JPH03201455A - 電子ビーム露光装置 - Google Patents

電子ビーム露光装置

Info

Publication number
JPH03201455A
JPH03201455A JP1339452A JP33945289A JPH03201455A JP H03201455 A JPH03201455 A JP H03201455A JP 1339452 A JP1339452 A JP 1339452A JP 33945289 A JP33945289 A JP 33945289A JP H03201455 A JPH03201455 A JP H03201455A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electron beam
sample
stage
blanking
electron
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1339452A
Other languages
English (en)
Inventor
Shinichi Hamaguchi
新一 濱口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP1339452A priority Critical patent/JPH03201455A/ja
Publication of JPH03201455A publication Critical patent/JPH03201455A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 この発明は、半導体デバイスの生産に用いられる電子ビ
ーム露光装置に関し、 スループット向上のためにビーム電流を増大した場合に
あっても、ビームオフ状態において漏れ電流により試料
を感光させることがなく、シかもビームオフ状態でステ
ージが同一箇所に所定時間以上停止したような場合にあ
っても、試料上の同一箇所に大量の電子照射が行われ、
これによりレジストが気化してコラム下部を汚染しない
ことを目的とし、 電子銃、電子レンズ列、絞り列等から戊るコラム部の光
軸直下に、ウェハー等の試料を載置する移動可能なステ
ージを配置し、前記コラム部から電子ビームを発する状
態において前記ステージを適宜に作動させることにより
、試料上の所望領域に対して電子ビームを照射するとと
もに、コラム部に内蔵されたブランキング電極に所定の
ブランキング電圧を印加して電子ビーム光軸を絞り孔外
へと偏向させることにより、試料への電子ビーム到達を
遮断するようにした電子ビーム露光装置において、前記
ブランキング電極に対してブランキング電圧が連続的に
印加若しくは連続的に印加されていない状態が所定時間
以上継続したことを判定する手段と、現在のステージ位
置がその上に載置された試料の有効露光領域に対して電
子ビーム露光が行われる状態に相当するかを判定する手
段と、前記コラム部から試料に至る電子ビーム経路に介
在され、かつ前記ブランキング電圧が連続的に印加若し
くは連続的に印加されていない状態が所定時間以上継続
したこと及び有効露光領域に対して電子ビーム露光が行
われる状態にあることの双方が判定されることを条件と
して、電子ビームが試料上に到達することを機構的に遮
断する手段と、を具備して構成する。
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体デバイスの生産に用いられる電子ビ
ーム露光装置に関する。
電子ビーム露光装置は、例えばASICの分野ニオイて
は、短納期化を目的としてウェハー上に直接パターン形
成を行う装置として、あるいはマスク・レチクルのパタ
ーン形成装置等として半導体デバイスの生産には欠かす
ことのできない装置とされている。
この種の電子ビーム露光装置では、数μm角のショット
を連続的に並べていくことでパターン形成を行うため、
ウェハー1枚当りの露光時間は、基本となるマスク/レ
チクルを光学的に転写するアライナ/ステッパに比べて
は相当に遅いものとなる。
この為、スループット向上のためには、1ショット当り
の所要時間の短縮が必要であり、その一つの方法として
は、電子ビームの電流密度を上げることにより、所要の
ドーズ量を得るに要するビーム照射時間をできるだけ少
なくすることが考えられる。
しかしながら、電流密度を上げるとビームブランキング
時の漏れ電流が無視できなくなり、場合によっては余分
パターンが形成される場合も生ずる。
また、直接ビームが出ている状態でステージが何等かの
