JPS6251218A - 電子線描画装置 - Google Patents
電子線描画装置Info
- Publication number
- JPS6251218A JPS6251218A JP60191630A JP19163085A JPS6251218A JP S6251218 A JPS6251218 A JP S6251218A JP 60191630 A JP60191630 A JP 60191630A JP 19163085 A JP19163085 A JP 19163085A JP S6251218 A JPS6251218 A JP S6251218A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- shaping
- diaphragm
- aperture
- deflector
- electron beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/3002—Details
- H01J37/3007—Electron or ion-optical systems
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/04—Means for controlling the discharge
- H01J2237/043—Beam blanking
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
- H01J2237/31776—Shaped beam
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、試料面上に電子ビームを照射し、微細なパタ
ーンを描く電子線描画装置に関する。
ーンを描く電子線描画装置に関する。
電子線描画装置は、近年高速処理化の要望が高まり、可
変整形ビーム方式に加え、ビームの本電流化、レジスト
感度向上等の技術開発が進められている。レジストの高
感度化やビームの大電流化は、竺料面や装置内壁におけ
る反射電子、散乱電子による試料の損傷であるかぶりの
、装置内の残留ガスに電子ビームが衝突し、残留ガスが
重合状態となって装置内に吸着する汚染等の問題を生じ
ている。、特に、一対で整形絞り間にビーム調整用の偏
り器を設け、一対の整形絞りビームにより得た共役ビ一
台を試料面に照射すや可変整形ビーム方式においては、
整形絞りエツジ部における反射電子がメインビームと同
様に試料面に集束し、か画装置の一例を示す光学系の概
略構成図である。
変整形ビーム方式に加え、ビームの本電流化、レジスト
感度向上等の技術開発が進められている。レジストの高
感度化やビームの大電流化は、竺料面や装置内壁におけ
る反射電子、散乱電子による試料の損傷であるかぶりの
、装置内の残留ガスに電子ビームが衝突し、残留ガスが
重合状態となって装置内に吸着する汚染等の問題を生じ
ている。、特に、一対で整形絞り間にビーム調整用の偏
り器を設け、一対の整形絞りビームにより得た共役ビ一
台を試料面に照射すや可変整形ビーム方式においては、
整形絞りエツジ部における反射電子がメインビームと同
様に試料面に集束し、か画装置の一例を示す光学系の概
略構成図である。
第２図において、電子銃１０の下方（前方）には、第１
整形絞り１２と第２整形絞り１４とが配置してあり、こ
の第１整形絞り１２と第２整形絞り１４との間に整形偏
向器１６が配設してある。第２整形絞り１４の下方には
、ブランキング電極１８が設けてあり、第１整形絞り１
２の開口部２０と第２１１１形絞り１４の開口部２２と
を通過したメインビーム２４を曲げることができるよう
になっている。ブランキング電極１８の下方に設けた対
物絞り２６は、メインビーム２４を試料２８上に導く開
口部３０を有している。そして、対物絞り２６の下方に
は、ビーム偏向器３２が設けてあり、メインビーム２４
を走査できるようになっている。なお、第２図に示した
符号３４は洩れビームを示し、符号３６は洩れビーム３
４による試料面−Ｌのかぶり露光を示す。
整形絞り１２と第２整形絞り１４とが配置してあり、こ
の第１整形絞り１２と第２整形絞り１４との間に整形偏
向器１６が配設してある。第２整形絞り１４の下方には
、ブランキング電極１８が設けてあり、第１整形絞り１
２の開口部２０と第２１１１形絞り１４の開口部２２と
を通過したメインビーム２４を曲げることができるよう
になっている。ブランキング電極１８の下方に設けた対
物絞り２６は、メインビーム２４を試料２８上に導く開
口部３０を有している。そして、対物絞り２６の下方に
は、ビーム偏向器３２が設けてあり、メインビーム２４
を走査できるようになっている。なお、第２図に示した
符号３４は洩れビームを示し、符号３６は洩れビーム３
４による試料面−Ｌのかぶり露光を示す。
上記のごとく構成してある可変整形ビーム方式の電子線
描画装置は、第１整形絞り１２を通過したメインビーム
２４が整形偏向器１６により調整される。すなわち、整
形偏向器１６は、第１整形絞り１２の開口部２０の投影
像を、第２整形絞り１４の開口部２２に投影し、開口部
２０と開口部２２との共役ビームを形成する。共役ビー
ムとなったメインビーム２４は、対物絞り２６の開口部
３０を通り試料２８」−に到達する。そして、ビーム偏
向器３２は、第２図に図示グない制御装置により制御さ
れた電圧が印加され、メインビーム２４を試料２８の面
上に走査し、試料２８の面上に微細な像を描くことがで
きる。
描画装置は、第１整形絞り１２を通過したメインビーム
２４が整形偏向器１６により調整される。すなわち、整
形偏向器１６は、第１整形絞り１２の開口部２０の投影
像を、第２整形絞り１４の開口部２２に投影し、開口部
２０と開口部２２との共役ビームを形成する。共役ビー
ムとなったメインビーム２４は、対物絞り２６の開口部
３０を通り試料２８」−に到達する。そして、ビーム偏
向器３２は、第２図に図示グない制御装置により制御さ
れた電圧が印加され、メインビーム２４を試料２８の面
上に走査し、試料２８の面上に微細な像を描くことがで
きる。
このようにして、試料上に一つの線または像が描画され
ると、ブランキング電極１８に印加されている電圧が変
えられ、メインビーム２４が第２図に示すごとく偏向さ
れて、対物絞り２８によりカットされる。そして、制御
装置に新たな描画データが転送され、ビーム偏向器３２
の電圧制御等がおこなわれた後、ブランキング電極１８
の印加電圧が元に戻され、次の描画工程が開始される。
ると、ブランキング電極１８に印加されている電圧が変
えられ、メインビーム２４が第２図に示すごとく偏向さ
れて、対物絞り２８によりカットされる。そして、制御
装置に新たな描画データが転送され、ビーム偏向器３２
の電圧制御等がおこなわれた後、ブランキング電極１８
の印加電圧が元に戻され、次の描画工程が開始される。
ところが、メインビーム２４が第１整形絞り１２、第２
整形絞り１４、対物絞り２４を通過する際に、各開口部
２０，２２．３０のエツジにおいて一部が反射、散乱さ
れ、洩れビーム３４を生ずる。この洩れど−ム３４は、
メインビーム２４と本質的に同一の光学的結像条件によ
り、試料２８の面上に収束する。しかも、各開口部のエ
ツジにおいて反射、散乱した電子は、エツジ部における
散乱条件、放射角、運動エネルギーが一様でないため、
第２図に示すように、ブランキング電極１８によりメイ
ンビーム２４をカットしたとしても、洩れビーム３４の
一部が試料２８に照射され、かぶりを生ずる。この場合
、洩れビーム３４の主要部は、第２整形絞り１４の開口
部２２のエツジで生ずる散乱電子である。
整形絞り１４、対物絞り２４を通過する際に、各開口部
２０，２２．３０のエツジにおいて一部が反射、散乱さ
れ、洩れビーム３４を生ずる。この洩れど−ム３４は、
メインビーム２４と本質的に同一の光学的結像条件によ
り、試料２８の面上に収束する。しかも、各開口部のエ
ツジにおいて反射、散乱した電子は、エツジ部における
散乱条件、放射角、運動エネルギーが一様でないため、
第２図に示すように、ブランキング電極１８によりメイ
ンビーム２４をカットしたとしても、洩れビーム３４の
一部が試料２８に照射され、かぶりを生ずる。この場合
、洩れビーム３４の主要部は、第２整形絞り１４の開口
部２２のエツジで生ずる散乱電子である。
この洩れビーム３４によるかぶり露光３６は、特に、電
子ビームを長時間照射したときに残留ガスに基づく絶縁
物質（汚染物質）の堆積、または各絞りの開口部におけ
る電荷の蓄積による電界により、メインビーム２４自体
の発散角やエネルギー分散の増大により顕著となる。そ
して、洩れビーム３４がメインビーム２４のｉｐｐｍ（
１／１０６）程度であり、メインビームによるレジスト
霧光が１μ８程度であったとしても、洩れビーム３４が
試料２８に１８照射されると、レジストが露光されるこ
とになる。このため描画データ転送等が長時間にわたる
と、洩れビーム３４によるかぶり露光３６のため、試料
２８が損傷を受けるごとになり、洩れビーム３４をブラ
ンキングすることが重要となる。このこと畝ブランキン
グ電極１８のようなブランキング機構を、第１整形絞り
１２上方のビーム照射系に設けても同様である。
子ビームを長時間照射したときに残留ガスに基づく絶縁
物質（汚染物質）の堆積、または各絞りの開口部におけ
る電荷の蓄積による電界により、メインビーム２４自体
の発散角やエネルギー分散の増大により顕著となる。そ
して、洩れビーム３４がメインビーム２４のｉｐｐｍ（
１／１０６）程度であり、メインビームによるレジスト
霧光が１μ８程度であったとしても、洩れビーム３４が
試料２８に１８照射されると、レジストが露光されるこ
とになる。このため描画データ転送等が長時間にわたる
と、洩れビーム３４によるかぶり露光３６のため、試料
２８が損傷を受けるごとになり、洩れビーム３４をブラ
ンキングすることが重要となる。このこと畝ブランキン
グ電極１８のようなブランキング機構を、第１整形絞り
１２上方のビーム照射系に設けても同様である。
そして、従来の電子線描画装置においては、ブランキン
グ洩れビーム３４を減少させるために、ブランキング時
の偏向量、すなわちブランキング電極１８の印加電圧を
高圧化する必要がある。しかし、印加電圧の高圧化は、
印加電圧の立上がり、立ち下がりに時間がかかり、ブラ
ンキング応答性の観点から問題となる欠点を有している
。
グ洩れビーム３４を減少させるために、ブランキング時
の偏向量、すなわちブランキング電極１８の印加電圧を
高圧化する必要がある。しかし、印加電圧の高圧化は、
印加電圧の立上がり、立ち下がりに時間がかかり、ブラ
ンキング応答性の観点から問題となる欠点を有している
。
本発明は、整形絞りの開口部における反射、散乱電子に
よる試料の損傷を防止する二件ができる電子線描画装置
を提供することを目的とする。
よる試料の損傷を防止する二件ができる電子線描画装置
を提供することを目的とする。
本発明は、ブランキング電極によるブランキング作用に
同期させて、第１整形絞りと第２ＩＩＩ形絞りとの間に
配設した整形偏向器による電子ビームを偏向させ、電子
ビームを第２整形絞りの開口部外へ導くようにし、！２
整形絞りの開口部における反射、散乱電子を大幅に減少
して、試料の損傷を軽減できるように構成したものであ
る。
同期させて、第１整形絞りと第２ＩＩＩ形絞りとの間に
配設した整形偏向器による電子ビームを偏向させ、電子
ビームを第２整形絞りの開口部外へ導くようにし、！２
整形絞りの開口部における反射、散乱電子を大幅に減少
して、試料の損傷を軽減できるように構成したものであ
る。
本発明に係る電子線描画装置の好ましい実施例を、添付
図面にしたがって詳説する。なお、前記従来技術におい
て説明した部分に対応する部分については、同一の符号
を付し、その説明を省略する。
図面にしたがって詳説する。なお、前記従来技術におい
て説明した部分に対応する部分については、同一の符号
を付し、その説明を省略する。
第１図は、本発明に係る電子線描画装置の実施例を示す
概略構成図である。
概略構成図である。
第１図において、整形偏向器１６は、整形偏向器駆動回
路３８に接続されており、ブランキング電極１８はブラ
ンキング電極駆動回路４０に接続されている。これら整
形偏向器駆動回路３８とブランキング電極駆動回路４０
とは、ビーム偏向器３２と同様に制御装ｗ４２に接続さ
れている。
路３８に接続されており、ブランキング電極１８はブラ
ンキング電極駆動回路４０に接続されている。これら整
形偏向器駆動回路３８とブランキング電極駆動回路４０
とは、ビーム偏向器３２と同様に制御装ｗ４２に接続さ
れている。
上記のごとく構成した実施例においては、メインビーム
２４による試料２８への描画を、前記した従来技術と同
様におこなう。通常、描画サイクルは、ビーム偏向域（
フィールド）単位をもっておこなわれ、描画データの転
送もフィールド単位におこなわれる。そして、描画を開
始する前の試料２８を載置したステージの移動、試料２
Ｂと対物絞り３０との間の距離計量（Ｚ計８１ｇ） 、
アナログ回路が整定されているまでの間、さらには一つ
のフィールドを描画した後の次の描画データ転送時には
、メインビーム２４がカットされ、メインビーム２４が
試料面からはずされている。このメインビーム２４を試
料からはずすブランキング操作は、一つのフィールドを
描画した後を例にとると１次のごとくしておこなわれる
。
２４による試料２８への描画を、前記した従来技術と同
様におこなう。通常、描画サイクルは、ビーム偏向域（
フィールド）単位をもっておこなわれ、描画データの転
送もフィールド単位におこなわれる。そして、描画を開
始する前の試料２８を載置したステージの移動、試料２
Ｂと対物絞り３０との間の距離計量（Ｚ計８１ｇ） 、
アナログ回路が整定されているまでの間、さらには一つ
のフィールドを描画した後の次の描画データ転送時には
、メインビーム２４がカットされ、メインビーム２４が
試料面からはずされている。このメインビーム２４を試
料からはずすブランキング操作は、一つのフィールドを
描画した後を例にとると１次のごとくしておこなわれる
。
制御装置４２は、一つのフィールドの描画が終了すると
、ブランキング電極駆動回路４０にブランキングオン信
号を与え、ブランキング電極１８に所定のブランキング
電圧を印加すると同時に。
、ブランキング電極駆動回路４０にブランキングオン信
号を与え、ブランキング電極１８に所定のブランキング
電圧を印加すると同時に。
整形偏向器駆動回路３８に描画終了信号を与える。
整形偏向器駆動回路３８は、描画終了信号が与えられる
と、あらかじめ設定してあるビームカット電圧を整形偏
向器１６に印加し、第１整形絞り１２を通過したメイン
ビーム２４を、第２整形絞り１４の開口部２２外に導き
、メインビーム２４を第２幅形絞り１４によってカット
する。このようにしてメインブーム２４を第２整形□絞
り１４をもってカットすると、洩れビーム３４の主要部
は、第１整形絞り１２の開口部２０において反射、散乱
した電子によるものとなる。このため、第１整形絞り１
２の開口部２０において発生した洩れど−４３４は、第
２整形絞り１４を通過した後、ブランキング電極１８の
作用により、対物絞り２６の開口部３０の外側に偏向さ
れ、試料２８へ到達することがない、したがって、洩れ
ビーム３４のメインビーム２４に対する従来の相対強度
をＩ ＢＬＫとすると、本実施例による相対強度はＩ
８ＬＫ”のオーダ、すなわち従来１０−６のオーダであ
ったものを ｌ Ｑ−１１１のオーダに減少させること
ができ、はぼ完全にビームのカットをすることができる
。しかも、洩れビーム３４が、第１整形絞り１２と第２
整形絞り１４とにおいて２回の散乱を受けた電子である
ため、エネルギー分散が増大し、試料面に集束しにくく
なり、かぶり現象を大幅に軽減することができる。
と、あらかじめ設定してあるビームカット電圧を整形偏
向器１６に印加し、第１整形絞り１２を通過したメイン
ビーム２４を、第２整形絞り１４の開口部２２外に導き
、メインビーム２４を第２幅形絞り１４によってカット
する。このようにしてメインブーム２４を第２整形□絞
り１４をもってカットすると、洩れビーム３４の主要部
は、第１整形絞り１２の開口部２０において反射、散乱
した電子によるものとなる。このため、第１整形絞り１
２の開口部２０において発生した洩れど−４３４は、第
２整形絞り１４を通過した後、ブランキング電極１８の
作用により、対物絞り２６の開口部３０の外側に偏向さ
れ、試料２８へ到達することがない、したがって、洩れ
ビーム３４のメインビーム２４に対する従来の相対強度
をＩ ＢＬＫとすると、本実施例による相対強度はＩ
８ＬＫ”のオーダ、すなわち従来１０−６のオーダであ
ったものを ｌ Ｑ−１１１のオーダに減少させること
ができ、はぼ完全にビームのカットをすることができる
。しかも、洩れビーム３４が、第１整形絞り１２と第２
整形絞り１４とにおいて２回の散乱を受けた電子である
ため、エネルギー分散が増大し、試料面に集束しにくく
なり、かぶり現象を大幅に軽減することができる。
このように、本実施例においては、整形偏向器１６とブ
ランキング電極１８とによる実質的な２段ブランキング
機構により、従来のかぶり現象において特に重要な要因
であった、第２整形絞り１４の開口部２０による電子の
エツジ散乱を防止でき、比較的偏向角の小さなブランキ
ング機構をもって、十分なビームカットをおこなうこと
ができる。また、第２整形絞り１４下方の壁面や、特に
対物絞り１６へのビーム照射が軽減され、対物絞り２６
等における電荷の蓄積によるビームドリフトや非点収差
の低減、汚染の防止等、装置の信頼性を向上することが
できる。
ランキング電極１８とによる実質的な２段ブランキング
機構により、従来のかぶり現象において特に重要な要因
であった、第２整形絞り１４の開口部２０による電子の
エツジ散乱を防止でき、比較的偏向角の小さなブランキ
ング機構をもって、十分なビームカットをおこなうこと
ができる。また、第２整形絞り１４下方の壁面や、特に
対物絞り１６へのビーム照射が軽減され、対物絞り２６
等における電荷の蓄積によるビームドリフトや非点収差
の低減、汚染の防止等、装置の信頼性を向上することが
できる。
なお、前記実施例においては、ブランキング電極１８が
第２整形絞り１４の下方に設けられている場合について
説明したが、ブランキング電極１８が第１整形絞り１２
の上方等他の位置に設けられている場合についても適用
することができる。
第２整形絞り１４の下方に設けられている場合について
説明したが、ブランキング電極１８が第１整形絞り１２
の上方等他の位置に設けられている場合についても適用
することができる。
また、整形（Ａｆ’＝ｉｌ器駆動回路３８にタイマ機能
を付加し、トラブルにより描画が中断して、ブランキン
グ電極１８による長時間のビームブランキングがおこな
われた場合に、自動的に整形偏向器駆動回路３８を作動
させることも可能である。さらに、前記実施例において
は、整形偏向器駆動回路３８に描画終了信号を与え、整
形偏向器駆動回路３８を作動させるようにしたが、描画
終了信号の代りにメインビーム２４がカットできるよう
な整形ビームサイズのデータを、描画データの形式で描
画データブロックの最後に付加し、ビームをカットする
ことも可能である。
を付加し、トラブルにより描画が中断して、ブランキン
グ電極１８による長時間のビームブランキングがおこな
われた場合に、自動的に整形偏向器駆動回路３８を作動
させることも可能である。さらに、前記実施例において
は、整形偏向器駆動回路３８に描画終了信号を与え、整
形偏向器駆動回路３８を作動させるようにしたが、描画
終了信号の代りにメインビーム２４がカットできるよう
な整形ビームサイズのデータを、描画データの形式で描
画データブロックの最後に付加し、ビームをカットする
ことも可能である。
〔発明の効果〕
以上に説明したごとく１本発明によれば、ブランキング
電極と整形偏向器とによりビームのブランキングをおこ
なうことにより、洩れビームによる試料の損傷をなくす
ことができる。
電極と整形偏向器とによりビームのブランキングをおこ
なうことにより、洩れビームによる試料の損傷をなくす
ことができる。
第１図は本発明に係る電子線描画装置の実施例を示す概
略構成図、第２図は従来の電子線描画装置の一例を示す
光学系の概略構成図である。 １０・・・電子銃、１２・・・第１整形絞り、１４・・
・第２整形絞り、１６・・・整形偏向器、１８・・・ブ
ランキング電極、２４・・・メインビーム、２６・・・
対物絞り、２８・・・試料、３２・・・ビーム偏向器、
３４・・・洩れビーム、３８・・・整形偏向器駆動回路
、４０・・・ブランキング電極駆動回路、４２・・・制
御装置。
略構成図、第２図は従来の電子線描画装置の一例を示す
光学系の概略構成図である。 １０・・・電子銃、１２・・・第１整形絞り、１４・・
・第２整形絞り、１６・・・整形偏向器、１８・・・ブ
ランキング電極、２４・・・メインビーム、２６・・・
対物絞り、２８・・・試料、３２・・・ビーム偏向器、
３４・・・洩れビーム、３８・・・整形偏向器駆動回路
、４０・・・ブランキング電極駆動回路、４２・・・制
御装置。
Claims (1)
- １、電子ビームを発生する電子銃と、この電子銃の前方
に配置され、前記電子ビームが通過する開口部を備えた
第１整形絞りと、この第１整形絞りを通過した前記電子
ビームが通過する開口部が形成してある第２整形絞りと
、前記第１整形絞りと前記第２整形絞りとの間に配設さ
れ、前記第１整形絞りを通過した前記電子ビームの進行
方向を制御する整形偏向器と、この整形偏向器を駆動す
る整形偏向器駆動回路と、前記第２整形絞りを通過した
前記電子ビームを試料上に導く開口が形成してある対物
絞りと、一つの描画工程の終了時に、前記試料上に照射
されている前記電子ビームを、前記試料外に導くブラン
キング電極と、このブランキング電極を駆動するブラン
キング電極駆動回路とを有する電子線描画装置において
、前記一つの描画工程の終了時に、前記ブランキング電
極駆動回路を制御すると同時に、前記整形偏向器駆動回
路を制御して前記整形偏向器を駆動し、前記第１整形絞
りを通過した前記電子ビームを、前記第２整形絞りの開
口部外に導く制御装置を設けたことを特徴とする電子線
描画装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60191630A JPS6251218A (ja) | 1985-08-30 | 1985-08-30 | 電子線描画装置 |
| US06/900,423 US4777369A (en) | 1985-08-30 | 1986-08-26 | Electron beam lithographic method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60191630A JPS6251218A (ja) | 1985-08-30 | 1985-08-30 | 電子線描画装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6251218A true JPS6251218A (ja) | 1987-03-05 |
| JPH0587014B2 JPH0587014B2 (ja) | 1993-12-15 |
Family
ID=16277842
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60191630A Granted JPS6251218A (ja) | 1985-08-30 | 1985-08-30 | 電子線描画装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4777369A (ja) |
| JP (1) | JPS6251218A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007258284A (ja) * | 2006-03-22 | 2007-10-04 | Jeol Ltd | 荷電粒子ビーム装置。 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01102930A (ja) * | 1987-10-16 | 1989-04-20 | Hitachi Ltd | 電子線描画装置 |
| US4890239A (en) * | 1987-10-20 | 1989-12-26 | Shipley Company, Inc. | Lithographic process analysis and control system |
| US9040867B2 (en) | 2012-12-21 | 2015-05-26 | United Technologies Corporation | Manufacturing machine with magnetic field beam steering |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5322375A (en) * | 1976-08-13 | 1978-03-01 | Jeol Ltd | Beam blanking device |
| JPS55136445A (en) * | 1979-04-10 | 1980-10-24 | Fujitsu Ltd | Beam blanking deflector |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3949228A (en) * | 1973-09-19 | 1976-04-06 | Ibm Corporation | Method for controlling an electron beam |
| JPS5251871A (en) * | 1975-10-23 | 1977-04-26 | Rikagaku Kenkyusho | Projecting method for charge particle beams |
| US4445041A (en) * | 1981-06-02 | 1984-04-24 | Hewlett-Packard Company | Electron beam blanker |
| US4423305A (en) * | 1981-07-30 | 1983-12-27 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for controlling alignment of an electron beam of a variable shape |
| US4550258A (en) * | 1982-07-27 | 1985-10-29 | Nippon Telegraph & Telephone Public Corporation | Aperture structure for charged beam exposure |
-
1985
- 1985-08-30 JP JP60191630A patent/JPS6251218A/ja active Granted
-
1986
- 1986-08-26 US US06/900,423 patent/US4777369A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5322375A (en) * | 1976-08-13 | 1978-03-01 | Jeol Ltd | Beam blanking device |
| JPS55136445A (en) * | 1979-04-10 | 1980-10-24 | Fujitsu Ltd | Beam blanking deflector |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007258284A (ja) * | 2006-03-22 | 2007-10-04 | Jeol Ltd | 荷電粒子ビーム装置。 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0587014B2 (ja) | 1993-12-15 |
| US4777369A (en) | 1988-10-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0298495B1 (en) | Method and apparatus for correcting defects of x-ray mask | |
| US6433348B1 (en) | Lithography using multiple pass raster-shaped beam | |
| JP2842737B2 (ja) | 電子ビーム露光方法 | |
| US6087669A (en) | Charged-particle-beam projection-microlithography apparatus and transfer methods | |
| JP2007184398A (ja) | 電子ビーム露光装置 | |
| JPS6251218A (ja) | 電子線描画装置 | |
| US4021674A (en) | Charged-particle beam optical apparatus for irradiating a specimen in a two-dimensional pattern | |
| JPS59208830A (ja) | イオンビ−ム加工方法およびその装置 | |
| US7005659B2 (en) | Charged particle beam exposure apparatus, charged particle beam exposure method, and device manufacturing method using the same apparatus | |
| JPH03183118A (ja) | 電子ビーム露光方法及びその装置 | |
| JPH1097979A (ja) | 縮小投影装置 | |
| JPH0414490B2 (ja) | ||
| JP2898726B2 (ja) | 荷電粒子ビーム露光方法 | |
| JP2956628B2 (ja) | 電子ビーム描画方法及び描画装置 | |
| US6911661B2 (en) | Electron beam exposure apparatus | |
| JP4402529B2 (ja) | 荷電粒子線露光方法、荷電粒子線露光装置及びデバイス製造方法 | |
| JP3325695B2 (ja) | 荷電粒子ビーム露光方法 | |
| JPH1064780A (ja) | 電子ビーム露光装置 | |
| JPH0135340B2 (ja) | ||
| JP2006093579A (ja) | マスク検査装置、マスク検査方法及び電子ビーム露光装置 | |
| JPH04251254A (ja) | イオンビーム加工方法 | |
| JPH0375855B2 (ja) | ||
| JP2019212766A (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 | |
| JPH05175110A (ja) | 近接効果補正装置 | |
| JPH11224635A (ja) | 荷電粒子線光学系 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |