JPH05175110A - 近接効果補正装置 - Google Patents
近接効果補正装置Info
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- JPH05175110A JPH05175110A JP3356258A JP35625891A JPH05175110A JP H05175110 A JPH05175110 A JP H05175110A JP 3356258 A JP3356258 A JP 3356258A JP 35625891 A JP35625891 A JP 35625891A JP H05175110 A JPH05175110 A JP H05175110A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 近接効果の補正を本来の描画装置とは別体で
より簡単に且つ高いスループットで行う。 【構成】 有限の大きさの光源１と、電子線露光時の後
方散乱電子の拡がり半径より小さいピッチで多数の開口
が形成されたマスク４と、光源１からの光ＩＬを所定の
拡がり角θの照明光に変換してそのマスク４に導くコン
デンサレンズ３とを有する。近接効果補正時には、マス
ク４から所定の距離Ｄだけ離れた位置に配置された被補
正感光板５にマスク４を介して補正露光を行う。
より簡単に且つ高いスループットで行う。 【構成】 有限の大きさの光源１と、電子線露光時の後
方散乱電子の拡がり半径より小さいピッチで多数の開口
が形成されたマスク４と、光源１からの光ＩＬを所定の
拡がり角θの照明光に変換してそのマスク４に導くコン
デンサレンズ３とを有する。近接効果補正時には、マス
ク４から所定の距離Ｄだけ離れた位置に配置された被補
正感光板５にマスク４を介して補正露光を行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば電子線描画ある
いは電子線露光を行った感光基板で生ずる近接効果を補
正するための近接効果補正装置に関する。
いは電子線露光を行った感光基板で生ずる近接効果を補
正するための近接効果補正装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子線描画装置を用いて電子線レジスト
が塗布された半導体ウェハ等の感光基板に電子線描画又
は電子線露光を行うと、所謂近接効果によりパターンの
線幅等が設計値から外れる場合がある。近接効果の主な
要因は、感光基板に入射した電子線の後方散乱である。
従って、近接効果を補正するためには、その後方散乱電
子による感光基板の露光量を感光基板の全面で実質的に
等しくすればよく、従来は例えばゴースト法により補正
が行われていた。
が塗布された半導体ウェハ等の感光基板に電子線描画又
は電子線露光を行うと、所謂近接効果によりパターンの
線幅等が設計値から外れる場合がある。近接効果の主な
要因は、感光基板に入射した電子線の後方散乱である。
従って、近接効果を補正するためには、その後方散乱電
子による感光基板の露光量を感光基板の全面で実質的に
等しくすればよく、従来は例えばゴースト法により補正
が行われていた。
【０００３】ゴースト法においては、感光基板に描画又
は転写されたパターンの反転パターンの像をボケの大き
い電子ビームで同一の感光基板上に露光することによ
り、後方散乱による露光量が均一化される。また、従来
は電子線描画装置がそれぞれ近接効果補正機能を有し、
その装置自体で近接効果の補正が行われていた。
は転写されたパターンの反転パターンの像をボケの大き
い電子ビームで同一の感光基板上に露光することによ
り、後方散乱による露光量が均一化される。また、従来
は電子線描画装置がそれぞれ近接効果補正機能を有し、
その装置自体で近接効果の補正が行われていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ように電子線描画装置自体で近接効果の補正を行う場合
には、本来のパターンの描画が終わってから、更にマシ
ンタイムを使って反転パターンの補正描画を行う必要が
あり、スループットが補正描画分だけ低下する不都合が
ある。更に、本来のパターンが複雑なパターンである場
合には、正確な反転パターンを描画又は露光することが
困難である場合もある。
ように電子線描画装置自体で近接効果の補正を行う場合
には、本来のパターンの描画が終わってから、更にマシ
ンタイムを使って反転パターンの補正描画を行う必要が
