JPH0587014B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0587014B2 JPH0587014B2 JP60191630A JP19163085A JPH0587014B2 JP H0587014 B2 JPH0587014 B2 JP H0587014B2 JP 60191630 A JP60191630 A JP 60191630A JP 19163085 A JP19163085 A JP 19163085A JP H0587014 B2 JPH0587014 B2 JP H0587014B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- shaping
- aperture
- diaphragm
- deflector
- drive circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 claims description 81
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 claims description 12
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 201000009310 astigmatism Diseases 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000012634 optical imaging Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/3002—Details
- H01J37/3007—Electron or ion-optical systems
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/04—Means for controlling the discharge
- H01J2237/043—Beam blanking
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
- H01J2237/31776—Shaped beam
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、試料面上に電子ビームを照射し、微
細なパターンを描く電子線描画装置に関する。
細なパターンを描く電子線描画装置に関する。
電子線描画装置は、近年高速処理化の要望が高
まり、可変整形ビーム方式に加え、ビームの大電
流化、レジスト感度向上等の技術開発が進められ
ている。レジストの高感度化やビームの大電流化
は、試料面や装置内壁における反射電子、散乱電
子による試料の損傷であるかぶりや、装置内の残
留ガスに電子ビームが衝突し、残留ガスが重合状
態となつて装置内に吸着する汚染等の問題を生じ
ている。特に、一対の整形絞り間にビーム調整用
の偏向器を設け、一対の整形絞りビームにより得
た共役ビームを試料面に照射する可変整形ビーム
方式においては、整形絞りエツジ部における反射
電子がメインビームと同様に試料面に集束し、か
ぶりを発生させる。
まり、可変整形ビーム方式に加え、ビームの大電
流化、レジスト感度向上等の技術開発が進められ
ている。レジストの高感度化やビームの大電流化
は、試料面や装置内壁における反射電子、散乱電
子による試料の損傷であるかぶりや、装置内の残
留ガスに電子ビームが衝突し、残留ガスが重合状
態となつて装置内に吸着する汚染等の問題を生じ
ている。特に、一対の整形絞り間にビーム調整用
の偏向器を設け、一対の整形絞りビームにより得
た共役ビームを試料面に照射する可変整形ビーム
方式においては、整形絞りエツジ部における反射
電子がメインビームと同様に試料面に集束し、か
ぶりを発生させる。
第２図は、従来の可変整形ビーム方式による電
子線描画装置の一例を示す光学系の概略構成図で
ある。第２図において、電子銃１０の下方（前
方）には、第１整形絞り１２と第２整形絞り１４
とが配置してあり、この第１整形絞り１２と第２
整形絞り１４との間に整形偏向器１６が配設して
ある。第２整形絞り１４の下方には、ブランキン
グ電極１８が設けてあり、第１整形絞り１２の開
口部２０と第２整形絞り１４の開口部２２とを通
過したメインビーム（共役ビーム）２４を曲げる
ことができるようになつている。ブランキング電
極１８の下方に設けた対物絞り２６は、メインビ
ーム２４を試料２８上に導く開口部３０を有して
いる。そして、対物絞り２６の下方には、ビーム
