JP2012238624A - 電子ビーム描画装置およびデバイス製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】電子銃の電極の交換に要する時間を短縮するために有利な技術を提供する。
【解決手段】電子銃から放射される電子ビームによって基板にパターンを描画する電子ビーム描画装置は、前記電子銃を構成する電極の予備としての予備電極を調整するための調整チャンバーと、前記電子銃から使用済みの電極を取り外して、前記調整チャンバーの中で調整された予備電極を前記電子銃に組み込む駆動機構と、を備え、前記予備電極の調整は、前記予備電極に電力を供給することを含む。
【選択図】図1

Description

本発明は、電子ビーム描画装置およびデバイス製造方法に関する。
半導体デバイス製造の量産段階においては、高い生産性を持つ光ステッパが用いられてきた。線幅が0.1μm以下の4GDRAM以降のメモリデバイスなどの生産においては、光露光方式の装置に代わる装置の1つとして、解像度が高く、生産性の優れた電子ビーム描画装置がある。
高スループットを実現するためには、電子ビーム描画装置の電子銃としては、例えば、輝度が2.0×10A/cmsr、エミッタンスが15〜30μm・mrad程度の電流が必要とされる。しかしながら、このような大電流での使用では、カソード電極の温度が1800K以上の高温になるため、カソード電極の寿命が短くなるという課題がある。所望の性能を維持するには、カソード電極を高頻度で定期的に交換する必要がある。このことは、電子ビーム描画装置の稼働率を低下させ、製造されるデバイスのコスト高につながる。そこで、カソード電極交換に要する時間を短縮する様々な提案がなされている。
これらの従来技術の一例では、予備排気チャンバー内に新しいカソード電極を収容して予備排気チャンバーを真空排気しておく。そして、カソード電極の交換時にはゲート弁を開放して使用済みのカソード電極を電子銃チャンバー内から予備排気チャンバー内に取り出し、新しいカソード電極を予備排気チャンバー内から電子銃チャンバー内に送り込み、ゲート弁を閉じる。その後、電子銃チャンバー内を真空排気することにより運転を再開する。ここで、使用済みのカソード電極は、予備排気チャンバーの開口部から取り出すこともできる。この方法によれば、電子銃チャンバー内は大気に開放されないので、カソード電極の交換後にすぐに運転を再開することができる。また、たとえカソード電極の交換後に電子銃チャンバー内を高真空に真空排気する必要があっても、それは極めて短時間でなされうる。(特許文献1)
しかしながら、カソード電極の交換直後の電子銃は、異常放電をしやすいことが知られている。これは、交換したカソード電極やファラメント等の部品についた異物や傷等の影響によるものである。つまり、通常のビーム出力を行うために定格の高電圧を印加した初期段階において、これらの傷や異物に電界が集中することにより、その部分が絶縁破壊を起こして、異常放電が多数発生するのである。これを回避するために、電子銃の電子ビーム発生部の一部又は全部を交換もしくはメンテナンスした後に、真空排気した状態で電子銃に高電圧を印加して、耐電圧性能を高めるための電極の焼き出しおよびコンディショニング処理が行われる。(特許文献2)
特開平4−292841号公報 特開2005−026112号公報(段落0008、図8)
しかし、真空チャンバー内にあるカソード電極の焼き出しおよびコンディショニングのような調整には長時間を要し、その間は基板にパターンを描画することができない。よって、基板への描画処理ができるようになるまでに相応の時間を要するという問題がある。
本発明は、上記のような課題認識を契機としてなされたものであり、電子銃の電極の交換に要する時間の短さの点で有利な技術を提供することを目的とする。
本発明の1つの側面は、電子銃から放射される電子ビームによって基板にパターンを描画する電子ビーム描画装置に係り、前記電子ビーム描画装置は、前記電子銃を構成する電極の予備としての予備電極を調整するための調整チャンバーと、前記電子銃から使用済みの電極を取り外して、前記調整チャンバーの中で調整された予備電極を前記電子銃に組み込む駆動機構と、を備え、前記予備電極の調整は、前記予備電極に電力を供給することを含む。
本発明によれば、電子銃の電極の交換に要する時間の短さの点で有利な技術が提供される。
本発明の第1実施形態の電子ビーム描画装置の構成を示す図。 本発明の第1実施形態の電子ビーム描画装置の動作を示すフローチャート。 本発明の第1実施形態の電子ビーム描画装置の動作を示すフローチャート。 本発明の第1実施形態の電子ビーム描画装置の動作を示すフローチャート。 本発明の第2実施形態の電子ビーム描画装置の構成を示す図。