あり、スループットが補正描画分だけ低下する不都合が
ある。更に、本来のパターンが複雑なパターンである場
合には、正確な反転パターンを描画又は露光することが
困難である場合もある。
【０００５】また、例えば所謂セル・プロジェクション
方式の描画装置等では近接効果の補正そのものが困難で
あるという不都合がある。本発明は斯かる点に鑑み、近
接効果の補正を本来の描画装置とは別体でより簡単に且
つ高いスループットで実行できる近接効果補正装置を提
供することを目的とする。
方式の描画装置等では近接効果の補正そのものが困難で
あるという不都合がある。本発明は斯かる点に鑑み、近
接効果の補正を本来の描画装置とは別体でより簡単に且
つ高いスループットで実行できる近接効果補正装置を提
供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明による第１の近接
効果補正装置は、例えば図１に示す如く、有限の大きさ
の光源（１）と、電子線露光時の後方散乱電子の拡がり
半径より小さいピッチで多数の開口が形成されたマスク
（４）と、その光源（１）からの光ＩＬを所定の拡がり
角θの照明光に変換してそのマスク（４）に導くコンデ
ンサレンズ（４）とを有し、近接効果補正時にそのマス
ク（４）から所定の距離Ｄだけ離れた位置に配置された
被補正感光板（５）に、そのマスク（４）を介して補正
露光を行うものである。
効果補正装置は、例えば図１に示す如く、有限の大きさ
の光源（１）と、電子線露光時の後方散乱電子の拡がり
半径より小さいピッチで多数の開口が形成されたマスク
（４）と、その光源（１）からの光ＩＬを所定の拡がり
角θの照明光に変換してそのマスク（４）に導くコンデ
ンサレンズ（４）とを有し、近接効果補正時にそのマス
ク（４）から所定の距離Ｄだけ離れた位置に配置された
被補正感光板（５）に、そのマスク（４）を介して補正
露光を行うものである。
【０００７】この場合、例えば図２に示すように、被補
正感光板（５）のパターン描画領域（６Ａ）及びこの描
画領域の周辺の後方散乱電子の拡がりの幅φ／２より広
い幅Ｗの追加領域（６Ｂ）に対応するそのマスク（４）
上の領域（８）を、後方散乱電子の拡がり半径φ／２よ
り小さいピッチで開口を有する多数の小領域（９1 ，９
2 ，９3 ，‥‥）に分割し、パターン描画時の後方散乱
電子によるその被補正感光板（５）への露光量と補正露
光量との和が一定になるようにそれら小領域の開口の大
きさを決めることが望ましい。
正感光板（５）のパターン描画領域（６Ａ）及びこの描
画領域の周辺の後方散乱電子の拡がりの幅φ／２より広
い幅Ｗの追加領域（６Ｂ）に対応するそのマスク（４）
上の領域（８）を、後方散乱電子の拡がり半径φ／２よ
り小さいピッチで開口を有する多数の小領域（９1 ，９
2 ，９3 ，‥‥）に分割し、パターン描画時の後方散乱
電子によるその被補正感光板（５）への露光量と補正露
光量との和が一定になるようにそれら小領域の開口の大
きさを決めることが望ましい。
【０００８】また、本発明による第２の近接効果補正装
置は、有限の大きさの荷電粒子線源と、電子線露光時の
後方散乱電子の拡がり半径より小さいピッチで多数の開
口が形成された電子線透過マスクと、その荷電粒子線源
からの荷電粒子線を所定の拡がり角の照射ビームに変換
してその電子線透過マスクに導くコンデンサレンズとを
有し、近接効果補正時にその電子線透過マスクから所定
の距離だけ離れた位置に配置された被補正感光板にその
電子線透過マスクを介してその荷電粒子線を照射するも
のである。
置は、有限の大きさの荷電粒子線源と、電子線露光時の
後方散乱電子の拡がり半径より小さいピッチで多数の開
口が形成された電子線透過マスクと、その荷電粒子線源
からの荷電粒子線を所定の拡がり角の照射ビームに変換
してその電子線透過マスクに導くコンデンサレンズとを
有し、近接効果補正時にその電子線透過マスクから所定
の距離だけ離れた位置に配置された被補正感光板にその
電子線透過マスクを介してその荷電粒子線を照射するも
のである。
【０００９】
【作用】斯かる本発明の第１の近接効果補正装置によれ
ば、有限の大きさの光源（１）から発散する光ＩＬの主
光線をコンデンサレンズ（３）で平行光線にすると、光
源（１）の幅と光源（１）からコンデンサレンズ（３）
の物側主平面までの距離で決まる角度θの不平行成分を
持つ照明光、即ち拡がり角θの照明光が得られる。この
照明光でマスク（４）を照明すると、マスク（４）の開
口を出た光は、不平行成分のためにわずかに広がりを持
