JPS59201416A - 荷電粒子線ブランキング装置 - Google Patents
荷電粒子線ブランキング装置Info
- Publication number
- JPS59201416A JPS59201416A JP7541983A JP7541983A JPS59201416A JP S59201416 A JPS59201416 A JP S59201416A JP 7541983 A JP7541983 A JP 7541983A JP 7541983 A JP7541983 A JP 7541983A JP S59201416 A JPS59201416 A JP S59201416A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- particle beam
- charged particle
- blanking
- shielding plate
- deflection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 9
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 57
- 230000005405 multipole Effects 0.000 claims description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract description 5
- 230000003068 static effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000002039 particle-beam lithography Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
- H01J37/045—Beam blanking or chopping, i.e. arrangements for momentarily interrupting exposure to the discharge
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は荷電粒子線描画装置に使用して最適な荷電粒子
線ブランキング装置に関する。
線ブランキング装置に関する。
第１図は従来の荷電粒子線ブランキング装置を示してお
り、１ａ、１ｂは一対の静電偏向板であり、２は該偏向
板１の下方に配置され、荷電粒子線通過１１１口３を有
した荷電粒子線遮蔽板である。
り、１ａ、１ｂは一対の静電偏向板であり、２は該偏向
板１の下方に配置され、荷電粒子線通過１１１口３を有
した荷電粒子線遮蔽板である。
このような構成において、一方の偏向板１ａに＋■、他
方の偏向板に一■の電Ｆ１−を印加りれば、イ、う電粒
子線４は該偏向板によって偏向され、光軸７から離れて
遮蔽板２の位置△に照射されるため、該荷電粒子線は開
口３を通過できなくなり、従って該荷電粒子線のブラン
キングが行われる。しかしながら、このような荷電粒子
線ブランキング装置においては、ブランキング時に常に
荷電粒子線が遮蔽板２の点△に照射されるため、該貞Ａ
にＪ５いてコンタミネーションが発生する。該コンタミ
ネーションが発生すると、その部分に荷電粒子線が帯電
し、ブランキング動作停止復、該遮蔽板の開口３を通過
する荷電粒子線は該コンタミネーション部分の帯電によ
って偏向され、該荷電粒子線を用いて超ＬＳＩ等の材料
に対する高精度の描画を行おうとしても、所望の精度で
その１１１１画を行うことができなりｔする。又、該遮
蔽板２０点への部分が荷電粒子線の照射によっ−Ｃ箸し
く加熱されるため、該遮蔽板の篇１度分布は軸対称とな
らず、このため該遮蔽板は変形してしまう。該遮蔽板は
通常磁性１本で形成されており、幾分磁気を右している
ため、該遮蔽板が変形すると、その影響で該荷電粒子線
は僅かぐあるが偏向きれてしまう。
方の偏向板に一■の電Ｆ１−を印加りれば、イ、う電粒
子線４は該偏向板によって偏向され、光軸７から離れて
遮蔽板２の位置△に照射されるため、該荷電粒子線は開
口３を通過できなくなり、従って該荷電粒子線のブラン
キングが行われる。しかしながら、このような荷電粒子
線ブランキング装置においては、ブランキング時に常に
荷電粒子線が遮蔽板２の点△に照射されるため、該貞Ａ
にＪ５いてコンタミネーションが発生する。該コンタミ
ネーションが発生すると、その部分に荷電粒子線が帯電
し、ブランキング動作停止復、該遮蔽板の開口３を通過
する荷電粒子線は該コンタミネーション部分の帯電によ
って偏向され、該荷電粒子線を用いて超ＬＳＩ等の材料
に対する高精度の描画を行おうとしても、所望の精度で
その１１１１画を行うことができなりｔする。又、該遮
蔽板２０点への部分が荷電粒子線の照射によっ−Ｃ箸し
く加熱されるため、該遮蔽板の篇１度分布は軸対称とな
らず、このため該遮蔽板は変形してしまう。該遮蔽板は
通常磁性１本で形成されており、幾分磁気を右している
ため、該遮蔽板が変形すると、その影響で該荷電粒子線
は僅かぐあるが偏向きれてしまう。
本発明は上）ホした点に鑑みてなされたもので、その目
的はブタンキング動作を停止した際に荷電粒子線の不要
