JPH09129543A - 荷電粒子線転写装置 - Google Patents
荷電粒子線転写装置Info
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- JPH09129543A JPH09129543A JP7285118A JP28511895A JPH09129543A JP H09129543 A JPH09129543 A JP H09129543A JP 7285118 A JP7285118 A JP 7285118A JP 28511895 A JP28511895 A JP 28511895A JP H09129543 A JPH09129543 A JP H09129543A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
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- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
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- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
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- H01J2237/31777—Lithography by projection
- H01J2237/31788—Lithography by projection through mask
Abstract
(57)【要約】
【課題】 収差の小さな荷電粒子線転写装置の提供。
【解決手段】 マスク６上の副視野６ａａ通過した荷電
粒子線は、第１の偏向器７によって投影レンズ８のレン
ズ中心を通過するように偏向される。また、投影レンズ
８を通過した荷電粒子線は、第２の偏向器９によって第
１の偏向器７の偏向方向に対して逆方向に偏向され、マ
スク６上における副視野６ａａの位置に対応する試料１
０上の位置に導かれる。
粒子線は、第１の偏向器７によって投影レンズ８のレン
ズ中心を通過するように偏向される。また、投影レンズ
８を通過した荷電粒子線は、第２の偏向器９によって第
１の偏向器７の偏向方向に対して逆方向に偏向され、マ
スク６上における副視野６ａａの位置に対応する試料１
０上の位置に導かれる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、荷電粒子線転写装
置に関する。
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】荷電粒子線転写装置では、光学系の収差
のために光軸から離れた位置のマスクパターンを転写す
る場合、荷電粒子線は投影レンズである電磁レンズの軸
から離れた部分を通過するため転写像に歪が生じ易い。
そこで、この光学系の収差による像の歪を低減するため
に（ａ）ＭＯＬ（Moving Objective Lens）方式，ＶＡ
Ｌ（Variable Axis Lens）方式，ＰＲＥＶＡＩＬ（Proj
ection Exposure with Vriable Axis Immersion Lense
s）方式、（ｂ）ＳＭＤ（Symmetric Magnetic Double
t）方式、等による荷電粒子線転写装置が提案されてい
る。
のために光軸から離れた位置のマスクパターンを転写す
る場合、荷電粒子線は投影レンズである電磁レンズの軸
から離れた部分を通過するため転写像に歪が生じ易い。
そこで、この光学系の収差による像の歪を低減するため
に（ａ）ＭＯＬ（Moving Objective Lens）方式，ＶＡ
Ｌ（Variable Axis Lens）方式，ＰＲＥＶＡＩＬ（Proj
ection Exposure with Vriable Axis Immersion Lense
s）方式、（ｂ）ＳＭＤ（Symmetric Magnetic Double
t）方式、等による荷電粒子線転写装置が提案されてい
る。
【０００３】（ａ）の各方式では、電磁レンズの軸から
離れた部分に入射する荷電粒子線の場合でも、偏向器を
用いて電磁レンズの軸を等価的に荷電粒子線方向に移動
し、実質的に荷電粒子線が電磁レンズの軸を通過するよ
うに調整している。そのため、マスクの各副視野を通過
して電磁レンズに入射する荷電粒子線は、常に電磁レン
ズの光軸近傍を通過するためレンズ収差の影響を低減す
ることができる。
離れた部分に入射する荷電粒子線の場合でも、偏向器を
用いて電磁レンズの軸を等価的に荷電粒子線方向に移動
し、実質的に荷電粒子線が電磁レンズの軸を通過するよ
うに調整している。そのため、マスクの各副視野を通過
して電磁レンズに入射する荷電粒子線は、常に電磁レン
ズの光軸近傍を通過するためレンズ収差の影響を低減す
ることができる。
【０００４】一方、ＳＭＤ方式の荷電粒子線転写装置に
ついて図６を参照して説明する。図６は荷電粒子線転写
装置の投影レンズ部分の概略構成図であり、荷電粒子線
転写装置の縮小率を１／Ｍ，（１≦Ｍ＜２０）としたと
きに、マスク６および試料１０間の距離をＭ：１に分割
する光軸上の点をクロスオーバと定義している。投影レ
ンズ３は、クロスオーバＣＯを挟んで配設された一対の
電磁レンズ３０，３１で構成されている。さらに、この
電磁レンズ３０，３１は以下のような対称磁気ダブレッ
ト条件を満たしている。
ついて図６を参照して説明する。図６は荷電粒子線転写
装置の投影レンズ部分の概略構成図であり、荷電粒子線
転写装置の縮小率を１／Ｍ，（１≦Ｍ＜２０）としたと
きに、マスク６および試料１０間の距離をＭ：１に分割
する光軸上の点をクロスオーバと定義している。投影レ
ンズ３は、クロスオーバＣＯを挟んで配設された一対の
電磁レンズ３０，３１で構成されている。さらに、この
電磁レンズ３０，３１は以下のような対称磁気ダブレッ
ト条件を満たしている。
【０００５】すなわち、電磁レンズ３０に関して、その
主面３０ａとマスク６およびクロスオーバＣＯとの距離
をそれぞれＬＭ1，ＬＣ1、磁極３０１および３０２のボ
ーア半径をそれぞれＲ1，Ｒ2、クロスオーバＣＯと磁極
３０１のクロスオーバ側の面３０１ａおよび磁極３０２