って被補正感光板（５）を照明する。この場合、マスク
（４）と被補正感光板（５）との間隔Ｄを調整すること
により、マスク（４）の小さい開口から出た照明光が、
丁度被補正感光板（５）上で後方散乱電子の拡がり領域
と同程度の領域に拡がるようにする。この場合、光源
（１）の強度分布がガウス型であれば、被補正感光板
（５）上での強度分布も後方散乱電子と同様のガウス型
となるので、光源（１）の強度分布はガウス型であるこ
とが望ましい。
ば、有限の大きさの光源（１）から発散する光ＩＬの主
光線をコンデンサレンズ（３）で平行光線にすると、光
源（１）の幅と光源（１）からコンデンサレンズ（３）
の物側主平面までの距離で決まる角度θの不平行成分を
持つ照明光、即ち拡がり角θの照明光が得られる。この
照明光でマスク（４）を照明すると、マスク（４）の開
口を出た光は、不平行成分のためにわずかに広がりを持
って被補正感光板（５）を照明する。この場合、マスク
（４）と被補正感光板（５）との間隔Ｄを調整すること
により、マスク（４）の小さい開口から出た照明光が、
丁度被補正感光板（５）上で後方散乱電子の拡がり領域
と同程度の領域に拡がるようにする。この場合、光源
（１）の強度分布がガウス型であれば、被補正感光板
（５）上での強度分布も後方散乱電子と同様のガウス型
となるので、光源（１）の強度分布はガウス型であるこ
とが望ましい。
【００１０】更に、その小さい開口は、後方散乱電子の
拡がり半径より小さいピッチで多数設けられているの
で、各開口の形状を調整して補正露光を行うことによ
り、被補正感光板（５）上の後方散乱の露光量を全面で
実質的に均一化することができる。この場合、近接効果
の補正は描画装置とは別体の簡単な構成の補正装置で実
行され、且つ１回の補正露光により高いスループットで
実行される。
拡がり半径より小さいピッチで多数設けられているの
で、各開口の形状を調整して補正露光を行うことによ
り、被補正感光板（５）上の後方散乱の露光量を全面で
実質的に均一化することができる。この場合、近接効果
の補正は描画装置とは別体の簡単な構成の補正装置で実
行され、且つ１回の補正露光により高いスループットで
実行される。
【００１１】また、例えば図２に示すように、被補正感
光板（５）のパターン描画領域６Ａ及び追加領域６Ｂに
対応するマスク（４）上の領域８をそれぞれ開口を有す
る多数の小領域（９1 ，９2 ，９3 ，‥‥）に分割し、
後方散乱電子による露光量と補正露光量との和が一定に
なるようにそれら小領域中の開口の大きさを決めた場合
には、後方散乱による露光量が全面で実質的にほぼ完全
に均一化され、近接効果がより良好に補正される。
光板（５）のパターン描画領域６Ａ及び追加領域６Ｂに
対応するマスク（４）上の領域８をそれぞれ開口を有す
る多数の小領域（９1 ，９2 ，９3 ，‥‥）に分割し、
後方散乱電子による露光量と補正露光量との和が一定に
なるようにそれら小領域中の開口の大きさを決めた場合
には、後方散乱による露光量が全面で実質的にほぼ完全
に均一化され、近接効果がより良好に補正される。
【００１２】なお、第１の近接効果補正装置では、例え
ば図１に示すように、照明光として被補正感光板（５）
に対する感光性のある波長帯の光を使用し、コンデンサ
レンズ（３）としても光学レンズを使用している。しか
しながら、光の代わりに荷電粒子線そのものを使用して
も同様の作用効果を奏することができることは明かであ
る。この場合には、光源（１）の代わりに荷電粒子線源
が、光学レンズ（３）の代わりに電子レンズが、マスク
（４）の代わりに電子線透過マスクが使用される。これ
が本発明の第２の近接効果補正装置である。
ば図１に示すように、照明光として被補正感光板（５）
に対する感光性のある波長帯の光を使用し、コンデンサ
レンズ（３）としても光学レンズを使用している。しか
しながら、光の代わりに荷電粒子線そのものを使用して
も同様の作用効果を奏することができることは明かであ
る。この場合には、光源（１）の代わりに荷電粒子線源
が、光学レンズ（３）の代わりに電子レンズが、マスク
（４）の代わりに電子線透過マスクが使用される。これ
が本発明の第２の近接効果補正装置である。
【００１３】
【実施例】以下、本発明による近接効果補正装置の一実
施例につき図面を参照して説明する。図１は本実施例の
近接効果補正装置を示し、この図１において、１は有限
の大きさの光源、３は光学レンズよりなるコンデンサレ
ンズであり、光源１をコンデンサレンズ３の物側焦点に
配置する。光源１としては、電子線レジストにも感光性