原因で停止してしまうと、大量の電子照射によるレジス
トの気化とそれによるコラムの汚染の問題も生ずる。
本発明は、ブランキング出力を監視することにより、こ
れらの異常に迅速に対応可能としたものである。
〔従来の技術〕
従来の電子ビーム露光装置の一例を第4図に示す。この
装置は、所謂ガウンシアンビームタイプのコラムを備え
た電子ビーム露光装置である。
同図に示されるように、この電子ビーム露光装置は、電
子銃、電子レンズ列、絞り列等からなるコラム部1の光
軸直下に、ウェハーなどの試料2を載置する移動可能な
ステージ3を配置して構成されている。
コラム部1は、電子銃4、グリッド5、アノード6、第
1絞り7、ブランキング電極sa、sb。
第ルンズ9、第2絞り10.第2レンズ11、第3レン
ズ12および位置偏向器13を備えている。
そして、電子銃4から発せられた電子ビームは、グリッ
ド5、アノード6を通過後、第1絞り7で適当に絞られ
た後、第ルンズ9により収束され、第2絞り10の絞り
穴10aを通過して第2レンズ11へ至り、さらに第2
レンズ11および第3レンズ12で収束された後、位置
偏向器13により所望の方向への指向制御が行われ、試
料2上に照射される。
ステージ3は、制御計算機14のシステムバス15に接
続されたステージ制御部16によりXY方向へと適宜駆
動制御される。
一方、ブランキング電極8aに対しては、ブランキング
制御部17からの指令を受けてアンプ18から出力され
る0電位と+V電位とが択一的に印加される。
そして、02位が印加された状態では、図中符号1.9
 aに示されるように、第1レンズ9で収束された電子
ビームは、その前方にある第2絞り10の絞り穴10a
を通過して、最終的に試料2上へ到達する。
それに対し、+V電位が印加された状態では、図中符号
19bで示されるように、第ルンズ9で収束された電子
ビームは、コラム部1の光軸を大きく外れて曲げられ、
第2絞り1oの絞り孔10aを通過することができず、
これにより試料2に到達する電子ビームが遮断される。
この様に、従来の電子ビーム露光装置においては、コラ
ム部1から電子ビームを発する状態においてステージ3
を適宜に作動させることにより、試料2上の所望領域に
対して電子ビームを照射するとともに、コラム部lに内
蔵されたブランキング電極8aに所定のブランキング電
圧+Vを印加して電子ビーム光軸を絞り孔10a外へと
曲げることにより、試料2への電子ビーム到達を遮断す
るようになっている。
しかしながら、この様な従来の電子ビーム露光装置にあ
っては、スループット向上の為に電子ビームの電流密度
を上げていくと、ブランキング電極8a、8bでビーム
軌道を曲げても、なおも漏れて試料面に到達する電子の
量が無視できなくなる。
勿論、通常の場合は問題にならない量であるが、何等か
の原因でステージ3が一箇所に長時間停止し、試料2の
同一箇所に長時間漏れ電子が照射されると、レジストと
漏れ電子の反応が無視できない量となり、ついには試料
2が感光して余分なパターンが形成されてしまい、それ
と気付かずに後工程まで進めると、出来上がったデバイ
スは当然不良となる為コスト的に大きな損失を生ずる。
また、ブランキング電極8as8bにより電子ビームを
遮断しない状態、すなわちビームオン状態においても、
何等かの原因によりステージ3が同一箇所に所定時間以
上止まると、試料2の同一箇所に対し大量の電子ビーム
照射が行われ、それによる発熱によりレジストが気化し
てコラム下部を汚染することとなる。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述のように、従来の電子ビーム露光装置にあっては、
ブランキング電極に対し所定電圧を印加することで電子
ビーム光軸を曲げ、絞り孔の通過を不能とすることによ
り、試料2上に到達する電子ビームを遮断していた為、
スループット向上の為にビーム電流を増大すると、電子
ビームの遮断が不十分となり、ステージが一箇所に長時
間停止していた場合、漏れ電子により試料が感光して余
分なパターンが形成され、それと気付かずに後工程まで
進めると、出来上がったデバイスは当然不良となり、大
きなコスト的損失を生ずるという問題点があった。
また、所謂ビームオン状態においても、何等かの原因で
ステージが1箇所に所定時間以上停止していると、試料
上の同一箇所に大量の電子照射が行われ、その発熱によ
りレジストが気化してコラム下部を汚染させるという問
題点もあった。
この発明は、上述の問題点に鑑み成されたものであり、
その目的とするところは、スループット向上のためにビ
ーム電流を増大した場合にあっても、ビームオフ状態に
