JPH10302691A - 投影レンズ系 - Google Patents
投影レンズ系Info
- Publication number
- JPH10302691A JPH10302691A JP9105792A JP10579297A JPH10302691A JP H10302691 A JPH10302691 A JP H10302691A JP 9105792 A JP9105792 A JP 9105792A JP 10579297 A JP10579297 A JP 10579297A JP H10302691 A JPH10302691 A JP H10302691A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- deflector
- lens
- crossover
- val
- projection lens
- Prior art date
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ４ギガより大きいメモリ−素子を電子線
露光により高いスル−プットで製作するには現在のＳＭ
Ｄ、ＶＡＬ、ＰＲＥＶＡＩＬ等の方式では不可能であ
る。本発明はこの点の実現の為になされたもので、高精
細な描画を高スル−プットで行うレンズ系の提供を目的
とする。 【解決手段】 基本的には、ＳＭＤの利点である広域な
低歪収差特性とＶＡＬ、ＰＲＥＶＡＩＬ方式の利点であ
る高開口特性を利用したもので、更に必要は偏向器に関
しては、互いにその収差を打ち消すような設計にした。
露光により高いスル−プットで製作するには現在のＳＭ
Ｄ、ＶＡＬ、ＰＲＥＶＡＩＬ等の方式では不可能であ
る。本発明はこの点の実現の為になされたもので、高精
細な描画を高スル−プットで行うレンズ系の提供を目的
とする。 【解決手段】 基本的には、ＳＭＤの利点である広域な
低歪収差特性とＶＡＬ、ＰＲＥＶＡＩＬ方式の利点であ
る高開口特性を利用したもので、更に必要は偏向器に関
しては、互いにその収差を打ち消すような設計にした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、４ギガＤＲＡＭ以
降のデバイスの製造に必要な高精細なパタ−ンを高いス
ル−プットをもって形成する場合に使用される、荷電粒
子線を用いた縮小転写装置用の投影レンズ系に関するも
のである。尚、明細書においては構成要素の配置の表現
に関し、電子線源側を上側とし、下側を下側とした。
降のデバイスの製造に必要な高精細なパタ−ンを高いス
ル−プットをもって形成する場合に使用される、荷電粒
子線を用いた縮小転写装置用の投影レンズ系に関するも
のである。尚、明細書においては構成要素の配置の表現
に関し、電子線源側を上側とし、下側を下側とした。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種の高精細パタ−ンを高スル
−プットをもって形成する技術としては、対称磁気ダブ
レット方式のレンズ（例えば、M.B.Heritage "Electro
n-projection microfabrication system" J.Vac.Sci.T
echol. Vol.12, No.6; 1975 P.1135) 、ＭＯＬ方式( 例
えば、H.Ohiwa "Design of electron-beam scanning sy
stem using the moving objective lens", J.Vac.Sci.T
ecnol. 15, 1978; P.849-85 ）、ＶＡＬ方式(H.C. Pfei
ffer G.O. Langer and M.Sturans "Variable axis le
ns for electron beams" Appl.Phys.Lett. 39(9), No
v. 1981; p. 775-776，ＰＲＥＶＡＩＬ方式（H.C. Pfei
ffer "Projection exposure with VariableAxis Immers
ion Lenses: A High-Throughput Electron Beam Approa
ch to “Suboptical" Lithography", Jpn.,J. Appl.Phy
s. Vol. 34, Pt.1, No.12B 1995; P.6685-6662 ）等の
レンズが公知である。
−プットをもって形成する技術としては、対称磁気ダブ
レット方式のレンズ（例えば、M.B.Heritage "Electro
n-projection microfabrication system" J.Vac.Sci.T
echol. Vol.12, No.6; 1975 P.1135) 、ＭＯＬ方式( 例
えば、H.Ohiwa "Design of electron-beam scanning sy
stem using the moving objective lens", J.Vac.Sci.T
ecnol. 15, 1978; P.849-85 ）、ＶＡＬ方式(H.C. Pfei
ffer G.O. Langer and M.Sturans "Variable axis le
ns for electron beams" Appl.Phys.Lett. 39(9), No
v. 1981; p. 775-776，ＰＲＥＶＡＩＬ方式（H.C. Pfei
ffer "Projection exposure with VariableAxis Immers
ion Lenses: A High-Throughput Electron Beam Approa
ch to “Suboptical" Lithography", Jpn.,J. Appl.Phy
s. Vol. 34, Pt.1, No.12B 1995; P.6685-6662 ）等の
レンズが公知である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記の対称磁気ダブレ
ット方式のレンズでは、光軸上の収差はかなり広い像面
視野にわたって小さいが、開口が大きくなると像面湾曲
及びフィ−ルド非点が大きくなって実用的ではなく、開
口を小さくすると電子−電子相互作用による像のボケが
大きくなり、これを避けるために電流密度を下げるとス
ル−プットが低下するという問題があった。一方、ＭＯ
Ｌ，ＶＡＬ，ＶＡＩＬ，ＰＲＥＶＡＩＬ方式のレンズで
はレンズの収差は改善されるが、偏向器の製作誤差によ
る収差は消せないため、特に大きい歪みが残る問題点が
あった。即ち いずれの方式も本願発明がめざす４ギガ
ＤＲＡＭ以降のデバイスの製造には不向きであった。本
発明はこの様な従来の問題点に鑑みてなされたもので、
レンズの収差が小さく、偏向器が発生する収差も小さ
く、安定に動作する投影レンズを提供する事を目的にし
ている。
ット方式のレンズでは、光軸上の収差はかなり広い像面
視野にわたって小さいが、開口が大きくなると像面湾曲
及びフィ−ルド非点が大きくなって実用的ではなく、開
口を小さくすると電子−電子相互作用による像のボケが
大きくなり、これを避けるために電流密度を下げるとス
ル−プットが低下するという問題があった。一方、ＭＯ
Ｌ，ＶＡＬ，ＶＡＩＬ，ＰＲＥＶＡＩＬ方式のレンズで
はレンズの収差は改善されるが、偏向器の製作誤差によ
る収差は消せないため、特に大きい歪みが残る問題点が
あった。即ち いずれの方式も本願発明がめざす４ギガ
ＤＲＡＭ以降のデバイスの製造には不向きであった。本
発明はこの様な従来の問題点に鑑みてなされたもので、
レンズの収差が小さく、偏向器が発生する収差も小さ
く、安定に動作する投影レンズを提供する事を目的にし
ている。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明では以下に記す手段を用いた。第１の手段と