を持つ例えば紫外線の光源を使用する。また、光源１の
輝度分布は曲線２で示すようにガウス分布であることが
望ましい。
施例につき図面を参照して説明する。図１は本実施例の
近接効果補正装置を示し、この図１において、１は有限
の大きさの光源、３は光学レンズよりなるコンデンサレ
ンズであり、光源１をコンデンサレンズ３の物側焦点に
配置する。光源１としては、電子線レジストにも感光性
を持つ例えば紫外線の光源を使用する。また、光源１の
輝度分布は曲線２で示すようにガウス分布であることが
望ましい。
【００１４】４はコンデンサレンズ３の下方に配置され
たマスクを示し、光源１から射出された紫外線ＩＬは、
コンデンサレンズ３で主光線が平行な照明光に変換され
てマスク４を照明する。ただし、平行とはいっても、光
源１の幅をｄ、光源１からコンデンサレンズ３の物側主
平面までの距離（即ち、コンデンサレンズ３の物側焦点
距離）をｆとすると、その照明光には拡がり角が最大で
角度θ（≒ｄ／ｆ）の不平行成分が含まれている。ま
た、マスク４の下方の距離Ｄだけ離れた位置に、被補正
感光板としてのウェハ５を配置する。このウェハ５には
既に図示省略した電子線描画装置により所定のマスクパ
ターンが描画されており、その表面には電子線レジスト
が塗布されている。
たマスクを示し、光源１から射出された紫外線ＩＬは、
コンデンサレンズ３で主光線が平行な照明光に変換され
てマスク４を照明する。ただし、平行とはいっても、光
源１の幅をｄ、光源１からコンデンサレンズ３の物側主
平面までの距離（即ち、コンデンサレンズ３の物側焦点
距離）をｆとすると、その照明光には拡がり角が最大で
角度θ（≒ｄ／ｆ）の不平行成分が含まれている。ま
た、マスク４の下方の距離Ｄだけ離れた位置に、被補正
感光板としてのウェハ５を配置する。このウェハ５には
既に図示省略した電子線描画装置により所定のマスクパ
ターンが描画されており、その表面には電子線レジスト
が塗布されている。
【００１５】図２はそのマスク４の形状を示し、この図
２において、領域６Ａはウェハ５上の描画領域と同じ広
さの領域である。また、ウェハ５上の後方散乱電子の領
域を直径φの円形の領域７として、その領域６Ａの周囲
に幅Ｗの追加領域６Ｂを設定し、その幅Ｗは後方散乱の
拡がり半径であるφ／２以上に設定する。例えば加速電
圧が５０ｋＶの場合の後方散乱電子の拡がり直径φは約
２０μｍである。領域６Ａと追加領域６Ｂとを併せた領
域が、マスク４のパターン領域８であり、このパターン
領域８を後方散乱電子の拡がり半径φ／２よりも十分に
小さいピッチＰで縦横に小領域９1 ，９2 ，９3 ，‥‥
に分ける。後方散乱電子の拡がり直径φが約２０μｍで
ある場合には、ピッチＰは例えば３μｍに設定される。
そして、図３に示すように、これら小領域９1 ，９2 ，
９3 ，‥‥の中央部にそれぞれ光を透過する開口１０
1 ，１０2 ，１０3 ，‥‥を形成する。これにより、マ
スク４のパターン領域８にピッチＰで縦横に多数の開口
が設けられたことになる。なお、開口の位置を各領域の
中央ではなく、各領域の非露光部の重心とするとより高
精度になる。
２において、領域６Ａはウェハ５上の描画領域と同じ広
さの領域である。また、ウェハ５上の後方散乱電子の領
域を直径φの円形の領域７として、その領域６Ａの周囲
に幅Ｗの追加領域６Ｂを設定し、その幅Ｗは後方散乱の
拡がり半径であるφ／２以上に設定する。例えば加速電
圧が５０ｋＶの場合の後方散乱電子の拡がり直径φは約
２０μｍである。領域６Ａと追加領域６Ｂとを併せた領
域が、マスク４のパターン領域８であり、このパターン
領域８を後方散乱電子の拡がり半径φ／２よりも十分に
小さいピッチＰで縦横に小領域９1 ，９2 ，９3 ，‥‥
に分ける。後方散乱電子の拡がり直径φが約２０μｍで
ある場合には、ピッチＰは例えば３μｍに設定される。
そして、図３に示すように、これら小領域９1 ，９2 ，
９3 ，‥‥の中央部にそれぞれ光を透過する開口１０
1 ，１０2 ，１０3 ，‥‥を形成する。これにより、マ
スク４のパターン領域８にピッチＰで縦横に多数の開口
が設けられたことになる。なお、開口の位置を各領域の
中央ではなく、各領域の非露光部の重心とするとより高
精度になる。
【００１６】図１に戻り、ウェハ５は、描画領域がマス
ク４の領域８（図２参照）に重なるようにマスク合わせ
をした位置に配置しておく。この場合、マスク４の小さ
い開口を通過した照明光が、ウェハ５上では直径Ｄθに
広がる。本例では、この照明光の拡がりの直径Ｄθが丁