のマスク側の面３０２ａとの距離をそれぞれＡ1，Ａ2と
し、電磁レンズ３１に関して、その主面３１ａと試料１
０およびクロスオーバＣＯとの距離をそれぞれＬＷ2，
ＬＣ2、磁極３１１，３１２のボーア半径をそれぞれｒ
1，ｒ2、クロスオーバＣＯと磁極３１１のクロスオーバ
側の面３１１ａおよび磁極３１２のマスク側の面３１２
ａとの距離をそれぞれａ1，ａ2としたときに、
主面３０ａとマスク６およびクロスオーバＣＯとの距離
をそれぞれＬＭ1，ＬＣ1、磁極３０１および３０２のボ
ーア半径をそれぞれＲ1，Ｒ2、クロスオーバＣＯと磁極
３０１のクロスオーバ側の面３０１ａおよび磁極３０２
のマスク側の面３０２ａとの距離をそれぞれＡ1，Ａ2と
し、電磁レンズ３１に関して、その主面３１ａと試料１
０およびクロスオーバＣＯとの距離をそれぞれＬＷ2，
ＬＣ2、磁極３１１，３１２のボーア半径をそれぞれｒ
1，ｒ2、クロスオーバＣＯと磁極３１１のクロスオーバ
側の面３１１ａおよび磁極３１２のマスク側の面３１２
ａとの距離をそれぞれａ1，ａ2としたときに、
【数６】ＬＭ1＝ＬＣ1，ＬＷ2＝ＬＣ2 …（１） Ｒ1／ｒ1＝Ｒ2／ｒ2＝Ｍ …（２） Ａ1／ａ1＝Ａ2／ａ2＝Ｍ …（３） の関係が成り立つとともに、電磁レンズ３０および３１
はＡＴ（アンペア・ターン）数が等しく、それぞれが形
成する磁場の向きが互いに逆向きになっている。このよ
うに電磁レンズ３０，３１を構成することによって電磁
レンズ３０，３１の磁気回路の対称性が向上し、投影レ
ンズ３のレンズ収差が減少する。
はＡＴ（アンペア・ターン）数が等しく、それぞれが形
成する磁場の向きが互いに逆向きになっている。このよ
うに電磁レンズ３０，３１を構成することによって電磁
レンズ３０，３１の磁気回路の対称性が向上し、投影レ
ンズ３のレンズ収差が減少する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、（ａ）
の方式では、偏向器を用いて荷電粒子線を偏向している
ため偏向収差が発生する。この偏向収差（特に歪収差）
を小さくするのは原理的に困難であるとともに、この偏
向収差のために主視野および副視野を大きくすることが
できないという問題点があった。一方、（ｂ）の方式で
は、レンズ収差のうち非点収差および像面湾曲収差が補
正されずに残るため、開口を大きくすることができな
い。そのため、回折の問題や、空間電荷効果によるビー
ムのぼけが生じることにより大きなビーム電流で転写が
行えず、高スループットが得られないという欠点があっ
た。
の方式では、偏向器を用いて荷電粒子線を偏向している
ため偏向収差が発生する。この偏向収差（特に歪収差）
を小さくするのは原理的に困難であるとともに、この偏
向収差のために主視野および副視野を大きくすることが
できないという問題点があった。一方、（ｂ）の方式で
は、レンズ収差のうち非点収差および像面湾曲収差が補
正されずに残るため、開口を大きくすることができな
い。そのため、回折の問題や、空間電荷効果によるビー
ムのぼけが生じることにより大きなビーム電流で転写が
行えず、高スループットが得られないという欠点があっ
た。
【０００７】本発明の目的は、収差の少ない荷電粒子線
転写装置を提供することにある。
転写装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】発明の実施の形態を示す
図１〜５に対応付けて説明する。図１および２に対応付
けて説明すると、請求項１の発明は、マスク６上の主視
野６ａを複数の副視野６ａａに分割し、荷電粒子線を投
影レンズ８で試料１０上に結像して副視野６ａａのそれ
ぞれに含まれるパターンを順次転写することにより、マ
スク６のパターンを試料１０上に転写する荷電粒子線転
写装置に適用され、副視野６ａａを通過した荷電粒子線
を投影レンズ８のレンズ中心を通過するように偏向する
第１の偏向器７と、投影レンズ８を通過した荷電粒子線
を第１の偏向器７の偏向方向に対して逆方向に偏向し、
マスク６上における副視野６ａａの位置に対応する試料
１０上の位置に導く第２の偏向器９とを備えて上述の目
的を達成する。請求項２の発明による荷電粒子線転写装
置では、投影レンズ８は一段のレンズで構成され、第１
の偏向器７によって偏向された荷電粒子線のクロスオー
バＣＯ2と投影レンズ８の主面８ａとが一致する。請求
項３の発明による荷電粒子線転写装置では、投影レンズ
８の縮小率を１／Ｍとしたときに、投影レンズ８の主面
８ａと第１の偏向器７の偏向中心７ａおよび第２の偏向
器９の偏向中心９ａとの距離Ｌ1，Ｌ2は、
図１〜５に対応付けて説明する。図１および２に対応付
けて説明すると、請求項１の発明は、マスク６上の主視
野６ａを複数の副視野６ａａに分割し、荷電粒子線を投
影レンズ８で試料１０上に結像して副視野６ａａのそれ
ぞれに含まれるパターンを順次転写することにより、マ
スク６のパターンを試料１０上に転写する荷電粒子線転
写装置に適用され、副視野６ａａを通過した荷電粒子線
を投影レンズ８のレンズ中心を通過するように偏向する
第１の偏向器７と、投影レンズ８を通過した荷電粒子線
を第１の偏向器７の偏向方向に対して逆方向に偏向し、
マスク６上における副視野６ａａの位置に対応する試料
１０上の位置に導く第２の偏向器９とを備えて上述の目
的を達成する。請求項２の発明による荷電粒子線転写装
置では、投影レンズ８は一段のレンズで構成され、第１
の偏向器７によって偏向された荷電粒子線のクロスオー
バＣＯ2と投影レンズ８の主面８ａとが一致する。請求
項３の発明による荷電粒子線転写装置では、投影レンズ
８の縮小率を１／Ｍとしたときに、投影レンズ８の主面
８ａと第１の偏向器７の偏向中心７ａおよび第２の偏向
器９の偏向中心９ａとの距離Ｌ1，Ｌ2は、
【数７】Ｌ1／Ｌ2＝Ｍ を満足する。図５に対応付けて説明すると、請求項４の
発明による荷電粒子線転写装置では、投影レンズ８は二
段のレンズ８０，８１で構成され、荷電粒子線転写装置
の縮小率が１／Ｍで、マスク６と試料１０との距離を
Ｍ：１に内分する光軸ＲＸ上の点をクロスオーバＣＯと
したときに、第１の偏向器７はマスク６からの荷電粒子
線がクロスオーバＣＯを通るように偏向する。請求項５
の発明による荷電粒子線転写装置では、投影レンズ８は
マスク側電磁レンズ８０および試料側電磁レンズ８１の
二段の電磁レンズで構成され、マスク側電磁レンズ８０