して、マスクのパタ−ンを試料に１／Ｎに縮小投影する
系で、クロスオ−バ−位置がマスクと試料間をＮ：１に
内分する点であり、クロスオ−バ−より上側及び下側に
それぞれ、１個のレンズとｍ（２≦ｍ）個の偏向器を有
する系に対して、２つのレンズは対称磁気ダブレット条
件（後述の条件参照）を満たし、上側のレンズと偏向
器、および下側のレンズと偏向器はＶＡＬ条件（後述の
条件参照、また、例えば、前掲の文献参照）を満たし、
上側の偏向器と下側の偏向器は収差を打ち消しあうよう
にした。（ＶＡＬ条件を満たす磁場を発生する偏向器を
ＶＡＬ偏向器と記す。） 第２の手段として、第１の手段に更に、ＶＡＬ偏向器と
ほぼ同一光軸方向位置に且つ上記偏向器とは異なる位相
にビ−ムを偏向させる偏向器を設けた。
め、本発明では以下に記す手段を用いた。第１の手段と
して、マスクのパタ−ンを試料に１／Ｎに縮小投影する
系で、クロスオ−バ−位置がマスクと試料間をＮ：１に
内分する点であり、クロスオ−バ−より上側及び下側に
それぞれ、１個のレンズとｍ（２≦ｍ）個の偏向器を有
する系に対して、２つのレンズは対称磁気ダブレット条
件（後述の条件参照）を満たし、上側のレンズと偏向
器、および下側のレンズと偏向器はＶＡＬ条件（後述の
条件参照、また、例えば、前掲の文献参照）を満たし、
上側の偏向器と下側の偏向器は収差を打ち消しあうよう
にした。（ＶＡＬ条件を満たす磁場を発生する偏向器を
ＶＡＬ偏向器と記す。） 第２の手段として、第１の手段に更に、ＶＡＬ偏向器と
ほぼ同一光軸方向位置に且つ上記偏向器とは異なる位相
にビ−ムを偏向させる偏向器を設けた。
【０００５】第３の手段として、第１，第２の手段をよ
り効果的に実施するものであるが、クロスオ−バ−位置
より上側にｊ番目（１≦ｊ≦ｍ）の偏向器と下側にｊ番
目の偏向器との関係が、その寸法と位置の条件として、
クロスオ−バ−を中心とした下側の偏向器のＮ倍の相似
形は上側の偏向器とクロスオ−バ−を中心として点対称
であり、且つ該偏向器の偏向場励磁条件を、互いにＡＴ
数の絶対値が等しく、磁界の向きが互いに逆になるよう
に通電して上側と下側の偏向器の収差を打ち消すように
した。
り効果的に実施するものであるが、クロスオ−バ−位置
より上側にｊ番目（１≦ｊ≦ｍ）の偏向器と下側にｊ番
目の偏向器との関係が、その寸法と位置の条件として、
クロスオ−バ−を中心とした下側の偏向器のＮ倍の相似
形は上側の偏向器とクロスオ−バ−を中心として点対称
であり、且つ該偏向器の偏向場励磁条件を、互いにＡＴ
数の絶対値が等しく、磁界の向きが互いに逆になるよう
に通電して上側と下側の偏向器の収差を打ち消すように
した。
【０００６】第４の手段として、上記第１乃至３の手段
をさらに効果的にするものであるが、レンズのボ−ア直
径は上側及び下側でそれぞれの最大視野直径の２倍以
下、クロスオ−バ−側では反対側のボ−ア直径の１／
１．５以下とした第５の手段として、上記第１乃至４の
手段をさらに効果的にするものであるが、レンズの磁極
間距離はそのレンズの大きい方のボ−ア直径の２倍以上
である事とした。
をさらに効果的にするものであるが、レンズのボ−ア直
径は上側及び下側でそれぞれの最大視野直径の２倍以
下、クロスオ−バ−側では反対側のボ−ア直径の１／
１．５以下とした第５の手段として、上記第１乃至４の
手段をさらに効果的にするものであるが、レンズの磁極
間距離はそのレンズの大きい方のボ−ア直径の２倍以上
である事とした。
【０００７】第６の手段として、上記第１乃至５の手段
をさらに効果的にするものであるが、ビ−ムを偏向する
偏向器をクロスオ−バ−の上側、下側それぞれに各３個
以上に配し、これにより少しずづ軌道を曲げるようにし
た。尚、本願発明でいう対称磁気ダブレット条件とは、 上側のレンズの主平面はマスクとクロスオ−バ−の
中点にあり、下側のレンズの主平面は試料とクロスオ−
バ−の中点にある。 クロスオ−バ−を中心とした下側のレンズのＮ倍の
相似形は上側のレンズとクロスオ−バ−を中心として点
対称になる。 結像場励磁条件として、互いにＡＴ数の絶対値が等
しく、電流の向きが互いに逆である、をいう。
をさらに効果的にするものであるが、ビ−ムを偏向する
偏向器をクロスオ−バ−の上側、下側それぞれに各３個
以上に配し、これにより少しずづ軌道を曲げるようにし
た。尚、本願発明でいう対称磁気ダブレット条件とは、 上側のレンズの主平面はマスクとクロスオ−バ−の
中点にあり、下側のレンズの主平面は試料とクロスオ−
バ−の中点にある。 クロスオ−バ−を中心とした下側のレンズのＮ倍の
相似形は上側のレンズとクロスオ−バ−を中心として点
対称になる。 結像場励磁条件として、互いにＡＴ数の絶対値が等
しく、電流の向きが互いに逆である、をいう。
【０００８】又、本願発明でいうＶＡＬ条件とは、光軸
上での光軸方向（ここではＺ方向とする）の磁場成分を
Ｂz （ｚ）とし、新に光軸をＸ方向（Ｚ軸に垂直方向）
にＸｏだけ移動させる時、移動の為にＸ方向に加える磁
場が、 Ｂx （ｚ）＝−（１／２）＊Ｘｏ＊（ｄＢｚ（ｚ）／ｄ
ｚ） を含むことをいう。
上での光軸方向（ここではＺ方向とする）の磁場成分を
Ｂz （ｚ）とし、新に光軸をＸ方向（Ｚ軸に垂直方向）
にＸｏだけ移動させる時、移動の為にＸ方向に加える磁
場が、 Ｂx （ｚ）＝−（１／２）＊Ｘｏ＊（ｄＢｚ（ｚ）／ｄ
ｚ） を含むことをいう。
【０００９】
【発明実施の形態】本発明においては、レンズは対称磁
気ダブレット条件を満たすので、光軸上での収差は小さ
い。また、上側のレンズと偏向器及び下側のレンズと偏
向器はＶＡＬ条件を満たすため、レンズの中心軸から遠
い位置のマスク像を試料に結像する時もレンズの光軸
（結像における近軸条件を満たす領域という意味の光
軸）が移動しているため本来の光軸上と同じレンズ収差
しか受けない。さらに、上側の偏向器と下側の偏向器は
互いに収差を打ち消しあう方向に設計されているため、
偏向器の軸外をビ−ムが通る事による偏向収差も小さ
い。
気ダブレット条件を満たすので、光軸上での収差は小さ
い。また、上側のレンズと偏向器及び下側のレンズと偏
向器はＶＡＬ条件を満たすため、レンズの中心軸から遠
い位置のマスク像を試料に結像する時もレンズの光軸
（結像における近軸条件を満たす領域という意味の光
軸）が移動しているため本来の光軸上と同じレンズ収差
しか受けない。さらに、上側の偏向器と下側の偏向器は
互いに収差を打ち消しあう方向に設計されているため、
偏向器の軸外をビ−ムが通る事による偏向収差も小さ
い。
【００１０】２番目の手段で、ＶＡＬ機能を持たせる偏
向コイルと、マスクからレンズの中心軸に平行に進んで
きた電子線を中心軸方向に偏向させる偏向器を独立した
形で設計できるため、消去のパラメ−タの自由度が増加
した事になり、収差を消す設計が容易になる。３番目の
手段ではクロスオ−バ−と試料間の構造寸法と電子線軌
道をすべて縮小率の逆数倍するとクロスオ−バ−を中心
として上側と点対称の関係になっている。従って、電子
線軌道及び偏向量が作る偏向磁場の関係が両者で相似形
で、向きが逆である。従って、上側、下側の偏向器が作
る収差はクロスオ−バ−を中心として互いに点対称関係
にある偏向器間で相殺され、これにより収差も小さくで
きる。
向コイルと、マスクからレンズの中心軸に平行に進んで
きた電子線を中心軸方向に偏向させる偏向器を独立した
形で設計できるため、消去のパラメ−タの自由度が増加
した事になり、収差を消す設計が容易になる。３番目の
手段ではクロスオ−バ−と試料間の構造寸法と電子線軌
道をすべて縮小率の逆数倍するとクロスオ−バ−を中心
として上側と点対称の関係になっている。従って、電子
線軌道及び偏向量が作る偏向磁場の関係が両者で相似形
で、向きが逆である。従って、上側、下側の偏向器が作
る収差はクロスオ−バ−を中心として互いに点対称関係
にある偏向器間で相殺され、これにより収差も小さくで
きる。
【００１１】４番目の手段で、クロスオ−バ−側のボ−
ア直径は最大視野直径の４／３以下になっているので、
上下のレンズの磁場は互いに影響を与えないので対称磁
気ダブレットの条件が崩れる事はなく、安定に動作す
る。５番目の手段で、レンズの磁性間距離を大きく取れ
るので、収差係数が小さくなり、小さい収差の投影レン
ズが得られる。
ア直径は最大視野直径の４／３以下になっているので、
上下のレンズの磁場は互いに影響を与えないので対称磁
気ダブレットの条件が崩れる事はなく、安定に動作す
る。５番目の手段で、レンズの磁性間距離を大きく取れ
るので、収差係数が小さくなり、小さい収差の投影レン
ズが得られる。
【００１２】６番目の手段でビ−ムを偏向する偏向器を
３個以上に，設けたため、軌道をゆっくり曲げられるた
め収差発生は小さい。本願発明の技術的思想は以上の様
であるが、以下に具体的な例を示す。
３個以上に，設けたため、軌道をゆっくり曲げられるた
め収差発生は小さい。本願発明の技術的思想は以上の様
であるが、以下に具体的な例を示す。
【００１３】
【実施例】第１図は本発明の一実施例である、縮小率１
／４の投影レンズの断面を片側のみ示したものである。
マスク１と試料２を４：１に内分する点をクロスオ−バ
−３と定義し、この位置には不図示の円形アパ−チャ−
を設けた。レンズ４とレンズ５はクロスオ−バ−から各
レンズの主要部迄の距離が互いに４：１の関係を満た
し、レンズの半径方向の寸法もすべて４：１の関係を満
たし、且つ４のレンズ主面及び５のレンズ主面はクロス
オ−バ−とマスク、クロスオ−バ−と試料間の中点に位
置し、レンズのＡＴ数は４と５で互いに絶対値が等し
く、磁場の向きが互いに逆方向になるように電流を流し
た。電子線の軌道は１３で示したようであり、クロスオ
−バ−を中心として、下側の軌道を４倍すると上側の軌
道と点対称の関係になった。図１の左側には、レンズの
軸上磁場を１４で、その微分値を１５の点線で示した。
偏向器６、７、８、９はＶＡＬ条件を満たす磁界を発生
させる。即ち、１５の点線で示した強度分布を基に、Ｂ
ｘ（ｚ）＝−（１／２）＊Ｘｏ＊（ｄＢｚ（ｚ）／ｄ
ｚ）を図に示した位置で発生させるようにした。従っ
て、電子線はレンズ軸上を進む事と同じになり、主光線
はレンズ作用を受けない。電子線を１３の軌道上を進め
るために６、７、９、８のコイルを設けた。６、７の偏
向用コイルの他に１１及び１０の偏向器を設け、電子線
を少しずつ偏向させる事により、収差の低減を図った。
偏向器６と８、７と９、１１と１０はそれぞれＲ方向
（Ｚ軸に対して直交する方向）の寸法及びクロスオ−バ
−からの距離がすべて４：１の関係に設計され、これら
のコイルのＡＴ数は絶対値が等しく、磁界の向きが互い
に逆になるように通電した。このレンズ系での最大視野
を直径１０ｍｍ（半径５ｍｍ）と制限した場合、このレ
ンズ５の試料側ボ−ア半径を１０ｍｍとし、クロスオ−
バ−側ボ−ア半径を５ｍｍとした。レンズ４については
これらの値の４倍である。
／４の投影レンズの断面を片側のみ示したものである。
マスク１と試料２を４：１に内分する点をクロスオ−バ
−３と定義し、この位置には不図示の円形アパ−チャ−
を設けた。レンズ４とレンズ５はクロスオ−バ−から各
レンズの主要部迄の距離が互いに４：１の関係を満た
し、レンズの半径方向の寸法もすべて４：１の関係を満
たし、且つ４のレンズ主面及び５のレンズ主面はクロス
オ−バ−とマスク、クロスオ−バ−と試料間の中点に位
置し、レンズのＡＴ数は４と５で互いに絶対値が等し
く、磁場の向きが互いに逆方向になるように電流を流し
た。電子線の軌道は１３で示したようであり、クロスオ
−バ−を中心として、下側の軌道を４倍すると上側の軌
道と点対称の関係になった。図１の左側には、レンズの
軸上磁場を１４で、その微分値を１５の点線で示した。
偏向器６、７、８、９はＶＡＬ条件を満たす磁界を発生
させる。即ち、１５の点線で示した強度分布を基に、Ｂ
ｘ（ｚ）＝−（１／２）＊Ｘｏ＊（ｄＢｚ（ｚ）／ｄ
ｚ）を図に示した位置で発生させるようにした。従っ
て、電子線はレンズ軸上を進む事と同じになり、主光線
はレンズ作用を受けない。電子線を１３の軌道上を進め
るために６、７、９、８のコイルを設けた。６、７の偏
向用コイルの他に１１及び１０の偏向器を設け、電子線
を少しずつ偏向させる事により、収差の低減を図った。
偏向器６と８、７と９、１１と１０はそれぞれＲ方向
（Ｚ軸に対して直交する方向）の寸法及びクロスオ−バ
−からの距離がすべて４：１の関係に設計され、これら
のコイルのＡＴ数は絶対値が等しく、磁界の向きが互い
に逆になるように通電した。このレンズ系での最大視野
を直径１０ｍｍ（半径５ｍｍ）と制限した場合、このレ
ンズ５の試料側ボ−ア半径を１０ｍｍとし、クロスオ−
バ−側ボ−ア半径を５ｍｍとした。レンズ４については
これらの値の４倍である。
【００１４】第２図は、ＶＡＬ偏向器と共に使用され
る、請求項２に係わる偏向器の配置図であり、第１図の
Ａ−Ａ’での、光軸に垂直な断面図である。６はＶＡＬ
偏向器であり、６’はビ−ム偏向用の偏向器である。こ
れらは、例えば鞍型に形成されたコイルによりなされ
る。
る、請求項２に係わる偏向器の配置図であり、第１図の
Ａ−Ａ’での、光軸に垂直な断面図である。６はＶＡＬ
偏向器であり、６’はビ−ム偏向用の偏向器である。こ
れらは、例えば鞍型に形成されたコイルによりなされ
る。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように、本願発明は対称磁
気ダブレット方式の優れた低歪収差性、ＶＡＬ、ＰＲＥ
ＶＡＩＬ方式の優れた大開口角特性を利用し、更にビ−
ムの偏向特性も改善されて、十分初期の目的に合うこと
が判る。また、光路長を短くしても十分レンズ設計が可
能であり、且つ開口角を大きくとれるので電子−電子相
互作用の低減も実現できる。
気ダブレット方式の優れた低歪収差性、ＶＡＬ、ＰＲＥ
ＶＡＩＬ方式の優れた大開口角特性を利用し、更にビ−
ムの偏向特性も改善されて、十分初期の目的に合うこと
が判る。また、光路長を短くしても十分レンズ設計が可
能であり、且つ開口角を大きくとれるので電子−電子相
互作用の低減も実現できる。
【図１】 本発明の実施例の投影レンズの断面を半分だ
け描いた図と、軸上磁場分布と、その微分波形である。
け描いた図と、軸上磁場分布と、その微分波形である。
【図２】 本願発明の偏向器の実施例である。
１ マスク ２ 試料 ３ クロスオ−バ− ４ 上側レンズ ５ 下側レンズ ６、７、９、８ ＶＡＬ偏向器 ６’ ＶＡＬ偏向器とともに配備され、電子線を偏向
する偏向器 １０、１１ 偏向器 １２ レンズの機械的中心軸 １３ 電子の軌道 １４ 光軸上の磁場のＺ成分の強度分布 １５ ＶＡＬ偏向器が基礎にすべき軸移動の基本磁場
要素
する偏向器 １０、１１ 偏向器 １２ レンズの機械的中心軸 １３ 電子の軌道 １４ 光軸上の磁場のＺ成分の強度分布 １５ ＶＡＬ偏向器が基礎にすべき軸移動の基本磁場
要素
Claims (6)
- 【請求項１】 マスクのパタ−ンを試料に１／Ｎに縮小
投影する系であって、クロスオ−バ−位置はマスクと試
料間をＮ：１に内分する点であり、クロスオ−バ−より
上側及び下側にそれぞれ、１個のレンズとｍ（２≦ｍ）
個の偏向器を有する系に於いて、 ２つのレンズは対称磁気ダブレット条件を満たし、上側
のレンズと偏向器および下側のレンズと偏向器はＶＡＬ
条件を満たし、上側の偏向器と下側の偏向器は収差を打
ち消しあうようにした事を特徴とする投影レンズ系。 - 【請求項２】 請求項１において、ＶＡＬ条件を満たす
偏向器とほぼ同一光軸方向位置に、且つ前記偏向量と異
なる位相に、ビ−ムを偏向する偏向器を設けたことを特
徴とする投影レンズ系。 - 【請求項３】 クロスオ−バ−位置より上側にｊ番目
（１≦ｊ≦ｍ）の偏向器と下側にｊ番目の偏向器との関
係をクロスオ−バ−を中心とした下側の偏向器のＮ倍の
相似形が上側の偏向器とクロスオ−バ−を中心として点