おいて漏れ電流により試料を感光させることがなく、し
かもビームオフ状態でステージが同一箇所に所定時間以
上停止したような場合にあっても、試料上の同一箇所に
大量の電子照射が行われ、これによりレジストが気化し
てコラム下部を汚染することがないようにした電子ビー
ム露光装置を提供することにある。
〔発明が解決しようとする課題〕
この発明は、上記の目的を達成するために、電子銃、電
子レンズ列、絞り列等から成るコラム部の光軸直下に、
ウェハー等の試料を載置する移動可能なステージを配置
し、前記コラム部から電子ビームを発する状態において
前記ステージを適宜に作動させることにより、試料上の
所望領域に対して電子ビームを照射するとともに、コラ
ム部に内蔵されたブランキング電極に所定のブランキン
グ電圧を印加して電子ビーム光軸を絞り孔外へと偏向さ
せることにより、試料への電子ビーム到達を遮断するよ
うにした電子ビーム露光装置において、前記ブランキン
グ電極に対してブランキング電圧が連続的に印加若しく
は連続的に印加されていない状態が所定時間以上継続し
たことを判定する手段と、現在のステージ位置がその上
に載置された試料の有効露光領域に対して電子ビーム露
光が行われる状態に相当するかを判定する手段と、前記
コラム部から試料に至る電子ビーム経路に介在され、か
つ前記ブランキング電圧が連続的に印加若しくは連続的
に印加されていない状態が所定時間以上継続したこと及
び有効露光領域に対して電子ビーム露光が行われる状態
にあることの双方が判定されることを条件として、電子
ビームが試料上に到達することを機構的に遮断する手段
と、を具備すること、を特徴とするものである。
〔作用〕
この様な構成によれば、ブランキング電圧が連続的に印
加もしくは連続的に印加されていない状態が所定時間以
上継続し、且つ有効露光領域に対して電子ビーム露光が
行われる状態にあっては、試料上へ到達しようとする電
子ビームは機構的手段により確実に遮断されてしまう。
〔実施例〕 第1図は本発明に係わる電子ビーム露光装置の一実施例
を示す構成図である。
尚、同図において、前記第4図の従来例と同一構成部分
については同符号を付して説明は省略する。
この実施例に示される電子ビーム露光装置は、ガウシア
ンビームタイプのコラムを備えたものであるか、本発明
は他のタイプのコラムを備えた装置に対しても同様に適
応が可能である。
モニタ部■9は、アンプ18の出力電圧を監視しこれに
基つきブランキング電極8aに対してブランキング電圧
か連続的に印加もしくは連続的に印加されていない状態
が所定時間以上継続したことを判定するものである。
このモニタ部19の詳細を、第2図のブロック図に示す
同図に示されるようにブランキングアンプ18の出力電
圧は、ビームオフ状態にあっては+V電位に、またビー
ムオフ状態にあってはアース電位となるように設定され
ており、このブランキングアンプ18の出力はモニタ部
19内の微分回路19aに供給されている。
微分回路19aは、ブランキングアンプ18の出力電圧
が、アース電位から+V電位へと立ち上がるのに応答し
て微小幅“H”パルスを、また+V電位からアース電位
の立ち下がりに応答して微小幅“L”パルスを出力する
ように構成されており、この微分回路19aの出力は二
つの比較器19b、19cに並列に供給されている。
比較器19bは、微分回路19aからの微小幅“H”パ
ルスに応答して微小幅“H”ハルスヲ出力するように構
成されている。
この比較器19bから出力される微小幅“H”パルスは
、後述するビームOFF時間カウンタ19dのスタート
入力およびオアゲート19gを介してビームON時間カ
ウンタ19eのリセット入力に供給されている。
また、比較器19cは微分回路19aから供給される微
小幅“L”パルスに応答して微小幅“H”パルスを出力
するように構成されている。
この比較器19cから出力される微小幅“H″パルスは
、後述するビームON時間カウンタ↓9eのスタート人
力およびオアゲート19fを介してビームOFF時間カ
ウンタ19dのリセット入力に供給されている。
ビームOFF時間カウンタ19dおよびビームON時間
カウンタ19eは、それぞれクロック発振器19hから
のクロックを所定時間カウントすると、OFF時間FU
LL信号S1およびON時間FULL信号S2を出力す
るように構成されている。
ここで、ビームOFF時間カウンタ19(iがカウント
すべきカウント値は前述した漏れ電子による試料感光所
要時間を考慮して決定される。
例えば、レジスト感度がlOμC/cd、漏れ電子密度
が1μA/cdとするとレジストは約10秒程度で感光