のマスク側磁極８０１のボーア半径Ｒ1および試料側磁
極８０２のボーア半径Ｒ2と、試料側電磁レンズ８１の
マスク側磁極８１２のボーア半径ｒ2および試料側磁極
８１１のボーア半径ｒ1との間に、
発明による荷電粒子線転写装置では、投影レンズ８は二
段のレンズ８０，８１で構成され、荷電粒子線転写装置
の縮小率が１／Ｍで、マスク６と試料１０との距離を
Ｍ：１に内分する光軸ＲＸ上の点をクロスオーバＣＯと
したときに、第１の偏向器７はマスク６からの荷電粒子
線がクロスオーバＣＯを通るように偏向する。請求項５
の発明による荷電粒子線転写装置では、投影レンズ８は
マスク側電磁レンズ８０および試料側電磁レンズ８１の
二段の電磁レンズで構成され、マスク側電磁レンズ８０
のマスク側磁極８０１のボーア半径Ｒ1および試料側磁
極８０２のボーア半径Ｒ2と、試料側電磁レンズ８１の
マスク側磁極８１２のボーア半径ｒ2および試料側磁極
８１１のボーア半径ｒ1との間に、
【数８】Ｒ1／ｒ1＝Ｍ または、
【数９】Ｒ2／ｒ2＝Ｍ が成立する。請求項６の発明による荷電粒子線転写装置
では、投影レンズ８はマスク側電磁レンズ８０および試
料側電磁レンズ８１の二段の電磁レンズで構成され、マ
スク側電磁レンズ８０および試料側電磁レンズ８１のＡ
Ｔ（アンペア・ターン、すなわち電磁レンズの励磁電流
と電磁レンズのコイル巻線数との積）数が等しく、それ
ぞれが形成する磁場の向きが互いに逆向きである。図１
に対応付けて説明すると、請求項７の発明による荷電粒
子線転写装置では、荷電粒子線には電子ビームを用い、
投影レンズ８を磁気レンズで構成した。請求項８の発明
による荷電粒子線転写装置では、荷電粒子線にはイオン
ビームを用い、投影レンズ８を静電レンズで、第１およ
び第２の偏向器７，９を静電偏向器でそれぞれ構成し
た。請求項９の発明による荷電粒子線転写装置では、第
１および第２の偏向器７，９を８極子型静電偏向器とし
た。請求項１０の発明による荷電粒子線転写装置では、
第１の偏向器７の内径Ｄ7および軸方向長さＬ7と第２の
偏向器９の内径Ｄ9および軸方向長さＬ9との間に、
では、投影レンズ８はマスク側電磁レンズ８０および試
料側電磁レンズ８１の二段の電磁レンズで構成され、マ
スク側電磁レンズ８０および試料側電磁レンズ８１のＡ
Ｔ（アンペア・ターン、すなわち電磁レンズの励磁電流
と電磁レンズのコイル巻線数との積）数が等しく、それ
ぞれが形成する磁場の向きが互いに逆向きである。図１
に対応付けて説明すると、請求項７の発明による荷電粒
子線転写装置では、荷電粒子線には電子ビームを用い、
投影レンズ８を磁気レンズで構成した。請求項８の発明
による荷電粒子線転写装置では、荷電粒子線にはイオン
ビームを用い、投影レンズ８を静電レンズで、第１およ
び第２の偏向器７，９を静電偏向器でそれぞれ構成し
た。請求項９の発明による荷電粒子線転写装置では、第
１および第２の偏向器７，９を８極子型静電偏向器とし
た。請求項１０の発明による荷電粒子線転写装置では、
第１の偏向器７の内径Ｄ7および軸方向長さＬ7と第２の
偏向器９の内径Ｄ9および軸方向長さＬ9との間に、
【数１０】Ｄ7／Ｄ9＝Ｍ または、
【数１１】Ｌ7／Ｌ9＝Ｍ が成立する。図１，３および４に対応付けて説明する
と、請求項１０の発明による荷電粒子線転写装置では、
第１および第２の偏向器７，９をトロイダル型または鞍
型の電磁偏向器とした。
と、請求項１０の発明による荷電粒子線転写装置では、
第１および第２の偏向器７，９をトロイダル型または鞍
型の電磁偏向器とした。
【０００９】請求項１の発明では、マスク６上の副視野
６ａａ通過した荷電粒子線は、第１の偏向器７によって
投影レンズ８のレンズ中心を通過するように偏向され
る。また、投影レンズ８を通過した荷電粒子線は、第２
の偏向器９によって第１の偏向器７の偏向方向に対して
逆方向に偏向され、マスク６上における副視野６ａａの
位置に対応する試料１０上の位置に導かれる。請求項４
の発明による荷電粒子線転写装置では、マスク６上の副
視野６ａａ通過した荷電粒子線は、第１の偏向器７によ
って光軸ＲＸ方向に偏向されて投影レンズ８のレンズ中
心の近傍を通過する。
６ａａ通過した荷電粒子線は、第１の偏向器７によって
投影レンズ８のレンズ中心を通過するように偏向され
る。また、投影レンズ８を通過した荷電粒子線は、第２
の偏向器９によって第１の偏向器７の偏向方向に対して
逆方向に偏向され、マスク６上における副視野６ａａの
位置に対応する試料１０上の位置に導かれる。請求項４
の発明による荷電粒子線転写装置では、マスク６上の副
視野６ａａ通過した荷電粒子線は、第１の偏向器７によ
って光軸ＲＸ方向に偏向されて投影レンズ８のレンズ中
心の近傍を通過する。
【００１０】なお、本発明の構成を説明する上記課題を
解決するための手段の項では、本発明を分かり易くする
ために発明の実施の形態の図を用いたが、これにより本
発明が発明の実施の形態に限定されるものではない。
解決するための手段の項では、本発明を分かり易くする
ために発明の実施の形態の図を用いたが、これにより本
発明が発明の実施の形態に限定されるものではない。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、図１〜図５を参照して本発
明の実施の形態を説明する。 −第１の実施の形態− 図１は本発明に係る荷電粒子線転写装置の第１の実施の
形態を説明する図であり、電子ビームを用いて縮小転写
を行う電子線縮小転写装置の概略構成を示す。図１の装
置では、マスク６に形成されたパターンが電子ビームに
よって試料１０に縮小転写される。１は電子ビームの発
生源である電子銃、２は電子銃１からの電子ビームを集
束するコンデンサレンズ、３は電子銃１から放出された
電子ビームを正方形に整形するアパーチャである。４は
電子ビームをマスク６上の副視野６ａａ方向に偏向する
副視野選択偏向器であり、５は副視野選択偏向器４から
の電子ビームを光軸ＲＸに対して平行にしてマスク６上
の副視野６ａａに導くコンデンサレンズである。
明の実施の形態を説明する。 −第１の実施の形態− 図１は本発明に係る荷電粒子線転写装置の第１の実施の
形態を説明する図であり、電子ビームを用いて縮小転写
を行う電子線縮小転写装置の概略構成を示す。図１の装
置では、マスク６に形成されたパターンが電子ビームに
よって試料１０に縮小転写される。１は電子ビームの発
生源である電子銃、２は電子銃１からの電子ビームを集
束するコンデンサレンズ、３は電子銃１から放出された
電子ビームを正方形に整形するアパーチャである。４は
電子ビームをマスク６上の副視野６ａａ方向に偏向する
副視野選択偏向器であり、５は副視野選択偏向器４から
の電子ビームを光軸ＲＸに対して平行にしてマスク６上
の副視野６ａａに導くコンデンサレンズである。
【００１２】マスク１のパターンは電子ビームによって
試料１０に縮小転写される。マスク６には図２に示すよ
うに複数の主視野６ａ（斜線で示した部分）が形成さ
れ、各主視野６ａはｘ軸方向に一列に並んだ複数の副視
野６ａａに分割されている。各副視野６ａａにはそれぞ
れ転写パターンが形成され、複数の転写パターンを試料
１０上に転写して所望の回路パターンが形成される。な
お、図のように光軸ＲＸをｚ軸方向に取った場合、図１
はｘｚ平面に関する断面を示している。６ｂは各副視野
６ａａを分離する境界領域で、各副視野６ａａのパター
ンは試料１０の対応する領域１０ｂにそれぞれ転写され
る。試料１０の各領域１０ａには、マスク６のパターン
全体がそれぞれ転写される。
試料１０に縮小転写される。マスク６には図２に示すよ
うに複数の主視野６ａ（斜線で示した部分）が形成さ
れ、各主視野６ａはｘ軸方向に一列に並んだ複数の副視
野６ａａに分割されている。各副視野６ａａにはそれぞ
れ転写パターンが形成され、複数の転写パターンを試料
１０上に転写して所望の回路パターンが形成される。な
お、図のように光軸ＲＸをｚ軸方向に取った場合、図１
はｘｚ平面に関する断面を示している。６ｂは各副視野
６ａａを分離する境界領域で、各副視野６ａａのパター
ンは試料１０の対応する領域１０ｂにそれぞれ転写され
る。試料１０の各領域１０ａには、マスク６のパターン
全体がそれぞれ転写される。
【００１３】図１に戻って、７は電子ビームを光軸ＲＸ
方向に偏向する偏向器であり、９は試料１０に転写像を
結像する投影レンズ８からの電子ビームを光軸ＲＸと平
行になるように偏向する偏向器である。
方向に偏向する偏向器であり、９は試料１０に転写像を
結像する投影レンズ８からの電子ビームを光軸ＲＸと平
行になるように偏向する偏向器である。
【００１４】図１の転写装置では、縮小率を１／Ｍとし
たときに、投影レンズ８の主面８ａと偏向器７の偏向中
心７ａおよび偏向器９の偏向中心９ａと間の距離Ｌ1お
よびＬ2が、
たときに、投影レンズ８の主面８ａと偏向器７の偏向中
心７ａおよび偏向器９の偏向中心９ａと間の距離Ｌ1お
よびＬ2が、
【数１２】Ｌ1／Ｌ2＝Ｍ …（４） を満足している。
【００１５】電子銃１から放出された電子ビームはアパ
ーチャ３で正方形に整形された後、コンデンレンズ２に
よって集束されて副視野選択偏向器４の偏向中心４ａで
クロスオーバＣＯ1を形成する。この電子ビームは副視
野選択偏向器４によって角度＋αだけ偏向された後、コ
ンデンサレンズ５によって角度−αだけ曲げられ、光軸
ＲＸと平行にされてマスク６上の副視野６ａａに照射さ
れる。ここで、ビームが反時計回りに曲る場合にはその
角度をプラスとし、時計回りの場合にはマイナスとす
る。アパーチャ３とマスク６とは光学的に共役であり、
アパーチャ３の開口部の大きさはマスク６では副視野６
ａａの大きさになっている。なお、コンデンサレンズ５
は電子ビームを曲げると同時にほぼ平行なビームにする
が、正確には平行ビームではなく、後述するように偏向
器７で偏向されて投影レンズ８のレンズ中心方向にクロ
スオーバを形成する。
ーチャ３で正方形に整形された後、コンデンレンズ２に
よって集束されて副視野選択偏向器４の偏向中心４ａで
クロスオーバＣＯ1を形成する。この電子ビームは副視
野選択偏向器４によって角度＋αだけ偏向された後、コ
ンデンサレンズ５によって角度−αだけ曲げられ、光軸
ＲＸと平行にされてマスク６上の副視野６ａａに照射さ
れる。ここで、ビームが反時計回りに曲る場合にはその
角度をプラスとし、時計回りの場合にはマイナスとす
る。アパーチャ３とマスク６とは光学的に共役であり、
アパーチャ３の開口部の大きさはマスク６では副視野６
ａａの大きさになっている。なお、コンデンサレンズ５
は電子ビームを曲げると同時にほぼ平行なビームにする
が、正確には平行ビームではなく、後述するように偏向
器７で偏向されて投影レンズ８のレンズ中心方向にクロ
スオーバを形成する。
【００１６】マスク６を透過してパターン化された電子
ビームは、偏向器７によって光軸ＲＸ方向に角度−βだ
け偏向され、投影レンズ８のレンズ中心方向でクロスオ
ーバＣＯ2を形成する。投影レンズ８を通過した電子ビ
ームは偏向器９によって光軸ＲＸと平行になるように角
度＋βだけ偏向され、試料１０に垂直に照射される。こ
の際、電子ビームと光軸との距離δ1，δ2がδ1／δ2＝
Ｍとなるように偏向器９の偏向感度が調整される。
ビームは、偏向器７によって光軸ＲＸ方向に角度−βだ
け偏向され、投影レンズ８のレンズ中心方向でクロスオ
ーバＣＯ2を形成する。投影レンズ８を通過した電子ビ
ームは偏向器９によって光軸ＲＸと平行になるように角
度＋βだけ偏向され、試料１０に垂直に照射される。こ
の際、電子ビームと光軸との距離δ1，δ2がδ1／δ2＝
Ｍとなるように偏向器９の偏向感度が調整される。
【００１７】上述したように、本実施の形態によれば、
光軸ＲＸから離れた副視野であっても、副視野を通過し
た電子ビームを偏向器７によって偏向して投影レンズ８
のレンズ中心を通過するようにしているため、像面湾曲
収差および非点収差も含めてレンズ収差の小さな転写像
を得ることができる。また、投影レンズ８の口径を小さ
くすることができるので、装置の小型化，軽量化を図る
ことができる。さらに、偏向器７と偏向器９とは偏向方
向が互いに逆方向なので、偏向器７，９によって生じる
偏向収差が互いに打ち消し合い、偏向収差の転写像への
影響を抑えることができる。
光軸ＲＸから離れた副視野であっても、副視野を通過し
た電子ビームを偏向器７によって偏向して投影レンズ８
のレンズ中心を通過するようにしているため、像面湾曲
収差および非点収差も含めてレンズ収差の小さな転写像
を得ることができる。また、投影レンズ８の口径を小さ
くすることができるので、装置の小型化，軽量化を図る
ことができる。さらに、偏向器７と偏向器９とは偏向方
向が互いに逆方向なので、偏向器７，９によって生じる
偏向収差が互いに打ち消し合い、偏向収差の転写像への