度ウェハ５上の後方散乱電子の拡がり直径φに一致する
ように、距離Ｄ及び拡がり角θを決める。光源１の強度
分布が曲線２で示したガウス型である場合には、その照
明光によるウェハ５への露光がより電子線の後方散乱に
よる露光に近づいて好都合である。
ク４の領域８（図２参照）に重なるようにマスク合わせ
をした位置に配置しておく。この場合、マスク４の小さ
い開口を通過した照明光が、ウェハ５上では直径Ｄθに
広がる。本例では、この照明光の拡がりの直径Ｄθが丁
度ウェハ５上の後方散乱電子の拡がり直径φに一致する
ように、距離Ｄ及び拡がり角θを決める。光源１の強度
分布が曲線２で示したガウス型である場合には、その照
明光によるウェハ５への露光がより電子線の後方散乱に
よる露光に近づいて好都合である。
【００１７】次に、マスク４の領域８に形成する多数の
開口の大きさの決め方の一例を図４及び図５を参照して
説明する。この場合、図１のウェハ５上に描画されてい
るパターンは図４に示すパターンであると仮定する。図
４において、斜線を施して示すパターン１１，１２及び
１３がそれぞれ電子線の照射により描画されたパターン
であり、その他の領域には電子線は直接には照射されて
いない。しかしながら、斜線が施された領域以外の領域
にも後方散乱による電子線は照射されている。後方散乱
による電子線の照射量は、電子線の直接の照射量が多い
部分、即ち電子線により直接描画されたパターンの密度
が高い部分の周辺で多くなる。図４の例では、例えば細
いパターン１１ａの周辺よりも、太いパターン１１ｂの
周辺の方が後方散乱の量が多い。従って、近接効果を補
正するためには、その細いパターン１１ａの周辺の領域
又は描画パターンが無い領域での補正露光の量を多くし
て、太いパターン１１ｂの周辺の領域又は描画パターン
の密度が高い領域での補正露光の量を少なくすればよ
い。
開口の大きさの決め方の一例を図４及び図５を参照して
説明する。この場合、図１のウェハ５上に描画されてい
るパターンは図４に示すパターンであると仮定する。図
４において、斜線を施して示すパターン１１，１２及び
１３がそれぞれ電子線の照射により描画されたパターン
であり、その他の領域には電子線は直接には照射されて
いない。しかしながら、斜線が施された領域以外の領域
にも後方散乱による電子線は照射されている。後方散乱
による電子線の照射量は、電子線の直接の照射量が多い
部分、即ち電子線により直接描画されたパターンの密度
が高い部分の周辺で多くなる。図４の例では、例えば細
いパターン１１ａの周辺よりも、太いパターン１１ｂの
周辺の方が後方散乱の量が多い。従って、近接効果を補
正するためには、その細いパターン１１ａの周辺の領域
又は描画パターンが無い領域での補正露光の量を多くし
て、太いパターン１１ｂの周辺の領域又は描画パターン
の密度が高い領域での補正露光の量を少なくすればよ
い。
【００１８】図５は、図４に示すウェハ５上の描画パタ
ーンに対応するマスク４上の多数の開口の一例を示し、
この図５において、縦横にピッチＰで分けられた各領域
の中央部にそれぞれ同一又は異なる大きさの開口が形成
されている。ピッチＰは本例では３μｍである。また、
破線で示すパターン１１〜１３は、ウェハ５とマスク４
とがアライメントされた状態におけるウェハ５上のパタ
ーンの位置を示す。図５において、ウェハ５上のパター
ン１３の内の細いパターンに対応するマスク４上の領域
には比較的大きい光透過性の開口１４が形成され、パタ
ーン１３の内の太いパターンに対応するマスク４上の領
域には小さい開口１５が形成され、パターン１３が途切
れている領域には比較的大きい開口１６が形成されてい
る。
ーンに対応するマスク４上の多数の開口の一例を示し、
この図５において、縦横にピッチＰで分けられた各領域
の中央部にそれぞれ同一又は異なる大きさの開口が形成
されている。ピッチＰは本例では３μｍである。また、
破線で示すパターン１１〜１３は、ウェハ５とマスク４
とがアライメントされた状態におけるウェハ５上のパタ
ーンの位置を示す。図５において、ウェハ５上のパター
ン１３の内の細いパターンに対応するマスク４上の領域
には比較的大きい光透過性の開口１４が形成され、パタ
ーン１３の内の太いパターンに対応するマスク４上の領
域には小さい開口１５が形成され、パターン１３が途切
れている領域には比較的大きい開口１６が形成されてい
る。
【００１９】同様に、ウェハ５上の他のパターン１１及
び１２に対応するマスク５上の領域においても、描画パ
ターンが少ない部分に対応する領域では大きい開口が形