してしまうため、この場合ビームオフ時間カウンタ19
bのカウント値は例えば3秒程度に設定される。
また、ビームON時間カウンタ19eでカウントすべき
カウント値は、ビームON状態のままステージが停止し
た場合に、レジストの発熱を考慮して決定され、例えば
100m5ec程度に設定される。
尚、以上のカウンタ19d、19eは、制御計算機14
からのリセットパルスによってもリセットが可能に成さ
れている。すなわち、制御計算機14では、ステージ位
置を移動させた場合、直ちにカウンタ19d、19eを
リセットするようになっている。
一方、第1図において、コラム部1から試料2に至る電
子ビーム経路には、本発明の要部であるシャッタ機構が
介在されている。
この実施例のシャッタ機構は、中心に透孔21aを有す
るシャツタ板21を、電子ビーム経路に出没させること
により、常時は電子ビームを透孔21aに通過させ、シ
ャッタ作動時にあっては、シャツタ板21によっては電
子ビーム経路を完全に遮断するようになっている。
尚、シャツタ板21の出没動作は、エアシリンダ、電磁
プランジャ等の公知の機構により容易に実現することが
できる。
シャッタ駆動部20は、シャツタ板21の駆動機構とし
て例えばエアシリンダを用いた場合であれば、そのエア
切り替えに必要な電磁弁を駆動するものであり、またシ
ャツタ板21の駆動機構として例えば電磁プランジャを
使用した場合であれば、その電磁ソレノイドに対する通
電を制御するものである。
次に、以上の構成よりなる電子ビーム露光装置の動作を
順次系統的に説明する。
前述の如く、この種のブランキング電極を用いて電子ビ
ームを遮断するようにした電子ビーム露光装置にあって
は、電子ビームを遮断した状態、即ちビームOFF状態
においても、第2絞りlOの絞り孔10aから漏れビー
ムが生じ、これが試料2上に到達する。
この到達する電子ビームの量は極めてわずかなものであ
るが、ビーム電流が増強された場合、あるいはステージ
3が何等かの原因で長時間同一位置に停止していると次
第に試料2上のレジストを感光させることとなる。
しかるに、本実施例装置の場合、ビームON状態からビ
ームOFF状態への切り替えが行われ、これに伴いアン
プ18の出力電圧がアース電位から+V電位へと立ち上
がると、ビームOFF時間カウンタ19bがビームOF
F時間のカウントを開始し、その状態が例えば3秒経過
するとOFF時間FULL信号S1が出力される。
一方、第3図に示されるように、制御計算機14におい
ては、通常の露光制御(ステップ301)を行いつつ、
その終了の度にモニタ部19の出力を読み込み(ステッ
プ302)OFF時間FULL信号の存在、ON時間F
ULL信号の存在をチエツクしている(ステップ303
.304)。
この為、OFF時間FULL信号SLが出力されると(
ステップ303YES)、その後現在のステージ位置の
判定処理が行われる。
この判定では、まずステージ位置の読み込みが行われ(
ステップ305)、その後現在のステージ位置がその上
に載置された試料2の有効露光領域に対して電子ビーム
露光が行われる状態に相当するかの判定が行われる(ス
テップ306)。
ここで、ステージ位置は有効露光領域と判定されれば(
ステップ306)、直ちにシャッタ駆動#20に対し所
定の信号が送られ、シャツタ板21は電子ビーム経路を
遮断する状態に移動設定される。
このシャツタ板21の動作は、ブランキング電極8 a
 N 8 bと第2絞り10との位置関係で行われる遮
断原理とは異なり、電子ビームの経路を完全に機構的に
塞ぐものであり、この為シャツタ板21の作動により試
料2に到達する電子ビームは完全に遮断される。
他方、ブランキング電極8a、8bによる電子ビームオ
ン状態からON状態への切り替えが行われ、その後例え
ば100m5e、c程度が経過すると、ビームON時間
カウンタ19eからはON時間FULL信号s2が出力
される。
すると、第3図のフローチャートに示されるように、制
御用計算機14ではON時間FULL信号有りの判定が
行われ(ステップ304YES)、その後前述と同様な
ステージ位置の確認処理が行われる。
すなわち、ステージ位置の読み込みが行われ(ステップ
305)、当該ステージ位置が有効露光領域と判定され
れば(ステップ306YES)、直ちにシャツタ板の駆
動が行われ(ステップ307)、試料2上への電子ビー
ム照射は完全に遮断される。
従って、ビームオン状態において、何等かの原因でステ
ージ3が停止してしまったような場合には、その後10
0 m s e cの経過とともに試料2に対する電子
ビーム照射はシャツタ板21により完全に遮断され、こ