偏向器３２が設けてあり、メインビーム２４を走
査できるようになつている。なお、第２図に示し
た符号３４は洩れビームを示し、符号３６は洩れ
ビーム３４による試料面上のかぶり露光を示す。
子線描画装置の一例を示す光学系の概略構成図で
ある。第２図において、電子銃１０の下方（前
方）には、第１整形絞り１２と第２整形絞り１４
とが配置してあり、この第１整形絞り１２と第２
整形絞り１４との間に整形偏向器１６が配設して
ある。第２整形絞り１４の下方には、ブランキン
グ電極１８が設けてあり、第１整形絞り１２の開
口部２０と第２整形絞り１４の開口部２２とを通
過したメインビーム（共役ビーム）２４を曲げる
ことができるようになつている。ブランキング電
極１８の下方に設けた対物絞り２６は、メインビ
ーム２４を試料２８上に導く開口部３０を有して
いる。そして、対物絞り２６の下方には、ビーム
偏向器３２が設けてあり、メインビーム２４を走
査できるようになつている。なお、第２図に示し
た符号３４は洩れビームを示し、符号３６は洩れ
ビーム３４による試料面上のかぶり露光を示す。
上記のごとく構成してある可変整形ビーム方式
の電子線描画装置は、第１整形絞り１２を通過し
たメインビーム２４が整形偏向器１６により調整
される。すなわち、整形偏向器１６は、第１整形
絞り１２の開口部２０の投影像を、第２整形絞り
１４の開口部２２に投影し、開口部２０と開口部
２２との間に共通する開口部を通過した共役ビー
ムを形成する。共役ビームとなつたメインビーム
２４は、対物絞り２６の開口部３０を通り試料２
８上に到達する。そして、ビーム偏向器３２は、
第２図に示さない制御装置により制御された電圧
が印加され、メインビーム２４を試料２８の面上
に走査し、試料２８の面上に微細な像を描くこと
ができる。
の電子線描画装置は、第１整形絞り１２を通過し
たメインビーム２４が整形偏向器１６により調整
される。すなわち、整形偏向器１６は、第１整形
絞り１２の開口部２０の投影像を、第２整形絞り
１４の開口部２２に投影し、開口部２０と開口部
２２との間に共通する開口部を通過した共役ビー
ムを形成する。共役ビームとなつたメインビーム
２４は、対物絞り２６の開口部３０を通り試料２
８上に到達する。そして、ビーム偏向器３２は、
第２図に示さない制御装置により制御された電圧
が印加され、メインビーム２４を試料２８の面上
に走査し、試料２８の面上に微細な像を描くこと
ができる。
このようにして、試料上に一つの線または像が
描画されると、ブランキング電極１８に印加され
ている電圧が変えられ、メインビーム２４が第２
図に示すごとく偏向されて、対物絞り２６により
カツトされる。そして、制御装置に新たな描画デ
ータが転送され、ビーム偏向器３２の電圧制御等
がおこなわれた後、ブランキング電極１８の印加
電圧が元に戻され、次の描画工程が開発される。
描画されると、ブランキング電極１８に印加され
ている電圧が変えられ、メインビーム２４が第２
図に示すごとく偏向されて、対物絞り２６により
カツトされる。そして、制御装置に新たな描画デ
ータが転送され、ビーム偏向器３２の電圧制御等
がおこなわれた後、ブランキング電極１８の印加
電圧が元に戻され、次の描画工程が開発される。
ところが、メインビーム２４が第１整形絞り１
２、第２整形絞り１４、対物絞り２６を通過する
際に、各開口部２０，２２，３０のエンジンにお
いて一部が反射、散乱され、洩れビーム３４を生
ずる。この洩れビーム３４は、メインビーム２４
と本質的に同一の光学的結像条件により、試料２
８の面上に収束する。しかも、各開口部のエツジ
において反射、散乱した電子は、エツジ部におけ
る散乱条件、放射角、運動エネルギーが一様でな
いため、第２図に示すように、ブランキング電極
１８によりメインビーム２４をカツトしたとして
も、洩れビーム３４の一部が試料２８に照射さ
れ、かぶりを生ずる。この場合、洩れビーム３４
の主要部は、第２整形絞り１４の開口部２２のエ
ツジで生ずる散乱電子である。
２、第２整形絞り１４、対物絞り２６を通過する
際に、各開口部２０，２２，３０のエンジンにお
いて一部が反射、散乱され、洩れビーム３４を生
ずる。この洩れビーム３４は、メインビーム２４
と本質的に同一の光学的結像条件により、試料２
８の面上に収束する。しかも、各開口部のエツジ
において反射、散乱した電子は、エツジ部におけ
る散乱条件、放射角、運動エネルギーが一様でな
いため、第２図に示すように、ブランキング電極
１８によりメインビーム２４をカツトしたとして
も、洩れビーム３４の一部が試料２８に照射さ
れ、かぶりを生ずる。この場合、洩れビーム３４
の主要部は、第２整形絞り１４の開口部２２のエ
