JP2005085618A - 電子線装置及び該装置を用いたデバイス製造方法 - Google Patents
電子線装置及び該装置を用いたデバイス製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005085618A JP2005085618A JP2003316901A JP2003316901A JP2005085618A JP 2005085618 A JP2005085618 A JP 2005085618A JP 2003316901 A JP2003316901 A JP 2003316901A JP 2003316901 A JP2003316901 A JP 2003316901A JP 2005085618 A JP2005085618 A JP 2005085618A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- beams
- sample
- electron beam
- electron
- scanning
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
【解決手段】 電子線装置は、4本の電子線を放出するTaCカソード2の電子銃1と、1次電子マルチビームを形成して試料9上に照射するための光学系(3、4、6、8)と、マルチビームを試料上で走査するための偏向器19、20と、2次電子を偏向させるE×B分離器7と、拡大レンズ10と、各マルチビームの走査箇所からの2次電子線を夫々独立に検出するマルチアノード13と、CPU15と、画像処理装置16と、を備える。マルチビームは、試料面上で一軸方向に投影したとき等間隔に並ぶように形成される。マルチビームの各々をそれらのビーム間隔より充分大きい距離に亘って一軸方向に対して直角方向に走査すると共に、該一軸方向に試料を連続移動させて評価を行う。
【選択図】 図1
Description
また、本発明では、電子線源として、例えばTaC等の遷移金属炭化物或いはタングステンジルコニウムでできたカソードを用いてもよい。この場合、遷移金属炭化物カソードから例えば4本のビームを発生させても、高い強度を維持することができる。
図1には、本発明の第1の実施例に係る、電子線装置の概略構成が示されている。
図1に示すように、第1の実施例に係る電子線装置は、例えばTaC等の遷移金属炭化物でできたカソード2を有する電子銃1を備えている。このTaCカソード2は、LaB6カソードと比べて輝度が高く、4回対称の方向に4本のビームを放出することが知られている。
電子銃1のTaCカソード2から4回対称の方向に夫々放出された4本の1次電子ビームは、コンデンサレンズ3により集束され、アパーチャ4の4つの開口を通過して夫々成形された後、5の位置にクロスオーバーを形成する。この4本の成形ビームは、縮小レンズ6及び対物レンズ8で縮小され、試料9上に照射スポット60、61、62、63を形成する。これらの照射スポットは、偏向器19、20によりx軸方向に平行な偏向方向18に相隣るビーム間距離よりも充分に大きな距離のストライプ幅に亘って電気的に走査されると共に、試料9がy軸方向に移動されることで機械的に走査される。これにより試料面上の被評価領域が順次マルチビームにより漏れなく走査されていく。このとき、x方向にマルチビームを大きく振ったときの像面湾曲と走査非点とは、走査に同期してダイナミックに収差補正が行われる。
CPU15は、例えば、そのメモリに予め蓄えられていた欠陥の存在しない試料9の2次電子線基準画像と、実際に検出された2次電子線画像とを比較照合し、倍率補正、回転、平行移動補正を行った後、両者の類似度を算出する。例えば、類似度が閾値以下になった場合、「欠陥候補」と判定し、閾値を超える場合には「欠陥候補ではない」と判定する。
第2の実施例では、図1に示す電子線装置において、TaCカソードの代わりにLaB6カソードを使用する。この場合も、光軸方向に放出された電子線で光軸の近傍に置かれた複数の開口を照明すればよい。ビーム数は任意に選択することができる。
dg・θg=lb・αi (1)
が成立する。ここで、θgは、最大ビーム間隔lbに対応するマルチ開口45aの開口間隔がクロスオーバー43aに対して張る半角である。
dg・θg=√(Vi/Vg)lb・αi (2)
と一般化できる。
lb・αi=20×6.32μm・mrad
となる。αi=20mradでは、lb=6.32μmとなり、図2で述べたほぼ6μm間隔のマルチビームが可能となる。
第3の実施例では、第2の実施例と同様に、図1に示す電子線装置において、TaCカソードの代わりにLaB6カソードを使用する。
第4の実施例は、上記各実施例で示した電子線装置を半導体デバイス製造工程におけるウェーハの評価に適用したものである。
この製造工程例は以下の各主工程を含む。
(1)ウェーハ20を製造するウェーハ製造工程(又はウェハを準備する準備工程)(ステップ100)
(2)露光に使用するマスクを製作するマスク製造工程(又はマスクを準備するマスク準備工程)(ステップ101)
(3)ウェーハに必要な加工処理を行うウェーハプロセッシング工程(ステップ102)
(4)ウェーハ上に形成されたチップを1個ずつ切り出し、動作可能にならしめるチップ組立工程(ステップ103)
(5)組み立てられたチップを検査するチップ検査工程(ステップ104)
なお、各々の工程は、更に幾つかのサブ工程からなっている。
(1)絶縁層となる誘電体薄膜や配線部、或いは電極部を形成する金属薄膜等を形成する薄膜形成工程(CVDやスパッタリング等を用いる)
(2)形成された薄膜層やウェーハ基板を酸化する酸化工程
(3)薄膜層やウェーハ基板等を選択的に加工するためにマスク(レチクル)を用いてレジストのパターンを形成するリソグラフィー工程
(4)レジストパターンに従って薄膜層や基板を加工するエッチング工程(例えばドライエッチング技術を用いる)
(5)イオン・不純物注入拡散工程
(6)レジスト剥離工程
(7)加工されたウェーハを検査する検査工程