れにより大量の電子照射による発熱でレジストが気化し
、コラム下部が汚染される等の問題を未然に防止するこ
とができる。
この様に、本実施例装置によれば、スループット向上の
ためにビーム電流を増強し、これによりビームOFF状
態において絞り孔10aを通過する漏れビームが試料2
を感光させる虞が生じた場合には、直ちにシャツタ板2
↓の作動により試料2に至る電子ビームを完全に遮断し
、漏れ電子によるレジストの感光を防止しすることがで
きる。
また、ビームON期間において、何等かの原因でステー
ジ3が1箇所に停止してしまったような場合にも、大量
の電子照射によりレジストが気化するに至る前に、シャ
ツタ板21の作動により試料2に対する電子ビーム照射
を完全に遮断し、これによりレジストの気化に伴うコラ
ム下部の汚染を防止することができる。
尚、以上の実施例では、制御計算機14を介してブラン
キング制御部17、モニタ部19、シャッタ駆動部20
、ステージ制御部16の制御を行ったが、以上の制御を
専用のワイヤドロシック回路で構成してもよいことは勿
論である。
〔発明の効果〕
以上の説明で明らかなように、この発明によれば、電子
ビームOFF期間における漏れ電子によって試料が感光
し、それと気付かずに後工程まで進められた結果、大量
の不良品が発生し大きな損失を与えることを未然に防止
することができ、またビームON期間において何等かの
原因によりステージが1箇所に停止し、これにより大量
の電子照射によってレジストを気化させコラム下部を汚
染する等の問題をも未然に防止することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例構成図、 第2図はモニタ部の詳細構成図、 第3図は制御計算機の動作フローチャート、第4図は従
来装置の構成図である。 1・・・コラム部 2・・・試料 3・・・ステージ 4・・・電子銃 5・・・グリッド 6・・・アノード 7・・・第1絞り 8a、8b・・・ブランキング電極 9・・・第(レンズ 10・・・第2絞り 10a・・・絞り孔 11・・・第2レンズ 13・・・位置偏向器 14・・・制御計算機 15・・・システムバス 16・・・ステージ制御部 17・・・ブランキング制御部 18・・・アンプ 19・・・モニタ部 20・・・シャッタ駆動部 21・・・シャツタ板 21a・・・透孔

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 電子銃(4)、電子レンズ列(9、11、12)絞り列
    (7、10)等から成るコラム部(1)の光軸直下に、
    ウェハー等の試料(2)を載置する移動可能なステージ
    (3)を配置し、前記コラム部から電子ビームを発する
    状態において前記ステージ(3)を適宜に作動させるこ
    とにより、試料上の所望領域に対して電子ビームを照射
    するとともに、コラム部(1)に内蔵されたブランキン
    グ電極(8a)に所定のブランキング電圧(+V)を印
    加して電子ビーム光軸を絞り孔(10a)外へと偏向さ
    せることにより、試料(2)への電子ビーム到達を遮断
    するようにした電子ビーム露光装置において、 前記ブランキング電極(8a)に対してブランキング電
    圧(+V)が連続的に印加若しくは連続的に印加されて
    いない状態が所定時間以上継続したことを判定する手段
    (19)と、 現在のステージ位置がその上に載置された試料の有効露
    光領域に対して電子ビーム露光が行われる状態に相当す
    るかを判定する手段(ステップ305、306)と、 前記コラム部から試料に至る電子ビーム経路に介在され
    、かつ前記ブランキング電圧が連続的に印加若しくは連
    続的に印加されていない状態が所定時間以上継続したこ
    と及び有効露光領域に対して電子ビーム露光が行われる
    状態にあることの双方が判定されることを条件として、
    電子ビームが試料上に到達することを機構的に遮断する
    手段(20、21)と、 を具備すること、を特徴とする電子ビーム露光装置。
JP1339452A 1989-12-28 1989-12-28 電子ビーム露光装置 Pending JPH03201455A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1339452A JPH03201455A (ja) 1989-12-28 1989-12-28 電子ビーム露光装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1339452A JPH03201455A (ja) 1989-12-28 1989-12-28 電子ビーム露光装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH03201455A true JPH03201455A (ja) 1991-09-03