以下に、本発明の実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。
図1を参照しながら本発明の第1実施形態の電子ビーム描画装置100の構成を説明する。ここでは、複数の電子ビームで基板10にパターンを描画する電子ビーム描画装置の例を説明するが、複数の電子ビームを使うか否かは本質的な事項ではなく、本発明は、単一の電子ビームを使って基板10にパターンを描画する電子ビーム描画装置にも適用できる。
電子ビーム描画装置100は、外部空間から内部空間を隔離するチャンバーCHの中で電子ビームによって基板10にパターンを描画して潜像を形成するように構成されている。チャンバーCHは、例えば、電子銃チャンバー2、デバイスチャンバー7、投影系チャンバー8、ステージチャンバー9を含みうる。電子銃チャンバー2には、電子銃EGが収容されている。デバイスチャンバー7には、ブランキングアレイ13、レンズアレイ14、アパーチャアレイ15、コリメータレンズ16が収容されている。投影系チャンバー8には、投影系PLが収容されている。ステージチャンバー9には、ステージ31が収容されている。
電子銃チャンバー2には、イオンポンプ3が接続されており、内部の真空度は、基板10に電子ビームを照射しない状態では、例えば、5.0×10−7〜2.0×10ー6Pa程度にされる。その他のチャンバー7、8、9にも図示していないが、真空ポンプが接続されており、例えば、10−5Pa台程度まで真空引きを行うことが可能となっている。
電子銃EGは、3つの電極、即ちカソード電極19、ウェネルト電極18、アノード電極17を含む。電子銃EGは、カソード電極19が電源23から供給される電流により1700Kから1900K程度に加熱されることで、カソード電極19から熱電子を放出する。この電子銃EGから放射状に放出される電子ビーム28のうち描画に不要な部分は、遮断電極27によって遮断される。電子ビーム28は、静電レンズ(不図示)、コリメータレンズ16によって所望の大きさを持ったビームに成形された後、アパーチャアレイ15に対してほぼ垂直に入射する。アパーチャアレイ15は、複数のアパーチャを有するプレートである。アパーチャアレイ15によって複数の電子ビームEBが生成され、レンズアレイ14によってそれぞれブランキングアレイ13に収束される。
ブランキングアレイ13は、ブランカーとして構成された偏向器のアレイであり、描画すべきパターンに応じて複数の電子ビームEBを個々に偏向させる。ブランキングアレイ13によって偏向された電子ビーム28はブランキング絞り12によって遮断され、ブランキングアレイ13によって偏向されない電子ビーム28は投影系PLによって収束された後にステージ31上の基板10に照射される。
基板10にパターンを描画し続けると、電子銃EGのカソード電極19の先端がしだいに昇華していき、カソード電極19の形状が変化する。これにより、電子ビームの照度が所望のエネルギーに達していない状態になり、電子銃EGが寿命を迎える。この寿命は、カソード電極19の使用温度、使用環境、電極材の形状に起因するもので、例えば、電極材がLaB(6ホウ化ランタン)であれば、1000時間〜2000時間程度である。
電子ビーム描画装置100は、カソード電極19の予備としてのカソード電極(予備電極)25を準備するための調整チャンバー1と寿命を終えたカソード電極19の取り出しを行う取り出しチャンバー4を備えている。第1実施形態では、調整チャンバー1は、電子銃チャンバー2の外側に配置されている。
以下、図1のほか図2のフローチャートを参照しながら電子ビーム描画装置100の動作を例示的に説明する。電子ビーム描画装置100は、以下の動作を制御するコントローラCNTを備えている。
ステップS1では、基板10を描画するために、コントローラCNTは、電子銃EGに電子ビームの放射を開始させる。ステップS4では、コントローラCNTは、電子銃EGから放射される電子ビームの照度が安定するまで待つ。この段階では、ブランキングアレイ13は、基板10に電子ビームEBが照射されないように、即ちブランキング絞り12で遮断されるように電子ビームEBを偏向させる。電子銃EGからの電子ビームの照度が安定したことは、図示していないが、ブランキング絞り12よりも電子銃EG側に配置されている電子検出器(フォトダイオード、ファラデーカップ等)を使って確認することができる。