影響を抑えることができる。
【００１８】なお、上述した実施の形態では、荷電粒子
として電子ビームを使用したが、イオンビームを用いて
もよい。この場合、投影レンズ８および偏向器７，９と
しては、イオンの質量が電子質量に比べて大きいので、
荷電粒子に対する作用の大きい静電レンズおよび静電偏
向器が用いられる。
として電子ビームを使用したが、イオンビームを用いて
もよい。この場合、投影レンズ８および偏向器７，９と
しては、イオンの質量が電子質量に比べて大きいので、
荷電粒子に対する作用の大きい静電レンズおよび静電偏
向器が用いられる。
【００１９】また、偏向器７の内径Ｄ7および長さＬ7と
偏向器９の内径Ｄ9および長さＬ9との関係を
偏向器９の内径Ｄ9および長さＬ9との関係を
【数１３】Ｄ7／Ｄ9＝Ｍ …（５） または、
【数１４】Ｌ7／Ｌ9＝Ｍ …（６） とすることにより、転写像への偏向収差の影響を小さく
することができる。
することができる。
【００２０】なお、偏向器７，９として鞍型またはトロ
イダル型の電磁偏向器や８極子型静電偏向器を用いても
よい。図３は鞍型およびトロイダル型電磁偏向器を説明
する斜視図であって、（ａ）は鞍型電磁偏向器の偏向コ
イル２１ａ，２１ｂを、（ｂ）はトロイダル型電磁偏向
器の偏向コイル２２ａ，２２ｂをそれぞれ示している。
偏向コイル２１ａ，２１ｂは偏向器の中心線ＣＬに関し
て対称な一対の湾曲面を描くように巻回され、図示矢印
方向の電流により中心線ＣＬと直交する方向の磁界Ｈを
発生する。一方、偏向コイル２２ａ，２２ｂは、円筒形
のコア２２ｃにその中心線ＣＬに関して対称をなすよう
に巻き付けられ、図示矢印方向の電流によりコア２２ｃ
の中心線ＣＬと直交する方向の磁界Ｈを発生する。
イダル型の電磁偏向器や８極子型静電偏向器を用いても
よい。図３は鞍型およびトロイダル型電磁偏向器を説明
する斜視図であって、（ａ）は鞍型電磁偏向器の偏向コ
イル２１ａ，２１ｂを、（ｂ）はトロイダル型電磁偏向
器の偏向コイル２２ａ，２２ｂをそれぞれ示している。
偏向コイル２１ａ，２１ｂは偏向器の中心線ＣＬに関し
て対称な一対の湾曲面を描くように巻回され、図示矢印
方向の電流により中心線ＣＬと直交する方向の磁界Ｈを
発生する。一方、偏向コイル２２ａ，２２ｂは、円筒形
のコア２２ｃにその中心線ＣＬに関して対称をなすよう
に巻き付けられ、図示矢印方向の電流によりコア２２ｃ
の中心線ＣＬと直交する方向の磁界Ｈを発生する。
【００２１】図４は８極子型静電偏向器を光軸ＲＸに直
交する面で断面した図である。正の電極２３ｂおよび負
の電極２３ａ間にはｘ軸方向の電場が発生するが、電極
２３ａ，２３ｂの図示上端部分および下端部分では電場
がｘ軸に平行にならずに広がりが発生する。８極子型静
電偏向器では、この上端部分および下端部分に電極部２
４１，２４２，２４３からなる補正電極２４を設けて、
この部分でも電場がｘ軸に平行になるように補正してい
る。そのため、電子ビームが光軸ＲＸから離れた部分を
通過しても、転写像の偏向による歪が小さくなる。
交する面で断面した図である。正の電極２３ｂおよび負
の電極２３ａ間にはｘ軸方向の電場が発生するが、電極
２３ａ，２３ｂの図示上端部分および下端部分では電場
がｘ軸に平行にならずに広がりが発生する。８極子型静
電偏向器では、この上端部分および下端部分に電極部２
４１，２４２，２４３からなる補正電極２４を設けて、
この部分でも電場がｘ軸に平行になるように補正してい
る。そのため、電子ビームが光軸ＲＸから離れた部分を
通過しても、転写像の偏向による歪が小さくなる。
【００２２】−第２の実施の形態− 図５は本発明に係る荷電粒子線転写装置の第２の実施の
形態を説明する図である。本実施の形態では、図１の投
影レンズ８が２段の電磁レンズ８０，８１によって構成
されている。なお、図１と同一の部分には同一の符号を
付した。転写装置の縮小率を１／Ｍとし、光軸ＲＸ上に
おいてマスク６および試料１０間の距離をＭ：１に内分
する点をクロスオーバＣＯと定義したときに、クロスオ
ーバＣＯを挟んで配置された電磁レンズ８０および８１
間には以下のような関係が成り立つ。
形態を説明する図である。本実施の形態では、図１の投
影レンズ８が２段の電磁レンズ８０，８１によって構成
されている。なお、図１と同一の部分には同一の符号を
付した。転写装置の縮小率を１／Ｍとし、光軸ＲＸ上に
おいてマスク６および試料１０間の距離をＭ：１に内分
する点をクロスオーバＣＯと定義したときに、クロスオ
ーバＣＯを挟んで配置された電磁レンズ８０および８１
間には以下のような関係が成り立つ。
【００２３】すなわち、電磁レンズ８０に関して、その
主面８０ａとクロスオーバＣＯとの距離をＬＣ1、磁極
８０１および８０２のボーア半径をそれぞれＲ1，Ｒ2、
クロスオーバＣＯと磁極８０１のクロスオーバ側の面８
０１ａおよび磁極８０２のマスク側の面８０２ａとの距
離をそれぞれＡ1，Ａ2とし、電磁レンズ８１に関して、
その主面８１ａとクロスオーバＣＯとの距離をＬＣ2、
磁極８１１，８１２のボーア半径をそれぞれｒ1，ｒ2、
クロスオーバＣＯと磁極８１１のクロスオーバ側の面８
１１ａおよび磁極８１２の試料側の面８１２ａとの距離
をそれぞれａ1，ａ2としたときに、
主面８０ａとクロスオーバＣＯとの距離をＬＣ1、磁極
８０１および８０２のボーア半径をそれぞれＲ1，Ｒ2、
クロスオーバＣＯと磁極８０１のクロスオーバ側の面８
０１ａおよび磁極８０２のマスク側の面８０２ａとの距
離をそれぞれＡ1，Ａ2とし、電磁レンズ８１に関して、
その主面８１ａとクロスオーバＣＯとの距離をＬＣ2、
磁極８１１，８１２のボーア半径をそれぞれｒ1，ｒ2、
クロスオーバＣＯと磁極８１１のクロスオーバ側の面８
１１ａおよび磁極８１２の試料側の面８１２ａとの距離
をそれぞれａ1，ａ2としたときに、
【数１５】ＬＣ1／ＬＣ2＝Ｍ …（７） Ｒ1／ｒ1＝Ｒ2／ｒ2＝Ｍ …（８） Ａ1／ａ1＝Ａ2／ａ2＝Ｍ …（９） が成り立つとともに、電磁レンズ８０および８１はＡＴ
（アンペア・ターン）数が等しく、それぞれが形成する
磁場の向きが互いに逆向きになっている。
（アンペア・ターン）数が等しく、それぞれが形成する
磁場の向きが互いに逆向きになっている。
【００２４】さらに、偏向器７，９に関して前述した式
（４）が成立しているとともに、偏向器７，９の内径お
よび光軸方向長さをそれぞれＤ7，Ｄ9およびＬ7，Ｌ9と
