
えばソレノイド等の駆動手段8によつて駆動され
る駆動軸9に固着されており、該シヤツター板7
は駆動手段8に制御信号が加えられた時に駆動軸
9と共に電子ビームの通路上に移動しビームを遮
断する。10は制御用電子計算機であり該電子計
算機は予め定められたプログラムに従つて電子シ
ヤツター2にON―OFF信号を、走査器5に電子
ビームを描くべき図形に従つて走査するための走
査信号を、そして駆動手段8に制御信号を夫々送
る。
上述の様な構成において、例えば材料3を移動
して露光範囲を変更する際等には材料上への電子
ビーム照射を数秒以上中止する必要があり、その
時に電子シヤツター2を用いて電子ビームを
OFFにしたのでは、ONにした時にドリフト現象
が発生してしまうことは先に述べた。
そこで、本実施例では、電子ビームを数秒以上
OFFにする場合、計算機10は電子シヤツター
2を作動させず、駆動手段の方に制御信号を送り
シヤツタ板7を電子ビーム通路上に位置させる。
従つて電子銃1からシヤツター板7までの電子光
学系には常に電子ビームが照射されており、この
間の電界、温度が定常状態となつている。そして
計算機10は例えば露光開始1秒前に電子シヤツ
ター2を作動させ、電子光学系を通つてシヤツタ
ー板7まで到達していたビームをCOFFにし、そ
れからシヤツター板7をビーム通路上より取り除
き、次に電子シヤツター2を開放してビームを
ONにして露光を開始する。この時の電子シヤツ
ター2とシヤツター板7の動作のタイミングを第
4図に示す。
このようにすれば、実質的に電子光学系に電子
ビームが照射されていない期間は1秒以下となる
ため電子ビーム露光開始直後数msec〜数分に亘
つて生ずる電子ビーム位置ドリフトをなくすこと
ができる。
本発明は更に変形が可能であり、例えば第3図
に示す如く機械的なシヤツタ板7の代りに電子シ
ヤツタ11を用いるようにしてもよい。あるいは
走査器5を対物レンズと材料の間に設置する場合
は走査器を電子シヤツターに兼用することも可能
である。又本発明は電子ビームに限らずイオンビ
ーム等すべての荷電粒子線に適用できるものであ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来装置を示す略図、第2図及び第3
図は夫々本発明の一実施例を示す略図、第4図は
電子シヤツターとシヤツター板の動作のタイミン
グを示す図である 1:電子銃、2,11:電子シヤツター、3:
露光材料、5:走査器、7:機械的シヤツタ、1
0:電子計算機。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 荷電粒子線発生源と、該発生源から発生した
    荷電粒子線を材料上に集束するための集束レンズ
    と、荷電粒子線を材料上で走査するための走査器
    と、長期間荷電粒子線を遮断するため最終段集束
    レンズと前記材料の間に配置される第1のシヤツ
    タ手段と、短期間荷電粒子線を遮断するため該第
    1のシヤツタ手段と前記荷電粒子線発生源との間
    に配置される第2のシヤツタ手段とを備え、第1
    のシヤツタ手段を開く際、その直前に第2のシヤ
    ツタ手段を閉じ、第1のシヤツタ手段が開いた後
    に第2のシヤツタ手段を開くように2つのシヤツ
    タ手段の開閉を制御する制御手段を設けたことを
    特徴とする荷電粒子線装置。 2 前記第1のシヤツタ手段は機械的に荷電粒子
    線通路に移動されるシヤツタ板である特許請求の
    範囲第1項記載の荷電粒子線装置。 3 前記第1のシヤツタ手段は偏向手段とビーム
    受けより成る電子シヤツタである特許請求の範囲
    第1項記載の荷電粒子線装置。
JP6305977A 1977-05-30 1977-05-30 Charged particle ray apparatus Granted JPS53148284A (en)

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JP6305977A JPS53148284A (en) 1977-05-30 1977-05-30 Charged particle ray apparatus

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JPS53148284A JPS53148284A (en) 1978-12-23
JPS6138607B2 true JPS6138607B2 (ja) 1986-08-30

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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5618425A (en) * 1979-07-24 1981-02-21 Jeol Ltd Apparatus for electron beam lithography
JPS5738587U (ja) * 1980-08-13 1982-03-01
JPS63135000A (ja) * 1986-11-26 1988-06-07 川崎重工業株式会社 電子ビ−ム装置
JP2007258284A (ja) * 2006-03-22 2007-10-04 Jeol Ltd 荷電粒子ビーム装置。
JP5403739B2 (ja) * 2009-05-18 2014-01-29 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法

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JPS53148284A (en) 1978-12-23

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