コントローラCNTは、任意のタイミング、例えば、ステップS1の前又は直後のタイミングで、あるいは、基板へのパターンの描画中、描画後などのタイムングで、ステップS2を実行しうる。ステップS2は、現時点で使用されているカソード電極19の劣化が所定基準まで進行したときに実行されてもよい。この劣化は、カソード電極19の画像診断またはカソード電極19の累積使用時間に基づいて判断されうる。
ステップS2では、コントローラCNTは、予備のカソード電極25の準備が適正に終了しているか否かを確認する。予備のカソード電極25の準備が適正に終了している場合には、ステップS2およびそれに続く処理は終了する。一方、予備のカソード電極25の準備が適正に終了していない場合には、コントローラCNTは、ステップS3(予備のカソード電極25の準備)を実行する。ステップS3(予備のカソード電極25の準備)の詳細については後述する。
ステップS4において電子銃EGからの電子ビームの照度が安定したと判断されると、ステップS5において、コントローラCNTは、基板10へのパターンの描画処理を実行する。ステップS5におけるパターンの描画処理は、基板10を保持したステージ31を駆動しながらパターンデータに従ってブランキングアレイ13の各ブランカーを制御することによってなされうる。ステップS6では、コントローラCNTは、規定枚数の描画処理がなされたか否かを判断し、現時点で電子銃EGに取り付けられ使用されているカソード電極19が取り付け後に規定枚数の基板の処理に使用されたか否かを判断する。そして、カソード電極19が規定枚数の基板の処理に使用されたと判断された場合には、コントローラCNTは、ステップS9を実施する。
ステップS9では、コントローラCNTは、電子銃EGから放射される電子ビームの照度を前述の電子検出器を使って計測する。ステップ10では、コントローラCNTは、ステップS9における計測結果に基づいて、電子銃EG(ここでは、カソード電極19)が寿命を迎えたか否かを判定する。そして、電子銃EG(カソード電極19)が寿命を迎えたと判定されると、ステップS11において、コントローラCNTは、カソード電極19を準備されている予備のカソード電極25に交換する。ステップS11(カソード電極の交換)の詳細については後述する。
以下、図3を参照しながらステップS3(予備のカソード電極25の準備)の詳細を説明する。ステップS21では、調整チャンバー1のバルブ5が開かれて、駆動機構21に予備のカソード電極25を保持させ、調整チャンバー1の中に移動させる。ステップS22では、コントローラCNTは、予備のカソード電極25を駆動機構21に沿って所定位置まで移動させる。ここで、調整チャンバー1の中には、ウェネルト電極42、アノード電極41が配置されていて、予備のカソード電極25、ウェネルト電極42、アノード電極41によってカソード電極25を調整するための電子銃EG’が構成される。所定位置とは、予備のカソード電極25が電子銃EG’に組み込まれ、予備のカソード電極25に対して電源23から電流を供給することができる位置である。ステップS23では、バルブ5が閉じられ、調整チャンバー1の真空引きが行われる。
調整チャンバー1内の圧力が所定圧力(真空度)、例えば2.0×10−6Paに低下すると、コントローラCNTは、ステップS24を実行する。ステップS24では、コントローラCNTは、予備のカソード電極25の導入方向以外を取り囲むように配置されている囲い部24の温度を上昇させ、カソード電極25の周辺温度を上昇させる。予備のカソード電極25の周辺温度を所定温度、例えば130℃から150℃の範囲内の温度にする。これにより、カソード電極25が加熱され、カソード電極25から揮発するガスが排出される。囲い部24の温度を上昇させるために、基板10の描画に利用されなった電子の熱が利用されうる。遮断電極27、アパーチャアレイ15、ブランキング絞り12(電子ビームを遮断する電子光学素子)では、多くの電子ビームを遮断するため、多くの熱を発生する。そのままでは、それらを構成する部材が溶融したり、変形したりしうる。そこで、電子ビーム描画装置100は、遮断電極27、アパーチャアレイ15、ブランキング絞り12を冷却する冷却装置30を備えている。電子ビーム描画装置100は、冷却装置30からの排熱を利用して囲い部24の温度を上昇さるように構成されている。