ツジで生ずる散乱電子である。
この洩れビーム３４によるかぶり露光３６は、
特に、電子ビームを長時間照射したときに残留ガ
スに基づく絶縁物質（汚染物質）の堆積、または
各絞りの開口部における電荷の蓄積による電界に
より、メインビーム２４自体の発散角やエネルギ
ー分散の増大により顕著となる。そして、洩れビ
ーム３４がメインビーム２４の1ppm（１／106）
程度であり、メインビームによるレジスト露光が
1μs程度であつたとしても、洩れビーム３４が試
料２８に1s照射されると、レジストが露光される
ことになる。このため描画データ転送等が長時間
にわたると、洩れビーム３４によるかぶり露光３
６のため、試料２８が損傷を受けることになり、
洩れビーム３４をブランキングすることが重要と
なる。このことは、ブランキング電極１８のよう
なブランキング機構を、第１整形絞り１２上方の
ビーム照射系に設けても同様である。そして、従
来の電子線描画装置においては、ブランキング洩
れビーム３４を減少させるために、ブランキング
時の偏向量、すなわちブランキング電極１８の印
加電圧を高圧化する必要がある。しかし、印加電
圧の高圧化は、印加電圧の立上がり、立ち下がり
に時間がかかり、ブランキング応答性の観点から
問題となる欠点を有している。
特に、電子ビームを長時間照射したときに残留ガ
スに基づく絶縁物質（汚染物質）の堆積、または
各絞りの開口部における電荷の蓄積による電界に
より、メインビーム２４自体の発散角やエネルギ
ー分散の増大により顕著となる。そして、洩れビ
ーム３４がメインビーム２４の1ppm（１／106）
程度であり、メインビームによるレジスト露光が
1μs程度であつたとしても、洩れビーム３４が試
料２８に1s照射されると、レジストが露光される
ことになる。このため描画データ転送等が長時間
にわたると、洩れビーム３４によるかぶり露光３
６のため、試料２８が損傷を受けることになり、
洩れビーム３４をブランキングすることが重要と
なる。このことは、ブランキング電極１８のよう
なブランキング機構を、第１整形絞り１２上方の
ビーム照射系に設けても同様である。そして、従
来の電子線描画装置においては、ブランキング洩
れビーム３４を減少させるために、ブランキング
時の偏向量、すなわちブランキング電極１８の印
加電圧を高圧化する必要がある。しかし、印加電
圧の高圧化は、印加電圧の立上がり、立ち下がり
に時間がかかり、ブランキング応答性の観点から
問題となる欠点を有している。
本発明は、整形絞りの開口部における反射、散
乱電子による試料の損傷を防止することができる
電子線描画装置を提供することを目的とする。
乱電子による試料の損傷を防止することができる
電子線描画装置を提供することを目的とする。
本発明は、ブランキング電極によるブランキン
グ作用に周期させて、第１整形絞りと第２整形絞
りとの間に配設した整形偏向器による共役ビーム
を偏向させ、共役ビームを第２整形絞りの開口部
外へ導くようにし、第２整形絞りの開口部におけ
る反射、散乱電子を大幅に減少して、試料の損傷
を軽減できるように構成したものである。
グ作用に周期させて、第１整形絞りと第２整形絞
りとの間に配設した整形偏向器による共役ビーム
を偏向させ、共役ビームを第２整形絞りの開口部
外へ導くようにし、第２整形絞りの開口部におけ
る反射、散乱電子を大幅に減少して、試料の損傷
を軽減できるように構成したものである。
本発明に係る電子線描画装置の好ましい実施例
を、添付図面にしたがつて詳説する。なお、前記
従来技術において説明した部分に対応する部分に
ついては、同一の符号を付し、その説明を省略す
る。
を、添付図面にしたがつて詳説する。なお、前記
従来技術において説明した部分に対応する部分に
ついては、同一の符号を付し、その説明を省略す
る。
第１図は、本発明に係る電子線描画装置の実施
例を示す概略構成図である。
例を示す概略構成図である。
第１図において、整形偏向器１６、は整形偏向
器駆動回路３８に接続されており、ブランキング
電極１８はブランキング電極駆動回路４０に接続
されている。これら整形偏向器駆動回路３８とブ
ランキング電極駆動回路４０とは、ビーム偏向器
３２と同様に制御装置４２に接続されている。
器駆動回路３８に接続されており、ブランキング
電極１８はブランキング電極駆動回路４０に接続
されている。これら整形偏向器駆動回路３８とブ
ランキング電極駆動回路４０とは、ビーム偏向器
３２と同様に制御装置４２に接続されている。
上記のごとく構成した実施例においては、メイ
ンビーム２４による試料２８への描画を、前記し
た従来技術と同様におこなう。通常、描画サイク
ルは、ビーム偏向域（フイールド）単位をもつて