したときに、
（４）が成立しているとともに、偏向器７，９の内径お
よび光軸方向長さをそれぞれＤ7，Ｄ9およびＬ7，Ｌ9と
したときに、
【数１６】Ｄ7／Ｄ9＝Ｌ7／Ｌ9＝Ｍ …（１０） が成立している。また、マスク６から偏向器７に入射す
る電子ビームの軌道半径δ1は、偏向器９から試料１０
に入射する電子ビームの軌道半径δ2のＭ倍となってい
る。
る電子ビームの軌道半径δ1は、偏向器９から試料１０
に入射する電子ビームの軌道半径δ2のＭ倍となってい
る。
【００２５】電子銃１から放出された電子ビームは、第
１の実施の形態の装置と同様にして光軸ＲＸと平行な平
行ビームとされてマスク６上の副視野６ａａに照射され
る。マスク６を透過した電子ビームは偏向器７で光軸Ｒ
Ｘ方向に角度−βだけ偏向され、電磁レンズ８０で集束
されてクロスオーバＣＯを通過する。このとき、偏向器
７による偏向量（−β）は、電磁レンズ８０を通過した
電子ビームがクロスオーバＣＯ通過するように設定され
る。電子ビームは電磁レンズ８１を通過した後に、偏向
器９によって角度＋βだけ偏向されて試料１０に垂直に
入射する。なお、電子ビームが光軸から遠く離れた副視
野を通った場合には、光軸付近の副視野を通った場合に
比べて光路長が長くなるため合焦条件からズレが生じる
が、電磁レンズ８０，８１の励磁電流を調整して全ての
副視野で合焦条件を満足するようにしている。
１の実施の形態の装置と同様にして光軸ＲＸと平行な平
行ビームとされてマスク６上の副視野６ａａに照射され
る。マスク６を透過した電子ビームは偏向器７で光軸Ｒ
Ｘ方向に角度−βだけ偏向され、電磁レンズ８０で集束
されてクロスオーバＣＯを通過する。このとき、偏向器
７による偏向量（−β）は、電磁レンズ８０を通過した
電子ビームがクロスオーバＣＯ通過するように設定され
る。電子ビームは電磁レンズ８１を通過した後に、偏向
器９によって角度＋βだけ偏向されて試料１０に垂直に
入射する。なお、電子ビームが光軸から遠く離れた副視
野を通った場合には、光軸付近の副視野を通った場合に
比べて光路長が長くなるため合焦条件からズレが生じる
が、電磁レンズ８０，８１の励磁電流を調整して全ての
副視野で合焦条件を満足するようにしている。
【００２６】上述したように投影レンズ８を２段の電磁
レンズ８０，８１で構成し、マスク６を透過した電子ビ
ームを偏向器７によって光軸ＲＸ方向に偏向し、電子ビ
ームが投影レンズ８を構成する電磁レンズ８０，８１の
レンズ中心の近傍を通過するようにしているため、像面
湾曲収差および非点収差も含めてレンズ収差を小さくす
ることができる。特に、本実施の形態では、投影レンズ
８は対称磁気ダブレット条件のうち、電磁レンズ８０の
主面８０ａをマスク６とクロスオーバＣＯの中間に配置
し、電磁レンズ８１の主面８１ａを試料１０とクロスオ
ーバＣＯの中間に配置するという条件のみを除いて他の
全ての条件を満足しているので、レンズ収差がさらに減
少する。また、本実施例においても偏向器７および９の
偏向方向は互いに逆方向なので、第１の実施例と同様の
効果を得ることができる。さらに、投影レンズおよび偏
向器をそれぞれ２段で構成し、前段の電磁レンズ８０で
発生した収差は後段の電磁レンズ８１で発生する収差で
打ち消し、前段の偏向器７で発生した収差は後段の偏向
器９で発生する収差で打ち消すようにしているため、そ
れぞれの収差を別々に取り扱うことができ、光学系の設
計が容易になる。
レンズ８０，８１で構成し、マスク６を透過した電子ビ
ームを偏向器７によって光軸ＲＸ方向に偏向し、電子ビ
ームが投影レンズ８を構成する電磁レンズ８０，８１の
レンズ中心の近傍を通過するようにしているため、像面
湾曲収差および非点収差も含めてレンズ収差を小さくす
ることができる。特に、本実施の形態では、投影レンズ
８は対称磁気ダブレット条件のうち、電磁レンズ８０の
主面８０ａをマスク６とクロスオーバＣＯの中間に配置
し、電磁レンズ８１の主面８１ａを試料１０とクロスオ
ーバＣＯの中間に配置するという条件のみを除いて他の
全ての条件を満足しているので、レンズ収差がさらに減
少する。また、本実施例においても偏向器７および９の
偏向方向は互いに逆方向なので、第１の実施例と同様の
効果を得ることができる。さらに、投影レンズおよび偏
向器をそれぞれ２段で構成し、前段の電磁レンズ８０で
発生した収差は後段の電磁レンズ８１で発生する収差で
打ち消し、前段の偏向器７で発生した収差は後段の偏向
器９で発生する収差で打ち消すようにしているため、そ
れぞれの収差を別々に取り扱うことができ、光学系の設
計が容易になる。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
マスクのどの副視野を通過した荷電粒子線であっても、
第１の偏向器によって投影レンズのレンズ中心またはレ
ンズ中心の近傍を通過するように偏向されるため、転写
像へのレンズ収差の影響を低減することができる。ま
た、第１および第２の偏向器によって生じる偏向収差は
互いに打ち消し合うため、荷電粒子線を偏向することに
よって発生する偏向収差の転写像への影響を抑えること
ができる。その結果、従来の転写装置に比べて大きな視
野を得ることができるため、スループットの向上を図る
ことができる。さらに投影レンズの口径を小さくするこ
とができ、光学系の小型化，軽量化を図ることができ
る。特に請求項４〜６の発明では、投影レンズおよび偏
向器をそれぞれ２段で構成し、前段のレンズで発生した
収差は後段のレンズで発生する収差で打ち消し、前段の
偏向器で発生した収差は後段の偏向器で発生する収差で
打ち消すようにしているため、それぞれの収差を別々に
取り扱うことができ、光学系の設計が容易になる。
マスクのどの副視野を通過した荷電粒子線であっても、
第１の偏向器によって投影レンズのレンズ中心またはレ
ンズ中心の近傍を通過するように偏向されるため、転写
像へのレンズ収差の影響を低減することができる。ま
た、第１および第２の偏向器によって生じる偏向収差は
互いに打ち消し合うため、荷電粒子線を偏向することに
よって発生する偏向収差の転写像への影響を抑えること
ができる。その結果、従来の転写装置に比べて大きな視
野を得ることができるため、スループットの向上を図る
ことができる。さらに投影レンズの口径を小さくするこ
とができ、光学系の小型化，軽量化を図ることができ