ステップS25では、コントローラCNTは、予備のカソード電極25の焼き出しを行う。予備のカソード電極25の焼き出しは、電源23から予備のカソード電極25に電流を供給することによって行われうる。予備のカソード電極25の焼き出しは、例えば、温度150℃程度で、24時間〜48時間程度で終了しうる。焼き出しが終了すると、ステップS26において、コントローラCNTは、囲い部24の温度(周辺温度)の上昇を停止させる。これによって、温度が徐々に低下し、真空度が回復する。
調整チャンバー1内の真空度がステップS23で到達した真空度になったら、コントローラCNTは、ステップS27において、予備のカソード電極25のコンディショニングを行う。コンディショニングは、例えば、プログラムに従って、予備のカソード電極25が放電しないことを確認しながら、徐々にカソード電極25に対する印加電圧を上昇させる処理を含みうる。印加する電圧の最大値は、例えば、電子銃EGで使用される電圧の1.5倍程度でありうる。印加電圧を上昇させる過程で予備のカソード電極25が放電を起こした場合、一旦電圧を低下させてから再度電圧を上昇させる。放電回数が所定回数を超えた場合は、コンディショニングエラーとなる。この場合、カソード電極25の初期不良とみなし、電極調整フローのはじめに戻り、新たなカソード電極25に交換する。ここで、カソード電極25の焼き出しおよびコンディショニングは、電源23からカソード電極25に電力を供給する点では共通しており、いずれもカソード電極25の調整の概念に含まれうる。
ステップS27(コンディショニング)の終了後、ステップS28において、コントローラCNTは、調整チャンバー1の中に配置された検査部26を使用して予備のカソード電極25のコンディショニング(あるいは調整)が適正に終了したか否かを検査する。検査項目は、例えば、予備のカソード電極25を含む電子銃から放射される電子ビームの照度、予備のカソード電極25の形状などを含みうる。検査の結果、予備のカソード電極25が不合格となった場合には、コントローラCNTは、ステップS24まで処理を戻してリトライするか、ステップS21まで処理を戻して新たなカソード電極25を調整する。ステップS30では、予備のカソード電極25が合格した場合には、調整チャンバー1の真空環境中に維持される。
以下、図4を参照しながらステップS11(カソード電極の交換)の詳細を説明する。ステップS41では、コントローラCNTは、電子銃チャンバー2内にある電子銃EGへの電力供給を停止する。ステップS42では、コントローラCNTは、調整チャンバー1内の調整用の電子銃EG’への電力供給を遮断する。
ステップS43では、コントローラCNTは、電子銃チャンバー2と取り出しチャンバー4との接続部分に配置されたバルブ20を開く。ステップS44では、コントローラCNTは、駆動機構21に、使用済のカソード電極19を電子銃チャンバー2から取り出しチャンバー4に移動させる。ステップS45では、コントローラCNTは、バルブ20を閉じる。ステップS46では、コントローラCNTは、取り出しチャンバー4を大気開放する。ステップ47では、コントローラCNTは、取り出しチャンバー4の大気側のバルブ6を開く。ステップS47では、使用済みのカソード電極19が取り出しチャンバー4から取り出される。
ステップS48では、コントローラCNTは、電子銃チャンバー2と調整チャンバー1との接続部分に配置されたバルブ22を開く。ステップS49では、コントローラCNTは、駆動機構21に、予備のカソード電極25を調整チャンバー1から電子銃チャンバー2に移動させ、電子銃ENに組み込ませる。ステップS50では、コントローラCNTは、バルブ22を閉じる。ステップS51では、コントローラCNTは、電子銃ENに組み込まれた予備のカソード電極25の検査(例えば、電極の導通検査)を行う。ステップS52では、コントローラCNTは、カソード電極25のアライメントを行う。
以上のように、調整チャンバーを設けて、次に使用すべき予備のカソード電極を調整チャンバーの中で調整(焼き出し、コンディショニング)をすることにより、真空引き、焼き出し、コンディショニングに要する時間を短縮することができる。これにより、スループットを上げることが可能となる。
図5を参照しながら本発明の第2実施形態の電子ビーム描画装置100の構成を説明する。なお、ここで言及しない事項は、第1実施形態に従いうる。図5では、デバイスチャンバー7、投影系チャンバー8およびステージチャンバー9が省略されている。第2実施形態では、調整チャンバー1が電子銃チャンバー2の中に配置されている。調整チャンバー1内の予備のカソード電極25を加熱するために、電子ビーム28の不要な部分を遮断する遮断電極27が発生する熱が利用される。また、調整チャンバー1からの熱が電子銃チャンバー2内の構成要素、例えば、電子銃EGに影響を与えないように、調整チャンバー1には熱遮断51が設けられている。