成され、描画パターンが多い部分に対応する領域では小
さい開口が形成されている。また、ウェハ５上の描画パ
ターンがない部分に対応するマスク５上の領域には、多
量の補正露光を行うために、例えば開口１７のように最
も大きい開口が形成されている。ただし、マスク４上の
縦横にピッチＰで分けられた領域の中には開口が無い領
域があってもよく、その開口を円形等に形成してもよ
い。なお、マスク４上の多数の開口パターンは例えば電
子線描画により形成されるが、現状では電子線描画で形
成可能なパターンの大きさは０．５μｍ×０．５μｍ角
程度である。そこで、マスク４上に形成される最も小さ
い開口の大きさも０．５μｍ×０．５μｍ角程度であ
る。
び１２に対応するマスク５上の領域においても、描画パ
ターンが少ない部分に対応する領域では大きい開口が形
成され、描画パターンが多い部分に対応する領域では小
さい開口が形成されている。また、ウェハ５上の描画パ
ターンがない部分に対応するマスク５上の領域には、多
量の補正露光を行うために、例えば開口１７のように最
も大きい開口が形成されている。ただし、マスク４上の
縦横にピッチＰで分けられた領域の中には開口が無い領
域があってもよく、その開口を円形等に形成してもよ
い。なお、マスク４上の多数の開口パターンは例えば電
子線描画により形成されるが、現状では電子線描画で形
成可能なパターンの大きさは０．５μｍ×０．５μｍ角
程度である。そこで、マスク４上に形成される最も小さ
い開口の大きさも０．５μｍ×０．５μｍ角程度であ
る。
【００２０】具体的に例えば８インチウェハに対して補
正露光を行うためのマスク４の開口を電子線描画で行う
場合について考察する。この場合、その直径８インチの
領域に対応するマスク上の領域を縦横３μｍピッチで分
割すると、次式より約３６．３×１０8 個の領域に分割
される。 π｛１０２／（３・１０-3）｝2 ＝３６．３×１０8 そして、マスク上の３μｍ×３μｍ角の各領域において
それぞれ１ショットの電子線の描画で１個の開口を形成
することができるので、マスク上の全体の開口を短時間
で描画することができる。
正露光を行うためのマスク４の開口を電子線描画で行う
場合について考察する。この場合、その直径８インチの
領域に対応するマスク上の領域を縦横３μｍピッチで分
割すると、次式より約３６．３×１０8 個の領域に分割
される。 π｛１０２／（３・１０-3）｝2 ＝３６．３×１０8 そして、マスク上の３μｍ×３μｍ角の各領域において
それぞれ１ショットの電子線の描画で１個の開口を形成
することができるので、マスク上の全体の開口を短時間
で描画することができる。
【００２１】図１の補正装置において、ウェハ５として
図４に示すパターンが描画されたウェハを、マスク４と
して図５に示す多数の開口が形成されたマスクを使用す
る。そして、そのウェハ５に適切な強度の紫外線を用い
て適切な時間だけ補正露光を行うことにより、ウェハ５
上の後方散乱は実質的に全面で均一化され、近接効果が
良好に補正される。
図４に示すパターンが描画されたウェハを、マスク４と
して図５に示す多数の開口が形成されたマスクを使用す
る。そして、そのウェハ５に適切な強度の紫外線を用い
て適切な時間だけ補正露光を行うことにより、ウェハ５
上の後方散乱は実質的に全面で均一化され、近接効果が
良好に補正される。
【００２２】上述のように本例によれば、ウェハ５上の
描画パターンの密度が高い部分に対応する領域では小さ
な開口が形成され、描画パターンの密度が低い部分に対
応する領域では大きな開口が形成されたマスク４を用い
て、描画装置とは別の簡単な構成の補正装置でそのウェ
ハ５に１回で補正露光を行うようにしている。従って、
従来のように電子線描画装置自体で補正用のパターンを
逐次描画する場合と比較して、近接効果の補正露光のス
ループットが格段に向上する。更に、大型で且つ高価な
電子線描画装置の側では次々に描画処理を施すことがで
きるので、全体として描画プロセスのスループットが向
上する。
描画パターンの密度が高い部分に対応する領域では小さ
な開口が形成され、描画パターンの密度が低い部分に対
応する領域では大きな開口が形成されたマスク４を用い
て、描画装置とは別の簡単な構成の補正装置でそのウェ
ハ５に１回で補正露光を行うようにしている。従って、
従来のように電子線描画装置自体で補正用のパターンを
逐次描画する場合と比較して、近接効果の補正露光のス
ループットが格段に向上する。更に、大型で且つ高価な
電子線描画装置の側では次々に描画処理を施すことがで
