JP5249035B2 - 整形電子ビーム描画のための電子ビームカラム - Google Patents
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Description
したがって、受容半角βは、源のサイズつまり直径dsourceと整形ビームの最終サイズshapefinalとの比に、送光半角αを乗算することによって定義される角度である。受容半角βとは、描画面で、つまり基材104の上面で電子ビームによって張られる角度の半分である。
Claims (11)
- (a)電子ビームを生成する熱電界放出電子源と、
(b)電子ビームをブランキングする電子ビームブランカと、
(c)電子ビームを整形するビーム整形モジュールと、
(d)1つまたはそれ以上の集光レンズ、投影レンズ、拡大レンズ、縮小レンズ、および対物レンズを含む複数の電子ビームレンズを有する電子ビーム光学系と、
を備えた電子ビームカラムであって、
前記電子ビームブランカ、前記ビーム整形モジュール、および前記電子ビーム光学系の光学パラメータは、描画面において前記電子ビームによって張られる角度の半分である受光半角βが約1/4から約3mradを達成するように、設定された、
電子ビームカラム。 - 前記電子ビームブランカ、前記ビーム整形モジュール、および前記電子ビーム光学系の前記光学パラメータは、前記受容半角βが約1から約3mradを達成するように設定される、請求項1に記載のカラム。
- 前記電子ビーム光学系は約300から約1200mmの長さを有するカラムに配置される、請求項1に記載のカラム。
- 前記受光半角βがβfinal=(dsource/shapefinal)αsourceによって定義される角度であり、ここでdsourceはビーム源の直径であり、shapefinalは整形ビームの最終サイズであり、αsourceは送光半角である、請求項1に記載のカラム。
- 電子ビームカラムが次の特徴、すなわち
(a)約15から約60の倍率、
(b)約32から約128の縮小率、
(c)約3から約20μmのアパーチャサイズ、
(d)約1/32から約1μmの最終ビーム形状、および
(e)約10から約100nmの源サイズ、
の少なくとも1つを含む、請求項1に記載のカラム。 - 前記熱電界放出電子源が次の特徴、すなわち
(a)少なくとも約1.2ミクロンの直径を有するチップ、
(b)約1.2から約2ミクロンの直径を有するチップ、
(c)ジルコン化タングステンを含む、
の少なくとも1つを含む、請求項1に記載のカラム。 - 前記ビーム整形モジュールは、
(a)上部投影レンズと、
(b)上部アパーチャを有し、前記上部投影レンズの下流に位置する上部ビーム整形器と、
(c)電子ビーム間隙を中心に間隔を置いて配置された複数の偏向板を含み、少なくとも1対の偏向板が相互に対向し、電子ビーム間隙内のクロスオーバー点で集束する電子ビームを偏向させるように偏向板を帯電させることができる偏向器と、
(d)複数の下部アパーチャを有する下部ビーム整形器と、
(e)下部投影レンズと、
を備え、以って、当該ビーム整形モジュールが、前記上部および下部投影レンズによって物体および像の長さが定義された単レンズとして働く、
請求項1に記載のカラム。 - 前記上部投影レンズは、前記偏向器の偏向面の中心に位置する軸に沿った点に前記電子ビームを集束させるように設定される焦点距離を有する、請求項7に記載のカラム。
- 前記下部投影レンズは、下流の縮小レンズの入射瞳に対応するクロスオーバー点に、整形されたビーム像を集束させるように選択された焦点距離を有する、請求項7に記載のカラム。
- 前記上部ビーム整形器の上部アパーチャが正方形である、請求項7に記載のカラム。
- 前記下部ビーム整形器の複数の下部アパーチャは、1つの正方形アパーチャおよび複数の直角三角形アパーチャを含む、請求項10に記載のカラム。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/243,363 US7427765B2 (en) | 2005-10-03 | 2005-10-03 | Electron beam column for writing shaped electron beams |
US11/243,363 | 2005-10-03 | ||
PCT/US2006/038332 WO2007041444A2 (en) | 2005-10-03 | 2006-10-02 | Electron beam column for writing shaped electron beams |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009510798A JP2009510798A (ja) | 2009-03-12 |
JP5249035B2 true JP5249035B2 (ja) | 2013-07-31 |
Family
ID=37734015
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008534584A Active JP5249035B2 (ja) | 2005-10-03 | 2006-10-02 | 整形電子ビーム描画のための電子ビームカラム |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7427765B2 (ja) |
JP (1) | JP5249035B2 (ja) |
KR (1) | KR101111374B1 (ja) |
WO (1) | WO2007041444A2 (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7427765B2 (en) * | 2005-10-03 | 2008-09-23 | Jeol, Ltd. | Electron beam column for writing shaped electron beams |
JP4851268B2 (ja) * | 2006-08-31 | 2012-01-11 | 日本電子株式会社 | 収差補正方法および電子線装置 |
US20100138654A1 (en) * | 2008-12-01 | 2010-06-03 | Apple Inc. | System and method for authentication based on particle gun emissions |