おこなわれ、描画データの転送もフイールド単位
におこなわれる。そして、描画を開始する前の試
料２８を載置したステージの移動、試料２８と対
物絞り２６との間の距離計測（Ｚ計測）、アナロ
グ回路が整定されているまでの間、さらには一つ
のフイールドを描画した後の次の描画データ転送
時には、メインビーム２４がカツトされ、メイン
ビーム２４が試料面からはずされている。このメ
インビーム２４を試料からはずすブランキング操
作は、一つのフイールドを描画した後を例にとる
と、次のごとくしておこなわれる。
ンビーム２４による試料２８への描画を、前記し
た従来技術と同様におこなう。通常、描画サイク
ルは、ビーム偏向域（フイールド）単位をもつて
おこなわれ、描画データの転送もフイールド単位
におこなわれる。そして、描画を開始する前の試
料２８を載置したステージの移動、試料２８と対
物絞り２６との間の距離計測（Ｚ計測）、アナロ
グ回路が整定されているまでの間、さらには一つ
のフイールドを描画した後の次の描画データ転送
時には、メインビーム２４がカツトされ、メイン
ビーム２４が試料面からはずされている。このメ
インビーム２４を試料からはずすブランキング操
作は、一つのフイールドを描画した後を例にとる
と、次のごとくしておこなわれる。
制御装置４２は、一つのフイールドの描画が終
了すると、ブランキング電極駆動回路４０にブラ
ンキングオン信号を与え、ブランキング電極１８
に所定のブランキング電圧を印加すると同時に、
整形偏向器駆動回路３８に描画終了信号を与え
る。整形偏向駆動回路３８は、描画終了信号が与
えられると、あらかじめ設定してあるビームカツ
ト電圧を整形偏向器１６に印加し、第１整形絞り
１２を通過したメインビーム２４を、第２整形絞
り１４の開口部２２外に導き、メインビーム２４
を第２整形絞り１４によつてカツトする。このよ
うにしてメインブーム２４を第２整形絞り１４を
もつてカツトする。洩れビーム３４の主要部は、
第１整形絞り１２の開口部２０において反射、散
乱した電子によるものとなる。このため、第１整
形絞り１２の開口部２０において発生した洩れビ
ーム３４は、第２整形絞り１４を通過した後、ブ
ランキング電極１８の作用により、対物絞り２６
の開口部３０の外側に偏向され、試料２８へ到達
することがない。したがつて、洩れビーム３４の
メインビーム２４に対する従来の相対強度をIBLK
とすると、本実施例による相対強度はIBLK 2のオー
ダ、すなわち従来10−6のオーダであつたものを、
10−12のオーダに減少させることができ、ほぼ完
全にビームのカツトをすることができる。しか
も、洩れビーム３４が、第１整形絞り１２と第２
整形絞り１４とにおいて２回の散乱を受けた電子
であるため、エネルギー分散が増大し、試料面に
集束しにくくなり、かぶり現象を大幅に軽減する
ことができる。
了すると、ブランキング電極駆動回路４０にブラ
ンキングオン信号を与え、ブランキング電極１８
に所定のブランキング電圧を印加すると同時に、
整形偏向器駆動回路３８に描画終了信号を与え
る。整形偏向駆動回路３８は、描画終了信号が与
えられると、あらかじめ設定してあるビームカツ
ト電圧を整形偏向器１６に印加し、第１整形絞り
１２を通過したメインビーム２４を、第２整形絞
り１４の開口部２２外に導き、メインビーム２４
を第２整形絞り１４によつてカツトする。このよ
うにしてメインブーム２４を第２整形絞り１４を
もつてカツトする。洩れビーム３４の主要部は、
第１整形絞り１２の開口部２０において反射、散
乱した電子によるものとなる。このため、第１整
形絞り１２の開口部２０において発生した洩れビ
ーム３４は、第２整形絞り１４を通過した後、ブ
ランキング電極１８の作用により、対物絞り２６
の開口部３０の外側に偏向され、試料２８へ到達
することがない。したがつて、洩れビーム３４の
メインビーム２４に対する従来の相対強度をIBLK
とすると、本実施例による相対強度はIBLK 2のオー
ダ、すなわち従来10−6のオーダであつたものを、
10−12のオーダに減少させることができ、ほぼ完
全にビームのカツトをすることができる。しか
も、洩れビーム３４が、第１整形絞り１２と第２
整形絞り１４とにおいて２回の散乱を受けた電子
であるため、エネルギー分散が増大し、試料面に
集束しにくくなり、かぶり現象を大幅に軽減する
ことができる。
このように、本実施例においては、整形偏向器
１６とブランキング電極１８とによる実質的な２
段ブランキング機構により、従来のかぶり現象に
おいて特に重要な要因であつた、第２整形絞り１
４の開口部２０による電子のエツジ散乱を防止で
き、比較的偏向角の小さなブランキング機構をも
つて、十分なビームカツトをおこなうことができ