る。特に請求項４〜６の発明では、投影レンズおよび偏
向器をそれぞれ２段で構成し、前段のレンズで発生した
収差は後段のレンズで発生する収差で打ち消し、前段の
偏向器で発生した収差は後段の偏向器で発生する収差で
打ち消すようにしているため、それぞれの収差を別々に
取り扱うことができ、光学系の設計が容易になる。
【図１】本発明による荷電粒子線転写装置の第１の実施
の形態を説明する図。
の形態を説明する図。
【図２】マスク６の主視野６ａおよび副視野６ａａを説
明する図。
明する図。
【図３】鞍型およびトロイダル型電磁偏向器を説明する
図。
図。
【図４】８極子型静電偏向器を説明する図。
【図５】本発明による荷電粒子線転写装置の第２の実施
の形態を説明する図。
の形態を説明する図。
【図６】対称磁気ダブレット方式の荷電粒子線転写装置
を説明する図。
を説明する図。
１ 電子銃 ２ アパーチャ ３，５ コンデンサレンズ ６ マスク ６ａ 主視野 ６ａａ 副視野 ７，９ 偏向器 ８ 投影レンズ ８０，８１ 電磁レンズ
Claims (11)
- 【請求項１】 マスク上の主視野を複数の副視野に分割
し、荷電粒子線を投影レンズで試料上に結像して前記副
視野のそれぞれに含まれるパターンを順次転写すること
により、前記マスクのパターンを試料上に転写する荷電
粒子線転写装置において、 前記副視野を通過した荷電粒子線を前記投影レンズのレ
ンズ中心またはレンズ中心の近傍を通過するように偏向
する第１の偏向器と、 前記投影レンズを通過した荷電粒子線を前記第１の偏向
器の偏向方向に対して逆方向に偏向し、前記マスク上に
おける前記副視野の位置に対応する前記試料上の位置に
導く第２の偏向器とを備えることを特徴とする荷電粒子
線転写装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の荷電粒子線転写装置に
おいて、 前記投影レンズは一段のレンズで構成され、前記第１の
偏向器によって偏向された荷電粒子線のクロスオーバと
前記投影レンズの主面とが一致することを特徴とする荷
電粒子線転写装置。 - 【請求項３】 請求項２に記載の荷電粒子線転写装置に
おいて、 前記投影レンズの縮小率を１／Ｍとしたときに、前記投
影レンズの主面と前記第１の偏向器の偏向中心および第
２の偏向器の偏向中心との距離Ｌ1，Ｌ2は、 【数１】Ｌ1／Ｌ2＝Ｍ を満足していることを特徴とする荷電粒子線転写装置。 - 【請求項４】 請求項１に記載の荷電粒子線転写装置に
おいて、 前記投影レンズは二段のレンズで構成され、前記荷電粒
子線転写装置の縮小率が１／Ｍで、前記マスクと前記試
料との距離をＭ：１に内分する光軸上の点をクロスオー
バとしたときに、前記第１の偏向器はマスクからの荷電
粒子線が前記クロスオーバを通るように偏向することを
特徴とする荷電粒子線転写装置。 - 【請求項５】 請求項４に記載の荷電粒子線転写装置に
おいて、 前記投影レンズはマスク側電磁レンズおよび試料側電磁
レンズの二段の電磁レンズで構成され、前記マスク側電
磁レンズのマスク側磁極のボーア半径Ｒ1および試料側
磁極のボーア半径Ｒ2と、前記試料側電磁レンズのマス
ク側磁極のボーア半径ｒ2および試料側磁極のボーア半
径ｒ1との間に、 【数２】Ｒ1／ｒ1＝Ｍ または、 【数３】Ｒ2／ｒ2＝Ｍ が成立することを特徴とする荷電粒子線転写装置。 - 【請求項６】 請求項４に記載の荷電粒子線転写装置に
おいて、 前記投影レンズはマスク側電磁レンズおよび試料側電磁
レンズの二段の電磁レンズで構成され、前記マスク側電
磁レンズおよび試料側電磁レンズのＡＴ（アンペア・タ
ーン）数が等しく、それぞれが形成する磁場の向きが互
いに逆向きであることを特徴とする荷電粒子線転写装
置。 - 【請求項７】 請求項１〜４のいずれかに記載の荷電粒
子線転写装置において、 前記荷電粒子線には電子ビームを用い、前記投影レンズ
を磁気レンズで構成したことを特徴とする荷電粒子線転
写装置。 - 【請求項８】 請求項１〜４のいずれかに記載の荷電粒
子線転写装置において、 前記荷電粒子線にはイオンビームを用い、前記投影レン
ズを静電レンズで、前記第１および第２の偏向器を静電
偏向器でそれぞれ構成したことを特徴とする荷電粒子線
転写装置。 - 【請求項９】 請求項１〜８に記載の荷電粒子線転写装
置において、 前記第１および第２の偏向器を８極子型静電偏向器とし
たことを特徴とする荷電粒子線転写装置。 - 【請求項１０】 請求項１〜７のいずれかに記載の荷電
粒子線転写装置において、 第１の偏向器の内径Ｄ7および軸方向長さＬ7と第２の偏
向器の内径Ｄ9および軸方向長さＬ9との間に、 【数４】Ｄ7／Ｄ9＝Ｍ または、 【数５】Ｌ7／Ｌ9＝Ｍ が成立することを特徴とする荷電粒子線転写装置。 - 【請求項１１】 請求項１０に記載の荷電粒子線転写装
置において、 前記第１および第２の偏向器をトロイダル型または鞍型
の電磁偏向器としたことを特徴とする荷電粒子線転写装
置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7285118A JPH09129543A (ja) | 1995-11-01 | 1995-11-01 | 荷電粒子線転写装置 |
| US08/739,816 US5747819A (en) | 1995-11-01 | 1996-10-30 | Charged particle beam transfer device exhibiting low aberration |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7285118A JPH09129543A (ja) | 1995-11-01 | 1995-11-01 | 荷電粒子線転写装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09129543A true JPH09129543A (ja) | 1997-05-16 |
Family
ID=17687358
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7285118A Pending JPH09129543A (ja) | 1995-11-01 | 1995-11-01 | 荷電粒子線転写装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5747819A (ja) |