な偏向を防止し得る荷電粒子線ブランキング装置を提供
することである。
的はブタンキング動作を停止した際に荷電粒子線の不要
な偏向を防止し得る荷電粒子線ブランキング装置を提供
することである。
本発明に基づく荷電粒子線ブランキング装置は、荷電粒
子線偏向手段と、該荷電粒子線の光軸に治って該荷電粒
子線偏向手段の後方に配置され、該荷電粒子線の通過量
１」を有した荷電粒子線遮蔽板とをｌ１１Ｍえ、該ｆ１
−１向手段に供給されるブランキング信号に応じ−（該
荷電粒子線を該遮蔽板で遮蔽するようにした荷電粒子線
ブランキング装置において、該偏向手段を複数極の偏向
素子によって構成し、該各偏向素子に該荷電粒子線が該
遮蔽板上で回転移動づるにうなブランキング信号を供給
するブランキング信号発生手段とを備えたことを特徴ど
している。
子線偏向手段と、該荷電粒子線の光軸に治って該荷電粒
子線偏向手段の後方に配置され、該荷電粒子線の通過量
１」を有した荷電粒子線遮蔽板とをｌ１１Ｍえ、該ｆ１
−１向手段に供給されるブランキング信号に応じ−（該
荷電粒子線を該遮蔽板で遮蔽するようにした荷電粒子線
ブランキング装置において、該偏向手段を複数極の偏向
素子によって構成し、該各偏向素子に該荷電粒子線が該
遮蔽板上で回転移動づるにうなブランキング信号を供給
するブランキング信号発生手段とを備えたことを特徴ど
している。
以下本発明の一実施例を添イ＝３図面に星づ２Ｓ’ ｉ
＋Ｔ述する。
＋Ｔ述する。
第２図において、１１８．’＋１１１．〜，１１１１は
静電偏向器１１を構成する電極であり、餓（Ｅ１向器１
１の光り１１１７にそっ〕ｃ下方には荷電粒子線通過開
口１３を右した荷電粒子ＩＩｉ遮蔽板１２が配置されて
いる。該各電極には例えば、二Ｔ１ンビー２−夕の如ぎ
ブランキング信号発生手段１’／ＩがらＤ−△弯換器１
５．増幅器１Ｇを介して′ブランキング摺し〕が供給さ
れる。
静電偏向器１１を構成する電極であり、餓（Ｅ１向器１
１の光り１１１７にそっ〕ｃ下方には荷電粒子線通過開
口１３を右した荷電粒子ＩＩｉ遮蔽板１２が配置されて
いる。該各電極には例えば、二Ｔ１ンビー２−夕の如ぎ
ブランキング信号発生手段１’／ＩがらＤ−△弯換器１
５．増幅器１Ｇを介して′ブランキング摺し〕が供給さ
れる。
上ｉ！ｌｉシｌ＝如き構成において、荷電粒′ｆ−わｊ
ｊのブランキング時には該静電偏向器１１を＋Ｍ成する
各電極にブランキング信号発生回路１／ｌがらブラン４
ング信号が供給される。該各電極）こは人々異った電圧
信号が供給され、その結果、７□Ｓ■電粉子線はじ初の
状態では第３図に示ず如く光＋１’ｌ１１から外側に渦
巻状に回転しながら偏向され、特定の半径１゛の位ｔｑ
にまで偏向されると、その後は該遮蔽板１２Ｆで該半径
１゛の円を描くように回転移動させられる。
ｊのブランキング時には該静電偏向器１１を＋Ｍ成する
各電極にブランキング信号発生回路１／ｌがらブラン４
ング信号が供給される。該各電極）こは人々異った電圧
信号が供給され、その結果、７□Ｓ■電粉子線はじ初の
状態では第３図に示ず如く光＋１’ｌ１１から外側に渦
巻状に回転しながら偏向され、特定の半径１゛の位ｔｑ
にまで偏向されると、その後は該遮蔽板１２Ｆで該半径
１゛の円を描くように回転移動させられる。
従って、ブランキング時に荷電粒子線が照射される遮蔽
板１２の位置は一定とならず、コンタミネーションの発
生を極端に少くフることができると共に、仮にコンタミ
ネーションが発生しても、その形状は光軸Ｚを中心とし
１ｃ軸対称となるため、ブランキングオフ時に光軸に沿
って通過する荷電粒子線は特定の方向への偏向を受ｔプ
ることはない。
板１２の位置は一定とならず、コンタミネーションの発
生を極端に少くフることができると共に、仮にコンタミ
ネーションが発生しても、その形状は光軸Ｚを中心とし
１ｃ軸対称となるため、ブランキングオフ時に光軸に沿
って通過する荷電粒子線は特定の方向への偏向を受ｔプ
ることはない。
又、ブランキング時に荷電粒子線は遮蔽板上を光軸を中
心としたリング状に回転移動さぼられるため、該遮蔽板
は加熱されてもその湿度分布（よ軸対称どなる。この結
果、遮蔽板の変形は軸対称となり、該遮蔽板の変形によ
る荷電粒子線の不要な偏向も防止することができる。尚
、この実施例ではブランキング停止時にも、荷電粒子線
は渦巻状に偏向されて光軸に戻される。
心としたリング状に回転移動さぼられるため、該遮蔽板
は加熱されてもその湿度分布（よ軸対称どなる。この結
果、遮蔽板の変形は軸対称となり、該遮蔽板の変形によ
る荷電粒子線の不要な偏向も防止することができる。尚
、この実施例ではブランキング停止時にも、荷電粒子線
は渦巻状に偏向されて光軸に戻される。
以上詳述した如く、本発明は荷電粒子線の不要な偏向を
防止し１ｑる荷電粒子線ブランキング装置を提供するこ
とかできる。尚、本発明は上述した実施例に限定される
ことなく幾多の変形が可能である。例えば、偏向手段と
して静電偏向器を用いたが、電磁コイルを用いても良い
。又、偏向手段を８極の偏向素子によって構成したが、
荷電粒子線を回転偏向させるためには、電極あるいは磁
極の数は最低３極で良い。更に、ブランキングの開始時
と停止時に荷電粒子線を渦巻状に偏向しｔｃが、このブ
ランキングの開始時と停止時には、直線的に荷電粒子線