る。また、第２整形絞り１４下方の壁面や、特に
対物絞り２６へのビーム照射が軽減され、アタツ
チメントを付加することなく対物絞り２６等にお
ける電荷の蓄積によるビームドリフトや非点収差
の低減、汚染の防止等、装置の信頼性を向上する
ことができる。
１６とブランキング電極１８とによる実質的な２
段ブランキング機構により、従来のかぶり現象に
おいて特に重要な要因であつた、第２整形絞り１
４の開口部２０による電子のエツジ散乱を防止で
き、比較的偏向角の小さなブランキング機構をも
つて、十分なビームカツトをおこなうことができ
る。また、第２整形絞り１４下方の壁面や、特に
対物絞り２６へのビーム照射が軽減され、アタツ
チメントを付加することなく対物絞り２６等にお
ける電荷の蓄積によるビームドリフトや非点収差
の低減、汚染の防止等、装置の信頼性を向上する
ことができる。
なお、前記実施例においては、ブランキング電
極１８が第２整形絞り１４の下方に設けられてい
る場合について説明したが、ブランキング電極１
８が第１整形絞り１２の上方等他の位置に設けら
れている場合についても適用することができる。
また、整形偏向器駆動回路３８にタイマ機能を付
加し、トラブルにより描画が中断して、ブランキ
ング電極１８による長時間のビームブランキング
がおこなわれた場合に、自動的に整形偏向器駆動
回路３８を作動させることも可能である。さら
に、前記実施例においては、整形偏向器駆動回路
３８に描画終了信号を与え、整形偏向器駆動回路
３８を作動させるようにしたが、描画終了信号の
代りにメインビーム２４がカツトできるような整
形ビームサイズのデータを、描画データの形式で
描画データブロツクの最後に付加し、ビームカツ
トすることも可能である。
極１８が第２整形絞り１４の下方に設けられてい
る場合について説明したが、ブランキング電極１
８が第１整形絞り１２の上方等他の位置に設けら
れている場合についても適用することができる。
また、整形偏向器駆動回路３８にタイマ機能を付
加し、トラブルにより描画が中断して、ブランキ
ング電極１８による長時間のビームブランキング
がおこなわれた場合に、自動的に整形偏向器駆動
回路３８を作動させることも可能である。さら
に、前記実施例においては、整形偏向器駆動回路
３８に描画終了信号を与え、整形偏向器駆動回路
３８を作動させるようにしたが、描画終了信号の
代りにメインビーム２４がカツトできるような整
形ビームサイズのデータを、描画データの形式で
描画データブロツクの最後に付加し、ビームカツ
トすることも可能である。
以上説明したごとく、本発明によれば、一つの
描画工程の終了時に、ブランキング電極駆動回路
をオンすると同時に、描画終了信号の受信または
長時間のビームブランキングがおこなわれた際に
整形偏向器駆動回路がオンされ、アタチメントを
付加することなく洩れビーム、特に長時間の洩れ
ビームによる試料の損傷をなくすことができる。
描画工程の終了時に、ブランキング電極駆動回路
をオンすると同時に、描画終了信号の受信または
長時間のビームブランキングがおこなわれた際に
整形偏向器駆動回路がオンされ、アタチメントを
付加することなく洩れビーム、特に長時間の洩れ
ビームによる試料の損傷をなくすことができる。
第１図は本発明に係る電子線描画装置の実施例
を示す概略構成図、第２図は従来の電子線描画装
置の一例を示す光学系の概略構成図である。 １０……電子銃、１２……第１整形絞り、１４
……第２整形絞り、１６……整形偏向器、１８…
…ブランキング電極、２４……メインビーム、２
６……対物絞り、２８……試料、３２……ビーム
偏向器、３４……洩れビーム、３８……整形偏向
器駆動回路、４０……ブランキング電極駆動回
路、４２……制御装置。
を示す概略構成図、第２図は従来の電子線描画装
置の一例を示す光学系の概略構成図である。 １０……電子銃、１２……第１整形絞り、１４
……第２整形絞り、１６……整形偏向器、１８…
…ブランキング電極、２４……メインビーム、２
６……対物絞り、２８……試料、３２……ビーム
偏向器、３４……洩れビーム、３８……整形偏向
器駆動回路、４０……ブランキング電極駆動回
路、４２……制御装置。
Claims (1)
- １ 電子ビームを発生する電子銃と、この電子銃
の前方に配置され、前記電子ビームが通過する開
口部を備えた第１整形絞りと、この第１整形絞り
を通過した前記電子ビームの共役ビームが通過す
る開口部が形成してある第２整形絞りと、前記第
１整形絞りと前記第２整形絞りとの間に配設さ
れ、前記第１整形絞りを通過した前記共役ビーム
の進行方向を制御する整形偏向器と、この整形偏
向器を駆動する整形偏向器駆動回路と、前記第２