きるので、全体として描画プロセスのスループットが向
上する。
【００２３】更に、そのマスク４としては大きさが調整
された多数の開口が形成されたマスクを使用しているの
で、従来のように描画パターンの反転パターンを描画す
るか、又は反転パターンが形成されたマスクを使用する
場合と比べて、マスク４の製造が容易である利点もあ
る。また、図１の補正装置により、拡がり半径の大きな
後方散乱電子による近接効果であってもほぼ完全に補正
できるので、電子線描画装置の側では電子線の加速電圧
を例えば４０ｋＶ以上に高くして描画を行うことができ
る。
された多数の開口が形成されたマスクを使用しているの
で、従来のように描画パターンの反転パターンを描画す
るか、又は反転パターンが形成されたマスクを使用する
場合と比べて、マスク４の製造が容易である利点もあ
る。また、図１の補正装置により、拡がり半径の大きな
後方散乱電子による近接効果であってもほぼ完全に補正
できるので、電子線描画装置の側では電子線の加速電圧
を例えば４０ｋＶ以上に高くして描画を行うことができ
る。
【００２４】なお、上述実施例では紫外線を用いて補正
露光を行っているが、図１のような独立の簡単な構成の
補正装置で電子線等の荷電粒子線を用いて補正露光を行
ってもよい。この場合には、図１の光源１の代わりに荷
電粒子線源が、コンデンサレンズ３の代わりに磁気レン
ズ又は静電レンズ等の電子レンズが、マスク４の代わり
に荷電粒子線用のマスクがそれぞれ使用される。このよ
うに、本発明は上述実施例に限定されず本発明の要旨を
逸脱しない範囲で種々の構成を取り得る。
露光を行っているが、図１のような独立の簡単な構成の
補正装置で電子線等の荷電粒子線を用いて補正露光を行
ってもよい。この場合には、図１の光源１の代わりに荷
電粒子線源が、コンデンサレンズ３の代わりに磁気レン
ズ又は静電レンズ等の電子レンズが、マスク４の代わり
に荷電粒子線用のマスクがそれぞれ使用される。このよ
うに、本発明は上述実施例に限定されず本発明の要旨を
逸脱しない範囲で種々の構成を取り得る。
【００２５】
【発明の効果】本発明の第１の近接効果補正装置によれ
ば、独立の簡単な補正装置で被補正感光板の全面を一回
露光するだけで近接効果をできるので、補正露光のスル
ープットが大きい利点がある。また、マスクには描画パ
ターンの反転パターンの代わりに多数の開口を形成すれ
ばよいため、マスクを容易に作製できる利点もある。ま
た、マスク上の多数の小領域の中央にそれぞれパターン
描画時の後方散乱電子による露光量と補正露光量との和
が一定になるように大きさが決められた開口を形成する
ようにした場合には、近接効果をほぼ完全に補正するこ
とができる。更に、光の代わりに荷電粒子線を用いて
も、同様に独立の簡単な補正装置を用いて高いスループ
ットで近接効果を補正することができる。
ば、独立の簡単な補正装置で被補正感光板の全面を一回
露光するだけで近接効果をできるので、補正露光のスル
ープットが大きい利点がある。また、マスクには描画パ
ターンの反転パターンの代わりに多数の開口を形成すれ
ばよいため、マスクを容易に作製できる利点もある。ま
た、マスク上の多数の小領域の中央にそれぞれパターン
描画時の後方散乱電子による露光量と補正露光量との和
が一定になるように大きさが決められた開口を形成する
ようにした場合には、近接効果をほぼ完全に補正するこ
とができる。更に、光の代わりに荷電粒子線を用いて
も、同様に独立の簡単な補正装置を用いて高いスループ
ットで近接効果を補正することができる。
【図１】本発明による近接効果補正装置の一実施例を示
す構成図である。
す構成図である。
【図２】実施例のマスクを示す平面図である。
【図３】図２のマスクの一部を示す拡大平面図である。
【図４】ウェハ上に描画されたパターンの一例の要部を
示す拡大平面図である。
示す拡大平面図である。
【図５】図４の描画パターンに対応するマスク側の多数
の開口の一例を示す拡大平面図である。
の開口の一例を示す拡大平面図である。
１ 光源 ２ 光源１の輝度分布曲線 ３ コンデンサレンズ ４ マスク ５ ウェハ ６Ａ 描画領域と同じ広さの領域 ６Ｂ 追加領域 ７ 後方散乱電子の拡がり領域 ８ パターン領域 ９1 ，９2 ，９3 小領域 １０1 ，１０2 ，１０3 開口
Claims (3)
- 【請求項１】 有限の大きさの光源と、電子線露光時の
後方散乱電子の拡がり半径より小さいピッチで多数の開
口が形成されたマスクと、前記光源からの光を所定の拡