以上は、カソード電極、ウェネルト電極およびアノード電極のうちカソード電極を交換する例であるが、他の電極を交換する際に本発明を適用することもできる。また、電子銃の構成は、このような例に限定されるものではなく、種々の構成を採用しうる。
本発明の実施形態のデバイス製造方法は、例えば、半導体デバイスやレチクルなどのデバイスの製造に好適である。前記方法は、感光剤が塗布された基板に上記の電子ビーム描画装置を用いてパターンを描画する工程と、該基板を現像する工程とを含みうる。さらに、前記デバイス製造方法は、他の周知の工程(酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等)を含みうる。

Claims (9)

  1. 電子銃から放射される電子ビームによって基板にパターンを描画する電子ビーム描画装置であって、
    前記電子銃を構成する電極の予備としての予備電極を調整するための調整チャンバーと、
    前記電子銃から使用済みの電極を取り外して、前記調整チャンバーの中で調整された予備電極を前記電子銃に組み込む駆動機構と、を備え、
    前記予備電極の調整は、前記予備電極に電力を供給することを含む、
    ることを特徴とする電子ビーム描画装置。
  2. 前記予備電極の調整は、前記予備電極を加熱することを含む、
    ことを特徴とする請求項1に記載の電子ビーム描画装置。
  3. 前記電子銃から放射された電子ビームを遮断する電子光学素子を備え、前記電子光学素子が電子ビームを遮断して発生した熱を利用して前記予備電極が加熱される、
    ことを特徴とする請求項2に記載の電子ビーム描画装置。
  4. 前記予備電極の調整は、調整用の電子銃に前記予備電極を組み込んだ状態で実施される、
    ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の電子ビーム描画装置。
  5. 前記調整チャンバーの中に前記予備電極を検査する検査部が配置されていて、前記予備電極の調整が適正に終了したか否かが前記検査部を使用して検査される、
    ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の電子ビーム描画装置。
  6. 前記調整チャンバーは、前記電子銃を収容したチャンバーの外側に配置され、前記調整チャンバーと前記チャンバーとが接続されている、
    ことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の電子ビーム描画装置。
  7. 前記調整チャンバーは、前記電子銃を収容したチャンバーの中に配置されている、
    ことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の電子ビーム描画装置。
  8. 前記予備電極は、カソード電極である、
    ことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の電子ビーム描画装置。
  9. デバイスを製造するデバイス製造方法であって、
    請求項1乃至8のいずれか1項に記載の電子ビーム描画装置を用いて基板にパターンを描画する工程と、
    前記工程でパターンを描画された基板を現像する工程と、
    を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014186943A (ja) * 2013-03-25 2014-10-02 Hitachi High-Tech Science Corp 集束イオンビーム装置
JP2019140063A (ja) * 2018-02-15 2019-08-22 株式会社荏原製作所 昇圧方法、昇圧システム、昇圧装置および昇圧プログラム

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017199610A (ja) * 2016-04-28 2017-11-02 株式会社ニューフレアテクノロジー ステージ機構

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3109953A (en) * 1960-09-28 1963-11-05 Gen Electric Cathode ray tube having a plurality of interchangeable cathodes