Family

ID=18327601

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1339452A Pending JPH03201455A (ja) 1989-12-28 1989-12-28 電子ビーム露光装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH03201455A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007258284A (ja) * 2006-03-22 2007-10-04 Jeol Ltd 荷電粒子ビーム装置。

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007258284A (ja) * 2006-03-22 2007-10-04 Jeol Ltd 荷電粒子ビーム装置。

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0075949B1 (en) Ion beam processing apparatus and method of correcting mask defects
KR100241995B1 (ko) 하전입자빔 노광장치
JP5634052B2 (ja) 荷電粒子線描画装置およびデバイス製造方法
US10483088B2 (en) Multi charged particle beam writing apparatus and multi charged particle beam writing method
JP2003208869A (ja) イオン注入装置およびイオン注入方法
KR20000070813A (ko) 디지털 방식의 직접 기입 전자 빔 리소그래피
USRE33193E (en) Ion beam processing apparatus and method of correcting mask defects
TWI421915B (zh) 在使用快速離子束控制的固定束離子柨植製程中的故障回復的方法與及裝置
US20190051494A1 (en) Multi charged particle beam writing apparatus
JP2000030647A (ja) 荷電粒子ビーム露光装置
US10211023B2 (en) Aperture set for multi-beam and multi-charged particle beam writing apparatus
KR930001493B1 (ko) 반도체 장치 패터닝용 광전자 전사장치
JPH03201455A (ja) 電子ビーム露光装置
US5153441A (en) Electron-beam exposure apparatus
EP0035556B1 (en) Electron beam system
JP2006128376A (ja) 電子ビーム制御方法および電子ビーム描画装置
JP2008034384A (ja) イオンビームガイドチューブ
US5851725A (en) Exposure of lithographic resists by metastable rare gas atoms
US8178280B2 (en) Self-contained proximity effect correction inspiration for advanced lithography (special)
US20170270656A1 (en) Method for inspecting blanking plate
US11756766B2 (en) Charged particle beam writing apparatus and charged particle beam writing method
JPS6138607B2 (ja)
US20230260741A1 (en) Ion implanter and ion implantation method
JPH07296764A (ja) イオン注入方法およびその装置
JP3325695B2 (ja) 荷電粒子ビーム露光方法