がり角の照明光に変換して前記マスクに導くコンデンサ
レンズとを有し、 近接効果補正時に前記マスクから所定の距離だけ離れた
位置に配置された被補正感光板に、前記マスクを介して
補正露光を行う事を特徴とする近接効果補正装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の近接効果補正装置におい
て、 前記被補正感光板のパターン描画領域及び該描画領域の
周辺の後方散乱電子の拡がりの幅より広い幅の追加領域
に対応する前記マスク上の領域を、後方散乱電子の拡が
り半径より小さいピッチで開口を有する多数の小領域に
分割し、パターン描画時の後方散乱電子による前記被補
正感光板への露光量と補正露光量との和が一定になるよ
うに前記小領域の開口の大きさを決めるようにした事を
特徴とする近接効果補正装置。 - 【請求項３】 有限の大きさの荷電粒子線源と、電子線
露光時の後方散乱電子の拡がり半径より小さいピッチで
多数の開口が形成された電子線透過マスクと、前記荷電
粒子線源からの荷電粒子線を所定の拡がり角の照射ビー
ムに変換して前記電子線透過マスクに導くコンデンサレ
ンズとを有し、 近接効果補正時に前記電子線透過マスクから所定の距離
だけ離れた位置に配置された被補正感光板に、前記電子
線透過マスクを介して前記荷電粒子線を照射する事を特
徴とする近接効果補正装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3356258A JPH05175110A (ja) | 1991-12-24 | 1991-12-24 | 近接効果補正装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3356258A JPH05175110A (ja) | 1991-12-24 | 1991-12-24 | 近接効果補正装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05175110A true JPH05175110A (ja) | 1993-07-13 |
Family
ID=18448135
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3356258A Pending JPH05175110A (ja) | 1991-12-24 | 1991-12-24 | 近接効果補正装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05175110A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5888682A (en) * | 1995-12-27 | 1999-03-30 | Nikon Corporation | Method of using a compensation mask to correct particle beam proximity-effect |
| JP2007088385A (ja) * | 2005-09-26 | 2007-04-05 | Advantest Corp | 電子ビーム露光用マスク、電子ビーム露光方法及び電子ビーム露光装置 |
-
1991
- 1991-12-24 JP JP3356258A patent/JPH05175110A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5888682A (en) * | 1995-12-27 | 1999-03-30 | Nikon Corporation | Method of using a compensation mask to correct particle beam proximity-effect |
| US5986765A (en) * | 1995-12-27 | 1999-11-16 | Nikon Corporation | Apparatus including compensation mask to correct particle beam proximity-effect |
| JP2007088385A (ja) * | 2005-09-26 | 2007-04-05 | Advantest Corp | 電子ビーム露光用マスク、電子ビーム露光方法及び電子ビーム露光装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20010927 |