を特定の半径の位置にまで、あるいは該特定の半径の位
置から光軸にまで偏向しでも良い。
防止し１ｑる荷電粒子線ブランキング装置を提供するこ
とかできる。尚、本発明は上述した実施例に限定される
ことなく幾多の変形が可能である。例えば、偏向手段と
して静電偏向器を用いたが、電磁コイルを用いても良い
。又、偏向手段を８極の偏向素子によって構成したが、
荷電粒子線を回転偏向させるためには、電極あるいは磁
極の数は最低３極で良い。更に、ブランキングの開始時
と停止時に荷電粒子線を渦巻状に偏向しｔｃが、このブ
ランキングの開始時と停止時には、直線的に荷電粒子線
を特定の半径の位置にまで、あるいは該特定の半径の位
置から光軸にまで偏向しでも良い。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の荷電粒子線ブランキング装置を示ず図、
第２図は本発明に基づく６；Ｉ重粒子線ブタンキング動
作を示す図、第３図はブランキング時の荷電粒子線の軌
跡を示す図である。。 １１・・・静電偏向器 １２・・・荷電粒子線遮蔽板 １３・・・荷電粒子線通過１７ｆ１口 １４・・・ブランキング信号発生回路 １５・・・Ｄ−Ａ変換器 １６・・・増幅器 １ＪＪ八′へ出願人 ［］１本電子株式会礼 代表者 伊藤 −夫
第２図は本発明に基づく６；Ｉ重粒子線ブタンキング動
作を示す図、第３図はブランキング時の荷電粒子線の軌
跡を示す図である。。 １１・・・静電偏向器 １２・・・荷電粒子線遮蔽板 １３・・・荷電粒子線通過１７ｆ１口 １４・・・ブランキング信号発生回路 １５・・・Ｄ−Ａ変換器 １６・・・増幅器 １ＪＪ八′へ出願人 ［］１本電子株式会礼 代表者 伊藤 −夫
Claims (1)
- をＩ重粒子線偏向手段と、該荷電粒子線の光軸に治つＣ
該荷電粒子線偏向手段の後方に配置され、該荷電粒子線
の通過量１］を有した荷電粒子線遮蔽板とを備え、該偏
向手段に供給されるブランキング信号に応じて該荷電粒
子線を該遮蔽板で遮蔽するようにしｌζ荷電粒子線ブラ
ンキング装置にＪ３いＣ，該偏向手段を複数極の偏向素
子にＪ、って構成し、該各偏向素子に該荷電粒子線が該
遮蔽板上で回転移動するようなブランキング信号を供給
するブランキング信号発生手段とを備えた荷電粒子線ブ
ランキング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7541983A JPS59201416A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | 荷電粒子線ブランキング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7541983A JPS59201416A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | 荷電粒子線ブランキング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59201416A true JPS59201416A (ja) | 1984-11-15 |
Family
ID=13575643
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7541983A Pending JPS59201416A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | 荷電粒子線ブランキング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59201416A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01186741A (ja) * | 1988-01-18 | 1989-07-26 | Mitsubishi Electric Corp | 電子ビーム装置用ブランキング装置 |
| JP2021193682A (ja) * | 2016-01-09 | 2021-12-23 | ケーエルエー コーポレイション | 電子ビーム装置 |
-
1983
- 1983-04-28 JP JP7541983A patent/JPS59201416A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01186741A (ja) * | 1988-01-18 | 1989-07-26 | Mitsubishi Electric Corp | 電子ビーム装置用ブランキング装置 |
| JP2021193682A (ja) * | 2016-01-09 | 2021-12-23 | ケーエルエー コーポレイション | 電子ビーム装置 |
| CN113990728A (zh) * | 2016-01-09 | 2022-01-28 | 科磊股份有限公司 | 用于高通量电子束设备的散热消隐系统 |
| CN113990728B (zh) * | 2016-01-09 | 2024-03-26 | 科磊股份有限公司 | 用于高通量电子束设备的散热消隐系统 |
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