整形絞りを通過した前記共役ビームを試料上に導
く開口が形成してある対物絞りと、一つの描画工
程の終了時に、前記試料上に照射されている前記
共役ビームを、前記試料外に導き洩れビームをカ
ツトするブランキング電極と、このブランキング
電極を駆動するブランキング電極駆動回路とを有
する電子線描画装置において、前記整形偏向駆動
回路にタイマを付設し、前記一つの描画工程の終
了時に、前記ブランキング電極駆動回路をオンす
ると同時に、描画終了信号の受信または長時間の
ビームブランキングが行なわれた際に前記整形偏
向器駆動回路をオンして前記整形偏向器を駆動
し、前記第１整形絞りを通過した前記共役ビーム
を、前記第２整形絞りの開口部外に導か洩れビー
ムを防止する制御装置を設けたことを特徴とする
電子線描画装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60191630A JPS6251218A (ja) | 1985-08-30 | 1985-08-30 | 電子線描画装置 |
| US06/900,423 US4777369A (en) | 1985-08-30 | 1986-08-26 | Electron beam lithographic method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60191630A JPS6251218A (ja) | 1985-08-30 | 1985-08-30 | 電子線描画装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6251218A JPS6251218A (ja) | 1987-03-05 |
| JPH0587014B2 true JPH0587014B2 (ja) | 1993-12-15 |
Family
ID=16277842
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60191630A Granted JPS6251218A (ja) | 1985-08-30 | 1985-08-30 | 電子線描画装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4777369A (ja) |
| JP (1) | JPS6251218A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01102930A (ja) * | 1987-10-16 | 1989-04-20 | Hitachi Ltd | 電子線描画装置 |
| US4890239A (en) * | 1987-10-20 | 1989-12-26 | Shipley Company, Inc. | Lithographic process analysis and control system |
| JP2007258284A (ja) * | 2006-03-22 | 2007-10-04 | Jeol Ltd | 荷電粒子ビーム装置。 |
| US9040867B2 (en) | 2012-12-21 | 2015-05-26 | United Technologies Corporation | Manufacturing machine with magnetic field beam steering |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5322375A (en) * | 1976-08-13 | 1978-03-01 | Jeol Ltd | Beam blanking device |
| JPS55136445A (en) * | 1979-04-10 | 1980-10-24 | Fujitsu Ltd | Beam blanking deflector |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3949228A (en) * | 1973-09-19 | 1976-04-06 | Ibm Corporation | Method for controlling an electron beam |
| JPS5251871A (en) * | 1975-10-23 | 1977-04-26 | Rikagaku Kenkyusho | Projecting method for charge particle beams |
| US4445041A (en) * | 1981-06-02 | 1984-04-24 | Hewlett-Packard Company | Electron beam blanker |