なお、ウェーハプロセッシング工程は必要な層数だけ繰り返し行い、設計通り動作する半導体デバイスを製造する。
(1)前段の工程で回路パターンが形成されたウェーハ上にレジストをコートするレジスト塗布工程(ステップ200)
(2)レジストを露光する露光工程(ステップ201)
(3)露光されたレジストを現像してレジストのパターンを得る現像工程(ステップ202)
(4)現像されたパターンを安定化させるためのアニール工程(ステップ203)
以上の半導体デバイス製造工程、ウェーハプロセッシング工程、リソグラフィー工程には周知の工程が適用される。
例えば、試料9として半導体ウェーハを例に掲げたが、これに限定されず、電子線によって欠陥を検出可能なパターン等が形成された任意の試料、例えばマスク等を評価対象とすることができる。
2 TaC(LaB6単結晶)のカソード
3 コンデンサレンズ
4 4つの開口を有するアパーチャ
5 クロスオーバー
6 縮小レンズ
7 E×B分離器
8 対物レンズ
9 試料
10 拡大レンズ
11 偏向器
12 MCP(マイクロチャンネルプレート)検出器
13 マルチアノード
14 A/Dコンバータ
15 CPU
16 画像処理装置
17 1次光学系の光軸
18 1次電子マルチビームの走査方向
19、20 偏向器
21、22、23、24、25、26、27 1次電子マルチビームのxy平面における照射スポット
28 マルチビームの走査幅
29 マルチビームの走査方向
30 被評価領域
31 最初のストライプ
32 ストライプ幅
33 ストライプ端
34 次のストライプ
35 ビーム21の次の開始走査位置
36 ビーム21の最初の走査完了位置
41 LaB6カソード
42 LaB6カソードの曲率半径
43a クロスオーバー
44 光学系
45a マルチ開口
41、42、43、44、45、46 強度又は検出効率の異なるマルチビーム
41’、42’、43’、44’、45’、46’ 再走査されたマルチビーム
41”、42”、43”、44”、45”、46” 再々走査されたマルビーム
47、48 2回再走査されて加算平均処理された領域
49、50 強度の高いビームで1回走査された領域
60、61、62、63 4本の1次電子マルチビーム
Claims (6)
- 複数の1次電子ビームで試料上を走査し、各々の走査箇所から放出された2次電子線を夫々独立に検出する検出器を備える電子線装置であって、
前記複数の1次電子ビームは、試料面上で一軸方向に投影したとき等しいビーム間隔に並ぶように形成され、
前記1次電子ビームの各々を前記ビーム間隔より充分大きい距離に亘って前記一軸方向に対して直角方向に走査すると共に、該一軸方向に試料を連続移動させて該試料の評価を行うことを特徴とする、電子線装置。 - 前記複数の1次電子ビームの相隣るビーム間距離は、ほぼ等しいことを特徴とする、請求項1に記載の電子線装置。
- 遷移金属炭化物又はタングステンジルコニウムでできたカソードを電子線源として備えることを特徴とする、請求項1に記載の電子線装置。
- 前記複数の1次電子ビームは、LaB6カソードから放出された電子線を複数の開口を通過させることにより分離形成されることを特徴とする、請求項1に記載の電子線装置。
- 前記複数の1次電子ビームのうちビーム強度又は前記検出器の検出効率の少なくともいずれかが低いビームの走査箇所について、少なくとも2回走査を実行し、それらの検出信号を加算平均処理することを特徴とする、請求項1に記載の電子線装置。
- 請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の電子線装置を用いて、ウェーハプロセス途中又は少なくとも1つのウェーハプロセス終了後のウェーハとしての前記試料を評価することを特徴とする、デバイス製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003316901A JP2005085618A (ja) | 2003-09-09 | 2003-09-09 | 電子線装置及び該装置を用いたデバイス製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003316901A JP2005085618A (ja) | 2003-09-09 | 2003-09-09 | 電子線装置及び該装置を用いたデバイス製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005085618A true JP2005085618A (ja) | 2005-03-31 |
Family
ID=34416655
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003316901A Pending JP2005085618A (ja) | 2003-09-09 | 2003-09-09 | 電子線装置及び該装置を用いたデバイス製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005085618A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20150143328A (ko) * | 2014-06-13 | 2015-12-23 | 스미도모쥬기가이 이온 테크놀로지 가부시키가이샤 | 빔조사장치 및 빔조사방법 |
US9728373B2 (en) | 2015-11-02 | 2017-08-08 | Nuflare Technology, Inc. | Pattern inspection apparatus and pattern inspection method |
JP2020535631A (ja) * | 2017-09-29 | 2020-12-03 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 複数の荷電粒子ビームを用いてサンプルを検査する方法 |
-
2003
- 2003-09-09 JP JP2003316901A patent/JP2005085618A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20150143328A (ko) * | 2014-06-13 | 2015-12-23 | 스미도모쥬기가이 이온 테크놀로지 가부시키가이샤 | 빔조사장치 및 빔조사방법 |
JP2016004614A (ja) * | 2014-06-13 | 2016-01-12 | 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 | ビーム照射装置及びビーム照射方法 |
KR102403769B1 (ko) * | 2014-06-13 | 2022-05-30 | 스미도모쥬기가이 이온 테크놀로지 가부시키가이샤 | 빔조사장치 및 빔조사방법 |
US9728373B2 (en) | 2015-11-02 | 2017-08-08 | Nuflare Technology, Inc. | Pattern inspection apparatus and pattern inspection method |
JP2020535631A (ja) * | 2017-09-29 | 2020-12-03 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 複数の荷電粒子ビームを用いてサンプルを検査する方法 |
JP7053805B2 (ja) | 2017-09-29 | 2022-04-12 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 複数の荷電粒子ビームを用いてサンプルを検査する方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI745687B (zh) | 多電子束影像取得裝置以及多電子束光學系統的定位方法 | |
US6265719B1 (en) | Inspection method and apparatus using electron beam | |
JP3409909B2 (ja) | ウェーハパターンの欠陥検出方法及び同装置 | |
JP4041742B2 (ja) | 電子線装置及び該電子線装置を用いたデバイス製造方法 | |
US20190355546A1 (en) | Multiple electron beam image acquisition apparatus and multiple electron beam image acquisition method | |
TWI772803B (zh) | 像差修正器以及多電子束照射裝置 | |
US6774646B1 (en) | Electron beam inspection system using multiple electron beams and uniform focus and deflection mechanisms | |
JP7459380B2 (ja) | マルチ電子ビーム画像取得装置及びマルチ電子ビーム画像取得方法 | |
WO2022130838A1 (ja) | マルチビーム画像取得装置及びマルチビーム画像取得方法 | |
US11569061B2 (en) | Multibeam scanning apparatus and multibeam scanning method | |
WO2021250997A1 (ja) | マルチ電子ビーム画像取得装置及びマルチ電子ビーム画像取得方法 | |
JP2005085618A (ja) | 電子線装置及び該装置を用いたデバイス製造方法 | |
CN115223831A (zh) | 带电粒子束设备、多子束组件和检查样本的方法 | |
JP2006278029A (ja) | 電子線装置及び該装置を用いたデバイス製造方法 | |
JP2006277996A (ja) | 電子線装置及び該装置を用いたデバイス製造方法 | |
US11694868B2 (en) | Multi-beam image acquisition apparatus and multi-beam image acquisition method | |
WO2021039419A1 (ja) | 電子銃及び電子ビーム照射装置 | |
JP2002352763A (ja) | 電子線装置及び該装置を用いたデバイス製造方法 | |
JP4230280B2 (ja) | 欠陥検査方法及びその検査方法を用いたデバイス製造方法 | |
JP2004335193A (ja) | 電子線を用いた試料評価方法及び電子線装置 | |
JP2023046921A (ja) | マルチ電子ビーム画像取得装置、マルチ電子ビーム検査装置、及びマルチ電子ビーム画像取得方法 | |
JP2005158642A (ja) | パターンを評価する方法及びデバイス製造方法 | |
JP2022154067A (ja) | 電子ビームの軌道軸調整方法及びマルチビーム画像取得装置 | |
JP2003142020A (ja) | 電子線装置及びその装置を用いたデバイスの製造方法 | |
JP2005276881A (ja) | パターン評価方法及び該方法を用いたデバイス製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060111 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20071108 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071113 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080110 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080207 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080605 |