対称であるようにし、且つ該偏向器の偏向場励磁条件
を、互いにＡＴ数の絶対値が等しく、磁界の向きが互い
に逆になるように通電して上側と下側の偏向器の収差を
打ち消すようにした、請求項１または２記載の投影レン
ズ系。 - 【請求項４】 請求項１乃至３において、レンズのボ−
ア直径は上側及び下側でそれぞれの最大視野直径の２倍
以下、クロスオ−バ−側では反対側のボ−ア直径の１／
１．５以下である事を特徴とする投影レンズ系。 - 【請求項５】 請求項１乃至４において、レンズの磁極
間距離はそのレンズの大きい方のボ−ア直径の２倍以上
である事を特徴とする投影レンズ系。 - 【請求項６】 請求項１乃至５において、ビ−ムを偏向
する偏向器をクロスオ−バ−の上側、下側それぞれに各
３個以上に配し、これにより少しずづ軌道を曲げる事を
特徴とする投影レンズ系
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9105792A JPH10302691A (ja) | 1997-04-23 | 1997-04-23 | 投影レンズ系 |
| US09/064,978 US6064071A (en) | 1997-04-23 | 1998-04-23 | Charged-particle-beam optical systems |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9105792A JPH10302691A (ja) | 1997-04-23 | 1997-04-23 | 投影レンズ系 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10302691A true JPH10302691A (ja) | 1998-11-13 |
Family
ID=14416991
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9105792A Pending JPH10302691A (ja) | 1997-04-23 | 1997-04-23 | 投影レンズ系 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10302691A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1091383A2 (en) * | 1999-10-07 | 2001-04-11 | Lucent Technologies Inc. | Electron beam imaging apparatus |
| JP2004538632A (ja) * | 2001-07-25 | 2004-12-24 | ツェーエーオーエス コレクテッド エレクトロン オプチカル システムズ ゲーエムベーハー | 粒子ビームのスリット・レンズの配列 |
| WO2015080978A1 (en) * | 2013-11-26 | 2015-06-04 | Kla-Tencor Corporation | Asymmetric electrostatic quadrupole deflector for improved field uniformity |
-
1997
- 1997-04-23 JP JP9105792A patent/JPH10302691A/ja active Pending
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| EP1091383A3 (en) * | 1999-10-07 | 2005-01-19 | Lucent Technologies Inc. | Electron beam imaging apparatus |
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