| US4423305A (en) * | 1981-07-30 | 1983-12-27 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for controlling alignment of an electron beam of a variable shape |
| US4550258A (en) * | 1982-07-27 | 1985-10-29 | Nippon Telegraph & Telephone Public Corporation | Aperture structure for charged beam exposure |
-
1985
- 1985-08-30 JP JP60191630A patent/JPS6251218A/ja active Granted
-
1986
- 1986-08-26 US US06/900,423 patent/US4777369A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5322375A (en) * | 1976-08-13 | 1978-03-01 | Jeol Ltd | Beam blanking device |
| JPS55136445A (en) * | 1979-04-10 | 1980-10-24 | Fujitsu Ltd | Beam blanking deflector |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6251218A (ja) | 1987-03-05 |
| US4777369A (en) | 1988-10-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR930007369B1 (ko) | 집속 이온빔 처리장치 및 그의 사용방법 | |
| US6433348B1 (en) | Lithography using multiple pass raster-shaped beam | |
| JPS5823155A (ja) | 荷電粒子ビ−ムの整列制御装置 | |
| JPH0587014B2 (ja) | ||
| US4868395A (en) | Electron beam lithography system for delineating a desired pattern on a target by means of electron beams | |
| JPS59208830A (ja) | イオンビ−ム加工方法およびその装置 | |
| US4710640A (en) | Electron beam lithography | |
| US10256068B2 (en) | Charged particle beam apparatus | |
| JP3455006B2 (ja) | 荷電粒子ビーム装置 | |
| JP3390541B2 (ja) | 荷電粒子投射装置 | |
| JP2007103107A (ja) | 荷電粒子ビーム装置及び荷電粒子ビームの照射方法 | |
| JP2002025492A (ja) | 静電ミラーを含む荷電粒子ビーム画像化装置用低プロフィル電子検出器を使用して試料を画像化するための方法および装置 | |
| JPH03183118A (ja) | 電子ビーム露光方法及びその装置 | |
| JPH0414490B2 (ja) | ||
| JP3325695B2 (ja) | 荷電粒子ビーム露光方法 | |
| JPH0135340B2 (ja) | ||
| JP2730229B2 (ja) | 荷電粒子ビーム照射型分析装置 | |
| JPS62115715A (ja) | 電子ビ−ム露光装置 | |
| JPH1064780A (ja) | 電子ビーム露光装置 | |
| JPH063720B2 (ja) | 集束イオンビ−ム装置 | |
| JPH11224635A (ja) | 荷電粒子線光学系 | |
| JPH11224642A (ja) | 電子ビーム露光装置および電子ビーム露光方法 | |
| JP2692812B2 (ja) | 電子線描画装置 | |
| JPS61216228A (ja) | 電子線描画装置における焦点調整方式 | |
| JPH07142359A (ja) | 荷電粒子ビーム露光装置及び方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |