JPH1097979A - 縮小投影装置 - Google Patents
縮小投影装置Info
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- JPH1097979A JPH1097979A JP8253104A JP25310496A JPH1097979A JP H1097979 A JPH1097979 A JP H1097979A JP 8253104 A JP8253104 A JP 8253104A JP 25310496 A JP25310496 A JP 25310496A JP H1097979 A JPH1097979 A JP H1097979A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
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- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
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- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
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- H01J37/3007—Electron or ion-optical systems
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 最適な照明光学系を備える縮小投影装置の提
供。 【解決手段】 電子銃１と、コンデンサレンズ１０と、
荷電粒子線を所定断面形状のビームに成形する視野制限
アパーチャ５と、荷電粒子線を偏向するブランキング偏
向器３と、ブランキング偏向器３により所定量以上偏向
された荷電粒子線を遮蔽するブランキングアパーチャ７
と、レチクル１１を通過した荷電粒子線を感応基板１４
上に投影する投影レンズ１２，１３とを備え、視野制限
アパーチャ５からレチクル１１上への結像系が縮小投影
となるようにした。
供。 【解決手段】 電子銃１と、コンデンサレンズ１０と、
荷電粒子線を所定断面形状のビームに成形する視野制限
アパーチャ５と、荷電粒子線を偏向するブランキング偏
向器３と、ブランキング偏向器３により所定量以上偏向
された荷電粒子線を遮蔽するブランキングアパーチャ７
と、レチクル１１を通過した荷電粒子線を感応基板１４
上に投影する投影レンズ１２，１３とを備え、視野制限
アパーチャ５からレチクル１１上への結像系が縮小投影
となるようにした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、荷電粒子線を用い
て微細高密度パターンを感応基板に投影する縮小投影装
置に関する。
て微細高密度パターンを感応基板に投影する縮小投影装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子ビームを用いた縮小投影装置では、
電子銃から出射された電子ビームはコンデンサレンズで
平行ビームとされた後に偏向器により偏向されてレチク
ル上の所定の副視野に照射される。なお、電子ビームは
視野制限アパーチャで所定の形状に成形された後にレチ
クルに照射されるが、電子ビームが視野制限アパーチャ
開口部分の側面で反射されるとレチクルの不要な箇所に
入射して感応基板面でかぶりとなるため、開口部分の断
面形状は鋭角なナイフエッジ状に形成されている。
電子銃から出射された電子ビームはコンデンサレンズで
平行ビームとされた後に偏向器により偏向されてレチク
ル上の所定の副視野に照射される。なお、電子ビームは
視野制限アパーチャで所定の形状に成形された後にレチ
クルに照射されるが、電子ビームが視野制限アパーチャ
開口部分の側面で反射されるとレチクルの不要な箇所に
入射して感応基板面でかぶりとなるため、開口部分の断
面形状は鋭角なナイフエッジ状に形成されている。
【０００３】ところで、縮小投影装置の照明光学系に用
いるレンズは、一般的に、上述したコンデンサレンズに
はレチクルに関して反対側に配設されている第１投影レ
ンズとほぼ同一形状のレンズが用いられる。したがっ
て、コンデンサレンズの主面からレチクルまでの距離が
長くなり、電子ビームを成形する視野制限アパーチャか
らレチクル間は拡大結像系となっている。
いるレンズは、一般的に、上述したコンデンサレンズに
はレチクルに関して反対側に配設されている第１投影レ
ンズとほぼ同一形状のレンズが用いられる。したがっ
て、コンデンサレンズの主面からレチクルまでの距離が
長くなり、電子ビームを成形する視野制限アパーチャか
らレチクル間は拡大結像系となっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たような照明レンズ系を備える従来の縮小投影装置で
は、次のような問題点があった。 （１）視野制限アパーチャからレチクルまでが拡大結像
系の場合には、視野制限アパーチャからレチクルにかけ
て電子ビームの電流密度は小さくなる傾向にあり、視野
制限アパーチャでの電流密度はレチクルでの電流密度よ
り大きくなる。ところが、上述したように視野制限アパ
ーチャの開口縁部の断面形状が鋭角的なナイフエッジ状
であるため、ビームの加速電圧が大きい場合にはアパー
チャが溶けるおそれがあった。 （２）視野制限アパーチャとレチクルとの間にコンデン
サレンズが１段だけ設けられた装置では、レチクル上の
副視野を変化させた場合にレチクル上での視野制限アパ
ーチャ像の結像条件が変化するという問題があった。 （３）電子ビームの収束半角を変えた場合に視野制限ア
パーチャからレチクルへのアパーチャ像の拡大比が変化
することがあり、拡大比が変る毎に寸法の異なる視野制
限アパーチャに交換して、レチクル上のアパーチャ像の
大きさが一定になるようにする必要があった。 （４）レチクル上の複数の副視野に電子ビームを順に照
射する際には、その都度ブランキングアパーチャによっ
て電子ビームを遮断しているが、完全に遮断されるまで
のブランキング過渡時に副視野における電子ビームの一
様性が損われるという問題があった。 （５）電子ビームを複数の副視野に選択的に照射する際
にレンズの光軸から遠い位置でビームを通した場合、レ
チクル上に視野制限アパーチャの像が歪んで結像される
ため電子ビームの一様性が損われる。
たような照明レンズ系を備える従来の縮小投影装置で
は、次のような問題点があった。 （１）視野制限アパーチャからレチクルまでが拡大結像
系の場合には、視野制限アパーチャからレチクルにかけ
て電子ビームの電流密度は小さくなる傾向にあり、視野
制限アパーチャでの電流密度はレチクルでの電流密度よ
り大きくなる。ところが、上述したように視野制限アパ
ーチャの開口縁部の断面形状が鋭角的なナイフエッジ状
であるため、ビームの加速電圧が大きい場合にはアパー
チャが溶けるおそれがあった。 （２）視野制限アパーチャとレチクルとの間にコンデン
サレンズが１段だけ設けられた装置では、レチクル上の
副視野を変化させた場合にレチクル上での視野制限アパ
ーチャ像の結像条件が変化するという問題があった。 （３）電子ビームの収束半角を変えた場合に視野制限ア
パーチャからレチクルへのアパーチャ像の拡大比が変化
することがあり、拡大比が変る毎に寸法の異なる視野制
限アパーチャに交換して、レチクル上のアパーチャ像の
大きさが一定になるようにする必要があった。 （４）レチクル上の複数の副視野に電子ビームを順に照
射する際には、その都度ブランキングアパーチャによっ
て電子ビームを遮断しているが、完全に遮断されるまで
のブランキング過渡時に副視野における電子ビームの一
様性が損われるという問題があった。 （５）電子ビームを複数の副視野に選択的に照射する際
にレンズの光軸から遠い位置でビームを通した場合、レ
チクル上に視野制限アパーチャの像が歪んで結像される
ため電子ビームの一様性が損われる。
【０００５】本発明の目的は、最適な照明光学系を備え
る縮小投影装置を提供することにある。
る縮小投影装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】発明の実施の形態を示す
図１に対応付けて説明すると、 （１）請求項１の発明は、荷電粒子線源１と、コンデン
サレンズ１０と、荷電粒子線を所定断面形状のビームに
成形する視野制限アパーチャ５と、荷電粒子線を偏向す
るブランキング偏向器３と、ブランキング偏向器３によ
り所定量以上偏向された荷電粒子線を遮蔽するブランキ
ングアパーチャ７と、レチクル１１を通過した荷電粒子
線を感応基板１４上に投影する投影レンズ１２，１３と
を備える縮小投影装置に適用され、視野制限アパーチャ
５からレチクル１１上への結像系が縮小投影となるよう
にしたことにより上述の目的を達成する。 （２）請求項２の発明は、荷電粒子線源１と、第１のコ
ンデンサレンズ１０と、荷電粒子線を所定断面形状のビ
ームに成形する視野制限アパーチャ５と、荷電粒子線を
偏向するブランキング偏向器３と、ブランキング偏向器
３により所定量以上偏向された荷電粒子線を遮蔽するブ
ランキングアパーチャ７と、レチクル１１を通過した荷
電粒子線を感応基板１４上に投影する投影レンズ１２，
１３とを備える縮小投影装置に適用され、視野制限アパ
ーチャ５の荷電粒子源１側に設けられ、ブランキングア
パーチャ７の位置に第１のクロスオーバ像ＣＯ１を形成
する第２および第３のコンデンサレンズ２，４を設け、
第２および第３のコンデンサレンズ２，４の間に形成さ
れる第２のクロスオーバ像ＣＯ２の光軸方向位置を変え
ることによって感応基板１４への荷電粒子線の収束半角
を変化させるようにしたことにより上述の目的を達成す
る。 （３）請求項３の発明は、荷電粒子線源１と、第１のコ
ンデンサレンズ１０と、荷電粒子線を所定断面形状のビ
ームに成形する視野制限アパーチャ５と、荷電粒子線を
偏向するブランキング偏向器３と、ブランキング偏向器
３により所定量以上偏向された荷電粒子線を遮蔽するブ
ランキングアパーチャ７と、レチクル１１を通過した荷
電粒子線を感応基板１４上に投影する投影レンズ１２，
１３とを備える縮小投影装置に適用され、ブランキング
偏向器３を視野制限アパーチャ５の荷電粒子線源１側近
傍に設けたことにより上述の目的を達成する。 （４）請求項４の発明は、荷電粒子線源１と、コンデン
サレンズ１０と、荷電粒子線を所定断面形状のビームに
成形する視野制限アパーチャ５と、荷電粒子線を偏向す
るブランキング偏向器３と、ブランキング偏向器３によ
り所定量以上偏向された荷電粒子線を遮蔽するブランキ
ングアパーチャ７と、レチクル１１を通過した荷電粒子
線を感応基板１４上に投影する第１および第２の投影レ
ンズ１２，１３と、第１および第２の投影レンズ１２，
１３間に設けられたクロスオーバ開口１５とを備える縮
小投影装置に適用され、コンデンサレンズ１０が視野制
限アパーチャ５の像をレチクル１１上に結像させるとと
もに、第１の投影レンズ１２と連動してクロスオーバ像
をクロスオーバ開口１５上に結像させるようにしたこと
により上述の目的を達成する。 （５）請求項５の発明は、荷電粒子線源１と、コンデン
サレンズ１０と、荷電粒子線を所定断面形状のビームに
成形する視野制限アパーチャ５と、荷電粒子線を偏向す
るブランキング偏向器３と、ブランキング偏向器３によ
り所定量以上偏向された荷電粒子線を遮蔽するブランキ
ングアパーチャ７と、レチクル１１を通過した荷電粒子
線を感応基板１４上に投影する第１および第２の投影レ
ンズ１２，１３と、第１および第２の投影レンズ１２，
１３間に設けられたクロスオーバ開口１５とを備える縮
小投影装置に適用され、（ａ）光軸方向に関してブラン
キンアパーチャ７と同位置に設けた第１の電磁偏向器８
と、（ｂ）コンデンサレンズ１０に対してＶＡＬ（Vari
able Axis Lens）条件を満たす第２の電磁偏向器９とを
設け、第１および第２の電磁偏向器８，９を連動させて
レチクル１１上に投影される視野制限アパーチャ５の像
を移動するようにしたことにより上述の目的を達成す
る。 （６）請求項６の発明は、請求項１〜５のいずれかに記
載の縮小投影装置において、視野制限アパーチャ５を荷
電粒子線が収束ビームとなる位置に設けたことにより上
述の目的を達成する。 （７）請求項７の発明は、視野制限アパーチャ５の開口
縁部断面形状をコの字形断面形状とした。
図１に対応付けて説明すると、 （１）請求項１の発明は、荷電粒子線源１と、コンデン
サレンズ１０と、荷電粒子線を所定断面形状のビームに
成形する視野制限アパーチャ５と、荷電粒子線を偏向す
るブランキング偏向器３と、ブランキング偏向器３によ
り所定量以上偏向された荷電粒子線を遮蔽するブランキ
ングアパーチャ７と、レチクル１１を通過した荷電粒子
線を感応基板１４上に投影する投影レンズ１２，１３と
を備える縮小投影装置に適用され、視野制限アパーチャ
５からレチクル１１上への結像系が縮小投影となるよう
にしたことにより上述の目的を達成する。 （２）請求項２の発明は、荷電粒子線源１と、第１のコ
ンデンサレンズ１０と、荷電粒子線を所定断面形状のビ
ームに成形する視野制限アパーチャ５と、荷電粒子線を
偏向するブランキング偏向器３と、ブランキング偏向器
３により所定量以上偏向された荷電粒子線を遮蔽するブ
ランキングアパーチャ７と、レチクル１１を通過した荷
電粒子線を感応基板１４上に投影する投影レンズ１２，
１３とを備える縮小投影装置に適用され、視野制限アパ
ーチャ５の荷電粒子源１側に設けられ、ブランキングア
パーチャ７の位置に第１のクロスオーバ像ＣＯ１を形成
する第２および第３のコンデンサレンズ２，４を設け、
第２および第３のコンデンサレンズ２，４の間に形成さ
れる第２のクロスオーバ像ＣＯ２の光軸方向位置を変え
ることによって感応基板１４への荷電粒子線の収束半角
を変化させるようにしたことにより上述の目的を達成す
る。 （３）請求項３の発明は、荷電粒子線源１と、第１のコ
ンデンサレンズ１０と、荷電粒子線を所定断面形状のビ
ームに成形する視野制限アパーチャ５と、荷電粒子線を
偏向するブランキング偏向器３と、ブランキング偏向器
３により所定量以上偏向された荷電粒子線を遮蔽するブ
ランキングアパーチャ７と、レチクル１１を通過した荷
電粒子線を感応基板１４上に投影する投影レンズ１２，
１３とを備える縮小投影装置に適用され、ブランキング
偏向器３を視野制限アパーチャ５の荷電粒子線源１側近
傍に設けたことにより上述の目的を達成する。 （４）請求項４の発明は、荷電粒子線源１と、コンデン
サレンズ１０と、荷電粒子線を所定断面形状のビームに
成形する視野制限アパーチャ５と、荷電粒子線を偏向す
るブランキング偏向器３と、ブランキング偏向器３によ
り所定量以上偏向された荷電粒子線を遮蔽するブランキ
ングアパーチャ７と、レチクル１１を通過した荷電粒子
線を感応基板１４上に投影する第１および第２の投影レ
ンズ１２，１３と、第１および第２の投影レンズ１２，
１３間に設けられたクロスオーバ開口１５とを備える縮
小投影装置に適用され、コンデンサレンズ１０が視野制
限アパーチャ５の像をレチクル１１上に結像させるとと
もに、第１の投影レンズ１２と連動してクロスオーバ像
をクロスオーバ開口１５上に結像させるようにしたこと
により上述の目的を達成する。 （５）請求項５の発明は、荷電粒子線源１と、コンデン
サレンズ１０と、荷電粒子線を所定断面形状のビームに
成形する視野制限アパーチャ５と、荷電粒子線を偏向す
るブランキング偏向器３と、ブランキング偏向器３によ
り所定量以上偏向された荷電粒子線を遮蔽するブランキ
ングアパーチャ７と、レチクル１１を通過した荷電粒子
線を感応基板１４上に投影する第１および第２の投影レ
ンズ１２，１３と、第１および第２の投影レンズ１２，
１３間に設けられたクロスオーバ開口１５とを備える縮
小投影装置に適用され、（ａ）光軸方向に関してブラン
キンアパーチャ７と同位置に設けた第１の電磁偏向器８
と、（ｂ）コンデンサレンズ１０に対してＶＡＬ（Vari
able Axis Lens）条件を満たす第２の電磁偏向器９とを
設け、第１および第２の電磁偏向器８，９を連動させて
レチクル１１上に投影される視野制限アパーチャ５の像
を移動するようにしたことにより上述の目的を達成す
る。 （６）請求項６の発明は、請求項１〜５のいずれかに記
載の縮小投影装置において、視野制限アパーチャ５を荷
電粒子線が収束ビームとなる位置に設けたことにより上
述の目的を達成する。 （７）請求項７の発明は、視野制限アパーチャ５の開口
縁部断面形状をコの字形断面形状とした。
【０００７】（１）請求項１の発明では、視野制限アパ
ーチャ５の位置での荷電粒子線の電流密度をレチクル１
１上での荷電粒子線の電流密度より小さくできる。すな
わち、レチクル１１上の電流密度はｅ−ｅ相互作用（電
子−電子相互作用）が大きくならないよう一定の値以下
に設計されるが、レチクル１１上の電流密度を従来と同
一としても、視野制限アパーチャ５における電流密度を
より小さくでき、発熱を抑えることができる。例えば、
荷電粒子線を電子線として考えた場合、レチクル１１は
電子線をほとんど透過し、１％程度しか吸収されないた
めレチクルはあまり発熱しない。一方、視野制限アパー
チャ５は厚いので照射された電子線の５０％程度が吸収
され、従来のように拡大結像系の場合には視野制限アパ
ーチャ５での電流密度がレチクル１１上の電流密度より
大きくなるため視野制限アパーチャ５が発熱により溶け
るおそれがあった。 （２）請求項２の発明では、第２および第３のコンデン
サレンズ２，４をいわゆるズーム動作させて感応基板へ
の収束半角を変えているので、視野制限アパーチャ５か
らレチクル１１への縮小率を一定に保つことができる。 （３）請求項３の発明では、ブランキング偏向器３を視
野制限アパーチャ５の荷電粒子線源１側近傍に設けたの
で、ブランキング過渡時でも視野制限アパーチャ５の開
口部は荷電粒子線によって全体的に照射され、しかも、
ブランキング時にはその状態を保持したままでブランキ
ングアパーチャ７が荷電粒子線を完全に遮蔽することが
できる。 （４）請求項４の発明では、単一のコンデンサレンズ１
０によって、（ａ）視野制限アパーチャ５の像をレチク
ル１１上に結像させるとともに、（ｂ）投影レンズ１２
と連動してクロスオーバ像をクロスオーバ開口１５上に
結像させるため、レンズ数を最小にできる。 （５）請求項５の発明では、コンデンサレンズ１０の軸
を等価的に荷電粒子線の主光線の軌道の方向に移動する
ことができ、荷電粒子線はコンデンサレンズ１０の軸近
傍を通過するため、コンデンサレンズ１０で発生する収
差を小さくできる。 （６）請求項６の発明では、荷電粒子線が視野制限アパ
ーチャ５の開口部を通過する際に、開口部の荷電粒子線
通路に面する側面５ａに荷電粒子線が入射することが無
い。 （７）請求項７の発明では、視野制限アパーチャ５の開
口縁部断面形状をコの字形断面形状としたので熱容量が
大きくなる。
ーチャ５の位置での荷電粒子線の電流密度をレチクル１
１上での荷電粒子線の電流密度より小さくできる。すな
わち、レチクル１１上の電流密度はｅ−ｅ相互作用（電
子−電子相互作用）が大きくならないよう一定の値以下
に設計されるが、レチクル１１上の電流密度を従来と同
一としても、視野制限アパーチャ５における電流密度を
より小さくでき、発熱を抑えることができる。例えば、
荷電粒子線を電子線として考えた場合、レチクル１１は
電子線をほとんど透過し、１％程度しか吸収されないた
めレチクルはあまり発熱しない。一方、視野制限アパー
チャ５は厚いので照射された電子線の５０％程度が吸収
され、従来のように拡大結像系の場合には視野制限アパ
ーチャ５での電流密度がレチクル１１上の電流密度より
大きくなるため視野制限アパーチャ５が発熱により溶け
るおそれがあった。 （２）請求項２の発明では、第２および第３のコンデン
サレンズ２，４をいわゆるズーム動作させて感応基板へ
の収束半角を変えているので、視野制限アパーチャ５か
らレチクル１１への縮小率を一定に保つことができる。 （３）請求項３の発明では、ブランキング偏向器３を視
野制限アパーチャ５の荷電粒子線源１側近傍に設けたの
で、ブランキング過渡時でも視野制限アパーチャ５の開
口部は荷電粒子線によって全体的に照射され、しかも、
ブランキング時にはその状態を保持したままでブランキ
ングアパーチャ７が荷電粒子線を完全に遮蔽することが
できる。 （４）請求項４の発明では、単一のコンデンサレンズ１
０によって、（ａ）視野制限アパーチャ５の像をレチク
ル１１上に結像させるとともに、（ｂ）投影レンズ１２
と連動してクロスオーバ像をクロスオーバ開口１５上に
結像させるため、レンズ数を最小にできる。 （５）請求項５の発明では、コンデンサレンズ１０の軸
を等価的に荷電粒子線の主光線の軌道の方向に移動する
ことができ、荷電粒子線はコンデンサレンズ１０の軸近
傍を通過するため、コンデンサレンズ１０で発生する収
差を小さくできる。 （６）請求項６の発明では、荷電粒子線が視野制限アパ
ーチャ５の開口部を通過する際に、開口部の荷電粒子線
通路に面する側面５ａに荷電粒子線が入射することが無
い。 （７）請求項７の発明では、視野制限アパーチャ５の開
口縁部断面形状をコの字形断面形状としたので熱容量が
大きくなる。
【０００８】なお、本発明の構成を説明する上記課題を
解決するための手段の項では、本発明を分かり易くする
ために発明の実施の形態の図を用いたが、これにより本
発明が発明の実施の形態に限定されるものではない。
解決するための手段の項では、本発明を分かり易くする
ために発明の実施の形態の図を用いたが、これにより本
発明が発明の実施の形態に限定されるものではない。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、図１〜図３を参照して本発
明による縮小投影装置の一実施の形態を説明する。図１
は電子ビームを用いた縮小投影装置の概略構成図であ
る。電子銃１は空間電荷制限条件で動作するＬａＢ6カ
ソードを有する。電子銃１から放出された電子ビームは
コンデンサレンズ２，４を介して視野制限アパーチャ５
に照射されるが、このとき、コンデンサレンズ２，４に
より視野制限アパーチャ５が一様に照射されるように調
整される。視野制限アパーチャ５は矩形開口を有し、開
口の寸法はレチクル１１の一つの副視野の２倍に設定さ
れている。矩形開口の縁部分（矢印Ａで示す部分）の断
面形状は、従来のようなナイフエッジ形状ではなくて直
角断面である。６は視野制限アパーチャ５の電子銃側近
傍に設けられたヒートシンクであり、視野制限アパーチ
ャ５が電子ビームにより照射される前にそれらを遮蔽す
る作用をする。そのため、視野制限アパーチャ５に入射
する電子ビーム量が減り、視野制限アパーチャ５の温度
上昇が抑えられる。なお、ＣＯ１，ＣＯ２はクロスオー
バ像である。
明による縮小投影装置の一実施の形態を説明する。図１
は電子ビームを用いた縮小投影装置の概略構成図であ
る。電子銃１は空間電荷制限条件で動作するＬａＢ6カ
ソードを有する。電子銃１から放出された電子ビームは
コンデンサレンズ２，４を介して視野制限アパーチャ５
に照射されるが、このとき、コンデンサレンズ２，４に
より視野制限アパーチャ５が一様に照射されるように調
整される。視野制限アパーチャ５は矩形開口を有し、開
口の寸法はレチクル１１の一つの副視野の２倍に設定さ
れている。矩形開口の縁部分（矢印Ａで示す部分）の断
面形状は、従来のようなナイフエッジ形状ではなくて直
角断面である。６は視野制限アパーチャ５の電子銃側近
傍に設けられたヒートシンクであり、視野制限アパーチ
ャ５が電子ビームにより照射される前にそれらを遮蔽す
る作用をする。そのため、視野制限アパーチャ５に入射
する電子ビーム量が減り、視野制限アパーチャ５の温度
上昇が抑えられる。なお、ＣＯ１，ＣＯ２はクロスオー
バ像である。
【００１０】３はブランキング偏向器、７はブランキン
グアパーチャであり、電子ビームをブランキング偏向器
３で偏向してブランキングアパーチャ７で遮断し、レチ
クル１１上に照射される電子ビームのオンオフを行う。
なお、ブランキング偏向器３は視野制限アパーチャ５の
電子銃側に近接して設けられる。視野制限アパーチャ５
を通過した電子ビームはブランキングアパーチャ７にク
ロスオーバ像を形成する。１０はコンデンサレンズであ
り、コンデンサレンズ１０で平行ビームとされた電子ビ
ームはレチクル１１上に照射される。８および９は電磁
偏向器であり、光軸ＡＸから離れた位置の副視野を選択
した際に、電磁偏向器８，９を駆動して視野制限アパー
チャ５の像をレチクル１１の所定の副視野に移動する。
なお、電磁偏向器８はブランキングアパーチャ７と光軸
方向に関して同位置に設けられる。レチクル１１を通過
した電子ビームは第１の投影レンズ１２と第２の投影レ
ンズ１３とにより１／Ｍ縮小（縮小率を１／Ｍとしたと
き）でウエハなどの感応基板１４上に投影され、感応基
板１４上にはレチクル１１のパターンの１／Ｍ倍のパタ
ーン像が結像される。なお、図においてＥＢはクロスオ
ーバの結像光路を示しており、１５はクロスオーバ開口
である。
グアパーチャであり、電子ビームをブランキング偏向器
３で偏向してブランキングアパーチャ７で遮断し、レチ
クル１１上に照射される電子ビームのオンオフを行う。
なお、ブランキング偏向器３は視野制限アパーチャ５の
電子銃側に近接して設けられる。視野制限アパーチャ５
を通過した電子ビームはブランキングアパーチャ７にク
ロスオーバ像を形成する。１０はコンデンサレンズであ
り、コンデンサレンズ１０で平行ビームとされた電子ビ
ームはレチクル１１上に照射される。８および９は電磁
偏向器であり、光軸ＡＸから離れた位置の副視野を選択
した際に、電磁偏向器８，９を駆動して視野制限アパー
チャ５の像をレチクル１１の所定の副視野に移動する。
なお、電磁偏向器８はブランキングアパーチャ７と光軸
方向に関して同位置に設けられる。レチクル１１を通過
した電子ビームは第１の投影レンズ１２と第２の投影レ
ンズ１３とにより１／Ｍ縮小（縮小率を１／Ｍとしたと
き）でウエハなどの感応基板１４上に投影され、感応基
板１４上にはレチクル１１のパターンの１／Ｍ倍のパタ
ーン像が結像される。なお、図においてＥＢはクロスオ
ーバの結像光路を示しており、１５はクロスオーバ開口
である。
【００１１】上述したように、本実施の形態では視野制
限アパーチャ５はレチクル１１の副視野の２倍の大きさ
であって、視野制限アパーチャ５の像はレチクル１１に
１／２縮小で投影される。そのため、レチクル１１での
電子ビームの電流密度に比べて、視野制限アパーチャ５
でのそれは１／４と小さくなり、例えば、視野制限アパ
ーチャ５の開口縁部Ａに入射した電子ビームが５０％程
度吸収されたとしても、この縁部分が溶ける心配が無
い。さらに、本実施の形態の視野制限アパーチャ５で
は、縁部分の断面積が従来のナイフエッジ形状に比べ大
きいとともに、ヒートシンク６の働きにより視野制限ア
パーチャ５に入射する電子ビームが少ないため縁部分の
温度上昇を抑えることができる。なお、本実施の形態で
は、レチクル１１へ１／２縮小で投影されるとしたが、
１／２に限らず縮小投影であれば同様の効果を得ること
ができ、この縮小率１／ＮのＮが大きいほど視野制限ア
パーチャ５の温度上昇が小さくなる。
限アパーチャ５はレチクル１１の副視野の２倍の大きさ
であって、視野制限アパーチャ５の像はレチクル１１に
１／２縮小で投影される。そのため、レチクル１１での
電子ビームの電流密度に比べて、視野制限アパーチャ５
でのそれは１／４と小さくなり、例えば、視野制限アパ
ーチャ５の開口縁部Ａに入射した電子ビームが５０％程
度吸収されたとしても、この縁部分が溶ける心配が無
い。さらに、本実施の形態の視野制限アパーチャ５で
は、縁部分の断面積が従来のナイフエッジ形状に比べ大
きいとともに、ヒートシンク６の働きにより視野制限ア
パーチャ５に入射する電子ビームが少ないため縁部分の
温度上昇を抑えることができる。なお、本実施の形態で
は、レチクル１１へ１／２縮小で投影されるとしたが、
１／２に限らず縮小投影であれば同様の効果を得ること
ができ、この縮小率１／ＮのＮが大きいほど視野制限ア
パーチャ５の温度上昇が小さくなる。
【００１２】また、視野制限アパーチャ５はコンデンサ
レンズ４とブランキングアパーチャ７との間、すなわち
コンデンサレンズ４で集束されクロスオーバ像ＣＯ１を
形成する光路の途中に設けられているため、矢印Ａで示
すように視野制限アパーチャ５の開口縁部断面形状が直
角であってもアパーチャの側面５ａに電子ビームが入射
することはない。そのため、レチクル１１の不要な部分
に電子ビームが入射して感応基板１４上でかぶりを生じ
るようなことがない。
レンズ４とブランキングアパーチャ７との間、すなわち
コンデンサレンズ４で集束されクロスオーバ像ＣＯ１を
形成する光路の途中に設けられているため、矢印Ａで示
すように視野制限アパーチャ５の開口縁部断面形状が直
角であってもアパーチャの側面５ａに電子ビームが入射
することはない。そのため、レチクル１１の不要な部分
に電子ビームが入射して感応基板１４上でかぶりを生じ
るようなことがない。
【００１３】次に、ブランキング時の作用について説明
する。ブランキング偏向器３に電圧を印加して電子ビー
ムを例えば図示左側に偏向すると、光軸ＡＸ上にあった
クロスオーバ像ＣＯ１は左側へ移動する。さらに、一定
量以上偏向するとクロスオーバ像ＣＯ１はブランキング
アパーチャ７の開口部から完全に外れ、電子ビームはブ
ランキングアパーチャ７で遮断される。クロスオーバ像
ＣＯ１が光軸ＡＸ上にある状態からブランキングアパー
チャ７の開口部から完全に外れるまでの「ブランキング
過渡時」について図２および３を用いて説明する。
する。ブランキング偏向器３に電圧を印加して電子ビー
ムを例えば図示左側に偏向すると、光軸ＡＸ上にあった
クロスオーバ像ＣＯ１は左側へ移動する。さらに、一定
量以上偏向するとクロスオーバ像ＣＯ１はブランキング
アパーチャ７の開口部から完全に外れ、電子ビームはブ
ランキングアパーチャ７で遮断される。クロスオーバ像
ＣＯ１が光軸ＡＸ上にある状態からブランキングアパー
チャ７の開口部から完全に外れるまでの「ブランキング
過渡時」について図２および３を用いて説明する。
【００１４】図２は図１のブランキング偏向器３および
視野制限アパーチャ５部分の拡大図であり、ブランキン
グ偏向器３に電圧を印加して電子ビームを図示左側に偏
向した場合を示す。２０ｂ，２０ｃはブランキング偏向
器３に電圧が印加されていない場合の視野制限アパーチ
ャ５の開口周辺部を通過する電子の軌道を示しており、
光軸ＡＸ上にクロスオーバ像ＣＯ１を形成する。ブラン
キング偏向器３は視野制限アパーチャ５の電子銃側近傍
に配置され、また破線２１ｂ，２１ｃで示すように視野
制限アパーチャ５は開口部を含む広い範囲に電子ビーム
が照射されている。ブランキング偏向器３に電圧が印加
されると、軌道２０ｂ，２０ｃおよび光軸ＡＸ上を通過
する電子ビームの軌道は２点鎖線２２ａ，２２ｂ，２２
ｃのように左方向に偏向される。上述したように、ブラ
ンキング偏向器３は視野制限アパーチャ５の電子銃側近
傍に設けられているため、ブランキング過渡時であって
も視野制限アパーチャ５の開口部全体は電子ビームによ
り照射されている。その結果、視野制限アパーチャ５の
開口部を通過する電子ビームの軌道は２３ａ，２３ｂ，
２３ｃのようになる。ＣＯ１’はこのときに形成される
クロスオーバ像である。
視野制限アパーチャ５部分の拡大図であり、ブランキン
グ偏向器３に電圧を印加して電子ビームを図示左側に偏
向した場合を示す。２０ｂ，２０ｃはブランキング偏向
器３に電圧が印加されていない場合の視野制限アパーチ
ャ５の開口周辺部を通過する電子の軌道を示しており、
光軸ＡＸ上にクロスオーバ像ＣＯ１を形成する。ブラン
キング偏向器３は視野制限アパーチャ５の電子銃側近傍
に配置され、また破線２１ｂ，２１ｃで示すように視野
制限アパーチャ５は開口部を含む広い範囲に電子ビーム
が照射されている。ブランキング偏向器３に電圧が印加
されると、軌道２０ｂ，２０ｃおよび光軸ＡＸ上を通過
する電子ビームの軌道は２点鎖線２２ａ，２２ｂ，２２
ｃのように左方向に偏向される。上述したように、ブラ
ンキング偏向器３は視野制限アパーチャ５の電子銃側近
傍に設けられているため、ブランキング過渡時であって
も視野制限アパーチャ５の開口部全体は電子ビームによ
り照射されている。その結果、視野制限アパーチャ５の
開口部を通過する電子ビームの軌道は２３ａ，２３ｂ，
２３ｃのようになる。ＣＯ１’はこのときに形成される
クロスオーバ像である。
【００１５】図３はブランキング偏向器３に電圧が印加
されていない場合の電子ビームの軌道ＥＢ（図１と同様
の軌道）と、過渡電圧が印加された場合の軌道ＥＢ’と
を示したものである。過渡電圧が印加されているときに
は、コンデンサレンズ１０のレンズ作用により図示右側
へ屈折される。このように、ブランキング過渡時におい
てもレチクル１１上の副視野は一様に照明されることに
なり、この一様性を保ったまま強度が変化する。
されていない場合の電子ビームの軌道ＥＢ（図１と同様
の軌道）と、過渡電圧が印加された場合の軌道ＥＢ’と
を示したものである。過渡電圧が印加されているときに
は、コンデンサレンズ１０のレンズ作用により図示右側
へ屈折される。このように、ブランキング過渡時におい
てもレチクル１１上の副視野は一様に照明されることに
なり、この一様性を保ったまま強度が変化する。
【００１６】ところで、上述したように視野制限アパー
チャ５の電子銃側に設けられた２個のコンデンサレンズ
２，４によりブランキングアパーチャ７位置にクロスオ
ーバ像ＣＯ１が形成されるが、本実施の形態では、コン
デンサレンズ２、４をいわゆるズーム動作させてクロス
オーバ像ＣＯ２の光軸方向位置を光軸ＡＸ方向に移動さ
せることによりクロスオーバの拡大率を変え、クロスオ
ーバ開口１５のクロスオーバ直径を変えることによって
感応基板１４への収束半角γを変えられるようにした。
そのため、収束半角を変えても視野制限アパーチャ５か
らレチクル１１への縮小率を一定に保つことができ、従
来のように収束半角の変化に対応して視野制限アパーチ
ャ５を交換する必要がない。
チャ５の電子銃側に設けられた２個のコンデンサレンズ
２，４によりブランキングアパーチャ７位置にクロスオ
ーバ像ＣＯ１が形成されるが、本実施の形態では、コン
デンサレンズ２、４をいわゆるズーム動作させてクロス
オーバ像ＣＯ２の光軸方向位置を光軸ＡＸ方向に移動さ
せることによりクロスオーバの拡大率を変え、クロスオ
ーバ開口１５のクロスオーバ直径を変えることによって
感応基板１４への収束半角γを変えられるようにした。
そのため、収束半角を変えても視野制限アパーチャ５か
らレチクル１１への縮小率を一定に保つことができ、従
来のように収束半角の変化に対応して視野制限アパーチ
ャ５を交換する必要がない。
【００１７】投影レンズ１２はレチクル１１のパターン
を感応基板１４上に結像するような条件とされる。その
とき、コンデンサレンズ１０が投影レンズ１２と協動し
てクロスオーバ像をクロスオーバ開口１５上に結像させ
るとともに、視野制限アパーチャ５の像がレチクル１１
上に結像されるように設計される。レチクル１１上の副
視野を変えた場合等、視野制限アパーチャ５の像がレチ
クル１１上に正確に合焦しなくなる場合もあるが、レチ
クル１１からブランキングアパーチャ７に形成されたク
ロスオーバ像ＣＯ１を見込む角度は２ｍｒａｄ程度と小
さいためほとんど問題ない。
を感応基板１４上に結像するような条件とされる。その
とき、コンデンサレンズ１０が投影レンズ１２と協動し
てクロスオーバ像をクロスオーバ開口１５上に結像させ
るとともに、視野制限アパーチャ５の像がレチクル１１
上に結像されるように設計される。レチクル１１上の副
視野を変えた場合等、視野制限アパーチャ５の像がレチ
クル１１上に正確に合焦しなくなる場合もあるが、レチ
クル１１からブランキングアパーチャ７に形成されたク
ロスオーバ像ＣＯ１を見込む角度は２ｍｒａｄ程度と小
さいためほとんど問題ない。
【００１８】ここで、偏向器９とコンデンサレンズ１０
はＶＡＬ（Variable Axis Lens）条件を満たすように設
定される。すなわち、コンデンサレンズ１０の軸上磁場
分布をＢ（ｚ）としたとき、偏向器９により次式（１）
で表されるような偏向磁場Ｙ（ｒ，ｚ）を与えればよ
い。
はＶＡＬ（Variable Axis Lens）条件を満たすように設
定される。すなわち、コンデンサレンズ１０の軸上磁場
分布をＢ（ｚ）としたとき、偏向器９により次式（１）
で表されるような偏向磁場Ｙ（ｒ，ｚ）を与えればよ
い。
【数１】 ここで座標（ｒ，ｚ）は光軸ＡＸをｚ軸とする円筒座標
であり、ｄＢ(z)／ｄｚは軸上磁場分布Ｂ（ｚ）の一次
微分、Ｒ(z)は主光線の軌道のｒ座標である。なお、偏
向器８はＶＡＬ光学系でのpre deflectorの役割をして
いる。このように設定することによりコンデンサレンズ
１０の軸が電子ビームの軌道と一致するように等価的に
移動されるため、コンデンサレンズ１０の焦点距離を短
くした場合でもレチクル１１上に結像される視野制限ア
パーチャ５の像の歪を小さく抑えることができる。すな
わち、ンデンサレンズ１０の焦点距離を小さくすること
によりブランキングアパーチャ７とレチクル１１との距
離を小さくできるため、鏡筒長を短くすることができる
という利点を有する。また、選択した副視野の光軸から
の距離に関係なく、クロスオーバ開口１５の位置でのク
ロスオーバ径をほぼ一定にすることができる。
であり、ｄＢ(z)／ｄｚは軸上磁場分布Ｂ（ｚ）の一次
微分、Ｒ(z)は主光線の軌道のｒ座標である。なお、偏
向器８はＶＡＬ光学系でのpre deflectorの役割をして
いる。このように設定することによりコンデンサレンズ
１０の軸が電子ビームの軌道と一致するように等価的に
移動されるため、コンデンサレンズ１０の焦点距離を短
くした場合でもレチクル１１上に結像される視野制限ア
パーチャ５の像の歪を小さく抑えることができる。すな
わち、ンデンサレンズ１０の焦点距離を小さくすること
によりブランキングアパーチャ７とレチクル１１との距
離を小さくできるため、鏡筒長を短くすることができる
という利点を有する。また、選択した副視野の光軸から
の距離に関係なく、クロスオーバ開口１５の位置でのク
ロスオーバ径をほぼ一定にすることができる。
【００１９】なお、上述した実施の形態では電子ビーム
を用いた縮小投影装置について説明したが、本発明は電
子ビームに限らず他の荷電粒子線を用いた縮小投影装置
に適用することができる。
を用いた縮小投影装置について説明したが、本発明は電
子ビームに限らず他の荷電粒子線を用いた縮小投影装置
に適用することができる。
【００２０】上述した実施の形態と特許請求の範囲の要
素との対応において、コンデンサレンズ１０は第１のコ
ンデンサレンズを、コンデンサレンズ２は第２のコンデ
ンサレンズを、コンデンサレンズ４は第３のコンデンサ
レンズを、投影レンズ１２は第１の投影レンズを、投影
レンズ１３は第２の投影レンズを、電磁偏向器８は第１
の電磁偏向器を、電磁偏向器９は第２の電磁偏向器を、
クロスオーバＣＯ１は第１のクロスオーバを、クロスオ
ーバＣＯ２は第２のクロスオーバをそれぞれ構成する。
素との対応において、コンデンサレンズ１０は第１のコ
ンデンサレンズを、コンデンサレンズ２は第２のコンデ
ンサレンズを、コンデンサレンズ４は第３のコンデンサ
レンズを、投影レンズ１２は第１の投影レンズを、投影
レンズ１３は第２の投影レンズを、電磁偏向器８は第１
の電磁偏向器を、電磁偏向器９は第２の電磁偏向器を、
クロスオーバＣＯ１は第１のクロスオーバを、クロスオ
ーバＣＯ２は第２のクロスオーバをそれぞれ構成する。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１または７
の発明によれば、視野制限アパーチャの温度上昇、特に
請求項７の発明では開口の縁部分の温度上昇を抑えるこ
とができ、縁部分が熔けたりするおそれがない。また、
請求項１の発明では、視野制限アパーチャの像はレチク
ルに縮小投影されるため、拡大投影に比べて視野制限ア
パーチャの寸法精度を緩くすることができる。請求項２
の発明によれば、収束半角を変えたときに視野制限アパ
ーチャからレチクルへの縮小率を一定に保つことができ
るので、従来のように収束半角の変更に伴う寸法の異な
る視野制限アパーチャへの交換が必要ない。請求項３の
発明によれば、、ブランキング過渡時でも視野制限アパ
ーチャの開口部は荷電粒子線によって全体的に照射さ
れ、しかも、ブランキング時にはその状態を保持したま
までブランキングアパーチャが荷電粒子線を完全に遮蔽
することができる。その結果、ブランキング過渡時に、
レチクル上の副視野全域が荷電粒子線により一様に照射
された状態を保ったまま、荷電粒子線の照射強度が変化
することになり、照射強度の不均一が生じない。請求項
４の発明によれば、視野制限アパーチャの結像条件が変
化するおそれが無いため、レチクル上に結像される視野
制限アパーチャの像に歪等が生じない。請求項５の発明
によれば、荷電粒子線が第１の磁気偏向器の軸およびコ
ンデンサレンズの等価的な軸の近傍をそれぞれ通過する
ため、コンデンサレンズの焦点距離を短くした場合でも
レチクル上に結像される視野制限アパーチャの像の歪を
小さく抑えることができる。そのため、鏡筒長を短くす
ることができる。請求項６の発明によれば、視野制限ア
パーチャの開口部の荷電粒子線の通路に面する側面に荷
電粒子線が入射するおそれがないので、側面で反射され
る荷電粒子線の影響、すなわち、感応基板面におけるか
ぶりを防止することができる。特に、光軸に平行な側面
（すなわち、垂直な断面形状）を有する視野制限アパー
チャの場合には効果がある。
の発明によれば、視野制限アパーチャの温度上昇、特に
請求項７の発明では開口の縁部分の温度上昇を抑えるこ
とができ、縁部分が熔けたりするおそれがない。また、
請求項１の発明では、視野制限アパーチャの像はレチク
ルに縮小投影されるため、拡大投影に比べて視野制限ア
パーチャの寸法精度を緩くすることができる。請求項２
の発明によれば、収束半角を変えたときに視野制限アパ
ーチャからレチクルへの縮小率を一定に保つことができ
るので、従来のように収束半角の変更に伴う寸法の異な
る視野制限アパーチャへの交換が必要ない。請求項３の
発明によれば、、ブランキング過渡時でも視野制限アパ
ーチャの開口部は荷電粒子線によって全体的に照射さ
れ、しかも、ブランキング時にはその状態を保持したま
までブランキングアパーチャが荷電粒子線を完全に遮蔽
することができる。その結果、ブランキング過渡時に、
レチクル上の副視野全域が荷電粒子線により一様に照射
された状態を保ったまま、荷電粒子線の照射強度が変化
することになり、照射強度の不均一が生じない。請求項
４の発明によれば、視野制限アパーチャの結像条件が変
化するおそれが無いため、レチクル上に結像される視野
制限アパーチャの像に歪等が生じない。請求項５の発明
によれば、荷電粒子線が第１の磁気偏向器の軸およびコ
ンデンサレンズの等価的な軸の近傍をそれぞれ通過する
ため、コンデンサレンズの焦点距離を短くした場合でも
レチクル上に結像される視野制限アパーチャの像の歪を
小さく抑えることができる。そのため、鏡筒長を短くす
ることができる。請求項６の発明によれば、視野制限ア
パーチャの開口部の荷電粒子線の通路に面する側面に荷
電粒子線が入射するおそれがないので、側面で反射され
る荷電粒子線の影響、すなわち、感応基板面におけるか
ぶりを防止することができる。特に、光軸に平行な側面
（すなわち、垂直な断面形状）を有する視野制限アパー
チャの場合には効果がある。
【図１】本発明による縮小投影装置の概略構成図。
【図２】図１のブランキング偏向器３，視野制限アパー
チャ５部分の拡大図。
チャ５部分の拡大図。
【図３】ブランキング過渡時を説明する図。
１ 電子銃 ２，４，１０ コンデンサレンズ ３ ブランキング偏向器 ５ 視野制限アパーチャ ７ ブランキングアパーチャ ８，９ 電磁偏向器 １１ レチクル １２，１３ 投影レンズ １４ 感応基板 １５ クロスオーバ開口
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/30 ５４１Ｂ
Claims (7)
- 【請求項１】 荷電粒子線源と、コンデンサレンズと、
荷電粒子線を所定断面形状のビームに成形する視野制限
アパーチャと、荷電粒子線を偏向するブランキング偏向
器と、前記ブランキング偏向器により所定量以上偏向さ
れた荷電粒子線を遮蔽するブランキングアパーチャと、
レチクルを通過した荷電粒子線を感応基板上に投影する
投影レンズとを備える縮小投影装置において、 前記視野制限アパーチャから前記レチクル上への結像系
が縮小投影となるようにしたことを特徴とする縮小投影
装置。 - 【請求項２】 荷電粒子線源と、第１のコンデンサレン
ズと、荷電粒子線を所定断面形状のビームに成形する視
野制限アパーチャと、荷電粒子線を偏向するブランキン
グ偏向器と、前記ブランキング偏向器により所定量以上
偏向された荷電粒子線を遮蔽するブランキングアパーチ
ャと、レチクルを通過した荷電粒子線を感応基板上に投
影する投影レンズとを備える縮小投影装置において、 前記視野制限アパーチャの荷電粒子源側に設けられ、ブ
ランキングアパーチャ位置に第１のクロスオーバ像を形
成する第２および第３のコンデンサレンズを設け、第２
および第３のコンデンサレンズの間に形成される第２の
クロスオーバ像の光軸方向位置を変えることによって前
記感応基板への荷電粒子線の収束半角を変化させるよう
にしたことを特徴とする縮小投影装置。 - 【請求項３】 荷電粒子線源と、第１のコンデンサレン
ズと、荷電粒子線を所定断面形状のビームに成形する視
野制限アパーチャと、荷電粒子線を偏向するブランキン
グ偏向器と、前記ブランキング偏向器により所定量以上
偏向された荷電粒子線を遮蔽するブランキングアパーチ
ャと、レチクルを通過した荷電粒子線を感応基板上に投
影する投影レンズとを備える縮小投影装置において、 前記ブランキング偏向器を前記視野制限アパーチャの荷
電粒子線源側近傍に設けたことを特徴とする縮小投影装
置。 - 【請求項４】 荷電粒子線源と、コンデンサレンズと、
荷電粒子線を所定断面形状のビームに成形する視野制限
アパーチャと、荷電粒子線を偏向するブランキング偏向
器と、前記ブランキング偏向器により所定量以上偏向さ
れた荷電粒子線を遮蔽するブランキングアパーチャと、
レチクルを通過した荷電粒子線を感応基板上に投影する
第１および第２の投影レンズと、前記第１および第２の
投影レンズ間に設けられたクロスオーバ開口とを備える
縮小投影装置において、 前記コンデンサレンズが前記視野制限アパーチャの像を
前記レチクル上に結像させるとともに、前記第１の投影
レンズと連動してクロスオーバ像を前記クロスオーバ開
口上に結像させるようにしたことを特徴とする縮小投影
装置。 - 【請求項５】 荷電粒子線源と、コンデンサレンズと、
荷電粒子線を所定断面形状のビームに成形する視野制限
アパーチャと、荷電粒子線を偏向するブランキング偏向
器と、前記ブランキング偏向器により所定量以上偏向さ
れた荷電粒子線を遮蔽するブランキングアパーチャと、
レチクルを通過した荷電粒子線を感応基板上に投影する
第１および第２の投影レンズと、第１および第２の投影
レンズ間に設けられたクロスオーバ開口とを備える縮小
投影装置において、 （ａ）光軸方向に関して前記ブランキンアパーチャと同
位置に設けた第１の電磁偏向器と、（ｂ）前記コンデン
サレンズに対してＶＡＬ（Variable Axis Lens）条件を
満たす第２の電磁偏向器とを設け、前記第１および第２
の電磁偏向器を連動させて前記レチクル上に投影される
視野制限アパーチャの像を移動するようにしたことを特
徴とする縮小投影装置。 - 【請求項６】 請求項１〜５のいずれかに記載の縮小投
影装置において、前記視野制限アパーチャを荷電粒子線
が収束ビームとなる位置に設けたことを特徴とする縮小
投影装置。 - 【請求項７】 請求項１〜６のいずれかに記載の縮小投
影装置において、前記視野制限アパーチャの開口縁部断
面形状をコの字形断面形状としたことを特徴とする縮小
投影装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8253104A JPH1097979A (ja) | 1996-09-25 | 1996-09-25 | 縮小投影装置 |
| US08/936,139 US5994708A (en) | 1996-09-25 | 1997-09-24 | Demagnifying charged-particle lithography apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8253104A JPH1097979A (ja) | 1996-09-25 | 1996-09-25 | 縮小投影装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1097979A true JPH1097979A (ja) | 1998-04-14 |
Family
ID=17246557
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8253104A Pending JPH1097979A (ja) | 1996-09-25 | 1996-09-25 | 縮小投影装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5994708A (ja) |
| JP (1) | JPH1097979A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10044199B9 (de) | 2000-09-07 | 2005-07-28 | Carl Zeiss Smt Ag | Ablenkanordnung und Projektionssystem für geladene Teilchen |
| DE10109965A1 (de) | 2001-03-01 | 2002-09-12 | Zeiss Carl | Teilchenoptische Linsenanordnung und Verfahren unter Einsatz einer solchen Linsenanordnung |
| JP2002319534A (ja) * | 2001-04-24 | 2002-10-31 | Nikon Corp | 電子ビーム露光方法、電子ビーム露光装置、電子ビーム露光用マスク及びデバイス製造方法 |
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