JP5597403B2 (ja) * | 2010-01-29 | 2014-10-01 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法 |
US8461526B2 (en) | 2010-12-01 | 2013-06-11 | Kla-Tencor Corporation | Electron beam column and methods of using same |
US8362425B2 (en) | 2011-03-23 | 2013-01-29 | Kla-Tencor Corporation | Multiple-beam system for high-speed electron-beam inspection |
US8664594B1 (en) | 2011-04-18 | 2014-03-04 | Kla-Tencor Corporation | Electron-optical system for high-speed and high-sensitivity inspections |
JP2012238624A (ja) * | 2011-05-09 | 2012-12-06 | Canon Inc | 電子ビーム描画装置およびデバイス製造方法 |
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US10095116B2 (en) | 2016-12-14 | 2018-10-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Lithography system and lithography method for improving image contrast |
US10283315B2 (en) * | 2017-05-16 | 2019-05-07 | International Business Machines Corporation | Measuring spherical and chromatic aberrations in cathode lens electrode microscopes |
Family Cites Families (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US7518122B2 (en) * | 2003-10-16 | 2009-04-14 | Alis Corporation | Ion sources, systems and methods |
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US7476880B2 (en) * | 2005-10-03 | 2009-01-13 | Applied Materials, Inc. | Writing a circuit design pattern with shaped particle beam flashes |
US7244953B2 (en) * | 2005-10-03 | 2007-07-17 | Applied Materials, Inc. | Beam exposure writing strategy system and method |
US7427765B2 (en) * | 2005-10-03 | 2008-09-23 | Jeol, Ltd. | Electron beam column for writing shaped electron beams |
WO2007067296A2 (en) | 2005-12-02 | 2007-06-14 | Alis Corporation | Ion sources, systems and methods |
-
2005
- 2005-10-03 US US11/243,363 patent/US7427765B2/en active Active
-
2006
- 2006-10-02 WO PCT/US2006/038332 patent/WO2007041444A2/en active Application Filing
- 2006-10-02 JP JP2008534584A patent/JP5249035B2/ja active Active
- 2006-10-02 KR KR1020087008132A patent/KR101111374B1/ko active IP Right Grant
-
2008
- 2008-08-19 US US12/194,220 patent/US7800075B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101111374B1 (ko) | 2012-02-24 |
US20070085033A1 (en) | 2007-04-19 |
US20080308751A1 (en) | 2008-12-18 |
WO2007041444A3 (en) | 2007-11-08 |
WO2007041444A2 (en) | 2007-04-12 |
US7800075B2 (en) | 2010-09-21 |
JP2009510798A (ja) | 2009-03-12 |
KR20080050596A (ko) | 2008-06-09 |
US7427765B2 (en) | 2008-09-23 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080513 |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A521 | Written amendment |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130411 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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