| JP (1) | JPH09129543A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1097979A (ja) * | 1996-09-25 | 1998-04-14 | Nikon Corp | 縮小投影装置 |
| US6060711A (en) * | 1997-01-27 | 2000-05-09 | Nikon Corporation | Charged-particle optical systems and pattern transfer apparatus comprising same |
| JPH10294255A (ja) * | 1997-04-17 | 1998-11-04 | Canon Inc | 電子ビーム照明装置、および該電子ビーム照明装置を備えた露光装置 |
| JPH10303119A (ja) * | 1997-04-30 | 1998-11-13 | Nikon Corp | 電子線転写露光方法 |
| JPH1131470A (ja) * | 1997-07-08 | 1999-02-02 | Nikon Corp | 電子光学系 |
| US6069363A (en) * | 1998-02-26 | 2000-05-30 | International Business Machines Corporation | Magnetic-electrostatic symmetric doublet projection lens |
| US6011269A (en) * | 1998-04-10 | 2000-01-04 | Etec Systems, Inc. | Shaped shadow projection for an electron beam column |
| JP2000164165A (ja) * | 1998-09-21 | 2000-06-16 | Nikon Corp | 荷電粒子線露光装置 |
| US6420713B1 (en) * | 1999-04-28 | 2002-07-16 | Nikon Corporation | Image position and lens field control in electron beam systems |
| WO2002001597A1 (fr) * | 2000-06-27 | 2002-01-03 | Ebara Corporation | Appareil d'inspection a faisceau de particules chargees et procede de fabrication d'un dispositif utilisant cet appareil d'inspection |
| TWI294632B (en) | 2000-06-27 | 2008-03-11 | Ebara Corp | Inspecting device using an electron ebam and method for making semiconductor devices with such inspection device |
| WO2002013227A1 (fr) * | 2000-07-27 | 2002-02-14 | Ebara Corporation | Appareil d'analyse a faisceau plan |
| DE10044199B9 (de) | 2000-09-07 | 2005-07-28 | Carl Zeiss Smt Ag | Ablenkanordnung und Projektionssystem für geladene Teilchen |
| DE10109965A1 (de) * | 2001-03-01 | 2002-09-12 | Zeiss Carl | Teilchenoptische Linsenanordnung und Verfahren unter Einsatz einer solchen Linsenanordnung |
| JP3968334B2 (ja) * | 2002-09-11 | 2007-08-29 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置及び荷電粒子線照射方法 |
| US7034297B2 (en) * | 2003-03-05 | 2006-04-25 | Applied Materials, Israel, Ltd. | Method and system for use in the monitoring of samples with a charged particle beam |
| JP5230148B2 (ja) * | 2007-09-04 | 2013-07-10 | キヤノン株式会社 | 荷電粒子線描画装置及びデバイス製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5466904A (en) * | 1993-12-23 | 1995-11-14 | International Business Machines Corporation | Electron beam lithography system |
| US5635719A (en) * | 1996-07-23 | 1997-06-03 | International Business Machines Corporation | Variable curvilinear axis deflection means for particle optical lenses |
-
1995
- 1995-11-01 JP JP7285118A patent/JPH09129543A/ja active Pending
-
1996
- 1996-10-30 US US08/739,816 patent/US5747819A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5747819A (en) | 1998-05-05 |
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