US3163793A (en) * 1962-03-19 1964-12-29 Philco Corp Electron discharge device having a stand-by cathode
US3809957A (en) * 1969-03-03 1974-05-07 Varian Associates Method for preserving electron gun assemblies
DE2110130C3 (de) * 1971-02-26 1974-07-04 Max-Planck-Gesellschaft Zur Foerderung Der Wissenschaften E.V., 3400 Goettingen Vorrichtung zum Auswechseln der Kathode in einem Elektronenstrahlerzeugungssystem
US3881125A (en) * 1972-08-17 1975-04-29 Tektronix Inc Separable-chamber electron-beam tube including means for puncturing a pressure seal therein
NL8402284A (nl) * 1984-07-19 1986-02-17 High Voltage Eng Europ Werkwijze en inrichting voor het verwisselen van emissiebronnen.
JP2868120B2 (ja) * 1997-06-11 1999-03-10 川崎重工業株式会社 電子ビーム励起プラズマ発生装置
US6215842B1 (en) * 1998-08-13 2001-04-10 Picker Int Inc Reduction of temporal variations in X-ray radiation
EP1455380B1 (en) * 2003-03-03 2007-04-18 ICT, Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik Mbh Charged particle beam device with cleaning unit and method of operation thereof
US7368727B2 (en) * 2003-10-16 2008-05-06 Alis Technology Corporation Atomic level ion source and method of manufacture and operation
JP2006024420A (ja) * 2004-07-07 2006-01-26 Toyota Motor Corp フィラメント交換機構
EP1760761B1 (en) * 2005-09-05 2017-10-18 ICT, Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Charged particle beam emitting device and method for operating a charged particle beam emitting device
US7427765B2 (en) * 2005-10-03 2008-09-23 Jeol, Ltd. Electron beam column for writing shaped electron beams
JP5063715B2 (ja) * 2010-02-04 2012-10-31 株式会社日立ハイテクノロジーズ 電子源,電子銃、それを用いた電子顕微鏡装置及び電子線描画装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014186943A (ja) * 2013-03-25 2014-10-02 Hitachi High-Tech Science Corp 集束イオンビーム装置
JP2019140063A (ja) * 2018-02-15 2019-08-22 株式会社荏原製作所 昇圧方法、昇圧システム、昇圧装置および昇圧プログラム
JP7034752B2 (ja) 2018-02-15 2022-03-14 株式会社荏原製作所 昇圧方法、昇圧システム、昇圧装置および昇圧プログラム

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